專利名稱：：利用4層系疊層體進(jìn)行的半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的光刻工序中光致抗蝕劑的下層中使用的疊層體，以及使用了該疊層體的半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
：一直以來，在半導(dǎo)體器件的制造中，人們都是利用使用了光致抗蝕劑的光刻進(jìn)行微細(xì)加工的。上述微細(xì)加工為，在硅晶片等的半導(dǎo)體M上形成光致抗蝕劑的薄膜，在該薄膜上透過描繪有半導(dǎo)體器件的圖形的掩^^莫圖形照射紫外線等的活性光線，進(jìn)行顯影，以由此獲得的光致抗蝕劑圖形作為保護(hù)膜來將基板進(jìn)行蝕刻處理，由此在14l表面形成與上述圖形對(duì)應(yīng)的微細(xì)凹凸的加工法。近年，半導(dǎo)體器件的高集成化不斷發(fā)展，使用的活性光線也有從KrF準(zhǔn)分子激光(248nm)向ArF準(zhǔn)分子激光(193nm)轉(zhuǎn)換的短波長(zhǎng)化的傾向。與此相伴，活性光線從半導(dǎo)體^的反射的影響逐漸成為大問題。因此，為了解決該問題，在光致抗蝕劑和J41之間設(shè)置防反射膜(底部防反射涂層BottomAnti-reflectiveCoating)的方法日益被廣泛研究。作為該防反射膜，從其使用的容易性等出發(fā)，對(duì)由吸光性基的聚合物等構(gòu)成的有機(jī)防反射膜進(jìn)行了大量研究?？梢粤信e出例如，同一分子內(nèi)具有作為交聯(lián)反應(yīng)基的羥基和吸光基的丙烯酸樹脂型防反射膜；同一分子內(nèi)具有作為交聯(lián)反應(yīng)基的羥基和吸光基的酚醛清漆樹脂型防反射膜等。作為防反射膜要求的特性，有對(duì)光、放射線具有大吸光度；與光致抗蝕劑不發(fā)生混合(不溶于光致抗蝕劑溶劑)；低分子物質(zhì)在加熱烘烤時(shí)不從防反射膜向上層的光致抗蝕劑擴(kuò)散；比光致抗蝕劑具有大的干蝕刻速度等。另外，為了解決近年來伴隨半導(dǎo)體器件的圖形規(guī)則的微細(xì)化而逐漸明顯的布線延遲的問題，進(jìn)行了使用銅作為布線材料的研究。并且，與此同時(shí)研究了雙鑲嵌工藝作為向半導(dǎo)體14l形成布線的方法。雙鑲嵌工藝中形成了過孔，對(duì)具有較大的縱橫尺寸比的14l形成了防反射膜。因此，對(duì)于該工藝中使用的防反射膜，要求具有可以無空隙地填充孔的填埋特性、可在1*面形成平坦的膜的平坦化特性等。有機(jī)類防反射膜用材料很難適用于具有大縱橫尺寸比的基板，近年來逐漸開發(fā)了以填埋特性、平坦化特性為重點(diǎn)的材料(例如，參照專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3)。另外，近年、作為半導(dǎo)體基板與光致抗蝕劑之間的下層膜，使用作為含有硅、鈦等的金屬元素的硬掩模已知的膜(例如，參照專利文獻(xiàn)4、專利文獻(xiàn)5、專利文獻(xiàn)6、專利文獻(xiàn)7)。在該情況下，在光致抗蝕劑和石更掩模中，其構(gòu)成成分有很大差異，因此它們利用干蝕刻除去的速度很大依賴于干蝕刻中使用的氣體種類。另外，通過適當(dāng)選擇氣體種類，可以不伴隨光致抗蝕劑的膜厚的大幅度減少，利用干蝕刻除去硬掩模。因此，在使用光致抗蝕劑和硬掩模的情況下，即使光致抗蝕劑是薄膜，也可以確保作為用于半導(dǎo)體基板加工的保護(hù)膜(由光致抗蝕劑和石更掩才莫構(gòu)成)的充分的膜厚。另外，作為光刻工序中的抗蝕劑下層膜，使用各種聚合物(例如，參照專利文獻(xiàn)8、專利文獻(xiàn)9、專利文獻(xiàn)IO、專利文獻(xiàn)ll)。專利文獻(xiàn)l:特開2002-47430號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:國(guó)際公開第02/05035號(hào)小冊(cè)子專利文獻(xiàn)3:特開2002-128847號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:特開平11-258813號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5:特開2001-53068號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6:特開2005-55893號(hào)公才艮專利文獻(xiàn)7:特開2005-15779號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)8:國(guó)際公開第03/017002號(hào)小冊(cè)子專利文獻(xiàn)9:國(guó)際公開第04/034148號(hào)小冊(cè)子專利文獻(xiàn)10:國(guó)際公開第05/098542號(hào)小冊(cè)子專利文獻(xiàn)ll:國(guó)際公開第06/115074號(hào)小冊(cè)子
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法是通過使用在半導(dǎo)體基板上按照有機(jī)下層膜、含硅的硬掩模、有機(jī)防反射膜和光致抗蝕劑膜的順序含有各層的疊層體，來制造半導(dǎo)體器件的方法。在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，光致抗蝕劑的曝光時(shí)沒有酸的擴(kuò)散，可以提高光致抗蝕劑的聚焦(focus)深度裕度，使抗蝕劑圖形的形狀為矩形，由此可以利用微細(xì)、正確的抗蝕劑圖形，進(jìn)行半導(dǎo)體基板的加工。本發(fā)明，作為第1方案，是一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包含在半導(dǎo)體基板上按照有機(jī)下層膜(A層)、含硅的硬掩模(B層)、有機(jī)防反射膜(C層)和光致抗蝕劑膜(D層)的順序疊層各層的工序；作為第2方案，是一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在半導(dǎo)體M上形成有機(jī)下層膜(A層)的工序、在其上形成含硅的硬掩才莫(B層)的工序、在其上形成有機(jī)防反射膜(C層)的工序和在其上形成光致抗蝕劑膜(D層)的工序、通過曝光和顯影來使光致抗蝕劑膜(D層)形成抗蝕劑圖形的工序、按照抗蝕劑圖形來蝕刻有機(jī)防反射膜(C層)的工序、利用構(gòu)圖化了的有機(jī)防反射膜(C層)來蝕刻含硅的硬掩模(B層)的工序、利用構(gòu)圖化了的含硅的硬掩模(B層)來蝕刻有機(jī)下層膜(A層)的工序、利用構(gòu)圖化了的有^L下層膜(A層)來加工半導(dǎo)體J41的工序；作為第3方案，是根據(jù)第1方案或第2方案所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)下層膜(A層)的膜厚為50~500nm，含珪的硬掩模(B層)的膜厚為50~200nm，有機(jī)防反射膜(C層)的膜厚為10~100nm，A層:B層:C層的膜厚比為1~10:1~5:1的比例；作為第4方案，是根據(jù)第1方案~第3方案的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)下層膜(A層)是包含在主鏈或與主鏈結(jié)合的側(cè)鏈具6有芳香族稠環(huán)的聚合物的層；作為第5方案，是根據(jù)第1方案~第4方案的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)下層膜(A層)是包含在主鏈或與主鏈結(jié)合的側(cè)鏈具有萘環(huán)的聚合物的層；作為第6方案，是根據(jù)第1方案~第5方案的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，含硅的硬掩模(B層)中的硅含量為15~45質(zhì)量％;作為第7方案，是根據(jù)第1方案~第6方案的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，含硅的硬掩模(B層)是含有下述聚合物的層，所述聚合物含有聚硅烷、聚硅氧烷、聚碳硅烷或它們的組合；作為第8方案，是才艮據(jù)第1方案~第7方案的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，含硅的硬掩模(B層)是含有下述聚合物的層，所述聚合物含有聚碳硅烷、并且含有聚硅烷、聚硅氧烷或它們的組合；作為第9方案，是根據(jù)第1方案~第8方案的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)防反射膜(C層)是有機(jī)防反射膜(C層)中含有的聚合物的分子結(jié)構(gòu)近似于光致抗蝕劑膜(D層)中含有的聚合物的分子結(jié)構(gòu)的有機(jī)防反射膜；作為第10方案，是根據(jù)第1方案~第9方案的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)防反射膜(C層)是含有下述聚合物的層，所述聚合物是在構(gòu)成聚合物的主鏈或與主鏈結(jié)合的側(cè)鏈上具有苯環(huán)、雜環(huán)或它們的組合的聚合物；作為第ll方案，是根據(jù)第IO方案所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)防反射膜(C層)的聚合物中含有的雜環(huán)是內(nèi)酯環(huán)；作為第12方案，是才艮據(jù)第1方案~第11方案的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)防反射膜(C層)的聚合物中的苯環(huán)的含有率為30~70質(zhì)量％。本發(fā)明的包括在半導(dǎo)體基板上按照有機(jī)下層膜(A層)、含硅的硬掩模(B層)、有機(jī)防反射膜(C層)和光致抗蝕劑膜(D層)的順序疊層各層的工序的半導(dǎo)體器件的制造方法中，疊層上述至少4層。在使用KrF7準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)248nm)和ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)等的微細(xì)加工中，布線寬度小，因此產(chǎn)生光致抗蝕劑(有時(shí)也簡(jiǎn)單稱作抗蝕劑)的圖形倒塌。為了防止抗蝕劑的圖形倒塌，伴隨著布線寬度的減少，抗蝕劑層的厚度也變薄。在使用這樣的薄膜抗蝕劑的情況下，對(duì)該抗蝕劑下層膜，也要求干蝕刻速度進(jìn)一步提高。但是，對(duì)有機(jī)系抗蝕劑，在有機(jī)系抗蝕劑下層膜中，由于有機(jī)系抗蝕劑下層膜的干蝕刻氣體(例如，氟系氣體、氧氣等)，而產(chǎn)生有機(jī)系抗蝕劑膜的膜減。另一方面，在有機(jī)系抗蝕劑膜的下層使用含硅的硬掩模層的情況下，在用氟系的氣體對(duì)含硅的硬掩模(B層)進(jìn)行干蝕刻時(shí)，在氟系的氣體的情況下，有機(jī)系的抗蝕劑膜(形成有抗蝕劑圖形的抗蝕劑膜(D層))的膜減4艮小，可以正確地將薄膜抗蝕劑形成的抗蝕劑圖形轉(zhuǎn)印至含硅的硬掩才莫(B層)。另外，進(jìn)而，如果用氧系的干蝕刻氣體對(duì)有機(jī)下層膜(A層)進(jìn)行干蝕刻，則含硅的硬掩模(B層)的膜減很小、可以正確地將抗蝕劑圖形轉(zhuǎn)印至有機(jī)下層膜(A層)，可以利用轉(zhuǎn)印有抗蝕劑圖形的有機(jī)下層膜(A層)，用氟系氣體加工半導(dǎo)體綠。但是，上述的在半導(dǎo)體基板上按照有機(jī)下層膜(A層)、含硅的硬掩模(B層)和抗蝕劑膜(D層)的順序形成的3層系疊層體，存在2個(gè)問題。首先，其一是含硅的硬掩模(B層)上的抗蝕劑膜(D層)的粘附性不充分。另一個(gè)問題是在抗蝕劑膜的曝光時(shí)，光產(chǎn)酸劑產(chǎn)生的酸擴(kuò)散至含硅的硬掩模(B層)，由此存在抗蝕劑形狀不能變?yōu)榫匦蔚膯栴}。在使用這樣的3層系疊層體的半導(dǎo)體器件的制造中，通過在含珪的硬掩模(B層)與抗蝕劑膜(D層)之間設(shè)置有機(jī)防反射膜(C層)，可以解決上述問題。如，有機(jī)防反射膜(C層)的聚合'物具有抗蝕劑膜(D層)的聚合物所特有的內(nèi)酯環(huán)、苯環(huán))，可以大幅度提高與抗蝕劑膜的粘附性，另外，由此可以大幅度提高抗蝕劑膜曝光時(shí)的聚焦深度裕度。進(jìn)而，在含硅的硬掩模(B層)和抗蝕劑膜(D層)之間，通過設(shè)置有機(jī)防反射膜(C層)，可以防止抗蝕劑膜的曝光時(shí)由光產(chǎn)酸劑產(chǎn)生的酸向含珪的石更掩模(B層)的擴(kuò)散，其結(jié)果可以使抗蝕劑圖形為矩形。并且，有機(jī)防反射膜(c層)與有機(jī)下層膜(A層)、含硅的硬掩模(B層)比較，是更薄的膜，西此即使對(duì)形成有抗蝕劑圖形的抗蝕劑膜(D層)進(jìn)行干蝕刻(例如使用氟系氣體、氧氣等的干蝕刻)，也不發(fā)生抗蝕劑膜的膜減，可以正確將抗蝕劑圖形轉(zhuǎn)印至有機(jī)防反射膜(C層)。本發(fā)明通過使用這樣的4層系疊層體，可以加工成具有微細(xì)的布線寬度的半導(dǎo)體基板。具體實(shí)施例方式本發(fā)明是一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其使用了在半導(dǎo)體基板上按照有機(jī)下層膜(A層)、含硅的硬掩模(B層)、有機(jī)防反射膜(C層)和光致抗蝕劑膜(D層)的順序具有各層的疊層體。本發(fā)明中使用的有機(jī)下層膜(A層)是包含下述聚合物的層，所述聚合物是在構(gòu)成聚合物的主鏈或與主鏈結(jié)合的側(cè)鏈具有芳香族稠環(huán)的聚合物。作為芳香族稠環(huán)，可以列舉出萘環(huán)、蒽環(huán)。該有機(jī)下層膜(A層)是包含下述聚合物的層，所述聚合物是在主鏈或與主鏈結(jié)合的側(cè)鏈具有萘環(huán)的聚合物。特別優(yōu)選含有在與主鏈結(jié)合的側(cè)鏈具有萘環(huán)的聚合物的層。有機(jī)下層膜(A層)，是將包含在與主鏈結(jié)合的側(cè)鏈具有萘環(huán)的聚合物(a)和溶劑，根據(jù)需要包含交聯(lián)劑、酸、產(chǎn)酸劑、表面活性劑等的形成有機(jī)下層膜(A層)的組合物涂布在半導(dǎo)體a上，除去溶劑而獲得的。該形成有機(jī)下層膜(A層)的組合物中的固形成分為0.1~70質(zhì)量％、或1~50質(zhì)量％、或5~40質(zhì)量％、或10~30質(zhì)量％。固形成分是指從形成有機(jī)下層膜(A層)的組合物的全部成分中除去溶劑成分而獲得的成分。全部固形成分中，聚合物U)為10質(zhì)量％以上，例如30~99質(zhì)量％、或50~99質(zhì)量％、或65~99質(zhì)量％。該聚合物(a)的重均分子量為100~1000000、優(yōu)選1000~200000。聚合物(a)是構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))中占有的式(al)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))和式(a2)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例分別為0.02以上、優(yōu)選0.05以上的聚合物?；?<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>(式中、R,表示氫原子或甲基，X表示在萘環(huán)上取代的卣素原子、羥基、烷基、烷氧基、硫醇基、氰基、羧基、氨基、酰胺基、烷M羰基或硫烷基，n表示07的整數(shù)，在n為7以外的情況下，沒有被X取代的萘環(huán)的部位被氫原子取代)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>(式中、R，與式(al)中定義的R,表示相同的意義，A,是包含芳香族性羥基或含羥基的酯的有機(jī)基。)在包含式(al)的單元結(jié)構(gòu)和式(a2)的單元結(jié)構(gòu)的聚合物中、各單元結(jié)構(gòu)(數(shù))相對(duì)于構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例的合計(jì)為1.00。相對(duì)于構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))，式(al)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))和式(a2)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))占有的比例分別為0.02以上、優(yōu)選0.05以上是必要的，只要是能夠與式(al)和式(a2)的單元結(jié)構(gòu)的單體共聚合的單體，就可以使其它單體共聚合。這種情況下，相對(duì)于構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))，各單元結(jié)構(gòu)(數(shù))占有的比例的合計(jì)為1.00。上述聚合物只要是全聚合物中式(al)和式(a2)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))占有必要的比例的聚合物即可，可以為嵌段共聚物、交替共聚物或無規(guī)共聚物。式(al)的單元結(jié)構(gòu)中、Ri表示氫原子或甲基，X表示在萘環(huán)上取代的卣素原子、羥基、烷基、烷氧基、硫醇基、氰基、羧基、氨基、酰胺基、烷氧基皿或石克烷基，n表示07的整數(shù)，n為7以外的情況下，剩余部為氫原子。式(al)的單元結(jié)構(gòu)優(yōu)選2-乙烯基萘、其衍生物的縮合物。X中、作為囟素原子，可以使用氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。作為烷基，是具有直鏈或分枝的碳原子數(shù)1~6的烷基，它們可以被卣素原子等取代。例如，可以列舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁氧基、叔丁氧基、正己基、氯曱基等。作為烷氧基，是碳原子數(shù)1~6的烷氧基，可以列舉出例如曱氧基、乙氧基、異丙氧基等。作為酰胺基，是碳原子數(shù)1~12的酰胺，可以列舉出例如甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、異丁基酰胺基、苯甲酰胺基、萘基酰胺基、丙烯酰胺基等。作為烷氧基羰基，是碳原子數(shù)1~12的烷氧基羰基，可以列舉出例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、芐基氧基羰基等。作為硫烷基，是碳原子數(shù)1~6的硫烷基，可以列舉出例如曱差J危基、乙基J?；?、丁基J充基、己基^克基等。聚合物中，式Ul)的單元結(jié)構(gòu)在加工時(shí)顯示高蝕刻耐性，式(a2)的單元結(jié)構(gòu)在羥基之間、或與交聯(lián)性化合物之間，形成交聯(lián)鍵。通過使構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))中占有的式(al)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例為0.4~0.98、并且式U2)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例為0.02~0.6，可以使其具有小于半導(dǎo)體M的干蝕刻速度的選擇比。即，干蝕刻耐性提高。這些式(al)的單元結(jié)構(gòu)的具體例例示如下?；?ii(0i-ia)w(611a)(s11B)w(z11e)w(911B)TO:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>式(a2)的單元結(jié)構(gòu)中、R,與式(al)中定義的R,具有相同的意義，A是含有芳香族性羥基的有機(jī)基、或含有含羥基酯的有機(jī)基。A,優(yōu)選含有含羥基的酯的有機(jī)基。A,中、作為具有芳香族性羥基的有機(jī)基，是具有含有1~4個(gè)羥基的芳香族環(huán)的有機(jī)基，作為芳香族環(huán)，可以列舉出苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、咪唑環(huán)、吡啶環(huán)、噻吩環(huán)等。作為具有含羥基的酯基的有機(jī)基，可以列舉出例如含有羧基的樹脂與脂肪族多元醇、脂環(huán)式多元醇、或芳香族多元醇反應(yīng)形成的具有含有羥基酯的有機(jī)基；含有氛基的樹脂與表氯醇類反應(yīng)獲得的環(huán)氧樹脂通過水解生成的具有含有羥基的酯的有機(jī)基；使含有氛基的樹脂與表氯醇類反應(yīng)獲得的環(huán)氧樹脂進(jìn)而與芳香族羧酸、脂環(huán)式羧M應(yīng)獲得的有機(jī)基。式(a2)的單元結(jié)構(gòu)優(yōu)選為2-羥基乙基丙烯酸酯、2-羥基乙基甲基丙烯酸酯的聚合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))、式U2)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))、式(a3)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例為0.02以上的聚合物作為形成有機(jī)下層膜(A)的組合物。通過導(dǎo)入式(a3)的單元結(jié)構(gòu)，可以不顯著降低干蝕刻耐性，調(diào)節(jié)下層膜的吸光度。化7式(a3)(式中、R,與式(al)中定義的R,具有相同的意義，B,是含有含脂肪族環(huán)狀化合物的酯的有機(jī)基或含有含芳香族化合物的酯的有機(jī)基。)B，中、含有含脂肪族環(huán)狀化合物的酯的有機(jī)基或含有含芳香族化合物的酯的有機(jī)基是例如含有羧基的樹脂與脂肪族環(huán)狀化合物或芳香族化合物的醇反應(yīng)獲得的有機(jī)基。作為含脂肪族環(huán)狀化合物的酯中含有的脂肪族環(huán)狀化合物，可以列舉出碳原子數(shù)3~20的環(huán)烷烴、環(huán)烯烴、降冰片烯衍生物和金剛烷衍生物等的化合物。作為環(huán)烷烴，可以列舉出取代或未取代的環(huán)丙烷、環(huán)丁烷、環(huán)己烷、環(huán)壬烷等，作為環(huán)烯烴，可以列舉出取代或未取代的環(huán)丙烯、環(huán)丁烯、環(huán)己烯、環(huán)壬烯等，作為降冰片烯衍生物，可以列舉出取代或未取代的降水片烯，作為金剛烷衍生物，可以列舉出取代或未取代的金剛烷、二金剛烷、三金剛烷等。另外，作為含芳香族化合物的酯中含有的芳香族化合物，可以列舉出取代或未取代的苯環(huán)、蒽環(huán)。作為芳香族化合物的取代基，可以列舉出上述中定義的X,取代基X可以取代至各苯環(huán)、蒽環(huán)等上能夠最大取代的數(shù)。含有式Ul)的單元結(jié)構(gòu)和式(a2)的單元結(jié)構(gòu)和式(a3)的單元結(jié)構(gòu)的聚合物中，相對(duì)于構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))，各單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例的合計(jì)為1.00。必要的是，相對(duì)于構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))，式(al)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))和式(a2)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))和式(a"的單Hlc—H1一1R-C——B元結(jié)構(gòu)(數(shù))占有的比例分別為0.02以上，如果是能夠與式(al)和式(a2)和式(a3)的單元結(jié)構(gòu)的單體共聚合的單體，則可以使其它單體共聚合。在該情況下，相對(duì)于構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))，各單元結(jié)構(gòu)(數(shù))占有的比例的合計(jì)為1.00。上述聚合物如果是全聚合物中占有的、必要的式(al)和式(a2)和式(a3)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例的聚合物，則可以為嵌段共聚物、交替共聚物、或無規(guī)共聚物?？梢孕纬上率鼍酆衔铮?，構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))中占有的、式(al)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例為0.4~0.96、式(a2)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例為0.02~0.58、并且(a3)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例為0.02~0.58的聚合物。式(a3)的式中、R,與式(al)中定義的R!具有相同的意義，B,是含有含脂肪族環(huán)狀化合物的酯的有機(jī)基、或含有含芳香族化合物的酯的有機(jī)基。B,中、含有含脂肪族環(huán)狀化合物的酯的有機(jī)基或含有含芳香族化合物的酯的有機(jī)基例如是含有羧基的樹脂與脂肪族環(huán)狀化合物或芳香族化合物的醇反應(yīng)獲得的有機(jī)基。式(a3)的結(jié)構(gòu)單元的具體例例示如下。化816<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>另外，可以使用構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))中占有的式(al)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))、式(a2)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))、式U4)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例為0.02以上的聚合物作為形成有機(jī)下層膜的組合物。通過導(dǎo)入式(a4)的單元結(jié)構(gòu)，可以不顯著降低干蝕刻耐性地調(diào)節(jié)下層膜的吸光度。化9<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>(式中、R,與式(al)中定義的R，具有相同的意義，B2是取代或未取代的苯環(huán)或蒽環(huán)。)含有式(al)的單元結(jié)構(gòu)和式(a2)的單元結(jié)構(gòu)和式U4)的單元結(jié)構(gòu)的聚合物中，相對(duì)于構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))，各單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例的合計(jì)為1.00。相對(duì)于構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))，式(al)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))和式(a2)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))和式(")的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))占有的比例必須分別為0.02以上，如果是能夠與式(al)和式(a2)和式(a4)的單元結(jié)構(gòu)的單體共聚合的單體，則可以使其它單體共聚。在這種情況下，相對(duì)于構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))，各單元結(jié)構(gòu)(數(shù))占有的比例的合計(jì)為1.00。上述聚合物如果是全聚合物中占有的、必要的式(al)和式(a2)和式(a4)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例的聚合物，則可以形成嵌段共聚物、交替共聚物、或無規(guī)共聚物。還可以形成下述聚合物，即，構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))中占有的、式(al)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例為0.4~0.96、式(a2)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例為0.02~0.58、并且(a4)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例為0.02~0.58的聚合物。式U4)的式中、R,與式(al)中定義的R,具有相同的意義，82是取代或未取代的苯環(huán)或蒽環(huán)。作為苯環(huán)或蒽環(huán)的取代基，可以列舉出上述中定義的X，取代基X可以取代至各苯環(huán)、蒽環(huán)上能夠最大取代的數(shù)。式(a4)的單元結(jié)構(gòu)的具體例例示如下。式[a4式[a4—3]式[a4—2]式[a4—4]作為上述構(gòu)成的聚合物，作為具體例，可以列舉如下?？梢粤信e出聚合物中的式(al-l)與式(a2-l)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比為0.9:0.1的聚合物聚合物中的式(al-l)與式(a2-8)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比為0.4:0.6的聚合物聚合物中的式(al-l)與式(a2-10)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比為0":0.1的聚合物，和聚合物中的式(al-l)與式(a2-7)與式(a3-6)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比為0.4:0.2:0.4的聚合物，和聚合物中的式(al-l)與式(a2-5)與式(a4-l)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比為0.6:0.2:0.2的聚合物?？梢詢?yōu)選列舉出，式(al)的單元結(jié)構(gòu)中的取代基是2-乙烯基萘、或2-異丙烯基萘，式(a2)的單元結(jié)構(gòu)為2-羥基烷基丙烯酸酯、或2-羥基烷基曱基丙烯酸酯，構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))中占有的式(al)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例為0.9，構(gòu)成聚合物的全部單元結(jié)構(gòu)(數(shù))中占有的式(a2)的單元結(jié)構(gòu)(數(shù))的比例為0.1的聚合物。本發(fā)明中使用的形成有機(jī)下層膜(A)的組合物，從防止與其上涂布的含硅的硬掩模的混合的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選涂布后、通過加熱而交聯(lián)，形成有機(jī)下層膜(A)的組合物可以進(jìn)而含有交聯(lián)劑成分。作為該交聯(lián)劑，可以列舉出三聚氰胺系、取代脲系、或它們的聚合物系等。優(yōu)選為具有至少2個(gè)交聯(lián)形成取代基的交聯(lián)劑，是甲氧基甲基化甘脲、丁氧基甲基化甘脲、甲氧基甲基化三聚氰胺、丁氧基甲基化三聚氰胺、甲氧基甲基苯胍胺、丁氧基甲基苯胍胺、甲氧基甲基脲、丁氧基甲基脲、甲氧基甲基硫脲、或甲氧基甲基琉脲等的化合物。另外，也可以使用這些化合物的縮合體。交聯(lián)劑的添加量根據(jù)使用的涂布溶劑、使用的基底基板、要求的溶液粘度、要求的膜形狀等而改變，相對(duì)于全部固形成分，為0.001~80質(zhì)量％、優(yōu)選0.01~50質(zhì)量％、進(jìn)一步優(yōu)選0.05~40質(zhì)量％。這些交聯(lián)劑有時(shí)也通過自身縮合而發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，在本發(fā)明的上述聚合物中存在交聯(lián)性取代基的情況下，也可以與這些交聯(lián)性取代基發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)。作為用于促進(jìn)上述交聯(lián)反應(yīng)的催化劑，可以配合對(duì)曱苯磺酸、三氟甲烷磺酸、吡咬錄對(duì)曱苯磺酸、水楊酸、磺基水楊酸、檸檬酸、苯甲酸、羥基苯甲酸、萘羧酸等的酸性化合物或/和2，4，4，6-四溴環(huán)己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基爺基曱苯磺酸酯、其它有機(jī)磺酸烷基酯等的熱產(chǎn)酸劑。配合量相對(duì)于全部固形成分，為0.0001~20質(zhì)量％、優(yōu)選0.0005~10質(zhì)量o/。。本發(fā)明中使用的形成有機(jī)下層膜(A)的組合物，可以添加光產(chǎn)酸劑。作為優(yōu)選的光產(chǎn)酸劑，可以列舉出例如，雙(4-叔丁基苯基)三氟曱烷磺酸碘鏘、三苯基三氟甲烷磺酸锍等的錄鹽系光產(chǎn)酸劑類、苯基-雙(三氯甲基)_8_三溱等的含有卣素的化合物系光產(chǎn)酸劑類、苯偶姻甲^t酸酯、N-幾基琥珀酰亞胺三氟甲烷磺酸酯等的磺酸系光產(chǎn)酸劑類等。上述光產(chǎn)酸劑相對(duì)于全部固形成分，為0.2~10質(zhì)量％、優(yōu)選0.4~5質(zhì)量％。作為溶解上述聚合物(a)和交聯(lián)劑成分、交聯(lián)催化劑等的溶劑，可以使用乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、二甘醇單曱基醚、二甘醇單乙基醚、丙二醇、丙二醇單曱基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、曱苯、二曱苯、曱基乙基酮、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基_2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基—3-甲基丁酸甲酉旨、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸曱酯、丙酮酸曱酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯等。這些有機(jī)溶劑可以單獨(dú)或組合使用2種以上。進(jìn)而，可以混合使用丙二醇單丁基醚、丙二醇單丁基醚乙酸酯等的高沸點(diǎn)溶劑。這些溶劑中，考慮到對(duì)流平性的提高，優(yōu)選丙二醇單甲基醚、丙二醇單曱基醚乙酸酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯和環(huán)己酮等。本申請(qǐng)發(fā)明中使用的含硅的硬掩模(B層)，含硅的硬掩模(B層)中的硅含量為15~45質(zhì)量％。硅成分來源于含有硅的聚合物(b)。含硅的聚合物(b)可以單獨(dú)使用聚硅烷(bl)、聚硅氧烷(b2)、或聚碳硅烷(b3),或者將它們組合使用。該含硅的硬掩才莫(B層)可以含有含硅聚合物(b)，所述含硅聚合物(b)含有聚硅烷(bl)、聚硅氧烷(b2)、聚碳硅烷(b3)或它們的組合。另外，含硅的硬掩模(B層)可以含有含硅聚合物(b),所述含硅聚合物(b)含有聚碳硅烷(b3)并且含有聚硅烷(bl)、聚硅氧烷(b2)或它們的組合。含硅的硬掩模(B層)，通過將形成含硅的硬掩模(B層)的組合物涂布在有機(jī)下層膜(A層)上，干燥，除去溶劑，來形成含硅的硬掩模(B層)。形成含硅的硬掩模(B層)的組合物含有含硅的聚合物(b)、交聯(lián)催化劑和溶劑。本發(fā)明中使用的形成含硅的硬掩模(B層)的組合物中的固形成分的比例，只要各成分均勻溶解，就沒有特別的限定，例如為1~50質(zhì)量％，或5~40質(zhì)量％，或10~30質(zhì)量％。這里，所謂固形成分，是從形成含硅的硬掩模(B層)的組合物的全部成分中除去溶劑成分后的成分。形成含硅的硬掩模(B層)的組合物中、含硅的聚合物(b)相對(duì)于固形成分，為10質(zhì)量％以上，例如30質(zhì)量％~99質(zhì)量％，例如50質(zhì)量％~99質(zhì)量％,例如65質(zhì)量％~99質(zhì)量％。在含硅的聚合物(b)中含有聚碳硅烷的情況下，聚硅烷(M)、聚硅氧烷(b2)或其組合的合計(jì)量(bl+b2)與聚碳硅烷(b3)的質(zhì)量比為，相對(duì)于100質(zhì)量份的(b3)，以1~10000質(zhì)量份的(bl+b2)的比例含有(bl+b2)。另外，相對(duì)于100質(zhì)量份的(bl)，配合1~10000質(zhì)量份的(b2)。聚硅烷樹脂(bl)包含式(bl-l):(式中、各R分別獨(dú)立地表示氫原子、羥基、碳原子數(shù)1~10的環(huán)狀或鏈狀烷基、碳原子數(shù)110的烷氧基、碳原子數(shù)7~15的芳烷基、碳原子數(shù)6-14的芳基、碳原子數(shù)7~15的芳基氧基烷基、碳原子數(shù)2~10的鏈烯基、或碳原子數(shù)2~10的烷氧基烷基，m為重復(fù)單元的數(shù)，表示10~300)、式(bl畫2):化ll化1221l一2)(式中、R和m與式(bl-l)中定義有相同的含義)、或它們的組合。式(bl-l)和式(bl-2)中、各R分別獨(dú)立地表示氫原子、羥基、碳原子數(shù)1~10的環(huán)狀或鏈狀烷基、碳原子數(shù)1~10的烷氧基、碳原子數(shù)7~15的芳烷基、碳原子數(shù)6~14的芳基、碳原子數(shù)715的芳基氧基烷基、碳原子數(shù)2~10的鏈烯基、或碳原子數(shù)210的烷M烷基。作為烷基，可以列舉出環(huán)狀或鏈狀烷基。作為碳原子數(shù)1~10的環(huán)狀烷基，可以列舉出例如環(huán)丙基、環(huán)丁基、1-甲基-環(huán)丙基、2-曱基-環(huán)丙基、環(huán)戊基、1-甲基-環(huán)丁基、2-曱基-環(huán)丁基、3-曱基-環(huán)丁基、1，2-二曱基-環(huán)丙基、2，3-二甲基-環(huán)丙基、1-乙基-環(huán)丙基、2-乙基-環(huán)丙基、環(huán)己基、1-甲基-環(huán)戊基、2-甲基-環(huán)戊基、3-曱基-環(huán)戊基、1-乙基-環(huán)丁基、2-乙基-環(huán)丁基、3-乙基-環(huán)丁基、1，2-二甲基-環(huán)丁基、1,3-二甲基-環(huán)丁基、2，2-二甲基-環(huán)丁基、2，3-二甲基-環(huán)丁基、2，4-二曱基-環(huán)丁基、3，3-二曱基-環(huán)丁基、1-正丙基-環(huán)丙基、2-正丙基-環(huán)丙基、l-異丙基-環(huán)丙基、2-異丙基-環(huán)丙基、1，2,2-三甲基-環(huán)丙基、1，2，3-三甲基-環(huán)丙基、2，2，3-三曱基-環(huán)丙基、l-乙基-2-曱基-環(huán)丙基、2-乙基-l-曱基-環(huán)丙基、2-乙基-2-甲基-環(huán)丙基和2-乙基-3-曱基-環(huán)丙基等。作為碳原子數(shù)l~IO的鏈狀烷基，是具有直鏈或分枝的烷基，可以列舉出例如曱基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、1-曱基-正丁基、2-曱基-正丁基、3-曱基-正丁基、l，l-二曱基-正丙基、1，2-二曱基-正丙基、2，2-二甲基-正丙基、1-乙基-正丙基、正己基、1-甲基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-甲基-正戊基、l，l-二曱基-正丁基、1，2-二甲基-正丁基、1，3-二甲基-正丁基、2，2-二甲基-正丁基、2,3-二曱基-正丁基、3,3-二甲基-正丁基、1-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1,1,2-三曱基-正丙基、1，2，2-三甲基-正丙基、1-乙基-1-甲基-正丙基和1-乙基-2-曱基-正丙基等。烷氧基，可以列舉出曱氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、1-曱基-正丁氧基、2-甲基-正丁氧基、3-曱基-正丁氧基、1,1-二曱基-正丙氧基、1，2-二曱基-正丙氧基、2，2-二曱基-正丙氧基、1-乙基-正丙氧基、正己基氧基、1-甲基-正戊基氧基、2-甲基-正戊基氧基、3-甲基-正戊基氧基、4-甲基-正戊基氧基、1,1-二甲基-正丁氧基、1，2-二甲基-正丁氧基、1，3-二曱基-正丁氧基、2，2-二曱基-正丁氧基、2，3-二曱基-正丁氧基、3，3-二甲基-正丁氧基、1-乙基-正丁氧基、2-乙基-正丁絲、1,1，2-三曱基-正丙基、1，2，2,-三甲基-正丙氧基、l-乙基-l-曱基-正丙氧基和1-乙基-2-曱基-正丙氧基等。作為碳原子數(shù)715的芳烷基，可以列舉出例如千基、鄰甲基節(jié)基、間曱基芐基、對(duì)曱基芐基、鄰氯節(jié)基、間氯芐基、對(duì)氯爺基、鄰氟芐基、對(duì)氟千基、鄰曱氧基節(jié)基、對(duì)甲氧基節(jié)基、對(duì)硝基千基、對(duì)氰基節(jié)基、苯乙基、鄰甲基苯乙基、間曱基苯乙基、對(duì)曱基苯乙基、鄰氯苯乙基、間氯苯乙基、對(duì)氯苯乙基、鄰氟苯乙基、對(duì)氟苯乙基、鄰甲氧基苯乙基、對(duì)曱氧基苯乙基、對(duì)硝基苯乙基、對(duì)氰基苯乙基、3-苯基丙基、4-苯基丁基、5-苯基戊基、6-苯基己基、a-萘基甲基、P-萘基甲基、鄰聯(lián)苯基曱基、間聯(lián)苯基曱基、對(duì)聯(lián)苯基曱基、l-蒽基甲基、2-蒽基甲基、9-蒽基曱基、1-菲基甲基、2-菲基曱基、3-菲基甲基、4-菲基甲基、9-菲基曱基、oc-萘基乙基、P-萘基乙基、鄰聯(lián)苯基乙基、間聯(lián)苯基乙基、對(duì)聯(lián)苯基乙基、1-蒽基乙基、2-蒽基乙基、9-蒽基乙基、l-菲基乙基、2-菲基乙基、3-菲基乙基、4-菲基乙基和9-菲基乙基。作為碳原子數(shù)6~14的芳基，可以列舉出例如苯基、鄰甲基苯基、間甲基苯基、對(duì)甲基苯基、鄰氯苯基、間氯苯基、對(duì)氯苯基、鄰氟苯基、對(duì)氟苯基、鄰曱氧基苯基、對(duì)甲氧基苯基、對(duì)硝基苯基、對(duì)氰基苯基、a-萘基、P-萘基、鄰聯(lián)苯基、間聯(lián)苯基、對(duì)聯(lián)苯基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、l-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基和9-菲基。作為碳原子數(shù)7~15的芳基氧基烷基，可以列舉出苯基氧基甲基、鄰23曱基苯基氧基乙基、間曱基苯基氧基曱基、對(duì)甲基苯基氧基丙基、鄰氯苯基氧基曱基、間氯苯基氧基乙基、對(duì)氯苯基氧基異丙基、鄰氟苯基氧基乙基、對(duì)氟苯基氧基丁氧基、鄰甲氧基苯基氧基-正戊基、對(duì)甲氧基苯基氧基-叔丁基、對(duì)硝基苯基氧基甲基、對(duì)^&苯基|^-仲丁基、a-萘基氧基曱基、P-萘基氧基乙基、鄰聯(lián)苯基氧基甲基、間聯(lián)苯基氧基甲基、對(duì)聯(lián)苯基氧基甲基、1-蒽基氧基甲基、2-蒽基氧基甲基、9-蒽基氧基曱基、1-菲基氧基曱基、2-菲基氧基甲基、3-菲基氧基甲基、4-菲基氧基甲基和9-菲基氧基曱基。作為碳原子數(shù)2~10的鏈烯基，可以列舉出，乙烯基、l-丙烯基、2-丙烯基、l-甲基-l-乙烯基、l-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-曱基-l-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、l-曱基-l-丙烯基、l-曱基-2-丙烯基、l-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-正丙基乙烯基、l-甲基-l-丁烯基、l-曱基-2-丁烯基、l-甲基-3-丁烯基、2-乙基-2-丙烯基、2-甲基-l-丁烯基、2-曱基-2-丁烯基、2-甲基-3-丁烯基、3-曱基-l-丁烯基、3-甲基-2-丁烯基、3-甲基-3-丁烯基、1，1-二曱基-2-丙烯基、1-異丙基乙烯基、1，2-二甲基-l-丙烯基、1，2-二曱基-2-丙烯基、l-環(huán)戊烯基、2-環(huán)戊烯基、3-環(huán)戊烯基、l-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、l-甲基-l-戊烯基、1-甲基-2-戊烯基、l-甲基-3-戊烯基、l-甲基-4-戊烯基、1-正丁基乙烯基、2-曱基-l-戊烯基、2-甲基-2-戊烯基、2-曱基-3-戊烯基、2-甲基-4-戊烯基、2-正丙基-2-丙烯基、3-曱基-l-戊烯基、3-甲基-2-戊烯基、3-曱基-3-戊烯基、3-曱基-4-戊烯基、3-乙基-3-丁烯基、4-甲基-l-戊烯基、4-甲基-2-戊烯基、4-曱基-3-戊烯基、4-曱基-4-戊烯基、1，1-二曱基-2-丁烯基、1，1-二曱基-3-丁烯基、1，2-二甲基-1-丁烯基、1，2-二曱基-2-丁烯基、1，2-二曱基-3-丁烯基、l-甲基-2-乙基-2-丙烯基、1-仲丁基乙烯基、1，3-二甲基-1-丁烯基、1,3-二甲基-2-丁烯基、1，3-二曱基-3-丁烯基、1-異丁基乙烯基、2，2-二甲基-3-丁烯基、2，3-二甲基-1-丁烯基、2，3-二甲基-2-丁烯基、2，3-二甲基-3-丁烯基、2-異丙基-2-丙烯基、3，3-二甲基-1-丁烯基、l-乙基-l-丁烯基、l-乙基-2-丁烯基、l-乙基-3-丁烯基、l-正丙基-l-丙烯基、l-正丙基-2-丙烯基、2-乙基-l-丁烯基、2-乙基-2-丁烯基、2-乙基-3-丁烯基、1，1，2-三曱基-2-丙烯基、1-叔丁基乙烯基、l-甲基-l-乙基-2-丙烯基、l-乙基-2-曱基-l-丙烯基、l-乙基-2-曱基-2-丙烯基、l-異丙基-l-丙烯基、l-異丙基-2-丙烯基、l-甲基-2-環(huán)戊烯基、1-曱基_3-環(huán)戊烯基、2-甲基-l-環(huán)戊烯基、2-曱基-2-環(huán)戊烯基、2-甲基-3-環(huán)戊烯基、2-甲基-4-環(huán)戊烯基、2-曱基-5-環(huán)戊烯基、2-亞甲基-環(huán)戊基、3-甲基-l-環(huán)戊烯基、3-甲基-2-環(huán)戊烯基、3-曱基-3-環(huán)戊烯基、3-曱基-4-環(huán)戊烯基、3-甲基-5-環(huán)戊烯基、3-亞曱基-環(huán)戊基、l-環(huán)己烯基、2-環(huán)己烯基和3-環(huán)己烯基等。作為碳原子數(shù)210的烷氧基烷基，可以列舉出例如甲氧基甲基、乙氧基曱基、正丙氧基乙基、異丙氧基曱基、正丁氧基曱基、異丁氧基乙基、仲丁氧基甲基、叔丁氧基乙基、正戊氧基-異丙基、1-甲基-正丁氧基甲基、2-曱基-正丁氧基乙基、3-甲基-正丁氧基乙基、1，1-二曱基-正丙氧基甲基、1，2-二甲基-正丙氧基乙基、2，2-二甲基-正丙氧基乙基、1-乙基-正丙氧基-叔丁基、正己基氧基甲基、1-甲基-正戊基氧基甲基、2-甲基-正戊基氧基乙基、3-曱基-正戊基氧基丙基、4-曱基-正戊基氧基-仲丁基、1，l-二甲基-正丁氧基曱基、1，2-二甲基-正丁氧基乙基、1，3-二甲基-正丁氧基乙基、2，2-二曱基-正丁氧基-異丙基、2,3-二甲基-正丁氧基乙基、3，3-二曱基-正丁氧基丙基、1-乙基-正丁氧基乙基、2-乙基-正丁氧基甲基、1，1,2-三甲基-正丙氧基-叔丁基、1，2，2-三曱基-正丙氧基乙基、l-乙基-l-甲基-正丙氧基乙基和l-乙基-2-曱基-正丙氧基曱基等。具有式(bl-l)的結(jié)構(gòu)的樹脂中，m為重復(fù)單元的數(shù)，表示10~300的整數(shù)。具有式(bl-l)的結(jié)構(gòu)的樹脂的重均分子量為400~12000、或2000~12000。具有式(bl-2)的結(jié)構(gòu)的樹脂中，R可以從上述式(bl-l)所示的取代基的種類中選擇。另外，m可以從上述式(M-l)所示的相同的范圍中選擇。聚硅烷樹脂(bl)中，可以列舉出具有式(bl-l)的結(jié)構(gòu)的聚合物、具有式(bl-2)的結(jié)構(gòu)的聚合物、具有式(bl-l)和式(bl-2)的結(jié)構(gòu)的聚合物。單獨(dú)使用了式(bl-l)和式(bl-2)的結(jié)構(gòu)的聚合物的情況下，組合使用了式(bl-l)和式(bl-2)的結(jié)構(gòu)的聚合物的情況下，這些重復(fù)單元的數(shù)m的合計(jì)為10~300,重均分子量為400~12000、或2000~12000。上述聚硅烷優(yōu)選式(bl-l)中的m:式(bl-2)中的m的比為30%~70%:70%~30%。在聚珪烷(bl)中，在該樹脂的兩末端存在羥基。該羥基在式(bl-l)~式(M-2)的聚合物之間或這些聚合物與聚硅氧烷、聚碳硅烷之間通過熱烘烤而發(fā)生縮聚反應(yīng)，進(jìn)行3維交聯(lián)。其結(jié)果變得不溶于溶劑。聚硅氧烷(b2)例如是具有式(b2-l)~式(b2-3)所示的結(jié)構(gòu)的樹脂。聚硅氧烷(b2)是式(b2-l):化13<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>(式中、m與式(bl-l)中定義表示相同的含義)、或它們的組合。式(b2-l)~式(b2-3)中，R可以分別從上述式(bl-l)所示的取代基的種類中選擇。另外，m可以從與上述式(bl-l)所示相同的范圍中選擇。聚硅氧烷(b2)，可以列舉出，具有式(b2-l)的結(jié)構(gòu)的聚合物、具有式(b2-2)的結(jié)構(gòu)的聚合物、具有式(b2-3)的結(jié)構(gòu)的聚合物、具有式(b2-l)和式(b2-2)的結(jié)構(gòu)的聚合物、具有式(b2-l)和式(b2-3)的結(jié)構(gòu)的聚合物、具有式(b2-2)和式(b2-3)的結(jié)構(gòu)的聚合物、具有式(b2-l)和式(b2-2)和式(b2-3)的結(jié)構(gòu)的聚合物。聚硅氧烷樹脂(b2)，在單獨(dú)使用了式(b2-l)~式(b2-3)的結(jié)構(gòu)的聚合物的情況下、任意組合了式(b2-l)~式(b2-3)的結(jié)構(gòu)的聚合物的情況下，重復(fù)單元的數(shù)m的合計(jì)表示10~300的整數(shù)，重均分子量為400~12000、或2000~12000。上述聚硅氧烷優(yōu)選全部聚硅氧烷中的式(b2-2)的結(jié)構(gòu)占有的質(zhì)量的比例為30質(zhì)量％以上、優(yōu)選40質(zhì)量％以上。具有式(b2-l)~式(b2-3)的結(jié)構(gòu)的聚合物的兩末端存在羥基。該羥基在式(b2-l)~式(b2-3)的聚合物之間、或這些樹脂與聚硅烷、聚碳硅烷之間通過熱烘烤而發(fā)生縮聚反應(yīng)，進(jìn)行3維的交聯(lián)。其結(jié)果、變得不溶于溶劑。聚碳硅烷樹脂(b3)例如是具有式(b3-l)和式(b3-2)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物。聚碳硅烷樹脂(b3)是式(b3-l):(式中、R和m與式(bl-l)中定義表示相同的含義)、(b3-2):化17(式中、R和m與式(bl-l)中定義具有相同的意義，n是重復(fù)單元的數(shù)，表示1~10)、或它們的組合。式(b3-l)~式(b3-2)中，R可以分別從上述式(bl-l)所示的取化16,R(CH2)R式(b3—2)代基的種類中選擇。另外，m可以從與上述式(bl-l)所示相同的范圍中選擇。聚碳硅烷(b3)中，可以列舉出具有式(b3-l)的結(jié)構(gòu)的聚合物、具有式(b3-2)的結(jié)構(gòu)的聚合物、具有式(b3-l)和式(b3-2)的結(jié)構(gòu)的聚合物。單獨(dú)使用了式(b3-l)和式(b3-2)的結(jié)構(gòu)的聚合物的情況下、組合^f吏用了式(b3-l)和式(b3-2)的結(jié)構(gòu)的聚合物的情況下，這些重復(fù)單元的數(shù)m的合計(jì)表示10~300的整數(shù)，重均分子量為400~12000、或2000~12000。在具有式(b3-l)~式(b3-2)的結(jié)構(gòu)的聚合物的兩末端存在羥基。該羥基在式(b3-l)~式(b3-2)的樹脂之間、或在這些樹脂與聚硅烷樹脂、聚硅氧烷樹脂之間通過熱烘烤產(chǎn)生縮聚反應(yīng)，進(jìn)行3維的交聯(lián)。其結(jié)果，變得不溶于溶劑。上述聚碳硅烷，優(yōu)選全部聚碳硅烷中的式(b3-l)的結(jié)構(gòu)占有的質(zhì)量的比例為50質(zhì)量％以上、優(yōu)選70質(zhì)量％以上。形成含硅的硬掩模(B層)的組合物中使用的交聯(lián)催化劑例如可以使用質(zhì)子酸?？梢粤信e出例如，對(duì)曱苯磺酸、三氟甲烷磺酸、對(duì)曱恭璜酸吡咬錯(cuò)、磺基水楊酸和樟腦磺酸等的磺酸化合物。另外，可以列舉出水楊酸、檸檬酸、苯曱酸和羥基苯甲酸等的羧酸化合物。作為交聯(lián)催化劑，可以優(yōu)選使用芳香族磺酸化合物。作為芳香族磺酸化合物的具體例，可以列舉出對(duì)甲苯磺酸、對(duì)曱笨璜酸吡梵條t、磺基水楊酸、4-氯笨璜酸、4-羥基M酸、苯二磺酸、l-恭璜酸和l-M酸吡咬錄等。交聯(lián)催化劑可以僅使用一種，另外，也可以組合使用兩種以上。交聯(lián)催化劑，相對(duì)于含珪的聚合物(b)100質(zhì)量份，為0.1~10質(zhì)量份、或0.5~5質(zhì)量份、或13質(zhì)量份。形成含硅的硬掩模(B層)的組合物，除了上述成分之外，根據(jù)需要可以含有聚合物化合物、光產(chǎn)酸劑和表面活性劑等。通過使用聚合物化合物，可以調(diào)節(jié)本發(fā)明中使用的形成含硅的硬掩模(B層)的組合物形成的膜的干蝕刻速度(每單位時(shí)間的膜厚的減少量)、衰減系數(shù)和折射率等。作為聚合物化合物，沒有特別的限定，可以使用各種聚合物?？梢允褂每s聚聚合物和加聚聚合物等?？梢允褂镁埘?、聚苯乙烯、聚酰亞胺、丙烯酸聚合物、曱基丙烯酸聚合物、聚乙烯基醚、苯酚酚醛清漆、萘酚酚醛清漆、聚醚、聚酰胺、聚碳酸酯等的加聚聚合物和縮聚聚合物。優(yōu)選使用具有作為吸光部位而起作用的苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、三嗪環(huán)、會(huì)啉環(huán)和喹喔啉環(huán)等的芳香環(huán)結(jié)構(gòu)的聚合物。作為這樣的聚合物化合物，可以列舉出例如，含有丙烯酸芐基酯、曱基丙烯酸千基酯、丙烯酸苯基酯、丙烯酸萘基酯、曱基丙烯酸蒽基酯、曱基丙烯酸蒽基甲基酯、苯乙烯、羥基苯乙烯、千基乙烯基醚和N-苯基馬來酰亞胺等的加聚性單體作為其結(jié)構(gòu)單元的加聚聚合物、苯酚酚醛清漆和萘酚酚醛清漆等的縮聚聚合物。在作為聚合物化合物使用加聚聚合物的情況下，該聚合物化合物可以為均聚物，也可以為共聚物。加聚聚合物的制造中，使用加聚性單體。作為這樣的加聚性單體，可以列舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、丙烯酰胺化合物、曱基丙烯酰胺化合物、乙烯系化合物、苯乙烯化合物、馬來酰亞胺化合物、馬來酸酐、丙烯腈等。作為丙烯酸酯化合物，可以列舉出丙烯酸甲基酯、丙烯酸乙基酯、丙烯酸正己基酯、丙烯酸異丙基酯、丙烯酸環(huán)己基酯、丙烯酸千基酯、丙烯酸苯基酯、丙烯酸蒽基曱基酯、丙烯酸2-羥基乙基酯、丙烯酸3-氯-2-羥基丙基酯、丙烯酸2-羥基丙基酯、丙烯酸2，2，2-三氟乙基酯、丙烯酸2,2,2-三氯乙基酯、丙烯酸2-溴乙基酯、丙烯酸4-羥基丁基酯、丙烯酸2-甲氧基乙基酯、丙烯酸四氫糠基酯、丙烯酸2-曱基-2-金剛烷基酯、5-丙烯酰氧基-6-羥基降冰片烯-2-羧酸-6-內(nèi)酯、3-丙烯酰氧丙基三乙氧M烷和丙烯酸縮水甘油基酯等。作為曱基丙烯酸酯化合物，可以列舉出甲基丙烯酸甲基酯、曱基丙烯酸乙基酯、甲基丙烯酸正己基酯、曱基丙烯酸異丙基酯、曱基丙烯酸環(huán)己基酯、甲基丙烯酸節(jié)基酯、曱基丙烯酸苯基酯、曱基丙烯酸蒽基甲基酯、曱基丙烯酸2-羥基乙基酯、曱基丙烯酸2-羥基丙基酯、甲基丙烯酸2，2，2-29三氟乙基酯、曱基丙烯酸2，2，2-三氯乙基酯、曱基丙烯酸2-溴乙基酯、曱基丙烯酸4-羥基丁基酯、曱基丙烯酸2-甲氧基乙基酯、甲基丙烯酸四氫糠基酯、曱基丙烯酸2-曱基-2-金剛烷基酯、5-甲基丙烯酰氧基-6-羥基降冰片烯-2-羧酸-6-內(nèi)酯、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧M烷、曱基丙烯酸縮水甘油基酯、甲基丙烯酸2-苯基乙基酯、曱基丙烯酸羥基苯基酯和曱基丙烯酸溴苯基酯等。作為丙烯酰胺化合物，可以列舉出丙烯酰胺、N-曱基丙烯酰胺、N-乙基丙烯酰胺、N-千基丙烯酰胺、N-苯基丙烯酰胺、N，N-二曱基丙烯酰胺和N-蒽基丙烯酰胺等。作為甲基丙烯酰胺化合物，可以列舉出曱基丙烯酰胺、N-甲基曱基丙烯酰胺、N-乙基甲基丙烯酰胺、N-千基甲基丙烯酰胺、N-苯基甲基丙烯酰胺、N，N-二曱基曱基丙烯酰胺和N-蒽基丙烯酰胺等。作為乙烯系化合物，可以列舉出乙烯基醇、2-羥基乙基乙烯基醚、曱基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、千基乙烯基醚、乙烯基乙酸、乙烯基三甲氧基珪烷、2-氯乙基乙烯基醚、2-甲氧基乙基乙烯基醚、乙烯基萘和乙烯基蒽等。作為苯乙烯化合物，可以列舉出苯乙烯、羥基苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯、甲氧基苯乙烯、氰基苯乙烯和乙?；揭蚁┑?。作為馬來酰亞胺化合物，可以列舉出馬來酰亞胺、N-甲基馬來酰亞胺、N-苯基馬來酰亞胺、N-環(huán)己基馬來酰亞胺、N-節(jié)基馬來酰亞胺和N-羥基乙基馬來酰亞胺等。作為聚合物使用縮聚聚合物的情況下，作為這樣的聚合物，可以列舉出例如，二醇化合物與二羧酸化合物的縮聚聚合物。作為二醇化合物，可以列舉出二甘醇、六亞曱基二醇、丁二醇等。作為二羧酸化合物，可以列舉出琥珀酸、己二酸、對(duì)苯二甲酸、馬來酸酐等。另外，可以列舉出例如，聚聚均苯四酰亞胺、聚(對(duì)亞苯基對(duì)苯二甲酰胺)、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚對(duì)苯二曱酸乙二酯等的聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺。作為聚合物化合物的具體例，可以列舉出聚苯乙烯、聚(4-羥基)苯乙烯、聚曱基丙烯酸甲基酯、曱基丙烯酸曱基酯與4-羥基苯乙烯的共聚合聚合物、聚(2-羥基丙基)甲基丙烯酸酯、曱基丙烯酸2-羥基丙基酯與甲基丙烯酸蒽基曱基酯的共聚合聚合物、乙烯基醚與甲基乙烯基醚的共聚合聚合物、甲基丙烯酸2-羥基丙基酯與曱基丙烯酸節(jié)基酯的共聚合聚合物、丙烯酸2-羥基乙基酯與馬來酰亞胺的共聚合聚合物、曱基丙烯酸2-羥基丙基酯與苯乙烯與甲基丙烯酸曱基酯的共聚合聚合物、曱基丙烯酸縮水甘油基酯與曱基丙烯酸2-羥基丙基酯的共聚合聚合物、和、苯乙烯與4-羥基苯乙烯的共聚合聚合物等。聚合物化合物中含有羥基的情況下，該羥基可以與含硅的聚合物形成交;^應(yīng)。作為聚合物化合物，可以使用重均分子量例如為1000~1000000、或3000~300000、或5000~200000、或10000~100000的聚合物化合物。聚合物化合物可以僅使用一種，也可以組合使用兩種以上。聚合物化合物在形成含硅的硬掩模(B層)的組合物中使用的情況下、作為其比例，相對(duì)于含硅的聚合物(b)100質(zhì)量份，為1~200質(zhì)量份、或5~100質(zhì)量份、或10~50質(zhì)量份、或2030質(zhì)量份。光產(chǎn)酸劑在光致抗蝕劑的膝光時(shí)產(chǎn)生酸。因此，可以調(diào)節(jié)下層膜的酸度。這是用于使下層膜的酸度與上層的光致抗蝕劑的酸度一致的方法之一。另外，通過調(diào)節(jié)下層膜的^，可以調(diào)節(jié)上層形成的光致抗蝕劑的圖形形狀。作為本發(fā)明的形成含硅的硬掩模(B層)的組合物中含有的光產(chǎn)酸劑，可以列舉出鑰鹽化合物、磺酰亞胺化合物和二磺酰重氮基甲烷化合物等。作為総鹽化合物，可列舉出，二苯基六氟磷酸碘鎗鹽、二苯基三氟曱烷磺酸碘総鹽、二苯基九氟正丁烷磺酸碘総鹽、二苯基全氟正辛烷磺酸碘総鹽、二苯基樟腦磺酸硪総鹽、雙(4-叔丁基苯基)樟腦磺酸碟総鹽和雙(4-叔丁基苯基)三氟曱烷磺酸碘総鹽等碘総鹽化合物、及三苯基六氟銻酸锍鹽、三苯基九氟正丁烷磺酸锍鹽、三苯基樟腦磺酸锍鹽、及三苯基三氟甲烷磺酸锍鹽等锍鹽化合物。31作為磺酰亞胺化合物，可列舉出例如N-(三氟甲烷磺酰氧基)琥珀酰亞胺、N-(九氟正丁烷磺酰氧基)琥珀酰亞胺、N-(樟腦磺酰氧基)琥珀酰亞胺及N-(三氟曱烷磺酰氧基)萘酰亞胺等。作為二磺?；氐獣跬榛衔?，可列舉出例如，雙(三氟曱基磺?；?重氮甲烷、雙(環(huán)己基磺?；?重氮甲烷、雙(苯基磺?；?重氮甲烷、雙(對(duì)曱苯磺?；?重氮甲烷、雙(2，4-二曱基笨璜?；?重氮甲烷、及曱基磺?；?對(duì)曱^t?；氐獣跬?。光產(chǎn)酸劑可只使用一種，也可將2種以上組合使用。光產(chǎn)酸劑在形成含硅的硬掩模(B層)的組合物中使用的情況下、作為其比例，相對(duì)于含珪的聚合物(b)100質(zhì)量份，為0.015質(zhì)量份、或0.1~3質(zhì)量份、或0.51質(zhì)量份。作為本發(fā)明的形成含硅的硬掩模(B層)的組合物中使用的溶劑，只要是可以溶解上述的固形成分的溶劑即可、可以沒有特別限制地使用。作為這樣的溶劑，可以列舉出例如，曱基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、丙二醇、丙二醇單曱基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯、丙二醇單丁基醚乙酸酯、甲苯、二曱苯、甲基乙基酮、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸曱酯、3-曱氧基丙酸甲酯、3-曱氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸曱酯、丙酮酸曱酯、丙酮酸乙酯、乙二醇單曱基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、乙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單丙基醚乙酸酯、乙二醇單丁基醚乙酸酯、二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇二丙基醚、二甘醇二丁基醚丙二醇單曱基醚、丙二醇二曱基醚、丙二醇二乙基醚、丙二醇二丙基醚、丙二醇二丁基醚、乳酸乙酯、乳酸丙基酯、乳酸異丙基酯、乳酸丁酯、乳酸異丁基酯、甲酸曱酯、曱酸乙酯、甲酸丙基酯、甲酸異丙基酯、曱酸丁酯、曱酸異丁基酯、曱酸戊基酯、甲酸異戊基酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊基酯、乙酸異戊基酯、乙酸己基酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙基酯、丙酸異32丙基酯、丙酸丁酯、丙酸異丁基酯、丁酸曱酯、丁酸乙酯、丁酸丙基酯、丁酸異丙基酯、丁酸丁酯、丁酸異丁基酯、羥基乙酸乙酯、2-鞋基-2-甲基丙酸乙酯、3-甲氧基-2-甲基丙酸曱酯、2-羥基-3-甲基丁酸曱酯、甲M乙酸乙酯、乙氡基乙酸乙酯、3-曱氡基丙酸甲酯、3-乙氡基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丙基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丁酸酯、乙酰乙酸甲酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、甲基丙基酮、曱基丁基酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、環(huán)己酮、N、N-二甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-曱基吡咯烷酮和Y-丁內(nèi)酯等。這些溶劑可以單獨(dú)使用，也可以兩種以上的組合^f吏用。本發(fā)明中使用的有機(jī)防反射膜(C層)優(yōu)選使用有機(jī)防反射膜(C層)中含有的聚合物的分子結(jié)構(gòu)與光致抗蝕劑膜(D層)中含有的聚合物的分子結(jié)構(gòu)近似的有機(jī)防反射膜。本發(fā)明中使用的有機(jī)防反射膜(C層)包含在構(gòu)成聚合物的主鏈或與主鏈結(jié)合的側(cè)鏈具有苯環(huán)、雜環(huán)或它們的組合的聚合物。其中優(yōu)選下述聚合物，即，在與構(gòu)成聚合物的主鏈結(jié)合的側(cè)鏈具有苯環(huán)、雜環(huán)或它們的組合的聚合物。有機(jī)防反射膜(C層)的聚合物中含有的雜環(huán)優(yōu)選列舉出內(nèi)酯環(huán)、或三溱環(huán)。有機(jī)防反射膜(C層)優(yōu)選聚合物中的苯環(huán)的含有率為30~70質(zhì)量％。上述苯環(huán)包括聚合物主鏈中含有的亞苯基等來源的苯環(huán)、與聚合物主鏈結(jié)合的側(cè)鏈中含有的苯基、亞苯基等來源的苯環(huán)等的聚合物中含有的全部苯環(huán)，其質(zhì)量不包括與苯環(huán)結(jié)合的取代基，另外，上述苯環(huán)不包括萘環(huán)、蒽環(huán)。有機(jī)防反射膜(C層)，通過將形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物涂布在含硅的硬掩模(B層)的上部，通過烘烤除去溶劑，形成有機(jī)防反射膜(C層)。形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物包含聚合物(c)、交聯(lián)劑和溶劑，作為任意成分含有交聯(lián)催化劑、表面活性劑的形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物的固形成分為0.1~50質(zhì)量％、或5~40質(zhì)量％、或10~30質(zhì)量％。這里，所謂固形成分，是指從形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物的全成分除去溶劑成分后的成分。形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物中、聚合物(c)相對(duì)于固形成分，為10質(zhì)量％以上、例如30質(zhì)量％~99質(zhì)量％、例如50質(zhì)量％~99質(zhì)量%、例如65質(zhì)量％~99質(zhì)量％。形成上述有機(jī)防反射膜(C層)的聚合物優(yōu)選含有內(nèi)酯結(jié)構(gòu)(內(nèi)酯環(huán))的樹脂(cl)。上述聚合物(cl)是在主鏈或與主鏈連接的側(cè)鏈導(dǎo)入有具有五員環(huán)結(jié)構(gòu)的Y(Gamma伽馬)-內(nèi)酯結(jié)構(gòu)或具有六員環(huán)結(jié)構(gòu)的5(Delta)-內(nèi)酯結(jié)構(gòu)的聚合物。上述聚合物(cl)的分子量根據(jù)使用的涂布溶劑、溶液粘度、膜形狀等而改變，作為重均分子量，為1000~1000000、優(yōu)選1000~200000、進(jìn)一步優(yōu)選1000~100000。上述聚合物(cl)中使用的Y-內(nèi)酯是具有五員環(huán)結(jié)構(gòu)的內(nèi)酯，可以列舉出例如Y-丁內(nèi)酯、Y-戊內(nèi)酯、4-羥乙酰乙酸內(nèi)酯等的取代、非取代的Y-內(nèi)酯。另外，5-內(nèi)酯是具有六員環(huán)結(jié)構(gòu)的內(nèi)酯，可以列舉出例如5-戊內(nèi)酉旨、5-己內(nèi)酯等的取代、非取代的5-內(nèi)酯。上述聚合物(cl)可以使用例如在與主鏈連接的側(cè)鏈結(jié)合有具有內(nèi)酯結(jié)構(gòu)的化合物的樹脂，作為這些樹脂，是至少具有式(cl-l)的結(jié)構(gòu)單元的樹脂?；?8上述式(cl-l)中、Q表示連接P和R1的二價(jià)的連接基，R1表示碳原子數(shù)2~碳原子數(shù)4的三價(jià)的烴基，P表示構(gòu)成主鏈的結(jié)合基，W表示氫原子、甲基、或鹵素原子。R'所示的碳原子數(shù)2碳原子數(shù)4的三價(jià)的烴基是構(gòu)成內(nèi)酯環(huán)、在這些烴基的一處通過Q而與P結(jié)合的烴基，該烴基存在有取代基的情況和非取代的情況。具有上述式(cl-l)的結(jié)構(gòu)的聚合物，可以通過例如丙烯酸、離化丙烯酸、甲基丙烯酸等的丙烯酸類樹脂與a-溴-Y-丁內(nèi)酯、a-溴-5-戊內(nèi)酯等的內(nèi)酯反應(yīng)來制造。另外，作為本發(fā)明中使用的上述樹脂，可以采用共聚物(cl-2)的結(jié)構(gòu)，所述共聚物(cl-2)的結(jié)構(gòu)是在主鏈具有丙烯酸類樹脂、在側(cè)鏈具有Y-內(nèi)酯或其衍生物、或5-內(nèi)酯或其衍生物的結(jié)構(gòu)單元與丙烯酸類樹脂形成的結(jié)構(gòu)單元組合而成的。上述(cl-2)的聚合物在形成有機(jī)防反射膜(C層)時(shí)，隨著Y-內(nèi)酯結(jié)構(gòu)、5-內(nèi)酯結(jié)構(gòu)或它們組合的結(jié)構(gòu)單元的導(dǎo)入量的增加，干蝕刻速度增加。作為其優(yōu)選的比例，具有(x)個(gè)重復(fù)單元的內(nèi)酯環(huán)來源的單元結(jié)構(gòu)的比例為1~76%(x/x+y),具有(y)個(gè)重復(fù)單元的相當(dāng)于丙烯酸類樹脂的單元結(jié)構(gòu)的比例為99~24%(y/x+y)。上述(cl-2)中的x和y表示重復(fù)單元數(shù)，x=5~5000、y=2~5000，Q和R'與上述(cl-l)中定義表示相同的含義。112和113表示氫原子、甲基或卣素原子，W表示氫原子、取代或非取代的碳原子數(shù)110的烷基、取代或非取代的芳烷基、取代或非取代的碳環(huán)式芳香族基、或取代或非取代的雜環(huán)式芳香族基?；?9這里，作為議4的優(yōu)選的碳原子數(shù)1~10的烷基，可以列舉出曱基、乙基、正丙基、異丙基、環(huán)丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、環(huán)丁基、1-甲基-環(huán)丙基、2-曱基-環(huán)丙基、正戊基、1-甲基-正丁基、2-甲基-正丁基、3-甲基-正丁基、l，l-二曱基-正丙基、1，2-二曱基-正丙基、2，2-二曱基-正丙基、1-乙基-正丙基、環(huán)戊基、1-曱基-環(huán)丁基、2-甲基-環(huán)丁基、3-曱基-環(huán)丁基、1，2-二甲基-環(huán)丙基、2，3-二曱基-環(huán)丙基、1-乙基-環(huán)丙基、2-乙基-環(huán)丙基、正己基、1-曱基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-曱基-正戊基、l，l-二甲基-正丁基、1，2-二甲基-正丁基、1，3-二甲基-正丁基、2，2-二甲基-正丁基、2，3-二甲基-正丁基、3，3-二甲基-正丁基、l-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1，1，2-三甲基-正丙基、1，2，2-三甲基-正丙基、1-乙基-l-甲基-正丙基、l-乙基-2-甲基-正丙基、環(huán)己基、1-甲基-環(huán)戊基、2-曱基-環(huán)戊基、3-曱基-環(huán)戊基、1-乙基-環(huán)丁基、2-乙基-環(huán)丁基、3-乙基-環(huán)丁基、1，2-二曱基-環(huán)丁基、1，3-二曱基-環(huán)丁基、2，2-二曱基-環(huán)丁基、2，3-二曱基-環(huán)丁基、2，4-二甲基-環(huán)丁基、3，3-二甲基-環(huán)丁基、1-正丙基-環(huán)丙基、2-正丙基-環(huán)丙基、1-異丙基-環(huán)丙基、2-異丙基-環(huán)丙基、1，2，2-三甲基-環(huán)丙基、1，2，3-三甲基-環(huán)丙基、2,2，3-三甲基-環(huán)丙基、l-乙基-2-甲基-環(huán)丙基、2-乙基-l-曱基-環(huán)丙基、2-乙基-2-曱基-環(huán)丙基和2-乙基-3-甲基-環(huán)丙基等。另外，可以列舉出，羥基乙基、羥基丙基、羥基丁基那樣的被羥基取代的烷基、三氯乙基、三氟乙基那樣的被卣素原子取代的烷基等。作為優(yōu)選的碳原子數(shù)6~20的芳烷基，可以列舉出千基、鄰-曱基芐基、間-甲基芐基、對(duì)甲基芐基、鄰-氯芐基、間-氯芐基、對(duì)氯芐基、鄰-氟芐基、對(duì)_氟芐基、鄰-曱氧基芐基、對(duì)-曱氧基芐基、對(duì)-硝基芐基、對(duì)-氰基芐基、苯乙基、鄰-曱基苯乙基、間-甲基苯乙基、對(duì)甲基苯乙基、鄰-氯苯乙基、間-氯苯乙基、對(duì)氯苯乙基、鄰-氟苯乙基、對(duì)-氟苯乙基、鄰-曱氧基苯乙基、對(duì)-甲氧基苯乙基、對(duì)-硝基苯乙基、對(duì)-氰基苯乙基、3-苯基丙基、4-苯基丁基、5-苯基戊基、6-苯基己基、a-萘基甲基、P-萘基曱基、鄰-聯(lián)苯基曱基、間-聯(lián)苯基曱基、對(duì)聯(lián)苯基甲基、l-蒽基甲基、2-蒽基甲基、9-蒽基甲基、l-菲基曱基、2-菲基甲基、3-菲基曱基、4-菲基曱基、9-菲基曱基、a-萘基乙基、P-萘基乙基、鄰-聯(lián)苯基乙基、間-聯(lián)苯基乙基、對(duì)聯(lián)苯基乙基、l-蒽基乙基、l-蒽基甲基、2-蒽基乙基、9-蒽基乙基、l-菲基乙基、2-菲基乙基、3-菲基乙基、4-菲基乙基和9-菲基乙基。另外，作為優(yōu)選的碳原子數(shù)6~20的碳環(huán)式芳香族基，可以列舉出苯基、鄰-甲基苯基、間-甲基苯基、對(duì)甲基苯基、鄰-氯苯基、間-氯苯基、對(duì)氯苯基、鄰_氟苯基、對(duì)-氟苯基、鄰-曱氧基苯基、對(duì)-曱氧基苯基、對(duì)-硝基苯基、對(duì)-氰基苯基、a-萘基、P-萘基、鄰-聯(lián)苯基、間-聯(lián)苯基、對(duì)聯(lián)苯基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、l-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基和9-菲基。作為優(yōu)選的雜環(huán)式芳香族基，可以列舉出，2-噻吩基、3-噻吩基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-吡喃基、3-吡喃基、4-吡喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并吹喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、2-苯并瘞吩基、3-苯并噻吩基、4-苯并噻吩基、5-苯并噢吩基、6-苯并噻吩基、7-苯并噻吩基、1-異苯并噻吩基、4-異苯并噻吩基、5-異苯并噻吩基、2-苯并吡喃基、3-苯并p比喃基、4-苯并吡喃基、5-苯并吡喃基、6-苯并吡喃基、7-苯并吡喃基、8-苯并吡喃基、1-p比咯基、2-他咯基、3-吡咯基、l-咪哇基、2-咪哇基、4-咪唑基、1-p比哇基、3』比峻基、4-p比喳基、2-蓉峻基、4-噢峻基、5-漆唑基、3-異噻唑基、4-異噻唑基、5-異噻唑基、2-喁唑基、4-喁唑基、5-喁哇基、3-異噁唑基、4-異噁唑基、5-異喁唑基、2-他咬基、3-p比M、4-吡咬基、2陽p比漆基、5-嘧咬基、3-喊喚基、4-迷噢基、1-中氮茚基、2-中氮茚基、3-中氮茚基、5-中氮茚基、6-中氮茚基、7-中氮茚基、8-中氮茚基、l-異吲哚基、4-異吲咮基、5-異吲哚基、l-吲哚基、2-吲咮基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、l-吲唑基、2-吲唑基、3-吲唑基、4-吲唑基、5-吲唑基、6-吲唑基、7-吲唑基、l-嘌呤基、2畫嘌呤基、3-嘌呤基、6-嘌呤基、7-噤呤基、8-嘌呤基、2-會(huì)啉基、3-奮啉基、4-會(huì)啉基、5-會(huì)啉基、6-會(huì)啉基、7-會(huì)啉基、8-奮啉基、l-異奮啉基、3-異喹啉基、4-異會(huì)啉基、5-異壹啉基、6-異喹啉基、7-異會(huì)啉基、8-異會(huì)啉基、l-酞溱基、5-酞溱基、6-酞溱基、2-萘咬基、3-萘咬基、4-萘咬基、2-奮惡啉基、5-會(huì)噁啉基、6-會(huì)噴、啉基、2-會(huì)唑啉基、4-喹唑啉基、5-會(huì)唑啉基、6-會(huì)峻啉基、7-喹唑啉基、8-喹唑啉基、3-噌啉基、4-噌啉基、5-噌啉基、6-噌啉基、7-噌啉基、8-噌啉基、2-蝶梵基、4-蝶t基、6-蝶t基、7-蝶^和3-呋吖基等。R"可以單獨(dú)使用、另外，也可以組合使用。具有上述式(cl-l)的結(jié)構(gòu)的樹脂和式(cl-2)的樹脂可以是無規(guī)共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物的任一種。形成本發(fā)明的有機(jī)防反射膜(C層)的聚合物可以通過自由基聚合、陰離子聚合、陽離子等的方法來合成。其形態(tài)可以是溶液聚合、懸浮聚合、乳化聚合、本體聚合等各種方法。形成上述有機(jī)防反射膜(C層)的聚合物，可以包括作為氮原子上的取代基具有羥基烷基結(jié)構(gòu)的三嗪三酮化合物、作為氮原子上的取代基具有羥基烷基結(jié)構(gòu)的三溱三酮低聚物化合物或作為氮原子上的取代基具有羥基烷基結(jié)構(gòu)的三溱三酮高分子化合物(c2)。用于形成有機(jī)防反射膜(C層)的形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物，包括作為氮原子上的取代基具有羥基烷基結(jié)構(gòu)的三嗪三酮化合物、作為氮原子上的取代基具有羥基烷基結(jié)構(gòu)的三,三酮低聚物化合物或作為氮原子上的取代基具有羥基烷基結(jié)構(gòu)的三溱三酮高分子化合物和溶劑，作為任意成分包含交聯(lián)催化劑、表面活性劑等。本發(fā)明的形成防反射膜的組合物的固形成分例如為0.1~50質(zhì)量％,或者例如為0.5~30質(zhì)量％。這里，所謂固形成分，是指從形成防反射膜的組合物的全成分除去溶劑成分后的成分。另外，作為氮原子上的取代基具有羥基烷基結(jié)構(gòu)的三嗪三酮化合物、作為氮原子上的取代基具有羥基烷基結(jié)構(gòu)的三嗪三酮低聚物化合物或作為氮原子上的取代基具有羥基烷基結(jié)構(gòu)的三嗪三酮高分子化合物的配合量，相對(duì)于全部固形成分100質(zhì)量％，為10質(zhì)量％以上，如30質(zhì)量％~99質(zhì)量％，例如50質(zhì)量％~99質(zhì)量％，進(jìn)而例如為60質(zhì)量％~95質(zhì)量%。38式(c2-l)中，A,、入2和A3分別獨(dú)立地表示氫原子、甲基或乙基，X表示畫OC(=0)-、-S畫、曙O畫或-NR曙，這里R表示氫原子或甲基，M表示可以被碳原子數(shù)16的烷基、苯基、萘基、卣素原子、碳原子數(shù)1~6的烷M羰基、硝基、氰基、碳原子數(shù)1~6的烷氧基或碳原子數(shù)1~6的烷J^?；〈谋江h(huán)、萘環(huán)或蒽環(huán)。這樣的式(c2-l)的化合物例如可以通過式(c2-8)所示的化合物與式(c2-15)所示的化合物反應(yīng)來獲得。作為氮原子上的取代基具有羥基烷基結(jié)構(gòu)的三溱三酮化合物，可以歹'J舉出式(c2-l)所示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage40</formula>式(c2-15)中、X表示-OC(=0)-、-S-、-O-或-NR畫，這里R表示氫原子或曱基，M表示可以被碳原子數(shù)1~6的烷基、苯基、萘基、鹵素原子、碳原子數(shù)1~6的烷氧基羰基、硝基、氰基、碳原子數(shù)1~6的烷氧基或碳原子數(shù)1~6的烷基硫基取代的苯環(huán)、萘環(huán)或蒽環(huán)。這樣的式(c2-8)所示的化合物與式(c2-15)所示的化合物的反應(yīng)，優(yōu)選在溶解于苯、甲苯、二甲苯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇單曱基醚乙酸酯、N-曱基吡咯烷酮等的有機(jī)溶劑的溶液狀態(tài)下進(jìn)行。該反應(yīng)中、式(c2-8)的化合物和式(c2-15)的化合物可以分別僅使用1種，或者組合物使用2種類以上的化合物。另外，本反應(yīng)中還可以使用節(jié)基三乙基氯化銨、四丁基氯化銨、四乙基溴化銨等的季銨鹽作為本反應(yīng)的催化劑。本反應(yīng)的反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間依賴于所使用的化合物、濃度等，可以從反應(yīng)時(shí)間0.1~100小時(shí)、反應(yīng)溫度20'C200。C的范圍中適當(dāng)選擇。使用催化劑的情況下，相對(duì)于使用的化合物的全質(zhì)量，可以在0.001~50質(zhì)量％的范圍內(nèi)使用。含有式(c2-l)所示的化合物的形成防反射膜的組合物中，由該形成防反射膜的組合物形成的防反射膜的特性、特別是對(duì)光刻工序中使用的照射光的吸光特性、衰減系數(shù)、折射率等大大依賴于本反應(yīng)中使用的式(c2-15)的化合物的種類。另外，使用的式(c2-15)的化合物的種類，所需要的時(shí)間也有影響。特別是式(c2-15)的化合物中的苯環(huán)、萘環(huán)或蒽時(shí)間有影響，通過導(dǎo)入含有卣素原子、氮原子、氧原子、硫原子等的雜原子的取代基，或增加其數(shù)目，可以縮短利用蝕刻進(jìn)行的除去工序所需要的時(shí)間。含有式(c2-l)所示的化合物的本發(fā)明的防反射膜組合物用于使用了波長(zhǎng)248nm(KrF準(zhǔn)分子激光)的光的工序的情況下，作為式(c2-15)的化合物，優(yōu)選使用具有萘環(huán)或蒽環(huán)的化合物(M為萘環(huán)或蒽環(huán))。另外，在用于使用了波長(zhǎng)193nm(ArF準(zhǔn)分子激光)和波長(zhǎng)157nm(F2準(zhǔn)分子激光)的光的工序的情況下，優(yōu)選使用具有苯環(huán)(M為苯環(huán))的化合物。作為用于獲得式(c2-l)的化合物的反應(yīng)中使用的式(c2-8)的化合物，可以列舉出例如，三-(2,3-環(huán)氧丙基)-異氰脲酸酯、三-(2-甲基-2，3-環(huán)氧丙基)-異氰脲酸酯、三-(2，3-環(huán)氧丁基)-異氰脲酸酯等。作為用于獲得式(c2-l)的化合物的反應(yīng)中使用的式(c2-15)的化合物，可以列舉出例如，苯曱酸、間苯二曱酸單乙基酯、2，4-二溴苯甲酸、4-甲基苯曱酸、2-甲氧基苯甲酸、2,3，5-三碘苯甲酸、2-氯-4-硝基苯曱酸、4-氟苯甲酸、4-碘苯甲酸、4-溴苯曱酸、4-叔丁基苯甲酸、3-三氟曱基苯甲酸、2-硝基苯曱酸、4-異丙氧基苯甲酸、3-氰基苯甲酸、3-苯基苯曱酸、3-溴-4-甲基苯曱酸、2，4，6-三溴苯曱酸、4-甲石克基苯甲酸、2-溴-4-氟苯甲酸等。另外，作為式(c2-15)的化合物，可以列舉出例如，萘-2-甲酸、1-溴_萘_2-甲酸、4-溴-3-甲氧基-萘-2-甲酸、3-曱基-萘-2-甲酸、4-氟-萘-l-甲酸、4-硝基-萘-l-甲酸、5-溴-萘-l-甲酸、8-硪-萘-l-甲酸、蒽-9-甲酸、蒽-2-甲酸、10-溴-蒽-9-甲酸等。另外，作為式(c2-15)的化合物，可以列舉出例如，苯酚、4-曱基苯酚、4-氯苯酚、4-溴苯酚、4-硝基苯酚、2，3,4，5-四溴苯酚、五溴苯酚、4-溴-2-氟苯酚、4-碘苯酚、2，4，6-三碘苯酚、2,5-二甲基-4-碘苯酚、4-甲硫基苯酚、3-甲氧基苯酚、3-溴苯酚、2-氰基苯酚、2，6-二碘-4-氰基苯酚、3-羥基苯甲酸甲基酯、2-萘酚、l-溴-2-萘酚、2-硝基-l-萘酚、2-甲基-1-萘酚、4-曱氧基-l-萘酚、2，4-二氯-l-萘酚、2-羥基-萘-3-甲酸曱基酯、2-羥基蒽、9-羥基蒽等。另外，作為式(c2-15)的化合物，可以列舉出例如，苯胺、3-氯苯胺、2-溴苯胺、4-碘苯胺、3-甲氧基苯胺、3-甲硫基苯胺、4-硝基苯胺、3-異丙基苯胺、3，5-二溴苯胺、2-氟-4-碘苯胺、2-氨基-5-碘苯甲酸甲基酯、2，4，6-三溴苯胺、4-溴-3-曱基苯胺、2-溴-4-硝基苯胺、2-溴-5-三氟甲基苯胺、3-苯基苯胺、l-氨基萘、l-氨基-4-溴萘、l-氨基-2-硝基萘、l-氨基蒽、9-氨基蒽等。進(jìn)而，作為式(c2-15)的化合物，可以列舉出例如，笨琉酚、2-曱基苯>琉酚、4-氯#^危酚、五氯^5危酚、3-甲氧基苯硫酚、3-溴^5克酚、2-巰基苯甲酸甲基酯、4-硝基苯硫酚、3-碘苯硫酚、l-萘硫醇、9-巰基蒽等。另外，作為與式(c2-8)的化合物反應(yīng)的化合物，除了式(c2-15)的化合物之外，還可以使用例如，2-噻吩甲酸、5-溴嚷吩曱酸、苯基乙酸、4-溴苯氧基乙酸、芐基醇、2，4-二溴芐基醇、3-溴桂皮酸、9-羥基甲基蒽、瘞峻-2-曱酸、2-M-5-溴噻唑等的具有羧基、羥基的化合物。作為式(c2-l)的化合物，可以列舉出例如，下式(c2-16)(下^l中的化合物號(hào)l)、下式(c2-17)(下述表l中的化合物號(hào)15)的化合物。O化24<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>同樣也可以列舉出表1中所示的化合物(表中Ph表示苯基，l-Nap表示l-萘基，2-Nap表示2-萘基，9-Ant表示9-蒽基)。表1化合物號(hào)A,A2A3XM1HHHOC(=o)Ph-2，4-(Br)22HHHoc(=o)Ph3HHHoc(=o)Ph-4-N024HCH3Hoc(=o)Ph5HHHoc(=o)Ph-3-CN6HHHoc(=o)Ph-3CH37HHHoc(=o)Ph-2-OCH38HHHoc(=o)Ph畫2，3，5-(I)9HCH3Hoc(=o)Ph-3-Br-5-I10HHHoc(=o)Ph-2，3，4，5-(11HHHoc(=o)Ph-3-SCH312HHHoc(=o)Ph畫2，4-(CI)313HHHoc(=o)Ph-2-Br4CH314HHHoc(=o)Ph曙3畫Br畫5國(guó)I15HHHoc(=o)l-Nap-6-OCH316HHHoc(=o)2-Nap-3-CH317HCH3Hoc(=o)1-Nap18HHHoc(=o)2國(guó)Nap畫6-F19HHHoc(=o)9-Ant20HHHoc(=o)9畫Ant-10畫Br21HHHsPh-4畫F22HHHsPh23HHHsPh-3-CH324HHHsPh畫2，4-(CI)325HHHsPh-2，4-(Br)226HHHsl國(guó)Nap27HHHs2-Nap-6，7-(Br)28HHHs9-Ant29HHHNHPh30HCH3HNHPh31HHHNHPh-4-CH332HHHNHPh國(guó)2畫Br33HHHNHPh畫3，5-(Br)234HHHNHPh畫3國(guó)CN35HHHNHPh-3-COOCH3表l(續(xù))化合物號(hào)A，A2A3XM可以單獨(dú)使用式(c2-l)所示的化合物，或者組合使用2種以上。作為這樣的式(c2-l)的化合物的配合量，相對(duì)于全部固形成分100質(zhì)量％，為10質(zhì)量o/。以上，例如30質(zhì)量％~99質(zhì)量％，例如50質(zhì)量％~99質(zhì)量%,進(jìn)而例如為60質(zhì)量％~95質(zhì)量％。作為氮原子上的取代基具有羥基烷基結(jié)構(gòu)的三嗪三酮化合物，可以列舉出，作為氮原子上的取代基具有式(c2-2)所示的取代基的三嗪三酮化合物、具有至少兩個(gè)三嗪三酮環(huán)結(jié)構(gòu)通過式(c2-3)所示的連接基、通過該氮原子連接而成的結(jié)構(gòu)的三嗪三酮低聚物化合物或三嗪三酮高分子化合物。式(c2-2)、(c2-3)中，A,、入2和A3分別獨(dú)立地表示氫原子、曱基或乙基，Y表示直接鍵或-C(-O)-，Ar表示可以被碳原子數(shù)l6的烷基、苯基、萘基、卣素原子、碳原子數(shù)1~6的烷氧基羰基、硝基、、氰基、碳原子數(shù)16的烷氧基、羥基、硫醇基、碳原子數(shù)l-6的烷基疏Ph畫3，4，5畫(Cl)Ph-4-SCH3Ph畫2畫F畫4-ClPh-3-CH3l-NapPh-2-BrPhPh-2，4-Br2Ph-4-CH3Ph-3畫IPh-2曙FPh-3-OCH3Ph畫3謂戰(zhàn)l-Nap-2-Cll-Nap2畫Nap9-Ant冊(cè)冊(cè)匿ooooooooooooHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH78901234567890126333444444444455534化25<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>作為氮原子上的取代基具有式(c2-2)所示的取代基的三嗪三酮化合物，可以使用具有式(c2-4)所示的結(jié)構(gòu)的化合物?；?6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>式(c2-4)中、A，、入2和A3分別獨(dú)立地表示氫原子、甲基或乙基，Y表示直接鍵或-C(=0)-,Ar表示可以被碳原子數(shù)l6的烷基、苯基、萘基、鹵素原子、碳原子數(shù)1~6的烷氧基羰基、硝基、羧基、氡基、碳原子數(shù)16的烷氧基、羥基、硫醇基、碳原子數(shù)16的烷基疏基或氨基取代的苯環(huán)或萘環(huán)。式(c2-4)的化合物可以通過在氮原子上具有式(c2-6)所示的取代基的三溱三酮化合物與式(c2-7)所示的苯基化合物或萘化合物反應(yīng)來獲得。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>(式中、A，、入2和A3分別獨(dú)立地表示氫原子、甲基或乙基)HO"Y—A-Y—OH(c2—7)(式中、Y表示直接鍵或-C(-O)-,Ar表示可以被碳原子數(shù)l6的烷基、苯基、萘基、鹵素原子、碳原子數(shù)1~6的烷氧基羰基、硝基、羧基、氰基、碳原子數(shù)1~6的垸氧基、羥基、硫醇基、碳原子數(shù)1~6的烷基硫基或氨基取代的苯環(huán)或萘環(huán))。本反應(yīng)中、式(c2-7)所示的化合物可以僅使用一種，或者組合使用兩種以上的化合物。本反應(yīng)優(yōu)選在溶解于苯、曱苯、二曱苯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙二醇單曱基醚、丙二醇單曱基醚乙酸酯、N-甲基吡咯烷酮等的有機(jī)溶劑的溶液狀態(tài)下進(jìn)行。另外，還可以使用芐基三乙基氯化銨、四丁基氯化銨、四乙基溴化銨等的季銨鹽作為本反應(yīng)的催化劑。本反應(yīng)的反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間依賴于使用的化合物、濃度等，但是可以從反應(yīng)時(shí)間0.1~100小時(shí)、反應(yīng)溫度20"C~200匸的范圍中適當(dāng)選擇。使用催化劑的情況下，相對(duì)于使用的化合物的總質(zhì)量，可以在0.001~50質(zhì)量％的范圍內(nèi)使用。作為在氮原子上具有式(c2-6)所示的取代基的三嗪三酮化合物，存在具有一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)在氮原子上具有式(c2-6)的取代基的氮原子的情況，在本反應(yīng)中可以使用它們的任一種，或者組合使用。優(yōu)選使用具有三個(gè)式(c2-6)的取代基的化合物、即，式(c2-8)所示的化合物。式(c2-8)中、A,、A2和A3表示氫原子、曱基或乙基，優(yōu)選使用A,、A2和A3為氫原子的化合物；A,和A3為氫原子，A2為甲基的化合物。在使用具有兩個(gè)或三個(gè)具有式(c2-6)的取代基的氮原子的三喚三酮化合物的情況下，存在其全部取代基與式(c2-7)的化合物反應(yīng)的情況以及僅其中的一個(gè)或兩個(gè)取代基與式(c2-7)的化合物反應(yīng)的情況，而本發(fā)明的形成防反射膜的組合物中使用的三嗪三酮化合物包括其中任一種情況。本發(fā)明的形成防反射膜的組合物中優(yōu)選使用具有三個(gè)式(c2-6)的取代基的化合物式(c2-8)的全部取代基與式(c2-7)的化合物反應(yīng)獲得的化合物，優(yōu)選使用式(c2-18)所示的化合物(式(c2-18)中、Y表示直接鍵或-C(=0)-，Ar表示可以被碳原子數(shù)l6的烷基、苯基、萘基、鹵素原子、碳原子數(shù)1~6的烷氧基羰基、硝基、羧基、氰基、碳原子數(shù)1~6的烷氧基、羥基、硫醇基、碳原子數(shù)16的烷基硫基或氨基取代的苯環(huán)或萘環(huán))?；?947<formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>(式中B表示氫原子、碳原子數(shù)16的烷基、苯基、萘基、鹵素原子、碳原子數(shù)1~6的烷氧基羰基、硝基、羧基、氰基、碳原子數(shù)1~6的烷氧基、羥基、硫醇基、碳原子數(shù)16的烷基硫基或氨基，n表示l6的數(shù)，m表示1~4的數(shù)，另夕卜，在n、m為2以上的數(shù)的情況下，B相同或不同)。在反應(yīng)中，式(c2-9)~(c2-14)的化合物可以僅使用l種，也可以組合使用2種以上。作為上述的具有下述結(jié)構(gòu)即至少兩個(gè)三溱三酮環(huán)結(jié)構(gòu)通過式(c2-3)所示的連接基通過該氮原子連接的結(jié)構(gòu)的三溱三酮低聚物化合物或三溱三酮高分子化合物，可以使用具有式(c2-5)所示的結(jié)構(gòu)的三嗪三酮低聚物化合物、三溱三酮高分子化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>式(c2-5)中、A!、A2和A3分別獨(dú)立地表示氫原子、曱基或乙基，Y表示直接鍵或-C(-O)-，Ar表示可以被碳原子數(shù)l6的烷基、苯基、萘基、鹵素原子、碳原子數(shù)l6的烷lL^羰基、硝基、、M、碳原子數(shù)16的烷氧基、羥基、硫醇基、碳原子數(shù)16的烷基硫基或M取代的苯環(huán)或萘環(huán)。作為具有式(c2-5)所示的結(jié)構(gòu)的三嗪三酮低聚物化合物、三嗪三酮高分子化合物的分子量，沒有特別的限定，作為重均分子量，例如為700~200000，例如1000~50000。具有式(c2-5)所示的結(jié)構(gòu)的三溱三酮低聚物化合物、三溱三酮高分子化合物，可以通過使具有兩個(gè)或三個(gè)在氮原子上具有上述式(c2-6)所示的取代基的氮原子的三嗪三酮化合物與上述式(c2-7)所示的芳香族化合物反應(yīng)來獲得。反應(yīng)中、式(c2-7)所示的化合物可以僅使用一種，或者組合使用兩種以上的化合物。反應(yīng)中可以單獨(dú)使用具有兩個(gè)或三個(gè)在氮原子上具有式(c2-6)所示的取代基的氮原子的三嗪三酮化合物，或者也可以組合使用。優(yōu)選使用具有三個(gè)式(c2-6)的取代基的化合物、即，上述式(c2-8)所示的化合物。反應(yīng)中，有下述情況具有兩個(gè)或三個(gè)具有式(c2-6)的取代基的氮原子的三噪三酮化合物的全部取代基與式(c2-7)的化合物反應(yīng)來參與上述式(c2-3)的連接基的形成的情況；以及一個(gè)或兩個(gè)式(c2-6)的取代基參與式(c2-3)的連接基的形成，剩余的式(c2-6)的取代基未反應(yīng)或參與式U2-2)的取代基的形成的情況。本反應(yīng)獲得的三溱三酮低聚物化合物、三溱三酮高分子化合物中，有下述情況成為其制造原料的三溱化合物中的一個(gè)或兩個(gè)式(c2-6)的取代基參與式(c2-3)的連接基的形成、即低聚物結(jié)構(gòu)、高分子結(jié)構(gòu)的形成，剩余的式(c2-6)的取代基未反應(yīng)或參與式(c2-2)的取代基的形成的情況；或者全部(即，兩個(gè)或三個(gè))的式(c2-6)的取代基參與式(c2-3)的連接基的形成、即低聚物結(jié)構(gòu)、高分子結(jié)構(gòu)的形成的情況。三溱三酮低聚物化合物和三溱三酮高分子化合物的制造中，優(yōu)選使用作為具有三個(gè)式(c2-6)的取代基的化合物的上述式(c2-8)的化合物，特別優(yōu)選使用式(c2-19)的化合物(式中A4表示氫原子或甲基)?；?2作為具有式(c2-5)所示的結(jié)構(gòu)的三嗪三酮低聚物化合物、三嗪三酮高分子化合物的制造中使用的式(c2-7)的化合物，可以列舉出上述式(c2-9)~(c2-14)所示的具有萘環(huán)的化合物、具有苯環(huán)的化合物。這些化合物可以僅使用一種，或者組合使用兩種以上的化合物。包括氮原子上具有式(c2-6)所示的取代基的三溱三酮化合物與式(c2-7)所示的苯基化合物或萘化合物的反應(yīng)獲得的三溱三酮化合物、三溱三酮低聚物化合物、三溱三酮高分子化合物。本發(fā)明的防反射膜組合物，包含僅含有這樣的三溱三酮化合物的組合物、僅含有三溱三酮低聚物化合物的組合物和僅含有三溱三酮高分子化合物的組合物中的任一種；或者，包含含有這樣的三溱三酮化合物和三溱三酮低聚物化合物的混合物的組合物、含有這樣的三嗪三酮化合物和三溱三酮高分子化合物的混合物的組合物、含有這樣的三溱三酮低聚物化合物和三溱三酮高分子化合物的混合物的組合物、含有這樣的三嗪三酮化合物、三嗪三酮低聚物化合物和三溱三酮高分子化合物的混合物的組合物中的任一種。另外，形成上述有機(jī)防反射膜(C層)的聚合物包含具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物?；?3fHOHHHOHH—Nr^J-C-6-C-Q_C-(H(c3-1)&A，A2A3A4A5A6用于形成有機(jī)防反射膜(c層)的形成有機(jī)防反射膜(c層)的組合50物中，具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物是必須成分。作為形成防反射膜的組合物的固形成分中占有的具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物的比例，從防反射效果的觀點(diǎn)出發(fā)，為50質(zhì)量％以上，優(yōu)選60質(zhì)量％以上。另外，形成防反射膜的組合物中的固形成分的比例，只要是各成分能夠均勻溶解在溶劑中，就沒有特別的限定，例如0.5~50質(zhì)量％，或1~30質(zhì)量％,或5~25質(zhì)量％。這里所謂固形成分，是指從形成防反射膜的組合物的全部成分中除去溶劑成分后的成分。式(c3-l)中、A,、A2、A3、A4、As和A6分別獨(dú)立地表示氫原子、曱基或乙基。X!表示式(c3-2)、式(c3-3)或式(c3-4)?；?4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula>Q表示式(c3-5)或式(c3-6)?；?5<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula>式(c3-2)和式(c3-3)中，R,和R2分別獨(dú)立地表示氫原子、碳原子數(shù)1~6的烷基、碳原子數(shù)3~6的鏈烯基、千基或苯基。作為烷基的具體例，可以列舉出甲基、乙基、異丙基、正丁基和環(huán)己基等。作為鏈烯基的具體例，可以列舉出2-丙烯基和3-丁烯基等。另外，上述苯基可以被選自碳原子數(shù)1~6的烷基、鹵素原子、碳原子數(shù)1~6的烷氧基、硝基、M、羥基和碳原子數(shù)1~6的烷基硫基中的基團(tuán)取代。另外，R,與R2可以相互結(jié)合形成碳原子數(shù)3~6的環(huán)，作為這樣的環(huán)，可以列舉出環(huán)丁烷環(huán)、環(huán)戊烷環(huán)和環(huán)己烷環(huán)。式(c3-4)中，R3表示碳原子數(shù)l6的烷基、碳原子數(shù)36的鏈烯基、爺基或苯基，另夕卜，苯基可以被選自碳原子數(shù)1~6的烷基、卣素原子、碳原子數(shù)1~6的烷氧基、硝基、氰基、羥基和碳原子數(shù)16的烷基硫基中的基團(tuán)取代。作為烷基和鏈烯基的具體例，可以列舉出與上勤目同的基團(tuán)。式(c3-5)中，Q,表示碳原子數(shù)l10的亞烷基、亞苯基、亞萘基、或亞菲基。另外，上述亞苯基、亞萘基和亞菲基可以分別被選自碳原子數(shù)1~6的烷基、鹵素原子、碳原子數(shù)16的烷氧基、硝基、氰基、羥基和碳原子數(shù)1~6的烷基硫基中的基團(tuán)取代。作為亞烷基的具體例，可以列舉出亞甲基、亞乙基、亞丙基、正亞戊基、環(huán)亞己基和2-甲基亞丙基等。另外，n,和n2分別表示0或1的數(shù)，X2表示式(c3-2)或式(c3-3)。作為式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的具體例，可以列舉出例如，式(c3-13)~式(c3-31)的結(jié)構(gòu)。ooHIOH-N-、N-C-C-C—NN-C-6-C-H2HH2^i^H2HH2八0八N"^Q(c3-13)O人OH—N'、N—C一C—C—N人"2HHgO夂0《N'、0OHN—C一C一C一Ho0,(c3-14)NN-C一C一C一O-CN、0L(c3-15)HC一O-C一C一C-H艾？H一NN—C-C一C一O-CC2H/C2H5(c3-16)OHC一0—c—c一c-H2H化38<formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula>化37<formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula>具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物，例如可以通過式(c3-7)所示的化合物與式(c3-8)所示的化合物的反應(yīng)來制造?；?1<formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula>式(c3-7)所示的化合物與式(c3-8)所示的化合物的反應(yīng)優(yōu)選在溶解于苯、甲苯、二甲苯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙二醇單曱基醚、丙二醇單曱基醚乙酸酯和N-甲基吡咯烷酮等的有機(jī)溶劑的溶液狀態(tài)下進(jìn)行。另外，該反應(yīng)中還可以使用節(jié)基三乙基氯化銨、四丁基氯化銨和四乙基溴化銨等的季銨鹽作為催化劑。本反應(yīng)的反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間依賴于使用的化合物、濃度等，可以從反應(yīng)時(shí)間0.1~100小時(shí)、反應(yīng)溫度20。C~200^:的范圍中適當(dāng)選擇。使用催化劑的情況下，相對(duì)于使用的化合物的總質(zhì)量，可以在0.001~30質(zhì)量％的范圍內(nèi)使用。另外，作為反應(yīng)中使用的式(c3-7)和式(c3-8)所示的化合物的比例，以摩爾比計(jì)，作為式(c3-7)所示的化合物:式(c3-8)所示的化合物，為3:1~1:3、優(yōu)選3:22:3。在式(c3-7)與式(c3-8)所示的化合物的反應(yīng)中，式(c3-7)的化合物的兩個(gè)反應(yīng)部位(N-H部分)分別與另外的式(c3-8)的化合物的環(huán)氧環(huán)部分之間發(fā)生環(huán)氧開環(huán)反應(yīng)。其結(jié)果是生成具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物。另外認(rèn)為，聚合物由式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)重復(fù)形成。作為具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物的制造中使用的式(c3-7)所示的化合物的具體例，可以列舉出例如，乙內(nèi)酰脲、5，5-二苯基乙內(nèi)酰脲、5，5-二甲基乙內(nèi)酰脲、5-乙基乙內(nèi)酰脲、5-節(jié)基乙內(nèi)酰脲、5-乙基-5-苯基乙內(nèi)酰脲、5-甲基乙內(nèi)酰脲、5，5-四亞甲基乙內(nèi)酰脲、5，5-五亞曱基乙內(nèi)酰脲、5-(4-羥基千基)-乙內(nèi)酰脲、5-苯基乙內(nèi)酰脲、5-羥基甲基乙內(nèi)酰脲和5-(2-氰基乙基)乙內(nèi)酰脲等的乙內(nèi)酰脲化合物。另外，作為式(c3-7)所示的化合物的具體例，可以列舉出例如，5,5-二乙基巴比妥酸、5，5-二烯丙基丙二酰脲、5-乙基-5-異戊基巴比妥酸、5-烯丙基-5-異丁基巴比妥酸、5-烯丙基-5-異丙基巴比妥酸、5-P-溴烯丙基-5-仲丁基巴比妥酸、5-乙基-5-(l-曱基-l-丁烯基)巴比妥酸、5-異丙基-5-P隱溴烯丙基巴比妥酸、5-(l-環(huán)己基)-5-乙基丙二酰脲、5-乙基-5-(l畫曱基丁基)丙二酰脲、5，5-二溴巴比妥酸、5-苯基-5-乙基巴比妥酸和5-乙基-5-正丁基巴比妥酸等的巴比妥酸化合物。另外，作為式(c3-7)所示的化合物的具體例，可以列舉出例如，單烯丙基異氰脲酸、單甲基異氰脲酸、單丙基異氰脲酸、單異丙基異氰脲酸、單苯基異氰脲酸、單芐基異氰脲酸、單氯異氰脲酸和單乙基異氰脲酸等的異氰脲酸化合物。作為具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物的制造中使用的式(c3-8)所示的化合物的具體例，可以列舉出例如，對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯、間苯二曱酸二縮水甘油基酯、鄰苯二曱酸二縮水甘油基酯、2，5-二甲基對(duì)苯二曱酸二縮水甘油基酯、2，5-二乙基對(duì)苯二曱酸二縮水甘油基酯、2，3，5，6-四氯對(duì)苯二曱酸二縮水甘油基酯、2，3，5，6-四溴對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯、2-硝基對(duì)苯二曱酸二縮水甘油基酯、2，3，5，6-四氟對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯、2，5-二羥基對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯、2，6-二曱基對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯、2，5-二氯對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯、2，3-二氯間苯二曱酸二縮水甘油基酯、3-硝基間苯二曱酸二縮水甘油基酯、2-溴間苯二甲酸二縮水甘油基酯、2-羥基間苯二甲酸二縮水甘油基酯、3-羥基間苯二曱酸二縮水甘油基酯、2-甲氧基間苯二曱酸二縮7JC甘油基酯、5-苯基間苯二甲酸二縮7JC甘油基酯、3-硝基鄰苯二曱酸二縮水甘油基酯、3，4，5，6-四氯鄰苯二曱酸二縮7jC甘油基酯、4，5-二氯鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯、4-羥基鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯、4-硝基鄰苯二曱酸二縮水甘油基酯、4-甲基鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯、3，4,5，6-四氟鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯、2，6-萘二甲酸二縮水甘油基酯、1，2-萘二曱酸二縮水甘油基酯、1，4-萘二甲酸二縮水甘油基酯、1，8-萘二曱酸二縮水甘油基酯、蒽-9，10-二甲酸二縮水甘油基酯和乙二醇二縮水甘油基醚等的二縮水甘油基化合物。另外，作為式(c3-8)所示的化合物的具體例，可以列舉出例如，1,3-二縮水甘油基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮7JC甘油基-5，5-二苯基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5，5-二甲基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮7jc甘油基-5-甲基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-乙基-5-苯基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮7jC甘油基-5-節(jié)基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮7K甘油基-5-乙內(nèi)酰脲乙酸、1，3-二縮水甘油基-5-乙基-5-甲基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-甲基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5，5-四亞甲基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5，5-五亞甲基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-(4-羥基千基)乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-苯基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-羥基曱基-乙內(nèi)酰脲和1，3-二縮水甘油基-5-(2-氰基乙基)乙內(nèi)酰脲等的二縮7K甘油基乙內(nèi)酰脲化合物。另外，作為式(c3-8)所示的化合物的具體例，可以列舉出例如，1,3-二縮水甘油基-5，5-二乙基巴比妥酸、1,3-二縮7jC甘油基-5-苯基-5-乙基巴比妥酸、1，3-二縮7jC甘油基-5-乙基-5-異戊基巴比妥酸、1，3-二縮水甘油基-5-烯丙基-5-異丁基巴比妥酸、1，3-二縮水甘油基-5-烯丙基-5-異丙基巴比妥酸、1，3-二縮水甘油基-5-P-溴烯丙基-5-仲丁基巴比妥酸、1，3-二縮水甘油基-5-乙基-5-(l-甲基-l-丁烯基)巴比妥酸、1，3-二縮水甘油基-5-異丙基-5-P-溴烯丙基巴比妥酸、1，3-二縮水甘油基-5-(l-環(huán)己基)-5-乙基丙二酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-乙基-5-(l-曱基丁基)丙二酰脲、1，3-二縮水甘油基-5，5-二烯丙基丙二酰脲二縮水甘油基和1，3-二縮水甘油基-5-乙基-5-正丁基巴比妥酸等的二縮水甘油基巴比妥酸化合物。具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物的制造中，式(c3-7)和式(c3-8)所示的化合物分別可以僅使用一種，也可以組合使用兩種以上的化合物。另外，例如，作為式(c3-7)的化合物使用單烯丙基異氰脲酸，作為式(c3-8)的化合物使用對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯的情況下，所獲得的聚合物可以是具有式(c3-15)的結(jié)構(gòu)的聚合物。另夕卜，例如，作為式(c3-7)的化合物使用5，5-二乙基巴比妥酸，作為式(c3-8)的化合物使用對(duì)苯二曱酸二縮水甘油基酯和乙二醇二縮水甘油基醚的兩種化合物的情況下，所獲得的聚合物是具有式(c3-16)的結(jié)構(gòu)和式(c3-27)的結(jié)構(gòu)的聚合物。具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物，另外可以通過式(c3-9)所示的化合物與式(c3-10)所示的化合物的反應(yīng)來制造。58化42O々6II今1O/\I人I/\HC—C一C一N!^-C一C一CHH—Q-HAA5^~"^HA2A3(c3—10)(c3-9)式(c3-9)與式(c3-10)所示的化合物的反應(yīng)，可以在與上述的式(c3-7)和式(c3-8)所示的化合物的反應(yīng)同樣的條件下進(jìn)行。另外，作為反應(yīng)中使用的式(c3-9)和式(c3-10)所示的化合物的比例，以摩爾比計(jì)，作為式(c3-9):式(c3-10)，為3:1~1:3、優(yōu)選3:2~2:3。在式(c3-9)與式(c3-10)所示的化合物的反應(yīng)中，式(c3-10)的化合物的兩個(gè)反應(yīng)部位(N-H部分或O-H部分)分別與式(c3-9)的化合物的環(huán)氧環(huán)部分之間發(fā)生環(huán)氧開環(huán)反應(yīng)。其結(jié)果是生成具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物。另外，聚合物由式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)重復(fù)形成。作為具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物的制造中使用的式(c3-9)所示的化合物的具體例，可以列舉出，上述式(c3-8)的具體例中的二縮水甘油基乙內(nèi)酰脲化合物和二縮水甘油基巴比妥酸化合物。另外，進(jìn)而可以列舉出，單烯丙基二縮水甘油基異氰脲酸、單乙基二縮水甘油基異氰脲酸、單丙基二縮7JC甘油基異氰脲酸、單異丙基二縮水甘油基異氰脲酸、單苯基二縮水甘油基異氰脲酸、單溴二縮7jC甘油基異氰脲酸和單曱基二縮水甘油基異氰脲酸等的二縮水甘油基異氰脲酸化合物。作為具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物的制造中使用的式(c3-10)所示的化合物的具體例，可以列舉出上述式(c3-7)的具體例中的乙內(nèi)酰脲化合物和巴比妥酸化合物。另外，進(jìn)而可以列舉出，對(duì)苯二曱酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2，5-二甲基對(duì)苯二甲酸、2，5-二乙基對(duì)苯二甲酸、2，3，5,6-四氯對(duì)苯二曱酸、2，3，5，6-四溴對(duì)苯二甲酸、2-硝基對(duì)苯二甲酸、2，3，5，6-四氟對(duì)苯二甲酸、2,5-二羥基對(duì)苯二甲酸、2，6-二曱基對(duì)苯二甲酸、2，5-二氯對(duì)苯二曱酸、2，3-二氯間苯二甲酸、3-硝基間苯二曱酸、2-溴間苯59二甲酸、2-羥基間苯二甲酸、3-羥基間苯二甲酸、2-甲氧基間苯二甲酸、5-苯基間苯二曱酸、3-硝基鄰苯二甲酸、3，4，5,6-四氯鄰苯二甲酸、4，5-二氯鄰苯二甲酸、4-羥基鄰苯二曱酸、4-硝基鄰苯二曱酸、4-甲基鄰苯二甲酸、3，4，5，6-四氟鄰苯二甲酸、2，6-萘二曱酸、1,2-萘二甲酸、1，4-萘二曱酸、1，8-萘二甲酸、蒽-9，10-二曱酸、乙二醇、1，3-丙烷二曱酸和4-羥基苯曱酸等的化合物。具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物的制造中，式(c3-9)和式(c3-10)所示的化合物分別可以僅使用一種，也可以組合使用兩種以上。另外，例如，作為式(c3-9)的化合物使用單烯丙基二縮7jc甘油基異氰脲酸、作為式U3-10)的化合物使用5，5-二乙基巴比妥酸的情況下，所獲得的聚合物是具有式(c3-13)的結(jié)構(gòu)的聚合物。例如，在作為式(c3-9)的化合物使用單烯丙基二縮水甘油基異氰脲酸、作為式(c3-10)的化合物使用對(duì)苯二曱酸和5，5-二乙基巴比妥酸的兩種的情況下，所獲得的聚合物是具有式(c3-13)的結(jié)構(gòu)和式(c3-24)的結(jié)構(gòu)的聚合物。本發(fā)明的形成防反射膜的組合物中，作為具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物，可以使用一種聚合物，另外也可以組合使用兩種以上的聚合物。本發(fā)明的形成防反射膜的組合物中含有的具有式(c3-l)所示的結(jié)構(gòu)的聚合物的分子量，作為重均分子量，例如為1000~200000，另外，例如為3000~100000，或者為5000~20000。另外，形成上述有機(jī)防反射膜(C層)的聚合物包括具有式(c4-l)或式(c4-2)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物?；?3(c4一1)(c4—2)1W用于形成有機(jī)防反射膜(c層)的形成有機(jī)防反射膜(c層)的組合物，作為形成防反射膜的組合物的固形成分中占有的具有式(c4-l)或式(c4-2)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物的比例，從防反射效果的觀點(diǎn)出發(fā)，為50質(zhì)量％以上，優(yōu)選60質(zhì)量％以上，例如50~100質(zhì)量％，或60~99質(zhì)量％，或70~95質(zhì)量％。另夕卜，本發(fā)明的形成防反射膜的組合物中的固形成分的比例只要是各成分均勻溶解在溶劑中，就沒有特別的限定，例如為1~50質(zhì)量％，或者為5~30質(zhì)量％，或者為10~25質(zhì)量％。這里所謂固形成分，是指從形成光刻用防反射膜的組合物的全部成分中除去溶劑成分后的成分。式(c4-l)和式(c4-2)中、R,和R2分別獨(dú)立地表示氫原子、甲基、乙基或鹵素原子，ApA2、A3、A4、As和A6分別獨(dú)立地表示氫原子、曱基或乙基，Q表示式(c4-3)或式(c4-4)。作為囟素原子，是氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。式(c4-3)中、Q!表示碳原子數(shù)l15的亞烷基、亞苯基、亞萘基、或亞菲基。另外，上述亞苯基、亞萘基和亞菲基分別可以被選自碳原子數(shù)1~6的烷基、卣素原子、碳原子數(shù)16的烷氧基、硝基、氰基、羥基和碳原子數(shù)1~6的烷M基中的基團(tuán)取代。作為烷基的具體例，可以列舉出甲基、乙基、異丙基、正丁基和環(huán)己基等。作為烷氧基的具體例，可以列舉出曱氧基、乙氧基、正戊基氧基、異丙氧基和環(huán)己基氧基等。作為烷基硫基的具體例，可以列舉出甲基疏基、乙基疏基、正戊差^?；惐鸮^基和環(huán)己基^IL基等。作為囟素原子，是氟原子、氯原子、溴原子、或碘原子。作為亞烷基的具體例，可以列舉出亞曱基、亞乙基、正亞丙基、正亞戊基和正亞辛基等的直鏈亞烷基、2-甲基亞丙基和l，4-二甲基亞丁基等的化44分枝亞烷基和環(huán)亞戊基、環(huán)亞丁基、環(huán)亞己基和2-甲基環(huán)亞己基等的環(huán)狀亞烷基。另外，Q!是亞苯基、亞萘基、或亞菲基的情況下，對(duì)它們的結(jié)合位置沒有特別的限定。即，例如可以是下述情況的任一種，所述情況是亞苯基在1位和2位結(jié)合的情況、在1位和3位結(jié)合的情況或在1位和4位結(jié)合的情況、亞萘基在1位和2位結(jié)合的情況、在1位和4位結(jié)合的情況、在1位和5位結(jié)合的情況或在2位和3位結(jié)合的情況、亞菲基在1位和2位結(jié)合的情況、在1位和4位結(jié)合的情況或在9位和10位結(jié)合的情況等。另外，n,和n2分別表示0或l的數(shù)。式(c4-4)中、X,表示式(c4-5)、式(c4-6)或式(c4-7)。另夕卜，式(c4-4)中X,為式(c4-6)的情況下，其結(jié)構(gòu)為式(c4-4-6)，X，為式(c4-7)的情況下，其結(jié)構(gòu)為式(c4-4-7)。化45—C——一C一C——N—C—式(c4-5)和式(c4-6)中、R3和R4分別獨(dú)立地表示氫原子、碳原子數(shù)1~6的烷基、碳原子數(shù)36的鏈烯基、爺基或苯基。作為烷基的具體例，可以列舉出與上述同樣的基團(tuán)。作為鏈烯基的具體例，可以列舉出2-丙烯基和3-丁烯基等。另外，上述苯基可以被選自碳原子數(shù)1~6的烷基、鹵素原子、碳原子數(shù)1~6的烷氧基、硝基、氰基、羥基和碳原子數(shù)1~6的烷基硫基中的基團(tuán)取代。作為烷基、烷氧基和烷基硫基的具體例，可以列舉出與上述同樣的基團(tuán)。另外，R3與R4可以相互結(jié)合，包含R3和R4R4(c4-5)化46R40(c4—6)R50(c4-7)62所結(jié)合的碳原子而形成碳原子數(shù)3~6的環(huán)。作為這樣的環(huán)，可以列舉出環(huán)丁烷環(huán)、環(huán)戊烷環(huán)和環(huán)己烷環(huán)。式(c4-7)中、Rs表示碳原子數(shù)16的烷基、碳原子數(shù)3~6的鏈烯基、千基或苯基，另夕卜，苯基可以被選自碳原子數(shù)1~6的烷基、鹵素原子、碳原子數(shù)1~6的烷氧基、硝基、氰基、羥基和碳原子數(shù)1~6的烷基疏基中的基團(tuán)取代。作為烷基、鏈烯基、烷氧基和烷基硫基的具體例，可以列舉出與上述相同的基團(tuán)。作為式(c4-l)或式(c4-2)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的具體例，可以列舉出例如，式(c4-19)~式(c4-34)的結(jié)構(gòu)?；?7<formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula>化48<formula>formulaseeoriginaldocumentpage64</formula>加聚反應(yīng)來制造。具有式(c4-l)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物可以通過例如，式(c4-8)所示的化合物(二羧酸化合物)與式(c4-10)所示的化合物(二環(huán)氧化合物)的加聚反應(yīng)來制造(下述反應(yīng)式(R-l))。具有式(c4-2)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物可以通過式(c4-9)所示的化合物(二羧酸化合物)與式(c4-10)所示的化合物(二環(huán)氧化合物)的加聚反應(yīng)來制造(下述反應(yīng)式(R-2))?；?0<formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula>具有式(c4-l)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物的制造中僅使用式(c4-8)所示的化合物和式(c4-10)所示的化合物的情況下，可以認(rèn)為所獲得的聚合物是除了聚合物的端部，實(shí)質(zhì)上僅具有式(c4-l)所示的結(jié)構(gòu)作為重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物。具有式(c4-2)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物的制造中僅使用式(c4-9)所示的化合物和式(c4-10)所示的化合物的情況下，可以認(rèn)為所獲得的聚合物是除了聚合物的端部、實(shí)質(zhì)上僅具有式(c4-2)所示的結(jié)構(gòu)作為重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物。式(c4-8)或式(c4-9)所示的化合物與式(c4-10)所示的化合物的反應(yīng)優(yōu)選在溶解于苯、甲苯、二曱苯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇單曱基醚乙酸酯和N-甲基吡咯烷酮等的有機(jī)溶劑的溶液狀態(tài)下進(jìn)行。另外，該反應(yīng)中可以使用節(jié)基三乙基氯化銨、四丁基氯化銨和四乙基溴化銨等的季銨鹽作為催化劑。本反應(yīng)的反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間依賴于使用的化合物、濃度等，可以從反應(yīng)時(shí)間0.1~100小時(shí)、反應(yīng)溫度20'C~200'C的范圍中適當(dāng)選擇。在使用催化劑的情況下，相對(duì)于使用的化合物的全部質(zhì)量，可以在0.001~30質(zhì)量％的范圍內(nèi)4吏用。另外，作為反應(yīng)中使用的式(c4-8)或式(c4-9)所示的化合物與式(c4-10)所示的化合物的比例，以摩爾比計(jì)，作為式(c4-8)或式(c4-9)所示的化合物:式(c4-10)所示的化合物，為3:1~1:3、優(yōu)選3:22:3、或5:4~4:5、或1:1。另外，也可以使用由式(c4-8)與式(c4-9)的化合物的混合物與式(c4-10)的化合物反應(yīng)獲得的聚合物。在該情況下，該聚合物是具有式(c4-l)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)和式(c4-2)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物。反應(yīng)中使用式(c4-8)與式(c4-9)的化合物的混合物的情況下，其使用比例以摩爾比計(jì)，作為式(c4-8)與式(c4-9)的化合物的混合物:式(c4-10)的4匕合物，為3:1~1:3、優(yōu)選3:2~2:3、或5:4~4:5、或1:1。式(c4-8)或式(c4-9)所示的化合物與式(c4-10)所示的化合物的反應(yīng)例如可以如下進(jìn)行。在適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑中，按照摩爾比為5:4~4:5、或1:1、兩化合物的合計(jì)的濃度為10~40質(zhì)量％或15~35質(zhì)量％那樣，溶解式(c4-8)或式(c4-9)所示的化合物和式(c4-10)所示的化合物。然后，按照相對(duì)于式(c4-8)或式(c4-9)所示的化合物和式(c4-10)所示的化合物的合計(jì)質(zhì)量，為0.1~5質(zhì)量％或0.5~3質(zhì)量％的比例添加節(jié)基三乙基氯化銨等的季銨鹽。然后可以在反應(yīng)溫度80*C~150°C、反應(yīng)時(shí)間5~30小時(shí)的條件下反應(yīng)。作為式(c4-8)所示的化合物，可以列舉出例如，富馬酸、二羥基富馬酸和氯富馬酸等。作為式(c4-9)所示的化合物，可以列舉出馬來酸、甲基馬來酸、溴馬來酸、二溴馬來酸、異丙基馬來酸和苯基馬來酸等。作為式(c4-10)所示的化合物，可以列舉出例如，對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯、2，5-二甲基對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯、2，5-二乙基對(duì)苯二甲酸二縮7jc甘油基酯、2，3，5，6-四氯對(duì)苯二曱酸二縮水甘油基酯、2，3,5，6-四溴對(duì)苯二曱酸二縮水甘油基酯、2-硝基對(duì)苯二曱酸二縮水甘油基酯、2，3,5,6-四氟對(duì)苯二曱酸二縮水甘油基酯、2，5-二羥基對(duì)苯二曱酸二縮水甘油基酯、2，6-二甲基對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯和2，5-二氯對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯等的對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯化合物。另外可以列舉出，間苯二甲酸二縮水甘油基酯、2，3-二氯間苯二甲酸二縮水甘油基酯、3-硝基間苯二甲酸二縮水甘油基酯、2-溴間苯二曱酸二縮水甘油基酯、2-羥基間苯二甲酸二縮水甘油基酯、3-羥基間苯二曱酸二縮水甘油基酯、2-曱氧基間t曱酸二縮7JC甘油基酯和5-苯基間苯二甲酸二縮水甘油基酯等的間苯二甲酸二縮水甘油基酯化合物。另外，鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯、3-硝基鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯、3，4，5，6-四氯鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯、4，5-二氯鄰苯二曱酸二縮水甘油基酯、4-羥基鄰苯二曱酸二縮水甘油基酯、4-硝基鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯、4-甲基鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯和3，4，5，6-四氟鄰苯二曱酸二縮水甘油基酯等的鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯化合物。另外，作為式(c4-10)所示的化合物，可以列舉出例如，1，3-二縮水甘油基乙內(nèi)酰脲、1,3-二縮水甘油基-5，5-二苯基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5，5-二甲基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-甲基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-乙基-5-苯基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-節(jié)基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-乙內(nèi)酰脲乙酸、1，3-二縮水甘油基-5-乙基-5-甲基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-曱基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5，5-四亞曱基乙內(nèi)酰脲、1,3-二縮水甘油基-5，5-五亞甲基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮7^甘油基-5-(4-羥基千基)乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-苯基乙內(nèi)酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-羥基曱基-乙內(nèi)酰脲和l，3-二縮水甘油基-5-(2-氰基乙基)乙內(nèi)酰脲等的二縮水甘油基乙內(nèi)酰脲化合物。另外，作為式(c4-10)所示的化合物，可以列舉出例如，1，3-二縮7Jc甘油基-5，5-二乙基巴比妥酸、1，3-二縮7jc甘油基-5-苯基-5-乙基巴比妥酸、1，3-二縮水甘油基-5-乙基-5-異戊基巴比妥酸、1，3-二縮水甘油基-5-烯丙基-5-異丁基巴比妥酸、1，3-二縮水甘油基-5-烯丙基-5-異丙基巴比妥酸、1，3-二縮7jC甘油基-5-P-溴烯丙基-5-仲丁基巴比妥酸、1，3-二縮水甘油基-5-乙基-5-(l-曱基-l-丁烯基)巴比妥酸、1,3-二縮水甘油基-5-異丙基-5-P-溴烯丙基巴比妥酸、1，3-二縮水甘油基-5-(l-環(huán)己基)-5-乙基丙二酰脲、1，3-二縮水甘油基-5-乙基-5-(l-甲基丁基)丙二酰脲、1，3-二縮7JC甘油基-5，5-二烯丙基丙二酰脲二縮水甘油基和l，3-二縮7片甘油基-5-乙基-5-正丁基巴比妥酸等的二縮水甘油基巴比妥酸化合物。另外，作為式(c4-10)所示的化合物，可以列舉出例如，烯丙基二縮水甘油基異氰脲酸、乙基二縮水甘油基異氰脲酸、丙基二縮水甘油基異氰脲酸、異丙基二縮水甘油基異氰脲酸、苯基二縮7jC甘油基異氰脲酸、2-氯苯基二縮水甘油基異氰脲酸、千基二縮水甘油基異氰脲酸和甲基二縮水甘油基異氰脲酸等的二縮7K甘油基異氰脲酸化合物。作為式(c4-10)所示的化合物，可以列舉出例如，2,6-萘二曱酸二縮7jC甘油基酯、1，2-萘二甲酸二縮水甘油基酯和1，4-萘二甲酸二縮水甘油基酯、1，8-萘二甲酸二縮水甘油基酯等的萘二甲酸二縮7JC甘油基酯化合物。作為式(c4-10)所示的化合物，可以列舉出例如，蒽-9，10-二甲酸二縮7JC甘油基酯等的蒽二甲酸二縮7JC甘油基酯化合物。另外，作為式(c4-10)所示的化合物，可以列舉出例如，1,2-環(huán)己烷二曱酸二縮水甘油基酯、1，3-環(huán)己烷二曱酸二縮水甘油基酯、1，4-環(huán)己烷二曱酸二縮水甘油基酯酸、1，5-戊烷二甲酸二縮水甘油基酯、1，4-戊烷二甲酸二縮水甘油基酯、1，3-戊烷二甲酸二縮水甘油基酯、1，3-丙烷二甲酸二縮水甘油基酯、l，4-丁烷二甲酸二縮水甘油基酯、1，3-丁烷二曱酸二縮水甘油基酯、1，6-己烷二甲酸二縮7jC甘油基酯、1,5-己烷二曱酸二縮水甘油基酯、1，4-己烷二甲酸二縮水甘油基酯、1,3-己烷二曱酸二縮水甘油基酯和1，2-己烷二甲酸二縮水甘油基酯等的脂肪族二羧酸二縮水甘油基酯化合物。作為式(c4-10)所示的化合物，另外，可以列舉出例如，1，5-萘二醇二縮水甘油基醚、2，6-萘二醇二縮水甘油基醚、1，2-萘二醇二縮水甘油基醚、1，4-萘二醇二縮水甘油基醚、1,8-萘二醇二縮水甘油基醚、蒽-9，10-二醇二縮水甘油基醚、二縮水甘油基間苯二酚、二縮7jC甘油基兒茶酚、1,4-苯二醇二縮水甘油基醚、1，4-丁二醇二縮水甘油基醚、1，6-己烷二醇二縮水甘油基醚、1，3-丙二醇二縮水甘油基醚、1，5-戊烷二醇二縮水甘油基醚和乙二醇二縮水甘油基醚等的二縮7JC甘油基醚化合物。作為式(c4-10)所示的化合物，可以列舉出式(c4-11)所示的化合物?；?1<formula>formulaseeoriginaldocumentpage69</formula>式(c4-11)中、Y表示碳原子數(shù)l-6的烷基、卣素原子、碳原子數(shù)1~6的烷氧基、硝基、氰基、羥基或碳原子數(shù)1~6的烷基硫基。m表示0~4的整數(shù)。另外，m為24的情況下，上述Y可以相同也可以不同。另外，m為03的情況下，(4-m)個(gè)其它位置是氫原子。作為烷基、烷氧基和烷J^克基的具體例，可以列舉出與上述同樣的基團(tuán)。作為式(c4-11)所示的化合物的具體例，可以列舉出上述對(duì)苯二曱酸二縮水甘油基酯化合物、間苯二甲酸二縮7JC甘油基酯化合物和鄰苯二甲酸二縮7jC甘油基酯化合物。作為式(c4-8)的化合物使用富馬酸、作為式(c4-10)的化合物使用對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯的情況下，可以認(rèn)為所獲得的聚合物是具有式(c4-21)所示的結(jié)構(gòu)作為重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物。另外，例如，在作為式(c4-8)的化合物使用富馬酸、作為式(c4-10)的化合物使用對(duì)苯二甲酸二縮水甘油基酯和1,4-丁二醇二縮水甘油基醚的兩種化合物的情況下，可以認(rèn)為所獲得的聚合物是具有式(c4-21)和式(c4-30)所示的結(jié)構(gòu)作為重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物。另外，作為聚合物(c4)，可以列舉出具有式(c4-12)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage70</formula>這樣的聚合物可以通過富馬酸與式(c4-10)所示的化合物的加聚反應(yīng)來制造。作為聚合物(c4)，另外，可以列舉出具有式(c4-13)和式(c4-14)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物?；?3<formula>formulaseeoriginaldocumentpage70</formula>式中、q2表示式(c4-15)、式(c4-16)或式(c4-17)所示的結(jié)構(gòu)q3表示式(c4-18)所示的結(jié)構(gòu)?；?4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage70</formula>化55<formula>formulaseeoriginaldocumentpage70</formula>這里，Y、m、R3、R4和Rs與上述同義。式(c4-18)中、q4表示碳原子數(shù)1~15的亞烷基，I!3和Il4分別表示0或1的數(shù)。作為亞烷基，可以列舉出例如，亞甲基、亞乙基、正亞丙基和正亞戊基等的直鏈亞烷基、2-甲基亞丙基和1，4-二曱基亞丁基等的分枝亞烷基和環(huán)亞戊基、環(huán)亞丁基和環(huán)亞己基等的環(huán)狀亞烷基。這樣的具有式(c4-13)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)和式(c4-14)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物，可以通過使富馬酸與選自式(c4-11)所示的化合物、二縮水甘油基巴比妥酸化合物和二縮水甘油基異氰脲酸化合物中的化合物與式(c4-35)所示的化合物反應(yīng)來制造。化560HH0HC。C一C-Q3-C-c/」CH(c4-35)HHHHHH例如，在富馬酸以及l(fā)，3-二縮水甘油基-5，5-二乙基巴比妥酸和l，2-環(huán)己烷二曱酸二縮水甘油基酯用于制造聚合物的情況下，所獲得的聚合物可以認(rèn)為是具有式(c4-20)〔(式(c4-13)中Q2是式(c4-16)(R3和R4都是乙基)〕和式(c4-29)〔(式(c4-14)中Q3是式(c4-18)(n3和Il4都是l，Q4是l，2-環(huán)亞己基)〕所示的結(jié)構(gòu)作為重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物。形成防反射膜的組合物中含有的具有式(c4-l)或式(c4-2)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物，如前所述，可以通過式(c4-8)或式(c4-9)所示的化合物與式(c4-10)所示的化合物的反應(yīng)來制造。另夕卜，這些反應(yīng)中，除了式(c4-8)式(c4-10)的化合物之外，根據(jù)需要，可以并用具有一~四個(gè)羥基、硫醇基、氛基和氨基等的能夠與環(huán)氧基反應(yīng)的基團(tuán)的化合物和具有一~四個(gè)環(huán)氧基的化合物等其它化合物。在使用這些其它化合物的情況下，作為其使用量，相對(duì)于反應(yīng)中使用的式(c4-8)~式(c4-10)的化合物的合計(jì)量IOO質(zhì)量份，可以以例如1~100質(zhì)量份、或550質(zhì)量份、或10~25質(zhì)量份使用。作為具有一四個(gè)羥基、硫醇基、氛基和氨基等的能夠與環(huán)氧基反應(yīng)的基團(tuán)的化合物，可以列舉出例如，乙烷二硫醇、1，3-丙烷二硫醇、1，714-苯二硫醇、2-二曱基氨基-l，3，5-三噪-4，6-二硫醇、三-2-羧基乙基異氰脲酸、三-3-羧基丙基異氰脲酸、乙二胺、亞苯基二胺、甘油、三乙醇胺、氨基苯酚和4，4，-二羥基二苯基砜等。作為具有一~四個(gè)環(huán)氧基的化合物，可以列舉出例如，三(2，3-環(huán)氧丙基)異氰脲酸、四縮水甘油基二氨基二苯基曱烷、雙酚-A-二縮水甘油基醚和雙酚-S-二縮水甘油基醚等。作為具有式(c4-l)或式(c4-2)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物，可以使用一種聚合物，另外，可以組合使用兩種以上的聚合物。作為具有式(c4-l)或式(c4-2)所示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)的聚合物的分子量，作為重均分子量，例如為1000~200000、另外，例如為3000~100000、或4000~30000、或5000~25000。為了防止與上面涂布的光致抗蝕劑膜(D層)的混合，優(yōu)選在涂布后、通過加熱使其交聯(lián)，形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物進(jìn)而可以包含交聯(lián)劑成分。作為該交聯(lián)劑，可以列舉出三聚氰胺系、取代脲系、或它們的聚合物系等。優(yōu)選為具有至少2個(gè)交聯(lián)形成取代基的交聯(lián)劑，是曱氧基曱基化甘脲、丁氧基曱基化甘脲、曱氧基甲基化三聚氰胺、丁氧基甲基化三聚氰胺、甲氧基曱基苯胍胺、丁氧基甲基苯胍胺、甲氧基曱基脲、丁氧基甲基脲、曱氧基曱基硫脲、或甲氧基甲基硫脲等的化合物。另外，也可以使用這些化合物的縮合體。交聯(lián)劑的添加量根據(jù)使用的涂布溶劑、使用的基底基板、要求的溶液粘度、要求的膜形狀等而改變，相對(duì)于全部固形成分，為0.001~80質(zhì)量。/。、優(yōu)選0.01~50質(zhì)量％、進(jìn)一步優(yōu)選0.05~40質(zhì)量％。這些交聯(lián)劑有時(shí)也由于自身縮合而發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，在本發(fā)明的上述聚合物中存在交聯(lián)性取代基的情況下，可以與這些交聯(lián)性取代基發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)。作為用于促進(jìn)上述交^i^應(yīng)的催化劑，可以配合對(duì)曱笨璜酸、三氟甲烷磺酸、對(duì)甲苯磺酸吡咬錯(cuò)、水楊酸、磺基水楊酸、檸檬酸、苯甲酸、羥基苯甲酸、萘甲酸等的酸性化合物或/和2，4，4，6-四溴環(huán)己二烯酮、苯偶姻曱苯磺酸酯、2-硝基節(jié)基曱苯磺酸酯、其它有機(jī)磺酸烷基酯等的熱產(chǎn)酸劑。配合量相對(duì)于全部固形成分，為0.0001~20質(zhì)量％、優(yōu)選0.0005~10質(zhì)量％。本發(fā)明中使用的形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物，為了與在光刻工序中上層裙覆的光致抗蝕劑的晚變一致，可以添加光產(chǎn)酸劑。作為優(yōu)選的光產(chǎn)酸劑，可以列舉出例如，雙(4-叔丁基苯基)三氟甲烷磺酸碘鏘、三苯基三氟曱烷磺酸锍等的錯(cuò)鹽系光產(chǎn)酸劑類、苯基-雙(三氯曱基)-s-三溱等的含有卣素的化合物系光產(chǎn)酸劑類、苯偶姻甲M酸酯、N-羥基琥珀酰亞胺三氟曱烷磺酸酯等的磺酸系光產(chǎn)酸劑類等。上述光產(chǎn)酸劑相對(duì)于全部固形成分，為0.2~10質(zhì)量％、優(yōu)選0.4~5質(zhì)量％。作為溶解上述聚合物(c)和交聯(lián)劑成分、交聯(lián)催化劑等的溶劑，可以使用乙二醇單曱基醚、乙二醇單乙基醚、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、二甘醇單曱基醚、二甘醇單乙基醚、丙二醇、丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、曱苯、二曱苯、甲基乙基酮、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸曱酯、3-曱氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯等。這些有機(jī)溶劑可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。進(jìn)而，可以混合使用丙二醇單丁基醚、丙二醇單丁基醚乙酸酯等的高沸點(diǎn)溶劑。這些溶劑中，為了提高流平性，優(yōu)選丙二醇單甲基醚、丙二醇單曱基醚乙酸酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯和環(huán)己酮等。本發(fā)明中使用的形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物中使用的聚合物(c),在形成聚合物時(shí)，可以在形成這些結(jié)構(gòu)單元的單體中進(jìn)而共聚合非交聯(lián)性的單體，由此可以進(jìn)行干蝕刻速度、反射率等的微調(diào)節(jié)。作為這樣的共聚合單體，可以列舉如下。例如，選自丙烯酸酯類、丙烯酰胺類、曱基丙烯酸酯類、曱基丙烯酰胺類、烯丙基化合物、乙烯基醚類、乙烯基酯類、苯乙烯類、巴豆酸酯類等的具有1個(gè)加聚性不飽和鍵的化合物。作為丙烯酸酯類，可以列舉出例如烷基的碳原子數(shù)為1~10的烷基丙烯酸酯。作為甲基丙烯酸酯類，可以列舉出例如烷基的碳原子數(shù)為1~10的烷基甲基丙烯酸酯。作為丙烯酰胺類，可以列舉出丙烯酰胺、N-烷基丙烯酰胺、N-芳基丙烯酰胺、N，N-二烷基丙烯酰胺、N,N-二芳基丙烯酰胺、N-甲基-N-苯基丙烯酰胺、N-2-乙酰胺乙基-N-乙?；０返?。作為甲基丙烯酰胺類，可以列舉出例如甲基丙烯酰胺、N-烷基甲基丙烯酰胺、N-芳基甲基丙烯酰胺、N，N-二烷基甲基丙烯酰胺、N，N-二芳基甲基丙烯酰胺、N-甲基-N-苯基曱基丙烯酰胺、N-乙基-N-苯基曱基丙烯酰胺等。作為乙烯基醚類，可以列舉出例如烷基乙烯基醚、乙烯基芳基醚。作為乙烯基酯類，可以列舉出例如乙烯基丁酸酯、乙烯基異丁酸酯、乙烯基三甲基乙酸酯。作為苯乙烯類，可以列舉出例如苯乙烯、烷基苯乙烯、烷氧基苯乙烯、卣化苯乙烯、M苯乙烯。作為巴豆酸酯類，可以列舉出例如巴豆酸丁酯、巴豆酸己酯、甘油單巴豆酸酯等的巴豆酸烷基酯。另外，可以列舉出衣康酸二烷酯類、馬來酸或富馬酸的二烷基酯類或單烷基酯類、巴豆酸、衣康酸、馬來酸酐、內(nèi)酯、丙烯腈、曱基丙烯腈、馬來腈等。另外，只要是一般能夠共聚的加聚性不飽和化合物，就可以使用。本申請(qǐng)發(fā)明中、形成有機(jī)下層膜(A層)的組合物、形成含硅的硬掩模(B層)的組合物和形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物，與形成各層的組合物同樣，可以進(jìn)而添加吸光劑、流變調(diào)節(jié)劑、粘接輔助劑、表面活性劑等。作為吸光劑，可以優(yōu)選使用例如，"工業(yè)用色素的技術(shù)和市場(chǎng)"(CMC出版)、"染料便覽"(有機(jī)合成化學(xué)協(xié)會(huì)編)記載的市售的吸光劑、例如，^t黃(C.LDisperseYellow)1、3、4、5、7、8、13、23、31、49、50、51、54、60、64、66、68、79、82、88、90、93、102、114和124，^L橙(C.I.DisperseOrange)1、5、13、25、29、30、31、44、57、72和73,^L紅(C.I.DisperseRed)1、5、7、13、17、19、43、50、54、58、65、72、73、88、117、137、143、199和210，^L紫(C.I.DisperseViolet)43，分散藍(lán)(C.I.DisperseBlue)96，熒光增白劑(C.I.FluorescentBrighteningAgent)112、135和163，溶劑橙(C.I.SolventOrange)2和45，溶劑紅(C.I.SolventRed)1、3、8、23、24、25、27和49，顏料綠(C.I.PigmentGreen)10，顏料棕(C.I.PigmentBrown)2等。上述吸光劑通常相對(duì)于全部固形成分，以10質(zhì)量％以下、優(yōu)選5質(zhì)量％以下的比例配合。流變調(diào)節(jié)劑在提高形成膜的組合物的流動(dòng)性特別是烘烤工序中、為了提高膜厚均一性而添加。作為具體例，可以列舉出，鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二曱酸二乙酯、鄰苯二曱酸二異丁酯、鄰苯二甲酸二己酯、鄰苯二甲酸丁酯異癸酯等的鄰笨二甲酸^^生物，己二酸二正丁酯、己二酸二異丁酯、己二酸二異辛酯、己二酸辛癸酯等的己二酸衍生物，馬來酸二正丁酯、馬來酸二乙酯、馬來酸二壬酯等的馬來酸衍生物，油酸甲酯、油酸丁酯、油酸四氫糠酯等的油酸衍生物，或硬脂酸正丁酯、硬脂酸甘油酯等的硬脂酸衍生物。這些流變調(diào)節(jié)劑，在全部固形成分中，通常以小于30%質(zhì)量的比例配合。粘結(jié)輔助劑主要是為了提高與基板或下層膜的粘附性，特別是在顯影中使光致抗蝕劑不剝離而添加的。作為具體例，可以列舉出，三甲基氯珪烷、二甲基乙烯基氯硅烷、甲基二苯基氯硅烷、氯甲基二曱基氯硅烷等氯硅烷類，三曱基曱氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基二甲^L&硅烷、二甲基乙烯基乙氧基硅烷、二苯基二曱氧M烷、苯基三乙氧基硅烷等的烷氧基硅烷類，六甲基二硅氮烷、N，N，-雙(三甲基曱硅烷基)脲、二曱基三曱基曱硅烷基胺、三曱基甲硅烷基咪唑等的硅氮烷類，乙烯基三氯硅烷、Y-氯丙基三曱氧基硅烷、Y-氨基丙基三乙lL&硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等的硅烷類，苯并三唑、苯并咪唑、吲唑、咪唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并7悉唑、尿唑、硫尿嘧啶、巰基咪唑、巰基嘧啶等的雜環(huán)化合物，或l，l-二甲基脲、1，3-二曱基脲等的脲或硫脲化合物。這些粘接輔助劑相對(duì)于全部固形成分，通常以小于5質(zhì)量％、優(yōu)選小于2質(zhì)量％的比例配合。在本發(fā)明中使用的形成膜的組合物中，為了不產(chǎn)生針孔、條紋等，進(jìn)而提高對(duì)不均勻表面的涂布性，可以添加表面活性劑。作為表面活性劑，可以列舉出例如，聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯十八烷基醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯油基醚等的聚氧乙烯烷基醚類，聚氧乙烯辛基苯酚醚、聚氧乙烯壬基苯酚醚等的聚氧乙烯烷基芳基醚類，聚氧乙烯.聚氧丙烯嵌段共聚物類，失水山梨糖醇單月桂酸酯、失水山梨糖醇單棕櫚酸酯、失水山梨糖醇單硬脂酸酯、失水山梨糖醇單油酸酯、失水山梨糖醇三油酸酯、失水山梨糖醇三硬脂酸酯等的失水山梨糖醇脂肪酸酯類，聚氧乙烯失水山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三硬脂酸酯等的聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯類等的非離子表面活性劑，商品名工7卜、;/T0EF301、EF303、EF352((林)卜一亇厶:/口歹夕、乂制)、商品名7^f7:r、7夕F171、F173(大日本一^年(抹)制)、商品名7口，一KFC430、FC431(住友7U—工厶(抹)制)、商品名7廿匕^f一KAG710、廿一:7口、ZS-382、SC畫101、SC-102、SC畫103、SC-104、SC-105、SC-106(旭硝子(林)制)等的氟類表面活性劑、有機(jī)硅氧烷聚合物KP341(信越化學(xué)工業(yè)(林)制)等。這些表面活性劑的配合量，在相對(duì)于全部固形成分，通常為0.2%質(zhì)量以下，優(yōu)選為0.1%質(zhì)量以下。這些表面活性劑可以單獨(dú)添加，也可以將2種以上組合添加。作為本發(fā)明中的光致抗蝕劑膜(D層)，可使用負(fù)型光致抗蝕劑、正型光致抗蝕劑中的任一種，例如，含有線型酚醛清漆樹脂和l，2-萘醌二疊氮基磺酸酯的正型光致抗蝕劑、含有具有通過酸分解來提高堿溶解速度的基團(tuán)的粘合劑和光產(chǎn)酸劑的化學(xué)放大型光致抗蝕劑、含有堿可溶性粘合劑和通過酸分解來提高光致抗蝕劑的堿溶解速度的低分子化合物和光產(chǎn)酸劑的化學(xué)放大型光致抗蝕劑、含有具有通過酸分解來提高堿溶解速度的基76團(tuán)的粘合劑和通過酸分解來提高光致抗蝕劑的堿溶解速度的低分子化合物和光產(chǎn)酸劑的化學(xué)放大型光致抗蝕劑、骨架中具有Si原子的光致抗蝕劑等、可以列舉出例如，口一厶:r:/K八一、乂社制商品名APEX-E、住友化學(xué)工業(yè)(林)制商品名PAR710、信越化學(xué)工業(yè)(株)制商品名SEPR430等。另夕卜，可以列舉出例如，Proc.SPIE,Vol.3999，330-334(2000)、Proc.SPIE，Vol.3999，357-364(2000)、Proc.SPIE,Vol.3999，365-374(2000)記載的那樣的含氟原子聚合物系光致抗蝕劑。作為本發(fā)明的光致抗蝕劑膜(D層)的顯影液，可以使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、硅酸鈉、偏硅酸鈉、氨水等的無機(jī)堿類、乙基胺、正丙基胺等的伯胺類、二乙基胺、二正丁基胺等的第二胺類、三乙基胺、甲基二乙基胺等的第三胺類、二甲基乙醇胺、三乙醇胺等的醇胺類、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、膽堿等的季銨鹽、吡咯、哌啶等的環(huán)狀胺類等的堿類的水溶液。進(jìn)而，上逸喊類的水溶液中，也可以適當(dāng)量添加異丙基醇等的醇類、非離子系等的表面活性劑。其中優(yōu)選的顯影液是季銨鹽、進(jìn)一步優(yōu)選四曱基氬氧化銨和膽堿。在本申請(qǐng)發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，包括在半導(dǎo)體a上形成有機(jī)下層膜(A層)的工序、在其上形成含硅的硬掩才莫(B層)的工序、在其上形成有機(jī)防反射膜(C層)的工序和在其上形成光致抗蝕劑膜(D層)的工序、通過曝光和顯影來對(duì)光致抗蝕劑膜(D層)形成抗蝕劑圖形的工序、根據(jù)抗蝕劑圖形來蝕刻有機(jī)防反射膜(C層)的工序、利用構(gòu)圖化了的有機(jī)防反射膜(C層)來蝕刻含硅的硬掩模(B層)的工序、利用構(gòu)圖化了的含硅的硬掩模(B層)來蝕刻有機(jī)下層膜(A層)的工序、利用構(gòu)圖化了的有機(jī)下層膜(A層)來加工半導(dǎo)體基板的工序。在上述工序中，優(yōu)選有機(jī)下層膜(A層)的膜厚為50~500nm，含硅的硬掩模(B層)的膜厚為50~200nm,有機(jī)防反射膜(C層)的膜厚為10~100nm,A層:B層:C層的膜厚比為1~10:1~5:1的比例。在半導(dǎo)體器件的制造中使用的基板(例如，硅晶片基板、硅/二氧化硅凈M基板、氮化珪a、玻璃基板、ITO基板、聚酰亞胺基板和低介電常數(shù)材料(low-k材料)被覆基板等)上，通過旋涂、涂層等的適當(dāng)?shù)耐坎挤椒?，來涂布本發(fā)明中使用的形成有機(jī)下層膜(A層)的組合物，然后通過烘烤來形成有機(jī)下層膜(A層)。作為烘烤的條件，可以從烘烤溫度80。C~250X:、烘烤時(shí)間0.3~60分鐘中適當(dāng)選擇。優(yōu)選烘烤溫度150。C~250匸、烘烤時(shí)間0.5~2分鐘。然后、在該有機(jī)下層膜(A層)之上，涂布形成含硅的硬掩模(B層)的組合物，通過上述烘烤條件來形成含硅的硬掩模(B層)。然后，在含硅的硬掩模(B層)之上，涂布形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物，通過上述烘烤條件形成有機(jī)防反射膜(C層)。進(jìn)而在有機(jī)防反射膜(C層)之上涂布形成光致抗蝕劑(D層)的組合物，通過上述烘烤條件，形成光致抗蝕劑膜(D層)。作為光致抗蝕劑膜(D層)的膜厚，例如為50~10000nm，或100~2000腿，或2001000nm。接著，通過規(guī)定的掩模來進(jìn)行曝光。爆光可以使用KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)248nm)、ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)和F2準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)157nm)等。曝光后、根據(jù)需要，還可以進(jìn)行曝光后加熱(postexposurebake)。曝光后加熱可以在從加熱溫度70。C~150'C、加熱時(shí)間0.3~10分鐘中適當(dāng)選擇的條件下進(jìn)行。然后、通過顯影液來進(jìn)行顯影。由此，在例如^f吏用正型光致抗蝕劑的情況下，除去曝光的部分的光致抗蝕劑，形成光致抗蝕劑的圖形。作為顯影的M,可以從溫度550。C、時(shí)間10~300秒中適當(dāng)選擇。另外，將這樣形成的光致抗蝕劑膜(D層)的圖形作為保護(hù)膜，進(jìn)行有機(jī)防反射膜(C層)的除去，然后將構(gòu)圖化了的有機(jī)防反射膜(C層)作為保護(hù)膜，進(jìn)行含硅的硬掩模(B層)的除去，然后將構(gòu)圖化了的含硅的硬掩模(B層)作為保護(hù)膜，進(jìn)行有機(jī)下層膜(A層)的除去，最后將構(gòu)圖化了的有機(jī)下層膜(A層)作為保護(hù)膜進(jìn)行半導(dǎo)體基板的加工。通過干蝕刻來將除去了光致抗蝕劑膜的部分的下層膜(中間層)去除，露出半導(dǎo)體基板。首先，將構(gòu)圖化了的光致抗蝕劑膜(D層)作為保護(hù)膜，進(jìn)行有機(jī)防反射膜(c層)的除去。有機(jī)防反射膜(c層)優(yōu)選通過利用氧系氣體、氟系氣體(例如CF4氣體)的干蝕刻來進(jìn)行。用氧系氣體、氟系氣體(例如CF4氣體)也可以除去光致抗蝕劑膜(D層)，但是有機(jī)防反射膜(C層)的干蝕刻速度更快，因此可以正確地將抗蝕劑圖形轉(zhuǎn)印至有機(jī)防反射膜(C層)。然后，在含硅的硬掩模(B層)的千蝕刻中，可以使用四氟甲烷(CF4)、全氟環(huán)丁烷(C4F8)、全氟丙烷(C3F8)、三氟甲烷、一氧化碳、氬、氧、氮、六氟化硫、二氟甲烷、三氟化氮和三氟化氯、氯、三氯硼烷和二氯硼烷等的氣體。特別優(yōu)選使用氯類氣體、氟系氣體。在利用氯類氣體、氟系氣體進(jìn)行的干蝕刻中，很難除去基本上由有機(jī)物質(zhì)構(gòu)成的光致抗蝕劑。與此相對(duì)，含有大量硅原子的含硅的硬掩模(B層)可以通過氯類氣體、氟系氣體被快速除去。因此，可以抑制伴隨著含硅的硬掩模(B層)的干蝕刻的光致抗蝕劑層(D層)和有機(jī)防反射膜(C層)的膜厚的減少。其結(jié)果是可以以薄膜的形式使用光致抗蝕劑。作為氯類氣體，例如是二氯硼烷、三氯硼烷、氯、四氯化碳和氯仿等。然后，將構(gòu)圖化了的光致抗蝕劑膜(D層)、有機(jī)防反射膜(C層)和含珪的硬掩模(B層)形成的膜作為保護(hù)膜，進(jìn)行有機(jī)下層膜(A層)的除去。有機(jī)下層膜(A層)優(yōu)選通過利用氧系氣體的干蝕刻來進(jìn)行。這是因此含有大量硅原子的含珪的硬掩模(B層)很難在利用氧系氣體的干蝕刻中被除去。最后進(jìn)行半導(dǎo)體基板的加工。半導(dǎo)體M的加工優(yōu)選通過氟系氣體的干蝕刻來進(jìn)行。作為氟系氣體，可以列舉出例如，四氟曱烷(CF4)、全氟環(huán)丁烷(C4F8)、全氟丙烷(C3F8)、三氟曱烷(CHF3)和二氟甲烷(CH2F2)等。這些氣體可以作為與惰性氣體的混合氣體使用。在本發(fā)明中，在141上形成有機(jī)下層膜(A層)后、在其上形成含硅的硬掩模(B層)、有機(jī)防反射膜(C層)，進(jìn)而在其上被覆光致抗蝕劑膜(D層)。由此，光致抗蝕劑膜(D層)的圖形寬度變小，即使在為了79防止圖形倒塌而薄薄地祐產(chǎn)了光致抗蝕劑膜(D層)的情況下，通過選擇適當(dāng)?shù)奈g刻氣體，也可以加工M。例如，對(duì)光致抗蝕劑(D層)、有機(jī)防反射膜(C層)具有充分快的蝕刻速度的氯類氣體、氟系氣體，可以作為蝕刻氣體來加工含硅的硬掩模(B層)，另外，對(duì)含硅的硬掩模具有充分快的蝕刻速度的氧系氣體，可以作為蝕刻氣體來加工有機(jī)下層膜(A層)，進(jìn)而，對(duì)有機(jī)下層膜(A層)具有充分快的蝕刻速度的氟系氣體，可以作為蝕刻氣體來進(jìn)行半導(dǎo)體J41的加工。另外，！4l可以是在其表面具有用CVD法等形成的無機(jī)系的防反射膜的1，也可以在其上形成有機(jī)下層膜(A層)。本發(fā)明的有機(jī)下層膜(A層)、含硅的硬掩模(B層)和有機(jī)防反射膜(C層)，另外，根據(jù)光刻工序中使用的光的波長(zhǎng)的不同，有時(shí)對(duì)該光具有吸收。另外，在這樣的情況下，可以作為具有防止從141的反射光的效果的防反射膜而起作用。進(jìn)而，本發(fā)明的有機(jī)防反射膜(C層)可以用作下述層，所述層是用于防止基板和光致抗蝕劑之間的相互作用的層、具有防止光致抗蝕劑中^f吏用的材料或?qū)庵驴刮g劑進(jìn)行曝光時(shí)生成的物質(zhì)對(duì)J41的不良影響的功能的層、具有防止在加熱烘烤時(shí)由M生成的物質(zhì)向上層光致抗蝕劑的擴(kuò)散的層、用于減少半導(dǎo)體M電介質(zhì)層產(chǎn)生的光致抗蝕劑層的中毒效果的阻擋層等。為了應(yīng)對(duì)形成微細(xì)的圖形所必須的薄膜抗蝕劑，與現(xiàn)有的3層系結(jié)構(gòu)(有機(jī)下層膜(A層)、含硅的硬掩模(B層)和光致抗蝕劑(D層))比較，在含珪的硬掩模(B層)和光致抗蝕劑(D層)之間，通過設(shè)置與(B層)和(D層)的相容性良好的有機(jī)防反射膜(C層)的4層結(jié)構(gòu)，使得各層有效地起作用，對(duì)樣i細(xì)圖形的形成有效。下面，通過實(shí)施例來更具體地說明本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于此。實(shí)施例合成例l(形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物的制造)化57式(1)將上述式(1)的丁內(nèi)酯甲基丙烯酸酯6.6g(0.039摩爾)、甲基丙烯酸輕基丙基酯6.6g(0.046摩爾)和甲基丙烯酸芐基酯6.8g(0.039摩爾)溶解在四氫呋喃64.4g中，然后將燒瓶?jī)?nèi)用氮?dú)庵脫Q升溫至回流溫度。在回流開始后，在氮加壓下添加溶解在四氫呋喃10g中的偶氮雙異丁腈(AIBN)0.2g，反應(yīng)24小時(shí)。反應(yīng)溶液冷卻后、fcV到乙醚中，使聚合物再沉淀，加熱干燥，獲得式(2)的樹脂。所獲得的樹脂的聚合度為490、重均分子量為Mw80000(聚苯乙烯校準(zhǔn))、x:yl:y2的比為31%:38%:31%、收率為90%?；?8<formula>formulaseeoriginaldocumentpage81</formula>在具有上述合成例1中獲得的樹脂16g的丙二醇單甲基醚溶液80g中，混合作為交聯(lián)劑的六曱氧基甲醇三聚氰胺4g和作為交聯(lián)催化劑的對(duì)曱苯磺酸0.4g，溶解在作為溶劑的丙二醇單甲基醚565g中，形成3.1%溶液后，使用孔徑0.10Mm的聚乙烯制微孔過濾器進(jìn)行過濾，然后使用孔徑0.05|Jm的聚乙烯制微孔過濾器進(jìn)行過濾，調(diào)制形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物。合成例2(形成含硅的硬掩模(B層)的組合物的制造)將苯基三曱氧^l:烷4.00g、曱基三乙氧基硅烷10.99g、四曱li^硅烷15.35g、水7.08g和對(duì)甲苯磺酸0.365g添加在丙二醇單曱基醚40.71g中，在80C攪拌1小時(shí)，獲得式(3)的樹脂。在式(3)中，S1:S2:S3的比為11%:33°/"56%。式(3)中獲得的聚硅氧烷樹脂的重均分子量為11000，數(shù)均分子量為3400。CH3一(SiO!.5)—(SiO工.5)—(Si〇2.o)——式(3)SIS2IS3然后、在該固形成分濃度39質(zhì)量％的反應(yīng)溶液10g中加入對(duì)曱M酸0.195g、丙二醇單甲基醚2.68g、丙二醇單曱基醚乙酸酯8.78g和環(huán)己酮17.5g，形成10.0質(zhì)量％。另外，使用孔徑0.2pm的聚乙烯制微孔過濾器進(jìn)行過濾，獲得形成含硅的硬掩模(B層)的組合物的溶液。合成例3(形成含硅的硬掩模(B層)的組合物的制造)在丙二醇單曱基醚乙酸酯114.5g中，添加具有式(4):式(4)的單元結(jié)構(gòu)的聚硅烷化合物SI-2020(大阪力'7^$力/k(林)制、重均分子量5900、數(shù)均分子量1800、式(4)的聚硅烷中的X:Y的比為50%:50%的比例，兩末端具有硅醇基)5.0g、KN030(大敗有機(jī)化學(xué)工業(yè)(林)制、成分是萘酚酚醛清漆與甲酚酚醛清漆的共聚物，共聚合比為萘酚酚醛清漆70摩爾％、甲酚酚醛清漆30摩爾％、重均分子量為1500)5.0g、四甲氧基甲基甘脲2.50g和對(duì)甲苯磺酸吡咬錯(cuò)0.125g，形成10.0質(zhì)量％溶液。另外，使用孔徑0.2um的聚乙烯制微孔過濾器進(jìn)行過濾，調(diào)制形成含珪的硬掩模(B層)的組合物的溶液。合成例4(形成有機(jī)下層膜(A層)的組合物的制造)將2-乙烯基萘35g(0.227摩爾)、丙烯酸2-羥基乙基酯2.9g(0.025摩爾)溶解在環(huán)己酮112g后，將燒瓶?jī)?nèi)用氮?dú)庵脫Q，升溫至60"C。升溫后、將溶解在環(huán)己酮47g中的偶氮雙異丁腈1.9g在氮加壓下添加，在60Hlslc-OC反應(yīng)24小時(shí)。將反應(yīng)溶液冷卻后、投入到甲醇中，將聚合物進(jìn)行再沉淀、加熱干燥，獲得式(5)的聚合物。所獲得的聚合物的重均分子量Mw為12000(聚苯乙烯校準(zhǔn))?；?1、OH在上述獲得的聚合物6g中混合四丁氧基曱基甘脲0.5g和對(duì)甲M酸吡咬銪0.05g，溶解在環(huán)己酮126g和丙二醇單甲基醚54g中，形成溶液。然后、使用孔徑0.10jLim的聚乙烯制微孔過濾器進(jìn)行過濾，進(jìn)而使用孔徑0.05Mm的聚乙烯制微孔過濾器，進(jìn)行過濾，調(diào)制形成有機(jī)下層膜(A層)的組合物的溶液。合成例5(形成含硅的硬掩模(B層)的組合物的制造)將四乙氧基硅烷62.47g和苯基三曱氧基珪烷8.49g、乙烯基三甲氧基珪烷6,35g、甲基三乙氧基珪烷7.64g、乙醇84.95g加入300mL的燒瓶中，使其溶解，將所獲得的混合溶液用磁力攪拌器一邊攪拌，一邊加溫，回流。然后將在離子交換水28.55g中溶解有鹽酸1.56g的水溶液添加到混合溶液中。反應(yīng)2小時(shí)后、將所獲得的反應(yīng)溶液冷卻至室溫。然后、在反應(yīng)溶液中加入丙二醇單曱基醚乙酸酯200g，將作為反應(yīng)副產(chǎn)物的乙醇、水、鹽酸減壓餾去，獲得水解縮合物溶液。所獲得的聚合物通過GPC測(cè)定到的分子量，以聚苯乙烯校準(zhǔn)，Mw為6000。在該溶液75.28g中，添加丙二醇單甲基醚242.50g、丙二醇單曱基醚乙酸酯181.79g，調(diào)制形成含硅的硬掩模(B層)的組合物。實(shí)施例1將合成例4中獲得的形成有機(jī)下層膜(A層)的組合物涂布在硅晶片上，在電熱板上在240'C加熱1分鐘，獲得膜厚200nm的有機(jī)下層膜(A層)。在其上涂布合成例2中獲得的形成含硅的硬掩模(B層)的組合物，H-c—HH-c—c-oooH-c—HHlc-83在電熱板上在240"C加熱1分鐘，獲得膜厚70nm的含硅的硬掩模(B層)。在其上，涂布合成例1中獲得的形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物，在電熱板上在240"C加熱1分鐘，獲得膜厚30nm的有機(jī)防反射膜(C層)。在其上通過旋涂來涂布市售的光致抗蝕劑溶液(住友化學(xué)工業(yè)(林)制、商品名PAR855)，在電熱板上在IOO'C加熱1分鐘，形成膜厚150nm的光致抗蝕劑膜(D層)。實(shí)施例2將合成例4中獲得的形成有機(jī)下層膜(A層)的組合物涂布在硅晶片上，在電熱板上在240"C加熱1分鐘，獲得膜厚200nm的有機(jī)下層膜(A層)。在其上涂布合成例3中獲得的形成含硅的硬掩模(B層)的組合物，在電熱板上在240C加熱1分鐘，獲得膜厚70nm的含硅的硬掩模(B層)。在其上涂布合成例1中獲得的形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物，在電熱板上在240。C加熱1分鐘，獲得膜厚30nm的有機(jī)防反射膜(C層)。在其上通過旋涂來涂布市售的光致抗蝕劑溶液(住友化學(xué)工業(yè)(林)制、商品名PAR855)，在電熱板上在IOOX:加熱1分鐘，形成膜厚150nm的光致抗蝕劑膜(D層)。實(shí)施例3將合成例4中獲得的形成有機(jī)下層膜(A層)的組合物涂布在硅晶片上，在電熱板上在240C加熱1分鐘，獲得膜厚200nm的有機(jī)下層膜(A層)。在其上涂布合成例5中獲得的形成含硅的硬掩模(B層)的組合物，在電熱板上在240'C加熱1分鐘，獲得膜厚40nm的含硅的硬掩模(B層)。在其上涂布合成例1中獲得的形成有機(jī)防反射膜(C層)的組合物，在電熱板上在205。C加熱1分鐘，獲得膜厚30nm的有機(jī)防反射膜(C層)。在其上通過旋涂涂布市售的光致抗蝕劑溶液(東京應(yīng)化工業(yè)(林)制、商品名TARF-P6111)，在電熱板上在130。C加熱90秒，形成膜厚160nm的光致抗蝕劑膜(D層)。該膜使用CANON社制商品名FPA-6000AS4掃描儀(波長(zhǎng)193nm、NA、a:0.93/0.814(偶極))，在顯影后，光致抗蝕劑的線寬和該線間的寬度為0.075iam，即為0.075jamL/S(致密線，另外，透過按照形成這樣的線而設(shè)定的掩模，進(jìn)行啄光。然后、在電熱板上在130"C烘烤90秒，冷卻后、在工業(yè)規(guī)格的60秒單漿式工序中用0.26N四曱基氫氧化銨顯影液顯影。從剖面SEM的結(jié)果可知，使用評(píng)價(jià)疊層結(jié)構(gòu)的情況下、即使是75nm的微細(xì)圖形也可以被分辨，抗蝕劑圖形是矩形形狀。比較例1將合成例4中獲得的形成有機(jī)下層膜(A層)的組合物涂布在硅晶片上，在電熱板上在240。C加熱1分鐘，獲得膜厚200nm的有機(jī)下層膜(A層)。在其上涂布合成例2中獲得的形成含硅的硬掩模(B層)的組合物，在電熱板上在240"C加熱1分鐘，獲得膜厚70nm的含硅的硬掩模(B層)。在其上通過旋涂來涂布市售的光致抗蝕劑溶液(住友化學(xué)工業(yè)(抹)制、商品名PAR855),在電熱板上在IOOX:加熱1分鐘，形成膜厚150nm的光致抗蝕劑膜(D層)。比較例2將合成例4中獲得的形成有機(jī)下層膜(A層)的組合物涂布在硅晶片上，在電熱板上在240。C加熱1分鐘，獲得膜厚200nm的有機(jī)下層膜(A層)。在其上涂布合成例3中獲得的形成含硅的硬掩模(B層)的組合物，在電熱板上在240*€加熱1分鐘，獲得膜厚70nm的含硅的硬掩模(B層)。在其上通過旋涂來涂布市售的光致抗蝕劑溶液(住友化學(xué)工業(yè)(林)制、商品名PAR855),在電熱板上在IOOX:加熱1分鐘，形成膜厚150nm的光致抗蝕劑膜(D層)。(與光致抗蝕劑的混合試驗(yàn))將合成例l~4中調(diào)制的形成各膜的組合物的溶液使用旋涂法涂布在硅晶片上。在電熱板上在205'C加熱1分鐘，形成下層膜(膜厚0.10jLim)。在該下層膜的上層，^使用旋涂來涂布市售的光致抗蝕劑溶液(、;x:/^—社制-商品名UV113等)。在電熱板上在120X:加熱1分鐘，將光致抗蝕劑曝光后、在ii5x:進(jìn)行i分鐘的曝光后加熱。在將光致抗蝕劑顯影后、測(cè)定各下層膜的膜厚，確認(rèn)由合成例l~4中調(diào)制的形成膜的組合物的溶液獲得的下層膜與光致抗蝕劑層不發(fā)生混合。(干蝕刻速度的測(cè)定)有機(jī)防反射膜(C層)相對(duì)于抗蝕劑膜(D層)的干蝕刻速度比的測(cè)定，是在硅晶片上形成兩層(在205。C烘烤1分鐘)，使用CF4氣體作為蝕刻氣體，根據(jù)一定時(shí)間的膜厚減少量來比較干蝕刻速度。含硅的硬掩模(B層)相對(duì)于有機(jī)防反射膜(C層)的干蝕刻速度比的測(cè)定，是在硅晶片上形成兩層(在205'C烘烤1分鐘)，作為蝕刻氣體使用CF4氣體，根據(jù)一定時(shí)間的膜厚減少量來比較干蝕刻速度。有機(jī)下層膜(A層)相對(duì)于含硅的硬掩模(B層)的干蝕刻速度比的測(cè)定，是在硅晶片上形成兩層(在205。C烘烤1分鐘)，作為蝕刻氣體使用氧氣，根據(jù)一定時(shí)間的膜厚減少量來比較干蝕刻速度。半導(dǎo)體基板上的被加工膜Si02膜相對(duì)于有機(jī)下層膜(A層)的干蝕刻速度比的測(cè)定，是在硅晶片上形成兩層(在205X:烘烤1分鐘)，作為蝕刻氣體使用CHF3/Ar氣體(混合比CHF3:Ar-l:4)，根據(jù)一定時(shí)間的膜厚減少量來比較干蝕刻速度。另外，比較例中、含珪的硬掩模(B層)相對(duì)于抗蝕劑膜(D層)的干蝕刻速度比的測(cè)定，是在硅晶片上形成兩層(在240C烘烤1分鐘)，作為蝕刻氣體使用CF4氣體，根據(jù)一定時(shí)間的膜厚減少量來比較干蝕刻速度?！脖?〕干蝕刻速度比<table>tableseeoriginaldocumentpage86</column></row><table>根據(jù)下述方法來進(jìn)行聚焦深度裕度的評(píng)價(jià)。在實(shí)施例1~2和比較例1~2中，在硅晶片上形成疊層膜。該膜使用ASML社制PAS5500/1100掃描儀(波長(zhǎng)193nm、NA、cr:0.75、0.89/0.59(Annuler))，在顯影后，光致抗蝕劑的線寬和該線間的寬度為0.09iam，即0.09MmL/S(致密線)，另夕卜，透過按照形成9才艮這樣的線那樣設(shè)定的掩模，進(jìn)行曝光。然后、在電熱板上在100'C烘烤60秒，冷卻后、在工業(yè)規(guī)格的60秒單漿式工序中，用0.26N四甲基氫氧化銨顯影液進(jìn)行顯影。聚焦深度裕度如下測(cè)定。即，將最適聚焦位置作為基準(zhǔn)，將聚焦的位置上下^睹開0.1lim,同時(shí)進(jìn)行上述曝光，通過之后的顯影處理來形成抗蝕劑圖形。另外，應(yīng)該形成的光致抗蝕劑的9根線中，形成7根以上線的情況記作合格，將剩余的6根線以下的情況記作不合格。另外，將能夠獲得這樣的合格的結(jié)果的聚焦位置錯(cuò)開的上下的寬度記作聚焦深度裕度。〔表4〕聚焦深度裕度的測(cè)定聚焦深度裕度極限分辨率抗蝕劑根部形狀(|im)(nm)實(shí)施例10.780良好實(shí)施例20.780良好比較例1———100巻邊形狀比較例2---100巻邊形狀表4中(一)由于抗蝕劑輪廓(profile)是巻邊形狀(根部效應(yīng)形狀footingshape)，因此不能計(jì)算聚焦深度裕度?？芍?，本發(fā)明的實(shí)施例1~2獲得的疊層體的聚焦深度裕度和極限(臨界)分辨率，與比較例1~2比較，是更寬泛的。實(shí)施例的疊層體在193nm的曝光照射光中、可以維持實(shí)用的折射率和衰減系數(shù)，同時(shí)具有寬泛的聚焦深度裕度和極限分辨率。本發(fā)明是通過形成具有寬泛的聚焦深度裕度和高分辨率的抗蝕劑下層膜而實(shí)現(xiàn)的半導(dǎo)體器件的制造方法。所獲得的疊層體不僅具有防止從基板反射的效果，而且有助于光致抗蝕劑的粘附性的提高。實(shí)施例1~2，與比較例1~2比較，極限分辨率的值小，即使進(jìn)行微細(xì)加工，也不產(chǎn)生圖形倒塌，可以形成良好的圖形形狀。根據(jù)本發(fā)明，利用與抗蝕劑層未曝光部具有高粘附性，反射光防止效果高，進(jìn)而與抗蝕劑層不發(fā)生混合，在加熱干燥時(shí)在抗蝕劑中沒有擴(kuò)散物，高分辨力和抗蝕劑膜厚依賴性優(yōu)異的膜材料用組合物，可以提供優(yōu)異的抗蝕劑圖形形成方法。工業(yè)可利用性本發(fā)明是通過使用在半導(dǎo)體基板上按照有機(jī)下層膜、含硅的硬掩模、有機(jī)防反射膜(C層)和光致抗蝕劑膜的順序含有各層的疊層體，來制造半導(dǎo)體器件的方法。通過在光致抗蝕劑的膝光時(shí)不擴(kuò)散酸，提高光致抗蝕劑的聚焦深度裕度，使抗蝕劑圖形的形狀為矩形，可以利用微細(xì)的正確的抗蝕劑圖形來加工半導(dǎo)體基板。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在半導(dǎo)體基板上按照有機(jī)下層膜(A層)、含硅的硬掩模(B層)、有機(jī)防反射膜(C層)和光致抗蝕劑膜(D層)的順序疊層各層的工序。2.—種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括下述工序在半導(dǎo)體141上形成有機(jī)下層膜(A層)的工序；在有機(jī)下層膜上形成含硅的硬掩模(B層)的工序；在硬掩模上形成有機(jī)防反射膜(C層)的工序；和在有機(jī)防反射膜上形成光致抗蝕劑膜(D層)的工序；通過曝光和顯影來對(duì)光致抗蝕劑膜(D層)形成抗蝕劑圖形的工序；按照抗蝕劑圖形來蝕刻有機(jī)防反射膜(C層)的工序；利用已構(gòu)圖化了的有機(jī)防反射膜(C層)來蝕刻含硅的硬掩模(B層)的工序；利用已構(gòu)圖化了的含硅的硬掩模(B層)來蝕刻有機(jī)下層膜(A層)的工序；利用已構(gòu)圖化了的有機(jī)下層膜(A層)來加工半導(dǎo)體基H的工序。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)下層膜(A層)的膜厚為50~500nm,含珪的硬掩模(B層)的膜厚為50~200nm，有機(jī)防反射膜(C層)的膜厚為10~100nm，A層:B層:C層的膜厚比為1~10:1~5:1的比例。4.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)下層膜(A層)是含有在主鏈或與主鏈結(jié)合的側(cè)鏈上具有芳香族稠環(huán)的聚合物的層。5.根據(jù)權(quán)利要求1~4的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)下層膜(A層)是含有在主鏈或與主鏈結(jié)合的側(cè)鏈上具有萘環(huán)的聚合物的層。6.根據(jù)權(quán)利要求1~5的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，含硅的硬掩模(B層)中的硅含量為15~45質(zhì)量％。7.根據(jù)權(quán)利要求1~6的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，含硅的硬掩模(B層)是含有下述聚合物的層，所述聚合物含有聚硅烷、聚硅氧烷、聚碳硅烷或它們的組合。8.根據(jù)權(quán)利要求1~7的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，含硅的硬掩模(B層)是含有下述聚合物的層，所述聚合物含有聚碳硅烷并且含有聚硅烷、聚硅氧烷或它們的組合。9.根據(jù)權(quán)利要求1~8的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)防反射膜(C層)是有機(jī)防反射膜(C層)中含有的聚合物的分子結(jié)構(gòu)近似于光致抗蝕劑膜(D層)中含有的聚合物的分子結(jié)構(gòu)的有機(jī)防反射膜。10.根據(jù)權(quán)利要求1~9的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)防反射膜(C層)是含有下述聚合物的層，所述聚合物是在構(gòu)成聚合物的主鏈或與主鏈結(jié)合的側(cè)鏈上具有苯環(huán)、雜環(huán)或它們的組合的聚合物。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)防反射膜(C層)的聚合物中含有的雜環(huán)是內(nèi)酯環(huán)或三溱環(huán)。12.根據(jù)權(quán)利要求1~11的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，有機(jī)防反射膜(C層)的聚合物中的苯環(huán)的含有率為30~70質(zhì)量％。全文摘要本發(fā)明提供在半導(dǎo)體器件的光刻工序中在光致抗蝕劑的下層中使用的疊層體和使用該疊層體的半導(dǎo)體器件的制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包括下述工序在半導(dǎo)體基板上按照有機(jī)下層膜(A層)、含硅的硬掩模(B層)、有機(jī)防反射膜(C層)和光致抗蝕劑膜(D層)的順序疊層各層的工序。包括使光致抗蝕劑膜(D層)形成抗蝕劑圖形，按照抗蝕劑圖形來蝕刻有機(jī)防反射膜(C層)，利用構(gòu)圖化了的有機(jī)防反射膜(C層)來蝕刻含硅的硬掩模(B層)，利用構(gòu)圖化了的含硅的硬掩模(B層)來蝕刻有機(jī)下層膜(A層)，利用構(gòu)圖化了的有機(jī)下層膜(A層)來加工半導(dǎo)體基板的工序。文檔編號(hào)G03F7/11GK101523292SQ200780037889公開日2009年9月2日申請(qǐng)日期2007年10月12日優(yōu)先權(quán)日2006年10月12日發(fā)明者中島誠(chéng),今村光,境田康志,岸岡高廣,橋本圭祐,竹井敏申請(qǐng)人:日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社