專利名稱：像素結構、顯示面板、光電裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種像素結構、顯示面板、光電裝置及其制造方法，且尤其涉 及一種配置有凸起圖案的像素結構、顯示面板、光電裝置及其制造方法。
背景技術：
一般來說，半穿透半反射式液晶顯示面板主要是由主動元件陣列基板、彩 色濾光基板以及夾設于前述兩基板之間的液晶層所構成。半穿透半反射式液晶 顯示面板可同時利用背光源以及外界光源進行顯示，因此在不同光源強度的環(huán) 境之中都可以呈現(xiàn)不錯的顯示效果。半穿透半反射式液晶顯示面板中，主動元 件陣列基板的像素結構可區(qū)分為穿透區(qū)與反射區(qū)，其分別提供穿透式以及反射 式兩種不同顯示模式。通常，若欲制作具有良好反射率的半穿透半反射液晶顯示面板時，會在反 射區(qū)中制作多個凸起圖案。這些凸起圖案也可用于反射式液晶顯示面板上。在 現(xiàn)有技術的工藝中，制作多個凸起圖案時，通常需要先進行兩道光掩模工藝以 形成多個凸形物。接著，經由烘烤工藝使得凸形物具有平滑的表面，而形成凸 起圖案。經由兩道光掩模工藝并進行兩次曝光步驟以形成凸起圖案的工藝使得整 體面板工藝所需耗費的時間被拉長。此外，現(xiàn)有技術的設計中，凸起圖案不規(guī) 則地排列于反射區(qū)中，其對于反射率的提升效果有限。另外，現(xiàn)有技術的像素 結構在某些方向上所呈現(xiàn)的顯示視角較廣，其它方向上呈現(xiàn)的視角較窄。因此， 現(xiàn)有技術配置有不規(guī)則排列的凸起圖案的像素結構及其顯示面板所提供的顯 示效果仍有待改善。發(fā)明內容本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種像素結構，其提供良好的反射率。本發(fā)明所要解決的另一技術問題在于提供一種顯示面板，其反射區(qū)具有較 良好的反射率且呈現(xiàn)良好的顯示視角均齊度。本發(fā)明所要解決的再一技術問題在于提供一種顯示面板的制造方法，以制 作出反射率佳且顯示效果良好的顯示面板。本發(fā)明所要解決的又一技術問題在于提供一種光電裝置，其具有良好的反 射顯示效果。本發(fā)明所要解決的又一技術問題在于提供一種光電裝置的制造方法，以制 作上述的光電裝置。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種配置于一基板上的像素結構。此像素結 構具有多個凸起圖案，且凸起圖案所在區(qū)域定義出一第一顯示區(qū)。凸起圖案的排列大致構成多個弧形軌跡，而弧形軌跡具有相同的一弧心(arx center),且 弧心位于第一顯示區(qū)的角落。而且，為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明另提出一種顯示面板，此顯示面板包括一 第一基板、 一第二基板、 一顯示介質層以及多個像素結構。第二基板與第一基 板平行配置。顯示介質層(display media layer)位于第一基板與第二基板之 間。像素結構配置于第一基板上，且各像素結構具有多個凸起圖案。凸起圖案 所在區(qū)域定義出一第一顯示區(qū)，且凸起圖案的排列大致構成多個弧形軌跡。此 外，弧形軌跡具有相同的一弧心，且弧心位于第一顯示區(qū)的角落。在本發(fā)明的一實施例中，上述的各像素結構的弧心與相鄰的其中一個像素 結構的弧心位于第一顯示區(qū)中不同的角落。在本發(fā)明的一實施例中，上述的各像素結構的凸起圖案的總面積實質上占 第一顯示區(qū)的面積的18% 25%。在本發(fā)明的一實施例中，上述的各第一顯示區(qū)實質上為矩形并具有一第一 角落、 一第二角落、 一第三角落以及一第四角落。第一角落與第三角落相對， 而第二角落與第四角落相對。兩個相鄰的像素結構中，弧心的位置例如是位于 相對的角落。另外，緊密排列的四個像素結構中，弧心的位置也可以是各別位 于第一角落、第二角落、第三角落以及第四角落。在本發(fā)明的一實施例中，上述的各弧形軌跡的曲率半徑為Md，且n為大 于零的自然數(shù)而d為弧心至相鄰的弧形軌跡間的距離。在本發(fā)明的一實施例中，上述的各弧形軌跡中排列有至少一個凸起圖案，且各弧形軌跡上的凸起圖案的間距為d。在本發(fā)明的一實施例中，上述的各像素結構包括一掃描線、 一數(shù)據線、一 主動元件、 一第一像素電極以及一第一介電層。數(shù)據線與掃描線相交。主動元 件電性連接掃描線以及數(shù)據線。第一像素電極電性連接主動元件。第一像素電 極共形地配置于第一介電層上。第一介電層具有凸起圖案，且第一介電層具有 一第一膜厚以及一實質上小于第一膜厚的第二膜厚，以使第一膜厚與第二膜厚之差實質上等于凸起圖案的高度。第一像素電極可以為一反射式像素電極或一 穿透式像素電極。各像素結構還包括一第二像素電極。第二像素電極電性連接 主動元件，且第二像素電極定義出一第二顯示區(qū)。另外，第一介電層更可配置 于第二像素電極與第一基板之間。第一介電層被第二像素電極所覆蓋的部份具 有第一膜厚或第二膜厚。在本發(fā)明的一實施例中，上述的像素結構還包括一第二介電層。第二介電 層配置于第一介電層與第一像素電極之間，且第二介電層與第一介電層共形。在本發(fā)明的一實施例中，上述的各像素結構包括一掃描線、 一數(shù)據線、一 主動元件以及一第一像素電極。數(shù)據線與掃描線相交。主動元件電性連接掃描 線以及數(shù)據線。第一像素電極電性連接主動元件，且部份第一像素電極構成凸 起圖案。在本發(fā)明的一實施例中，上述的各像素結構包括一掃描線、 一數(shù)據線、一 主動元件、 一第一像素電極以及一電容電極。數(shù)據線與掃描線相交。主動元件 電性連接掃描線以及數(shù)據線。第一像素電極電性連接主動元件。電容電極配置 于第一基板與第一像素電極之間，且部分電容電極構成凸起圖案。在本發(fā)明的一實施例中，上述的顯示面板還包括一墊高層。墊高層配置于 第二基板與顯示介質層之間，且墊高層位于第一顯示區(qū)中，以調整第一電極上 方的顯示介質層的厚度。在本發(fā)明的一實施例中，上述的顯示面板還包括至少一間隙物。間隙物配 置于第一基板與第二基板之間。本發(fā)明再提出一種顯示面板的制造方法。首先，提供一第一基板。接著， 于第一基板形成多個像素結構，各像素結構中具有多個凸起圖案。凸起圖案所 在區(qū)域定義出一第一顯示區(qū)，且凸起圖案的排列大致構成多個弧形軌跡?；⌒?軌跡具有相同的一弧心，且弧心位于第一顯示區(qū)的角落。然后，提供一第二基板。接著，形成一顯示介質層于第一基板以及第二基板之間。在本發(fā)明的一實施例中，上述的像素結構的制造方法包括使各像素結構的 弧心與相鄰的其中一個像素結構的弧心位于第一顯示區(qū)中不同的角落。在本發(fā)明的一實施例中，上述的形成各像素結構的方法包括下列步驟。首 先，于第一基板上形成一掃描線以及一數(shù)據線，且掃描線與數(shù)據線相交。接著， 于第一基板上形成一主動元件，其中主動元件電性連接掃描線以及數(shù)據線。然 后，于第一基板上形成一第一介電層。第一介電層具有凸起圖案，且第一介電 層具有一第一膜厚以及一實質上小于第一膜厚的第二膜厚，以使第一膜厚與第 二膜厚之差實質上等于凸起圖案的高度。然后，于第一基板上形成一第一像素 電極。第一像素電極電性連接主動元件，且第一像素電極共形地配置于第一介 電層上。在本發(fā)明的一實施例中，上述的形成第一介電層的方法包括下列步驟。首 先，于第一基板上形成一介電材料層。接著，使用一半透光光掩模進行一圖案 化工藝，以將介電材料層圖案化。半透光光掩模具有一遮光區(qū)、 一透光區(qū)以及 一部分透光區(qū)。透光區(qū)位于主動元件的部分區(qū)域上方。遮光區(qū)與部分透光區(qū)位 于第一顯示區(qū)中。位于遮光區(qū)下方的介電材料層被圖案化成凸起圖案。在進行 圖案化工藝的同時，還包括于第一基板上形成一仿真測試圖案。此外，部分透光區(qū)的透光率實質上可以是介于10% 30%。在本發(fā)明的一實施例中，上述的形成各像素結構的方法還包括于第一介電 層與第一像素電極之間形成一第二介電層，其中第二介電層與第一介電層共 形。在本發(fā)明的一實施例中，上述的形成各像素結構的方法還包括于第一基板 上形成一第二像素電極。第二像素電極電性連接主動元件，且第二像素電極定 義出一第二顯示區(qū)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的半透光光掩模的透光區(qū)及遮光區(qū)其中一者 更位于第二顯示區(qū)上方。在本發(fā)明的一實施例中，上述的半透光光掩模的部分透光區(qū)更位于第二顯 示區(qū)上方。在本發(fā)明的一實施例中，上述的顯示面板的制造方法還包括于第二基板上 形成一墊高層。墊高層位于第一顯示區(qū)中。在本發(fā)明的一實施例中，上述的形成各像素結構的方法包括下列步驟。首 先，于第一基板上形成一掃描線以及一數(shù)據線，其中掃描線與數(shù)據線相交。接 著，于第一基板上形成一主動元件。主動元件電性連接掃描線以及數(shù)據線。然 后，于第一基板上形成一第一像素電極。第一像素電極電性連接主動元件。接 著，于第一基板上形成一電容電極。電容電極位于第一像素電極與第一基板之 間，且部份電容電極構成凸起圖案。在本發(fā)明的一實施例中，上述的顯示面板的制造方法還包括于第一基板與 第二基板之間形成至少一間隙物。本發(fā)明更提出一光電裝置，包含上述實施例的顯示面板。本發(fā)明又提出一光電裝置的制造方法，包含上述實施例的顯示面板的制造 方法。綜上所述，本發(fā)明通過配置多個凸起圖案于像素結構上，且凸起圖案的排 列具有規(guī)則性，因而使得像素結構及其顯示面板具有較良好的反射率并可呈現(xiàn) 均勻的顯示視角。此外，本發(fā)明利用半透光光掩模制作凸起圖案，有助于減化 工藝步驟，并利用仿真測試圖案增進工藝的可靠度。簡言之，本發(fā)明的像素結 構、顯示面板及其電子裝置具有良好的顯示效果以及較佳的工藝可靠度。以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的 限定。


圖1為一種規(guī)則性排列的凸起圖案設計圖2A 2C分別繪示三種像素結構的局部俯視示意圖；圖3A為本發(fā)明的第一實施例的像素結構的局部俯視示意圖；圖3B為沿圖3A的剖線AA，所繪示的像素結構的剖面示意圖；圖3C繪示為形成第一介電層于像素結構上的方法；圖3D為本發(fā)明的一實施例的仿真測試圖案；圖4A為本發(fā)明的第二實施例的像素結構的局部剖面示意圖；圖4B與圖4C繪示為本發(fā)明的第二實施例的另外兩種像素結構的局部剖面示意圖；圖5為本發(fā)明的第三實施例的像素結構的俯視示意圖；圖6A為本發(fā)明的一實施例的一種顯示面板的局部剖面示意圖; 圖6B 6G分別繪示為本發(fā)明的數(shù)種顯示面板的上視示意圖；圖7所繪示為本發(fā)明的一實施例的光電裝置的示意圖。其中，附圖標記20、 30、 40、 510、 520:基板100a 100c、 200、 300a 300c、 400、 540:像素結構120、 260、 370、 460、 542:凸起圖案130、 552:軌跡132、 554、 554a 554d:弧心210、 410:掃描線220、 420:數(shù)據線230、 330、 430、 548:主動元件240、 340、 440、 544:第一像素電極250、 350:第一介電層270:半透光光掩模270a:遮光區(qū)270b:透光區(qū)270c:部分透光區(qū)360、 546:第二像素電極450:電容電極500、 610:顯示面板530:顯示介質層550:介電層560:間隙物580:墊高層590:仿真測試圖案590a、 590b、 590c、 a、 b、 c:區(qū)域 C、 Cl、 C2、 C3、 C4:角落d:距離hl、 h2:膜厚h:高度Pl、 P2、 P3:顯示區(qū)具體實施方式
由于不規(guī)則排列的凸起圖案在像素結構中對于反射式顯示模式的反射率 提升的程度有限。因此，本發(fā)明在此提出一種規(guī)則性排列的凸起圖案設計，其如圖1所示。請參照圖1，凸起圖案120大致上沿著圓弧形的軌跡130排列， 其中圓弧形軌跡130具有共享的弧心132，也是圓心。這些凸起圖案120應用 于具有反射或微反射顯示設計的像素結構或顯示面板時，有助于提高像素結構 或顯示面板的反射率。實際上，凸起圖案120若以不同的密度排列可能使像素 結構呈現(xiàn)出不同的顯示效果。因此，本發(fā)明在此將不同區(qū)域a、 b及c中的凸 起圖案120實際應用于像素結構中以進行比較說明。圖2A 2C分別繪示三種像素結構的局部俯視示意圖。請先參考圖2A,像 素結構100a具有由一第一顯示區(qū)Pl(或稱為第一像素區(qū)域)以及一第二顯示區(qū) P2(或稱為第二像素區(qū)域)所構成的影像顯示區(qū)P3，且第一顯示區(qū)Pl與第二顯 示區(qū)P2有導電線路(未繪示)區(qū)隔為范例，但不限于此。在其它實施例，可以 僅有第一顯示區(qū)Pl、第二顯示區(qū)P2、或同時具有第一顯示區(qū)Pl及第二顯示區(qū) P2，而第一顯示區(qū)Pl與第二顯示區(qū)P2導電線路(未繪示)區(qū)隔。第一顯示區(qū) Pl及第二顯示區(qū)Pl其中至少一者可為反射式的顯示模式、微反射式的顯示模 式、或穿透式的顯示模式。本發(fā)明以第一顯示區(qū)P1例如可以呈現(xiàn)反射式的顯 示模式，而第二顯示區(qū)P2則可進行穿透式的顯示模式為范例，但不限于此。 此外，像素結構100a中配置有多個凸起圖案120，而這些凸起圖案120的排 列方式如圖1的區(qū)域a所示。也即，凸起圖案120的排列所構成的弧形軌跡 130的相同的弧心132在第一顯示區(qū)Pl之外。經過實際量測后得到像素結構100a所呈現(xiàn)的反射率為32. 11%。由于，像 素結構100a中第一顯示區(qū)Pl的面積占影像顯示區(qū)P3的面積的比率實質上為 60. 32%，若將實測所得的反射率(32. 11%)除以第一顯示區(qū)Pl面積在所對應影 像顯示區(qū)P3面積所占的比率(60.32W)后，可得到數(shù)值I實質上為53. 23%，其 代表凸起圖案120在每單位顯示面積所提供的反射率。接著，請參考圖2B，像素結構100b的第一顯示區(qū)Pl的凸起圖案120設計如圖l的區(qū)域b時，且其它描述也如參考圖2A所述。值得一提的是，在像素結構100b的設計中，凸起圖案120的弧形軌跡130的相同的弧心132在像 素結構100b的第一顯示區(qū)Pl的中心為范例，但不限于此，也可將弧心132 于像素結構100b的第一顯示區(qū)Pl的其它非角落處。經過實際量測后得到像素 結構100b所呈現(xiàn)的反射率實質上為18.38%。像素結構100b中，第一顯示區(qū) Pl的面積占影像顯示區(qū)P3的面積的比率實質上為27.74%。因此，將反射率 (18.38%)除以第一顯示區(qū)Pl面積在所對應影像顯示區(qū)P3面積中所占的比率 (27.74%)后，可得到數(shù)值II實質上為66. 26%。也就是說，凸起圖案120排列 成如圖2b繪示的分布時，可在每單位面積提供的反射率實質上為66. 26%。請接著參考圖2C，像素結構100c的第一顯示區(qū)Pl的凸起圖案120設計 如圖l的區(qū)域c時，且其它描述也如參考圖2A所述。值得一提的是，凸起圖 案120的排列所構成的弧形軌跡130的相同的弧心132位于像素結構100c的 第一顯示區(qū)P1的其中一個角落C為范例，但不限于此。此外，也可將弧心132 于第一顯示區(qū)Pl的至少二個角落處，并可依第一顯示區(qū)Pl的形狀而定其角落， 例如矩形、四邊形、五邊形、菱形、六邊形、或其它合適的形狀。經過實際 量測后得到像素結構100c的反射率實質上為25.87%，其中第一顯示區(qū)Pl的 面積占影像顯示區(qū)P3的面積的比率實質上為34%。因此，將反射率(25.87%) 除以第一顯示區(qū)Pl面積所對應影像顯示區(qū)P3面積的比率(34%)后，可得到數(shù) 值m實質上為76. 09%，其中數(shù)值III代表凸起圖案在每單位顯示面積 所提供的反射率。為了清楚地比較上述的凸起圖案120的不同排列設計所產生反射率的優(yōu) 劣，在此以數(shù)值III作為標準，將三者的數(shù)值I、 n、 III進行歸一化 (normalized)。數(shù)值I歸一化后的值實質上為69. 69%、數(shù)值II歸一化后的值 實質上為87.08%以及數(shù)值n工歸一化后的值實質上為100%。顯而易見地，凸 起圖案120的弧形軌跡130的相同的弧心132在第一顯示區(qū)Pl的角落C時可 以提供較佳的反射率，也即如圖2C所繪示的像素結構100c呈現(xiàn)較佳的反射式 顯示效果。因此，本發(fā)明提出一種如圖2C所繪示的像素結構100c以提供較佳的反射 式顯示效果。本發(fā)明的像素結構100c中，凸起圖案120所在區(qū)域大致定義出 第一顯示區(qū)P1，但不限于此，也可與第二顯示區(qū)P2互換或同時都有。在此，第一顯示區(qū)Pl是以一反射顯示區(qū)為例，但不限于此。在本實施例中凸起圖案120的總面積實質上占第一顯示P1區(qū)的面積的18% 25%，但不限于此。較佳 地，凸起圖案120的總面積實質上占第一顯示區(qū)Pl的面積的20% 22%。此外， 各弧形軌跡130的曲率半徑約為rp^d，且n為實質上大于零的自然數(shù)，而d為 弧心132至相鄰的弧形軌跡130間的距離d，如圖2C所繪示。換言之，各弧 形軌跡130的曲率半徑為距離d的倍數(shù)。在圖2C中，n是以正整數(shù)為例，但 不限于此。另外，各弧形軌跡130中排列有至少一個凸起圖案120，且各弧形 軌跡130上的凸起圖案120的間距實質上為d。值得一提的是，本發(fā)明的像素結構100c除了可以應用在半穿透半反射式 顯示設計外，其也可以應用在反射式顯示設計上。或是，凸起圖案120也可以 配置于穿透式顯示設計的像素結構中以提供微反射的作用。換言之，像素結構 100c上的凸起圖案120的配置方式并不特別限定應用在何種顯示設計上。舉 凡應用反射原理而顯像的顯示設計都適用如圖2C所繪示的凸起圖案120的排 列方式。以下將舉例說明不同顯示模式設計(例如是半穿透反射式顯示設計、反射 式顯示設計或是微反射式顯示設計)或不同膜層(例如是介電層或是金屬層)所 形成的凸起圖案120及像素結構100c。其中，凸起圖案120及其排列方式如 同圖2C所示，但凸起圖案120所排列的弧形軌跡130的弧心132也可以是位 于另外三個角落(未標示)，本發(fā)明并不限定。第一實施例圖3A為本發(fā)明的第一實施例的像素結構的局部俯視示意圖，而圖3B為沿 圖3A的剖線AA'所繪示的像素結構的剖面示意圖。請同時參考圖3A與圖3B， 配置于一基板20上的像素結構200包括一掃描線210、 一數(shù)據線220、至少一 主動元件230、 一第一像素電極240以及一第一介電層250。如圖3A所繪示，數(shù)據線220與掃描線210相交，主動元件230電性連接 掃描線210以及數(shù)據線220，而第一像素電極240電性連接主動元件230。數(shù) 據線220與掃描線210可以為單層或多層結構，且二者材質例如是金、銀、銅、 錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅等金屬、上述合金、上述金屬氧化 物、上述金屬氮化物、或上述的組合。此外，第一像素電極240可以為單層或 多層結構，且其材質可視像素結構200的顯示模式設計而有所不同。舉例而言，第一像素電極240例如是反射式電極，而其材質例如是金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅等金屬、上述合金、上述金屬氧化物、 上述金屬氮化物、或上述的組合之類的反射性導電材質。另外，第一像素電極240也可以是由透明導電材質制成例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧 化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、鎘 鋅氧化物或上述的組合?；蚴牵谝幌袼仉姌O240也可以是同時具有反射性導 電材質及透明導電材質。因此，本發(fā)明并不限定第一像素電極240的材質。此外，凸起圖案260形成于第一介電層250上為范例，且凸起圖案260 的排列方式如圖3A所繪示，但不以此為限。此外，從圖3B的剖面圖來看，第 一介電層250具有一第一膜厚hl以及一實質上小于第一膜厚hl的第二膜厚 h2，以使第一膜厚hl與第二膜厚h2的差實質上等于凸起圖案260的高度h。 換言之，這些凸起圖案260在此是由第一介電層250所構成。另外，第一像素 電極240共形地配置于第一介電層250上，如圖3B所繪示。在本實施例中， 第一介電層250可為單層或多層結構，且其材質為有機材質、無機材質、或上 述的組合。有機材質例如光刻膠、苯并環(huán)丁烯、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰 胺類、聚酯類、聚醇類、聚環(huán)氧乙垸類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、 或其它材料、或上述的組合，且以有機材質的光刻膠為范例，但不限于此。無 機材質例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它適合的材質或上述的組合。在另一實施形態(tài)中，像素結構200還包括有一第二介電層(未繪示)，其配 置于第一介電層250與第一像素電極240之間，且第二介電層與第一介電層 250共形。第二介電質可為單層或多層結構，且其材質例如是無機材質(如 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧化鋁、或其它材質、或上述 的組合)為范例，但不以此為限，也可采用第一介電層250所述的其它材質。 另外，第一介電層250與基板20之間還可以配置有其它介電層(未繪示)，其可選擇性地具有或是不具有凹凸的表面，且其結構與材質也可選用第一介電層 250所述之。也就是說，第一像素電極240與基板20之間可以配置有一層或是多層介電層，其中這一層或是多層介電層中至少一層(例如是第一介電層 240)具有這些凸起圖案260。此時，第一像素電極240共形地形成于這些凸起 圖案260上則有助于提升像素結構200的反射率。此外，在又一實施形態(tài)中， 凸起圖案260也可以不由第一介電層250或是其它介電層所構成。舉例而言，像素結構200的部份第一像素電極240可以構成上述凸起圖案260。也就是說， 第一像素電極240可以具有不平坦的表面以構成這些凸起圖案260。必須說明的是，以上所述的像素結構200僅為一實施范例。像素結構200 除了可應用于反射式顯示設計，其也可以應用于半穿透半反射式顯示設計，或 是其它相同或相似概念的顯示設計的顯示面板中。此外，請同時參考圖3A與圖3B，上述的像素結構200的制造方法舉例如 下。首先，于一基板20上形成一掃描線210以及一數(shù)據線220，且掃描線210 與數(shù)據線220相交。其中形成掃描線210與數(shù)據線220的方式例如是利用微影 蝕刻工藝，但不限于此，其也可使用其它適合的工藝的方式，例如網版印刷、 噴墨、激光剝除、其它適合的方式或上述的組合。。此外，掃描線210與數(shù)據 線220可為單層或多層結構，且其材質例如是選自金、銀、銅、錫、鉛、鉿、 鴇、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅等金屬、上述合金、上述金屬氧化物、上述金屬 氮化物、或上述的組合。接著，于基板20上形成一主動元件230，其中主動元件230電性連接掃 描線210以及數(shù)據線220。然后，于基板20上形成一第一介電層250。第一介 電層250具有凸起圖案260為例，且第一介電層250具有一第一膜厚hl以及 一實質上小于第一膜厚hl的第二膜厚h2，以使第一膜厚hl與第二膜厚h2之 差實質上等于凸起圖案260的高度h。詳細來說，圖3C繪示為形成第一介電層于像素結構上的方法。請參考圖 3C，于一基板20上形成一介電材料層(未繪示)。接著，較佳地，使用一半透 光光掩模270進行一圖案化工藝，以將介電材料層圖案化成第一介電層250。 半透光光掩模270具有一遮光區(qū)270a、一透光區(qū)2了0b以及一部分透光區(qū)270c。 透光區(qū)270b位于主動元件230的部分區(qū)域上方，而遮光區(qū)270a與部分透光區(qū) 270c位于第一顯示區(qū)Pl上方。實際上，主動元件230為薄膜晶體管時，透光 區(qū)270b例如是位于主動元件230的漏極(未標示)上方。進行曝光顯影工藝后， 位于遮光區(qū)270a下方的介電材料層被圖案化而具有不同的膜厚(hl、 h2)。較佳地，上述的部分透光區(qū)27(^的透光率實質上介于10% 30%為例，但不限于此。由于，部份透光區(qū)270c僅容許部份的光線穿透，位于此區(qū)域下方的介電材料層(未繪示)所接收的光線能量較低而僅受到部分曝光。因此，第一 介電層250位于部分透光區(qū)"0c下方的部份區(qū)域具有第二膜厚h2，而位于遮光區(qū)270a下方的部份區(qū)域則具有第一膜厚hl。另外，位于透光區(qū)270b下方 的介電材料層(未繪示)會被完全地曝光而暴露出主動元件230的漏極(未標 示)。本實施例的主動元件230結構以底柵極為范例，但不限于此，也可使用 頂柵極、或其它適用的結構、或上述的組合。在此，介電材料層(未繪示)的材質是以正型光刻膠材料為例，當介電材料 層(未繪示)的材質是采用負型光刻膠材料時，半透光光掩模270上的不同透光 區(qū)270a 270c的分布則應隨之調整。實際上，形成第一介電層250時所采用 的光掩模也可以是其它種類的光掩模，并不限于半透光光掩模270。具體來說， 相較于現(xiàn)有技術的工藝中利用兩道光掩模工藝以及烘烤工藝制作凸起圖案 260的步驟，本實施例采用半透光光掩模270進行圖案化工藝有助于簡化凸起 圖案260的制作過程并縮短工藝所需時間。當然，其它工藝也可使用，如傳統(tǒng) 工藝中僅具遮光區(qū)270a、 一透光區(qū)270b的一般光掩模經過多次曝光、網版印 刷、噴墨、激光剝除、或其它合適工藝、或上述的組合。然后，請再參照圖3B，于基板20上形成一第一像素電極240。第一像素 電極240電性連接主動元件230，且第一像素電極240共形地配置于第一介電 層250上，至此，大致完成本實施例的像素結構200的制作。由于，像素結構200的凸起圖案260可由不同膜層堆棧以構成，因此制作 像素結構200的方法還包括于第一介電層250與第一像素電極240之間形成一 與第一介電層250共形的第二介電層(未繪示)。當然，本發(fā)明并不排除于基板 20與第一像素電極240之間形成其它具有不平坦表面或是具有平坦表面的介 電層。此外，第二介電層及其它介電層，也可釆用上述形成第一介電層250 的工藝其中之一。值得一提的是，在進行圖案化工藝以在第一介電層250上形成不平坦表面 的同時，較佳地，還包括于基板20上形成一仿真測試圖案590，如圖3D所示。 請參照圖3D，仿真測試圖案590中，區(qū)域590a、 590b及590c分別是對應半 透光光掩模270的遮光區(qū)270a、透光區(qū)2Wb以及部分透光區(qū)270c下方而圖 案化所得的結果。本實施例例如是通過掃描儀器(如a-st印scanner)掃描仿 真測試圖案590以得知第一介電層250被圖案化后的深度變化。由于，在對介 電材料層進行圖案化工藝時，無法確切得知各個凸起圖案260的高度與寬度的 變化趨勢。因此，本發(fā)明提出在制造過程中在基板20的邊緣處以相同的工藝條件同時形成一仿真測試圖案590，以作為工藝條件的調整依據。當然，也可不同時形成或不形成仿真測試圖案590，而以其它方式來得知第一介電層250 被圖案化后的深度變化，例如剖片、光學輪廓掃描儀器、二次電子顯微鏡 (secondary electron microscopy; SEM)、或其它合適的方式、或上述的組合。 第二實施例圖4A為本發(fā)明的第二實施例的像素結構的局部剖面示意圖。請同時參考 圖4A，配置于一基板30上的像素結構300a包括一主動元件330、 一第一像素 電極340、 一第一介電層350以及一第二像素電極360。此外，像素結構300a 具有多個凸起圖案370以定義出一第一顯示區(qū)Pl。第二像素電極360則定義 出一第二顯示區(qū)P2。第一顯示區(qū)Pl及第二顯示區(qū)P2其中至少一者為穿透顯 示區(qū)、反射顯示區(qū)、微反射顯示區(qū)、或上述的組合。本實施例以第一顯示區(qū) Pl可以是反射顯示區(qū)及第二顯示區(qū)P2可以是穿透顯示區(qū)，但不以此為限。在本實施例中，第一介電層350具有凸起圖案370，其中凸起圖案370的 排列方式與第一實施例的圖3A大致相同，但不以此為限。另外，第一介電層 350是以僅配置于第一顯示區(qū)Pl中為例。在其它實施例中，第一介電層350 可以更配置于第二像素電極360與基板30之間，也就是第二顯示區(qū)P2中。舉例而言，圖4B與圖4C繪示為本發(fā)明的第二實施例的另外兩種像素結構 的局部剖面示意圖。請參照圖4B與圖4C，像素結構300b及300c與像素結構 300a大致相同，其差異僅在于第一介電層350的部份區(qū)域更配置于第二顯 示區(qū)P2中。在圖4B與圖4C中，第一介電層350被第二像素電極360所覆蓋 的部份分別具有大致相同的第一膜厚hl及第二膜厚h2。實際上，第一介電層 350被第二像素電極360所覆蓋的部份例如具有平坦的表面。詳細來說，在工藝實務上，像素結構300a 300c的制造方法與像素結構 200大致相同，其中像素結構300a 300c的制造方法還包括在基板30上形成 第二像素電極360的制作步驟。此外，若制作第一介電層350時，使第二顯示 區(qū)P2對應于半透光光掩模的不同透光區(qū)，則可以分別形成如圖4A 圖4C所 繪示的三種像素結構300a 300c。當然，不限于此，也可采用上述的制造方 法，來形成分別形成如圖4A 圖4C所繪示的三種像素結構300a 300c舉例而言，本實施例是以正型光刻膠材料作為第一介電層350的材質，并 以半透光光掩模進行圖案化工藝以形成第一介電層350為范例，但不限于此。半透光光掩模的透光區(qū)放置于第二顯示區(qū)P2上方，會使正型光刻膠材料完全曝光而于顯影時被移除。因此，第一介電層350僅位于第一顯示區(qū)P1中，也 就是形成如像素結構300a的剖面結構。半透光光掩模的遮光區(qū)以及半透光區(qū) 對應放置于第二顯示區(qū)P2上方，則此區(qū)域中的正型光刻膠材料可以部份或是 完全被保留下來。所以，第一介電層350的部份區(qū)域可更配置于第二像素電極 360以及基板30之間。此時，若是遮光區(qū)位于第二顯示區(qū)P2時，第二顯示區(qū) P2中的第一介電層350便會具有第一膜厚hl，即如圖4B所繪示。另外，請參 照圖4C，若是部份透光區(qū)位于第二顯示區(qū)P2時，則經過曝光顯影工藝后會使 第一介電層350在第二顯示區(qū)P2中具有第二膜厚h2。簡言之，選擇光掩模的 不同透光區(qū)放置于第二顯示區(qū)P2上方以進行曝光顯影工藝時，會在第二顯示 區(qū)P2上產生不同膜厚的第一介電層350。 第三實施例圖5為本發(fā)明的第三實施例的像素結構的俯視示意圖。請參考圖5，配置 于一基板40上的像素結構400包括一掃描線410、 一數(shù)據線420、 一主動元件 430、 一第一像素電極440以及一電容電極450。數(shù)據線420與掃描線410相 交。主動元件430電性連接掃描線410以及數(shù)據線420。第一像素電極440電 性連接主動元件430。電容電極450配置于基板40與第一像素電極之間， 且部分電容電極450構成凸起圖案460。必需說明的是，凸起圖案460的排列 方式如圖1的區(qū)域c所示。本實施例的主動元件430結構以底柵極為范例，但 不限于此，也可使用頂柵極、或其它適用的結構、或上述的組合。在本實施例中，第一像素電極440的材質是采用透明導電材質為范例。另 外，像素結構400例如是由掃描線410與數(shù)據線420共同包圍，如圖5所繪示。 在其它實施例中，掃描線410與電容電極450的配置位置也可以互相對調，而 以電容電極450與數(shù)據線420定義出像素結構400的范圍。 一般來說，像素結 構400具有至少一介電層(未繪示)，其位于電容電極450與第一像素電極440 之間，且電容電極450與第一像素電極440之間構成一儲存電容。像素結構400的制造方法舉例而言是與前述實施例的像素結構100c、200、 300a 300c的制造方法相似，其中凸起圖案460是位于部分的電容電極450 上。具體來說，凸起圖案460也可以是直接形成于電容電極450的表面上或是 由電容電極450之下或之上的介電層(未繪示)所形成。舉例而言，當儲存電容的設計為金屬-介電層-金屬(MIM)的設計時，且電容電極450當做上電極，則 電容電極450下方的介電層(未繪示)例如具有不平坦的表面，且使得電容電極 450例如是共形地形成于介電層(未繪示)上，以構成這些凸起圖案460?；蛘?是，電容電極450當做下電極，則電容電極450上方的介電層(未繪示)或電容 電極450的表面例如具有不平坦的表面，則使得第一像素電極440例如是共形 地形成于介電層(未繪示)上，以構成這些凸起圖案460。當然，在另一實施例 中，若儲存電容的設計為金屬-介電層-透明電極層(MII)的設計時，凸起圖案 460也可以是直接形成于電容電極450的表面上或是由電容電極450之下或之 下的介電層(未繪示)構成。這些位于電容電極450上的凸起圖案460例如定義出第一顯示區(qū)Pl。當 像素結構400進行顯示時，這些凸起圖案460可以提供適當?shù)姆瓷渥饔靡栽鲞M 像素結構400的顯示質量。像素結構400也可以稱為具有微反射結構的像素結 構400。此外，電容電極450，也可為掃描線410的一部份或其它線段，且其凸起圖案形成方式也如上述所述之。圖6A為本發(fā)明一實施例的一種顯示面板的局部剖面示意圖。請參考圖6A，顯示面板500包括一第一基板510、 一第二基板520、 一顯示介質層530以及 多個像素結構540。第二基板520與第一基板510平行配置。顯示介質層530 位于第一基板510與第二基板520之間，其中，顯示介質層530的材質例如是 液晶分子或是有機電激發(fā)光材料等。因此，本發(fā)明并不限定顯示介質層530 的材質，端視顯示面板500的類型而作選擇。本實施例是以液晶分子作為顯示 介質層530的材質作為說明，也就是說顯示面板500為液晶顯示面板。在本實施例中，像素結構540配置于第一基板510上，且各像素結構540 具有多個凸起圖案542。具體而言，像素結構540包括第一像素電極544、第 二像素電極546、主動元件548以及至少一介電層550。第一像素電極544共 性地覆蓋于凸起圖案542上。凸起圖案542所在區(qū)域定義出一第一顯示Pl， 而第二像素電極546則定義出一第二顯示區(qū)P2。第一顯示區(qū)Pl及第二顯示區(qū) P2其中至少一者為穿透顯示區(qū)、反射顯示區(qū)、微反射顯示區(qū)、或上述的組合。 本實施例以第一顯示區(qū)Pl可以是反射顯示區(qū)及第二顯示區(qū)P2可以是穿透顯示 區(qū)，但不以此為限。也即第一顯示區(qū)Pl上的第一像素電極544例如是反射式 電極，其共形覆蓋于介電層550上可提供良好的反射率。因此，像素結構540的設計有助于使顯示面板500呈現(xiàn)較佳的反射顯示效果。在此，像素結構540 是與圖4C的像素結構300c相似為例以進行說明。在其它實施例中，像素結構 540可以是上述多種實施例的像素結構100a 100c、 200、 300a 300c及400 至少其中的一種。也就是說，像素結構540也可以應用于反射式設計、穿透式 設計、半穿反式、或是微反射設計中。顯示面板500還包括至少一間隙物560。間隙物560配置于第一基板510 與第二基板520之間，用以維持第一基板510與第二基板520的間距。此外， 間隙物560例如是一球型間隙物或是一光間隙物。本實施例以光間隙物為范 例，但不限于此。此外，本實施例的光間隙物560，較佳地，配置于第二基板 520為范例，但不限于此，光間隙物560配置于第一基板510或同時配置于第 一基板510及第二基板520。本實施例的光間隙物560接觸于第一基板510的 位置上位于二相鄰凸起圖案之間的凹部(未標示)內。然而，較佳地，光間隙物 560接觸于第一基板510的位置上具有一位于二相鄰凸起圖案之間的平坦部(未標示)，但不限于此。而平坦部的高度由平坦部下方的介電層厚度來決定之。 例如當介電層550存在于第一顯示區(qū)P1及第二顯示區(qū)P2時，則平坦部的高 度，較佳地，實質上大于或等于存在于第二顯示區(qū)P2及第一顯示區(qū)P1其中至 少一者內的介電層550平均厚度，以使得光間隙物較為穩(wěn)固，但不限于此。平 坦部的高度也可實質上小于存在于第二顯示區(qū)P2及第一顯示區(qū)Pl其中至少一 者內的介電層550平均厚度。當介電層550，如圖4A所示僅存在于第一顯示 區(qū)P1，且介電層550同時具有第一厚度hl及第二厚度h2，則平坦部的高度， 較佳地，實質上大于或等于存在于第一顯示區(qū)P1的介電層550平均厚度，即 (hl+h2)/2，以使得光間隙物較為穩(wěn)固，但不限于此。平坦部的高度也可實質 上小于存在于于第一顯示區(qū)P1的介電層550平均厚度，即(hl+h2)/2。另外，像素結構540具有半穿透半反射式設計為例。因此，為了使反射式 顯示模式與穿透式顯示模式所呈現(xiàn)的顯示效果一致，顯示面板500還包括一墊 高層580。較佳地，墊高層580配置于第二基板520與顯示介質層530之間， 且墊高層580位于第一顯示區(qū)Pl中，以調整第一像素電極544上方的顯示介 質層530的厚度，也就是晶穴間隙(cell gap)。在其它實施例中，墊高層580 也可設置于第一基板510上，且其位于第一顯示區(qū)P1中或是同時設置于第一 基板510上及第二基板520上，且其位于第一顯示區(qū)Pl中。具體來說，上述的顯示面板500的制造方法例如是先提供第一基板510。 接著，于第一基板510上形成多個像素結構540，其中形成像素結構540的制 造方法可以是上述所提及的各種方式，在此不再贅述。此外，提供一第二基板 520。第二基板520上具有彩色濾光膜，則稱為彩色濾光基板，僅為一舉例， 不限于此。在其它實施例中，彩色濾光膜也可形成第一基板上510，并且依其 在主動元件548上或下，分別稱為彩色濾光膜于矩陣上(color filter on array) 或矩陣于彩色濾光膜(array on color filter)。然后，形成一顯示介質層530 于第一基板510以及第二基板520之間。顯示介質層530為液晶層時，形成顯 示介質層530的方式，可以是滴下式注入法或真空注入法等。當然，不同的顯 示介質層530有不同的形成方式，上述為一舉例，本發(fā)明并不特別限定于此。顯示面板500的制造方法還包括于第一基板510與第二基板520之間形成 至少一間隙物560，其中，間隙物560的形成方式例如是采用微影工藝或是散 布工藝。當間隙物560為光間隙物時，則采用微影工藝以制作間隙物560。間 隙物560為球狀間隙物時，則可以采用散布工藝。此外，顯示面板500為半穿 透半反射式設計時，本發(fā)明較佳地還可以于第二基板520上形成墊高層580， 但不限于此。在其它實施例中，墊高層580也可設置于第一基板510上，且其 位于第一顯示區(qū)Pl中或是同時設置于第一基板510上及第二基板520上，且 其位于第一顯示區(qū)P1中。從上視圖來看，顯示面板500中凸起圖案542的排列方式可以有多種不同 的設計。圖6B 6G分別繪示為本發(fā)明的數(shù)種顯示面板的上視示意圖。請先參 考圖6B，顯示面板500的各像素結構540可以兩兩為一組以進行說明。各像 素結構540中，凸起圖案542沿著多個弧形軌跡552排列，且這些弧型軌跡 552具有相同的弧心554a、 554b。在兩個相鄰的像素結構540中，凸起圖案 542所排列軌跡552的兩弧心554a與554b的位置位于相對的角落，如圖6B 所繪示。也就是說，例如其中一個像素結構540中，凸起圖案542排列的弧型 軌跡552的弧心554a是位于第一顯示區(qū)Pl的右上角，而另一像素結構540 中弧心554b是位于第一顯示區(qū)Pl的左下角。在其它實施例中，相鄰兩像素結 構540中弧心554a與554b分別位于各個第一顯示區(qū)Pl的左上角及右下角。當兩相鄰像素結構540的第一顯示區(qū)Pl中，凸起圖案542的弧形軌跡552 位于相對的角落時，凸起圖案542的排列分布呈現(xiàn)相反的方向變化。因此，顯示面板500進行反射式顯示模式時，不同視角上所呈現(xiàn)的顯示效果可以獲得補償。換言之，本發(fā)明的凸起圖案542的設計非但有助于提升顯示面板500進行 反射式顯示模式時的反射率。更進一步來說，本發(fā)明可適當?shù)卣{整不同像素結 構540中凸起圖案542的排列方式而使顯示面板500在各方向上的顯示視角呈 現(xiàn)均勻的分布。也就是說，顯示面板500的顯示效果呈現(xiàn)良好的視角均齊度。 接著，請參考圖6C與圖6D，顯示面板500中可以由緊密排列的四個各像 素結構540為一組以進行凸起圖案542的排列設計為例。在緊密排列的四個像 素結構540中，各弧心554a 554d分別位于第一顯示區(qū)Pl的第一角落Cl、 第二角落C2、第三角落C3以及第四角落C4，如圖6C與6D所繪示。舉例而言， 第一顯示區(qū)Pl大致為矩形，而各弧心554a 554d分別位于矩形的其中一個角 落上。此時，成組的四個像素結構540中，凸起圖案542排列軌跡552所呈現(xiàn) 的方向變化恰可互相抵消。所以，顯示面板500的顯示視角在各方向上呈現(xiàn)均 勻的分布。再參考圖6C，其凸起圖案542排列軌跡552更組合成一個半圓弧 形，且其排列軌跡552類于鏡面型態(tài)。而圖6D，其凸起圖案542排列軌跡552 類于跟隨型態(tài)，即一個像素結構的凸起圖案542排列軌跡552所呈現(xiàn)的方向變 化的終點為另一個像素結構的凸起圖案542排列軌跡552所呈現(xiàn)的方向變化的起點。更近一步而言，請參考圖6E至圖6G，顯示面板500的各像素結構540還 可以八個為一組為例。也就是說，在緊密排列的八個像素結構540中，凸起圖 案542排列而成的弧形軌跡552的弧心554位置可再以其它方式排列組合，即 可以形成如圖6E至圖6G所繪示的顯示面板500。當然，上述各種顯示面板500的設計僅為舉例說明之用，本發(fā)明并不限定緊密排列的像素結構540以多少個 為一組以進行凸起圖案542的排列設計且也不限定像素結構540以多少個角落 來當作凸起圖案542的弧心。值得一提的是，上述各組多個像素結構540中， 凸起圖案542的排列所呈現(xiàn)的方向變化恰好互補，因此顯示面板500在各個方 向上可以呈現(xiàn)大致相同的顯示視角。也就是說，顯示面板500具有良好的顯示 效果。值得一提的是，上述的凸起圖案542的總面積實質上占第一顯示Pl區(qū)的 面積的18% 25%，但不限于此。凸起圖案542的總面積實質上占第一顯示區(qū) Pl的面積的20% 22%。此外，本發(fā)明上述實施例的凸起圖案，較佳地，都以實質上為圓形的上視 圖形為例，但不限于此，凸起圖案的上視圖形，也可實質上呈楕圓形、菱形、 四邊形、三角形、水滴形、五邊形、六邊形、或其它多邊形。圖7所繪示為本發(fā)明的一實施例的光電裝置的示意圖。請參照圖7，光電裝置600包括顯示面板610及與其電性連接的電子元件620。顯示面板610包 含如上述實施例中所述的顯示面板500，其具有像素結構100c、 200、 300a 300c以及400至少其中一者。由于，顯示面板610具有良好的反射率、均勻 的顯示視角且凸起圖案的工藝步驟較為簡單，所以光電裝置600也具有上述的 各種優(yōu)點。更進一來說，依照不同的顯示模式、膜層設計以及顯示介質作為區(qū)分，顯 示面板610包括多種不同的類型。顯示介質為液晶分子時，顯示面板610可以 液晶顯示面板。常見的液晶顯示面板包括如穿透型顯示面板、半穿透型顯示面 板、反射型顯示面板、彩色濾光片于主動層上(color filter on array)的 顯示面板、主動層于彩色濾光片上(array on color filter)的顯示面板、 垂直配向型(vertical alignment, VA) 顯示面板、水平切換型(in plane switch, IPS)顯示面木反、多域垂直酉己向型(multi—domain vertical alignment, MVA)顯示面板、扭曲向列型(twist nematic， TN) 顯示面板、超扭曲向列 型(super twist nematic， STN)顯示面板、圖案垂直配向型(patterned-silt vertical alignment, PVA )顯示面板、超級圖案垂直配向型(super patterned-silt vertical alignment, S-PVA)顯示面板、先進大視角型 (advance super view, ASV)顯示面板、邊緣電場切換型(fringe field switching, FFS)顯示面板、連續(xù)焰火狀排列型(continuous pinwheel alignment, CPA)顯示面板、軸對稱排列微胞型(axially symmetric aligned micro-cell mode ， ASM)顯示面板、光學補償彎曲排列型(optical compensation banded, OCB)顯示面板、超級水平切換型(super in plane switching, S-IPS)顯示面板、先進超級水平切換型(advanced super in plane switching, AS-IPS)顯示面板、極端邊緣電場切換型(ultra-fringe field switching ， UFFS)顯示面板、高分子穩(wěn)定配向型顯示面板、雙視角型 (dual-view)顯示面板、三視角型(triple-view)顯示面板、三維顯示面板 (three-dimensional)或其它型面板、或上述的組合，也稱為非自發(fā)光顯示面板。若顯示介質為電激發(fā)光材料，則稱為電激發(fā)光顯示面板(如磷光電激 發(fā)光顯示面板、熒光電激發(fā)光顯示面板、或上述的組合)，也稱為自發(fā)光顯示 面板，且其電激發(fā)光材料可為有機材料、無機材料、或上述的組合，另外，上 述材料的分子大小包含小分子、高分子、或上述的組合。若，顯示介質同時包含液晶材料及電激發(fā)光材料，則此顯示面板稱的為混合式(hybrid)顯示面板或半自發(fā)光顯示面板。另外，電子元件620包括如控制元件、操作元件、處理元件、輸入元件、 存儲元件、驅動元件、發(fā)光元件、保護元件、感測元件、檢測元件、或其它功 能元件、或前述的組合。整體而言，光電裝置600的類型包括可攜式產品(如 手機、攝影機、照相機、筆記型計算機、游戲機、手表、音樂播放器、電子信 件收發(fā)器、地圖導航器、數(shù)字相片、或類似的產品)、影音產品(如影音放映 器或類似的產品)、屏幕、電視、廣告牌、投影機內的面板等。此外，本發(fā)明 提出一光電裝置的制造方法，其包含上述實施例的顯示面板的制造方法。綜上所述，本發(fā)明的像素結構、顯示面板以及光電裝置至少具有下列優(yōu)點。 首先，像素結構上配置有排列成弧形軌跡的凸起圖案，且弧形軌跡的共同弧心 位于像素結構的一角落。因此，像素結構可以呈現(xiàn)良好的反射率。此外，本發(fā) 明的像素結構的制造方法通過使用半透光光掩模有助于縮減凸起圖案的制作 步驟，進而縮短工藝時間。進一步來說，本發(fā)明的顯示面板中，各像素結構的 凸起圖案呈現(xiàn)一定方向變化的排列且緊密鄰接的多個像素結構的凸起圖案的 排列方式不同。因此，本發(fā)明的顯示面板可以呈現(xiàn)均勻的顯示視角，特別是進 行反射式顯示模式時。另外，具有上述像素結構的顯示面板及光電裝置也相同 地具良好的顯示效果以及較簡單的工藝步驟。當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質的情 況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但 這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權利要求的保護范圍。
權利要求
1.一種像素結構，配置于一基板上，該像素結構具有多個凸起圖案，該些凸起圖案所在區(qū)域定義出一第一顯示區(qū)，該些凸起圖案的排列構成多個弧形軌跡，該些弧形軌跡具有相同的一弧心，且該弧心位于該第一顯示區(qū)的角落。
2. 根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該些凸起圖案的總 面積占該第一顯示區(qū)的面積的18% 25%。
3. 根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，各該弧形軌跡的曲 率半徑為n*d，且n為大于零的自然數(shù)而d為該弧心至相鄰的該弧形軌跡間的 距離。
4. 根據權利要求3所述的像素結構，其特征在于，各該弧形軌跡中排 列有至少一個凸起圖案，且各該弧形軌跡上的該些凸起圖案的間距為d。
5. 根據權利要求l所述的像素結構，其特征在于，還包括 一掃描線；一數(shù)據線，與該掃描線相交；一主動元件，電性連接該掃描線以及該數(shù)據線；一第一像素電極，電性連接該主動元件；以及一第一介電層，配置于該基板上，該第一像素電極共形地配置于該第一介 電層上，該第一介電層具有該些凸起圖案且該第一介電層具有一第一膜厚以及 一小于該第一膜厚的第二膜厚，以使該第一膜厚與該第二膜厚之差等于該些凸 起圖案的高度。
6. 根據權利要求5所述的像素結構，其特征在于，該第一像素電極為一反射式像素電極或一穿透式像素電極。
7. 根據權利要求5所述的像素結構，其特征在于，還包括一第二像素電極，電性連接該主動元件，該第二像素電極定義出一第二顯示區(qū)。
8. 根據權利要求7所述的像素結構，其特征在于，該第一介電層更配置于該第二像素電極與該基板之間，且該第一介電層被該第二像素電極所覆蓋 的部份具有相同的該第一膜厚或該第二膜厚。
9. 根據權利要求5所述的像素結構，其特征在于，還包括一第二介電 層，配置于該第一介電層與該第一像素電極之間，且該第二介電層與該第一介電層共形。
10. 根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，還包括 一掃描線；一數(shù)據線，與該掃描線相交；一主動元件，電性連接該掃描線以及該數(shù)據線；以及一第一像素電極，電性連接該主動元件，且部份該第一像素電極構成該些 凸起圖案。
11. 根據權利要求l所述的像素結構，其特征在于，還包括 一掃描線；一數(shù)據線，與該掃描線相交；一主動元件，電性連接該掃描線以及該數(shù)據線；一第一像素電極，電性連接該主動元件；以及一電容電極，配置于該基板與該第一像素電極之間，且部分該電容電極構 成該些凸起圖案。
12. —種顯示面板，其特征在于，包括 一第一基板；一第二基板，與該第一基板平行配置； 一顯示介質層，位于該第一基板與該第二基板之間；以及 多個像素結構，配置于該第一基板上，各該像素結構具有多個凸起圖案， 該些凸起圖案所在區(qū)域定義出一第一顯示區(qū)，該些凸起圖案的排列構成多個弧 形軌跡，該些弧形軌跡具有相同的一弧心，且該弧心位于該第一顯示區(qū)的角落。
13. 根據權利要求12所述的顯示面板，其特征在于，各該像素結構的該弧心與相鄰的其中一個像素結構的該弧心位于該些第一顯示區(qū)中不同的角落。
14. 根據權利要求12所述的顯示面板，其特征在于，各該像素結構的該 些凸起圖案的總面積占該第一顯示區(qū)的面積的18% 25%。
15. 根據權利要求12所述的顯示面板，其特征在于，各該第一顯示區(qū)為 矩形并具有一第一角落、 一第二角落、 一第三角落以及一第四角落，且該第一 角落與該第三角落相對，而該第二角落與該第四角落相對。
16. 根據權利要求15所述的顯示面板，其特征在于，兩個相鄰的像素結 構中，該些弧心的位置位于相對的該些角落。
17. 根據權利要求15所述的顯示面板，其特征在于，緊密排列的四個像 素結構中，該弧心的位置各別位于該第一角落、該第二角落、該第三角落以及 該第四角落。
18. 根據權利要求12所述的顯示面板，其特征在于，各該弧形軌跡的曲 率半徑為n*d，且n為大于零的自然數(shù)而d為該弧心至相鄰的該弧形軌跡間的 距離。
19. 根據權利要求18所述的顯示面板，其特征在于，各該弧形軌跡中排 列有至少一個凸起圖案，且各該弧形軌跡上的該些凸起圖案的間距為d。
20. 根據權利要求12所述的顯示面板，其特征在于，各該像素結構包括 一掃描線；一數(shù)據線，與該掃描線相交；一主動元件，電性連接該掃描線以及該數(shù)據線；一第一像素電極，電性連接該主動元件；以及一第一介電層，配置于該第一基板上，該第一像素電極共形地配置于該第 一介電層上，該第一介電層具有該些凸起圖案且該第一介電層具有一第一膜厚 以及一小于該第一膜厚的第二膜厚，以使該第一膜厚與該第二膜厚之差等于該 些凸起圖案的高度。
21. 根據權利要求20所述的顯示面板，其特征在于，該第一像素電極為一反射式像素電極或一穿透式像素電極。
22. 根據權利要求20所述的顯示面板，其特征在于，各該像素結構還包括一第二像素電極，電性連接該主動元件，該第二像素電極定義出一第二顯示 區(qū)。
23. 根據權利要求22所述的顯示面板，其特征在于，該第一介電層更配 置于該第二像素電極與該第一基板之間，且該第一介電層被該第二像素電極所覆蓋的部份具有該第一膜厚或該第二膜厚。
24. 根據權利要求22所述的顯示面板，其特征在于，還包括一墊高層，配置于該第二基板與該顯示介質層之間，位于該些第一顯示區(qū)中，以調整該些 第一電極上方的該顯示介質層的厚度。
25. 根據權利要求20所述的顯示面板，其特征在于，各該像素結構還包括一第二介電層，配置于該第一介電層與該第一像素電極之間，且該第二介電層與該第一介電層共形。
26. 根據權利要求12所述的顯示面板，其特征在于，各該像素結構包括一掃描線；一數(shù)據線，與該掃描線相交；一主動元件，電性連接該掃描線以及該數(shù)據線；以及一第一像素電極，電性連接該主動元件，且部份該第一像素電極構成該些 凸起圖案。
27. 根據權利要求12所述的顯示面板，其特征在于，各該像素結構包括一掃描線；一數(shù)據線，與該掃描線相交；一主動元件，電性連接該掃描線以及該數(shù)據線；一第一像素電極，電性連接該主動元件；以及一電容電極，配置于該第一基板與該第一像素電極之間，且部分該電容電 極構成該些凸起圖案。
28. 根據權利要求12所述的顯示面板，其特征在于，還包括至少一間隙 物，配置于該些第一基板與該第二基板之間。
29. —種顯示面板的制造方法，其特征在于，包括 提供一第一基板；于該第一基板形成多個像素結構，各該像素結構中具有多個凸起圖案，該 些凸起圖案所在區(qū)域定義出一第一顯示區(qū)，該些凸起圖案的排列構成多個弧形 軌跡，該些弧形軌跡具有相同的一弧心，且該弧心位于該第一顯示區(qū)的角落；提供一第二基板；以及形成一顯示介質層于該第一基板以及該第二基板之間。
30. 根據權利要求29所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，形成該些凸起圖案的方法包括使各該像素結構的該弧心與相鄰的其中一個像素結構 的該弧心位于該些第一顯示區(qū)中不同的角落。
31. 根據權利要求29所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，形成各該像素結構的方法包括于該第一基板上形成一掃描線以及一數(shù)據線，該掃描線與該數(shù)據線相交； 于該第一基板上形成一主動元件，該主動元件電性連接該掃描線以及該數(shù)據線；于該第一基板上形成一第一介電層，該第一介電層具有該些凸起圖案且該 第一介電層具有一第一膜厚以及一小于該第一膜厚的第二膜厚，以使該第一膜厚與該第二膜厚之差等于該些凸起圖案的高度；以及于該第一基板上形成一第一像素電極，該第一像素電極電性連接該主動元 件，且該第一像素電極共形地配置于該第一介電層上。
32. 根據權利要求31所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，形成該 第一介電層的方法包括于該第一基板上形成一介電材料層；以及使用一半透光光掩模進行一圖案化工藝，以將該介電材料層圖案化，其中 該半透光光掩模具有一遮光區(qū)、 一透光區(qū)以及一部分透光區(qū)，該透光區(qū)位于該 主動元件的部分區(qū)域上方，該遮光區(qū)與該部分透光區(qū)位于該第一顯示區(qū)中，且 位于該遮光區(qū)下方的該介電材料層被圖案化成該些凸起圖案。
33. 根據權利要求32所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，進行該圖案化工藝的同時，還包括于該第一基板上形成一仿真測試圖案。
34. 根據權利要求32所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，該部分 透光區(qū)的透光率介于10% 30%。
35. 根據權利要求32所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，形成各該像素結構的方法還包括于該第一介電層與該第一像素電極之間形成一第二 介電層，該第二介電層與該第一介電層共形。
36. 根據權利要求32所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，形成各該像素結構的方法還包括于該第一基板上形成一第二像素電極，電性連接該主 動元件，且該第二像素電極定義出一第二顯示區(qū)。
37. 根據權利要求36所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，該半透光光掩模的該透光區(qū)及該遮光區(qū)其中一者更位于該第二顯示區(qū)上方。
38. 根據權利要求36所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，該半透光光掩模的該部分透光區(qū)更位于該第二顯示區(qū)上方。
39. 根據權利要求36所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，還包括于該第二基板上形成一墊高層，位于該第一顯示區(qū)中。
40. 根據權利要求29所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，形成各該像素結構的方法包括于該第一基板上形成一掃描線以及一數(shù)據線，該掃描線與該數(shù)據線相交； 于該第一基板上形成一主動元件，該主動元件電性連接該掃描線以及該數(shù)據線于該第一基板上形成一第一像素電極，該第一像素電極電性連接該主動元 件；以及于該第一基板上形成一電容電極，位于該第一像素電極與該第一基板之 間，且部份該電容電極構成該些凸起圖案。
41. 根據權利要求29所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，還包括于該第一基板與該第二基板之間形成至少一間隙物。
42. —種光電裝置，包含權利要求12所述的顯示面板。
43. —種光電裝置的制造方法，包含權利要求29所述的顯示面板的制造 方法。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種配置于一基板上的像素結構，此像素結構具有多個凸起圖案。凸起圖案所在區(qū)域定義出一第一顯示區(qū)。凸起圖案的排列大致構成多個弧形軌跡?；⌒诬壽E具有相同的一弧心，且弧心位于第一顯示區(qū)的角落。上述凸起圖案有助于提升像素結構的顯示效果。因此，本發(fā)明通過配置多個凸起圖案于像素結構上，且凸起圖案的排列具有規(guī)則性，因而使得像素結構及其顯示面板具有較良好的反射率并可呈現(xiàn)均勻的顯示視角。此外，本發(fā)明利用半透光光掩模制作凸起圖案，有助于減化工藝步驟，并利用仿真測試圖案增進工藝的可靠度。簡言之，本發(fā)明的像素結構、顯示面板及其電子裝置具有良好的顯示效果以及較佳的工藝可靠度。
文檔編號G02F1/13GK101226312SQ20081000081
公開日2008年7月23日 申請日期2008年1月22日 優(yōu)先權日2008年1月22日
發(fā)明者董畯豪, 黃國有 申請人:友達光電股份有限公司