專利名稱：液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示器可以分類為采用背光作為光源的透射式液晶顯示器和 采用自然光為光源的反射式液晶顯示器。透射式液晶顯示器采用背光作為光 源，從而甚至在黑暗的環(huán)境下也可以產(chǎn)生明亮的圖像。然而，在明亮的環(huán)境 下，卻難于運(yùn)行透射式液晶顯示器，并且消耗大量的能量。
另一方面，因?yàn)榉瓷涫揭壕э@示器不包括背光，這減少了能量消耗，但 是在環(huán)境很暗時卻不能使用。
作為選擇，透射反射式液晶顯示器可以克服反射式液晶顯示器的上述限 制。透射反射式液晶顯示器在單元像素內(nèi)具有反射區(qū)域和透射區(qū)域兩個區(qū) 域，從而根據(jù)需要，它既可以用作反射式液晶顯示器也可以用作透射式液晶 顯示器。
傳統(tǒng)的透射反射式液晶顯示器包括反射光到反射區(qū)域的單獨(dú)的反射電 極。通常，需要設(shè)掩模工藝以形成單獨(dú)的反射電極，其中通常采用七至九個 掩模。因?yàn)榕c采用四至五個掩模的透射式液晶顯示器相比透射反射式液晶顯 示器采用較多個掩模，所以透射反射式液晶顯示器的制造成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個方面是提供液晶顯示器及其制造方法，其通過 利用存儲電容器的金屬電極作為反射器而不需要單獨(dú)的反射電極。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另 一 個方面是提供能夠通過在上基板的反射區(qū)域 中包括可選擇的彩色濾光片來顯示圖像的液晶顯示器及其制造方法。該反射 區(qū)域不包括黑矩陣，并且對應(yīng)于反射光的下基板上的存儲電容器。
本發(fā)明的另 一個方面是提供通過在上基板對應(yīng)于下基板上的存儲電容 器的反射區(qū)域中形成雙重單元間隙結(jié)構(gòu)的有機(jī)膜能夠改善反射區(qū)域的圖像質(zhì)量的液晶顯示器及其制造方法。
另外，本發(fā)明的再一方面提供能低成本制造透射反射式液晶顯示器的制 造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，提供液晶顯示器。該液晶顯示器包括第一 基板；第二基板，面對該第一基板；薄膜晶體管，在該第一基板的面對該第 二基板側(cè)上；存儲電容器，在該第一基板的面對該第二基板側(cè)上；黑矩陣， 在該第二基板的面對該第一基板側(cè)上；彩色濾光片，在該第二基板的面對該 第一基板側(cè)上；和液晶，在該第一基板和該第二基板之間，其中該存儲電容 器包括構(gòu)造成反射通過該第一基板接收的外部光的反射電極。
該存儲電容器還可以包括像素電極。存儲電容器的反射電極可以包括選 自Al、 AlNd、 Mo、 Cr、 Mo/AlNd (雙層)和MoW等的任何一個。
濾光片可以在第二基板的反射區(qū)域上，并且反射區(qū)域?qū)?yīng)于第 一基板上 的存儲電容器。
黑矩陣可以在該第二基板的不同于該第二基板的反射區(qū)域的區(qū)域上，并 且該反射區(qū)域?qū)?yīng)于該第 一基板上的該存儲電容器。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例，提供液晶顯示器。該顯示器包括第一基 板；第二基板，相隔并面對該第一基板；薄膜晶體管，在該第一基板的面對 該第二基板側(cè)上；存儲電容器，在該第一基板的面對該第二基板側(cè)上，該存 儲電容器包括構(gòu)造成反射通過該第一基板的外部光的反射電極；黑矩陣，在 該第二基板的面對該第一基板側(cè)上；彩色濾光片，在該第二基板的面對該第 一基板側(cè)上；有機(jī)膜，在該第二基板的反射區(qū)域上，該反射區(qū)域?qū)?yīng)于該第 一基板上的該存儲電容器；和液晶，在該第一基板和該第二基板之間。
該有機(jī)膜可以在該反射區(qū)域中的該彩色濾光片上。該有機(jī)膜可以在該第 二基板的該反射區(qū)域上，該反射區(qū)域不同于該第二基板設(shè)置有該黑矩陣和該 彩色濾光片的另一個區(qū)域。
該液晶顯示器還可以包括在黑矩陣和該彩色濾光片上的公共電極，并且 該有機(jī)膜在該公共電極上。該公共電極可以在黑矩陣、彩色濾光片和有機(jī)膜 上。
該有機(jī)膜的厚度可以是該液晶的總厚度的一半。該有機(jī)膜可以提供在該 反射區(qū)域中反射的光通過該液晶傳播的通道，其中該反射的光在該液晶內(nèi)傳 播的距離等于在透射區(qū)域中該液晶內(nèi)透射光傳播的距離。根據(jù)本發(fā)明的再一個實(shí)施例，提供液晶顯示器的制造方法。該方法包括
在第一基板上形成薄膜晶體管和存儲電容器，該存儲電容器具有反射電極； 提供面對該第一基板的第二基板；在該第二基板面對該第一基板側(cè)上形成黑 矩陣和彩色濾光片；將該第一基板和該第二基板連接在一起；以及在該連接 的第 一和第二基板之間注入液晶。
該存儲電容器還可以包括像素電極。該存儲電容器的該反射電極可以包 括選自Al、 AlNd、 Mo、 Cr、 Mo/AlNd (雙層)和MoW等的任何一個。
該彩色濾光片可以在該第二基板的反射區(qū)域上，并且該反射區(qū)域?qū)?yīng)于 該第 一基板上的該存儲電容器。
該黑矩陣和該彩色濾光片可以在該第二基板的該反射區(qū)域?qū)?yīng)于該第 一基板上的該存儲電容器之外的區(qū)域上。
根據(jù)本發(fā)明又一個實(shí)施例，提供液晶顯示器的制造方法。該方法包括 在第一基板上形成薄膜晶體管和存儲電容器，該存儲電容器包括反射電極； 在該第二基板面對該第一基板側(cè)上形成黑矩陣和彩色濾光片；在該第二基板
的面對該第一基板側(cè)上的反射區(qū)域上形成有才幾膜，該反射區(qū)域?qū)?yīng)于該第一 基板上的該存儲電容器；將該第一基板和該第二基板連接在一起；以及在該 連接的第 一和第二基板之間注入液晶。
該有機(jī)膜可以在該反射區(qū)域中的該彩色濾光片上，并且該有機(jī)膜對應(yīng)于 該存儲電容器。
該有機(jī)膜可以在該反射區(qū)域上，并且該黑矩陣和該彩色濾光片在不同于 該反射區(qū)域的區(qū)域上。
該方法還可以提供公共電極，其中該公共電極在該黑矩陣和該彩色濾光 片上，并且該有機(jī)膜在該公共電極上。
該方法還可以在該黑矩陣、該彩色濾光片和該有機(jī)膜上提供公共電極。
該有機(jī)膜的厚度可以是該液晶的總厚度的 一半。
該有機(jī)膜可以在該反射區(qū)域中提供反射的光通過該液晶的傳播通道，其 中在該液晶內(nèi)該反射光的傳播距離等于透射區(qū)域中該液晶內(nèi)透射光的傳播 距離。
在下文，將參照附圖描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。


通過下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述的和其它的方面和特征將
更加明顯易懂，其中
圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明一個示范性實(shí)施例的液晶顯示器的截面圖； 圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明另 一個示范性實(shí)施例的液晶顯示器的截面圖； 圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明再一個示范性實(shí)施例的液晶顯示器的截面圖； 圖4是用于說明根據(jù)本發(fā)明一個示范性實(shí)施例的液晶顯示器的制造方法
的流程圖5a至51是用于圖解根據(jù)本發(fā)明一個示范性實(shí)施例的液晶顯示器的制 造方法的截面圖6是用于說明根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實(shí)施例和其它示范性實(shí)施例的 液晶顯示器的制造方法的流程圖7a至7e是用于圖解根據(jù)本發(fā)明再一個示范性實(shí)施例的液晶顯示器的 示范性制造方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將描述^4居本發(fā)明 一個示范性實(shí)施例的液晶顯示器。
圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的液晶顯示器1000的截面圖。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的液晶顯示器1000包括下基板 110、薄膜晶體管120、存儲電容器130、隔墊物140、液晶210、上基板310、 黑矩陣320、彩色濾光片330和公共電極340。
下基板110是其上形成有薄膜晶體管120的原始板。因?yàn)楸彻鈫卧?(BLU)的光通過下基板IIO透射，所以下基板110的材料應(yīng)當(dāng)是透明的。 因此，它通常由玻璃制造，并且其厚度通常約為0.5至0.7mm。對于下基板 110,大量采用熔法(fbsion method )和浮法(floating method)制造玻璃。
浮法中，用于基板110的玻璃通過流動在熔化爐中煮沸的熔化玻璃進(jìn)入 水平的輥(熔化的錫)來制造。然而，在浮法中，玻璃接觸輥，從而需要進(jìn) 一步的工藝來隨后拋光玻璃。
熔法中，熔化的玻璃在流出熔化爐后通過使其在空氣中垂直落下來冷 卻。因此，熔法具有改善玻璃表面質(zhì)量的優(yōu)點(diǎn)，這是因?yàn)樵谛纬扇刍牟Ａ?時，沒有進(jìn)行接觸熔化玻璃的表面。
薄膜晶體管120包括柵極電極121，形成在下基板110的上側(cè)上；柵極絕緣膜122,形成在下基板110和柵極電極121的上側(cè)上；硅層123，形 成在柵極絕緣層122的上側(cè)上；半導(dǎo)體層124，形成在硅層123的上側(cè)上； 源極/漏極電極125形成在半導(dǎo)體層124的上側(cè)上；以及保護(hù)層126,在源極 /漏極電極125和柵極絕緣層122的上側(cè)上。
柵極電極121形成在下基板110上，其中它形成在與存儲電容器130的 下電極131相同的層上。根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，電容器的下電極131 起反射電極的作用。因此，如稍后所描述，存儲電容器130的下電極131可 以由A1、 AlNd、 Mo、 Cr、 Mo/AlNd (雙層)、MoW或者它們的等同物制造。
柵極電極121通常采用賊射法形成。賊射法使用由高電壓加速的氬陽離 子(Ar+)。當(dāng)氬陽離子(Ar+)的動能大于金屬原子之間的鍵能時，濺射法 從金屬的表面分離原子。濺射的金屬原子通過它們的相互撞擊和干擾消耗它 們的能量，并且在玻璃基板的表面上相互結(jié)合以薄膜的形式生長。然而，本 發(fā)明不限于上述的柵極電極121的材料和制造方法。
柵極絕緣層122形成在柵極電極121和下基板110上。柵極絕緣膜122 在柵極電極121和源極/漏極電極125之間提供絕緣功能，并且通常采用例如 氮化硅(SiNx)沉積。
柵極絕緣層122通常采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法形成。 PECVD法是這樣的工藝，包括以真空狀態(tài)將化學(xué)氣相注入室中，用中性 狀態(tài)的氣體分子采用電場獲得高能量的撞擊電子分解氣體分子，并且采用反 應(yīng)將分解的氣體原子附著到基板來沉積薄膜。然而，本發(fā)明不限于上述的柵 極絕緣層122的材料和制造方法。
硅層123形成在柵極絕緣層122上。當(dāng)電壓施加到柵極電極121時，溝 道形成在硅層123上，并且石圭層123典型地采用PECVD法形成。
硅層123典型地采用例如非晶硅(a-Si)形成，這是因?yàn)橄禄?10的 玻璃是非晶的，并且可以形成多晶硅(poly-Si),以便增強(qiáng)電子遷移率。多 晶硅(poly-Si)通過在基板上沉積非晶硅(a-Si)然后加熱基板生長晶粒形 成。多晶硅(poly-Si)根據(jù)工藝溫度分成低溫多晶硅(LTPS )和高溫多晶硅 (HTPS )。
關(guān)于晶化方法， 一些實(shí)例是固相晶化(SPC-solid phase crystallization ) 法、場增強(qiáng)快速熱處理(FERTA-field enhanced rapid thermal annealing)法、 受激準(zhǔn)分子激光退火(ELA- excimer laser annealing )法、連續(xù)側(cè)向凝固(SLS-sequential lateral solidification ) 法、金屬"i秀導(dǎo)晶4匕 (MIC-metal induced crystallization )法、金屬i秀導(dǎo)側(cè)向晶( MILC國metal induced lateral crystallization);去、超曰日日壽立石圭(SGS-super grain silicon )'法等。 然而，硅層123不限于上述的材料和制造方法。
半導(dǎo)體層124形成在硅層123的上側(cè)上。半導(dǎo)體層124通過采用掩模在 硅層123的區(qū)域中要求的部分摻雜雜質(zhì)形成。注入半導(dǎo)體層124中的雜質(zhì)可 以包括III族元素和V族元素。然而，因?yàn)殡娮舆w移率大于空穴遷移率，所 以主要用III族元素形成N型半導(dǎo)體。
作為在半導(dǎo)體層124中摻雜雜質(zhì)的方法，典型地采用離子注入法。采用 離子注入法，通過注入雜質(zhì)離子來制造半導(dǎo)體器件。該離子注入法甚至可以 在室溫下用于注入雜質(zhì)離子，精確又均勻地控制雜質(zhì)離子注入量，在1000 。C或者更低的溫度下有效地?zé)崽幚黼s質(zhì)，并且用粒子的加速電壓等控制注入 層的厚度。然而，本發(fā)明不限于半導(dǎo)體層124如上所述的材料和制造方法。
源極/漏極電極125形成在半導(dǎo)體層124的上側(cè)上。源極/漏極電極125 設(shè)置在下基板之上，然后采用掩模形成所要求的圖案。源極/漏極電極125 可以由與柵極電極121相同的材料制造。其后，源極/漏極電極125電連接到 像素電極132。
保護(hù)層126形成在源極/漏極電極125和硅層123的上側(cè)上。保護(hù)層126 保護(hù)像素的主要部分和薄膜晶體管120的硅層123不受后續(xù)工藝中可能產(chǎn)生 的濕氣或劃痕。因此，具有高透射率、阻濕和經(jīng)久性的氮化硅(SiNx)采用 PECVD法設(shè)置為保護(hù)層126。然而，本發(fā)明不限于保護(hù)層126如上所述的材 料和制造方法。
存儲電容器130電連接到薄膜晶體管120。當(dāng)通過薄膜晶體管120提供 電壓時，存儲電容器130存儲數(shù)據(jù)值，并且持續(xù)地保持跨越液晶210的電壓。 因此，液晶顯示器1000可以保持一幀圖像的要求的亮度(例如，預(yù)定的亮 度)。
存儲電容器130由下電極131和像素電極132組成。
下電極131形成在下基板110上，并且可以采用與柵極電極121相同的 工藝形成。在傳統(tǒng)的液晶顯示器中，光不能通過存儲電容器的下電極傳播。 因此，在傳統(tǒng)液晶顯示器的上基板中，對應(yīng)于形成有下電極部分的反射區(qū)域 形成有黑矩陣。同樣，因?yàn)樵摵诰仃囌紦?jù)部分像素，所以傳統(tǒng)液晶顯示器的開口率(aperture ratio )下降。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的下電極131起反射外部光的反射電極的作用，從而 它可以改善亮度。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的下電極131可以采用選自Al、 AlNd、 Mo、 Cr、 Mo/AlNd(雙層)、MoW或它們的等同物中的任意一個制造，它 們可以反射外部光。
而且，在下面將進(jìn)一步描述的^T艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器1000中， 在上基板310中，黑矩陣320不設(shè)置在對應(yīng)于下電極131的反射區(qū)域中。反 射區(qū)域形成有彩色濾光片330而取代黑矩陣320。換言之，光可以通過反射 區(qū)域傳播，這與上述的傳統(tǒng)液晶顯示器不同。
因此，在液晶顯示器1000中，外部光從存儲電容器130的下電極131 反射，并且反射的外部光通過形成在上基板310上的透明的上基板310和/ 或彩色濾光片330傳播，由此使其能夠改善開口率。換言之，與傳統(tǒng)的液晶 顯示器不同，在液晶顯示器1000中，黑矩陣320不設(shè)置在對應(yīng)于反射外部 光的下電極131的像素區(qū)域中(或者從其上去除)，由此使其能夠增加液晶 顯示器100的開口率。
此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器1000采用存儲電容器130的下 電極131作為反射電極，從而它不包括單獨(dú)的反射電極，由此使其能夠去除 為了形成單獨(dú)的反射電極而形成掩模的步驟。
在形成保護(hù)層126后，像素電極132形成在保護(hù)層126的上側(cè)之上。然 而，因?yàn)橄袼仉姌O132僅形成在透射光的區(qū)域中，所以它僅形成在形成薄膜 晶體管120的區(qū)域之外的區(qū)域中，如圖l所示。像素電極132通常形成的厚 度約為0.1至0.3pm。
然而，像素電極132應(yīng)當(dāng)電連接到薄膜晶體管120的源極/漏極電極125。 因此，源極/漏極電極125的上側(cè)經(jīng)由通過蝕刻保護(hù)層126形成的接觸孔與像 素電極132電連接。
因?yàn)楣馔ㄟ^像素電極132傳播，所以它由透明材料形成。像素電極132 的材料可以具有在可見光的波長范圍(例如400nm至700nm )內(nèi)約80%的 光透射率和約達(dá)到10"S/cm]的高電導(dǎo)率。例如，像素電極132的材料可以是 銦錫氧化物(ITO)、錫氧化物(Sn02)或鋅氧化物(ZnO)等。在這些示范 性材料中，首選采用銦錫氧化物(ITO)。然而，本發(fā)明不限于像素電極132 的材料。如上所述，在液晶顯示器1000中，存儲電容器130的下電極131用作 反射電極，并且黑矩陣320不設(shè)置(形成)在上基板310對應(yīng)于存儲電容器 130的部分中，由此使其能夠增加亮度。在一個實(shí)施例中，彩色濾光片330 設(shè)置在上基板對應(yīng)于存儲電容器130的部分上。
盡管在圖1中沒有單獨(dú)示出，但是取向膜印刷在薄膜晶體管120和像素 電極132上。取向膜控制液晶210的取向和運(yùn)動。取向膜在單一方向上使液 晶210取向，以通過使液晶210響應(yīng)外部電場在單一方向上迅速響應(yīng)，來獲 得均勻的屏幕，并且改善液晶顯示器1000總的顯示質(zhì)量。取向膜可以是扭 曲向列(TN-twisted nematic )型，它可以應(yīng)用于例如移動電話、通常目的的 監(jiān)視器或者筆記本電腦等裝置中。取向膜也可以是垂直取向型或者平面轉(zhuǎn)換 型，這可以應(yīng)用于例如大型監(jiān)視器或者液晶顯示器(LCD) TV等。
其后，進(jìn)行摩擦工藝。摩擦工藝是通過用摩擦布以不變的力、速度和方 向摩擦取向膜以產(chǎn)生谷(valley)使液晶210取向的工藝。同樣，在摩擦工 藝中也確定了才艮據(jù)所采用的LCD的LCD的可見方向。
隔墊物140形成在保護(hù)層126的上側(cè)上，如圖1所示。換言之，隔墊物 140是在下基板110的制造工藝中形成的最后的構(gòu)件。隔墊物140提供為不 變地保持下基板110和上基板310之間的間隔。因?yàn)楦魤|物140通常由不透 明材料形成，所以它形成在薄膜晶體管120的上側(cè)上，以便提高液晶顯示器 1000的開口率。
隔墊物140應(yīng)當(dāng)散布為具有基本上均勻的散布率(dispersion rate )。作 為散布方法(dispersion method),有干方法和濕方法。濕方法是才及好的散布方 法；然而，由于環(huán)境問題主要采用干方法。有幾種干方法。在干方法中，普 遍采用靜電散布方法。
液晶210設(shè)置在下基板110和上基板310之間。在圖l所示的結(jié)構(gòu)中， 液晶210以中間層設(shè)置，然而，在實(shí)際工藝中，在上基板310和下基板110 進(jìn)行連接后再將其注入(或者注射)。
液晶210是具有粘性的液體和固體結(jié)晶性的材料。在施加電壓時，液晶 210排列為在電壓施加方向上的幾十A大小的條狀晶體，而在不施加電壓時， 液晶210返回到其原始狀態(tài)。液晶210具有連續(xù)統(tǒng)一體的特性，就是說，當(dāng) 對液晶210的任一點(diǎn)施加力而產(chǎn)生形變時，它影響相鄰的分子。而且，液晶 210具有條狀結(jié)晶形狀，從而根據(jù)長軸和短軸之間的介電常數(shù)上的差別，在施加電壓時它具有一定的方向，由此使其能夠執(zhí)行快門(shutter)的功能。
液晶210的一些示范性實(shí)施例包括向列型液晶(nematic liquid crystal )、 近晶型液晶(smectic liquid crystal)和月旦甾醇結(jié)構(gòu)液晶(cholesteric liquid crystal)等。然而，本發(fā)明不限于任何液晶的類型。
上基板310類似于下基板110。更詳細(xì)地講，上基板310是能夠透射光 的玻璃，并且除了在上基板310上形成黑矩陣320、彩色濾光片330和公共 電極340夕卜，與下基板110相同。因此，將省略對其描述。
黑矩陣320形成在液晶210和上基板310之間，如圖l所示。在實(shí)際工 藝中，因?yàn)樯匣?10提供有黑矩陣320，且然后連接到下基板110,所以 黑矩陣320形成在上基板310上。黑矩陣320形成在不透射光的區(qū)域中，以 改善紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)像素的對比度。在某些實(shí)施例中，黑矩陣 320可以采用這樣的材料形成，例如Cr、 Cr/CrOx雙層、碳顏料、RGB混合 顏料和石墨等。黑矩陣320形成在上基板310對應(yīng)于薄膜晶體管120的區(qū)域 中，該區(qū)域不透射光。
形成黑矩陣320的第一方法包括沉積具有低反射特性的不透明金屬，例 如Cr，然后將其圖案化。形成黑矩陣320的第二方法包括用光敏黑樹脂涂敷 上基板310,然后將其曝光和蝕刻。然而，本發(fā)明不限于黑矩陣320的材料 和制造方法。
在傳統(tǒng)的液晶顯示器中，黑矩陣320甚至形成在上基板310對應(yīng)于存儲 電容器130的下電極131的反射區(qū)域中。因?yàn)榇鎯﹄娙萜?30形成在像素區(qū) 域中，所以如果黑矩陣320形成在如上所述的像素區(qū)域的部分中，則傳統(tǒng)液 晶顯示器的開口率下降。
在液晶顯示器1000中，存儲電容器130的下電極131如上所述起反射 電極的作用。因此，黑矩陣320不形成在上基板310對應(yīng)于存儲電容器130 的下電極131的反射區(qū)域中。取代黑矩陣而形成彩色濾光片330，從而從下 電極131反射的外部光可以通過上基板310透射。因此，液晶顯示器1000 具有改善的開口率。
彩色濾光片330形成在能夠在上基板310中透射光的區(qū)域中。因?yàn)橐壕?顯示器1000是非發(fā)射型顯示器，其利用從背光單元(BLU)發(fā)射的光顯示 圖像，所以在一個實(shí)施例中采用彩色濾光片330，以過濾來自BLU的光成為 R、 G和B顏色。彩色濾光片330形成在上基板310的對應(yīng)于下基板110上的像素電極132區(qū)域上。原因是光僅可以在液晶顯示器1000的像素電極132 設(shè)置在下基板IIO上的部分中透射。
形成彩色濾光片330的方法根據(jù)制造彩色濾光片330所采用的材料包括 染料法和顏料法。 一些制造方法是染色法、顏料分散法、電鍍法和印刷法等。 通常采用顏料分散法。
如圖1所示，彩色濾光片330包括用于透射區(qū)域的第一彩色濾光片331 和用于反射區(qū)域的第二彩色濾光片332。
在傳統(tǒng)的液晶顯示器中，對應(yīng)于存儲電容器130的下電極131的反射區(qū) 域不能形成有彩色濾光片330。原因是，在上述的傳統(tǒng)液晶顯示器中存儲電 容器130不能反射光。然而，在液晶顯示器1000中，存儲電容器130的下 電極用作反射電極，以允許反射的光傳輸通過上基板310。因此，第二彩色 濾光片332可以形成在上基板310對應(yīng)于存儲電容器130的反射區(qū)域上。同 樣，在一些實(shí)施例中，第二彩色濾光片332不形成在反射區(qū)域中的透明上基 板310上。
換言之，與傳統(tǒng)的液晶顯示器不同，黑矩陣320不形成在反射區(qū)域中， 而第二彩色濾光片332可以形成在上基板310的反射區(qū)域中，取代在對應(yīng)于 存儲電容器130的反射區(qū)域中形成黑矩陣320。因此，從存儲電容器130反 射的光可以透射通過上基4反310, /人而可以改善液晶顯示器IOOO的開口率。
公共電極340形成在黑矩陣320和上基板310上的彩色濾光片330上。 公共電極340用作給液晶210施加電壓，并且由透明材料形成，以便在其中 透射光。公共電極340類似于上述的像素電極132來形成，除了公共電極340 還形成在薄膜晶體管120之上外。因此，將省略公共電極340的描述。
盡管附圖中沒有示出，但是公共電極340也印刷有取向膜，以便持續(xù)地 保持液晶210的方向，并且在取向膜上執(zhí)行摩擦工藝。因?yàn)橛∷⒑湍Σ良庸?的取向膜與參照下電極131所描述的相同，所以將省略對其的描述。
同樣，盡管沒有在附圖中單獨(dú)示出，但是在形成公共電極340后，在上 基板310上進(jìn)行封框膠印刷工藝(seal printing process )。封框膠印刷工藝所 采用的密封劑用于制造上基板310和下基板110之間的液晶單元(又稱液晶 盒)。在形成上基板310和下基板IIO后，將它們結(jié)合起來。在注入(例如， 注射)液晶210前，連接在一起的基板切割成面板。然后，液晶210注入每 個面板中，并且每個面板由封口膠(sealant)密封，以產(chǎn)生基板之間的液晶單元。封口膠保護(hù)液晶單元不受外部環(huán)境的影響。封口膠材料的實(shí)例包括熱 固樹脂和紫外線固化樹脂。
如上所述，液晶顯示器1000利用存儲電容器130的下電極131作為反 射電極，從而不需要單獨(dú)的反射電極，由此使其能夠去除為了單獨(dú)反射電極 而形成掩模的步驟。
在液晶顯示器1000中，黑矩陣320不形成在對應(yīng)于存儲電容器130的 區(qū)域中的反射區(qū)域中，而第二彩色濾光片332形成在反射區(qū)域中，由此使其 能夠增加液晶顯示器1000的亮度。
在下文，將描述才艮據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的液晶顯示器2000。
圖2展示了根據(jù)本發(fā)明另 一個實(shí)施例的液晶顯示器2000的截面圖。
如圖2所示，液晶顯示器2000包括下基板110、薄膜晶體管120、存儲 電容器130、隔墊物140、液晶210、上基板310、黑矩陣320、彩色濾光片 330、公共電極340和形成在公共電極340上的有機(jī)膜350。
如圖2所示，液晶顯示器2000基本上與液晶顯示器1000相同，除了液 晶顯示器2000包括有機(jī)膜350。圖1和2中相同的成分和操作由相同的參考 數(shù)字表示。下面的描述將基于圖1與圖2之間的不同來進(jìn)行。
參照圖2，有機(jī)膜350形成在上基板310上對應(yīng)于存儲電容器130的區(qū) 域中。更具體地講，公共電極340形成在上基板310上，然后有機(jī)膜350形 成在公共電極340上對應(yīng)于存儲電容器130的下電極131的區(qū)域中。
有機(jī)膜350提供成不變地保持從下電極131反射的光通過液晶210的傳 播距離與透過透射區(qū)域的第一彩色濾光片331的光通過液晶210的傳播距離 的比率。換言之，有機(jī)膜350形成雙重單元間隙(dual cell gap )。
從下基板110到上基板310的距離稱為單元間隙。同樣，為了不變地保 持從背光單元透射通過下基板110的光傳播的距離與從下基板IIO反射的光 傳播的距離的比率，上基板310與下基板110之間的單元間隙應(yīng)當(dāng)形成為在 不同的區(qū)域中是不同的。不同地形成的單元間隙稱為雙重單元間隙。
參照圖2,當(dāng)外部光通過上基板310進(jìn)入液晶顯示器2000并且通過有機(jī) 膜350到達(dá)下電極131時，其被反射，并且再次傳播通過有機(jī)膜350。因此， 與不存在有機(jī)膜350的情況下傳播的距離相比，由于有機(jī)膜350的存在，減 少了外部光傳播通過液晶210的距離。
通過以適當(dāng)?shù)暮穸刃纬捎袡C(jī)膜350,外部光傳播的距離可以使其等于從BLU透射通過下基板110并且到達(dá)形成有彩色濾光片331的透射區(qū)域的光的 傳播距離。
當(dāng)有機(jī)膜350的厚度與液晶210的厚度比較時，在一些實(shí)施例中，有機(jī) 膜350的厚度約為液晶210的厚度的一半。如果有機(jī)膜350具有液晶210 — 半的厚度，則有機(jī)膜350下的部分液晶210也具有沒有有機(jī)膜350的區(qū)域中 液晶210的一半厚度。因此，外部光傳播的距離可以理論上等于從BLU透 射光傳播的距離。如果外部光反射的傳播距離等于從BLU透射光的傳播距 離，就是說，如果在透射區(qū)域中光的傳播距離等于在反射區(qū)域中光的傳播距 離，則每個光的透射效率基本上相同，從而可以獲得相同的亮度。因此，在 一些實(shí)施例中，有機(jī)膜350具有液晶210—半的厚度。同樣，關(guān)于有機(jī)膜350 的材料，可以采用能夠執(zhí)行光刻的任何適合的材料，例如丙烯酸基樹脂。
如上所述，在液晶顯示器2000中，有機(jī)膜350提供為控制反射的外部 光的傳播距離和來自BLU的光的傳播距離，由此使其能夠獲得基板上相同 的透射效率和亮度。
參照圖3，將描述根據(jù)本發(fā)明再一個實(shí)施例的液晶顯示器3000。
圖3是圖解液晶顯示器3000的結(jié)構(gòu)的截面圖。
參照圖3，液晶顯示器3000包括下電極110、薄膜晶體管120、存儲電 容器130、隔墊物140、液晶210、上基板310、黑矩陣320、彩色濾光片330、 公共電極345和有機(jī)膜355。
液晶顯示器3000與液晶顯示器2000之間的區(qū)別在于，有機(jī)膜355首先 形成在上基板310上，然后形成公共電極345。換言之，圖3所示的實(shí)施例 基本上與圖2所示的實(shí)施例相同，除了有機(jī)膜355和公共電極345形成的順 序外。圖2和3中相同的構(gòu)件和操作由相同的參考數(shù)字表示。下面的描述將 基于圖2和3之間的區(qū)別進(jìn)行。
在黑矩陣320和彩色濾光片330形成在上基板310上后，有機(jī)膜355形 成在彩色濾光片330對應(yīng)于存儲電容器130的區(qū)域上，即在反射區(qū)域中。因 此，有機(jī)膜355形成在反射區(qū)域中的上基板310上，并且黑矩陣320不在反 射區(qū)域中。同樣，彩色濾光片330形成在反射區(qū)域中。
有機(jī)膜355形成為提供雙重單元間隙，與圖2所示的液晶顯示器2000 的有機(jī)膜350 —樣。因此，因?yàn)橛袡C(jī)膜355基本上與液晶顯示器2000中的 有機(jī)膜350相同，所以將省略液晶顯示器3000中的有機(jī)膜355的描述。在形成有機(jī)膜355后，7>共電4及345形成在上基板310之上。換言之， 公共電極345形成在上基板310的制造工藝的末端。換言之，公共電極345 與圖2的液晶顯示器2000中的公共電極340基本上相同，除了公共電極345 在形成有機(jī)膜355后形成外。其后，取向膜印刷在公共電極345上，并且在 其上執(zhí)行摩擦工藝。封框膠印刷工藝與參照圖1和2描述的工藝基本上相同。 因此，將省略公共電極345的多余的描述。
在下文，將描述根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的液晶顯示器IOOO的制造順序。 圖4展示了說明根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的液晶顯示器1000的制造順序 的流程圖。
參照圖4，液晶顯示器IOOO的制造順序包括如下步驟提供下基板S1; 形成薄膜晶體管和存儲電容器S2;散布(或噴灑，disperse)隔墊物S3;提 供上基板S4;形成黑矩陣和彩色濾光片S5;連接下基板和上基板S6;注入 (或者注射)液晶S7;以及封口 S8。
提供下基板的步驟Sl提供下基板llO,它是原始板，形成有薄膜晶體管 120。因?yàn)槿缟纤龅赝干銪LU的光，下基板110的材料應(yīng)當(dāng)是透明的，并 且可以由玻璃形成。前面已經(jīng)提及，熔法或者浮法可以用作制造下基板110 的3皮璃的方法。
形成薄膜晶體管和存儲電容器的步驟S2在下基板110的上側(cè)上形成薄 膜晶體管120和存儲電容器130。薄膜晶體管120由柵極電極121、柵極絕 緣層122、硅層123、源極/漏極電極125和保護(hù)層126組成。稍后將描述形 成薄膜晶體管120和存儲電容器130的工藝的詳細(xì)描述。同樣，盡管沒有單 獨(dú)示出，但是形成取向膜的步驟接續(xù)形成薄膜晶體管和電容器的步驟S2。 其后，可以執(zhí)行取向膜的摩擦工藝。
散布隔墊物的步驟S3在下基板110的上側(cè)上形成隔墊物140。如上所述， 隔墊物140形成為保持上、下基板310和IIO之間的合適的間隙(例如，預(yù) 定的間隙)。關(guān)于形成隔墊物140的方法，如上所述，有干方法和濕方法。
提供上基板的步驟S4提供上基板310,它是形成黑矩陣320和彩色濾 光片330的原始板。上基板310應(yīng)當(dāng)是透明的，乂人而它可以透射光。因此， 在一些實(shí)施例中，玻璃用作上基板310。因?yàn)樯匣?10與下基板IIO基本 上相同，所以將省略對其的描述。
形成黑矩陣和彩色濾光片的步驟S5在上基板310上形成黑矩陣320和彩色濾光片330。在液晶顯示器1000中，設(shè)置在上基板310上的黑矩陣320 沒有形成在對應(yīng)于存儲電容器130的反射區(qū)域中(或者從其上去除)，并且， 在一些實(shí)施例中，第二彩色濾光片332形成在反射區(qū)域中。因此，形成黑矩 陣和彩色濾光片的步驟S5采用形成有圖案的掩^f莫形成黑矩陣320和彩色濾 光片330，從而光可以在上基板對應(yīng)于存儲電容器130的區(qū)域中透射。
在形成黑矩陣和彩色濾光片的步驟S5后，上面已經(jīng)提及，可以執(zhí)行用 于印刷密封劑的封框膠印刷工藝。通過盒印刷工藝，液晶盒可以形成為包括 上基板310和下基才反110的面板。
連接上、下基板的步驟S6將上基板310和下基板110連接在一起。隔 墊物140保持兩個基板之間基本上均勻的間隙。在連接上、下基板的步驟 S6后，所連接的基板可以以切割工藝分成面板。切割工藝在圖4中沒有單 獨(dú)示出。
注入(或者注射)液晶的步驟S7將液晶210注入分成面板的連接的基 板之間的空間中。面板的基板提供有液晶單元。能有效將液晶210注入液晶 單元中的示范性方法是真空注入法，其利用液晶單元的內(nèi)外之間的壓力差注 入液晶210。
封口步—驟S8防止完成液晶210注入后液晶210從液晶單元的進(jìn)口泄漏。 進(jìn)口通常通過用涂布機(jī)給進(jìn)口涂敷紫外線固化樹脂然后用紫外線輻射樹脂 來密封。
在下文，將采用截面圖描述根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的液晶顯示器的示范 性制造方法。
圖5a至51展示了說明根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的制造工藝的截面圖。 圖5a展示了下基板110。下基板110由玻璃形成，并且其厚度為約0.5 至0.7mm之間。
參照圖5b,在下基板110的上側(cè)上，形成薄膜晶體管120的柵極電極 121和存儲電容器130的下電極131。柵極電極121和下電極131可以由相 同的材料或者不同的材料形成。然而，因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的液晶顯 示器1000用下電極131作為反射電極，所以下電極131可以采用Al、 AlNd、 Mo、 Cr、 Mo/AlNd(雙層)、MoW或者它們的等同物形成。為了使柵極電 極121和下電極131采用不同的材料形成，采用另外的掩模工藝。
參照圖5c，柵極絕緣層122形成在柵極電極121和下電極131之上。柵極絕緣層122可以采用例如氮化硅(SiNx)沉積。柵極絕緣層122可以通過 例如PECVD法形成。
參照圖5d，在柵極絕緣層122上，形成硅層123。前面已經(jīng)提及，因?yàn)?下基板110的玻璃是非晶的，所以硅層123可以例如采用非晶硅(a-Si)形 成，或者可以采用多晶硅(poly-Si),以便提高電子遷移率。
參照圖5e，在硅層123的上側(cè)上，形成半導(dǎo)體層124和源極/漏極電極
125。
在形成硅層123后，半導(dǎo)體層124可以利用掩模通過摻雜雜質(zhì)形成。例 如，離子注入法可以用作摻雜雜質(zhì)的方法。
在形成半導(dǎo)體層124后，源極/漏極電極125通過在下基板110上沉積金 屬然后利用掩模將其蝕刻為要求的圖案來形成。
參照圖5f，保護(hù)層126形成在下基板110之上以覆蓋源極/漏極電極125。 在下基板IIO之上沉積保護(hù)層材料后，保護(hù)層126可以利用掩模蝕刻成要求 的圖案。參照圖5f,可以理解的是，在源極/漏極電極125上表面上的部分 保護(hù)層126被蝕刻掉，以提供通孔，以允許源極/漏極電極125與像素電極 132之間的電連4妄，如圖5g所示。
參照圖5g,在下基板110上，形成像素電極132。因?yàn)橄袼仉姌O132應(yīng) 當(dāng)是透明的，以能夠透射光，所以它可以由例如銦錫氧化物(ITO)制造。 如圖5g所示，像素電極132可以用作存儲電容器130的上電極。
盡管沒有單獨(dú)示出，但是在形成像素電極132后，執(zhí)行取向膜印刷和摩 擦工藝，以便恒定地保持液晶210的方向。
參照圖5h，隔墊物140形成在保護(hù)層126的上表面上。因?yàn)楦魤|物140 不透射光，所以它形成在不能透射光的薄膜晶體管120的上側(cè)上的區(qū)域，以 便提高開口率。隔墊物140通過將下基板110連接到上基板310且由此不變 地保持其間間隙來保護(hù)液晶210。因?yàn)樵谇懊娴拿枋鲋忻枋隽烁魤|物140的 材料和制造工藝，所以將省略對其的描述。
參照圖5i，其展示了上基板310。形成上基板310的方法與上述的下基 板110的相同。
參照圖5j,在上基板310的上表面上是黑矩陣320和彩色濾光片330。 黑矩陣320形成在對應(yīng)于下基板110的薄膜晶體管120的區(qū)域中，并且彩色 濾光片330形成在上基板310中黑矩陣320的區(qū)域之外的區(qū)域上。僅從上基板310對應(yīng)于下基板110上的存儲電容器130的反射區(qū)域上去除黑矩陣320 (或者在此區(qū)域不形成黑矩陣)。在一些實(shí)施例中，彩色濾光片330可以形 成在反射區(qū)域中。
參照圖5k，公共電極340在黑矩陣320和彩色濾光片330上。因?yàn)楣?電極340以與像素電極132基本上相同的方式形成，所以除了公共電極340 形成在上基板310之上外，將省略對其的描述。
盡管沒有單獨(dú)示出，但是在形成公共電極340后，還要執(zhí)行取向膜印刷 和摩擦工藝，以便不變地保持液晶210的方向。同樣，在這些工藝后，執(zhí)行 封框膠印刷工藝，以形成液晶單元。
參照圖51，作為最后的工藝，連接上基板310和下基板110,并且將連 接的基板切割成面板。上基板310和下基板110之間的間隙由隔墊物140恒 定地保持，并且液晶210注入(或者注射)基板之間的空間。注入液晶210 的示范性方法是上述的真空注入法。
在下文，將采用流程圖描述根據(jù)本發(fā)明另 一個實(shí)施例的液晶顯示器2000 和根據(jù)本發(fā)明再一個實(shí)施例的液晶顯示器3000的制造順序。
圖6是用于說明液晶顯示器2000和液晶顯示器3000的制造順序的流程圖。
參照圖6,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器2000和3000的制造順序包 括如下的步驟提供下基板S1;形成薄膜晶體管和存儲電容器S2;形成隔 墊物S3;提供上基板S4;形成黑矩陣和彩色濾光片S5;連接下基板和上基 板S6;注入(或者注射)液晶S7;封口 S8;并且在形成黑矩陣和彩色濾光 片后形成有^/L膜S5-l。
換言之，與圖4的根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的液晶顯示器1000的制造順 序相比，其區(qū)別僅在于形成黑矩陣和彩色濾光片的步驟S5后還提供形成有 機(jī)膜的步驟S5-1。相同的構(gòu)件和操作由相同的參考數(shù)字表示。下面的描述將 基于區(qū)別進(jìn)行。
如上所述，在形成黑矩陣和彩色濾光片的步驟S5后還提供形成有機(jī)膜 的步驟S5-1。換言之，在形成黑矩陣320和彩色濾光片330后，有機(jī)膜350 形成在上基才反310上。如前所述，有4幾膜350應(yīng)當(dāng)形成在上基板310對應(yīng)于 存儲電容器130的下電極131的區(qū)域上。為了形成有機(jī)膜350為要求的圖案， 可以采用光刻法。同樣，可應(yīng)用光刻法的任何材料可以用作有機(jī)膜350的材料。同樣，有機(jī)膜350形成為提供如上所述的雙重單元間隙。
因?yàn)橛袡C(jī)膜形成工藝之外的工藝與上述的制造根據(jù)本發(fā)明 一個實(shí)施例
的液晶顯示器1000所對應(yīng)的工藝基本上相同，所以將省略對其的描述。
在下文，將采用截面圖描述根據(jù)本發(fā)明再一個實(shí)施例的液晶顯示器3000 的制造工藝。
圖7a至7e展示了液晶顯示器3000的截面圖，其用于說明液晶顯示器 3000的制造工藝中上基板310的制造工藝。因?yàn)橐壕э@示器3000的下基板 IIO與上述的液晶顯示器1000的下基板110基本上相同，所以只描述上基板 310的制造工藝。
參照圖7a,其展示了上基板310。上基板310可以由玻璃形成。
參照體7b,在上基4反310上，形成黑矩陣320和彩色濾光片330。黑矩 陣320形成在上基板310對應(yīng)于下基板110上的薄膜晶體管120的非反射區(qū) 域上。同樣，黑矩陣320不形成在上基板310對應(yīng)于存儲電容器130的反射 區(qū)域上。同樣，前面已經(jīng)提及，在一些實(shí)施例中，彩色濾光片330可以形成 在上基板310對應(yīng)于存儲電容器130的反射區(qū)域上。
參照圖7c，有機(jī)膜355形成在形成有黑矩陣320和彩色濾光片330的上 基板310上。有機(jī)膜355形成在上基板310對應(yīng)于下基板IIO上的存儲電容 器130的反射區(qū)域上。為了形成圖案，可以采用光刻。前面已經(jīng)提及，有機(jī) 膜350提供雙重單元結(jié)構(gòu)。
參照圖7d，公共電極345形成在形成有有機(jī)膜355的上基板310上。公 共電極345形成在上基板310之上。
盡管沒有單獨(dú)示出，但是在形成公共電極345后，還可以執(zhí)行取向印刷 工藝、摩擦工藝和封框膠印刷工藝。
參照圖7e，執(zhí)行用于連接上基板310和下基板110的工藝，將連接的基 板切割成面板，并且將液晶210注入切割的基板中。同樣，執(zhí)行封口工藝， 以防止液晶210從完成注入液晶210的液晶單元的進(jìn)口泄漏。該進(jìn)口可以通 過采用涂布機(jī)涂敷紫外線固化樹脂然后給涂敷部分輻射紫外線來密封。
根據(jù)上面的描述，可以制造液晶顯示器3000。同樣，盡管沒有單獨(dú)示出 和描述，但是液晶顯示器2000和3000之間的區(qū)別在于形成有機(jī)膜350和355 以及公共電極240和245的順序。因此，參照液晶顯示器3000的制造方法， 本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以制造根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的液晶顯示器2000,并且將省略對其的描述。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器采用存儲電容器的金屬電極作為反射 器，從而可以消除單獨(dú)反射電極的制造工藝。
根據(jù)所描述的實(shí)施例，用于顯示圖像的液晶顯示器可以包括在上基板對光。此外，才艮據(jù)實(shí)施例，反射區(qū)域的圖j象質(zhì)量可以通過形成雙重單元間隙結(jié) 構(gòu)的有機(jī)膜得到改善，該雙重單元間隙結(jié)構(gòu)在上基板對應(yīng)于下基板上的存儲 電容器的反射區(qū)域上。
另外，根據(jù)實(shí)施例，可以通過適合的工藝以低成本制造透射反射式液晶 顯示器。
盡管本發(fā)明已經(jīng)結(jié)合一定的示范性實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解的 是，本發(fā)明不限于所揭示的實(shí)施例，而是相反，旨在覆蓋包括在所附權(quán)利要 求的精神和范圍內(nèi)各種修改和等效替換以及他們的等同物。
本申請要求2007年5月11日提交的韓國專利申請No. 10-2007-0046108 的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容在此合并作為參考。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示器，包括第一基板；第二基板，相隔并面對該第一基板；薄膜晶體管，在該第一基板的面對該第二基板側(cè)上；存儲電容器，在該第一基板的面對該第二基板側(cè)上；黑矩陣，在該第二基板的面對該第一基板側(cè)上；彩色濾光片，在該第二基板的面對該第一基板側(cè)上；和液晶，在該第一基板和該第二基板之間，其中該存儲電容器包括構(gòu)造成反射通過該第一基板接收的外部光的反射電極。
2、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該存儲電容器還包括像素電極。
3、 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中該存儲電容器的該反射電極 包括選自Al、 AlNd、 Mo、 Cr、 Mo/AlNd雙層、MoW及它們的等同物的任 何一個。
4、 如權(quán)利要求1 - 3之一所述的液晶顯示器，其中該彩色濾光片在該第 二基板的反射區(qū)域上，并且該反射區(qū)域?qū)?yīng)于該第 一基板上的該存儲電容器。
5、 如權(quán)利要求1 - 3之一所述的液晶顯示器，其中該黑矩陣在該第二基 板的不同于該第二基板的反射區(qū)域的部分區(qū)域上，并且該反射區(qū)域?qū)?yīng)于該 第 一基板上的該存儲電容器。
6、 一種液晶顯示器，包括 第一基板；第二基板，相隔并面對該第一基板；薄膜晶體管，在該第一基板的面對該第二基板側(cè)上；存儲電容器，在該第一基板的面對該第二基板側(cè)上，該存儲電容器包括 構(gòu)造成反射通過該第一基板的外部光的反射電極； 黑矩陣，在該第二基板的面對該第一基板側(cè)上； 彩色濾光片，在該第二基板的面對該第一基板側(cè)上；有機(jī)膜，在該第二基板的反射區(qū)域上，該反射區(qū)域?qū)?yīng)于該第一基板上的該存儲電容器；和液晶，在該第一基板和該第二基板之間。
7、 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其中該有機(jī)膜在該反射區(qū)域中的 該彩色濾光片上。
8、 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其中該有機(jī)膜在該第二基板的該 反射區(qū)域上，該反射區(qū)域不同于該第二基板設(shè)置有該黑矩陣和該彩色濾光片 的另一個區(qū)域。
9、 如權(quán)利要求6-8之一所述的液晶顯示器，還包括在該黑矩陣和該彩 色濾光片上的公共電極，并且該有機(jī)膜在該公共電極上。
10、 如權(quán)利要求6-8之一所述的液晶顯示器，還包括在該黑矩陣、該 彩色濾光片和該有機(jī)膜上的公共電極。
11、 如權(quán)利要求6-8之一所述的液晶顯示器，其中該有機(jī)膜的厚度是 該液晶總厚度的一半。
12、 如權(quán)利要求6-8之一所述的液晶顯示器，其中該有機(jī)膜提供在該 反射區(qū)域中反射的光通過該液晶傳播的通道，并且其中該反射的光在該液晶內(nèi)傳播的距離等于在透射區(qū)域中該液晶內(nèi)透 射光傳播的距離。
13、 一種液晶顯示器的制造方法，該方法包括在第一基板上形成薄膜晶體管和存儲電容器，該存儲電容器具有反射電極；提供面對該第 一基板的第二基板；在該第二基板面對該第一基板側(cè)上形成黑矩陣和彩色濾光片； 將該第一基板和該第二基板連接在一起；以及 在該連接的第 一和第二基板之間注入液晶。
14、 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器的制造方法，其中該存儲電容器 還包括像素電極。
15、 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器的制造方法，其中該存儲電容器 的該反射電才及包括選自Al、 AlNd、 Mo、 Cr、 Mo/AlNd雙層、MoW及它們 的等同物的任何一個。
16、 如權(quán)利要求13-15之一所述的液晶顯示器的制造方法，其中該彩色濾光片在該第二基板的反射區(qū)域上，該反射區(qū)域?qū)?yīng)于該第 一基板上的該 存儲電容器。
17、 如權(quán)利要求13-15之一所述的液晶顯示器的制造方法，其中該黑 矩陣和該彩色濾光片在該第二基板的對應(yīng)于該第一基板上的該存儲電容器 的反射區(qū)域之外的區(qū)域上。
18、 一種液晶顯示器的制造方法，該方法包括在第 一基板上形成薄膜晶體管和存儲電容器，該存儲電容器包括反射電極;.在該第二基板面對該第一基板側(cè)上形成黑矩陣和彩色濾光片； 在該第二基板的面對該第 一基板側(cè)上的反射區(qū)域上形成有機(jī)膜，該反射 區(qū)域?qū)?yīng)于該第 一基板上的該存儲電容器；將該第一基板和該第二基板連接在一起；以及 在該連接的第 一和第二基板之間注入液晶。
19、 如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器的制造方法，其中該有機(jī)膜在該 彩色濾光片上，該有機(jī)膜對應(yīng)于該存儲電容器。
20、 如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器的制造方法，其中該有機(jī)膜在該 反射區(qū)域上，并且該黑矩陣和該彩色濾光片在不同于該反射區(qū)域的區(qū)域上。
21、 如權(quán)利要求18-20之一所述的液晶顯示器的制造方法，還提供公 共電極，其中該公共電極在該黑矩陣和該彩色濾光片上，并且該有機(jī)膜在該公共 電極上。
22、 如權(quán)利要求18-20之一所述的液晶顯示器的制造方法，還在該黑 矩陣、該彩色濾光片和該有機(jī)膜上提供公共電極。
23、 如權(quán)利要求18-20之一所述的液晶顯示器的制造方法，其中該有 機(jī)膜的厚度為該液晶總厚度的 一半。
24、 如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器的制造方法，其中該有機(jī)膜在該 反射區(qū)域中提供反射的光通過該液晶的傳播通道，并且其中在該液晶內(nèi)該反射的光的傳播距離等于透射區(qū)域中該液晶內(nèi)透射 光的傳播距離。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器及其制造方法。液晶顯示器包括具有金屬電極作為反射器的存儲電容器。液晶顯示器可以包括第二基板對應(yīng)于第一基板上的存儲電容器的反射區(qū)域上的彩色濾光片和/或黑矩陣。光從反射區(qū)域反射光以透射通過第一和第二基板之間的液晶。有機(jī)膜可以在第二基板上。
文檔編號G02F1/1362GK101303496SQ20081009732
公開日2008年11月12日 申請日期2008年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月11日
發(fā)明者樸智鍊 申請人:三星Sdi株式會社