專利名稱：：包括具有反射涂層的鏡元件的投射物鏡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本公開涉及包括具有反射涂層的鏡元件的光學(xué)系統(tǒng)，其用于光刻設(shè)備中的短波長(zhǎng)。
背景技術(shù)：
：該類型的光學(xué)系統(tǒng)可以用作用于制作半導(dǎo)體器件和其他類型的微器件的投射曝光系統(tǒng)中的投射物鏡，且用于以超高分辨率將光掩模(或掩模母版)上的圖案投射到具有光敏感涂層的目標(biāo)上。為了允許制造甚至更精細(xì)的結(jié)構(gòu)，正在追求改善投射物鏡分辨力的各種方法。眾所周知，可以通過增加投射物鏡的像方數(shù)值孔徑(NA)來提高分辨力。另一種方法是采用較短波長(zhǎng)電磁輻射。例如193nm的深紫外(DUV)光刻通常需要具有0.75或更高的數(shù)值孔徑的投射系統(tǒng)以實(shí)現(xiàn)0.2μπι或更小的特征。以該ΝΑ，焦深(DOF)是數(shù)十微米。此外，制造和裝配公差使得難以建立具有諸如大NA的光學(xué)系統(tǒng)。如本領(lǐng)域中已知，短波長(zhǎng)紫外輻射(短于大約193nm)由于本征體吸收而與很多折射透鏡材料不相容。為了減少光學(xué)系統(tǒng)內(nèi)的輻射吸收，可以用反射元件來代替折射光學(xué)元件。目前水平的DUV系統(tǒng)常常使用包括折射透鏡和反射元件(鏡)的折反射光學(xué)系統(tǒng)。通過增加數(shù)值孔徑來提高分辨率有一些缺點(diǎn)。主要的缺點(diǎn)是可獲得的焦深(DOF)隨數(shù)值孔徑的增加而減少，這是不利的，因?yàn)椋?，就要?gòu)造的基底的最大可獲得的平面性和機(jī)械公差而言，期望至少1微米量級(jí)的焦深。因此，已經(jīng)開發(fā)了工作在中間數(shù)值孔徑且利用來自極紫外(EUV)頻譜域的短波長(zhǎng)電磁輻射而大大提高分辨力的系統(tǒng)。在采用13.5nm工作波長(zhǎng)的EUV光刻的情況中，理論上，對(duì)于NA=0.1的數(shù)值孔徑，在Iym的典型焦深可以獲得0.1μm量級(jí)的分辨率。眾所周知，由于在較長(zhǎng)波長(zhǎng)為透明的已知光學(xué)材料吸收所涉及的短波長(zhǎng)輻射，所以利用折射光學(xué)元件不能聚焦極紫外頻譜域中的輻射。因此，在EUV光刻中采用具有幾個(gè)凹和/或凸曲面鏡的單純的鏡系統(tǒng)(反射光學(xué)系統(tǒng))。所利用的反射涂層是典型的多層涂層，例如鉬和硅的交替層。在美國(guó)專利5，973，826中公開了具有四鏡的用于EUV光刻的反射投射物鏡，四鏡中的每一個(gè)都具有均勻厚層的反射涂層。在美國(guó)專利5，153，898中示出另一個(gè)EUV光刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有最多5個(gè)鏡，其中的至少一個(gè)具有非球面反射表面。闡述了適用于EUV中的多層反射涂層的材料的多樣組合，它們的層(膜)均具有均勻的厚度。盡管在其中入射到所利用的鏡的那些區(qū)域上的輻射的入射角θ變化的光學(xué)系統(tǒng)的情況中，具有相同厚度的反射涂層相對(duì)簡(jiǎn)單地布置，但由于它們的層厚最佳用于特定選擇的入射角或僅入射角的窄范圍，它們通常產(chǎn)生高的反射損失。US6，014，252公開了已經(jīng)配置為通過提高光學(xué)元件反射率來提高輻射通過量的EUV光刻的光學(xué)系統(tǒng)。光學(xué)元件已經(jīng)配置為輻射光束入射角盡可能垂直。入射角可接受的范圍也已經(jīng)被最小化以保持均勻的反射率和減少對(duì)于漸變涂層的需要，從而相同厚度的多層可以用于所有鏡。US5，911，858公開了具有多個(gè)鏡的反射EUV成像系統(tǒng)，該鏡具有漸變反射涂層，其特征在于所述多個(gè)漸變反射涂層關(guān)于整體系統(tǒng)的光軸旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的膜厚梯度。采用漸變反射涂層允許實(shí)現(xiàn)在入射角的特定范圍上的反射強(qiáng)度的更均勻分布。US6，927，901公開了在物平面和像平面之間具有幾個(gè)成像鏡的EUV投射物鏡，該成像鏡限定投射物鏡的光軸并具有反射涂層。那些鏡中的至少一個(gè)包括具有關(guān)于涂層為軸旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的膜厚梯度的漸變反射涂層，其中涂層的軸關(guān)于投射物鏡的光軸偏心布置。提供至少一個(gè)偏心、漸變、反射涂層使得可以設(shè)計(jì)允許結(jié)合有高的總透過率的高均勻場(chǎng)照明的投射物鏡。US2006/0076516Al公開了用于EUV光刻中的光學(xué)系統(tǒng)的反射光學(xué)元件。反射光學(xué)元件具有反射涂層，該反射涂層由具有多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)形成。為了減少表面污染的負(fù)面影響并減少反射表面的退化，采用覆層系統(tǒng)的厚度的空間分布的預(yù)定選擇，以使覆層系統(tǒng)中的至少一層具有不等于零的梯度。US2003/0081722Al公開了用于校正從例如在用于EUV光刻的光學(xué)系統(tǒng)中使用的多層而反射的輻射的波差的方法。通過將一層或多層分別添加到鏡的多層膜表面和/或從鏡的多層膜表面移除來校正波差。在半導(dǎo)體部件及其他精細(xì)結(jié)構(gòu)化部件的制作中，要成像到基底上的來自掩模的圖案通常由代表要產(chǎn)生的部件的特定層的線以及其他結(jié)構(gòu)單元來形成。對(duì)于半導(dǎo)體部件要產(chǎn)生的部件通常包括細(xì)小的金屬軌線和硅軌線以及其他結(jié)構(gòu)元素，這可以由臨界尺寸(CD)來表征，在EUV光刻的情況中，臨界尺寸可以為IOOnm以下的量級(jí)。當(dāng)在掩模的不同部分上掩模的圖案包括具有給定臨界尺寸的結(jié)構(gòu)特征時(shí)，期望在結(jié)構(gòu)化基底中盡可能精確重現(xiàn)相對(duì)尺寸。但是，光刻工藝中所涉及的各種影響可能導(dǎo)致結(jié)構(gòu)化基底中不期望的臨界尺寸的變化(CD變化)，其可能消極地影響結(jié)構(gòu)化部件的性能。因此，通常期望改進(jìn)光刻設(shè)備和工藝以最小化CD變化，尤其是在曝光場(chǎng)上的橫向變化。在許多應(yīng)用中，圖案的線性特征在不同方向延伸。據(jù)觀察，在一定條件下，光刻工藝中所獲得的對(duì)比度取決于結(jié)構(gòu)方向，從而導(dǎo)致通常所說的水平-垂直差(H-V差)，這可能消極影響結(jié)構(gòu)部件的性能。因此，期望改進(jìn)光刻設(shè)備和工藝以最小化H-V差。光刻設(shè)備或步進(jìn)曝光機(jī)，采取兩種不同的方法將掩模投射到基底上，即“步進(jìn)重復(fù)”方法和“步進(jìn)掃描”方法。在“步進(jìn)重復(fù)”方法的情況中，利用在掩模母版上存在的整個(gè)圖案依次曝光基底的大面積。因此，相關(guān)聯(lián)的投射光學(xué)系統(tǒng)具有足夠大以允許將整個(gè)掩模成像到基底上的像場(chǎng)。在每一次曝光后平移基底并重復(fù)曝光步驟。在其中優(yōu)選“步進(jìn)掃描”方法的情況中，通過可移動(dòng)狹縫將掩模上的圖案掃描到基底上，其中在平行方向以速率比率等于投射物鏡放大率的速率同步平移掩模和狹縫。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的是提供可以在高數(shù)值孔徑工作的、能夠以臨界尺寸的低水平變化來成像圖案的EUV投射光學(xué)系統(tǒng)。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供可以在高數(shù)值孔徑工作的、能夠以小的或低的對(duì)比度方向依賴性來成像圖案的EUV投射光學(xué)系統(tǒng)。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供可以在高數(shù)值孔徑工作的、具有低水平的像方遠(yuǎn)心誤差的EUV投射光學(xué)系統(tǒng)。根據(jù)一種表述，作為本發(fā)明的這些和其他目的的解決方案，提供一種光學(xué)系統(tǒng)，其包括多個(gè)元件，布置用于將波長(zhǎng)λ的輻射從物面中的物場(chǎng)成像到像面中的像場(chǎng)；所述元件包括鏡元件，該鏡元件具有布置在輻射路徑的由反射涂層形成的反射表面；所述鏡元件中的至少一個(gè)具有在一個(gè)或多個(gè)位置偏離最佳擬合旋轉(zhuǎn)對(duì)稱反射表面約λ以上的非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱反射表面；所述元件包括切趾校正元件，相對(duì)于不具有該切趾校正元件的光學(xué)系統(tǒng)，該切趾校正元件有效地校正該光學(xué)系統(tǒng)的出瞳中的空間強(qiáng)度分布。根據(jù)本發(fā)明這方面的光學(xué)系統(tǒng)包括具有非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱反射表面的至少一個(gè)鏡元件，該非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱反射表面在一個(gè)或多個(gè)位置偏離最佳擬合旋轉(zhuǎn)對(duì)稱反射表面約λ以上。在本申請(qǐng)中，根據(jù)該條件的具有反射表面的反射元件將表示為“自由表面”。在光學(xué)系統(tǒng)中使用至少一個(gè)自由表面提供了附加自由參數(shù)，用以就總透過率、場(chǎng)照明的均勻性和其他品質(zhì)參數(shù)來優(yōu)化光學(xué)系統(tǒng)。此外，可以成形和布置自由表面，以使對(duì)于光學(xué)系統(tǒng)的選擇區(qū)域在每一反射表面上獲得光線的相對(duì)小的局部入射角和/或相對(duì)小的入射角范圍△和/或相對(duì)小的平均入射角Θavg，從而減少通常與較高入射角相關(guān)聯(lián)的問題。不同于球面鏡或非球面鏡，自由鏡表面沒有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱軸。一般而言，自由表面偏離最佳擬合旋轉(zhuǎn)對(duì)稱表面(例如，球面或非球面)。例如，自由表面可以具有從最佳擬合球面約為λ以上的最大偏離。自由表面的定義和描述以及它們?cè)贓UV光刻和用于其他應(yīng)用的光學(xué)系統(tǒng)中的使用可以從申請(qǐng)人的美國(guó)專利申請(qǐng)US2007/0058269Α1獲得。該專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用的方式合并于此。同時(shí)使用一個(gè)或多個(gè)自由表面對(duì)于總透過率是有利的，例如，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)自由表面由于沒有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性而導(dǎo)致顯著的場(chǎng)依賴切趾效應(yīng)。在本申請(qǐng)的上下文中，術(shù)語“切趾”用于表征從以下事實(shí)中產(chǎn)生的效應(yīng)源自物面的一個(gè)且相同場(chǎng)點(diǎn)的不同光線可以由總透過率的不同值來表征，其表征光線在物面和像面之間傳播時(shí)的輻射能量損失。由于在不同方向從物場(chǎng)點(diǎn)發(fā)出的不同光線通常以不同位置和不同入射角入射到光學(xué)系統(tǒng)內(nèi)的各個(gè)鏡上，并且每個(gè)鏡通常對(duì)于入射到鏡的不同位置和/或以不同入射角入射的光線有不同的反射率，所以對(duì)于每一條光線可能發(fā)生透過率的顯著變化。如從選擇的像場(chǎng)點(diǎn)(像場(chǎng)中的場(chǎng)點(diǎn))所看到的，可以在光學(xué)系統(tǒng)的出瞳中可以通過給定的空間強(qiáng)度分布表征切趾。例如，不存在切趾時(shí)，出瞳中的空間強(qiáng)度分布對(duì)于選擇的場(chǎng)點(diǎn)可以是均勻的。但是通常而言，對(duì)于每個(gè)場(chǎng)點(diǎn)，在出瞳中存在不均勻的強(qiáng)度分布。此外，通常而言，對(duì)于每個(gè)場(chǎng)點(diǎn)，出瞳中的空間強(qiáng)度分布變化，以使每一個(gè)像場(chǎng)點(diǎn)“觀察到”出瞳中的不同空間強(qiáng)度分布。在本申請(qǐng)中，該效應(yīng)表示為“場(chǎng)依賴切趾”。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)場(chǎng)依賴切趾可能對(duì)于不期望的CD變化有貢獻(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的上述方面，提供切趾校正元件，當(dāng)與不具有切趾校正元件的相同光學(xué)系統(tǒng)相比，該切趾校正元件可以具體設(shè)計(jì)以減少出瞳中的空間強(qiáng)度分布的場(chǎng)依賴性。結(jié)果，可以獲得例如與CD變化的產(chǎn)生有關(guān)的光學(xué)系統(tǒng)的改進(jìn)光學(xué)性能和源自場(chǎng)依賴切趾的其他效應(yīng)。與不具有切趾校正元件的相同光學(xué)系統(tǒng)相比，該切趾校正元件可以被設(shè)計(jì)為有效增加光學(xué)系統(tǒng)的出瞳中的空間強(qiáng)度分布的對(duì)稱性。在一些實(shí)施例中，與不具有切趾校正元件的相同光學(xué)系統(tǒng)相比，切趾校正元件可以設(shè)計(jì)為有效地提高出瞳中強(qiáng)度分布的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性。通常而言，在出瞳中強(qiáng)度分布關(guān)于出瞳中心成旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的情形，可以避免具有結(jié)構(gòu)取向的結(jié)構(gòu)對(duì)比度的變化。另一方面，強(qiáng)度分布從旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的顯著偏離可能導(dǎo)致或貢獻(xiàn)于來自結(jié)構(gòu)取向的結(jié)構(gòu)對(duì)比度的顯著依賴性。其通常表示為水平_垂直差(H-V差)。當(dāng)出瞳中心或出瞳中心附近的空間位置與低孔徑光線相對(duì)應(yīng)時(shí)，像空間中對(duì)應(yīng)于最大孔徑角的那些光線與出瞳外邊緣或出瞳外邊緣附近的位置相對(duì)應(yīng)。那些光線對(duì)在給定像方數(shù)值孔徑所獲得的分辨率很關(guān)鍵。其可能有利于定義出瞳中的強(qiáng)度分布的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性，或者從該旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性的偏離，特別是對(duì)于源自光瞳面的外邊緣或該外邊緣附近的邊緣區(qū)域的光線。在一些實(shí)施例中，出瞳中的空間強(qiáng)度分布由切趾參數(shù)APO表征，依照下式，該切趾參數(shù)APO表示出瞳邊緣區(qū)域中強(qiáng)度的歸一化方位變化APO=(IMX-IMIN)/(Imax+IMIN)其中，Imax為出瞳外邊緣區(qū)域中的強(qiáng)度的最大值，和Imin為出瞳外邊緣區(qū)域中的強(qiáng)度的最小值，其通常在與比最大強(qiáng)度值不同的另一方位(周向)位置找到。顯然，對(duì)于出瞳外邊緣區(qū)域中的完全旋轉(zhuǎn)對(duì)稱強(qiáng)度分布，該切趾參數(shù)等于零，且偏離旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性越大則該切趾參數(shù)越大。在優(yōu)選實(shí)施例中，當(dāng)與不具有切趾校正元件的相同光學(xué)系統(tǒng)相比時(shí)，切趾校正元件有效地減少出瞳邊緣區(qū)域的強(qiáng)度的歸一化方位變化。例如，上面定義的切趾參數(shù)APO可以減少了至少以上或至少5%以上。在一些實(shí)施例中，當(dāng)與不具有切趾校正元件的相同光學(xué)系統(tǒng)相比時(shí)，切趾校正元件可以設(shè)計(jì)為有效地將出瞳中的強(qiáng)度分布的強(qiáng)度中心朝向出瞳中心移動(dòng)。當(dāng)出瞳中的強(qiáng)度分布中心顯著位于出瞳中心以外時(shí)，可能發(fā)生遠(yuǎn)心誤差。遠(yuǎn)心誤差繼而可能導(dǎo)致具有離焦的像位置的移動(dòng)，這通常是不期望的。當(dāng)出瞳中的強(qiáng)度分布的中心位于出瞳中心或出瞳中心附近時(shí)，可以避免或最小化與像方遠(yuǎn)心誤差相關(guān)聯(lián)的問題。在一些實(shí)施例中，當(dāng)與不具有切趾校正元件的相同光學(xué)系統(tǒng)相比時(shí)，切趾校正元件可以設(shè)計(jì)為有效地增加出瞳中相對(duì)子午平面的強(qiáng)度分布的鏡對(duì)稱性。在一些實(shí)施例中，當(dāng)與不具有切趾校正元件的相同光學(xué)系統(tǒng)相比時(shí)，切趾校正元件可以設(shè)計(jì)為有效地減少場(chǎng)依賴切趾。通常而言，當(dāng)光瞳切趾對(duì)全部場(chǎng)點(diǎn)大致相同(場(chǎng)不變光瞳切趾)時(shí)，諸如遠(yuǎn)心誤差和取向依賴對(duì)比度的對(duì)應(yīng)像差將對(duì)全部場(chǎng)點(diǎn)大致相同。在那些情況中，可以通過光學(xué)系統(tǒng)中的改變來補(bǔ)償那些像差。例如，當(dāng)遠(yuǎn)心誤差對(duì)于全部場(chǎng)點(diǎn)大致相同時(shí)，這樣的誤差可以通過傾斜入射到物場(chǎng)的照明輻射來補(bǔ)償。另一方面，當(dāng)切趾在場(chǎng)上顯著變化時(shí)，可能產(chǎn)生顯著的CD變化總量，這是很難補(bǔ)償?shù)?。在一些?shí)施例中，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)在可以利用出瞳中的強(qiáng)度分布的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性的改進(jìn)獲得鏡對(duì)稱性和/或強(qiáng)度中心位置的改進(jìn)。切趾校正元件可以是除鏡元件外又提供的濾波元件，該濾波元件在濾波元件的利用區(qū)域上具有透過率的空間變化分布。濾波元件可以包括在工作波長(zhǎng)λ具有顯著吸收的至少一個(gè)吸收材料層。該層可以具有在利用區(qū)域上變化的幾何厚度，以使獲得透過率和/或反射的空間變化。在一些實(shí)施例中，切趾校正元件是具有反射表面的鏡元件，該反射表面由設(shè)計(jì)為包括不同材料的多層疊層的非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱、漸變涂層形成。多層中的至少一層具有在涂層的第一方向上依照第一漸變方程變化且在垂直于第一方向的第二方向上根據(jù)不同于第一漸變方程的第二漸變方程變化的幾何層厚。在本申請(qǐng)中，在反射表面上提供非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱反射的非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱、漸變反射涂層也將稱作“自由形狀涂層”。在一些實(shí)施例中，切趾校正元件為具有反射表面的鏡元件，該反射表面由包括不同材料的多層疊層的反射涂層形成，該多層包括在背離鏡基底的輻射入口側(cè)上的帽層，其中帽層具有在反射表面上根據(jù)非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱漸變方程變化的幾何層厚。通常而言，諸如那些在極紫外波長(zhǎng)范圍內(nèi)用作鏡的多層系統(tǒng)可能在空氣中存儲(chǔ)期間或長(zhǎng)期工作期間遭到污染或氧化。已經(jīng)知道，在這樣的多層系統(tǒng)的輻射入口側(cè)上為其提供保護(hù)層以提高那些多層系統(tǒng)的壽命和反射率穩(wěn)定性。這里，這里使用的術(shù)語“帽層”可以指代這樣的保護(hù)層或多層。帽層例如可以由釕、氧化鋁、碳化硅、碳化鉬、碳、氮化鈦或二氧化鈦制成?？蛇x地，釕、氧化鋁、氮化鈦或二氧化鈦和其他物質(zhì)的混合物、合金或化合物可以被用來形成帽層。US6，656，575B2公開了具有保護(hù)帽層的多層系統(tǒng)的示例和其生產(chǎn)方法，其通過引用合并于此。例如，帽層的幾何層厚可以在涂層的第一方向上根據(jù)第一漸變方程變化而在垂直于該第一方向的第二方向上根據(jù)不同于該第一漸變方程的第二漸變方程變化。在一些實(shí)施例中，帽層的幾何厚度在第一方向上從帽層中心區(qū)域中的原點(diǎn)朝向鏡的邊緣略微增加，而在第二方向上原點(diǎn)和邊緣區(qū)域之間的增量顯著更大?？紤]帽層材料的強(qiáng)度濾波效應(yīng)，可能在第二方向上在外邊緣附近獲得強(qiáng)的吸收效應(yīng)而在第一方向上在外邊緣獲得顯著更小的吸收。在一些實(shí)施例中，帽層的層厚在中心區(qū)內(nèi)大致均勻，所述中心區(qū)圍繞原點(diǎn)，至少上至與對(duì)應(yīng)于第一子孔徑的區(qū)域的外邊緣相應(yīng)的徑向坐標(biāo)，第一子孔徑對(duì)應(yīng)于中心場(chǎng)點(diǎn)，且在所述中心區(qū)外，所述帽層的層厚在所述第一方向上略微增加并在所述第二方向上較強(qiáng)增力口。如果帽層的層厚的空間分布通常依照本教導(dǎo)來設(shè)計(jì)，切趾校正元件則對(duì)源自物場(chǎng)中心的光線具有很少或不具有切趾變化效應(yīng)，但對(duì)于源自物場(chǎng)邊緣附近或物場(chǎng)邊緣的光線，切趾可以以目標(biāo)方式變化，由此可能減少切趾的場(chǎng)依賴性。在一些實(shí)施例中，反射涂層包括布置在帽層和鏡基底之間的多個(gè)中間層，其中多個(gè)中間層中的每個(gè)都具有均勻的層厚。中間層可以例如包括鉬-硅雙層疊層。當(dāng)僅帽層的幾何厚度變化時(shí)，基本上不產(chǎn)生附加的干涉效應(yīng)(如果多層疊層的其他層的幾何厚度將在空間上變化時(shí)可能引入該干涉效應(yīng))。因此，解決帽層的幾何厚度的變化的相位校正可能相對(duì)簡(jiǎn)單。在一些實(shí)施例中，帽層的材料對(duì)波長(zhǎng)λ的輻射有顯著吸收率并對(duì)所用波長(zhǎng)具有為1或接近1的相應(yīng)折射率。在這些條件下，帽層對(duì)反射輻射的位相具有很少影響或沒有影響，從而使得容易校正成像誤差。在一些實(shí)施例中，帽層的材料對(duì)波長(zhǎng)λ的輻射具有吸收率，該吸收率大于中間層材料中的每一個(gè)的吸收率。帽層材料的吸收率大于硅的吸收率且/或大于鉬的吸收率。吸收率差可以例如是10%以上(或20%以上、或30%以上、或50%以上)。在一些實(shí)施例中，切趾校正元件具有由包括不同材料層的多層疊層的反射涂層形成的反射表面，該層形成雙層疊層，其中雙層包括具有第一折射率的第一材料(例如Si)的(相對(duì)厚)第一層和具有低于第一折射率的第二折射率的第二材料(例如Mo)的(相對(duì)薄)第二層，其中，至少一個(gè)雙層的第一層和第二層的幾何厚度之間的厚度比在第一方向上根據(jù)第一漸變方程變化而在垂直于該第一方向的第二方向上根據(jù)不同于該第一漸變方程的第二漸變方程變化。在一些實(shí)施例中，切趾校正元件包括在帽層輻射入口側(cè)上布置在帽層上的至少一個(gè)濾波層，其中該濾波層由對(duì)波長(zhǎng)λ的輻射進(jìn)行吸收并具有空間上變化的幾何厚度的濾波層材料制成。濾波層下且包括帽層的層系統(tǒng)可以以傳統(tǒng)工藝形成，而濾波層可以根據(jù)關(guān)于不具有濾波層的光學(xué)設(shè)計(jì)所估計(jì)的數(shù)據(jù)在獨(dú)立的制作步驟中添加。由此可以維持工藝可靠性。濾波層材料可以在波長(zhǎng)λ具有比帽層材料大的吸收率。在該情況中，濾波層的幾何厚度的較小變化足以獲得切趾校正元件的反射率變化的相同程度?？蛇x地，濾波層材料可以在波長(zhǎng)λ具有比帽層材料小的吸收率。在該情況中，濾波層的絕對(duì)層厚可以相對(duì)厚，且通過濾波層的幾何層厚的適當(dāng)變化可以高精度地獲得該濾波層上的總吸收效應(yīng)的期望變化。當(dāng)使用相對(duì)厚濾波層時(shí)，期望使用具有1或接近1的折射率的材料以避免濾波層對(duì)反射輻射的相位的負(fù)效應(yīng)?？蛇x地，濾波層材料可以在波長(zhǎng)λ具有與帽層材料相同的吸收率。濾波層可以由帽層材料制成，從而允許形成具有空間上變化的幾何層厚的帽層。濾波層可以由釕、氧化鋁、碳化硅、碳化鉬、碳、氮化鈦或二氧化鈦制成或者濾波層可以是釕、氧化鋁、氮化鈦或二氧化鈦和其他物質(zhì)的混合物、合金或化合物。切趾校正元件可以布置沿輻射光束路徑的物面和像面之間的多個(gè)位置。在一些實(shí)施例中，切趾校正元件布置在光學(xué)上遠(yuǎn)離光學(xué)系統(tǒng)的光瞳面。當(dāng)切趾元件布置在足夠遠(yuǎn)離光瞳面的位置時(shí)，通?？梢员舜瞬煌赜绊懖煌瑘?chǎng)點(diǎn)，以使切趾的場(chǎng)依賴變化可以被校正或被減少。切趾校正元件可以布置在滿足條件P(M)<1的位置，其中P(M)=D(SA)/(D(SA)+D(CR))，其中，D(SA)是在相應(yīng)表面M上的源自物面中的場(chǎng)點(diǎn)的光束的子孔徑的直徑；和D(CR)是在該表面M上的在光學(xué)系統(tǒng)參考平面中所測(cè)量的通過光學(xué)系統(tǒng)成像的有效物場(chǎng)的主光線的最大距離。參考平面可以是光學(xué)系統(tǒng)的對(duì)稱平面。在具有子午平面的系統(tǒng)中，參考平面可以是子午平面。由于子孔徑的直徑在場(chǎng)面接近零，在場(chǎng)面中參數(shù)P(M)=O0相反，在光瞳面中，主光線的最大距離D(CR)接近零。因此，對(duì)于正好在光瞳面上的位置，條件P(M)=1滿足。在一些實(shí)施例中，對(duì)于光學(xué)上遠(yuǎn)離光瞳面的位置，滿足條件P(M)<0.99。在一些實(shí)施例中，切趾校正元件在光學(xué)上位于光學(xué)系統(tǒng)的光瞳面和場(chǎng)面之間的中間區(qū)域中。在那些實(shí)施例中，如果期望影響切趾的場(chǎng)依賴變化，切趾校正元件則既不正好位于光瞳面中也不正好位于場(chǎng)面中，例如諸如中間像，但位于足夠遠(yuǎn)離光瞳面和場(chǎng)面兩者的位置。正好位于光瞳面的切趾校正元件不能夠彼此不同地影響不同的場(chǎng)點(diǎn)。另一方面，如果切趾校正元件位于場(chǎng)面或非?？拷鼒?chǎng)面，則不能顯著影響光瞳面內(nèi)的強(qiáng)度的空間分布。在一些實(shí)施例中，切趾校正元件位于滿足條件0.99>P(M)>0.95的位置。在該條件下，切趾校正元件既不非?？拷馔嬉膊环浅？拷鼒?chǎng)面。因此，源自不同場(chǎng)點(diǎn)的光束的子孔徑在切趾校正元件的位置不完全交疊，從而使得切趾校正元件能夠有區(qū)別地影響不同場(chǎng)點(diǎn)的切趾。此外，切趾校正元件足夠遠(yuǎn)離場(chǎng)面，以使切趾校正元件上的特定位置的反射率變化將對(duì)出瞳的不同位置有不同的影響，從而可以改變出瞳中的空間強(qiáng)度分布。通常而言，取決于光瞳切趾的場(chǎng)依賴性是否顯著或者光瞳切趾的場(chǎng)依賴性的特定程度是否可被接受來選擇切趾校正元件的適當(dāng)位置。在一些實(shí)施例中，切趾校正元件光學(xué)上位于場(chǎng)面附近，諸如物面或像面或可選擇的中間像面，例如0<P(M)<0.93。當(dāng)切趾校正元件位于場(chǎng)面處或光學(xué)上位于場(chǎng)面附近時(shí)，可以校正場(chǎng)上的臨界尺寸(CD變化)的變化和/或提高場(chǎng)均勻性，即在像場(chǎng)上獲得更均勻的強(qiáng)度分布。例如，當(dāng)存在小的或基本上不存在光瞳切趾的場(chǎng)依賴性時(shí)，切趾校正元件可以位于光學(xué)系統(tǒng)的光瞳面或光學(xué)上靠近光學(xué)系統(tǒng)的光瞳面，例如0.98<P(M)<1。當(dāng)切趾校正元件位于光瞳面或非?？拷馔妫梢孕Ｕ龑?duì)遠(yuǎn)心誤差的場(chǎng)不變貢獻(xiàn)和/或依賴結(jié)構(gòu)取向的對(duì)比度變化(H-V差)。前述和其他的特征不僅在權(quán)利要求中而在說明書和附圖中能夠看到，其中，單個(gè)特征可以或者單獨(dú)使用或者以作為本發(fā)明的實(shí)施例的子組合和在其他領(lǐng)域中使用，并可以獨(dú)立地代表優(yōu)點(diǎn)和可專利性實(shí)施例。圖1是微光刻工具的實(shí)施例的示意圖。圖2是示出圖1所示的微光刻工具的一部分的示意圖。圖3是以子午截面示出的投射物鏡的第一實(shí)施例的橫截面示圖。圖4是說明光瞳面附近和場(chǎng)面附近的鏡的情況的示意圖。圖5是以子午截面示出來自投射物鏡的鏡的一部分的橫截面示圖。圖6示出在不具有切趾校正元件的參考系統(tǒng)中對(duì)于中心場(chǎng)點(diǎn)的投射物鏡的圓形出瞳中的空間強(qiáng)度分布的示意繪圖。圖7示出在不具有切趾校正元件的參考系統(tǒng)中對(duì)于在χ方向的矩形像場(chǎng)的邊緣處的場(chǎng)點(diǎn)的投射物鏡的圓形出瞳中的空間強(qiáng)度分布的示意繪圖。圖8示出了圖3中的鏡M5上的平均入射角的空間分布的示意圖。圖9示出了具有帽層的EUV反射鏡使用的材料的吸收系數(shù)k(圖9A)和折射率(圖9B)的圖示。圖10示出了鏡上的局部鏡坐標(biāo)系統(tǒng)LMCS的示意圖。圖11示出漸變涂層的示意圖，其中各個(gè)層的幾何層厚依照?qǐng)DIlA中的拋物線函數(shù)及根據(jù)圖IlB中的線性漸變函數(shù)(傾斜涂層)變化。圖12示意性地示出第二鏡M2上的足印(footprint)，該第二鏡M2在χ方向的外邊緣具有無反射的邊緣區(qū)域ER。圖13和14示出了當(dāng)在第二鏡M2上使用基本上根據(jù)圖12的反射涂層時(shí)，對(duì)于中心場(chǎng)點(diǎn)FPl(圖13)和邊緣場(chǎng)點(diǎn)FP2(圖14)的光瞳中的空間強(qiáng)度分布。圖15示意性地示出了對(duì)應(yīng)于中心場(chǎng)點(diǎn)的子孔徑SA-FPl和對(duì)應(yīng)于邊緣場(chǎng)點(diǎn)的子孔徑的SA-FP2在鏡M2上的位置。圖16示意性地示出了圖16A中的鏡M2上的y方向(圖16B)和χ方向(圖16C)中的帽層的幾何層厚的變化。圖17A、B、C示意性地示出對(duì)于位于矩形像場(chǎng)χ方向的外邊緣處的三個(gè)不同像場(chǎng)點(diǎn)FP2、FP3、FP4，通過切趾校正元件對(duì)出瞳中的強(qiáng)度空間分布的強(qiáng)度濾波的光學(xué)效應(yīng)。具體實(shí)施例方式現(xiàn)在利用折反射投射物鏡作為示例更具體地描述本發(fā)明的實(shí)施例的具體方面，該折反射投射物鏡可以用在例如用于制作半導(dǎo)體器件的投射曝光裝置的微光刻設(shè)備中。參照?qǐng)D1，微光刻設(shè)備100通常包括光源110、照明系統(tǒng)120、投射物鏡101、和臺(tái)130。示出笛卡爾坐標(biāo)系用于參照。光源110產(chǎn)生波長(zhǎng)為λ的輻射并將輻射光束112引入到照明系統(tǒng)120。照明系統(tǒng)與輻射相互作用(例如擴(kuò)展和均勻化)并將輻射光束122引入到位于物平面103中的掩模母版140。投射物鏡101將從掩模母版140反射的輻射142成像到位于像平面102的基底150的表面上。投射物鏡101的像方的輻射描述為光線152。如圖1所示，光線僅是示意性的且不用于精確描述例如關(guān)于掩模母版140的輻射路徑。基底150由臺(tái)130支撐，該臺(tái)130相對(duì)于投射物鏡101移動(dòng)基底150，以使投射物鏡101將掩模母版140成像到基底150的不同部分。投射物鏡101包括參考軸105。在投射物鏡關(guān)于子午截面對(duì)稱的實(shí)施例中，參考軸105垂直于物平面103并位于子午截面內(nèi)。光源110被選擇以提供在工具100的期望工作波長(zhǎng)λ的輻射。對(duì)于設(shè)計(jì)用于光刻工具中工作的投射物鏡，波長(zhǎng)λ通常在電磁頻譜的紫外部分、深紫外部分或極紫外部分中。例如，λ可以約為200nm或更小。λ可以大于大約2nm。在該實(shí)施例中，光源110為提供λ約為13.5nm的工作波長(zhǎng)的輻射的EUV光源。照明系統(tǒng)120包括所布置的形成具有均勻強(qiáng)度分布的準(zhǔn)直輻射光束的光學(xué)部件。照明系統(tǒng)120通常還包括光束轉(zhuǎn)向光學(xué)系統(tǒng)以將光束122引導(dǎo)到掩模母版140。在一些實(shí)施例中，照明系統(tǒng)120還包括為輻射光束提供期望的偏振分布的部件。像平面103與物平面102相距距離L，該距離也稱作投射物鏡101的長(zhǎng)度尺寸或軌跡長(zhǎng)度。通常而言，該距離取決于投射物鏡101的具體設(shè)計(jì)和工具100的工作波長(zhǎng)。在一些實(shí)施例中，諸如在設(shè)計(jì)用于EUV光刻的工具中，L的范圍在大約Im到大約3m。如圖2所示，光線152定義光束路徑圓錐體，該光束路徑圓錐體在像平面102形成掩模母版的像。光線圓錐體的角度與投射物鏡101的像方數(shù)值孔徑(NA)相關(guān)聯(lián)。像方NA能夠表示為NA=n0sinθmax，其中Iitl表示鄰近基底150的表面的介質(zhì)(例如，空氣、氮、水或其他浸沒液，或真空環(huán)境)的折射率，且θ_是來自投射物鏡101的形成圖像的光線的最大圓錐半角。投射物鏡101通常能夠具有約0.1以上，例如約0.15以上、約0.2以上、約0.25以上、約0.3以上、約0.35以上的像方ΝΑ。像方數(shù)值孔徑變得越大，與光瞳切趾相關(guān)聯(lián)的問題通常將越難以補(bǔ)償。投射物鏡101中的鏡的數(shù)量可以變化。典型地，鏡的數(shù)量與物鏡的光學(xué)性能特征所關(guān)聯(lián)的各種性能平衡有關(guān)，諸如期望的產(chǎn)量(例如，在像平面102形成像的來自物的輻射強(qiáng)度)、期望的像方NA和有關(guān)的像分辨率以及期望的最大光瞳遮攔(僅在具有光瞳遮攔的系統(tǒng)中)。EUV應(yīng)用的實(shí)施例通常具有三個(gè)或至少四個(gè)鏡。在某些情況中可以優(yōu)選正好6個(gè)鏡。通常使用不多于6個(gè)、或不多于7個(gè)、或不多于8個(gè)鏡。在期望物鏡的全部鏡位于物平面和像平面之間的實(shí)施例中，物鏡101將通常具有偶數(shù)個(gè)鏡。在特定實(shí)施例中，在投射物鏡的全部鏡位于物平面和像平面之間時(shí)，可以使用奇數(shù)個(gè)鏡。例如，當(dāng)一個(gè)或多個(gè)鏡傾斜相對(duì)大的角度時(shí)，投射物鏡可以包括奇數(shù)個(gè)鏡，其中全部鏡位于物平面和像平面之間。投射物鏡101中的至少一個(gè)鏡具有自由表面。不同于球面鏡和非球面鏡，自由形狀鏡表面不具有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱軸。自由表面通常偏離最佳擬合旋轉(zhuǎn)對(duì)稱表面(例如，球面或非球面)。通過首先計(jì)算鏡表面的表面面積然后利用最小二乘擬合算法確定到球面或非球面的表面的最佳擬合來計(jì)算最佳擬合表面。最佳擬合球面或非球面可以關(guān)于參考軸傾斜或偏心，其中偏心和傾斜用作附加擬合參數(shù)。自由表面例如可以具有約為λ或更大的從最佳擬合球面的最大偏離。自由表面的更通常性描述和其表征特征可以從申請(qǐng)人的美國(guó)申請(qǐng)公開2007/0058269Α1中獲得，其通過引用合并與此。在特定實(shí)施例中，自由形狀鏡表面可以通過以下等式在數(shù)學(xué)上描述Z=丨—22+YCjXmYn(1)其中.=(m+n)2+m+3n+1(2)J=2以及Z是平行于Z軸的表面垂度(sag)(Ζ軸可以平行于或不平行于投射物鏡101的ζ軸)，c為相應(yīng)于頂點(diǎn)曲率的常數(shù)，k是二次曲面系數(shù)和q是單項(xiàng)式Xm的系數(shù)，參數(shù)α為表示在求和中考慮的項(xiàng)的次數(shù)的整數(shù)。例如，值α=66對(duì)應(yīng)于包括第10次的和。通常，基于與投射物鏡101有關(guān)的多個(gè)鏡的期望光學(xué)特征來確定c、k和.的值。此外，單項(xiàng)式的次數(shù)m+n能夠按期望變化。較高次的單項(xiàng)式通常能提供具有較高像差校正水平的投射物鏡的設(shè)計(jì)，但是，較高次的單項(xiàng)式通常在計(jì)算上花費(fèi)更多來確定。在某些實(shí)施例中，m+n為10或更大(例如，15或更大、20或更大)。可以利用商業(yè)上可用的光學(xué)設(shè)計(jì)軟件來確定自由鏡方程的參數(shù)。在某些實(shí)施例中，m+n小于10(例如，9或更小、8或更小、7或更小、6或更小、6或更小、4或更小、3或更小)。在圖3中示出包括6鏡的參考投射物鏡。具體地，投射物鏡300包括六個(gè)自由形狀鏡310、320、330、340、350和360。在表3和3A給出投射物鏡300的數(shù)據(jù)。表3給出光學(xué)數(shù)據(jù)，而表3A給出每個(gè)鏡表面的自由形狀常數(shù)。就表3和表3A的目的而言，鏡標(biāo)識(shí)的關(guān)聯(lián)如下鏡1(Ml)相應(yīng)于鏡310；鏡2(M2)相應(yīng)于鏡320；鏡3(M3)相應(yīng)于鏡330；鏡4(M4)相應(yīng)于鏡340；鏡5(M5)相應(yīng)于鏡350；和鏡6(M6)相應(yīng)于鏡360。表3和后續(xù)表格中的“厚度”指的是輻射路徑中相鄰元件之間的距離。表3A中給出自由形狀鏡的單項(xiàng)式系數(shù)Cj以及鏡從初始投射物鏡曲率偏心和旋轉(zhuǎn)的量。半徑R是頂點(diǎn)曲率c的倒數(shù)。偏心以mm給出而旋轉(zhuǎn)以角度給出。單項(xiàng)式系數(shù)的單位是mm+1。是無量綱比例因數(shù)(參考例如OpticalResearchAssociates的CODEV的操作手冊(cè))。表3、3A<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>圖3中，在子午截面中示出投射物鏡300。子午平面是投射物鏡300的對(duì)稱平面。關(guān)于子午平面的對(duì)稱性就如鏡僅關(guān)于y軸偏心和關(guān)于χ軸傾斜。此外，具有χ坐標(biāo)的奇數(shù)冪(例如，χ、χ3、χ5等)的自由形狀鏡的系數(shù)為零。投射物鏡300配置為利用13.5nm輻射來工作并具有0.35的像方NA和1490mm的軌跡長(zhǎng)度L。成像輻射的光學(xué)路徑長(zhǎng)度為4758mm。因此，光學(xué)路徑長(zhǎng)度與軌跡長(zhǎng)度的比近似為3.19。投射物鏡具有4X的縮小率、小于2nm的最大畸變、0.030λ的波前誤差WRMS、和30nm的場(chǎng)曲。在投射物鏡101的如下討論中給出投射物鏡300的附加特性。自物平面103的輻射路徑中的第一鏡(凹鏡310)具有正光焦度。鏡330、340和360也是凹P鏡。凸鏡320和350具有(N)負(fù)光焦度。因此，投射物鏡300的輻射路徑中的鏡序列為PNPPNP。就投射物鏡300中的多個(gè)鏡而言，每個(gè)鏡的自由表面從最佳擬合球面的最大偏離顯著大于1微米。投射物鏡300將來自物平面103的輻射成像為在鏡360附近的位置305的中間像。具有一個(gè)或多個(gè)中間像的實(shí)施例還包括一個(gè)或多個(gè)光瞳平面。在某些實(shí)施例中，這些光瞳平面中的至少一個(gè)物理上可達(dá)到，為了基本在光瞳平面放置孔徑光闌的目的?？讖焦怅@用于限定投射物鏡孔徑的尺寸。投射物鏡100中的每個(gè)鏡還可以分別通過限定鏡沿輻射路徑的位置的參數(shù)來表征，該位置就相鄰狀態(tài)或距場(chǎng)面或光瞳面的距離而言。參考示出投射物鏡的鏡M1、M2、M3的示意圖4?？紤]物面OS中的場(chǎng)點(diǎn)FPl。具有與物方數(shù)值孔徑成比例的開度角的光束RBl(輻射錐)源自物場(chǎng)點(diǎn)FP1。隨距物面(相應(yīng)于場(chǎng)面)的光學(xué)距離增加，這樣的光束的直徑增力口。當(dāng)光束入射到光學(xué)表面上時(shí)，光束可以由光束的“子孔徑”表征，其中子孔徑是被投射到x_y平面上的光錐照明的光學(xué)面的面積。而在物面上橫向偏離的不同場(chǎng)點(diǎn)FPl和FP2的子孔徑在場(chǎng)面附近區(qū)域中橫向分開，不同場(chǎng)點(diǎn)的子孔徑在光瞳面中完全交疊。在場(chǎng)面中，子孔徑的直徑D(SA)為零，但在光瞳平面中，相應(yīng)于不同場(chǎng)點(diǎn)的子孔徑的直徑基本相等，且子孔徑完全交疊?，F(xiàn)在，考慮如圖4所示的物面中的有效物場(chǎng)OF的子午截面。有效物場(chǎng)包括實(shí)際用于成像過程的多個(gè)場(chǎng)點(diǎn)。在掃描系統(tǒng)中，例如，有效物場(chǎng)可以為矩形或弓形，該矩形或弓形具有寬度(X-方向上)和高度(在掃描方向上即y方向上測(cè)量的)之間的高縱橫比。子午平面的有效物場(chǎng)的直徑相應(yīng)于主光線在物面中的最大距離D(CR)。圖4中用虛線畫出相應(yīng)于場(chǎng)點(diǎn)FPl和FP2的主光線CRl和CR2(在本質(zhì)上關(guān)于物方遠(yuǎn)心的光學(xué)系統(tǒng)中，主光線名義上與物平面正交)。隨著主光線傳播通過光學(xué)系統(tǒng)，主光線之間的距離D(CR)最終在場(chǎng)面和后續(xù)光瞳面之間減少。光瞳面PS的光學(xué)位置可以定義為主光線CRl和CR2交叉的位置。因此，主光線之間的距離D(CR)在光瞳面附近近似為零且在光瞳面滿足條件D(CR)=0?；谶@些考慮，可以定義參數(shù)P(M):=D(SA)/(D(SA)+D(CR))用來分別表征光學(xué)表面M的光學(xué)相鄰狀態(tài)或距場(chǎng)面或光瞳面的距離。具體地，如光學(xué)表面正好位于場(chǎng)面中，則D(SA)=0，從而P(M)=0。另一方面，如光學(xué)表面M正好位于光瞳面中，則D(CR)=0，從而P(M)=1。表3B中，對(duì)于投射物鏡300中的每個(gè)鏡給出參數(shù)D(SA)、D(CR)和P(M)。表3B___<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>在圖3的實(shí)施例中，鏡350(M5，幾何上最鄰近像面，P(M)=0.983)光學(xué)上在光瞳面附近。此外，幾何上最鄰近物面的鏡320(M2)(P(M)=0.989)和鏡360(M6)(P(M)=0.992)光學(xué)上在光瞳面附近，相對(duì)比，鏡310(M1)、330(M3)和340(M4)(均P(M)<0.93)光學(xué)上在場(chǎng)面附近。當(dāng)期望校正光瞳切趾的場(chǎng)變化的特定量時(shí)，切趾校正元件可以不精確位于光瞳位置(P(M)=1的位置)，而是位于距此一距離處(P(M)<1的位置)，以使源自不同場(chǎng)點(diǎn)的光束的子孔徑在切趾校正元件的位置不完全不交疊。由于鏡1至6中沒有一個(gè)鏡正好位于光瞳面中，所以可以在鏡1至6中的每一個(gè)上形成切趾校正元件。當(dāng)期望時(shí)，可以設(shè)計(jì)兩個(gè)或多個(gè)鏡來結(jié)合產(chǎn)生期望的切趾校正效應(yīng)。通常而言，由鏡反射的λ的輻射百分比根據(jù)鏡表面上輻射的入射角變化。因?yàn)槌上褫椛溲囟鄠€(gè)不同路徑傳播通過折反射投射物鏡，每個(gè)鏡上的輻射入射角可以變化。參照?qǐng)D5示出該效應(yīng)，圖5在子午截面中示出包括凹反射表面501的鏡500的一部分。成像輻射沿多個(gè)不同路徑入射到表面501上，包括由光線510、520和530所示的路徑。光線510、520和530入射到表面法線不同的表面501的各部分上。分別相應(yīng)于光線510、520和530，用線511、521和531示出這些部分的表面法線的方向。光線510、520和530分別以角度θ5ιο>052Q和Θ53Q入射到表面501上。角θ51。、052。和053。通?？梢愿淖?。對(duì)于投射物鏡101中的每個(gè)鏡，成像輻射的入射角可以用多種方式來表征。一種表征是流經(jīng)投射物鏡100的子午截面的光線在鏡上的最大入射角θmax。另一種表征是流經(jīng)投射物鏡100的子午截面的光線在每個(gè)鏡上的最小入射角emin。投射物鏡100中的每個(gè)鏡也可以用投射物鏡的子午截面中的光線的入射角的最大差來表征，其中最大差δΘ相應(yīng)于emax和emin之間的差。投射物鏡100中的每個(gè)鏡也可以用相應(yīng)于投射物鏡的中心場(chǎng)點(diǎn)的主光線在相應(yīng)鏡上的入射角來表征。該入射角還將表示為主光線入射角era。表3C總結(jié)了上面所提到的關(guān)于投射物鏡300的所有鏡的值。表3C<table>tableseeoriginaldocumentpage0</column></row><table>該實(shí)施例包括不具有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性的多個(gè)反射自由表面。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)存在像場(chǎng)上的切趾的顯著變化。圖6和7中演示了切趾特征。圖6和7給出對(duì)于兩個(gè)不同像場(chǎng)點(diǎn)FP1、FP2，投射物鏡的圓形出瞳中的空間強(qiáng)度分布的示意圖。圖6繪出對(duì)于在y軸上位于矩形像場(chǎng)IF的中心的場(chǎng)點(diǎn)FPl的分布，y軸是投射物鏡的對(duì)稱軸，圖7繪出矩形像場(chǎng)邊緣的場(chǎng)點(diǎn)FP2的分布。與不同等高線相關(guān)聯(lián)的數(shù)字表示各個(gè)光瞳位置的強(qiáng)度水平作為在投射物鏡的入口(在物面)的強(qiáng)度的分?jǐn)?shù)。相應(yīng)于中心場(chǎng)點(diǎn)FPl的光瞳分布表現(xiàn)出相對(duì)弱的切趾，該切趾在出瞳的較下部分中具有最大值0.092且朝向上邊緣具有到最小值約0.082的減少強(qiáng)度。強(qiáng)度分布本質(zhì)上關(guān)于子午平面成鏡對(duì)稱，該子午平面形成投射物鏡的對(duì)稱平面。另一方面，相應(yīng)于邊緣場(chǎng)點(diǎn)FP2的光瞳的切趾量較大，范圍從光瞳中心附近的約0.088到光瞳左邊緣處的0.060。此外，強(qiáng)度分布不對(duì)稱。圖6和7的比較示出，光瞳切趾在垂直于矩形場(chǎng)的掃描方向(y方向)取向的掃描-交叉方向(cross-scandirection)(χ方向)上在場(chǎng)上有相對(duì)大的變化。從成像觀點(diǎn)看，期望光瞳面的強(qiáng)度的對(duì)稱分布。其例如可以避免取決于結(jié)構(gòu)方向的對(duì)比度差(H-V差)，當(dāng)出瞳中的強(qiáng)度分布大致上為旋轉(zhuǎn)對(duì)稱時(shí)?？梢杂枚喾N方式描述出瞳中的強(qiáng)度分布的對(duì)稱水平。例如，可以用澤尼克(Zernike)多項(xiàng)式描述空間強(qiáng)度分布，澤尼克多項(xiàng)式{Z(r，的丨用由極坐標(biāo)(r，約描述的單位圓形成完全正交函數(shù)系統(tǒng)。澤尼克多項(xiàng)式可以再劃分成旋轉(zhuǎn)對(duì)稱多項(xiàng)式和非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱多項(xiàng)式。從而，可以用非旋轉(zhuǎn)澤尼克多項(xiàng)式的均方根(rms)值描述圓形出瞳中的從完全旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的偏離，在理想旋轉(zhuǎn)對(duì)稱分布中該rms值為零且當(dāng)期望旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性時(shí)該rms值應(yīng)當(dāng)盡可能小。就這方面而言，具有有效增加旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性的切趾校正元件的實(shí)施例可以通過如下事實(shí)來洞悉當(dāng)將切趾校正元件引入光學(xué)系統(tǒng)中時(shí)，非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱澤尼克多項(xiàng)式的rms值減少。描述和量化出瞳的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性的另一種方式是考慮方位角(周向)方向上的出瞳外邊緣(相應(yīng)于最大孔徑光線)的局部強(qiáng)度分布。出瞳外邊緣或其附近的光瞳坐標(biāo)相應(yīng)于以最大孔徑角入射到像面上的光線。那些光線通常定義在所使用的像方數(shù)值孔徑下光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限。如果出瞳的局部強(qiáng)度對(duì)于出瞳的外邊緣或其附近的所有位置約為相同，則那些光線對(duì)圖像形成具有可相比擬的強(qiáng)度貢獻(xiàn)。另一方面，當(dāng)出瞳外邊緣的強(qiáng)度在周向(方位角)的方向上顯著變化時(shí)，可能發(fā)生臨界尺寸的顯著變化?？梢远x切趾參數(shù)APO，依照下式表征方位角方向上的出瞳邊緣區(qū)域中的強(qiáng)度的歸一化方位變化APO=(Imax-Imin)/(IMX+IMIN)在該等式中，Imax為出瞳外邊緣區(qū)域中的最大強(qiáng)度，和Imin為該外邊緣區(qū)域中的強(qiáng)度的最小值，從而切趾參數(shù)APO的非零值表示對(duì)于源自出瞳外邊緣區(qū)域的臨界光線，從理想旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性的偏離。圖7所示的相應(yīng)于邊緣場(chǎng)點(diǎn)FP2的空間強(qiáng)度分布可以通過出瞳的最左邊緣(χ方向上)的最小值Imin=0.47和右下邊緣的最大值Imax=0.90來描述，從而APO=0.314(注意，圖7中的等高線和其他相應(yīng)的圖表示半量化的強(qiáng)度分布，然而上面給出的分析是基于對(duì)于光學(xué)系統(tǒng)所計(jì)算的真實(shí)值進(jìn)行的)。下面將演示通過提供適當(dāng)?shù)那兄盒Ｕ?，特別地可以在出瞳外邊緣獲得旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性的提高。每一個(gè)反射鏡對(duì)光瞳切趾的貢獻(xiàn)分析表明，對(duì)場(chǎng)依賴切趾的相對(duì)大的貢獻(xiàn)源自鏡350(M5,)該鏡幾何上最靠近像面，光學(xué)上在光瞳面附近。從上面的表3C可以看到，子午截面中主光線入射角θ以及最大入射角和子午截面中光線的最大差Δθ對(duì)鏡350(鏡Μ5)具有相對(duì)最大值。鏡350(Μ5)位于光瞳面的相對(duì)附近(P(M)=0.983)。鏡Μ5經(jīng)歷入射角的相對(duì)大的變化。這在圖8中量化示出，圖8示出圖3中鏡Μ5上的平均入射角eavg的空間分布的示意圖。在圖中，示出所利用的鏡表面的通常橢圓形狀以及連接具有相同的如每條等高線表示的平均入射角的位置的等高線。顯然，平均入射角的分布關(guān)于子午平面MP對(duì)稱。在下邊緣獲得平均入射角的最低值(θavg<4°)，而在上邊緣獲得相對(duì)大的值(0.>20°)。平均入射角在鏡的下邊緣和上邊緣之間在第一方向上(y_方向，位于子午平面MP中)基本上變化例如大于10°或大于15°。另一方面，在垂直于第一方向(即，垂直于子午平面)的第二方向上，存在平均入射角的相對(duì)小的變化。例如，在上邊緣和下邊緣之間的鏡的中心區(qū)域中，平均入射角的絕對(duì)值例如在約12°和約16°之間并且變化不多于4°或3°。因此，在第一近似中，平均入射角在第一方向(y_方向，在子午平面MP中)上依照粗略線性方程劇烈地變化，而平均入射角本質(zhì)上在與第一方向垂直的第二方向上不變。如下將更具體解釋的，具有平均入射角的特征變化的鏡上所具體設(shè)計(jì)的漸變涂層可以應(yīng)用于補(bǔ)償入射角的變化對(duì)鏡的反射率的某些負(fù)效應(yīng)，以使鏡可以僅有小的反射率變化，盡管在鏡表面上的平均入射角的相對(duì)大的變化。具體地，如下將解釋的，鏡M5提供有非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱涂層，該非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱涂層設(shè)計(jì)為包括不同材料的層的多層疊層的一維漸變涂層，其中所述多層具有幾何層厚，該幾何層厚在涂層的(子午面中)第一方向上依照第一漸變函數(shù)變化而在垂直于第一方向的第二方向上基本上不變。在本申請(qǐng)中，該類型的涂層稱作“線性傾斜涂層”。關(guān)于線性傾斜涂層的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢(shì)，參照2006年12月4日提交的US臨時(shí)專利申請(qǐng)?zhí)杗o.60/872503，其公開內(nèi)容通過引用合并于此。每個(gè)鏡涂覆有包括不同材料層的多層疊層的反射涂層。這樣的多層疊層能夠包括大約20個(gè)以上，諸如30個(gè)以上、40個(gè)以上或50個(gè)以上的層。在該實(shí)施例中，鉬和硅的多個(gè)交替層用于形成有效用于約IOnm到約15nm范圍內(nèi)的、尤其在13nm與14nm之間的EUV輻射波長(zhǎng)的反射涂層。反射涂層對(duì)于以NA=0.35的工作在13.5nm的EUV光刻系統(tǒng)來優(yōu)化。利用表3D所示的涂層疊層(多層疊層)執(zhí)行優(yōu)化。表3D<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>表3D示出從底表面(靠近基底)到上表面(與真空接觸)的涂層疊層的層的次序。Si表示硅，而Mo表示鉬。MoSi代表鉬與硅之間的夾層，在實(shí)際的涂層疊層中，其為兩個(gè)層之間相互擴(kuò)散的結(jié)果。引入相互擴(kuò)散層以獲得從物理上而言更相關(guān)的模型。在計(jì)算中不考慮界面粗糙度。從表中明顯的是，多層疊層包括相對(duì)厚的硅層和相對(duì)薄的鉬層的雙層結(jié)構(gòu)，其在多層疊層中重復(fù)46次。抗應(yīng)力層(ASL)位于雙層結(jié)構(gòu)和基底之間?？箲?yīng)力層不具有光學(xué)功能，因?yàn)樗嚯x對(duì)真空的界面遠(yuǎn)。其不影響反射率，但提高反射涂層的機(jī)械穩(wěn)定性。由釕制成的帽層被用在每個(gè)鏡上。帽層為背離鏡基底的反射涂層的輻射入口側(cè)上的層。帽層與環(huán)境相鄰，在裝配的系統(tǒng)中，環(huán)境可以是真空而在鏡的制作和存儲(chǔ)期間環(huán)境可以是空氣或其他氣體。如從圖9A明顯的是，帽層材料釕在大約13nm和14nm之間的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有大于0.013的消光系數(shù)k，其中在從大約13.4nm到13.6nm的波長(zhǎng)通帶的區(qū)域中，消光系數(shù)約為0.015以上。另一方面，形成帽層下的雙層結(jié)構(gòu)的鉬和硅具有顯著較小的吸收率，特征在于消光系數(shù)k<0.008。如從9B所見，在相同的波長(zhǎng)范圍內(nèi)釕的折射率通常約在0.9和0.88之間，該折射率顯著小于相同波長(zhǎng)范圍內(nèi)的鉬的折射率(約在0.925和0.92之間)和硅的折射率(約在1.01和0.99之間)。通過最大化光學(xué)系統(tǒng)的總透過率T來實(shí)現(xiàn)優(yōu)化，如通過光線追跡所有場(chǎng)點(diǎn)的代表性樣本并對(duì)全部這些光線取平均所獲得的。該方式類似于對(duì)每個(gè)鏡的空間反射率分布取平均。透過率頻譜優(yōu)化作為從13.36nm到13.64nm的帶通上的積分值。一個(gè)或多個(gè)鏡可以具有均勻?qū)雍竦姆瓷渫繉?。至少一個(gè)鏡可以具有在鏡表面的至少一個(gè)方向上具有由反射涂層的層厚的非零梯度表征的漸變涂層。漸變涂層的層厚分布可以描述為幾何(物理)層厚相對(duì)于鏡表面上的局部位置(x，y)的變化。在每個(gè)位置處，可以沿表面法線(即，在相應(yīng)位置垂直于鏡表面的切線)測(cè)量層厚。實(shí)際(幾何)的層厚d(x，y)接著可以描述為標(biāo)稱厚度do和取決于位置的修正因子fac(x，y)的乘積。在某些實(shí)施例中，多層疊層的多層的局部幾何膜厚度d(x，y)依照下式從漸變方程偏離λ/100以下(或λ/1000以下):d(x,y)=d0·max(0,fac(x,y))(3)其中fac(x,y)=cO+cly‘y+c2‘r(x,y)2(4)其中=+/,在反射表面的局部坐標(biāo)系統(tǒng)中，y為第一方向上的坐標(biāo)，χ為第二方向上的坐標(biāo)，d0是與垂直于χ和y方向的反射表面正交的ζ方向上的測(cè)量的標(biāo)稱厚度。引入maxO函數(shù)避免函數(shù)d(x，y)獲得小于零的值。在fac(X，y)的這個(gè)多項(xiàng)式表達(dá)中，漸變分布可以理解為常數(shù)值(cO)和y方向上涂層的“傾斜”(相應(yīng)于子午平面內(nèi)該方向上層厚的線性變化)及旋轉(zhuǎn)對(duì)稱拋物項(xiàng)的疊加。因此，在根據(jù)線性漸變方程(傾斜涂層)的漸變中，項(xiàng)cly從0偏離且拋物常數(shù)c2=0。在拋物涂層中，cly=0且c2興0。具有cly乒0且c2乒0的混合漸變涂層是可能的。在設(shè)計(jì)用于反射EUV輻射的鏡中，反射涂層通常由所謂雙層的疊層形成，其中雙層包括具有第一折射率的第一材料(諸如硅)的相對(duì)厚層和具有高于第一折射率的第二折射率的第二材料(諸如鉬)的相對(duì)薄的第二層。通常而言，第一層和第二層的厚度之間的厚度比(y因子)在這樣的雙層中應(yīng)當(dāng)大致上保持不變，盡管在漸變涂層中雙層的絕對(duì)厚度可以在鏡表面上變化。在使用這樣的雙層的情況中，上述條件還適用于雙層的幾何厚度d(x，y)。參數(shù)c0、cly和c2的絕對(duì)值可以根據(jù)光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)來變化。具體地，那些參數(shù)將根據(jù)投射物鏡的數(shù)值孔徑NA來變化，該數(shù)值孔徑NA還確定經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)的光線的入射角和有關(guān)特性。在一些實(shí)施例中，條件0.90^c0^1.2或條件0.95^c0^1.05適用，優(yōu)選0.98ScOS1.02。在一些實(shí)施例中，參數(shù)cly的量可以為0.1以下，例如0.01以下。有時(shí)，條件0.001<cly(0.002適用。在一些實(shí)施例中，參數(shù)c2的絕對(duì)值為10_5以下，諸如10_6以下。參數(shù)c2的絕對(duì)值可以為10_8以上，諸如10_7以上。這些值適用于標(biāo)稱厚度d0=6.9nm并允許依照各個(gè)漸變方程計(jì)算漸變涂層的真實(shí)物理厚度。如果使用不同的標(biāo)稱厚度d0，則利用參數(shù)cX、cly和c2的值的不同組可以獲得漸變涂層的相同物理厚度。因此，這些示范參數(shù)值也應(yīng)當(dāng)涵蓋根據(jù)不同值的轉(zhuǎn)變。在鏡的局部坐標(biāo)系中定義修正因子fac(x，y)。局部坐標(biāo)系的原點(diǎn)可以與光學(xué)系統(tǒng)的參考軸相一致或不一致，即，其可以關(guān)于參考軸居中或偏離中心。參考軸可以與光學(xué)系統(tǒng)的光軸相一致。但是，也可以利用不具有光軸的系統(tǒng)。表3E表示對(duì)于每個(gè)鏡，等式(4)的參數(shù)c0、cly和c2，根據(jù)該等式(4)計(jì)算多層疊層的單個(gè)層的幾何層厚d(x，y)。此外，對(duì)于每個(gè)鏡給出通過在整個(gè)鏡上取平均而獲得從13.26到13.64nm的帶通內(nèi)的最大反射率Rmax[%]。獲得平均透過率TAve=7.33%和最大透過率TMAX=8.86。表3E<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>鑒于系數(shù)cly代表指示y方向(第一方向，子午平面中)上層厚的增加或減少的線性項(xiàng)且參數(shù)c2代表拋物線項(xiàng)的事實(shí)，可以看出，鏡Ml、M2和M6的每一個(gè)都具有所有層為均勻厚度的反射涂層。相對(duì)比，鏡M3、M4和M5的每一個(gè)都具有在子午方向上具有非均勻?qū)雍竦臐u變反射涂層。具體地，鏡M3和M4的每一個(gè)都具有為拋物線形狀的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱漸變涂層。光學(xué)上靠近光瞳面的鏡M5具有一維上漸變的涂層，其中層厚根據(jù)系數(shù)cly沿第一方向(在子午截面中)線性增加，但沿垂直于第一方向(在圖3中垂直于圖畫平面)的第二方向不變化。在圖10中，示出鏡M上具有軸x’、y’和ζ’的局部鏡坐標(biāo)系LMCS的示意圖。LMCS的原點(diǎn)在y方向上相對(duì)于參考軸RA偏離中心DEC并具有沿參考軸的距光學(xué)系統(tǒng)的坐標(biāo)系CS的原點(diǎn)一距離D。圖IlA示出基底SUB上的漸變反射涂層COAT的示意圖，其中，多層疊層的單個(gè)層的幾何層厚根據(jù)拋物線方程繞ζ’軸旋轉(zhuǎn)對(duì)稱變化。這樣的拋物線涂層例如可以應(yīng)用于鏡M3禾口鏡M4。圖IlB示出依照線性漸變方程的一維漸變涂層COAT的示意圖。這樣的線性傾斜涂層的實(shí)施例應(yīng)用于光瞳鏡M5。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，諸如鏡M5上形成的傾斜漸變涂層例如在提高總體透過率方面具有優(yōu)勢(shì)，傾斜漸變涂層趨于打破光學(xué)系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性，因此可以基本上對(duì)產(chǎn)生場(chǎng)依賴切趾作出貢獻(xiàn)?；谠摲治觯O(shè)計(jì)修正的投射物鏡100，該投射物鏡100包括有效地減少切趾的場(chǎng)依賴性的切趾校正元件。設(shè)計(jì)這樣的切趾校正元件的方法可以包含以下步驟(步驟1)對(duì)于分布在像場(chǎng)上的多個(gè)場(chǎng)點(diǎn)，計(jì)算通過在光學(xué)系統(tǒng)出瞳的空間強(qiáng)度分布表示的光瞳切趾；(步驟2)對(duì)于多個(gè)場(chǎng)點(diǎn)，計(jì)算每個(gè)鏡元件上的子孔徑，該多個(gè)場(chǎng)點(diǎn)包括在像場(chǎng)邊緣附近或像場(chǎng)邊緣的以及在像場(chǎng)中心附近或像場(chǎng)中心的多個(gè)場(chǎng)點(diǎn)；(步驟3)從該多個(gè)鏡中選擇一個(gè)鏡，在該鏡，在場(chǎng)邊緣附近或場(chǎng)邊緣的有問題的場(chǎng)點(diǎn)的子孔徑彼此相對(duì)布置，從而光瞳的要減少強(qiáng)度的表面不與其他場(chǎng)點(diǎn)的子孔徑交疊。在存在那些“可自由接近”的子孔徑的情形，出瞳中的強(qiáng)度分布可以通過改變子孔徑面積中的鏡元件的相對(duì)反射率來改變；(步驟4)改變臨界(critical)場(chǎng)子孔徑的區(qū)域中的鏡表面的反射率，從而增加出瞳中的空間強(qiáng)度分布的對(duì)稱性。對(duì)于很多應(yīng)用，可能期望出瞳中的完全均勻的強(qiáng)度分布，其可以認(rèn)為是高對(duì)稱強(qiáng)度分布。在很多實(shí)際情況中，提高對(duì)稱性足以使得強(qiáng)度分布和出瞳更旋轉(zhuǎn)對(duì)稱，如不具有切趾校正元件的情況?？梢栽谀承┣闆r中使用第一切趾校正元和至少一個(gè)第二切趾校正元件。例如，第一切趾校正元件可以被優(yōu)化以最小化光瞳切趾的場(chǎng)變化，和與該第一切趾校正元件相適的第二切趾校正元件可以用于實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的校正。例如，布置在非?？拷馔婊蛟诠馔娴那兄盒Ｕ梢杂糜谛Ｕ龑?duì)光瞳切趾的貢獻(xiàn)，該貢獻(xiàn)在整個(gè)場(chǎng)上大致不變。因此，在實(shí)施例中，可以使用至少兩個(gè)相互之間相適的切趾校正元件的結(jié)合。從步驟3可知，用作影響切趾的場(chǎng)依賴性的切趾校正元件的鏡元件可以不正好位于光瞳中，因?yàn)槿繄?chǎng)點(diǎn)的子孔徑在光瞳面中實(shí)質(zhì)重疊。在很多情況中，要改變的反射鏡也可以不恰好位于場(chǎng)面中或非常靠近場(chǎng)面，因?yàn)樵谠撉樾?，光束的所有光線將入射到一個(gè)公共入射點(diǎn)，以使入射點(diǎn)位置處的反射率變化以相同方式影響出瞳中的全部位置，從而使得不可能改變光瞳的不同位置的相對(duì)強(qiáng)度水平。分析揭示了鏡320(鏡M2)可以用于被改變，以使鏡形成或包括切趾校正元件。如從表3C中可知，對(duì)于鏡320，P(M)=0.989，這表明鏡在光瞳面附近且距光瞳面一足夠的光學(xué)距離。結(jié)合圖6和圖7所描述的場(chǎng)依賴切趾可以更總體地被描述，以使對(duì)于像場(chǎng)左右較短邊緣附近或像場(chǎng)左右較短邊緣的邊緣場(chǎng)點(diǎn)而言，光瞳強(qiáng)度分布呈現(xiàn)顯著非對(duì)稱性，而在像場(chǎng)的中心以及通常沿對(duì)稱平面的兩側(cè)的中心區(qū)域，切趾相對(duì)小。可以選擇改變?yōu)榍兄盒Ｕ溺R元件，以使臨界邊緣場(chǎng)點(diǎn)(示出光瞳切趾的顯著非對(duì)稱性)和其相對(duì)的非臨界的接著的相鄰點(diǎn)(靠近對(duì)稱平面)對(duì)應(yīng)于鏡的外邊緣的可自由接近的區(qū)域(即，具有很少或不具有相應(yīng)子孔徑重疊的區(qū)域)。圖12示意性地示出第二鏡M2上的“足印”，其中鏡的右邊緣附近的相對(duì)窄的邊緣區(qū)域ER(圖12中經(jīng)描黑的)已經(jīng)標(biāo)識(shí)為對(duì)應(yīng)于就光瞳切趾而言關(guān)鍵的場(chǎng)點(diǎn)。如這里所使用的，術(shù)語“足印”表示實(shí)際用于反射輻射光束的鏡上的區(qū)域。通常而言，鏡的物理形狀和大小大致相應(yīng)于相應(yīng)的足印，以使入射到鏡上的全部光線實(shí)際上從鏡反射。足印的形狀可以描述為具有圓角邊緣的矩形形狀，其中y方向(掃描方向)上足印的直徑Dy顯著小于掃描-交叉方向(χ方向)上的直徑Dx。在該實(shí)施例中，足印的縱橫比Dy/Dx約為0.55?？紤]到輻射光束的橫截面恰好在物面或像面中為具有高縱橫比的矩形并且在光瞳面中大致為圓形，足印形狀表明鏡M2光學(xué)上在最靠近場(chǎng)面和光瞳面之間。現(xiàn)在，為了示范的目的，靠近右邊緣(圖12中黑色所示)的窄邊緣區(qū)域ER中的第二鏡M2的局部反射率R減少到R=0%(無反射)用以從量上示出局部反射率的改變是如何可以用于影響投射物鏡的出瞳中的空間強(qiáng)度分布。圖13和14示出對(duì)于中心場(chǎng)點(diǎn)FPl(圖13)和邊緣場(chǎng)點(diǎn)FP2(圖14)的出瞳中的各自的空間強(qiáng)度分布。從圖13和6的比較中顯然的是，關(guān)于子午平面的強(qiáng)度分布的鏡對(duì)稱保持不變。但是，光瞳不同位置的強(qiáng)度總量略微減少，因?yàn)榈诙RM2的右邊緣的反射損失影響第二鏡M2的上部分和下部分中的相應(yīng)子孔徑。相反，相應(yīng)于圖14所示的邊緣場(chǎng)點(diǎn)FP2的光瞳的強(qiáng)度分布顯著變化，當(dāng)與圖7的分布相比較時(shí)。具體地，無反射邊緣區(qū)域ER的形狀再現(xiàn)成C的形狀的邊緣區(qū)域，在光瞳的右邊緣具有無透過率T=O的強(qiáng)度水平。從結(jié)合圖12至14解釋的效應(yīng)中可知，如果改變選擇的鏡(不太靠近光瞳面)的反射率以影響投射物鏡的出瞳中的強(qiáng)度分布，隨像場(chǎng)中的位置的光瞳切趾的變化則可以以目標(biāo)方式有效改變?，F(xiàn)在將結(jié)合圖15至17解釋包括由具有反射率的目標(biāo)空間分布的鏡元件形成的切趾校正元件的投射物鏡的實(shí)施例?；竟鈱W(xué)設(shè)計(jì)如關(guān)于圖3中的參考系統(tǒng)所描述的，唯一的結(jié)構(gòu)差異是鏡M2的布局，其被優(yōu)化以形成或包括切趾校正元件。圖15示意性地示出第二鏡M2的照明區(qū)域上的兩個(gè)選擇的子孔徑SA-FPl和SA-FP2的位置，其中該區(qū)域相應(yīng)于相應(yīng)的足印F2。鏡上的子孔徑是鏡上由源自特定場(chǎng)點(diǎn)的光錐照明的區(qū)域。當(dāng)光學(xué)表面恰好位于場(chǎng)面中時(shí)，全部相對(duì)應(yīng)的子孔徑近似為點(diǎn)且空間分離的場(chǎng)點(diǎn)的全部子孔徑空間上彼此分離。另一方面，當(dāng)光學(xué)表面位于光瞳面中時(shí)，通?？梢詾閳A形的相應(yīng)子孔徑可能完全重疊。當(dāng)鏡位于距光瞳面一距離處時(shí)，在場(chǎng)面中彼此分離的不同場(chǎng)點(diǎn)的子孔徑不完全重疊。在圖15所示的實(shí)施例中，相應(yīng)于中心場(chǎng)點(diǎn)的第一子孔徑SA-FPl實(shí)質(zhì)關(guān)于鏡居中布置，而相應(yīng)于χ方向上場(chǎng)的邊緣(相比較圖7)處的邊緣場(chǎng)點(diǎn)的第二子孔徑SA-FP2在χ方向上橫向偏離第一子孔徑。然而第一子孔徑SA-FPl(實(shí)線)在χ方向上不延展到足印F2的外邊緣的邊緣區(qū)域ER內(nèi)，第二子孔徑SA-FP2(粗虛線)延展到邊緣區(qū)域ER內(nèi)。子孔徑的空間分離表示可以操縱源自彼此分離且獨(dú)立的不同場(chǎng)點(diǎn)的輻射錐，例如通過改變邊緣區(qū)域ER內(nèi)的鏡的反射率，這可以通過適當(dāng)?shù)膹?qiáng)度濾波元件來實(shí)現(xiàn)。如果期望獨(dú)立操縱子孔徑，濾波元件的濾波效應(yīng)則不應(yīng)延展到兩足印SA-FPl和SA-FP2覆蓋的交叉區(qū)域。而是，如果不期望對(duì)應(yīng)于中心場(chǎng)點(diǎn)的強(qiáng)度分布變化，通過濾波元件等的強(qiáng)度操縱則應(yīng)當(dāng)位于對(duì)應(yīng)于中心場(chǎng)點(diǎn)的第一子孔徑SA-FPl夕卜。在圖15(比較圖12)中用較小的虛線示出邊緣區(qū)域ER中影響邊緣場(chǎng)點(diǎn)的第二子孔徑SA-FP2而不影響中心場(chǎng)點(diǎn)的第一子孔徑的濾波區(qū)域FR的示例。如結(jié)合圖6和7所解釋的，在參考系統(tǒng)中，對(duì)中心場(chǎng)點(diǎn)，僅呈現(xiàn)相對(duì)小量的不均勻切趾(圖6)，但對(duì)邊緣場(chǎng)點(diǎn)FP2有高的非對(duì)稱光瞳切趾。作為總體趨勢(shì)，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)沿χ方向從中心場(chǎng)點(diǎn)FPl向邊緣場(chǎng)點(diǎn)FP2增加切趾的非對(duì)稱性。從該分析總結(jié)出，朝向出瞳中強(qiáng)度分布的增加的對(duì)稱性的提高可以通過對(duì)強(qiáng)度進(jìn)行濾波來實(shí)現(xiàn)，該強(qiáng)度濾波對(duì)應(yīng)于在濾波元件的中心附近或中心具有很少或沒有濾波作用的濾波方程，和在足印SA-FPl和SA-FP2交疊的區(qū)域中大致為零且在χ方向上向邊緣區(qū)域RE所在的外邊緣明顯增加的濾波效應(yīng)。圖16A至16C的示意圖被用于進(jìn)一步描述設(shè)計(jì)為強(qiáng)度濾波器的切趾校正元件的實(shí)施例，該強(qiáng)度濾波器僅影響邊緣場(chǎng)點(diǎn)的第二子孔徑SA-FP2而不影響中心場(chǎng)點(diǎn)的第一子孔徑SA-FP1。就此，圖16A示出通常橢圓形狀的第二鏡M2，圖16B示出通過z-y平面(子午平面)中鏡的截面(y_切面)，在所述鏡的原點(diǎn)0和y方向上的外邊緣之間，以及圖16C示出χ方向上從原點(diǎn)到χ方向的外邊緣的截面(χ-切面)，圖15所示的邊緣區(qū)域ER位于該外邊緣。如結(jié)合表3D所解釋的，例如，第二鏡M2上的反射涂層包括多層疊層MSL，該多層疊層MLS具有由多個(gè)雙層形成的雙層疊層BS，其中每個(gè)雙層包括相對(duì)厚的硅層和相對(duì)薄的鉬層。雙層結(jié)構(gòu)形成在插入到雙層結(jié)構(gòu)和基底之間的抗應(yīng)力層(圖16中未示出)上。由釕形成的帽層CL形成在雙層疊層BS上并形成輻射入口側(cè)上朝向環(huán)境的反射涂層的界面。在上面討論的圖3的參考示例中，帽層具有均勻厚度。帽層形成保護(hù)層用以保護(hù)雙層疊層免受污染物等影響。此外，根據(jù)帽層的幾何厚度和帽層材料的吸收系數(shù)k，帽層吸收特定量的輻射能量。顯然，如果帽層的幾何厚度在鏡表面上變化，則可以獲得帽層吸收效率的空間變化。通常而言，帽層的幾何層厚根據(jù)非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱漸變方程變化。圖16B中的廣切面示意地示出子午平面中第一方向(y方向)上的厚度變化，該厚度變化可以用第一漸變方程描述。圖16C示出第二方向(χ方向，掃描-交叉方向)上的厚度變化，該厚度變化可以通過第二漸變方程描述。顯然，第一漸變方程不同于第二漸變方程。在第一方向上，幾何厚度從原點(diǎn)0朝向鏡的邊緣略微增加，而中心和邊緣區(qū)域之間的增量在第二方向上顯著大，以使在χ軸上的邊緣區(qū)域ER內(nèi)獲得比與χ軸相垂直的方向上的更強(qiáng)的吸收。第一和第二漸變方程兩者都是連續(xù)方程，該連續(xù)方程表示在自原點(diǎn)的不同徑向方向中幾何層厚連續(xù)分布(無厚度階梯)。層厚通常是均勻的，或僅在中心區(qū)中有略微變化，所述中心區(qū)圍繞原點(diǎn)，至少上至與對(duì)應(yīng)于第一子孔徑SA-FPl的區(qū)域的外邊緣相應(yīng)的徑向坐標(biāo)，第一子孔徑SA-FPl相應(yīng)于中心場(chǎng)點(diǎn)，從而源自該中心場(chǎng)點(diǎn)的全部光線“看到”近似相同的幾何層厚，由此對(duì)于源自中心場(chǎng)點(diǎn)的光線而言，實(shí)現(xiàn)濾波作用的無明顯變化。具有大致均勻帽層厚的中心區(qū)域在相應(yīng)方向上可以延展為距原點(diǎn)的最大徑向距離多于20%或多于50%或多于70%。中心區(qū)域夕卜，相應(yīng)于圖15所示的邊緣區(qū)域ER，帽層的層厚在y方向上略微增加而在χ方向上銳利地增加。圖16B和16C的圖示未按比例。帽層CL具有關(guān)于原點(diǎn)0成非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的幾何厚度的空間變化。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，有利地，依照下式利用X和y非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱多項(xiàng)式描述帽層的幾何層厚g(X，y)g(x,y)=cly*y+b1x10+b2x8(y-yO)2+b3x6(y-yO)4(5)+b4x4(y-yO)6+b5x2(y-yO)8+b6(y-yO)10可見，多項(xiàng)式不具有χ坐標(biāo)的奇數(shù)冪，這表明該方程關(guān)于子午平面(對(duì)應(yīng)于yz平面)成鏡對(duì)稱。換句話說，鏡的左半部分和右半部分關(guān)于子午平面MP彼此成鏡對(duì)稱。此外，多項(xiàng)式不包含y坐標(biāo)的奇數(shù)冪，這表明要通過帽層的濾波作用實(shí)現(xiàn)的期望的強(qiáng)度衰減具有朝向鏡的邊緣的平穩(wěn)變化而沒有轉(zhuǎn)折點(diǎn)。在所優(yōu)化的以至少部分補(bǔ)償?shù)谖彗RM5上的傾斜涂層的影響的實(shí)施例中，鏡M2的帽層的厚度分布可以利用以下系數(shù)描述cly=7.33e_3y0=33.46bl=2.316e-17b2=3.976e_16b3=-1.61e-15b4=9.896e_15b5=-5.029e-15b6=3.209e_15在該公式表示中，方程g(x，y)描述鏡表面上帽層的層厚的空間變化，y0描述層相對(duì)于基底的局部坐標(biāo)系原點(diǎn)0的偏心，以及系數(shù)cly和bl至b6相應(yīng)于橫向?qū)雍褡兓亩囗?xiàng)式描述的系數(shù)，其可以用作對(duì)于特定光學(xué)系統(tǒng)優(yōu)化的自由參數(shù)。在該實(shí)施例中，可以通過d0’=d0*l.025描述原點(diǎn)0處帽層CL的層厚的絕對(duì)值，其中d0=6.9nm為上述用于計(jì)算多層疊層MLS的層的真實(shí)物理厚度的實(shí)施例中所使用的標(biāo)稱厚度。被帽層CL覆蓋的多層疊層MLS的厚度值與圖3中所描述的參考示例相同?，F(xiàn)在將結(jié)合圖17A、17B和17C解釋通過由改變的鏡M2形成的切趾校正元件對(duì)強(qiáng)度進(jìn)行濾波的光學(xué)效應(yīng)。類似于圖6和圖7，這些圖演示切趾特征并呈現(xiàn)投射物鏡的圓形出瞳中的空間強(qiáng)度分布的示意圖。在該情況中，對(duì)于三個(gè)不同像場(chǎng)點(diǎn)FP2、FP3和FP4，示出該強(qiáng)度分布，每一個(gè)像場(chǎng)點(diǎn)位于χ方向上的矩形像場(chǎng)的外邊緣。FP2位于χ軸上該邊緣的中間(圖17A)，F(xiàn)P3位于該邊緣的上角(圖17B)和FP4位于該邊緣的下角(圖17C)。顯然，當(dāng)與不具有圖7所示的校正的切趾相比較時(shí)，對(duì)應(yīng)于這些邊緣場(chǎng)點(diǎn)中的每一個(gè)的光瞳中的強(qiáng)度分布僅表現(xiàn)出相對(duì)弱的切趾。通常而言，強(qiáng)度值在大的中心區(qū)域中約為0.085士0.001的最小值和光瞳外邊緣小于0.050的值之間變化。值得注意的是，當(dāng)與不具有切趾校正元件的相同投射物鏡相比較時(shí)，就旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性而言顯著提高了光瞳切趾。為了演示旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性的提高，現(xiàn)在就包括切趾校正元件(比較圖17A)的系統(tǒng)計(jì)算結(jié)合圖7對(duì)于邊緣場(chǎng)點(diǎn)FP2所計(jì)算的切趾參數(shù)ΑΡ0。切趾校正是有效的，從而對(duì)于在出瞳邊緣的所有坐標(biāo)的強(qiáng)度最小值的左側(cè)的光瞳邊緣事實(shí)上沒有局部強(qiáng)度的變化。最小強(qiáng)度值Imin=0.47變化不顯著。但是在圖7的分布中發(fā)現(xiàn)最大值的區(qū)域中，出瞳的邊緣區(qū)域中的強(qiáng)度最大值Imax被減少到出瞳右下邊緣區(qū)域中的值Imax=0.83。相應(yīng)的切趾參數(shù)為APO=0.277，該參數(shù)小于不具有切趾濾波器的參考系統(tǒng)的切趾參數(shù)(ΑΡ0=0.314)約10%。因此，尤其在出瞳外邊緣的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性通過切趾校正元件的效應(yīng)而顯著提高。與不具有切趾校正元件的光學(xué)系統(tǒng)相比較，出瞳中基本旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的強(qiáng)度分布允許利用不依賴于結(jié)構(gòu)取向的大約相同的對(duì)比度成像具有不同取向的結(jié)構(gòu)特征，從而可以減少H-V差。此外，光瞳中強(qiáng)度分布的能量中心非?？拷馔闹行囊苿?dòng)，從而提高像方遠(yuǎn)心性。僅由多個(gè)鏡組成的光學(xué)系統(tǒng)(反射系統(tǒng))的實(shí)施例可以設(shè)計(jì)用于多個(gè)波長(zhǎng)范圍，例如約193nm以下的DUV波長(zhǎng)(例如，利用ArF光源工作)。某些實(shí)施例設(shè)計(jì)用于2nm<λ<20nm和/或IOnm<λ<15nm和/或13nm<λ<14nm的EUV波長(zhǎng)?？捎糜谖⒐饪掏渡淦毓庀到y(tǒng)的實(shí)施例典型設(shè)計(jì)用以提供例如諸如小于1μm或小于0.5μm或小于IOOnm的高分辨率。作為示例給出優(yōu)選實(shí)施例的上述描述。從給出的公開內(nèi)容，本領(lǐng)域的那些技術(shù)人員將不僅理解到本發(fā)明及其所附優(yōu)勢(shì)，還將獲得所公開的結(jié)構(gòu)和方法的明顯的各種變化和改變。因此，試圖涵蓋落入本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有變化和改變，本發(fā)明的精神和范圍由所附權(quán)利要求和其等價(jià)物限定。通過引用將全部權(quán)利要求的內(nèi)容結(jié)合到說明書中。權(quán)利要求一種光學(xué)系統(tǒng)，包括多個(gè)元件，布置用于將波長(zhǎng)λ的輻射從物面中的物場(chǎng)成像到像面中的像場(chǎng)；所述元件包括鏡元件，該鏡元件具有布置在輻射路徑的由反射涂層形成的反射表面；所述鏡元件中的至少一個(gè)具有在一個(gè)或多個(gè)位置偏離最佳擬合旋轉(zhuǎn)對(duì)稱反射表面約λ以上的非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱反射表面；所述元件包括切趾校正元件，相對(duì)于不具有該切趾校正元件的光學(xué)系統(tǒng)，該切趾校正元件有效地校正該光學(xué)系統(tǒng)的出瞳中的空間強(qiáng)度分布。2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，相對(duì)于不具有該切趾校正元件的光學(xué)系統(tǒng)，所述切趾校正元件有效地增加所述出瞳中的空間強(qiáng)度分布的對(duì)稱性。3.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，相比較不具有該切趾校正元件的相同光學(xué)系統(tǒng)，所述切趾校正元件有效地增加所述出瞳中的強(qiáng)度分布的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性。4.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述出瞳中的空間強(qiáng)度分布由表示所述出瞳的邊緣中的強(qiáng)度的歸一化方位變化的切趾參數(shù)AP0表征，根據(jù)AP0＝(IMAX~IMIN)/(Imax+IMIN)其中，為所述出瞳的邊緣區(qū)域中的強(qiáng)度的最大值，和IMIN為所述出瞳的邊緣區(qū)域中的強(qiáng)度的最小值，其中所述切趾參數(shù)AP0減少至少1%。5.如前述權(quán)利要求之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，當(dāng)與不具有所述切趾元件的相同光學(xué)系統(tǒng)相比較時(shí)，所述切趾校正元件有效地增加相對(duì)所述光學(xué)系統(tǒng)的子午平面的所述出瞳中的強(qiáng)度分布的鏡對(duì)稱性。6.如前述權(quán)利要求之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，當(dāng)與不具有所述切趾元件的相同光學(xué)系統(tǒng)相比較時(shí)，所述切趾校正元件有效地減少場(chǎng)依賴切趾。7.如前述權(quán)利要求之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，當(dāng)與不具有所述切趾元件的相同光學(xué)系統(tǒng)相比較時(shí)，所述切趾校正元件有效地將所述出瞳中的強(qiáng)度分布的強(qiáng)度中心朝向所述出瞳的中心移動(dòng)。8.如前述權(quán)利要求之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述切趾校正元件是具有由反射涂層形成的反射面的鏡元件，所述反射涂層設(shè)計(jì)為非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱漸變涂層，該非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱漸變涂層包括不同材料的多層疊層，至少一層具有幾何層厚，該幾何層厚在涂層的第一方向上根據(jù)第一漸變方程變化而在垂直于所述第一方向的第二方向上根據(jù)不同于所述第一漸變方程的第二漸變方程變化。9.如前述權(quán)利要求之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述切趾校正元件是具有由反射涂層形成的反射表面的鏡元件，該反射涂層包括不同材料層的多層疊層，所述層在背向鏡基底的輻射入口側(cè)上具有帽層，其中所述帽層具有在所述涂層的第一方向上根據(jù)第一漸變方程變化而在垂直于所述第一方向的第二方向上根據(jù)不同于所述第一漸變方程的第二漸變方程變化的幾何層厚。10.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述幾何層厚在第一方向上從原點(diǎn)到所述鏡的邊緣增加第一增量，并在所述第二方向上在所述原點(diǎn)和邊緣區(qū)域之間增加顯著較大的第二增量。11.如權(quán)利要求9或10所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述帽層的層厚在中心區(qū)內(nèi)大致均勻，所述中心區(qū)圍繞原點(diǎn)，至少上至與對(duì)應(yīng)于第一子孔徑的區(qū)域的外邊緣相應(yīng)的徑向坐標(biāo)，第一子孔徑對(duì)應(yīng)于中心場(chǎng)點(diǎn)，且在所述中心區(qū)外，所述帽層的層厚在所述第一方向上略微增加并在所述第二方向上較強(qiáng)增加。12.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述中心區(qū)在相應(yīng)方向上延展到大于距原點(diǎn)最大徑向距離的50%。13.如權(quán)利要求9至12之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述帽層由選自由釕、氧化鋁、碳化硅、碳化鉬、碳、氮化鈦、二氧化鈦和釕、氧化鋁、氮化鈦或二氧化鈦和其他物質(zhì)的混合物、合金或化合物構(gòu)成的組的材料制成。14.如權(quán)利要求9至13之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，反射涂層包括布置在所述帽層和鏡基底之間的多個(gè)中間層，其中所述多個(gè)中間層中的每一個(gè)都具有均一層厚。15.如權(quán)利要求9至14之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述帽層的材料對(duì)波長(zhǎng)\的輻射具有吸收率，該吸收率大于布置在所述帽層和鏡基底之間的中間層的材料中的每一個(gè)的吸收率。16.如權(quán)利要求9至15之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述帽層的材料對(duì)波長(zhǎng)\的輻射具有吸收率，該吸收率大于硅和鉬中的至少一個(gè)的吸收率。17.如權(quán)利要求9至16之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述帽層的材料具有由在約13nm和14nm之間的波長(zhǎng)范圍內(nèi)大于0.013的消光系數(shù)k表征的吸收率。18.如權(quán)利要求17所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，在從大約13.4nm到13.6nm的波帶的區(qū)域中，所述消光系數(shù)為0.015以上。19.如權(quán)利要求9至18之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述切趾校正元件包括在所述帽層的輻射入口側(cè)上布置在所述帽層上的至少一個(gè)濾波層，其中所述濾波層由對(duì)波長(zhǎng)X的輻射進(jìn)行吸收且具有空間變化的幾何厚度的濾波層材料制成。20.如權(quán)利要求19所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述濾波層由在波長(zhǎng)\具有比所述帽層材料大的吸收率的材料制成。21.如權(quán)利要求19或20所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述濾波層由在波長(zhǎng)\具有比所述帽層材料小的吸收率的材料制成。22.如權(quán)利要求19、20或21所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述濾波層由選自由釕、氧化鋁、碳化硅、碳化鉬、碳、氮化鈦、二氧化鈦和釕、氧化鋁、氮化鈦或二氧化鈦和其他物質(zhì)的混合物、合金或組合物構(gòu)成的組的材料制成。23.如前述權(quán)利要求之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述切趾校正元件具有由包括不同材料的多層疊層的反射涂層形成的反射表面，所述多層形成雙層疊層，其中雙層包括具有第一折射率的第一材料的相對(duì)厚層和具有低于第一折射率的第二折射率的第二材料的相對(duì)薄層，其中，至少一個(gè)雙層的第一層和第二層的幾何厚度之間的厚度比在所述涂層的第一方向上根據(jù)第一漸變方程變化，而在垂直于所述第一方向的第二方向上根據(jù)不同于所述第一漸變方程的第二漸變方程變化。24.如前述權(quán)利要求之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述切趾校正元件光學(xué)上布置在遠(yuǎn)離光學(xué)系統(tǒng)的光瞳面的位置，在該位置滿足條件P(M)<1，其中，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中，D(SA)是在相應(yīng)表面M上的源自物面上的場(chǎng)點(diǎn)的光束的子孔徑的直徑；和D(CR)是在該表面M上的在光學(xué)系統(tǒng)參考平面中所測(cè)量的通過光學(xué)系統(tǒng)成像的有效物場(chǎng)的主光線的最大距離。25.如權(quán)利要求24所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述參考平面是光學(xué)系統(tǒng)的對(duì)稱平面。26.如權(quán)利要求24或25所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，對(duì)于所述切趾校正元件的位置，滿足條件P(M)<0.99。27.如權(quán)利要求24至26之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述切趾校正元件光學(xué)上位于光學(xué)系統(tǒng)的光瞳面和場(chǎng)面之間的中間區(qū)域，該位置滿足條件0.99>P(M)>0.95。28.如權(quán)利要求24至27之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述切趾校正元件光學(xué)上位于場(chǎng)面附近，滿足條件0<P(M)<0.93。29.如前述權(quán)利要求之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述切趾校正元件位于所述光學(xué)系統(tǒng)的光瞳面中或光學(xué)上位于所述光學(xué)系統(tǒng)的光瞳面的附近，滿足條件0.98<P(M)(1。30.如前述權(quán)利要求之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，為所述鏡中的至少一個(gè)提供設(shè)計(jì)為一維漸變涂層的非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱涂層，該涂層包括不同材料層的多層疊層，其中所述多層具有在所述第一方向上根據(jù)第一漸變方程變化而在垂直于所述第一方向的第二方向上基本不變的幾何層厚。31.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，布置及成形所述鏡，以使平均入射角在所述第一方向上根據(jù)基本線性方程強(qiáng)烈變化而在垂直于所述第一方向的第二方向上基本不變。32.如前述權(quán)利要求之一所述的光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述光學(xué)系統(tǒng)包括第一切趾校正元件和至少一個(gè)第二切趾校正元件。33.一種用于微光刻的投射曝光系統(tǒng)，該投射曝光系統(tǒng)具有配置為從主光源接收輻射并照明投射物鏡的物面中的圖案的照明系統(tǒng)和投射物鏡，其中，所述投射物鏡包括如前述權(quán)利要求之一的光學(xué)系統(tǒng)。34.如權(quán)利要求33所述投射曝光系統(tǒng)，其中，所述主光源發(fā)射波長(zhǎng)13nm<A<14nm的EUV輻射。35.一種制作半導(dǎo)體器件或其他類型微器件的方法，包括提供具有指定圖案的掩模；利用具有指定波長(zhǎng)、的輻射照明所述掩模；以及將所述圖案的像投射到布置在由如前述權(quán)利要求之一所述的光學(xué)系統(tǒng)所形成的投射物鏡的所述像平面的附近中的光敏感基底上。全文摘要一種光學(xué)系統(tǒng)包括所布置的用以將波長(zhǎng)λ的輻射從物面中的物場(chǎng)成像到像面中的像場(chǎng)的多個(gè)元件。所述多個(gè)元件包括布置在輻射路徑中的多個(gè)鏡元件，鏡元件具有由反射涂層形成的反射表面。至少一個(gè)鏡元件具有在一個(gè)或多個(gè)位置從最佳擬合旋轉(zhuǎn)對(duì)稱反射表面偏離約λ以上的非旋轉(zhuǎn)反射表面。該元件包括切趾校正元件，相對(duì)于不具有切趾校正元件的光學(xué)系統(tǒng)，該切趾校正元件有效地校正光學(xué)系統(tǒng)的出瞳中的空間強(qiáng)度分布。優(yōu)選地，相對(duì)于不具有切趾校正元件的光學(xué)系統(tǒng)，該切趾校正元件有效地增加出瞳中的空間強(qiáng)度分布的對(duì)稱性。文檔編號(hào)G02B17/06GK101836163SQ200780101177公開日2010年9月15日申請(qǐng)日期2007年8月20日優(yōu)先權(quán)日2007年8月20日發(fā)明者丹尼·陳,漢斯-于爾根·曼,薩斯查·米古拉申請(qǐng)人:卡爾蔡司Smt股份公司