專利名稱：對(duì)由圖案分成的特征進(jìn)行基于模式的opc的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及對(duì)掩模設(shè)計(jì)進(jìn)行光學(xué)鄰近校正(OPC， optical proximity correction),并且更特別地，涉及對(duì)已經(jīng)分解成多個(gè)圖案的掩模 設(shè)計(jì)執(zhí)行OPC的方法，其中將利用多個(gè)曝光工藝(也稱為雙圖案化 (double-patterning, DPT))使掩模成像。
背景技術(shù)：
例如，在集成電路(ICs)的制造中，可使用光刻設(shè)備。在這樣情況 下，掩?？砂cIC的單個(gè)層相對(duì)應(yīng)的電路圖案，并且可在襯底(硅晶 片)上的目標(biāo)部分(例如，包含一個(gè)或多個(gè)管芯)上使這個(gè)圖案成像，其 中該襯底已經(jīng)涂敷有輻射敏感材料(抗蝕劑)層。通常，單個(gè)晶片包括通 過投影系統(tǒng)一次一個(gè)地連續(xù)被照射的鄰近目標(biāo)部分的整個(gè)網(wǎng)絡(luò)。在一種類 型的光刻投影設(shè)備中，通過一次性地將整個(gè)掩模圖案曝光到目標(biāo)部分上來 照射每個(gè)目標(biāo)部分。通常這樣的設(shè)備稱為晶片步進(jìn)器(wafer stepper)。在 通常稱為步進(jìn)-掃描設(shè)備(step-and-scan apparatus)的可選設(shè)備中，通過在 投影束下沿給定參考方向("掃描"方向)逐漸地掃描掩模圖案來照射每 個(gè)目標(biāo)部分，同時(shí)沿與這個(gè)方向平行或反平行的方向同步掃描襯底臺(tái)。通 常，由于投影系統(tǒng)具有放大因數(shù)M (通常<1)，因此掃描襯底臺(tái)的速度V 是掃描掩模臺(tái)的速度的M倍因數(shù)。關(guān)于在此描述的光刻裝置的更多信息 例如可以從US6,046，792獲取，該專利被合并在此作為參考。在使用光刻投影設(shè)備的制造工藝中，在至少部分地被輻射敏感材料(抗蝕劑)層覆蓋的襯底上使掩模圖案成像。在這個(gè)成像步驟之前，襯底 可能經(jīng)歷各種步驟，例如涂底、抗蝕劑涂敷和軟烘烤。在曝光后，襯底經(jīng)歷其他步驟，例如曝光后烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤和成像特征的測(cè)量/ 檢査。這一系列步驟用做使器件(例如，IC)的單個(gè)層圖案化的基礎(chǔ)。然后，該圖案化的層經(jīng)受各種步驟，例如刻蝕、離子注入(摻雜)、金屬化、 氧化、化學(xué)機(jī)械拋光等等，所有這些步驟旨在完成單個(gè)層。如果需要幾個(gè) 層，則針對(duì)每個(gè)新的層將需要重復(fù)整個(gè)過程或其變形方式。最后，器件陣 列將出現(xiàn)在襯底(晶片)上。然后，通過諸如劃片或鋸割等技術(shù)使這些器 件彼此分離開，由此分立的器件就可以安裝在承載體上，連接到管腳上， 等等。為了簡(jiǎn)單起見，投影系統(tǒng)在下文中被稱為"透鏡"；然而，這個(gè)術(shù)語 應(yīng)該被廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，例如包括折射光學(xué)裝置、 反射光學(xué)裝置和反折射光學(xué)系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)也可以包括根據(jù)用于引導(dǎo)、成 形或控制投影輻射束的任意設(shè)計(jì)類型進(jìn)行操作的元件，并且下面將這樣的 元件共同或單獨(dú)地稱為"透鏡"。進(jìn)一步，光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)或更 多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多掩模臺(tái))的類型。在這樣的"多個(gè)臺(tái)"裝置 中，可平行使用附加臺(tái)，或當(dāng)使用一個(gè)或多個(gè)其他臺(tái)曝光時(shí)，可在一個(gè)或 多個(gè)臺(tái)上實(shí)施準(zhǔn)備步驟。對(duì)雙臺(tái)光刻設(shè)備進(jìn)行的說明例如在US5969441 中公開，在此并入作為參考。上面提到的光刻掩模包括與將要集成在硅晶片上的電路元件相對(duì)應(yīng) 的幾何圖案。利用CAD (計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))程序，形成用于產(chǎn)生這種掩 模的圖案，這個(gè)工藝往往稱為EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)。為生成功能掩模， 大部分CAD程序遵循一組預(yù)定設(shè)計(jì)規(guī)則。通過工藝和設(shè)計(jì)限制來設(shè)定這 些規(guī)則。例如，設(shè)計(jì)規(guī)則限定電路器件(例如門、電容器等等)或互連導(dǎo) 線間的間隔公差，以保證電路器件或?qū)Ь€不會(huì)以不希望的方式相互影響。 典型地，設(shè)計(jì)規(guī)則限制稱為"臨界尺寸"(critical dimensions, CD)。電路 的臨界尺寸可定義為線或孔的最小寬度，或是兩個(gè)線或兩個(gè)孔間的最小間 隔。因而，CD確定所設(shè)計(jì)電路的總體大小和密度。當(dāng)然，集成電路制造中的目標(biāo)之一是在晶片上(通過掩模)忠實(shí)地復(fù) 制原始電路設(shè)計(jì)。當(dāng)前受到關(guān)注的一種技術(shù)是雙圖案化或DPT。總的來說， 雙圖案化是涉及將密集電路圖案分裂(也就是，分割或分離)為兩個(gè)單獨(dú)的、密度較低的圖案的曝光方法。然后，利用兩個(gè)單獨(dú)的掩模(其中一個(gè) 掩模被用于成像一個(gè)密度較低的圖案，而另一個(gè)掩模被用于成像另一個(gè)密 度較低的圖案)，將簡(jiǎn)單化的圖案分別印制在目標(biāo)晶片上。進(jìn)一步，在第 一圖案的線之間印制第二圖案，使得成像的晶片的特征間距例如是兩個(gè)掩 模中任意一個(gè)掩模上所具有的特征間距的一半。這個(gè)技術(shù)有效地降低了光 刻工藝的復(fù)雜性，提高了可得到的分辨率，并且使得能夠比用其他方法印 制更小的特征。然而，盡管能夠確定怎樣將目標(biāo)圖案分離成兩個(gè)單獨(dú)的掩模，如下面 進(jìn)一步解釋的，但是各個(gè)掩模的標(biāo)準(zhǔn)OPC處理往往不足以得到可接受的成像性能。這部分是由于較強(qiáng)的鄰近效應(yīng)，在使CD越來越小的特征(例 如在32nm模式)成像時(shí)會(huì)出現(xiàn)所述鄰近效應(yīng)。實(shí)際上，對(duì)單個(gè)掩模的標(biāo) 準(zhǔn)OPC處理往往導(dǎo)致最后成像的圖案呈現(xiàn)斷裂的輪廓線或線斷裂。因此，本發(fā)明的目的是提供一種對(duì)掩模設(shè)計(jì)應(yīng)用OPC的方法和設(shè)備， 其中在雙圖案化過程中己經(jīng)將所述掩模設(shè)計(jì)分解成多個(gè)圖案/掩模，所述 方法和設(shè)備能夠克服上述問題。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)前述內(nèi)容，本發(fā)明的目的是提供一種改進(jìn)的工藝，用于分解將在 雙圖案化工藝中被使用的目標(biāo)圖案，該工藝提供了改進(jìn)的成像結(jié)果。更具體地，本發(fā)明涉及把包含將要被成像的特征的目標(biāo)電路圖案分解為多個(gè)圖案的方法。該工藝包括步驟將待印制的特征分成第一圖案和第 二圖案的步驟；在第一圖案和第二圖案上實(shí)施第一光學(xué)鄰近校正處理；確 定第一圖案和第二圖案的成像性能；確定第一圖案和第一圖案的成像性能 間的第一誤差，以及確定第二圖案和所述第二圖案的成像性能間的第二誤 差；利用第一誤差調(diào)整第一圖案，以產(chǎn)生修正的第一圖案；利用第二誤差 調(diào)整第二圖案，以產(chǎn)生修正的第二圖案；以及對(duì)修正的第一圖案和修正的 第二圖案應(yīng)用第二光學(xué)鄰近校正處理。本發(fā)明的工藝允許給定目標(biāo)圖案分解成為多個(gè)圖案，當(dāng)在多重照射工 藝(諸如雙圖案化等)中被成像時(shí)，所述多個(gè)圖案在可接受的誤差標(biāo)準(zhǔn)內(nèi) 精確地復(fù)制希望的目標(biāo)圖案。重要地，前述工藝消除了在分解圖案之間的 縫接區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)的斷裂線和斷開。盡管在本文中具體描述了在IC制造過程中使用本發(fā)明，但是， 應(yīng)該是清楚地理解，本發(fā)明具有許多其他可能的應(yīng)用。例如，可以用 在集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、液晶顯示板、薄膜 磁頭等的制造中。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在這種可選應(yīng)用的情況 中，本文中術(shù)語"掩模版"、"晶片"或"管芯"的任何使用應(yīng)認(rèn)為分 別由更上位的術(shù)語"掩模"、"襯底"和"目標(biāo)部分"代替。通過參考下面詳細(xì)說明和附圖，更好地理解本發(fā)明本身以及其它 目的和優(yōu)點(diǎn)。


圖1和2是圖案分解工藝的示例，其中圖1示出雙圖案化技術(shù) (DPT)，條件為Kl<0.25， CLN方法示例，利用NA0.93的目標(biāo) CD 32nm半間距一kl=0.154;圖2也為CLN (cont.)方法，條件 使用NA0.93的目標(biāo)CD 32nm半間距一kl=0.154圖3示出圖1和2中所示的雙曝光工藝的所得圖像的平均圖像強(qiáng) 度，圖中所示DELCLN成像，其中兩次曝光之后，平均強(qiáng)度調(diào)制 是平的；最終印出的圖像是每個(gè)曝光的"或"；需要材料/工藝，以保 護(hù)對(duì)于每個(gè)曝光的圖案。圖4示出了關(guān)于如何將給定圖案特征分成單獨(dú)特征的示例，示出 了圖案化中的圖案分裂效果。圖5示出了對(duì)圖4中"分離類型1"所示分解圖案示例應(yīng)用OPC 技術(shù)，其中使用用于1/5波長(zhǎng)的印制特征的ArF具有很強(qiáng)的鄰近效應(yīng)。圖6示出了 DPT OPC方法的示例性流程圖，該流程圖示出了根 據(jù)本發(fā)明將目標(biāo)圖案分解成多個(gè)圖案的工藝和對(duì)分解的圖案應(yīng)用 OPC處理的工藝。圖7—11示出了在圖6流程圖中示出的工藝的示例，其中圖9和 圖IO示出器件示例。圖12示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的示例性方框圖， 其中所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)獲得最優(yōu)化短程閃爍模式參數(shù) (optimized short-range flare model parameters )的工藝。圖13示意性示出了適合與在本發(fā)明實(shí)施例的輔助下設(shè)計(jì)的掩模一起使用的示例性光刻投影設(shè)備。
具體實(shí)施方式
本公開內(nèi)容舉例說明了一種對(duì)掩模圖案應(yīng)用OPC處理的方法，其中所述掩模圖案是通過將目標(biāo)圖案分解成用在雙圖案化工藝中的多個(gè)掩模圖案而得到的。在討論本發(fā)明的OPC工藝前，提供分解工藝的簡(jiǎn)短概要。用于將目標(biāo)圖案分成(也稱為著色)兩個(gè)單獨(dú)圖案的各種技術(shù)是 公知的，其中所述兩個(gè)單獨(dú)的圖案后來被用作產(chǎn)生兩個(gè)單獨(dú)掩模的基礎(chǔ)。 一種這樣的方法被稱為線著色方法(coloring line method, CLN)。 圖1-3示出線著色方法的示例性過程。參考圖l，例如基于用于識(shí)別 哪個(gè)特征將被分配給對(duì)應(yīng)掩模的間距，首先對(duì)目標(biāo)圖案IO著色。在 給定示例中，短特征12被分配給第一掩模16，長(zhǎng)特征14被分配給 第二掩模18。如所示，在形成的掩模中的特征之間形成的間距是原 始目標(biāo)掩模中特征之間的間距的兩倍，從而允許合適的特征成像。在 目標(biāo)圖案分解成為單獨(dú)的掩模/圖案后，如圖1中所示，可對(duì)單個(gè)掩 模20、 22應(yīng)用OPC。一旦應(yīng)用OPC處理，晶片經(jīng)受兩次曝光，首先利用第一掩模20 曝光，然后利用第二掩模22曝光(然而，曝光的順序也可以是相反 的)，然后刻蝕，以使得如圖2中所示，在晶片中產(chǎn)生希望的圖案(見 附圖標(biāo)記24)。形成的圖像代表第一和第二曝光工藝的"或"組合。 參考圖3，值得注意的是，在雙曝光工藝后，平均強(qiáng)度調(diào)制大體是平 的。進(jìn)一步，應(yīng)該注意的是，現(xiàn)有各種方法和技術(shù)用于將目標(biāo)圖案分 解或分離成為多個(gè)圖案。首先，具有基于規(guī)則和基于模式的兩種技術(shù)， 用于進(jìn)行分解工藝。其次，還具有許多選擇用于對(duì)給定圖案進(jìn)行分解 工藝。圖4圖示了關(guān)于相同圖案分解的許多不同示例。參考圖4，"分 離類型l"示出在垂直線45的中心處分解具有水平線41、 43的H形 特征。"分離類型2"示出在垂直線45與水平線43的內(nèi)邊緣接觸的 點(diǎn)處分解H形特征。"分離類型3"示出在垂直線45與水平線43的 外邊緣接觸的點(diǎn)處分解H形特征。9一旦將目標(biāo)圖案分離成兩個(gè)或更多圖案，就可對(duì)單個(gè)圖案應(yīng)用OPC技術(shù)。然而，當(dāng)前工藝是直接對(duì)分解的圖案應(yīng)用OPC處理。圖 5示出了對(duì)圖4的"分離類型l"中所示的分解圖案應(yīng)用OPC技術(shù)。 如所示，對(duì)應(yīng)于分解特征41的分解特征經(jīng)受OPC處理(見附圖標(biāo)記 51)。值得注意的是，在OPC處理過程中，修正了特征41的形狀。 另外，OPC處理可以包括將輔助特征52 (或散射條特征)添加到掩 模圖案。接著，利用經(jīng)OPC處理的圖案51產(chǎn)生掩模，所述掩模被說 明(或模擬)用于確定從經(jīng)OPC處理的特征51產(chǎn)生的印制輪廓。繼續(xù)前述示例，圖5中圖示了形成的印制輪廓55。如所示，盡 管在成像前，對(duì)特征進(jìn)行OPC處理，但是，對(duì)應(yīng)于特征的所得印制 輪廓具有變短的互連段。在單個(gè)掩模圖案中設(shè)置的相對(duì)特征43 (其 也經(jīng)歷了 OPC處理)也顯示變短的互連段。結(jié)果，多個(gè)成像工藝的 組合產(chǎn)生了具有如圖5所示的不希望有的線斷裂的最終輪廓59，并 且因此無法產(chǎn)生希望的輪廓57。值得注意的是，由于與32nm操作模 式下較小臨界尺寸需求相關(guān)的較強(qiáng)鄰近效應(yīng)，在32nm模式下這個(gè)問 題變得更明顯。本發(fā)明的工藝消除了前述問題。圖6示出根據(jù)本發(fā)明的示例性流程圖，該流程示出將目標(biāo)圖 案分解成多個(gè)圖案的工藝以及對(duì)分解圖案應(yīng)用OPC處理的工藝。參 考圖6，工藝中的第一步驟(步驟61)是定義原始目標(biāo)(也稱為目標(biāo) 圖案)。然后，利用任何適合用于分解圖案的基于規(guī)則或基于模式的 技術(shù)，將目標(biāo)圖案分解(步驟62)成多個(gè)圖案(63、 64)。值得注意 的是，典型地，由于在任意一個(gè)掩模圖案中可以放置非臨界特征，因 此，分解工藝可集中在給定目標(biāo)圖案中的密集間隔的特征上。下一步 驟(步驟65)是對(duì)每個(gè)分解圖案應(yīng)用OPC處理，并且相對(duì)于縫接區(qū) 域(即，其中目標(biāo)圖案中的特征彼此接觸、但是在分解圖案中彼此分 離的區(qū)域，例如如圖4中所示的垂直特征45)中的目標(biāo)圖案確定分 解圖案的所得輪廓的誤差。例如通過以下步驟完成誤差確定通過模 擬每個(gè)分解圖案的成像性能，然后將模擬結(jié)果與分解圖案相比較，以 確定模擬的和希望的分解輪廓的差異或誤差。值得注意的是，任何適 合的OPC處理，例如基于規(guī)則或基于模式的OPC處理，都可以用于 將OPC應(yīng)用到分解圖案。另外，可利用任何適合的模擬程序，以確定用OPC處理的分解圖案的成像性能。在下一步驟(步驟67)中，利用每個(gè)縫接區(qū)域中的誤差作為基 礎(chǔ)，來調(diào)節(jié)原始分解圖案以生成新的分解圖案，從而變成希望的目標(biāo) 圖案。更具體地，將誤差量(例如，顯示的特征變短的量)加到對(duì)應(yīng) 縫接區(qū)域中的原始分解圖案上，以形成新的分解圖案。這例如可通過以下步驟完成利用相應(yīng)大小的多邊形使其接近誤差區(qū)域的大小，然后將表示誤差的多邊形增加到在設(shè)計(jì)的適當(dāng)區(qū)域中的原始分解圖案。 注意，這些新形成的圖案變成用于分解圖案的目標(biāo)設(shè)計(jì)。接著，新形成的分解圖案經(jīng)受OPC處理(步驟69)。如在步驟 65中，在步驟69中，可利用任何適合的OPC處理施加OPC處理。 優(yōu)選的是，可在步驟65和步驟69中都利用相同的OPC。 一旦對(duì)新 形成的分解圖案應(yīng)用OPC處理，形成的圖案(71和73)代表著將在 多照射工藝中利用的最后圖案。在可選步驟(步驟75)中，值得注 意的是，作為步驟69的結(jié)果而產(chǎn)生的圖案能夠經(jīng)受模擬兩個(gè)掩模成 像性能的確認(rèn)工藝，從而確定由兩個(gè)掩模的組合曝光所產(chǎn)生的圖像生 成在可接收的誤差允許量之內(nèi)的所需目標(biāo)圖案。這個(gè)確認(rèn)工藝也可通 過適合的模擬工藝執(zhí)行。圖7和圖8提供前述工藝的圖示。首先參考圖7，從H形特征的 原始圖案或目標(biāo)圖案開始，這個(gè)布局分裂成為兩個(gè)特征，縫接區(qū)域在 垂直連接特征的中心。如圖7中所示的布局1和布局2代表原始分解 圖案。接著，對(duì)布局1和布局2應(yīng)用OPC處理，然后執(zhí)行模擬工藝， 以為每個(gè)布局1和布局2生成希望的印刷輪廓。此后，形成的印刷/ 模擬輪廓與原始分解圖案相比較，以確定縫接區(qū)域中印刷/模擬輪廓 與原始分解圖案之間的誤差。值得注意的是，誤差確定是基于但是不 限于原始分解圖案和印刷/模擬輪廓之間的一維比較或二維比較。然 后，將在每個(gè)縫接區(qū)域中的誤差轉(zhuǎn)變?yōu)榇碚`差量或誤差值的多邊 形，并且將對(duì)應(yīng)每個(gè)縫接區(qū)域的給定多邊形增加到相應(yīng)縫接區(qū)域中的 原始分解圖案上，以產(chǎn)生變成目標(biāo)圖案的新的分解圖案。當(dāng)然，其它 確定成像誤差的方法以及對(duì)原始分解圖案進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整的方法也是 可能的。然后，參考圖8，從新產(chǎn)生的分解圖案開始，這些圖案經(jīng)受OPC處理，優(yōu)選地，執(zhí)行與對(duì)原始分解圖案所實(shí)施的相同的OPC處理。 從這個(gè)OPC處理產(chǎn)生的圖案代表將要在雙圖案化工藝中利用的圖案。然后在多個(gè)照射步驟中利用這些圖案使晶片成像，以產(chǎn)生原始的H形目標(biāo)特征。如圖8中所示，形成的成像圖案不具有任何斷裂的輪 廓，并且精確地復(fù)制了 H形圖案。還值得注意的是，如果在實(shí)際成 像之前執(zhí)行可選的確認(rèn)步驟，圖8中示出的經(jīng)過OPC的圖案可經(jīng)受 模擬處理，以確定形成的成像晶片是否產(chǎn)生了期望的結(jié)果。圖9和10圖示了將本發(fā)明的工藝應(yīng)用到要成像的目標(biāo)圖案的另 一個(gè)示例。參考圖10，目標(biāo)圖案101分解成為兩個(gè)單獨(dú)圖案并且經(jīng) 受OPC處理(見，圖案102和103)。模擬由圖案102和103的相繼 曝光產(chǎn)生的圖像，以確定縫接區(qū)域(見例如圖9中區(qū)域104)內(nèi)在目 標(biāo)圖案和模擬圖案之間形成的誤差。確定了該誤差量，然后利用這個(gè) 誤差量，以在縫接區(qū)域中將特征延伸該誤差量，從而產(chǎn)生新的分解圖 案105和106。圖案105和106然后經(jīng)受OPC處理(見，圖案107 和108)，此后，被用于在實(shí)際成像工藝中將目標(biāo)特征成像。在圖10 中還圖示了最終的圖案化結(jié)果。最后，圖11圖示了由現(xiàn)有的成像工 藝產(chǎn)生的成像結(jié)果與由本發(fā)明工藝產(chǎn)生的成像結(jié)果之間的比較?；逸?廓111代表本發(fā)明的成像結(jié)果，而黑實(shí)線輪廓112代表現(xiàn)有工藝的成 像結(jié)果。如所示，黑實(shí)線輪廓在整個(gè)形成的圖案上具有許多不希望的 斷裂。圖12是圖示用于輔助執(zhí)行上述工藝的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100的方塊圖。 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100包括總線102或?yàn)閭鬏斝畔⒌钠渌ㄐ艡C(jī)構(gòu)，以及與 總線102連接的用于處理信息的處理器104。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100還包括 主存儲(chǔ)器106，例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)或其它動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)裝置， 所述主存儲(chǔ)器106連接到總線102、用于存儲(chǔ)信息和將由處理器104 執(zhí)行的指令。在執(zhí)行將由處理器104執(zhí)行的指令的過程中，主存儲(chǔ)器 106還用于存儲(chǔ)臨時(shí)變量或其它中間信息。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100進(jìn)一步包 括只讀存儲(chǔ)器(ROM) 108或其它靜態(tài)存儲(chǔ)裝置，其連接到總線102、 用于存儲(chǔ)靜態(tài)信息和用于處理器104的指令。設(shè)置了連接到總線102 的存儲(chǔ)器件110，例如磁盤或光盤，用于存儲(chǔ)信息和指令。通過總線102，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可以連接到顯示器112上，例如用于將信息顯示給計(jì)算機(jī)用戶的陰極射線管或平板或觸摸板顯示器。包括字母數(shù)字和其他鍵的輸入裝置U4連接到總線102，用于將信息 和指令選擇傳輸?shù)教幚砥?04。另一種類型的用戶輸入裝置為光標(biāo)控 制116，例如鼠標(biāo)、軌跡球，或光標(biāo)方向鍵，用于將方向信息和指令 選擇傳輸?shù)教幚砥?04并且用于控制光標(biāo)在顯示器12上的移動(dòng)。典 型地，這個(gè)輸入裝置具有在兩個(gè)軸上的兩個(gè)自由度，第一軸(例如， x)和第二軸(例如，y)，這允許裝置在平面內(nèi)定位。觸摸板(屏) 顯示器也可用作輸入裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所公開的方法可以通過計(jì)算機(jī)系統(tǒng) 100響應(yīng)處理器104，執(zhí)行包含在主存儲(chǔ)器106中的一個(gè)或多個(gè)指令 中的一個(gè)或多個(gè)序列來實(shí)現(xiàn)。這樣的指令可從另一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì) (例如存儲(chǔ)裝置110)讀入到主存儲(chǔ)器106中。包含在主存儲(chǔ)器106 中的指令序列的執(zhí)行使得處理器104執(zhí)行這里所述的工藝步驟。在多 處理設(shè)置中的一個(gè)或更多處理器也可用于執(zhí)行包含在主存儲(chǔ)器106 中的指令序列。在可選實(shí)施例中，可用硬件電路代替軟件指令或與軟 件指令結(jié)合來實(shí)施本發(fā)明。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不限于硬件電路和 軟件的任何特定結(jié)合。在此使用的術(shù)語"計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)"指的是參與對(duì)處理器104提 供用于執(zhí)行的指令的任何介質(zhì)。這樣的介質(zhì)可采用許多形式，包括但 不限于非易失性介質(zhì)、易失性介質(zhì)和傳輸介質(zhì)。非易失性介質(zhì)包括例 如光盤或磁盤，諸如存儲(chǔ)裝置110等。易失性介質(zhì)包括動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器， 例如主存儲(chǔ)器106。傳輸介質(zhì)包括同軸電纜、銅線和光纖，包括包含 總線102的電線。傳輸介質(zhì)也可以是聲波或光波的形式，例如在射頻 (RF)和紅外(IR)數(shù)據(jù)通信過程中產(chǎn)生的那些波。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì) 的一般形式包括例如軟磁盤、柔性磁盤、硬磁盤、磁帶、任何其它磁 介質(zhì)、CD-ROM、 DVD、任何其它光學(xué)介質(zhì)、打孔卡、紙帶、任何 其它具有孔圖案的物理介質(zhì)、RAM、 PROM和EPROM、 FLASH-EPROM、任何其它存儲(chǔ)芯片或磁帶盒、如下文中表述的載波、 或計(jì)算機(jī)可從其中讀取數(shù)據(jù)的任何其它介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的各種各樣形式可能涉及到載運(yùn)一個(gè)或多個(gè)指 令的一個(gè)或多個(gè)序列至處理器104，用于執(zhí)行。例如，在遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)的磁盤上初始攜帶指令。遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)可將指令載入到其動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中，并且使用調(diào)制解調(diào)器在電話線上將指令發(fā)送。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100本 地的調(diào)制解調(diào)器可以在電話線上接受數(shù)據(jù)，并且使用紅外傳輸器以將 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成紅外信號(hào)。連接到總線102的紅外探測(cè)器接收在紅外信號(hào) 內(nèi)攜帶的數(shù)據(jù)并且將數(shù)據(jù)放置到總線102上?？偩€102運(yùn)載數(shù)據(jù)到主 存儲(chǔ)器106，處理器104從主存儲(chǔ)器106重新得到指令并執(zhí)行指令。 可選擇地，可在處理器104執(zhí)行之前或之后，將由主存儲(chǔ)器106接收 的指令存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置110上。優(yōu)選地，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)IOO還包括連接到總線102的通信接口 118。 通信接口 118提供連接到網(wǎng)絡(luò)連接120的雙向數(shù)據(jù)通信，該網(wǎng)絡(luò)連接 120連接到本地網(wǎng)絡(luò)122。例如，通信接口 118可為綜合業(yè)務(wù)數(shù)字網(wǎng) (ISDN)卡或調(diào)制解調(diào)器，以為相應(yīng)類型的電話線提供數(shù)據(jù)通信連接。 作為另一示例，通信接口 118可為局域網(wǎng)(LAN)卡，以為兼容LAN 提供數(shù)據(jù)通信連接。還可以實(shí)現(xiàn)無線連接。在任何的這樣的實(shí)施方法 中，通信接口 118發(fā)送和接收電的、電磁的或光學(xué)的信號(hào)，這些信號(hào) 攜帶著表示各種信息的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)流。典型地，網(wǎng)絡(luò)連接120通過一個(gè)或多個(gè)網(wǎng)絡(luò)向其它數(shù)據(jù)裝置提供 數(shù)據(jù)通信。例如，網(wǎng)絡(luò)連接120通過本地網(wǎng)絡(luò)122提供至主計(jì)算機(jī) 124或由因特網(wǎng)服務(wù)提供者(ISP)126操作的數(shù)據(jù)設(shè)備的連接。ISP126 反過來通過萬維信息包數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)(worldwide packet data communication network)提供數(shù)據(jù)通信服務(wù)，其中所述萬維信息包數(shù) 據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)如今一般稱為"因特網(wǎng)"128。本地網(wǎng)絡(luò)122和因特網(wǎng)128 都使用攜帶數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)流的電的、電磁的或光學(xué)的信號(hào)。通過各種網(wǎng)絡(luò) 的信號(hào)和網(wǎng)絡(luò)連接120上的信號(hào)以及通過通信接口 118的信號(hào)是傳輸 信息的載波的示例性形式，它們將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)攜帶到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100以 及從計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100攜帶數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。通過網(wǎng)絡(luò)、網(wǎng)絡(luò)連接120和通信接口 118，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可發(fā) 送消息和接收數(shù)據(jù)(包括程序代碼)。在因特網(wǎng)示例中，通過因特網(wǎng) 128、 ISP126、本地網(wǎng)絡(luò)122和通信接口 118，服務(wù)器130能為應(yīng)用程 序傳輸請(qǐng)求代碼。根據(jù)本發(fā)明，例如， 一個(gè)這樣的下載應(yīng)用為公開的 實(shí)施例工藝而提供。當(dāng)接收時(shí)，接收的代碼可由處理器104執(zhí)行，和/或存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置110或其它非易失性存儲(chǔ)器中，用于稍后執(zhí)行。 在這個(gè)方式中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可得到采用載波形式的應(yīng)用代碼。 圖13示意性顯示了適合利用本發(fā)明的工藝所設(shè)計(jì)的掩模成像的光刻投影設(shè)備。該設(shè)備包括一用于提供投影輻射束PB的輻射系統(tǒng)Ex、 IL。在這個(gè)特定情況 中，輻射系統(tǒng)還包括輻射源LA;一第一對(duì)象臺(tái)(掩模臺(tái))MT，其設(shè)置有掩模保持器，用于保持 掩模MA(例如，掩模版)，并且連接到為相對(duì)物品PL精確定位掩模 的第一定位裝置；一第二對(duì)象臺(tái)(襯底臺(tái))WT，其設(shè)置有襯底保持器，用于保持 襯底W(例如，涂敷抗蝕劑的硅晶片)，并且連接到用于相對(duì)物品PL 精確定位襯底的第二定位裝置；一投影系統(tǒng)("透鏡")PL (例如，折射的、反射的或折射兼反 射的光學(xué)系統(tǒng))，用于將掩模MA的被輻射部分成像在襯底W的目標(biāo) 部分C (例如，包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。如這里所述的，所述設(shè)備是透射型的(例如，具有透射掩模)。 然而，通常，它還可以是反射型的，例如(具有反射掩模)?？蛇x擇 地，所述設(shè)備可使用另一類型的圖案形成裝置，作為掩模使用的可選 方案；示例包括可編程反射鏡陣列或LCD矩陣。源LA (例如，水銀燈或準(zhǔn)分子激光器)產(chǎn)生輻射束。該光束直 接或在穿過調(diào)整裝置(例如擴(kuò)束器)Ex之后被送入照射系統(tǒng)(照射 器)IL。照射器IL包含用于設(shè)置輻射束中強(qiáng)度分布的外部和/或內(nèi)部 徑向范圍(通常分別稱為o-外部和o-內(nèi)部)的調(diào)節(jié)裝置AM。另外， 通常，它包括各種其它元件，例如積分器IN和聚光器CO。這樣， 打到掩模MA上的束PB在其截面上具有希望的均勻性和強(qiáng)度分布。對(duì)于圖13，應(yīng)注意的是，源LA可在光刻投影設(shè)備(例如，通常 當(dāng)源LA是水銀燈時(shí)的情況)的外殼之內(nèi)，但是也可能是遠(yuǎn)離光刻投 影設(shè)備，將產(chǎn)生的輻射束引導(dǎo)至設(shè)備中(例如，在適合的導(dǎo)引鏡的幫 助下)；后一設(shè)想一般是當(dāng)源LA為準(zhǔn)分子激光器(例如，基于KrF、 ArF或F2發(fā)射激光)時(shí)的情況。本發(fā)明包括這兩種設(shè)想。光束PB隨后截?fù)舯３衷谘谀Ｅ_(tái)MT上的掩模MA。穿過掩模MA后，光束PB通過透鏡PL，該透鏡PL將光束PB聚焦在襯底W 的目標(biāo)部分C上。在第二定位裝置(和千涉測(cè)量裝置IF)的幫助下， 襯底臺(tái)WT可以精確地移動(dòng)，例如，從而將不同的目標(biāo)部分C定位 在光束PB的光路中。類似地，例如，在從掩模庫(kù)機(jī)械獲取掩模后或 在掃描過程中，可用第一定位裝置將掩模MA相對(duì)于束PB的路徑精 確地定位。 一般而言，在長(zhǎng)行程模塊(粗調(diào)定位)和短行程模塊(細(xì) 調(diào)定位)的幫助下，可實(shí)現(xiàn)對(duì)象臺(tái)MT、 WT的移動(dòng)，在圖13中沒有 清楚地顯示這些。然而，在晶片步進(jìn)器(與步進(jìn)-掃描工具相反)的 情況下，掩模臺(tái)MT可僅僅連接到短行程致動(dòng)器，或可以被固定。 可在兩種不同模式下使用的所述專用工具一在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT保持基本上靜止，并且在一次(也 就是，單"閃")將整個(gè)掩模圖像投影在目標(biāo)部分C上。然后沿x和 /或y方向?qū)⒁r底臺(tái)WT移位，以便可通過束PB輻射不同目標(biāo)部分C。—在掃描模式中，基本上應(yīng)用相同情形，除了給定目標(biāo)部分C 不在單"閃"中被曝光。相反地，掩模臺(tái)MT在給定的方向上(所謂 "掃描方向"，例如y方向)可以以速度v移動(dòng)，以便投影束PB引起 在整個(gè)掩模圖像上的掃描；同時(shí)地，在相同或相反方向上以速度V-Mv同時(shí)移動(dòng)襯底臺(tái)WT，其中M為透鏡PL的放大率(典型地，M =1/4或1/5)。在這種方式中，可曝光相對(duì)大的目標(biāo)部分C，而不用 犧牲分辨率。盡管已詳細(xì)地說明和圖示了本發(fā)明，但是，應(yīng)該清楚地理解，本 發(fā)明僅通過圖示和示例的方式進(jìn)行了說明，而并非用于限制，本發(fā)明 的范圍僅由隨附的權(quán)利要求項(xiàng)來限定。
權(quán)利要求
1. 一種用于將包括待印制到晶片上的特征的目標(biāo)電路圖案分解成為多個(gè)圖案的方法，包括步驟將待印制的所述特征分離成第一圖案和第二圖案；在所述第一圖案和所述第二圖案上，執(zhí)行第一光學(xué)鄰近校正工藝；確定所述第一圖案和所述第二圖案的成像性能；確定在所述第一圖案和所述第一圖案的所述成像性能之間的第一誤差，以及確定在所述第二圖案與所述第二圖案的所述成像性能之間的第二誤差；利用所述第一誤差調(diào)整所述第一圖案，以產(chǎn)生修正的第一圖案；利用所述第二誤差調(diào)整所述第二圖案，以產(chǎn)生修正的第二圖案；以及對(duì)所述修正的第一圖案和所述修正的第二圖案應(yīng)用第二光學(xué)鄰近校正工藝。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于分解目標(biāo)電路圖案的方法，其中，利 用基于規(guī)則的分解工藝，將所述特征分離成所述第一圖案和所述第二圖 案。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于分解目標(biāo)電路圖案的方法，其中，利 用基于模式的分解工藝，將所述特征分離成所述第一圖案和所述第二圖 案。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于分解目標(biāo)電路圖案的方法，其中，所 述第一光學(xué)鄰近校正工藝和所述第二光學(xué)鄰近校正工藝是相同的工藝。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于分解目標(biāo)電路圖案的方法，其中，所 述第一光學(xué)鄰近校正工藝和所述第二光學(xué)鄰近校正工藝?yán)没谝?guī)則的 校正工藝。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于分解目標(biāo)電路圖案的方法，其中，所 述第一光學(xué)鄰近校正工藝和所述第二光學(xué)鄰近校正工藝?yán)没谀Ｊ降?校正工藝。
7、 根據(jù)權(quán)利要求所述1的用于分解目標(biāo)電路圖案的方法，其中，在與第一圖案和第二圖案相關(guān)聯(lián)的縫接區(qū)域中確定所述第一誤差和所述第 二誤差。
8、 一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)用于將包括待印制到晶片上的 特征的目標(biāo)電路圖案分解成為多個(gè)圖案的計(jì)算機(jī)程序，其中所述計(jì)算機(jī)程序在執(zhí)行時(shí)使計(jì)算機(jī)執(zhí)行步驟將待印制的特征分離成第一圖案和第二圖案； 在所述第一圖案和所述第二圖案上執(zhí)行第一光學(xué)鄰近校正工藝； 確定所述第 一 圖案和所述第二圖案的成像性能；確定在所述第一圖案和所述第一圖案的所述成像性能之間的第一誤 差，以及確定在所述第二圖案和所述第二圖案的所述成像性能之間的第二 誤差；利用所述第一誤差調(diào)整所述第一圖案，以產(chǎn)生修正的第一圖案； 利用所述第二誤差調(diào)整所述第二圖案，以產(chǎn)生修正的第二圖案；以及 對(duì)所述修正的第一圖案和所述修正的第二圖案應(yīng)用第二光學(xué)鄰近校 正工藝。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，利用基于規(guī) 則的分解工藝，將所述特征分離成所述第一圖案和所述第二圖案。
10、 根據(jù)權(quán)利要求所述8的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，利用基于模 式的分解工藝，將所述特征分離成所述第一圖案和所述第二圖案。
11、 根據(jù)權(quán)利要求所述8的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，所述第一光 學(xué)鄰近校正工藝和所述第二光學(xué)鄰近校正工藝是相同的工藝。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，所述第一 光學(xué)鄰近校正工藝和所述第二光學(xué)鄰近校正工藝?yán)没谝?guī)則的校正工 藝。
13、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，所述第一 光學(xué)鄰近校正工藝和所述第二光學(xué)鄰近校正工藝?yán)没谀Ｊ降男Ｕ?藝。
14、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，在與第一圖 案和第二圖案相關(guān)聯(lián)的縫接區(qū)域中確定所述第一誤差和所述第二誤差。
15、 一種器件制造方法，包括步驟(a)提供至少部分由輻射敏感材料層覆蓋的襯底；(b) 使用成像系統(tǒng)提供投影輻射束；(c) 使用掩模上的圖案，將圖案賦予投影束的橫截面內(nèi)；(d) 將圖案化的輻射束投影在輻射敏感材料層的目標(biāo)部分上； 其中，在步驟(c)中，在掩模上提供圖案包括步驟-將待印制的特征分離成第一圖案和第二圖案； 在所述第一圖案和所述第二圖案上執(zhí)行第一光學(xué)鄰近校正工藝； 確定所述第一圖案和所述第二圖案的成像性能；確定在所述第一圖案和所述第一圖案的所述成像性能之間的第一誤 差，以及確定在所述第二圖案和所述第二圖案的所述成像性能之間的第二 誤差；利用所述第一誤差調(diào)整所述第一圖案，以產(chǎn)生修正的第一圖案； 利用所述第二誤差調(diào)整所述第二圖案，以產(chǎn)生修正的第二圖案；以及 對(duì)所述修正的第一圖案和所述修正的第二圖案應(yīng)用第二光學(xué)鄰近校 正工藝。
16、 一種用于產(chǎn)生要在光刻工藝中利用的掩模的方法，所述方法包括 步驟通過將待印制的特征分離成第一圖案和第二圖案，而將包括待印制到晶片上的特征的目標(biāo)電路圖案分解成為多個(gè)圖案；在所述第一圖案和所述第二圖案上執(zhí)行第一光學(xué)鄰近校正工藝； 確定所述第一圖案和所述第二圖案的成像性能；確定在所述第一圖案和所述第一圖案的所述成像性能之間的第一誤差，以及確定在所述第二圖案和所述第二圖案的所述成像性能之間的第二、口爭(zhēng) 沃差；利用所述第一誤差調(diào)整所述第一圖案，以產(chǎn)生修正的第一圖案； 利用所述第二誤差調(diào)整所述第二圖案，以產(chǎn)生修正的第二圖案； 對(duì)所述修正的第一圖案和所述修正的第二圖案應(yīng)用第二光學(xué)鄰近校 正工藝；以及在所述第二光學(xué)鄰近校正工藝之后，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)所述修正的第一圖案的 第一掩模，以及在所述第二光學(xué)鄰近校正工藝之后，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)所述修正的 第二圖案的第二掩模。
全文摘要
一種用于將包含待成像的特征的目標(biāo)電路圖案分解成為多個(gè)圖案的方法。該工藝包括以下步驟將待印制的特征分離成第一圖案和第二圖案；在第一圖案和第二圖案上執(zhí)行第一光學(xué)鄰近校正工藝；確定第一圖案和第二圖案的成像性能；確定第一圖案和第一圖案的成像性能之間的第一誤差，以及確定第二圖案和第二圖案的成像性能之間的第二誤差；利用第一誤差調(diào)整第一圖案以產(chǎn)生修正的第一圖案；利用第二誤差調(diào)整第二圖案以產(chǎn)生修正的第二圖案；以及對(duì)修正的第一圖案和修正的第二圖案應(yīng)用第二光學(xué)鄰近校正工藝。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101276141SQ20071030518
公開日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2007年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月13日
發(fā)明者徐端夫·斯蒂芬, 樸正哲, 道格拉斯·范登布羅埃克, 陳劍方 申請(qǐng)人:Asml蒙片工具有限公司