專利名稱：：液晶顯示器和液晶顯示器的制造方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及可采用反射光來進行顯示的反射型或半透射型的液晶顯不器。
背景技術：
：在液晶顯示器(LCD)中有采用作為顯示用的光源的畫面背面的背光的透射型LCD、利用外光的反射光的LCD、以及利用外光的反射光和背光的兩者的半透射型LCD(反射/透射型LCD)。反射型LCD和半透射型LCD的特征在于，與透射型LCD相比較，耗電量小，在較亮的場所，容易看到畫面，半透射型LCD的特征在于，與反射型LCD相比較，在較暗的場所，容易看到畫面。圖17為表示過去的反射型LCD(例如，專利文獻l)中的有源矩陣襯底ioo的剖視圖。如該圖所示，該有源矩陣襯底100包括絕緣性襯底101;和層疊于絕緣性襯底101上的、柵極層102、柵極絕緣層104、半導體層106、金屬層108和反射層110。柵極層102、柵極絕緣層104、半導體層106、以及金屬層108，按照在層疊于絕緣性襯底101上后，采用1個掩模來進行蝕刻，并以具有島狀層疊結構的方式形成。然后，通過在層疊結構上形成反射層110，形成具有凹凸部的反射面112。另外，在有源矩陣襯底100的上部，形成透明電極、液晶面板、濾色器襯底(CF襯底)等，雖然關于這一點在圖中未示出。圖18為過去的半透射型液晶顯示器(例如，專利文獻2)的剖視圖。如該圖所示，在過去的半透射型液晶顯示器中，在開關元件(TFT)203的漏極222上形成層間絕緣膜204，在層間絕緣膜204上層疊電腐蝕防止膜205、反射電極膜206和非晶質(zhì)透明電極膜218。形成有反射電極膜206的區(qū)域為半透射型液晶顯示器的反射區(qū)域。在反射區(qū)域的層間絕緣膜204的上部形成有凹凸，反映該凹凸，在電腐蝕防止膜205、反射電極膜206和非晶質(zhì)透明電極膜218上也形成凹凸。專利文獻l:JP特開平9一54318號文獻專利文獻2:JP特開平2005—277402號文獻在上述有源矩陣襯底100中，反射層110的一部分在未形成有柵極層102等的部分(島之間的部分，在下面稱為"間隙部")，按照到達絕緣性襯底101的方式形成。于是，在間隙部，反射面112的表面沿絕緣性襯底101的方向隱沒，形成具有較深的下陷(或凹部)的面。在反射型液晶顯示器或半透射型液晶顯示器中，為了采用反射光進行較亮的顯示，需要通過反射面112，使從各方位射入的入射光，在顯示面整體范圍內(nèi)，更加均勻且有效地反射。為此，反射面112不是完全的平面，可具有適當?shù)陌纪?。但是，上述有源矩陣襯底100的反射面112具有較深的下陷。由此，光難以到達位于下陷的底部的反射面，另外，即使光到達，該反射光仍難以反射到液晶面板側，由此，有反射光無法有效地用于顯示的問題。此外，由于反射面110的較多的部分相對液晶顯示器的顯示面，具有較大的角度，故有來自該部分的反射光無法有效地用于顯示的問題。圖19為表示了反射面112的傾斜度和反射光的射出角的關系的圖。圖19(a)表示光從具有折射率Na的介質(zhì)a，射入具有折射率Nb的介質(zhì)b時的入射角a和射出角e的關系。在此時，按照斯涅耳折射定律，下述的關系成立。NaXsina二NbXsin3圖19(b)為表示垂直地射入LCD的顯示面的入射光通過相對顯示面(或襯底)，僅以e角傾斜的反射面被反射時的入射光與反射光的關系的圖。如該圖所示，垂直地射入顯示面的入射光通過相對顯示面(或襯底)，以8角傾斜的反射面被反射，并沿射出角^的方向而射出。表l根據(jù)斯涅耳折射定律，針對每個反射面的角度e，示出基于斯涅耳折射定律而計算射出角*的結果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>該表的值是將空氣(air)的折射率設為1.0，將玻璃襯底和液晶層的折射率設為1.5來計算的。如表1所示，如果反射面的角度e超過20度，則射出角4)非常大(90—cl)變得非常小)，射出光的幾乎全部無法到達使用者。于是，即使在反射層的反射面上設置凹凸，為了有效地利用反射光，在反射面的更多的部分，角度e需要在20度以下。由于在上述有源矩陣襯底100的反射面112中，大于20度的部分較多，故反射光并未有效地被用于顯示。為了解決該問題，人們考慮在反射層下面形成絕緣層，在該絕緣層上形成反射層110。但是，在此時，需要形成絕緣層的工序、以及在絕緣層上形成用于將反射層110和TFT的漏極連接的接觸孔的工序，并產(chǎn)生材料和工序數(shù)量增加的問題。另外，在上述過去的半透射型液晶顯示器中，在漏極222上層疊了層間絕緣膜204之后，需要在其上部形成凹凸的工序，并需要再在其上層疊電腐蝕防止膜205、反射電極膜206和非晶質(zhì)透明電極膜218的工序。這樣，即使在過去的半透射型液晶顯示器中，也有為了形成反射區(qū)域，材料、工序數(shù)量增加的問題。另外，在過去的半透射型液晶顯示器中，由于在與液晶層211接觸的非晶質(zhì)透明電極膜218的表面上形成凹凸，故施加于液晶層211上的電場不均勻，難以將反射區(qū)域的液晶的取向均勻地控制在所需的朝向。此外，在非晶質(zhì)透明電極膜218的端部，盡管形成反映層間絕緣膜204的端部形狀的斜面，但是，還有因該斜面，使反射區(qū)域的端部附近的液晶的取向混亂的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述課題的發(fā)明，其目的在于，提供低成本而高畫質(zhì)的反射型或半透射型的液晶顯示裝置。本發(fā)明的液晶顯示器是具備使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)域的液晶顯示器，上述反射區(qū)域具有形成于襯底上的反射層，上述反射區(qū)域具有形成于上述反射層的表面上的第1凹部；形成于上述第1凹部中的上述反射層的表面上的第2凹部；和形成于上述第2凹部中的上述反射層的表面上的第3凹部。在某實施方式中，在上述第1凹部的內(nèi)側的、上述第2凹部的外側的上述反射層的表面上，形成與上述襯底的面平行的面。在某實施方式中，在上述第1凹部的內(nèi)側的、上述第3凹部的外側的上述反射層的表面上，形成與上述襯底的面平行的面。在某實施方式中，在上述反射區(qū)域中的上述反射層下，形成具有開口部的金屬層。在某實施方式中，上述金屬層具有第1部分和比上述第1部分厚的第2部分。在某實施方式中，在上述金屬層和上述金屬層的開口部上形成絕緣層。在某實施方式中，在上述絕緣層上形成具有開口部的半導體層。在某實施方式中，上述半導體層的開口部位于上述金屬層的開口部的某實施方式包括形成于上述襯底上的半導體元件，上述金屬層、上述半導體層和上述反射層分別由與上述半導體元件的柵極、半導體部分和源，漏極相同的材料形成。在某實施方式中，在上述反射區(qū)域中，形成多個上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部。在某實施方式中，上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部中的至少l個的形狀是圓形。在某實施方式中，上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部中的至少l個的形狀是橢圓形。在某實施方式中，上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部中的至少1個的形狀是四邊形。某實施方式，包括液晶層；和設置于上述液晶層和上述反射層之間的層間絕緣層和像素電極，上述像素電極的上述液晶層側的面，不反映上述反射層的上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部的形狀而平坦地形成。在某實施方式中，上述金屬層包括第l金屬層；和第2金屬層，其形成于上述第l金屬層上，且由不同于上述第1金屬層的材料形成，上述第1金屬層和上述第2金屬層分別具有開口部，且上述第1金屬層的開口部形成于上述第2金屬層的開口部的內(nèi)側。在某實施方式中，上述第l金屬層由鋁形成，上述第2金屬層由鉬形成。在某實施方式中，上述金屬層包括形成于上述第2金屬層上的、由不同于上述第1金屬層和上述第2金屬層的材料形成的第3金屬層，上述第3金屬層具有開口部，且上述第2金屬層的開口部形成于上述第3金屬層的開口部的內(nèi)側。在某實施方式中，上述第l金屬層由鋁形成，上述第2金屬層由氮化鉬形成，上述第3金屬層由鉬形成。本發(fā)明的液晶顯示器為具備使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)括具有開口部的金屬層；和形成于上述金屬層上的反射層，上述反射區(qū)域具有形成于上述反射層的表面上的第1凹部；和形成于上述第1凹部中的上述反射層的表面上的第2凹部，在上述金屬層中的上述開口部的斜面形成臺階，且上述第1凹部和上述第2凹部根據(jù)上述金屬層中的上述開口部的上述斜面而形成。本發(fā)明的另一液晶顯示器為具備使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)域的液晶顯示器，上述反射區(qū)域包括具有開口部的金屬層；形成于上述金屬層上的具有開口部的半導體層；和形成于上述半導體層上的反射層，上述反射區(qū)域具有形成于上述反射層的表面上的第1凹部；和形成于上述第1凹部中的上述反射層的表面上的第2凹部，上述第1凹部和上述第2凹部中的一個根據(jù)上述金屬層中的上述開口部而形成，上述第1凹部和上述第2凹部中的另一個根據(jù)上述半導體層的上述開口部而形成，上述金屬層中的上述開口部的側面，具有與上述顯示面的傾斜角在20度以下的面。在某實施方式中，上述金屬層的組成沿上述金屬層的厚度方向而變在某實施方式中，上述金屬層由氮化鉬形成，且上述金屬層中的氮化鉬的氮含量沿上述金屬層的厚度方向而變化。本發(fā)明的液晶顯示器的制造方法為具備使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)域的液晶顯示器的制造方法，該方法包括在上述反射區(qū)域形成金屬層的步驟，該金屬層具有開口部，且具有第l部分和比上述第l部分厚的第2部分；在上述金屬層和上述金屬層的開口部上，形成絕緣層的步驟；在上述絕緣層上，形成具有開口部的半導體層的步驟；和在上述半導體層和上述半導體層的開口部上，形成反射層的步驟。在某實施方式中，上述半導體層的開口部形成于上述金屬層的開口部的內(nèi)側。在某實施方式中，在上述反射層的表面上形成第1凹部，在上述第l凹部的內(nèi)側的上述反射層的表面上形成第2凹部，在上述第2凹部的內(nèi)側的上述反射層的表面上形成第3凹部。在某實施方式中，上述第1凹部形成于上述金屬層的上述開口部的上部的上述反射層的表面。在某實施方式中，上述第3凹部形成于上述半導體層的開口部的上部的上述反射層的表面。在某實施方式中，上述金屬層和上述半導體層分別具有多個開口部。在某實施方式中，上述金屬層的開口部和上述半導體層的開口部中的至少一個的形狀是圓形。在某實施方式中，上述金屬層的開口部和上述半導體層的幵口部中的至少一個的形狀是橢圓形。在某實施方式中，上述金屬層的開口部和上述半導體層的開口部中的至少一個的形狀是四邊形。在某實施方式中，上述液晶顯示器具有半導體元件，在形成上述金屬層的步驟中，形成上述半導體元件的柵極，在形成上述半導體層的步驟中，形成上述半導體元件的半導體部，在形成上述半導體元件的步驟，形成上述半導體元件的源漏極。在某實施方式中，該方法包括在上述反射層上形成層間絕緣層的步驟；和在上述層間絕緣層上形成像素電極的步驟，上述像素電極的面，不反映上述反射層的上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部的形狀而平坦地形成。在某實施方式中，形成上述金屬層的步驟包括形成第1金屬層的步驟；和在上述第l金屬層上，由不同于上述第1金屬層的材料形成第2金屬層的步驟，在上述第1金屬層和上述第2金屬層上，分別形成開口部，且上述第1金屬層的開口部形成于上述第2金屬層的開口部的內(nèi)側。在某實施方式中，上述第l金屬層由鋁形成，上述第2金屬層由鉬形成。在某實施方式中，形成上述金屬層的步驟包括:在上述第2金屬層上，由不同于上述第1金屬層和上述第2金屬層的材料形成第3金屬層的步驟；在上述第3金屬層上形成開口部，且上述第2金屬層的開口部位于上述第3金屬層的開口部的內(nèi)側。在某實施方式中，上述第l金屬層由鋁形成，上述第2金屬層由氮化鉬形成，上述第3金屬層由鉬形成。本發(fā)明的液晶顯示器的又一制造方法為具備使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)域的液晶顯示器的制造方法，該方法包括在上述反射區(qū)域形成金屬層的步驟，該金屬層具有第1部分和比上述第1部分厚的第2部分；在上述金屬層上，形成絕緣層的步驟；在上述絕緣層上，形成半導體層的步驟；和在上述半導體層上，形成反射層的步驟，在上述金屬層上形成具有臺階的斜面，且在上述反射層的表面上，根據(jù)上述金屬層的上述斜面，形成第1凹部和位于該第1凹部中的第2凹部。本發(fā)明的液晶顯示器的另一制造方法為具備使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)域的液晶顯示器的制造方法，該方法包括在上述反射區(qū)域，形成具有開口部的金屬層的步驟；在上述金屬層上，形成絕緣層的步驟；在上述絕緣層上，形成具有開口部的半導體層的步驟；和在上述半導體層上，形成反射層的步驟，在上述反射層的表面上，根據(jù)上述金屬層的上述開口部和上述半導體層的上述開口部，形成第1凹部和位于該第1凹部中的第2凹部，上述金屬層的上述開口部的側面，按照包括與上述顯示面的傾斜角在20度以下的面的方式形成。在某實施方式中，在形成上述金屬層的步驟中，上述金屬層的組成沿上述金屬層的厚度方向而變化。在某實施方式中，上述金屬層由氮化鉬形成，且在形成上述金屬層的步驟中，上述金屬層的氮化鉬的氮含量隨時間而減少。按照本發(fā)明，提供低成本且高畫質(zhì)的半透射型或反射型的液晶顯示器。圖1為表示實施方式1的液晶顯示器的截面形狀的示意圖2為表示實施方式1的液晶顯示器的俯視圖，圖2(a)表示像素區(qū)域的結構，圖2(b)表示反射部的結構；圖3為表示實施方式1的TFT部和反射部的結構的剖視圖，圖3(a)表示反射部的結構，圖3(b)表示TFT的結構；圖4為用于比較實施方式1和過去的液晶顯示器的反射部的結構的示意圖，圖4(a)為表示實施方式1的反射部的剖面，圖4(b)為表示過去的液晶顯示器的反射部的剖面，另外，圖4(C)為表示反射部的角部的表面的角度的圖5為表示實施方式1的CS金屬層的制造方法的剖視圖6為表示實施方式1的反射部的制造方法的俯視圖7為表示實施方式1的反射部的制造方法的剖視圖8為表示實施例1的CS金屬層的制造方法的第1變形例的剖視圖9為表示實施方式1的Cs金屬層的制造方法的第2變形例的剖視圖。圖10為表示實施方式2的反射部的結構的剖視圖；圖11為表示實施方式2的Cs金屬層的制造方法的剖視圖；圖12為表示實施方式3的反射部的結構的剖視圖；圖13為表示實施方式3的Cs金屬層的制造方法的剖視圖；圖14為表示實施方式4的反射部的結構的剖視圖；圖15為表示實施方式4的Cs金屬層的制造方法的剖視圖；圖16為表示實施方式5的液晶顯示器的剖視圖；圖17為表示過去的反射型LCD中的有源矩陣襯底100的剖視圖；圖18為表示過去的半透射型液晶顯示器的剖視圖；圖19為液晶顯示器中的反射面的傾斜度與反射光的關系的圖，圖19(a)為表示光從具有折射率Na的介質(zhì)a，射入具有折射率Nb的介質(zhì)b時的入射角a與射出角P的關系的圖，圖19(b)為表示LCD的顯示面的角度與入射光及反射光的關系的圖。圖中IO—液晶顯示器；12—TFT襯底；14一對置襯底；16—液晶；18—液晶層；22—透明襯底；26—層間絕緣層；28—像素電極；30—反射部；32—TFT部；.34—對置電極；36—CF層；38—透明襯底；40—顯示面；42—反射區(qū)域；44一TFT區(qū)域；46—透射區(qū)域；48—凹部；56—Cs金屬層；57—第1金屬層；59、59'—第2金屬層；60—第3金屬層；61—柵極絕緣層；62—半導體層；63—反射層；64、65、65，、65"、66、79、79，一開口部;67、68、69、78—凹部；80、82—斜面；81—平坦面；100—有源矩陣襯底；101—絕緣性襯底；102—柵極層；104—柵極絕緣層；106—半導體層；108—金屬層；110—反射層；112—反射面；203—開關元件；204—層間絕緣膜；205—電腐蝕防止膜；206—反射電極膜；211—液晶層；218—非晶質(zhì)透明電極膜；222—漏極。具體實施例方式(實施方式o下面參照附圖，對本發(fā)明的液晶顯示器的第1實施方式進行說明。圖1為表示本實施方式的液晶顯示器10的剖面形狀的示意圖。液晶顯示器10為有源矩陣方式的反射透射型的液晶顯示器(LCD)。該液晶顯示器IO，如圖1所示，具備液晶層18，該液晶層18包括TFT(ThinFilmTransistor)襯底12、例如濾色器襯底(CF襯底)的對置襯底14、以及密封于TFT襯底12與對置襯底14之間的液晶16。TFT襯底12包括透明襯底22、層間絕緣層26、像素電極28，包括反射部30和TFT部32。另外，在TFT襯底12上，還形成后述的柵極線(掃描線)、源極線(信號線)、Cs線(輔助電容電極線)。對置襯底14包括對置電極34、濾色層(CF層)36和透明襯底38。透明襯底38的上部的面形成液晶顯示器的顯示部40。另外，雖然TFT襯底12和對置襯底14分別包括取向膜和偏光片，但是，在這里，它們的圖示省略。在液晶顯示器10中，形成有反射部30的區(qū)域稱為反射區(qū)域42，形成有TFT部32的區(qū)域稱為TFT區(qū)域44。在反射區(qū)域，從顯示面40射入的光由反射部30反射，通過液晶層18和對置襯底14，從顯示面40射出。另外，液晶顯示器10具有形成于反射區(qū)域42和TFT區(qū)域44以外的區(qū)域的透射區(qū)域46。在透射區(qū)域46，從液晶顯示器10的光源產(chǎn)生的光通過TFT襯底12、液晶層18和對置襯底14，從顯示面40射出。另外，也可如圖l所示，在反射部30的上部的對置襯底14側，設置由透射性樹脂等形成的層31，從而使反射區(qū)域42的液晶層18的厚度為透射區(qū)域46中的液晶層18的厚度的一半。由此，反射區(qū)域42和透射區(qū)域46的光路長度可相同。另外，在圖1中，雖然層31以形成于對置電極34與CF層36之間的方式示出，但是，層31也可形成于對置電極34的液晶層18側的面上。圖2為更具體地表示液晶顯示器10中的像素區(qū)域和反射部30的結構的俯視圖。圖2(a)為從反射面40上觀看液晶顯示器10的一部分時的俯視圖。如該圖所示，在液晶顯示器10中，多個像素50按矩陣狀設置。在各自的像素50上形成上述反射部30和TFT部32，在TFT部32上形成TFT。在像素50的邊界部分，沿列向(圖的上下方向)延伸有源極線52，沿行向(圖的左右方向)延伸有柵極線(柵極金屬層)54。另外，在像素50的中間部分，沿行向延伸有Cs線(Cs金屬層)56。在反射部30的層間絕緣層26上，形成用于將像素電極28與TFT的漏極連接的接觸孔58。圖2(b)為以示意方式表示Cs線56的上部的反射部30的結構的俯視圖。另外，在該圖中，省略了接觸孔的圖示。如圖所示，在反射部30中，形成多個具有臺階的圓形的凹部(錐部)48。另外，在這里，為了容易辨認結構，圖示出了8個凹部48，但是，凹部48的數(shù)量并不限于8個，也可形成更多的凹部48。另外，如后所述，在反射部30中形成反射層63，且凹部48的表面作為該反射面63的面而形成。反射面63與TFT部32中的TFT的漏極連接。下面，參照圖3，對反射部30和TFT部32的結構進行更具體地說明。圖3(a)表示反射部30中的凹部48的剖面(由圖2(b)中的箭頭所示的部分的剖面)。在反射部30上，如圖所示，層疊帶有臺階而形成的Cs金屬層(金屬層)56、柵極絕緣層(絕緣層)61、半導體層62和反射層63。半導體層62，例如由純的非晶質(zhì)硅層(Si(i)層，摻雜有磷的11+非晶質(zhì)硅層(Si(n+)層)構成。Cs金屬層56具有開口部65，在開口部65的周邊部(開口部65的邊緣與Cs金屬層56的上面之間)，形成斜面80、與Cs金屬層56的底面平行的平坦面81和斜面82。另外，半導體層62具有形成于Cs金屬層56的開口部65的內(nèi)側的開口部66。在反射層63的表面形成凹部67，在凹部67的內(nèi)側的反射層63的表面形成凹部68，此外，在凹部68的內(nèi)側的反射層63的表面上形成凹部69。凹部67、凹部68和凹部69，在與透明襯底22相垂直地觀看時，具有同心圓的形狀。在凹部67的內(nèi)側，反射層63以2重的臺階而形成，在凹部67的內(nèi)側的凹部68的外側，以及在凹部68的內(nèi)側的凹部69的外側，形成反射面63的表面與透明襯底22的面基本平行而形成的平坦面。在凹部67和凹部68中，在Cs金屬層56的開口部65和其周邊部上，經(jīng)由柵極絕緣層61和半導體層62，形成反射層63，從而反射層63凹陷地形成。另外，凹部69在半導體層62的開口部66上形成反射層63，從而反射層63可凹陷。另外，在半導體層62上還可代替開口部66而形成凹部。在此時，凹部69對應于半導體層62的凹部(包括側面)而形成。圖3(b)為表示TFT部32中的柵極金屬層(金屬層)54、柵極絕緣層61、半導體層62和反射層63的結構的圖，且為圖2(a)的箭頭A的部分的剖視圖。TFT部32的柵極金屬層54與反射部30的Cs金屬層56同時由相同部件形成。同樣，TFT部32的柵極絕緣層61、半導體層62和反射層63分別與反射部30的柵極絕緣層61、半導體層62和反射層63同時地由相同部件形成。圖4為比較實施方式1的反射部30與圖17所示的過去的液晶顯示器的反射部的結構的剖視圖。圖4(a)以示意方式表示實施方式1的反射部30的結構，圖4(b)為以示意方式表示過去的液晶顯示器的反射部的結構。另外，在這些圖中，為了簡化，反射部30的各層的斜面、以及過去的液晶顯示器的各層的斜面作為垂直的面來進行表示，此外，各臺階的角部(由圖中的用虛線圓表示的部分)表示為直角地彎曲。如這些附圖所示，在實施方式1的反射部30的反射層63的表面上，在凹部67、68、69的各自的上面的邊緣和底面的邊緣，形成共計U個角部。另一方面，在過去的液晶顯示器中，在反射部的l個凹部，僅僅形成4個角部。在圖4中，這些角作為直角來進行表示，但是，在實際的角部，如圖4(c)所示，連續(xù)地形成具有從與襯底平行的面(角度為0度)，到相對襯底大于20度的角度(在該圖中，作為實例以30度來表示)的面。于是，如果形成多于反射部的凹部，則可在反射層的表面上，以更多地形成與襯底的角度在20度以下的面(有效反射面)。另外，由于形成于角部的有效反射面具有相互不同的各種的傾斜面，故反射光不會僅朝向固定的方向。于是，可通過形成更多的凹部，獲得更多的在較寬范圍擴散的反射光。另外，如果增加凹部的數(shù)量、且凹部的側面的傾斜角度在20度以下，則可獲得更多的、在較寬范圍擴散的反射光。如通過圖4(a)與圖4(b)比較所示的那樣，在實施方式1的反射部30上，與過去的液晶顯示器相比較，形成更多的凹部。于是，由于伴隨凹部的形成，形成更多的角部，故可在反射面63的表面上，形成更多的有效反射面，可朝向顯示面，使更多的光在較寬范圍進行發(fā)射。另外，凹部67、凹部68和凹部69按照Cs金屬層56和半導體層62的整體形狀而形成。于是，可在Cs金屬層56和半導體層62的整形時容易地調(diào)節(jié)這些凹部的形狀、深度和斜面傾斜角。此外，在實施方式1中的位于凹部67的內(nèi)側的反射層63形成于柵極絕緣層61或半導體層62上。另一方面，在過去的液晶顯示器中，凹部的內(nèi)側的反射層既不經(jīng)由柵極絕緣層也不經(jīng)由半導體層，而直接形成于玻璃襯底上。于是，實施方式1中的凹部67、68、69的底面形成得比過去的液晶顯示器中的凹部的底面淺。在過去的液晶顯示器中，由于凹部的底面形成于較深的位置，故凹部內(nèi)面的傾斜角增大，難以在凹部內(nèi)形成多個傾斜20度以下的有效反射面。另外，由于該凹部通過在形成柵極層102、柵極絕緣層104和半導體層106之后，一起去除這些層，故也難以控制凹部內(nèi)面的傾斜角來增加有效反射面。在本實施方式的顯示器中，由于根據(jù)Cs金屬層56和半導體層62的各自的形狀，形成多個凹部，故可在這些層的層疊時，調(diào)整開口部的尺寸、位置關系等。由此，可控制凹部內(nèi)的反射面的傾斜，來形成較多的傾斜度在20度以下的有效反射面，并使更多的光反射到顯示面?zhèn)取Ａ硗?，在本實施方式的液晶顯示器中，層間絕緣層26和像素電極28的液晶層18側的面不反映反射層63的凹部67、凹部68和凹部69的形狀，與對置電極34的液晶層18側的面相同，平坦地形成。于是，與圖18所示的以往的半透射型液晶顯示器相比較，施加于液晶層18中的電場更加均勻，且可按照所需的朝向均勻地控制反射區(qū)域42中的液晶的取向。另外，由于在反射部30的端部附近的像素電極28未形成臺階，故液晶的取向不混亂。于是，按照本實施方式，可提供透射率高的、視角特性優(yōu)良且顯示不均勻少的液晶顯示器。下面，對實施方式1的反射區(qū)域42中的TFT襯底12的制造方法進行說明。首先，對反射區(qū)域42的反射部30中的Cs金屬層(金屬層)56的制造方法進行說明。圖5為用于說明反射部30的Cs金屬層56的制造方法的剖視圖。如圖5(a)所示，在Cs金屬層56的制成中，首先在已清潔的透明襯底22上依次形成Ti(鈦)膜85、Al(鋁)86、TiN(氮化鈦)膜87。Ti膜85、Al膜86、TiN膜87的厚度分別為例如，30nm、200nm、150nm。然后，在該層疊結構上形成具有圖案的抗蝕膜88，通過RIE裝置(反應性離子蝕刻裝置)，采用CIVAr氣，進行干式蝕刻處理。對于此時的蝕刻條件，氣體壓力為10mTorr、功率(離子加速電功率)為2000W、氣體流量為CL2/Ar=550/100sccm。接著，如圖5(b)所示，在使抗蝕膜88后退的同時，采用CF4/02氣體進行蝕刻處理。對于此時的蝕刻條件，氣體壓力為100mTorr、功率為1500W、氣體流量為CF4/O2=400/100sccm。由于采用〔54/02氣體，故TiN膜87被蝕刻，而Al膜86幾乎不被蝕刻。于是，殘留A1膜86和其下的Ti膜85，去除了抗蝕膜88，然后形成具有臺階的Cs金屬層56。Cs金屬層56的厚度在501000nm以下。在上述方法中，也可代替A1膜86，使用采用了Mo(鉬)、Ta(鉭)、或它們的合金等的膜。在此時，根據(jù)所采用的金屬，選擇蝕刻氣體和蝕刻條件。另外，用于蝕刻的裝置也不限于R正裝置，也可采用其它的類型的蝕刻裝置。另外，通過除灰處理，使抗蝕膜88后退，然后，反復進行采用圖5(b)來說明的上述步驟，從而可進一步制作具有更多的臺階的Cs金屬層56。可通過采用這樣的Cs金屬層56，在反射面63的表面上，形成更多臺階的反射面。接著，用圖6和圖7，對反射區(qū)域42中的TFT襯底12整體的制造方法進行說明。圖6為表示反射區(qū)域42中的TFT襯底12的制造過程的俯視圖，圖7為表示反射區(qū)域42中的TFT襯底12(圖2(b)的箭頭B所示的部分)的制造過程的剖視圖。如圖6(a)和圖7(a)所示，首先，在反射區(qū)域42的透明襯底22上，形成采用圖5來說明的具有臺階的Cs金屬層56。此時，在Cs金屬層56上，形成多個開口部65。在該工序中，圖2(a)所示的柵極線(柵極金屬層)54、與圖3(a)所示的TFT部32的柵極金屬層54也用同一金屬同時地形成。然后，如圖6(b)和圖7(b)所示，通過P—CVD法，采用SiH4、NH3、N2的混合氣體，在襯底整體面上制作由SiN(氮化硅)形成的柵極絕緣層61。柵極絕緣層61也可由Si02(氧化硅)、Ta205(氧化鉭)、A1203(氧化鋁)等形成。柵極絕緣層61的厚度在100600nrn的范圍內(nèi)。另外，在該工序，還同時形成圖3(b)所示的TFT部32的柵極絕緣膜61。接著，在柵極絕緣層61上，形成非晶質(zhì)硅(a—Si)膜，和摻雜有非晶質(zhì)硅(P)的n+a—Si膜。a—Si膜的厚度在30300nm。另夕卜，n+a—Si膜的厚度在20100nm。然后，通過光刻法，對這些膜進行整形，從而形成半導體層62。此時，在半導體層62上形成多個開口部66。半導體層62的開口部66形成于Cs金屬層56的開口部65上，在從襯底的面上觀看時，在開口部65的內(nèi)側，形成為與開口部65同心圓狀。另外，在該工序中，還同時形成圖3(b)所示的TFT部32的半導體層62。然后，如圖6(c)和圖7(c)所示，通過濺射法等，在襯底整個面上形成A1等的金屬薄膜，并形成反射層63。另外，在金屬薄膜中可采用在作為Cs金屬層56的材料基礎上所列舉的材料。反射層63的厚度在30100nm以下。此時，在Cs金屬層56的開口部65的上部的反射層63的表面上，形成上述凹部67和凹部68，并在半導體層62的開口部66的上部的反射層63的表面上形成凹部69。另外，在該工序中，還同時形成圖3(b)所示的TFT部32的反射層63，但是，反射層63在TFT部32，形成TFT的源極和漏極。另夕卜，此時，圖2(a)中的源極線52也可作為反射層63的一部分而形成。接著，如圖6(d)和圖7(d)所示，通過旋涂法，涂敷感光性丙烯樹脂，形成層間絕緣層(層間樹脂層)26。層間絕緣層26的厚度在0.35um以下。另夕卜，在反射層63和層間絕緣層26之間，通過P—CVD法，SiNx、Si02等的薄膜可作為保護膜而形成，但是，在這里省略其圖示。保護膜的厚度在501000nm以下。層間絕緣層26和保護膜形成于不僅包括反射區(qū)域42還包括TFT區(qū)域44的透明襯底22的上部整個面上。然后，通過采用曝光裝置的顯影處理，在反射部30的中心附近形成接觸孔58。然后，如圖6(e)和圖7(e)所示，在層間絕緣層26上，通過濺射法等形成由ITO或IZO等形成的透明電極膜，并通過光刻法對該透明電極膜進行圖案整形，從而形成像素電極28。像素電極28形成于不僅包括反射區(qū)域42還包括TFT區(qū)域的像素上的上部整個面上。在反射區(qū)域42，像素電極28形成于層間絕緣層26和接觸孔58上，像素電極28的金屬部件經(jīng)由接觸孔58，與反射層63接觸。于是，TFT部32中的TFT的漏極經(jīng)由接觸孔58，與像素電極28電連接。另外，優(yōu)選凹部67、68、69盡可能多地形成。于是，優(yōu)選將Cs金屬層56和半導體層62的幵口部，在制造工序的掩模和光學曝光界限內(nèi)，在反射面上盡可能多地形成。Cs金屬層56和半導體層62的開口部的優(yōu)選的尺寸為直徑210um。在上述工序中，層間絕緣層26的上面和像素電極28的面不反映反射層63的凹部67、凹部68和凹部69的形狀且平坦地形成。下面，參照附圖，對實施方式1的制造方法的第1變形例進行說明。第1變形例的制造方法與上述制造方法的不同之處在于Cs金屬層56的制造方法。其它的部分的制造方法與上述的相同。圖8為用于說明反射部30的Cs金屬層56的制造方法的第1變形例的剖視圖。首先，如圖8(a)所示，依次在透明襯底^上形成Ti(鈦)膜85、Al(鋁)膜86、TiN(氮化鈦)膜87。Ti膜85、Al膜86、TiN膜87的厚度分別為例如，30nm、200nm、150nm。然后，在該層疊結構上形成抗蝕膜88，并通過RIE裝置，采用CL2/Ar氣體，進行干式蝕刻處理。對于此時的條件，氣體壓力為lOmTorr、離子加速電功率為2000W、氣體流量CIVAr二550/100sccm。在該蝕刻工序中，雖將未由抗蝕膜88覆蓋的部分的TiN膜87完全去除，但是，僅僅去除A1膜86的一部分。于是，Al膜86的一部分和Ti膜85未蝕刻而殘留。接著，如圖8(b)所示，通過采用02氣體的除灰處理，僅僅使抗蝕膜88后退。對于此時的條件，氣體壓力為300mTorr、離子加速電功率為1500W、氣體流量O2-500sccm。然后，如圖8(c)所示，進行采用CL2/Ar氣體的干式蝕刻，來完全去除未由抗蝕膜88覆蓋的部分的TiN膜87。此時，在完全去除未由抗蝕膜88覆蓋的區(qū)域的Al膜86和Ti膜85之前，停止蝕刻處理。由此，形成具有臺階的Cs金屬層56。此外，對于此時的蝕刻條件，氣體壓力為10mTorr、離子加速電功率為2000W、氣體流量Cl2/Ar=500/1OOsccm。在上述方法中，也可代替A1膜86，而采用Mo(鉬)、Ta(鉭)、或它們的合金等的膜。在此時，可選擇所采用的金屬中的蝕刻氣體和蝕刻條件。另外，用于蝕刻的裝置也不限于RIE裝置，也可采用其它的類型的蝕刻裝置。另外，還可在通過除灰處理，使抗蝕膜88后退之后，通過反復上述步驟，制作具有更多的臺階的Cs金屬層56。通過采用這樣的Cs金屬層56，在反射層63的表面上，能形成具有更多臺階的反射面。然后，參照附圖，對實施方式1的制造方法的第2變形例進行說明。第2變形例的制造方法與實施方式1的制造方法的不同之處僅在于Cs金屬層56的制造方法，其它的部分的制造方法與上述的相同。圖9為用于說明反射部30中的Cs金屬層56的制造方法的第2變形例的剖視圖。如附圖所示，首先，依次在透明襯底22上形成TaN(氮化鉭)膜90、Ta(鉭)膜91、TiN(氮化鈦)膜92。TaN膜90、Ta膜91、TiN膜92的厚度分別為例如，70nm、210nm、110nm。然后，在該層疊結構上形成抗蝕膜88，并通過RIE裝置，采用CF4/02氣體，進行干式蝕刻。對于此時的條件，氣體壓力為400mTorr、離子加速電功率為1100W、氣體流量CF4/02二474/126sccm。在該蝕刻工序中，由于采用CF4/02氣體進行蝕刻，TiN膜92的蝕刻速率快于TaN膜卯和Ta膜91，故更進一步蝕刻。于是，通過恰當?shù)卦O定蝕刻時間，形成具有如圖所示的臺階的Cs金屬層56。在該方法中，由于可通過1次的蝕刻工序，形成具有臺階的Cs金屬層56，故可縮短制造時間。另外，在通過除灰處理使抗蝕膜88后退之后，反復進行上述步驟，從而可制作具有更多的臺階的Cs金屬層56。可通過采用這樣的Cs金屬層56，在反射層63的表面上，形成具有更多臺階的反射面。(實施方式2)下面，對本發(fā)明的液晶顯示器的第2實施方式進行說明。本實施方式的液晶顯示裝置與上述實施方式的不同之處僅在于柵極金屬層54和Cs金屬層56的結構，除了在下面的說明的部分以外，其它的部分與實施方式l相同。與實施方式l的結構要素相同的結構要素采用相同的參照標號，其具體的說明省略。圖10表示實施方式2的反射部30中的凹部48的剖面(圖2(b)中的箭頭B所示的部分的剖面)。如該圖所示，反射部30中的Cs金屬層56由第1金屬層57和形成于第1金屬層57上的第2金屬層59構成。第1金屬層57由例如鋁(Al)構成，第2金屬層59由例如鉬(Mo)構成。另外，TFT部32中的柵極金屬層54也具有第1金屬層57和第2金屬層59的層疊結構，雖然省略了關于這一點的圖示。第1金屬層57具有開口部65'，第2金屬層59具有開口部79。開口部65，形成于開口部79的內(nèi)側。在反射層63的表面上，形成凹部69、凹部68和凹部67，但是，這些凹部是分別對應于半導體層62的開口部66、第1金屬層57的開口部65，和第2金屬層59的開口部79而形成的凹部。另外，也可在半導體層62上不形成開口部66，在此時，在反射面63的表面上不形成凹部69，而形成凹部67和凹部68的二重凹部。圖u為表示實施方式2中的Cs金屬層56的形成方法的剖視圖。首先，如圖ll(a)所示，在透明襯底22上層疊有第1金屬層57和第2金屬層59。第1金屬層57的厚度例如為50nm,第2金屬層59的厚度例如為200nm。接著，在第2金屬層59上涂敷例如正型的抗蝕劑，通過曝光，將掩模圖案轉(zhuǎn)印到抗蝕劑85上。在圖案轉(zhuǎn)印后，進行抗蝕劑的去除*清洗，在第2金屬層59上形成如圖11(b)所示的抗蝕劑85。在這里，在抗蝕劑85上，形成用于在第1金屬層57和第2金屬層59形成開口部的開口。接著，進行蝕刻處理，如圖11(c)所示，去除未由抗蝕劑85覆蓋的部分的第1金屬層57和第2金屬層59。在這里，在蝕刻劑中采用包含例如磷酸30重量％、硝酸25重量％、醋酸5重量％和水40重量％的蝕刻液?？赏ㄟ^采用這樣的蝕刻劑，使第2金屬層59的蝕刻速率高于第1金屬層57的蝕刻速率。于是，形成第2金屬層59的側面比第1金屬層57的側面后退的階梯狀的斜面。然后，去除殘留的抗蝕劑85，如圖ll(d)所示，第1金屬層57的開口部65，和第2金屬層59的開口部79的形成完成。在上述的Cs金屬層56的形成工序中，同時通過相同方法，形成柵極金屬層54。在本實施方式的制造中，除了Cs金屬層56和柵極金屬層54的形成方法以外都與在實施方式I中描述的相同，所以省略對其的說明。通過這樣的實施方式2，可獲得與實施方式1相同的效果。(實施方式3)下面，對本發(fā)明的液晶顯示器的第3實施方式進行說明。本實施方式的液晶顯示器與上述實施方式的不同在處僅在于柵極金屬層54、Cs金屬層56和反射部30的結構，除了在下面說明的部分以外的結構都與上述實施方式相同。與上述實施方式的結構要素相同的結構要素采用相同參照標號，并省略具體的說明。圖12表示實施方式3的反射部30中的凹部48的剖面(由圖2(b)中的箭頭B所示的部分的剖面)。如附圖所示，反射部30中的Cs金屬層56由第1金屬層57、形成于第1金屬層57上的第2金屬層59'和形成于第2金屬層59'上的第3金屬層60構成。第1金屬層57由例如鋁(Al)構成，第2金屬層59'由例如氮含量為20%的氮化鉬(MoN)形成，第3金屬層60由例如鉬(Mo)形成。另外，TFT部32中的柵極金屬層54也具有第1金屬層57、第2金屬層59，和第3金屬層60的層疊結構，雖然省略了關于這一點的圖示。第1金屬層57具有開口部65'，第2金屬層59，具有開口部79'，另外第3金屬層60具有開口部64。開口部65'形成于開口部79，的內(nèi)偵ij，開口部79，形成于開口部64的內(nèi)側。在反射層63的表面上，形成凹部69、凹部68、凹部67和凹部78，但是，這些凹部為分別對應于半導體層62的開口部66、第1金屬層57的開口部65'、第2金屬層59，的開口部79'和第3金屬層60的開口部64而形成的凹陷。另外，也可在半導體層62上不形成開口部66，在此時，在反射層63的表面上不形成凹部69，而形成凹部68、凹部67和凹部78的三重的凹陷。圖13為表示實施方式3的Cs金屬層的制造方法的剖視圖。首先，如圖13(a)所示，在透明襯底22上層疊第1金屬層57、第2金屬層59'和第3金屬層60。第1金屬層57的厚度為例如50nm，第2金屬層59'的厚度為例如50nm，第3金屬層60的厚度為例如200nm。接著，在第3金屬層60上涂敷例如正型的抗蝕劑，并通過曝光，將掩模圖案轉(zhuǎn)印到抗蝕劑85上。在圖案轉(zhuǎn)印之后，進行抗蝕劑的去除'清洗，在第3金屬層60上，形成如圖13(b)所示的抗蝕劑85。在這里，在抗蝕劑85上，形成用于在第1金屬層57、第2金屬層59，和第3金屬層60上形成開口部的開口。接著，進行蝕刻處理，如圖13(c)所示，去除未由抗蝕劑85覆蓋的部分的第1金屬層57、第2金屬層59，和第3金屬層60。在這里，蝕刻劑中采用包含例如磷酸30重量％、硝酸25重量％、醋酸5重量％和水40重量％的蝕刻液。可通過采用這樣的蝕刻劑，使第3金屬層60的蝕刻速率高于第2金屬層59，的蝕刻速率，另外，使第2金屬層59'的蝕刻速率高于第1金屬層57的蝕刻速率。于是，形成第3金屬層60的側面比第2金屬層59，的側面后退、第2金屬層59，的側面比第1金屬層57的側面后退的階梯狀的斜面。然后，去除殘留的抗蝕劑85，如13(d)所示，第1金屬層57的開口部65'、第2金屬層59'的開口部79，和第3金屬層的開口部64的形成完成。在上述Cs金屬層56的形成工序中，同時通過同樣的方法，形成柵極金屬層54。在本實施方式的制造中，除了Cs金屬層56和柵極金屬層54的形成方法以外都與在實施方式1中描述的相同，所以省略對其的描述。按照實施方式3，可獲得與l實施方式相同的效果，但是，由于通過反射層，可形成較多的有效反射面，故還可獲得優(yōu)于實施方式1的反射效率。(實施方式4)下面，對本發(fā)明的液晶顯示器的第4實施方式進行說明。本實施方式的液晶顯示器與實施方式的不同之處在于柵極金屬層54和Cs金屬層56的結構，但是，除了在下面描述的部分以外的結構都與實施方式l相同。與實施方式1中的結構要素相同的結構要素采用相同的參照標號，并省略具體的說明。圖14表示實施方式4的反射部30中的凹部48的剖面(由圖2(b)中的箭頭B所示的部分的剖面)。如該圖所示，在反射部30中的Cs金屬層56上形成開口部65"，但是，在開口部65"的側面不形成臺階。于是，在反射層63的表面上，對應于Cs金屬層56的開口部65"和半導體層62的開口部66，形成2個凹部70和71。Cs金屬層56由氮化鉬(MoN)形成，但是，氮化鉬的氮含量隨著從透明襯底22側向柵極絕緣層61的接近，連續(xù)地減少。氮含量例如，在與透明襯底22側相接的部分為25%，在與柵極絕緣層61相接的部分為0%。在此時，與柵極絕緣層61相接的部分的材料為鉬，但是，在這里，也將其稱為氮含量為0%的氮化鉬。并且，TFT部32中的柵極金屬層54也由相同的氮化鉬形成，雖然省略了關于這一點的圖示。圖15為表示實施方式4的Cs金屬層56的形成方法的剖視圖。首先，如圖15(a)所示，例如，通過濺射法，在透明襯底22上通過氮化鉬(MoN)而層疊Cs金屬層56。在這里，Cs金屬層56按照氮化鉬的氮含量，如上所述，以隨著從透明襯底22側向上部連續(xù)地減少的方式層疊。換言之，在Cs金屬層56的層疊時，氮化鉬的氮含量隨時間而減少。Cs金屬層56的厚度例如為300nm。接著，在Cs金屬層56上涂敷例如正型的抗蝕劑，并通過曝光，將掩模圖案轉(zhuǎn)印到抗蝕劑85上。在圖案轉(zhuǎn)印之后，進行抗蝕劑的去除.清洗，在Cs金屬層56上，形成如圖15(b)所示的抗蝕劑85。在這里，在抗蝕劑85上，形成用于在Cs金屬層56上形成開口部的開口。接著，進行蝕刻處理，如圖15(c)所示，去除未由抗蝕劑85覆蓋的部分的Cs金屬層56。在這里，蝕刻劑中采用包含例如磷酸30重量％、硝酸25重量％、醋酸5重量％和水40重量％的蝕刻液。通過采用這樣的蝕刻劑，可從底部向上部連續(xù)地使Cs金屬層56的蝕刻速率提高。于是，在Cs金屬層56的側面，形成從底部向上部連續(xù)地后退的相對襯底面的傾斜20度以下的斜面。然后，去除殘留下的抗蝕劑85，如圖15(d)所示，Cs金屬層56的開口部65"的形成完成。在上述Cs金屬層56的形成工序中，同時通過同樣的方法，形成柵極金屬層54。在本實施方式的制造中，由于除了Cs金屬層56和柵極金屬層54的形成方法以外都與在實施方式1中描述的相同，故省略對其的說明。根據(jù)實施方式4，由于在Cs金屬層的斜面不形成臺階，故形成于反射層63上的凹部的數(shù)量少于實施方式1。但是，由于對應于Cs金屬層56的斜面，凹部70的斜面的幾乎全部的傾斜度能在20度以下，故可獲得與實施方式l基本相同的、或優(yōu)于它的反射效率。(實施方式5)下面，參照附圖，對本發(fā)明的液晶顯示器的第5實施方式迸行說明。與上述實施方式的結構要素相同的結構要素采用相同的參照標號，并省略對其的描述。圖16為表示本實施方式的液晶顯示器的剖面形狀的示意圖。該液晶顯示器從實施方式l、2、3、或4的液晶顯示器中去除了層間絕緣層26，除了在下面描述的方面以外都與實施方式1、2、3、或4的顯示器相同。另夕卜，在圖16中，省略了對置襯底14的具體的結構和TFT部32的圖示。如該圖所示，在實施方式5中，由于不形成層間絕緣層26，故像素電極28經(jīng)由未圖示的絕緣膜，形成于反射部30和TFT部32的反射層63上。反射部30和TFT部32的結構和制造方法，除了去除層間絕緣層的方面以外都與實施方式l相同。另外，顯示器中的像素配置、布線結構也與圖2(a)所示的相同。還由于該結構，與上述實施方式同樣，可將反射層63的有效反射面的面積擴大，并使更多的光反射到顯示面。另外，還在本實施方式的反射部30的Cs金屬層56上，可適用上述實施方式1、2、3或4(包括變形例)的Cs金屬層56。在上述實施方式中，反射部30中的Cs金屬層56和半導體層62的開口部，在與襯底相垂直地觀看時，形成為同心圓狀，但是，也可按照使開口部的中心不同的方式來進行設置。另外，開口部的周圍也可重合，Cs金屬層56的全部、或一部分的幵口部也可形成于半導體層62的開口部的內(nèi)側。同樣在此時，在反射面63的表面上，形成多個具有臺階的圓形或圓形重合的凹凸，由此，可擴大有效反射面。還有，在上述實施方式中，反射部30中的Cs金屬層56的開口部和半導體層62的開口部分別形成為圓形，但是，也可使這些開口部的一部分或全部形成為橢圓形或四邊形。另外，也可一部分的開口部形成為橢圓形，而其它的開口部形成為四邊形。另外，開口部的邊緣也可重合地設置。同樣在這些情況下，在反射面63的表面，形成多個圓形、橢圓形、四邊形、或?qū)⑺鼈冎睾系摹⒕哂信_階的凹凸，由此，可擴大有效反射面。另外，在上述各實施方式中，優(yōu)選反射層63的凹部盡可能多地形成在反射部30內(nèi)。于是，各凹部的尺寸和形狀可不限于上述的形狀，可形成為四邊形以外的多邊形、凹部的邊緣為鋸齒狀的形狀、將它們組合的形狀等的多種形狀。此外，在上述本實施方式中，設為在Cs金屬層56和半導體層62中形成開口部，但是，也可在這些層的整形時，采用遮光部和透射部進行反轉(zhuǎn)后的圖案等，在開口部的位置上形成凸狀的層(或島狀的層)。還有，在上述實施形式中，設為在半導體層62中形成開口部，但是，也可代替開口部而形成凹部。即使在該情況下，在反射層63的表面上形成多個凹部，能獲得與上述實施方式的效果相同的效果。另外，也可不必一定形成半導體層62的開口部66，在此時，在反射層63的表面上不形成凹部69。這樣的方式的液晶顯示器也包括于本發(fā)明的液晶顯示器中。本發(fā)明的液晶顯示器，如通過上述實施方式所述的那樣，在反射層的表面上，具有許多臺階或角部，且傾斜角度為20度以下的斜面也較多，因此，可獲得有效反射面較寬、并且散射特性優(yōu)良的反射區(qū)域。另外，由于反射面的臺階和角部根據(jù)Cs金屬層和半導體層的整形時的形狀而形成，不增加制造工序，就可容易地獲得具有優(yōu)良的反射特性的反射區(qū)域。因此，可低價格地提供可進行均勻且高亮度的顯示的液晶顯示器。另外，根據(jù)本發(fā)明，由于像素電極的液晶層側的面與對置電極的面同樣、平坦地形成，且在反射部的端部附近的像素電極也不形成臺階，故可按照所需的朝向均勻地控制液晶的取向。因此，可提供透射率高、視角特性優(yōu)良且顯示不均勻小的液晶顯示器。在本發(fā)明的液晶顯示器中，還包括采用液晶板的顯示器和手機等。另外，本實施方式將半透射型的液晶顯示器用作了實例，但是，具有與上述反射部相同的方式的反射型液晶顯示器等也包括在本申請發(fā)明的一個方式中。在本申請發(fā)明的液晶顯示器中，由于通過上述制造方法形成，故可通過與透射型的液晶顯示器相同的材料和工序來制造。因此，可提供低成本且反射率高的液晶顯示器。工業(yè)上的利用可能性根據(jù)本發(fā)明，提供一種低成本且高畫質(zhì)的液晶顯示器。本發(fā)明的液晶顯示器優(yōu)選用于各種液晶顯示器，優(yōu)選用于例如，手機、車載導航器等的車載顯示器、ATM、或銷售機等的顯示器、便攜式顯示器、筆記本型PC等利用反射光來進行顯示的半透射型和反射型的液晶顯示器。權利要求1.一種液晶顯示器，具備使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)域，上述反射區(qū)域具有形成于襯底上的反射層，上述反射區(qū)域具有第1凹部，其形成于上述反射層的表面；第2凹部，其形成于上述第1凹部中的上述反射層的表面；和第3凹部，其形成于上述第2凹部中的上述反射層的表面。2.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于，在上述第1凹部的內(nèi)側的、上述第2凹部的外側的上述反射層的表面上，形成與上述襯底的面平行的面。3.根據(jù)權利要求1或2所述的液晶顯示器，其特征在于，在上述第2凹部的內(nèi)側的、上述第3凹部的外側的上述反射層的表面上，形成與上述襯底的面平行的面。4.根據(jù)權利要求13中的任意一項所述的液晶顯示器，其特征在于，在上述反射區(qū)域中的上述反射層下，形成具有開口部的金屬層。5.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于，上述金屬層具有第1部分和比上述第1部分厚的第2部分。6.根據(jù)權利要求4或5所述的液晶顯示器，其特征在于，在上述金屬層和上述金屬層的開口部上形成絕緣層。7.根據(jù)權利要求6所述的液晶顯示器，其特征在于，在上述絕緣層上形成具有開口部的半導體層。8.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示器，其特征在于，上述半導體層的開口部，位于上述金屬層的開口部的內(nèi)側。9.根據(jù)權利要求7或8所述的液晶顯示器，其特征在于，具備形成于上述襯底上的半導體元件，上述金屬層、上述半導體層和上述反射層分別由與上述半導體元件的柵極、半導體部分和源'漏極相同的材料形成。10.根據(jù)權利要求19中的任意一項所述的液晶顯示器，其特征在于，在上述反射區(qū)域中，形成多個上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部。11.根據(jù)權利要求19中的任意一項所述的液晶顯示器，其特征在于，上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部中的至少1個的形狀是圓形。12.根據(jù)權利要求19中的任意一項所述的液晶顯示器，其特征在于，上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部中的至少1個的形狀是橢圓形。13.根據(jù)權利要求19中的任意一項所述的液晶顯示器，其特征在于，上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部中的至少1個的形狀是四邊形。14.根據(jù)權利要求113中的任意一項所述的液晶顯示器，其特征在于，包括液晶層；和設置于上述液晶層與上述反射層之間的層間絕緣層和像素電極，上述像素電極的上述液晶層側的面，不反映上述反射層的上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部的形狀而平坦地形成。15.根據(jù)權利要求49中的任意一項所述的液晶顯示器，其特征在于，上述金屬層包括第l金屬層；和第2金屬層，其形成于上述第1金屬層上，且由不同于上述第1金屬層的材料形成，上述第1金屬層和上述第2金屬層分別具有開口部，且上述第1金屬層的開口部形成于上述第2金屬層的開口部的內(nèi)側。16.根據(jù)權利要求15所述的液晶顯示器，其特征在于，上述第l金屬層由鋁形成，上述第2金屬層由鉬形成。17.根據(jù)權利要求15所述的液晶顯示器，其特征在于，上述金屬層包括第3金屬層，其形成于上述第2金屬層上，且由不同于上述第1金屬層和上述第2金屬層的材料形成，上述第3金屬層具有幵口部，且上述第2金屬層的開口部形成于上述第3金屬層的開口部的內(nèi)側。18.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示器，其特征在于，上述第l金屬層由鋁形成，上述第2金屬層由氮化鉬形成，上述第3金屬層由鉬形成。19.一種液晶顯示器，具備使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)域，上述反射區(qū)域包括具有幵口部的金屬層；和形成于上述金屬層上的反射層，上述反射區(qū)域具有第1凹部，其形成于上述反射層的表面；和第2凹部，其形成于上述第l凹部中的上述反射層的表面，在上述金屬層中的上述開口部的斜面形成臺階，且上述第1凹部和上述第2凹部根據(jù)上述金屬層中的上述開口部的上述斜面而形成。20.—種液晶顯示器，具備使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)域，上述反射區(qū)域包括具有開口部的金屬層；半導體層，其具有形成于上述金屬層上的開口部；和反射層，其形成于上述半導體層上，上述反射區(qū)域具有第1凹部，其形成于上述反射層的表面；和第2凹部，其形成于上述第1凹部中的上述反射層的表面，上述第1凹部和上述第2凹部中的一個根據(jù)上述金屬層中的上述開口部而形成，上述第1凹部和上述第2凹部中的另一個根據(jù)上述半導體層的上述開口部而形成，上述金屬層中的上述開口部的側面，包括與上述顯示面的傾斜角在20度以下的面。21.根據(jù)權利要求20所述的液晶顯示器，其特征在于，上述金屬層的組成沿上述金屬層的厚度方向而變化。22.根據(jù)權利要求21所述的液晶顯示器，其特征在于，上述金屬層由氮化鉬形成，且上述金屬層中的氮化鉬的氮含量沿上述金屬層的厚度方向而變化。23.—種液晶顯示器的制造方法，該液晶顯示器具備將使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)域，該方法包括在上述反射區(qū)域形成金屬層的步驟，該金屬層具有開口部，且具有第1部分和比上述第1部分厚的第2部分；在上述金屬層和上述金屬層的開口部上，形成絕緣層的步驟；在上述絕緣層上，形成具有開口部的半導體層的步驟；和在上述半導體層和上述半導體層的開口部上，形成反射層的步驟。24.根據(jù)權利要求23所述的制造方法，其特征在于，上述半導體層的開口部形成于上述金屬層的開口部的內(nèi)側。25.根據(jù)權利要求23或24所述的制造方法，其特征在于，在上述反射層的表面上形成第1凹部，在上述第1凹部的內(nèi)側的上述反射層的表面上形成第2凹部，在上述第2凹部的內(nèi)側的上述反射層的表面上形成第3凹部。26.根據(jù)權利要求25所述的制造方法，其特征在于，上述第1凹部形成于上述金屬層的上述開口部的上部的上述反射層的表面。27.根據(jù)權利要求25或26所述的制造方法，其特征在于，上述第3凹部形成于上述半導體層的開口部的上部的上述反射層的表面。28.根據(jù)權利要求2327中的任意一項所述的制造方法，其特征在于，上述金屬層和上述半導體層分別具有多個開口部。29.根據(jù)權利要求2328中的任意一項所述的制造方法，其特征在于，上述金屬層的開口部和上述半導體層的開口部中的至少一個的形狀是圓形。30.根據(jù)權利要求2328中的任意一項所述的制造方法，其特征在于，上述金屬層的開口部和上述半導體層的開口部中的至少一個的形狀是橢圓形。31.根據(jù)權利要求2328中的任意一項所述的制造方法，其特征在于，上述金屬層的開口部和上述半導體層的開口部中的至少一個的形狀是四邊形。32.根據(jù)權利要求2331中的任意一項所述的制造方法，其特征在于，上述液晶顯示器具有半導體元件，在形成上述金屬層的步驟中，形成上述半導體元件的柵極，在形成上述半導體層的步驟中，形成上述半導體元件的半導體部，在形成上述半導體元件的步驟中，形成上述半導體元件的源漏極。33.根據(jù)權利要求2527中的任意一項所述的制造方法，其特征在于，包括在上述反射層上形成層間絕緣層的步驟；和在上述層間絕緣層上形成像素電極的步驟，上述像素電極的面，不反映上述反射層的上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部的形狀而平坦地形成。34.根據(jù)權利要求2333中的任意一項所述的制造方法，其特征在于，形成上述金屬層的步驟包括形成第l金屬層的步驟；和在上述第1金屬層上，由不同于上述第1金屬層的材料形成第2金屬層的步驟，在上述第1金屬層和上述第2金屬層上，分別形成開口部，且上述第1金屬層的開口部形成于上述第2金屬層的開口部的內(nèi)側。35.根據(jù)權利要求34所述的制造方法，其特征在于，上述第l金屬層由鋁形成，上述第2金屬層由鉬形成。36.根據(jù)權利要求34所述的制造方法，其特征在于，形成上述金屬層的步驟包括在上述第2金屬層上，由不同于上述第1金屬層和上述第2金屬層的材料形成第3金屬層的步驟，在上述第3金屬層上形成開口部，且上述第2金屬層的開口部位于上述第3金屬層的開口部的內(nèi)側。37.根據(jù)權利要求36所述的制造方法，其特征在于，上述第l金屬層由鋁形成，上述第2金屬層由氮化鉬形成，上述第3金屬層由鉬形成。38.—種液晶顯示器的制造方法，該液晶顯示器具備使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)域，該方法包括在上述反射區(qū)域形成金屬層的步驟，該金屬層具有第1部分和比上述第1部分厚的第2部分；在上述金屬層上，形成絕緣層的步驟；在上述絕緣層上，形成半導體層的步驟；和在上述半導體層上，形成反射層的步驟，在上述金屬層上形成具有臺階的斜面，且在上述反射層的表面上，根據(jù)上述金屬層的上述斜面，形成第1凹部和位于該第1凹部中的第2凹部。39.—種液晶顯示器的制造方法，該液晶顯示器具備使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)域，該方法包括在上述反射區(qū)域，形成具有開口部的金屬層的步驟；在上述金屬層上，形成絕緣層的步驟；在上述絕緣層上，形成具有開口部的半導體層的步驟；和在上述半導體層上，形成反射層的步驟，在上述反射層的表面上，根據(jù)上述金屬層的上述開口部和上述半導體層的上述開口部，形成第1凹部和位于該第1凹部中的第2凹部，上述金屬層的上述開口部的側面，按照包括與上述顯示面的傾斜角在20度以下的面的方式形成。40.根據(jù)權利要求39所述的制造方法，其特征在于，在形成上述金屬層的步驟中，上述金屬層的組成沿上述金屬層的厚度方向而變化。41.根據(jù)權利要求40所述的制造方法，其特征在于，上述金屬層由氮化鉬形成，且在形成上述金屬層的步驟中，上述金屬層的氮化鉬的氮含量隨時間而減少。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供低成本的、高畫質(zhì)的半透射型或反射型的液晶顯示器。本發(fā)明的液晶顯示器為具備使入射光朝向顯示面進行反射的反射區(qū)域的液晶顯示器，反射區(qū)域具有形成于襯底上的金屬層、形成于上述金屬層上的半導體層、形成于上述半導體層上的反射層，反射區(qū)域具有形成于反射層的表面上的第1凹部、形成于第1凹部中的反射層的表面上的第2凹部、形成于第2凹部中的反射層(63)的表面上的第3凹部。文檔編號G02F1/1368GK101432655SQ20078001561公開日2009年5月13日申請日期2007年4月5日優(yōu)先權日2006年5月1日發(fā)明者今井元,今出光則,北川英樹,原義仁,島田純也,松本隆夫,菊池哲郎申請人:夏普株式會社