專利名稱：用于液晶顯示裝置的陣列基板及液晶顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板及應用該陣列基板的液晶顯示裝置，尤其涉及一 種避免內部像素短路的陣列基板及應用該陣列基板的液晶顯示裝置。
背景技術：
由于液晶顯示裝置(liquid crystal display, LCD)具有薄型化、輕量 化、低耗電量以及無輻射污染等優(yōu)點，因此逐漸取代傳統(tǒng)的陰極射線管顯示裝 置(cathode ray tube display, CRT display),而大量地應用于筆記型計算 機、行動電話、數字相機、個人數字助理(personal digital assistant, PDA) 等多媒體電子產品的顯示面板上。液晶顯示裝置顯示影像時，若通過背光模塊經彩色濾光片的搭載背光模 式，稱為穿透式液晶顯示裝置(transmissive type LCD)，背光模塊為其主 要的電力消耗，顯示裝置所呈現的亮度越高，背光模塊所消耗的電量也越大， 而且在光亮的環(huán)境下，所欲顯示影像容易受外來光源所干擾，而無法清楚地顯 示。相對地，反射式液晶顯示裝置(reflective type LCD)利用外部自然光 源反射呈現畫面，雖然能節(jié)省功率消耗，但是卻也造成對比度與色彩飽和度的 劣化，而且在暗室無法清楚地顯示影像。半穿透半反射式液晶顯示裝置 (transflective type LCD)為穿透式與反射式液晶顯示裝置兩者的折衷。因為半穿透半反射式液晶顯示裝置可以使用來自背光以及外部自然或人工光線， 故半穿透半反射式液晶顯示裝置可以應用于更多場合，且相較于穿透式液晶顯 示裝置而言，可具有較低的功率消耗。半穿透半反射式液晶顯示裝置的基本構造由下而上包括 一背光板、 一下 偏光片、 一陣列基板、 一液晶層、 一彩色濾光片、 一對向電極基板以及一上偏 光片。其中陣列基板的上視圖及三種不同位置的剖面圖分別示于圖1A、圖1B、 圖1C及圖1D，圖1B為圖1A中沿A-A'線的剖面圖，圖1C為圖IA中沿B-B' 線的剖面圖，圖1D為圖1A中沿C-C'線的剖面圖。如圖1A所示，陣列基板l包含一基底101、多條掃描線103、多個數據線105、 一第一介電層1013、 一 第二介電層107、 一絕緣層109、多個穿透電極層lll、多個反射電極層113、 多個開關裝置117以及一第三介電層135。在制造陣列基板1時，為了達到其上的穿透電極層111與反射電極層113 的光程差，會預先在第三介電層135上沉積一層絕緣層109 (如圖2A所示)， 接著在絕緣層109上沉積一層反射電極層113，即鍍膜(如圖2B所示)。然 后上光刻膠115、曝光，使光刻膠115圖案化(如圖2C所示)，接著顯影將 多余的光刻膠115去除，進行蝕刻，最后將光刻膠115全面去除(如圖2D所 示)。然而，如圖2D所示，在顯影去除多余光刻膠115的過程中，會因為先前 步驟中光刻膠115沉積于絕緣層109的角度以及絕緣層109本身的結構設計等 問題，而造成光刻膠115殘留。若光刻膠115殘留，則在后續(xù)蝕刻反射電極層 113時，容易于兩個像素區(qū)域121相鄰處殘留反射電極層113'(如圖1A及圖 2E所示)，進而造成相鄰像素區(qū)域121間的電極短路的情形。綜上所述，由于現今結構設計不良，使得像素的電極發(fā)生短路，影響液晶 顯示裝置的良率；因此，如何避免反射電極殘留造成相鄰兩像素區(qū)域間短路的 情形，便是目前仍待業(yè)界解決的問題。發(fā)明內容所要解決的技術問題在于提供一種用于液晶顯示裝置的陣列基板及此液 晶顯示裝置，以避免反射電極殘留造成相鄰兩像素區(qū)域間短路的情形。為實現上述目的，本發(fā)明提供一種用于液晶顯示裝置的陣列基板，包含一 基底、多條掃描線、多條數據線、多個開關裝置以及一絕緣層。該些掃描線系 實質上垂直于該些數據線且均位于基底上，以界定出多個陣列式像素區(qū)域，該 些開關裝置分別與該些掃描線及該些數據線對應連接。絕緣層形成于該些掃描 線及該些數據在線，具有多個自由端，其中二相對自由端形成一斷缺區(qū)段。其 中，該些自由端具有一朝向斷缺區(qū)段漸縮、且朝下傾斜的輪廓。而且，為實現上述目的，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，包含一對向基板、 一前述的陣列基板以及一液晶層。前述的陣列基板與對向基板相對設置，液晶 層填充于陣列基板與對向基板之間。本發(fā)明所提供的陣列基板中，絕緣層的自由端具有朝向斷缺區(qū)段漸縮、且 朝下傾斜的輪廓，此種輪廓可避免光刻膠曝光時，因其角度及結構使得沉積不 均，進而影響后續(xù)的顯影去除多余光刻膠步驟，造成光刻膠殘留而使反射電極 殘留，進而造成相鄰兩像素區(qū)域間短路的問題。以下結合附圖和實施例對本發(fā)明詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖1A為現有技術的陣列基板示意圖；圖IB為現有技術的陣列基板沿A-A'線的剖面圖；圖1C為現有技術的陣列基板沿B-B'線的剖面圖；圖ID為現有技術的陣列基板沿C-C'線的剖面圖；圖2A為現有技術的光刻膠圖案化示意圖；圖2B為現有技術的去光刻膠的光刻膠殘留示意圖；圖2C為現有技術的蝕刻后反射電極殘留示意圖；圖2D為現有技術的去除光刻膠的示意圖；圖2E為現有技術的殘留反射電極層的示意圖；圖3A為本發(fā)明的第一實施例的陣列基板上視圖；圖3B為圖3A的陣列基板沿D-D'線的剖面圖；圖3C為圖3A的陣列基板沿E-E'線的剖面圖；圖3D為圖3A的陣列基板沿F-F'線的剖面圖；圖4A為本發(fā)明的光刻膠圖案化示意圖；圖4B為本發(fā)明的去光刻膠示意圖；圖4C為本發(fā)明的蝕刻后無反射電極殘留示意圖；圖5A為本發(fā)明的第二實施例的陣列基板上視圖；圖5B為圖5A的陣列基板沿G-G'線的剖面圖；圖5C為圖5A的陣列基板沿H-H'線的剖面圖；圖5D為圖5A的陣列基板沿I-I'線的剖面圖；以及圖6為本發(fā)明第三實施例液晶顯示裝置沿圖3A中J-J'及K-K'線的剖面圖。其中，附圖標記1:陣列基板 101:基底1013:第一介電層 105:數據線 109:絕緣層 113:反射電極層 117:開關裝置 135:第三介電層 301:基底 303:掃描線 307:第二介電層 3091:自由端 311:穿透電極層 315:光刻膠 319:間隔件335:第三介電層501:基底 503:掃描線 507:第二介電層 5091:自由端 511:穿透電極層 5131:不連續(xù)輪廓 519:間隔件535:第三介電層601:基底 603:掃描線 605:數據線 609:絕緣層 613:反射電極層617a:源極 623:對向基板 6233:彩色濾光片103:掃描線 107:第二介電層 111:穿透電極層 115:光刻膠 121:像素區(qū)域 3:陣列基板 3013:第一介電層 305:數據線 309:絕緣層3093:斷缺區(qū)段313:反射電極層 317:開關裝置 321:像素區(qū)域 5:陣列基板 5013:第一介電層 505:數據線 509:絕緣層5093:斷缺區(qū)段513:反射電極層 517:開關裝置 521:像素區(qū)域 6:液晶顯示裝置 6013:第一介電層 604:第一間隔層 607:第二介電層 611:穿透電極層 617:開關裝置 619:間隔件6231:對向基底 625:覆蓋層627:共享電極6291:液晶分子 633:黑矩陣 637:多晶硅層 e:傾斜角629:液晶層631:配向元件635:第三介電層 639:金屬層具體實施方式
以下將參照附圖更詳細地闡述本發(fā)明的實施例，但本發(fā)明也可以其它實施 態(tài)樣、其它實施例予以體現，不應認定其僅限于本文所述的實施例。本發(fā)明的第一實施例一種陣列基板3，特別一種應用于液晶顯示裝置的陣 列基板3，其上視圖及三種不同位置的剖面圖分別如圖3A、圖3B、圖3C及圖 3D所示，圖3B為圖3A的陣列基板3沿D-D'線的剖面圖，圖3C為圖3A的陣 列基板3沿E-E'線的剖面圖，圖3D為圖3A的陣列基板3沿F-F'線的剖面圖， 此外，為了方便觀看，圖3C至圖3D暫不顯示間隔件319。陣列基板3包含一 基底301、多條掃描線303、多個數據線305、 一第一介電層3013、 一第二介 電層307、 一第三介電層335、多個開關裝置317、 一絕緣層309、 一穿透電極 層311、 一反射電極層313以及多個間隔件(spacer) 319。如圖3A所示，該些數據線305實質上垂直于該些掃描線303，且該些數 據線305與該些掃描線303位于基底301的第一介電層3013上。該些掃描線 303與該些數據線305界定出多個陣列式像素區(qū)域321，于此實施例中，顯示 由二條掃描線303與四條數據線305共同界定出三個陣列式像素區(qū)域321。其 中每一像素區(qū)域321代表一子像素，且具有一穿透區(qū)域及一反射區(qū)域。然于其 它實施態(tài)樣中，本領域技術人員也可輕易推及其它態(tài)樣的穿透區(qū)域與反射區(qū)域 數目。如圖3B至圖3D所示，第一介電層3013沉積形成于基底301上。于本實 施例中，基底301舉例為一玻璃基板，且第一介電層3013的材料為鍺一氮化 硅(Ge-Si隊)，但于其它實施例中，基底301也可為其它態(tài)樣，且第一介電 層3013的材料也可為其它材料。第二介電層307沉積形成于第一介電層3013 與該些數據線305及該些掃描線303之上。第三介電層335沉積形成于第二介 電層307之上。于本實施例中，第三介電層335作為一保護層(passivationlayer)。前述的第一介電層3013、第二介電層307與第三介電層335可由有機材 料(例如光刻膠、聚丙酰醚(polyaryleneether， PAE)、聚酰類、聚酯類、 聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁烯(benzocyclclobutene， BCB)、氫倍半硅氧烷 (hydrogen silsesquioxane ， HSQ )、 甲基倍半石圭氧烷 (methyl silsesquioxane ， MSQ)、硅氧碳氫化物(SiOC-H)、或其它材質、或上述的 組合)、無機材料(例如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、碳化硅、氧化 鉿、或其它材料、或上述的組合)、或其組合材料制成。如圖3A所示，該些開關裝置317分別與該些掃描線303及該些數據線305 相對應連接。其中，該些開關裝置317為薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)。于此實施例中，開關裝置317形成于反射區(qū)域的反射電極層313與基 底301之間(圖未示)，可為上柵極結構或下柵極結構。 一般而言，開關裝置 317具有一源極、 一漏極以及一柵極(圖未示)，源極電性連接于反射電極層 313,漏極電性連接于數據線305，而柵極則電性連接于掃描線303。以下柵極 結構為例(圖未示)，柵極上方還具有一子絕緣層，而源極與漏極便位于此子 絕緣層之上，源極與漏極上方有另一子絕緣層。絕緣層309沉積形成于該些掃描線303及該些數據線305上方的第三介電 層335上，實質上沿著該些掃描線303及該些數據線305分布，且絕緣層309 具有多個自由端3091，其中二相對自由端3091形成一斷缺區(qū)段3093，如圖 3A及圖3D所示。自由端3091具有一朝向斷缺區(qū)段3093漸縮、且朝下傾斜的 輪廓，如圖3C所示。其中，斷缺區(qū)段3093適形成于該些數據線305的一上方。 于本實施例中，絕緣層309的材料可為有機材料(例如光刻膠、聚丙酰醚 (polyarylene ether， PAE)、聚酰類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁 烯(benzocyclclobutene， BCB) 、 HSQ (hydrogen silsesquioxane) 、 MSQ (methyl silsesquioxane)、硅氧碳氫化物(Si0OH)、或其它材質、或上 述的組合)、無機材料(例如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、碳化硅、 氧化鉿、或其它材料、或上述的組合)、或其組合。絕緣層309的二相對自由端3091漸縮傾斜輪廓投影至一平面上的形狀，適實質上為一三角形。此漸縮傾斜的輪廓與投影平面間適形成一傾斜角e (如 圖4A所示)，傾斜角e實質上為55. ll度。但于其它實施態(tài)樣中，傾斜角e實質上可小于63度或大于55度；而于較佳的其它實施態(tài)樣中，傾斜角e實質 上為55至63度的范圍內。于本實施例中，上述投影平面實質上為第三介電層 335的表面。另外，在本實施例中，鑒于半穿透半反射式的特性，反射區(qū)域與穿透區(qū)域 兩者具相同光程目的便通過絕緣層309達成。其中，僅于反射區(qū)域中形成絕緣 層309，以于兩區(qū)域具有絕緣層309厚度的不同，從而，由于反射區(qū)域可將光 線反射，故可達到將反射區(qū)域與穿透區(qū)域兩者的光程調整為相同的目的。穿透電極層311位于陣列式像素區(qū)域321中的穿透區(qū)域(transmissive area)，且穿透電極層311至少部分地位于絕緣層309的一下方與第三介電層 335之間，如圖4B所示。穿透區(qū)域具有一以透明材質制成的電極，稱的透明 電極，也即為穿透電極層311。透明材質可譬如為銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、 鎘錫氧化物、氧化鎗、或其它材料、或上述的組合。反射電極層313位于陣列式像素區(qū)域321中的反射區(qū)域(reflective area)，沉積形成于絕緣層309的一上方，且于斷缺區(qū)段3093構成一不連續(xù) 的輪廓3131，如圖4B所示。反射區(qū)域具有一以反射材質制成的電極，也即反 射電極層313。反射電極層313可由反射材質，如金、錫、銅、銀、鐵、鉛、 鎘、鉬、鈴、釹、鈦、鉭、或其它材料、或上述的氮化物、或上述的氧化物、 或上述的合金、或上述的組合所制成。此反射電極層313可為一反射板或反射鏡。較佳地，反射電極層313具有凹凸不平的表面，此可例如通過鋁凸塊形成凹凸不平的表面或者是利用絕緣層 309具有凹凸不平的表面，然后，形成反射電極層313于絕緣層309上，則使 得反射電極層313具有凹凸不平的表面，以使反射光線均勻散射，提高反射光 線的使用效率。其中，部分反射電極層313通過一接觸孔(圖未示)并穿透絕 緣層309及第三介電層335，而與下方的一金屬層(圖未示)連接。該些間隔件319分別形成于該些斷缺區(qū)段3093中，且適位于該些斷缺區(qū) 段3093中的數據線305上，用以維持基底301與一對向基底(圖未示)之間 距(cell gap)。于此實施例中，間隔件319 一光刻膠間隔件(photo spacer)， 且于其它實施態(tài)樣中，間隔件319也可為球體或棒狀體。間隔件319的材料可 選自三聚氰胺樹脂(melamine resin)、尿素(urea)、苯呱胺樹脂 (benzoq腦amine resin)、丙烯酸酯(acrylate)等高分子材料，也可采用石圭(silica)。通過上述結構，在制造該陣列基板3時，預先在該第三介電層335上沉積 一層該絕緣層309，接著在該絕緣層309上沉積一層該反射電極層313，即鍍 膜。然后上光刻膠315、曝光，使光刻膠315圖案化(如圖4A所示)，接著 顯影將多余的光刻膠315去除，進行蝕刻，最后將光刻膠315全面去除(如圖 4B所示)。如圖4B所示，在顯影去除多余光刻膠315的過程時中，通過自由端3091 的特殊結構形狀及特定的角度e，便可將所欲去除的光刻膠315實質上完全去 除，而不會有光刻膠315殘留。因此，在后續(xù)蝕刻反射電極層313時，便不會 在兩個像素區(qū)域321相鄰處殘留反射電極層313 (如圖4C)。本發(fā)明的第二實施例同樣為一種應用于液晶顯示裝置的陣列基板5，其結 構大致類似于前述的第一實施例，于此不另贅述，而其上視圖及三種不同位置 的剖面圖則分別如圖5A、圖5B、圖5C及圖5D所示。本實施例與第一實施例不同之處在于，陣列基板5的絕緣層509自由端 5091所形成的斷缺區(qū)段5093，其邊緣適與斷缺區(qū)域5093中的數據線505同寬， 即如圖5A與圖5C所示。故本實施例中的陣列基板5，穿透電極層511與斷缺 區(qū)段5093間的反射電極層513更少，更不易產生相鄰兩像素區(qū)域521間短路 的情形。更詳細而言，上述的第一實施例與第二實施例皆提供多個自由端，該些自 由端具有朝向斷缺區(qū)段漸縮、且朝下傾斜的輪廓(如圖4D及圖5D所示)，輪 廓可避免光刻膠曝光時，因其角度影響曝光量，進而影響后續(xù)的顯影去除多余 光刻膠步驟，造成光刻膠殘留而使反射電極層殘留，進而造成相鄰兩像素區(qū)域 間短路的問題。本發(fā)明的第三實施例請參照圖6，其一種液晶顯示裝置6，尤其一種半穿 透半反射式的液晶顯示裝置6，其包含一陣列基板、 一對向基板623以及一液 晶層629。其中，陣列基板第一實施例的陣列基板3，是故圖6為液晶顯示裝 置6沿圖3A中J-J'及K-K'線的剖面圖，其中，此兩個剖面圖位于不同的平面 上。然于其它實施態(tài)樣中，液晶顯示裝置6的陣列基板也可采用第二實施例的 陣列基板5或具本發(fā)明特征的其它陣列基板。前述的陣列基板包含一基底601、多條掃描線603、 一第一間隔層604、多條數據線605、 一第二介電層607、 一絕緣層609、 一穿透龜極層611、 一反 射電極層613、多個開關裝置617、多個間隔件619、 一第一介電層6013、 一 第三介電層635、 一多晶硅(polysilicon)層637以及一金屬層639，詳細結構請參照前述的第一實施例或第二實施例。第一間隔層604用以間隔絕緣掃描線603與數據線605。第一介電層6013 具有一多晶硅層637。其中，該些各像素中的開關裝置617均位于第二介電層 607與第一介電層6013之間，其中圖6主要示出開關裝置617的源極617a。 多晶硅層637夾設于基底601與第一介電層6013之間。金屬層639位于第二 介電層607與第三介電層635之間，部分金屬層639通過一介層洞(圖未示) 向下穿透第二介電層607及第一介電層6013而與多晶硅層637連接。為達到穿透電極層611與反射電極層613的光程差，預先在反射區(qū)域的部 分第三介電層635上沉積絕緣層609，再將反射電極層613沉積形成于絕緣層 609之上。于此實施例中，在反射區(qū)域的絕緣層609具有凹凸表面，故位于絕 緣層609上的反射電極層613便具有凹凸表面，以使反射光線均勻散射，提高 反射光線的使用效率。反射電極層613通過穿透絕緣層609的一接觸孔(圖未 示)向下與金屬層639連接。此外，穿透電極層611與反射電極層613電性連 接(圖未示)。對向基板623與前述的陣列基板相對設置。對向基板623包含一對向基底 6231、 一彩色濾光片6233、 一覆蓋層(overcoat layer) 625、 一共享電極627、 多個配向元件631以及多個黑矩陣(black matrix, BM) 633。于此實施例中， 對向基底6231也為一玻璃基板。每一像素區(qū)域所對應的彩色濾光片6233具有紅、綠及藍三種顏色其中的 一，前述像素區(qū)域為一子像素，每一像素均包含前述三種顏色的子像素，但不 限于此，也可依設計的需求每一像素包含前述一種顏色的子像素、二種顏色的 子像素、四種顏色的子像素、五種顏色的子像素、六種顏色的子像素、七種顏 色的子像素等等，且所對應的顏色除紅、綠、藍之外，另包含黑色、白色(即 無色)、棕色、紫色、橘紅色、青綠色，或其它于色彩坐標上(CIE)的顏色。覆蓋層625可選擇性形成于共享電極627與彩色濾光片6233之間，由于 彩色濾光片6233易受酸堿腐蝕，且各個顏色的層厚不一，加入此覆蓋層625 可避免彩色濾光片6233受損，并使覆蓋層625接觸共享電極627的表面更為平整。此外，為了防止漏光，本實施例的液晶顯示裝置6還包含黑矩陣633位于 對向基底6231上，其中彩色濾光片6233覆蓋黑矩陣633，但不限于此結構， 也可將黑矩陣633位于彩色濾光片6233上或其它位置。其中，黑矩陣633的 材料包含有機材料(如有色光刻膠、多色光刻膠堆棧、或其它有色材料)、金 屬(如金、錫、銅、銀、鐵、鉛、鎘、鉬、鯰、釹、鈦、鉭、或其它材料、或 上述的氮化物、或上述的氧化物、或上述的合金、或上述的組合)、或上述的 組合。共享電極627位于間隔件619、液晶層629及配向元件631之上。本實施 例的共享電極627使用銦錫氧化物為材料范例，但不限于此，也可選擇性地使 用銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、氧化給、或其它材料、或上述的組 合°多個配向元件631分別設置于各個像素區(qū)域的中間，其即為現有技術的突 出物，而其材料可為有機物(如光刻膠、聚丙酰醚(polyarylene ether， PAE)、 聚酰類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁烯(benzocyclclobutene， BCB)、 HSQ (hydrogen silsesquioxane) 、 MSQ (methyl silsesquioxane)、或其它 材料、或上述的組合)，但不限于此，也可為無機材料(如硅氧化物、硅氮化 物、硅氮氧化物、碳化硅、氧化鉿、或其它材料、或上述的組合)、或有機材 料與無機材料的組合，用以配置液晶分子6291的方向，來達成多重分域垂直 配向的目的。該些間隔件619鄰設于液晶層629，以將下方的陣列基板的基底601及上 方的對向基底6231相隔開，借此控制基底601與對向基底6231間的距離。通過間隔件619控制間距，液晶層629便可填充于上方的對向基板601 與下方的陣列基板之間。其中，該些開關裝置617用以接收該些數據線605 及該些掃描線603的信號，且控制液晶層629的運作。液晶層629包含許多液 晶分子6291，其鄰近于各基底601、對向基底6231的該些液晶分子6291則實 質上垂直于各基板的一表面。此等液晶分子6291會受穿透電極層611及反射 電極層613的電場影響而旋轉，改變排列方向。此外，液晶層629中鄰近配向 元件631部份的液晶分子6291則會實質上垂直于配向元件631的一表面。當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但 這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權利要求的保護范圍。
權利要求
1.一種用于液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，包含一基底；多條掃描線及與該些掃描線垂直的數據線位于該基底上，以界定出多個陣列式像素區(qū)域；多個開關裝置，分別與該些掃描線及該些數據線對應連接；以及一絕緣層，形成于該些掃描線及該些數據在線，具有多個自由端，其中二相對自由端形成一斷缺區(qū)段；其中該自由端具有一朝向該斷缺區(qū)段漸縮、且朝下傾斜的輪廓。
2. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，該絕緣層，沿該些掃描 線及數據線分布，且該些斷缺區(qū)段適形成于該些數據線的一上方。
3. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，該漸縮輪廓投影至一平 面的形狀，為一三角形。
4. 根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，該漸縮傾斜的輪廓，與 該投影平面間形成一傾斜角，小于63度且大于55度。
5. 根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，該傾斜角，為55.11度。
6. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包含一反射電極層， 形成于該絕緣層的一上方，且于該斷缺區(qū)段構成一不連續(xù)輪廓。
7. 根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，還包含一穿透電極層于 該陣列式像素區(qū)域，且該穿透電極層至少部分地位于該絕緣層的一下方。
8. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包含一穿透電極層于 該陣列式像素區(qū)域，且該穿透電極層至少部分地位于該絕緣層的一下方。
9. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包含多個間隔件，分 別形成于該些斷缺區(qū)段中，且位于該些數據線之上。
10. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，該絕緣層的材料包 括有機材料。
11. 一種液晶顯示裝置，其特征在于，包含 一對向基板；一如權利要求1所述的陣列基板，與該對向基板相對設置；以及一液晶層，填充于該陣列基板與該對向基板之間。
12. 根據權利要求11所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該對向基板包 括一彩色濾光片。
全文摘要
一種用于液晶顯示裝置的陣列基板及此液晶顯示裝置。液晶顯示裝置包含一對向基板、一陣列基板及一液晶層，陣列基板與對向基板相對設置，液晶層則填充于其間。陣列基板包含一基底、多條掃描線、多條數據線、多個開關裝置及一絕緣層。掃描線與數據線實質上垂直，以界定出多個陣列式像素區(qū)域。開關裝置與掃描線及數據線對應連接。絕緣層沉積形成于掃描線及數據在線，具有多個自由端，其中二相對自由端形成一斷缺區(qū)段。各自由端均具有一朝斷缺區(qū)段漸縮、且朝下傾斜的輪廓，此輪廓可避免工藝中反射電極殘留而造成相鄰兩像素間短路的問題。
文檔編號G02F1/1362GK101221333SQ20081000188
公開日2008年7月16日 申請日期2008年1月17日 優(yōu)先權日2008年1月17日
發(fā)明者戴嘉駿, 沈佩誼, 賴欣怡 申請人:友達光電股份有限公司