專利名稱：防護(hù)薄膜組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光蝕刻用防護(hù)薄膜組件，其在制造LSI、超LSI等半導(dǎo)體裝置或液晶顯示板時(shí)，作為光蝕刻用掩模的防塵器使用。
背景技術(shù)：
在LSI、超LSI等半導(dǎo)體或是液晶顯示板等產(chǎn)品的制造中，是用光照射半導(dǎo)體晶圓或液晶用原板以制作形成圖案，惟若此時(shí)所使用的曝光原板(光蝕刻用掩模)有灰塵附著的話，由于該灰塵會(huì)吸收光，使光彎曲，故除了會(huì)使轉(zhuǎn)印的圖案變形、使邊緣變粗糙以外，還會(huì)使基底污黑，并損壞尺寸、品質(zhì)、外觀等。
因此，該等作業(yè)通常在無(wú)塵室中進(jìn)行，惟即使在該無(wú)塵室內(nèi)亦難以經(jīng)常保持曝光原板清潔，遂采取在曝光原板表面上貼附對(duì)曝光用光線透光性良好的防護(hù)薄膜組件作為防塵器之用的方法。此時(shí)，因灰塵未直接附著于曝光原板表面上而是附著于防護(hù)薄膜上，故只要在光蝕刻時(shí)將焦點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)曝光原板的圖案上，防護(hù)薄膜上的灰塵就不會(huì)影響轉(zhuǎn)印。
防護(hù)薄膜組件的基本構(gòu)造如下使用對(duì)曝光用光線具備良好透光性的硝化纖維素、醋酸纖維素、氟系聚合物等物質(zhì)構(gòu)成透明防護(hù)薄膜，使用實(shí)施過黑色氧皮鋁處理的JIS A7075、A6061、A5052等規(guī)格的鋁合金、不銹鋼、聚乙烯等材質(zhì)構(gòu)成防護(hù)薄膜組件框(框架)，在框架上部涂布防護(hù)薄膜的良溶劑，將防護(hù)薄膜風(fēng)干粘接于框架上部(參照專利文獻(xiàn)1)，或是用丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂或氟樹脂等粘接劑粘接(參照專利文獻(xiàn)2以及3)，接著，為了在防護(hù)薄膜組件框下部裝設(shè)曝光原板，而使用聚丁烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、丙烯酸樹脂以及硅樹脂等物質(zhì)構(gòu)成粘接層，以及以保護(hù)粘接層為目的的初縮屏蔽粘接劑保護(hù)用墊片。
防護(hù)薄膜組件以包圍掩模基板表面上所形成之圖案范圍的方式設(shè)置。由于防護(hù)薄膜組件是用來(lái)防止掩?；迳细街覊m而設(shè)置的對(duì)象，故能將該圖案范圍與防護(hù)薄膜組件外部隔離，使防護(hù)薄膜組件外部的塵埃不會(huì)附著于圖案面上。
近年，LSI的布局規(guī)則向0.25微米以下微細(xì)化進(jìn)展，隨之曝光光源也向短波長(zhǎng)化進(jìn)展，亦即，逐漸從原為主流的水銀燈的g線(436nm)、i線(365nm)，變成使用KeF準(zhǔn)分子激光(248nm)、ArF準(zhǔn)分子激光(193nm)、F2激光(157nm)等激光。曝光光線像這樣朝短波長(zhǎng)化發(fā)展，當(dāng)然曝光光線所持能量也會(huì)變高。比起習(xí)知波長(zhǎng)的光線而言，使用高能量光線更可能使曝光環(huán)境中所存在的氣體狀物質(zhì)反應(yīng)而在掩?；迳袭a(chǎn)生反應(yīng)產(chǎn)生物。于是，遂采取盡量減少無(wú)塵室內(nèi)的氣體狀物質(zhì)，徹底洗凈初縮屏蔽，以及從防護(hù)薄膜組件構(gòu)成物質(zhì)中排除會(huì)發(fā)散氣體的物質(zhì)等的對(duì)策。特別是防護(hù)薄膜組件，由于其是直接貼附于掩模基板上使用的對(duì)象，故我們遂要求防護(hù)薄膜組件的構(gòu)成材料，亦即由有機(jī)材料所構(gòu)成的初縮屏蔽粘接劑、膜層粘接劑、內(nèi)壁涂布劑等物質(zhì)的發(fā)散氣體特性降低，因而情況有所改善。然而，掩模基板上所發(fā)生的所謂“霧靄(haze)”的霧狀異物，即使初縮屏蔽的洗凈程度或防護(hù)薄膜組件構(gòu)成材料的發(fā)散氣體特性降低程度再怎么進(jìn)展，也無(wú)法完全防止其發(fā)生，而成為半導(dǎo)體制造成品率降低的原因。
特開昭58-219023號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]美國(guó)專利第4861402號(hào)說(shuō)明書[專利文獻(xiàn)3]特公昭63-27707號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容發(fā)明所欲解決的問題為解決上述問題，本發(fā)明提供一種防護(hù)薄膜組件，其能減少水溶性離子、減少氣體釋放，且抑制硫酸銨等霧靄發(fā)生。
解決問題的方法為解決相關(guān)問題，本發(fā)明人不斷致力檢討努力，結(jié)果發(fā)現(xiàn)作為防護(hù)薄膜框架使用的鋁合金，其表面的陽(yáng)極氧化包覆膜中若含有硫酸、硝酸、有機(jī)酸等物質(zhì)，該等物質(zhì)在曝光環(huán)境下會(huì)從框架表面的陽(yáng)極氧化包覆膜中脫離釋出，并滯留于防護(hù)薄膜組件與掩模的密閉空間內(nèi)，當(dāng)該等物質(zhì)照射到曝光時(shí)的短波長(zhǎng)紫外線時(shí)，便會(huì)產(chǎn)生例如硫酸銨等的硫氧化合物。
于是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在鋁合金框架表面上形成聚合物包覆膜能有效解決問題。另發(fā)現(xiàn)該聚合物包覆膜宜以電沉積形成為佳，而以熱固化型樹脂的陰離子電沉積來(lái)形成更好。通過該等方法，便能制作出一種防護(hù)薄膜組件，其能減少習(xí)知陽(yáng)極氧化包覆膜中所含有之硫酸、硝酸、有機(jī)酸等酸類的釋出，且即使在短波長(zhǎng)紫外光的曝光環(huán)境下霧靄發(fā)生率也很低。
亦即，本發(fā)明的上述問題，可用以下的手段(1)解決之。較佳實(shí)施方式(2)～(10)一并列載。
(1)一種防護(hù)薄膜組件，其特征為包含表面上有聚合物包覆膜的鋁合金制防護(hù)薄膜框架，以及張?jiān)O(shè)于該框架上的防護(hù)薄膜。
(2)如(1)所記載的防護(hù)薄膜組件，其中，聚合物包覆膜是電沉積膜。
(3)如(1)或(2)所記載的防護(hù)薄膜組件，其中，聚合物包覆膜是熱固化型樹脂的陰離子電沉積膜。
(4)如(1)或(2)所記載的防護(hù)薄膜組件，其中，聚合物包覆膜是黑色消光電沉積膜，發(fā)射率為0.80～0.99。
(5)如(1)或(2)所記載的防護(hù)薄膜組件，其中，在25℃純水中浸漬168小時(shí)而從防護(hù)薄膜框架釋出的硫酸離子溶出量，依防護(hù)薄膜框架的重量計(jì)算，在1.0ppm以下。
(6)如(1)或(2)所記載的防護(hù)薄膜組件，其中，在25℃純水中浸漬168小時(shí)而從防護(hù)薄膜框架釋出的有機(jī)酸離子溶出量，依防護(hù)薄膜框架的重量計(jì)算，在1.0ppm以下。
(7)如(1)或(2)所記載的防護(hù)薄膜組件，其中，在25℃純水中浸漬168小時(shí)而從防護(hù)薄膜框架釋出的硝酸離子溶出量，依防護(hù)薄膜框架的重量計(jì)算，在0.5ppm以下。
(8)如(1)或(2)所記載的防護(hù)薄膜組件，其中，在130℃中加熱10分鐘而從防護(hù)薄膜框架釋出的有機(jī)系釋放氣體產(chǎn)生量，依防護(hù)薄膜框架重量計(jì)算，在10.0ppm以下。
(9)如(1)或(2)所記載的防護(hù)薄膜組件，其中，聚合物包覆膜的厚度為3～30μm。
(10)如(1)或(2)所記載的防護(hù)薄膜組件，其中，該鋁合金是JIS A7075、JIS A6061或是JIS A5052規(guī)格的材質(zhì)。
發(fā)明的效果通過在鋁合金制防護(hù)薄膜框架上設(shè)置聚合物包覆膜，便能提供一種防護(hù)薄膜組件，其硫酸離子、硝酸離子、有機(jī)酸等酸類的含有量減少。如是，具有在習(xí)知所使用之鋁合金表面經(jīng)過陽(yáng)極氧化處理的防護(hù)薄膜框架中造成問題的陽(yáng)極氧化包覆膜中所含有的硫酸離子、硝酸離子、有機(jī)酸等酸類的含有量減少，并通過抑制從防護(hù)薄膜框架釋出含有該酸類的氣體產(chǎn)生量，進(jìn)而抑制霧靄產(chǎn)生，而能因應(yīng)更短波長(zhǎng)化進(jìn)展的光蝕刻步驟的效果。相對(duì)于熱固化型樹脂的陽(yáng)離子電沉積而言，陰離子型的優(yōu)點(diǎn)在于，電沉積時(shí)從框架表面產(chǎn)生的氣體量較少，故能降低表面發(fā)生針孔等問題的頻率。又，本發(fā)明的防護(hù)薄膜組件要去除附著的異物粒子很容易。


圖1是表示防護(hù)薄膜組件構(gòu)造實(shí)施例的說(shuō)明圖。
符號(hào)說(shuō)明1 防護(hù)薄膜2 粘接層3 防護(hù)薄膜框架4 粘接層5 曝光原板6 氣壓調(diào)整用孔(通氣口)7 除塵用過濾器10 防護(hù)薄膜組件具體實(shí)施方式
本發(fā)明的防護(hù)薄膜組件包含表面有聚合物包覆膜的鋁合金制防護(hù)薄膜框架以及張?jiān)O(shè)于該框架上的防護(hù)薄膜。以往多使用具備在鋁合金表面上形成陽(yáng)極氧化包覆膜之防護(hù)薄膜框架的防護(hù)薄膜組件。該防護(hù)薄膜框架的陽(yáng)極氧化包覆膜，會(huì)在包覆膜形成、染色、封孔處理或表面蝕刻等程序中，含入硫酸、有機(jī)酸(草酸、醋酸等)、硝酸等酸類或該等酸類的鹽等物質(zhì)，該等物質(zhì)會(huì)在光蝕刻步驟中進(jìn)行紫外光線(i線或g線、KrF激光、ArF激光、F2激光等)照射、曝光時(shí)，或保管掩模時(shí)，從框架內(nèi)部脫離釋出，在防護(hù)薄膜組件與掩模所形成的密閉空間內(nèi)變成氣體狀物質(zhì)，并與存在于曝光時(shí)紫外光線下的環(huán)境中，或從防護(hù)薄膜組件構(gòu)件等其它途徑所產(chǎn)生供給的氨或氰化物、其它碳化水素化合物等物質(zhì)引發(fā)光化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)而產(chǎn)生以硫酸銨等物質(zhì)為代表，稱為霧靄的霧狀雜質(zhì)或微小粒子。
于本發(fā)明中，我們?cè)诜雷o(hù)薄膜框架表面上涂布聚合物，以形成聚合物包覆膜，便能制得一種防護(hù)薄膜框架，其在防護(hù)薄膜框架使用時(shí)所釋放出的該酸類減少。以下就本發(fā)明更進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明之。
如圖1所示的，本發(fā)明之防護(hù)薄膜組件10，是利用防護(hù)薄膜貼附用粘接劑2將防護(hù)薄膜1張粘于防護(hù)薄膜框架3的上端面，此時(shí)，用來(lái)將防護(hù)薄膜組件10粘接于曝光原板(初縮屏蔽)5上的粘接用粘接層4通常形成于防護(hù)薄膜框架3的下端面，并將墊片(不圖示)以可剝離的方式貼附于該初縮屏蔽粘接用粘接層4的下端面。又，防護(hù)薄膜框架3上設(shè)置有氣壓調(diào)整用孔(通氣口)6，并設(shè)置有用來(lái)去除微粒的除塵用過濾器7。
此時(shí)，該等防護(hù)薄膜組件構(gòu)成零件的大小與通常的防護(hù)薄膜組件，例如半導(dǎo)體光蝕刻用防護(hù)薄膜組件、大型液晶顯示板制造光蝕刻步驟用防護(hù)薄膜組件等相同，且其材質(zhì)亦可使用如上所述的習(xí)知材質(zhì)。防護(hù)薄膜的種類并無(wú)特別限制，例如可使用習(xí)知準(zhǔn)分子激光用的非晶質(zhì)氟聚合物等物質(zhì)。非晶質(zhì)氟聚合物例如cytop(旭硝子(股)制商品名)、特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))AF(DuPont公司制商品名)等。該等聚合物在制作該防護(hù)薄膜時(shí)若有必要亦可溶解于溶劑后再使用，例如用氟系溶劑等即可適當(dāng)溶解。
關(guān)于本發(fā)明所使用之防護(hù)薄膜框架的材質(zhì)，可使用以往所使用的鋁合金材質(zhì)，而宜使用JIS A7075、JIS A6061、JIS A5052等規(guī)格的材質(zhì)為佳，不過只要使用鋁合金材質(zhì)就能確保所制作的防護(hù)薄膜框架強(qiáng)度足夠，故對(duì)框架材質(zhì)并無(wú)特別限制。防護(hù)薄膜框架表面，在設(shè)置聚合物包覆膜前，宜利用噴砂處理或化學(xué)研磨使其粗糙化為佳。在本發(fā)明中，使該框架表面粗糙化的方法可采用公開習(xí)知的方法。鋁合金材質(zhì)宜利用不銹鋼、金鋼砂、玻璃細(xì)珠等對(duì)表面進(jìn)行噴砂處理，且可利用NaOH等物質(zhì)進(jìn)行化學(xué)研磨，使表面粗糙化。
防護(hù)薄膜框架表面的聚合物包覆膜(聚合物涂布層)可用各種方法設(shè)置，一般例如噴涂法、靜電涂裝、電沉積等方法。本發(fā)明宜使用電沉積法設(shè)置聚合物包覆膜為佳。對(duì)電沉積而言，使用熱固化型樹脂或紫外線硬化型樹脂均可。又，對(duì)哪一種樹脂都可以使用陰離子電沉積或陽(yáng)離子電沉積。由于本發(fā)明亦要求具備抗紫外線的功能，故從涂布穩(wěn)定性、外觀、強(qiáng)度的觀點(diǎn)來(lái)看，熱固化型樹脂的陰離子電沉積是較佳的選擇。
聚合物包覆膜表面為了抑制反射，宜實(shí)施消光處理為佳。又，為了抑制聚合物包覆膜釋放有機(jī)性氣體，遂以將電沉積的聚合物包覆膜膜厚最佳化，并將電沉積后的燒成條件設(shè)定為比習(xí)知技術(shù)的溫度更高、時(shí)間更長(zhǎng)的方式因應(yīng)之。與習(xí)知以陽(yáng)極氧化法所制得的氧皮鋁包覆膜不同，使用聚合物包覆膜便不會(huì)有硫酸離子、硝酸離子、有機(jī)酸存在以及飛散的情況發(fā)生。由于聚合物包覆膜的涂布即使在原材料或步驟中完全不使用硫酸、硝酸、有機(jī)酸等物質(zhì)也能實(shí)施，而為了減少成為習(xí)知問題的硫酸離子、硝酸離子、有機(jī)酸含量也有其必要，且亦能簡(jiǎn)化洗凈步驟等處理程序。
電沉積(electrodeposition)的技術(shù)已為所屬領(lǐng)域技術(shù)人員所習(xí)知。例如可參照(1)為廣重雄著，“電沉積”(日刊工業(yè)新聞社，1969年刊)、(2)高分子大辭典(丸善，平成6年發(fā)行)“涂裝、電鍍”項(xiàng)目以及其引用文獻(xiàn)。電沉積，是分散于水中的樹脂粒子的離子被相反符號(hào)的電極物質(zhì)吸引并析出于其表面上，形成聚合物包覆膜。
在本發(fā)明中，電沉積宜使用以被涂物為陽(yáng)極的陰離子型電沉積法，蓋其產(chǎn)生氣體量少，且涂裝膜上產(chǎn)生針孔等不良情況的可能性小，故較以被涂物為陰極的陽(yáng)離子型電沉積法為佳。在本發(fā)明之防護(hù)薄膜組件中，設(shè)置于防護(hù)薄膜框架上的聚合物包覆膜有環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、胺基丙烯酸樹脂、聚酯樹脂等多種選擇，惟比起熱可塑性樹脂而言，使用熱固化性樹脂制作聚合物包覆膜比較好。熱固化性樹脂以例如丙烯酸系樹脂為主。以電沉積熱固化性涂膜后，可將涂膜加熱固化。
又，宜使用以黑色顏料著色的消光涂料，將聚合物包覆膜制作成黑色消光電沉積膜為佳。電沉積前，宜在鋁合金制框架上實(shí)施噴砂處理使表面粗糙化，并用堿溶液對(duì)表面進(jìn)行蝕刻為佳。電沉積的聚合物包覆膜厚度宜在3～30μm為佳，3～20μm更好。
使用于該等目的的涂裝裝置或電沉積用涂料，若干日本公司有市售產(chǎn)品，購(gòu)入使用即可。例如，Shimizu(股)公司市售商品名Elecoat的電鍍涂料?！癊lecoat Frosty W-2”或“Elecoat St Satiner”是消光類型的熱固化型陰離子類型的電鍍涂料，本發(fā)明宜使用之。
當(dāng)聚合物包覆膜為黑色消光電沉積膜時(shí)，其發(fā)射率宜在0.80～0.99為佳。在此，“ 發(fā)射率”是指以黑體(吸收入射其表面的所有光，不反射也不透過的理想物體)為基準(zhǔn)求出全部放射能量P與物體放射能量P1的比率，亦即P1/P，我們可使用Japan Sensor股份有限公司制的放射測(cè)量器TSS-5X測(cè)量數(shù)值。
本發(fā)明的防護(hù)薄膜組件，由于其聚合物包覆膜涂設(shè)方法的關(guān)系，使得從涂設(shè)了聚合物包覆膜的防護(hù)薄膜框架釋出的各種陰離子的溶出量很少。具體而言，若在25℃的純水中浸漬168小時(shí)，依防護(hù)薄膜框架的重量計(jì)算，硫酸離子溶出量宜在1.0ppm以下，硝酸離子溶出量宜在0.5ppm以下，又草酸、蟻酸等有機(jī)酸離子溶出量合計(jì)宜在1.0ppm以下為佳。該等陰離子可用離子色譜分析裝置測(cè)定量值。詳細(xì)測(cè)量條件如實(shí)施例所示。本發(fā)明之防護(hù)薄膜組件，在130℃、10分鐘的條件下保存時(shí)，從防護(hù)薄膜框架釋出的有機(jī)氣體產(chǎn)生量，依防護(hù)薄膜框架的重量計(jì)算，宜在10.0ppm以下為佳。測(cè)定量值以氣相層析質(zhì)譜分析(gas chromatograph mass spectrometry；GC-MS)裝置進(jìn)行。分析的詳細(xì)條件如實(shí)施例所示。
對(duì)習(xí)知防護(hù)薄膜框架實(shí)施陽(yáng)極氧化處理所制得的氧皮鋁包覆膜，其構(gòu)造上的表面凹凸明顯，容易發(fā)生破裂等問題，容易附著異物粒子(微粒)等物質(zhì)，要以洗凈除去比較困難。設(shè)置了本發(fā)明之聚合物包覆膜的產(chǎn)品，表面平滑，凹凸很小，未發(fā)現(xiàn)裂縫等問題，故附著的微粒容易去除。
在本發(fā)明中，將除塵用過濾器貼附于防護(hù)薄膜組件上可以防止微粒入侵所保護(hù)的空間，該除塵用過濾器只要能設(shè)置于前述通氣口部分上即可，對(duì)形狀、個(gè)數(shù)、設(shè)置處所并無(wú)特別限制。我們可使用例如樹脂(PTFE、尼龍66等)、金屬(316L不銹鋼等)、陶瓷(氧化鋁，氮化鋁等)等作為過濾器材質(zhì)。又，亦宜在該除塵用過濾器外側(cè)部分裝設(shè)能吸附分解環(huán)境中化學(xué)物質(zhì)的化學(xué)過濾器為佳。
我們可使用習(xí)知的防護(hù)薄膜粘接用粘接劑，例如丙烯酸樹脂粘接劑、環(huán)氧樹脂粘接劑，硅樹脂粘接劑、含氟硅粘接劑等氟聚合物，其中以氟系聚合物為適當(dāng)選擇。氟系聚合物具體而言例如氟系聚合物CT69(旭硝子(股)制商品名)。
我們可使用雙面粘貼膠帶、硅氧樹脂粘接劑、丙烯酸系粘接劑等作為初縮屏蔽貼附用粘接劑。本發(fā)明的防護(hù)薄膜組件可用通常的方法制造在防護(hù)薄膜框架(防護(hù)薄膜組件框)上端面透過防護(hù)薄膜貼附用粘接劑層張?jiān)O(shè)防護(hù)薄膜，在下端面形成初縮屏蔽貼附用粘接劑層，在該初縮屏蔽貼附用粘接劑層下端面以可剝離的方式貼附脫模層。在此，防護(hù)薄膜貼附用粘接劑層必要時(shí)可用溶劑稀釋并涂布于防護(hù)薄膜框架上端面，然后加熱干燥硬化，形成于防護(hù)薄膜框架上端面。此時(shí)，粘接劑涂布方法可以采用刷毛涂布、噴涂、自動(dòng)涂布機(jī)等方法。本發(fā)明可以使用的初縮屏蔽粘接劑保護(hù)用脫模層，對(duì)材質(zhì)并無(wú)特別限制。例如，可以使用聚酯(PET)、聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯共聚合物(PFA)、聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)等材質(zhì)。
實(shí)施例以下敘述實(shí)施例。
實(shí)施例1首先，準(zhǔn)備框架外側(cè)尺寸149mm×122mm×5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651鋁合金制框架作為防護(hù)薄膜框架。在該框架一側(cè)面中央設(shè)置直徑0.5mm的通氣口。將該框架表面洗凈后，使用玻璃細(xì)珠并以吐出壓1.5Kg/cm2的噴砂處理裝置進(jìn)行1分鐘的表面處理，使表面粗糙化。接著浸漬于堿性溶液中以蝕刻表面，并用水清洗。以純水進(jìn)行漂洗處理后將溫度調(diào)整為25℃，再用Elecoat Frosty W-2溶液(Shimizu股份有限公司制；熱固化性陰離子型；消光型；黑色涂料)電沉積形成厚度5μm的包覆膜。(由于包覆膜厚度會(huì)因?yàn)槿芤旱臓顟B(tài)而有所變化，故事前先以模擬試驗(yàn)用框架實(shí)際測(cè)試，以決定出在所有情況下的電鍍步驟電壓與時(shí)間。以下實(shí)施例亦相同。)用純水進(jìn)行過漂洗處理后，再以200℃的烤爐加熱處理30分鐘。發(fā)射率為0.93。
將一個(gè)制作完成的防護(hù)薄膜框架切斷成數(shù)片。將該切片放入聚乙烯制容器，并加入純水100ml，密封浸漬168小時(shí)。接著抽出含有框架溶出成分的水，用離子色譜分析裝置(Dionex公司2050i型)、Dionex Ion Pac ASA4A-SCcolumn分析該抽出水。該抽出水中，未檢測(cè)出硫酸離子(0.1ppm以下)，亦未檢測(cè)出硝酸離子(0.1ppm以下)，但分別檢測(cè)出氯離子0.1ppm、有機(jī)酸(草酸、蟻酸、醋酸的總量)0.1ppm的雜質(zhì)。同樣的將切斷的數(shù)片框架切片放入玻璃瓶，在180℃、30分的條件下以頂空進(jìn)樣器(Perkin Elmer Japan公司Turbo Matrix HS)采樣，并以GC-MS裝置(島津制作所QP-5050A)、columnHP-5(膜厚0.25μm、內(nèi)徑0.25mm、長(zhǎng)度30m)進(jìn)行GC-MS分析。結(jié)果，有機(jī)系釋放氣體總量相對(duì)于框架重量為3.5ppm。
接著，用噴涂裝置在該框架內(nèi)面涂布3μm的硅系粘接劑。再于該通氣口設(shè)置PTFE材質(zhì)，對(duì)0.1μm～3.0μm大小的塵埃濾過度可達(dá)99.9999％，幅寬9.5mm、高度2.5mm、厚度300μm的過濾器。過濾器是由除塵用過濾器與其外側(cè)的化學(xué)過濾器所構(gòu)成。將特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))AF1600(美國(guó)Du Pont公司制商品名)溶解于氟系溶劑fluorinert FC-75(美國(guó)3M公司商品名)中，調(diào)制出濃度8％的溶液。在直徑300mm、厚度600μm，且經(jīng)過鏡面研磨的硅基板表面上，用旋轉(zhuǎn)涂布器旋轉(zhuǎn)涂布該溶液，形成膜層厚度0.8μm的透明膜。使用環(huán)氧系粘接劑Araldite rapid(昭和高分子(股)制商品名)，將外側(cè)尺寸200mm×200mm×5mm幅寬、厚度5mm的框架粘接于該膜層上，并剝離該膜層。
在以如前所述方式準(zhǔn)備之鋁合金制框架的其它端面上涂布硅系粘接劑，以150℃加熱10分鐘使其干燥硬化。并在該鋁合金制框架的另一端面上涂布稀釋于氟系溶劑CT Solv 180(旭硝子(股)制商品名)的氟系高分子聚合物CTX(旭硝子(股)制商品名)，以100℃加熱10分使其干燥硬化。準(zhǔn)備PET制墊片，并以墊片貼附裝置將該墊片貼合于初縮屏蔽粘接劑上，該墊片貼附裝置具有以電荷耦合組件(charge-coupled device；CCD)相機(jī)所構(gòu)成的影像處理位置決定機(jī)構(gòu)。接著，將框架粘接于準(zhǔn)備好的特氟隆(注冊(cè)面標(biāo))AF1600膜層表面上后，再以紅外線(infra red；IR)燈加熱框架，將框架與膜層融合粘接在一起。將二個(gè)防護(hù)薄膜框架的粘接面朝上，并以固定用夾具固定，以使其相對(duì)位置無(wú)偏差。接著，將防護(hù)薄膜框架外側(cè)的框架拉抬固定，賦予防護(hù)薄膜框架外側(cè)的膜層部位0.5g/cm的張力。
接著，用管式分注器將fluorinert FC 75(Du Pont公司制商品名)以每分10微升的速度滴在水平多關(guān)節(jié)型機(jī)械臂所安裝的切斷器上，并沿著該防護(hù)薄膜框架粘接劑部分的周邊部移動(dòng)切斷器，將防護(hù)薄膜框架外側(cè)不要的膜層部分切斷除去。將完成的防護(hù)薄膜組件以表面殘留酸成分濃度在1ppb以下的條件洗凈，并貼附于形成有Cr(鉻)測(cè)試圖案的石英玻璃制6英寸掩?；迳稀＝又鴮⑵溲b設(shè)于ArF準(zhǔn)分子激光掃描儀NSR S306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮屏蔽面上以曝光強(qiáng)度0.02mJ/cm2/pulse、重復(fù)頻率4000Hz的光線照射500J/cm2的照射量。以激光異物檢查裝置觀察照射過的6英寸掩模，發(fā)現(xiàn)測(cè)試圖案部、玻璃部分均無(wú)霧靄或異物。
實(shí)施例2同實(shí)施例1，準(zhǔn)備框架外側(cè)尺寸149mm×122mm×5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651鋁合金制框架作為防護(hù)薄膜框架。在該框架一側(cè)面的中央設(shè)置直徑0.5mm的通氣口。將該防護(hù)薄膜框架表面洗凈后，使用玻璃細(xì)珠并以吐出壓1.5Kg/cm2的噴砂處理裝置進(jìn)行1分鐘的表面處理，使表面粗糙化。接著浸漬于堿性溶液中以蝕刻表面，并用水清洗。以純水進(jìn)行漂洗處理后將溫度調(diào)整為25℃，再用Elecoat Frosty W-2溶液(Shimizu股份有限公司制；熱固化性陰離子型；消光型；黑色涂料)電沉積形成厚度5μm的包覆膜。(由于包覆膜厚度會(huì)因?yàn)槿芤旱臓顟B(tài)而有所變化，故事前先以模擬試驗(yàn)用框架實(shí)際測(cè)試，以決定出在所有情況下的電鍍步驟電壓與時(shí)間。)用純水進(jìn)行過漂洗處理后，再以200℃的烤爐加熱處理30分鐘。
與實(shí)施例1一樣進(jìn)行分析，結(jié)果未檢測(cè)出硫酸離子(0.1ppm以下)，亦未檢測(cè)出硝酸離子(0.1ppm以下)，但分別檢測(cè)出氯離子0.1ppm、有機(jī)酸(草酸、蟻酸、醋酸的總量)0.1ppm的雜質(zhì)。同樣的將切斷的數(shù)片框架切片放入玻璃瓶，在180℃、30分的條件下以頂空進(jìn)樣器(Perkin Elmer Japan公司Turbo Matrix HS)采樣，并以GC-MS裝置(島津制作所QP-5050A)、columnHP-5(膜厚0.25μm、內(nèi)徑0.25mm、長(zhǎng)度30m)進(jìn)行GC-MS分析。結(jié)果，有機(jī)系釋放氣體總量相對(duì)于框架重量為9.3ppm。
然后用噴涂裝置在該框架內(nèi)面涂布3μm的硅系粘接劑。再于該通氣口設(shè)置PTFE材質(zhì)，對(duì)0.1μm～3.0μm大小的塵埃濾過度可達(dá)99.9999％，幅寬9.5mm、高度2.5mm、厚度300μm的過濾器。過濾器是由除塵用過濾器與其外側(cè)的化學(xué)過濾器所構(gòu)成。將特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))AF1600(美國(guó)Du Pont公司制商品名)溶解于氟系溶劑fluorinert FC-75(美國(guó)3M公司商品名)中，調(diào)制出濃度8％的溶液。在直徑300mm、厚度600μm，且經(jīng)過鏡面研磨的硅基板表面上，用旋轉(zhuǎn)涂布器旋轉(zhuǎn)涂布該溶液，形成膜層厚度0.8μm的透明膜。接著，使用環(huán)氧系粘接劑Araldite rapid(昭和高分子(股)制商品名)將外側(cè)尺寸200mm×200mm×5mm幅寬、厚度5mm的框架粘接于該膜層上，并剝離該膜層。
在以如前所述方式準(zhǔn)備之鋁合金制框架的一端面上涂布硅系粘接劑，以150℃加熱10分鐘使其干燥硬化。并在該鋁合金制框架的另一端面上涂布稀釋于氟系溶劑CT Solv 180(旭硝子(股)制商品名)的氟系高分子聚合物CTX(旭硝子(股)制商品名)，以100℃加熱10分使其干燥硬化。準(zhǔn)備PET制墊片，并以墊片貼附裝置將該墊片貼合于初縮屏蔽粘接劑上，該墊片貼附裝置具有以CCD相機(jī)所構(gòu)成的影像處理位置決定機(jī)構(gòu)。接著，將框架粘接于準(zhǔn)備好的特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))AF1600膜層表面上后，再以IR燈加熱框架，將框架與膜層融合粘接在一起。將二個(gè)防護(hù)薄膜框架的粘接面朝上，并以固定用夾具固定，以使其相對(duì)位置無(wú)偏差。接著，將防護(hù)薄膜框架外側(cè)的框架拉抬固定，賦予防護(hù)薄膜框架外側(cè)的膜層部位0.5g/cm的張力。
接著，用管式分注器將fluorinert FC 75(Du Pont公司制商品名)以每分10微升的速度滴在水平多關(guān)節(jié)型機(jī)械臂所安裝的切斷器上，并沿著該防護(hù)薄膜框架粘接劑部分的周邊部移動(dòng)切斷器，將防護(hù)薄膜框架外側(cè)不要的膜層部分切斷除去。將完成的防護(hù)薄膜組件以表面殘留酸成分濃度在1ppb以下的條件洗凈，并貼附于形成有Cr測(cè)試圖案的石英玻璃制6英寸掩?；迳?。接著將其裝設(shè)于ArF準(zhǔn)分子激光掃描儀NSR S306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮屏蔽面上以曝光強(qiáng)度0.02mJ/cm2/pulse、重復(fù)頻率4000Hz的光線照射500J/cm2的照射量。以激光異物檢查裝置觀察照射過的6英寸掩模，發(fā)現(xiàn)測(cè)試圖案部、玻璃部分均無(wú)霧靄或異物。
實(shí)施例3同實(shí)施例1，準(zhǔn)備框架外側(cè)尺寸149mm×122mm×5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651鋁合金制框架作為防護(hù)薄膜框架。在該框架一側(cè)面的中央設(shè)置直徑0.5mm的通氣口。將該框架表面洗凈后，使用玻璃細(xì)珠并以吐出壓1.5Kg/cm2的噴砂處理裝置進(jìn)行1分鐘的表面處理，使表面粗糙化。接著浸漬于堿性溶液中以蝕刻表面，并用水清洗。以純水進(jìn)行漂洗處理后將溫度調(diào)整為25℃，再用Elecoat Frosty W-2溶液(Shimizu股份有限公司制)電沉積形成厚度3μm的包覆膜。用純水進(jìn)行過漂洗處理后，再以200℃的烤爐加熱處理30分鐘。
與實(shí)施例1一樣進(jìn)行分析，結(jié)果未檢測(cè)出硫酸離子(0.1ppm以下)，亦未檢測(cè)出硝酸離子(0.1ppm以下)，但分別檢測(cè)出氯離子0.1ppm、有機(jī)酸(草酸、蟻酸、醋酸的總量)0.1ppm的雜質(zhì)。同樣的將切斷的數(shù)片框架切片放入玻璃瓶，在180℃、30分的條件下以頂空進(jìn)樣器(Perkin Elmer Japan公司Turbo Matrix HS)采樣，并以GC-MS裝置(島津制作所QP-5050A)、columnHP-5(膜厚0.25μm、內(nèi)徑0.25mm、長(zhǎng)度30m)進(jìn)行GC-MS分析。結(jié)果，有機(jī)系釋放氣體總量相對(duì)于框架重量為1.8ppm。
接著，用噴涂裝置在該框架內(nèi)面涂布3μm的硅系粘接劑。再于該通氣口設(shè)置PTFE材質(zhì)，對(duì)0.1μm～3.0μm大小的塵埃濾過度可達(dá)99.9999％，幅寬9.5mm、高度2.5mm、厚度300μm的過濾器。過濾器是由除塵用過濾器與其外側(cè)的化學(xué)過濾器所構(gòu)成。將特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))AF1600(美國(guó)Du Pont公司制商品名)溶解于氟系溶劑fluorinert FC-75(美國(guó)3M公司商品名)中，調(diào)制出濃度8％的溶液。其次，在直徑300mm、厚度600μm，且經(jīng)過鏡面研磨的硅基板表面上，用旋轉(zhuǎn)涂布器旋轉(zhuǎn)涂布該溶液，形成膜層厚度0.8μm的透明膜。接著，使用環(huán)氧系粘接劑Araldite rapid(昭和高分子(股)制商品名)在該膜上粘接外側(cè)尺寸200mm×200mm×5mm幅寬、厚度5mm的框架，并剝離之。
在以如前所述方式準(zhǔn)備的鋁合金制框架一端面上涂布硅系粘接劑，以150℃加熱10分鐘使其干燥硬化。并在該鋁合金制框架的另一端面上涂布稀釋于氟系溶劑CT Solv 180(旭硝子(股)制商品名)的氟系高分子聚合物CTX(旭硝子(股)制商品名)，以100℃加熱10分使其干燥硬化。準(zhǔn)備PET制墊片，并以墊片貼附裝置貼合于初縮屏蔽粘接劑上，該墊片貼附裝置具有以CCD相機(jī)所構(gòu)成的影像處理位置決定機(jī)構(gòu)。接著，將框架粘接于準(zhǔn)備好的特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))AF1600膜層表面上后，再以IR燈加熱框架，將框架與膜層融合粘接在一起。將二個(gè)防護(hù)薄膜框架的粘接面朝上，并以固定用夾具固定，以使其相對(duì)位置無(wú)偏差。接著，將防護(hù)薄膜框架外側(cè)的框架拉抬固定，賦予防護(hù)薄膜框架外側(cè)的膜層部位0.5g/cm的張力。
接著，用管式分注器將fluorinert FC 75(Du Pont公司制商品名)以每分10微升的速度滴在水平多關(guān)節(jié)型機(jī)械臂所安裝的切斷器上，并沿著該防護(hù)薄膜框架粘接劑部分的周邊部移動(dòng)切斷器，將防護(hù)薄膜框架外側(cè)不要的膜層部分切斷除去。將完成的防護(hù)薄膜組件以表面殘留酸成分濃度在1ppb以下的條件洗凈，并貼附于形成有Cr測(cè)試圖案的石英玻璃制6英寸掩?；迳稀＝又鴮⑵溲b設(shè)于ArF準(zhǔn)分子激光掃描儀NSR S306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮屏蔽面上以曝光強(qiáng)度0.02mJ/cm2/pulse、重復(fù)頻率4000Hz的光線照射500J/cm2的照射量。以激光異物檢查裝置觀察照射過的6英寸掩模，發(fā)現(xiàn)測(cè)試圖案部、玻璃部分均無(wú)霧靄或異物。然而在完成的防護(hù)薄膜框架的內(nèi)壁上，因?yàn)樯?、針孔所造成的亮點(diǎn)很醒目，與內(nèi)壁異物、污點(diǎn)難以區(qū)別，故防護(hù)薄膜組件外觀必須改善。
實(shí)施例4同實(shí)施例1，準(zhǔn)備框架外側(cè)尺寸149mm×122mm×5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651鋁合金制框架作為防護(hù)薄膜框架。在該框架一側(cè)面的中央設(shè)置直徑0.5mm的通氣口。將該框架表面洗凈后，使用玻璃細(xì)珠并以吐出壓1.5Kg/cm2的噴砂處理裝置進(jìn)行1分鐘的表面處理，使表面粗糙化。接著浸漬于堿性溶液中以蝕刻表面，并用水清洗。以純水進(jìn)行漂洗處理后將溫度調(diào)整為25℃，再用Elecoat Frosty W-2溶液(Shimizu股份有限公司制)電沉積形成厚度23μm的包覆膜。用純水進(jìn)行過漂洗處理后，再以200℃的烤爐加熱處理30分鐘。
將一個(gè)制作完成的防護(hù)薄膜框架切斷成數(shù)片。將該切片放入聚乙烯制容器，并加入純水100ml，密封浸漬168小時(shí)。接著抽出含有框架溶出成分的水，用離子色譜分析裝置(Dionex公司2050i型)、Dionex Ion Pac ASA4A-SCcolumn分析該抽出水。該抽出水中，未檢測(cè)出硫酸離子(0.1ppm以下)，亦未檢測(cè)出硝酸離子(0.1ppm以下)，但分別檢測(cè)出氯離子0.1ppm、有機(jī)酸(草酸、蟻酸、醋酸的總量)0.1ppm的雜質(zhì)。同樣的將切斷的數(shù)片框架切片放入玻璃瓶，在180℃、30分的條件下以頂空進(jìn)樣器(Perkin Elmer Japan公司Turbo Matrix HS)采樣，并以GC-MS裝置(島津制作所QP-5050A)、columnHP-5(膜厚0.25μm、內(nèi)徑0.25mm、長(zhǎng)度30m)進(jìn)行GC-MS分析。結(jié)果，有機(jī)系釋放氣體總量相對(duì)于框架重量為18.0ppm。
接著，用噴涂裝置在該框架內(nèi)面涂布3μm的硅系粘接劑。接著在該通氣口設(shè)置PTFE材質(zhì)，對(duì)0.1μm～3.0μm大小的塵埃濾過度可達(dá)99.9999％，幅寬9.5mm、高度2.5mm、厚度300μm的過濾器。過濾器是由除塵用過濾器與其外側(cè)的化學(xué)過濾器所構(gòu)成。接著，將特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))AF1600(美國(guó)Du Pont公司制商品名)溶解于氟系溶劑fluorinert FC-75(美國(guó)3M公司面品名)中，調(diào)制出濃度8％的溶液。在直徑300mm、厚度600μm，且經(jīng)過鏡面研磨的硅基板表面上，用旋轉(zhuǎn)涂布器旋轉(zhuǎn)涂布該溶液，形成膜層厚度0.8μm的透明膜。使用環(huán)氧系粘接劑Araldite rapid(昭和高分子(股)制商品名)在該膜上粘接外側(cè)尺寸200mm×200mm×5mm幅寬、厚度5mm的框架，并剝離之。
接著，在以如前所述方式準(zhǔn)備的鋁合金制框架一端面上涂布硅系粘接劑，以150℃加熱10分鐘使其干燥硬化。并在該鋁合金制框架的另一端面上涂布稀釋于氟系溶劑CT Solv 180(旭硝子(股)制商品名)的氟系高分子聚合物CTX(旭硝子(股)制商品名)，以100℃加熱10分使其干燥硬化。準(zhǔn)備PET制墊片，并以墊片貼附裝置貼合于初縮屏蔽粘接劑上，該墊片貼附裝置具有以CCD相機(jī)所構(gòu)成的影像處理位置決定機(jī)構(gòu)。接著，將框架粘接于準(zhǔn)備好的特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))AF1600膜層表面上后，再以IR燈加熱框架，將框架與膜層融合粘接在一起。將二個(gè)防護(hù)薄膜框架的粘接面朝上，并以固定用夾具固定，以使其相對(duì)位置無(wú)偏差。接著，將防護(hù)薄膜框架外側(cè)的框架拉抬固定，賦予防護(hù)薄膜框架外側(cè)的膜層部位0.5g/cm的張力。
接著，用管式分注器將fluorinert FC 75(Du Pont公司制商品名)以每分10微升的速度滴在水平多關(guān)節(jié)型機(jī)械臂所安裝的切斷器上，并沿著該防護(hù)薄膜框架粘接劑部分的周邊部移動(dòng)切斷器，將防護(hù)薄膜框架外側(cè)不要的膜層部分切斷除去。將完成的防護(hù)薄膜組件以表面殘留酸成分濃度在1ppb以下的條件洗凈，并貼附于形成有Cr測(cè)試圖案的石英玻璃制6英寸掩?；迳?。接著將其裝設(shè)于ArF準(zhǔn)分子激光掃描儀NSR S306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮屏蔽面上以曝光強(qiáng)度0.02mJ/cm2/pulse、重復(fù)頻率4000Hz的光線照射500J/cm2的照射量。以激光異物檢查裝置觀察照射過的6英寸掩模，發(fā)現(xiàn)測(cè)試圖案部、玻璃部分均無(wú)霧靄或異物，惟在防護(hù)薄膜框架周邊部的膜層內(nèi)側(cè)觀察到白色霧狀物。以激光拉曼光譜分析裝置分析白濁部分，判斷其是碳?xì)浠衔锵滴镔|(zhì)。
比較例1首先，準(zhǔn)備框架外側(cè)尺寸149mm×122mm×5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651鋁合金制框架作為防護(hù)薄膜框架。在該框架一側(cè)面的中央設(shè)置直徑0.5mm的通氣口。將該框架表面洗凈后，使用玻璃細(xì)珠并以吐出壓1.5Kg/cm2的噴砂處理裝置進(jìn)行1分鐘的表面處理，使表面粗糙化。接著將該框架置于NaOH處理浴中進(jìn)行10秒鐘的處理洗凈后，以形成電壓10V(1.3A)在14％硫酸水溶液中進(jìn)行陽(yáng)極氧化。接著，進(jìn)行黑色染色、封孔處理，在表面上形成黑色氧化包覆膜。平均包覆膜厚度測(cè)量為12μm。其后5分鐘并用超純水與超音波洗凈裝置洗凈之。
將一個(gè)制作完成的防護(hù)薄膜框架切斷成數(shù)片。將該切片放入聚乙烯制容器，并加入純水100ml，密封浸漬168小時(shí)。接著抽出含有框架溶出成分的水，用離子色譜分析裝置(DIONEX公司2050i型)、DIONEX Ion PacASA4A-SCcolumn分析該抽出水。該抽出水中，分別檢測(cè)出硫酸離子4.1ppm，硝酸離子0.6ppm，氯離子1.0ppm、有機(jī)酸(草酸、蟻酸、醋酸的總量)1.1ppm的雜質(zhì)。同樣的將切斷的數(shù)片框架切片放入玻璃瓶，頂空進(jìn)樣器(PerkinElmer Japan公司Turbo Matrix HS)以180℃30分的條件采樣，并以GC-MS裝置(島津制作所QP-5050A)、column HP-5(膜厚0.25μm、內(nèi)徑0.25mm、長(zhǎng)度30m)進(jìn)行GC-MS分析。結(jié)果，有機(jī)系釋放氣體總量相對(duì)于框架重量為0.4ppm。
接著，用噴涂裝置在該框架內(nèi)面涂布3μm的硅系粘接劑。接著在該通氣口設(shè)置PTFE材質(zhì)，對(duì)0.1μm～3.0μm大小的塵埃濾過度可達(dá)99.9999％，幅寬9.5mm、高度2.5mm、厚度300μm的過濾器。過濾器是由除塵用過濾器與其外側(cè)的化學(xué)過濾器所構(gòu)成。接著，將特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))AF1600(美國(guó)Du Pont公司制商品名)溶解于氟系溶劑fluorinert FC-75(美國(guó)3M公司商品名)中，調(diào)制出濃度8％的溶液。接著，在直徑300mm、厚度600μm，且經(jīng)過鏡面研磨的硅基板表面上，用旋轉(zhuǎn)涂布器旋轉(zhuǎn)涂布該溶液，形成膜層厚度0.8μm的透明膜。接著，使用環(huán)氧系粘接劑Araldite rapid(昭和高分子(股)制商品名)在該膜上粘接外側(cè)尺寸200mm×200mm×5mm幅寬、厚度5mm的框架，并剝離之。
接著，在以如前所述方式準(zhǔn)備的鋁合金制框架一端面上涂布硅系粘接劑，以150℃加熱10分鐘使其干燥硬化。并在該鋁合金制框架的另一端面上涂布稀釋于氟系溶劑CT Solv 180(旭硝子(股)制商品名)的氟系高分子聚合物CTX(旭硝子(股)制商品名)，以100℃加熱10分使其干燥硬化。準(zhǔn)備PET制墊片，并以墊片貼附裝置貼合于初縮屏蔽粘接劑上，該墊片貼附裝置具有以CCD相機(jī)所構(gòu)成的影像處理位置決定機(jī)構(gòu)。接著，將框架粘接于準(zhǔn)備好的特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))AF1600膜層表面上后，再以IR燈加熱框架，將框架與膜層融合粘接在一起。將二個(gè)防護(hù)薄膜框架的粘接面朝上，并以固定用夾具固定，以使其相對(duì)位置無(wú)偏差。接著，將防護(hù)薄膜框架外側(cè)的框架拉抬固定，賦予防護(hù)薄膜框架外側(cè)的膜層部位0.5g/cm的張力。
接著，用管式分注器將fluorinert FC 75(Du Pont公司制商品名)以每分10微升的速度滴在水平多關(guān)節(jié)型機(jī)械臂所安裝的切斷器上，并沿著該防護(hù)薄膜框架粘接劑部分的周邊部移動(dòng)切斷器，將防護(hù)薄膜框架外側(cè)不要的膜層部分切斷除去。將完成的防護(hù)薄膜組件以表面殘留酸成分濃度在1ppb以下的條件洗凈，并貼附于形成有Cr測(cè)試圖案的石英玻璃制6英寸掩?；迳稀＝又鴮⑵溲b設(shè)于ArF準(zhǔn)分子激光掃描儀NSR S306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮屏蔽面上以曝光強(qiáng)度0.02mJ/cm2/pulse、重復(fù)頻率4000Hz的光線照射500J/cm2的照射量。以激光異物檢查裝置觀察照射過的6英寸掩模，發(fā)現(xiàn)測(cè)試圖案部、玻璃部分均無(wú)霧靄或異物，惟可確認(rèn)在玻璃部分上產(chǎn)生霧靄。以激光拉曼光譜分析裝置分析該霧靄，判斷其是硫酸銨。
上述實(shí)施例以及比較例的概要整理于表1。


N.D.未檢測(cè)出有機(jī)酸類是草酸、蟻酸等有機(jī)酸類的總量
權(quán)利要求
1.一種防護(hù)薄膜組件，其包含鋁合金制造的防護(hù)薄膜框架，其表面上具有聚合物包覆膜，以及防護(hù)薄膜，其拉設(shè)于該防護(hù)薄膜框架上。
2.權(quán)利要求1所述的防護(hù)薄膜組件，其中，該聚合物包覆膜為電沉積涂布膜。
3.權(quán)利要求1或2所述的防護(hù)薄膜組件，其中，聚合物包覆膜為熱固化型樹脂的陰離子電沉積涂布膜。
4.權(quán)利要求1或2所述的防護(hù)薄膜組件，其中，聚合物包覆膜為黑色消光電沉積涂布膜，且其發(fā)射率為0.80～0.99。
5.權(quán)利要求1或2所述的防護(hù)薄膜組件，其中，在25℃的純水中浸漬168小時(shí)后，從防護(hù)薄膜框架中釋放出的硫酸離子溶出量以防護(hù)薄膜框架的重量計(jì)為1.0ppm以下。
6.權(quán)利要求1或2所述的防護(hù)薄膜組件，其中，在25℃的純水中浸漬168小時(shí)后，從防護(hù)薄膜框架中釋放出的有機(jī)酸離子溶出量以防護(hù)薄膜框架的重量計(jì)為1.0ppm以下。
7.權(quán)利要求1或2所述的防護(hù)薄膜組件，其中，在25℃的純水中浸漬168小時(shí)后，從防護(hù)薄膜框架中釋放出的硝酸離子溶出量以防護(hù)薄膜框架的重量計(jì)為0.5ppm以下。
8.權(quán)利要求1或2所述的防護(hù)薄膜組件，其中，在130℃下加熱10分鐘后，從防護(hù)薄膜框架中釋放出的有機(jī)類釋放氣體的產(chǎn)生量以防護(hù)薄膜框架的重量計(jì)為10.0ppm以下。
9.權(quán)利要求1或2所述的防護(hù)薄膜組件，其中，聚合物包覆膜的厚度為3～30μm。
10.權(quán)利要求1或2所述的防護(hù)薄膜組件，其中，上述鋁合金為JISA7075材料、JIS A6061材料或JIS A5052材料。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種防護(hù)薄膜組件，其能減少水中可溶離子，且能減少釋放氣體，并能抑制基于硫酸銨所產(chǎn)生的霧靄。為達(dá)成上述目的，而提供一種防護(hù)薄膜組件，其包含表面上有聚合物包覆膜的鋁合金制防護(hù)薄膜框架，以及張?jiān)O(shè)于該框架上的防護(hù)薄膜，其特征為該聚合物包覆膜宜為電沉積膜，又，該聚合物包覆膜宜為黑色消光電沉積膜，且發(fā)射率宜為0.80～0.99。
文檔編號(hào)G03F1/64GK101089729SQ20071011034
公開日2007年12月19日 申請(qǐng)日期2007年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月14日
發(fā)明者濱田裕一 申請(qǐng)人:信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社