專(zhuān)利名稱(chēng)：陣列基板和具有該陣列基板的顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板和具有該陣列基板的顯示面板。更具體而言，本發(fā)明涉及一種能夠提高顯示質(zhì)量的陣列基板，及具有該陣列基板的顯示面板。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示器(LCD)設(shè)備包括使用液晶的光和電性質(zhì)顯示圖像的LCD面板，以及設(shè)置在LCD面板之下并向顯示面板提供光的背光組件。
LCD設(shè)備還包括設(shè)置在LCD面板上的上偏振板和設(shè)置在LCD面板下面的下偏振板。上偏振板的偏振軸基本垂直于下偏振板的偏振軸。
LCD面板包括陣列基板、相對(duì)基板和夾置在陣列基板與相對(duì)基板之間的液晶層。陣列基板包括多個(gè)薄膜晶體管(TFT)和多個(gè)像素電極，且相對(duì)基板包括公共電極。
像素電極在陣列基板上排列成矩陣結(jié)構(gòu)，且當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，每個(gè)像素電極具有大致矩形的形狀。公共電極形成在相對(duì)基板的整個(gè)表面上。
LCD面板的操作模式的示例包括扭曲向列(TN)模式、面內(nèi)開(kāi)關(guān)(IPS)模式、和垂直取向(VA)模式。采用VA模式的LCD面板具有例如相對(duì)高的響應(yīng)速度的優(yōu)點(diǎn)。
此外，為了提高視角特性，已經(jīng)發(fā)展了具有多個(gè)域的VA模式例如構(gòu)圖的垂直取向(PVA)模式、多域垂直取向(MVA)模式。在每個(gè)域中形成電場(chǎng)，且在第一域中的電場(chǎng)的方向不同于和第一域相鄰的第二域中的電場(chǎng)的方向。因此，液晶層的液晶分子在彼此不同的方向取向，使得視角特性得到改善。例如，液晶分子向上、向下、向右和向左排列從而改善視角特性。
當(dāng)電場(chǎng)具有彼此不同的方向時(shí)，在電場(chǎng)之間的邊界處電場(chǎng)彼此影響。因此，沿電場(chǎng)方向排列電場(chǎng)中的液晶分子受到阻礙。尤其是，當(dāng)液晶分子在基本平行于上偏振板的偏振軸或下偏振板的偏振軸的方向排列時(shí)，產(chǎn)生暗區(qū)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠改善顯示質(zhì)量的陣列基板。
本發(fā)明還提供一種具有上述陣列基板的顯示面板。
在本發(fā)明的一個(gè)方面，陣列基板包括像素電極、薄膜晶體管(TFT)和存儲(chǔ)線。
像素電極具有第一電極部分、第二電極部分和將第一和第二電極部分彼此電連接的連接電極部分。第二電極部分在第一方向以預(yù)定距離與第一電極部分分隔開(kāi)。TFT電連接到像素電極以驅(qū)動(dòng)像素電極。存儲(chǔ)線與一部分像素電極交疊并具有不對(duì)稱(chēng)連接電極，該不對(duì)稱(chēng)連接電極離第二電極部分比離第一電極部分更近。不對(duì)稱(chēng)連接電極可以在基本上垂直于第一方向的第二方向延伸。
例如，存儲(chǔ)線還可以具有成對(duì)的主存儲(chǔ)電極，該成對(duì)的主存儲(chǔ)電極在第一方向延伸并與第二方向的像素電極端部交疊，且通過(guò)所述不對(duì)稱(chēng)連接電極彼此連接。
在本發(fā)明的另一方面，顯示面板包括陣列基板、相對(duì)基板和液晶層。
陣列基板包括像素電極、TFT和存儲(chǔ)線。像素電極具有第一電極部分、第二電極部分和將第一和第二電極部分彼此電連接的連接電極部分。第二電極部分在第一方向以預(yù)定距離與第一電極部分分隔開(kāi)。TFT電連接到像素電極以驅(qū)動(dòng)像素電極。存儲(chǔ)線與一部分像素電極交疊并具有不對(duì)稱(chēng)連接電極，該不對(duì)稱(chēng)連接電極離第二電極部分比離第一電極部分更近。
相對(duì)基板包括公共電極和第一域分割部分。公共電極面對(duì)陣列基板。第一域分割部分在第一方向延伸并與第一電極部分交疊。相對(duì)基板還可以包括第二域分割部分，該第二域分割部分與第二電極部分交疊并在基本垂直于第一方向的第二方向延伸。每個(gè)第一和第二域分割部分可以包括通過(guò)除去一部分公共電極形成的開(kāi)口和/或形成在一部分公共電極上的突起。
液晶層包括夾置在陣列基板和相對(duì)基板之間的液晶分子。
如上所述，存儲(chǔ)線包括離第二電極部分比離第一電極部分更近的不對(duì)稱(chēng)連接電極。因此，可以防止和/或減小不期望的電場(chǎng)對(duì)第一區(qū)域的影響。因此，可以防止和/或減小在像素單元中引起的暗區(qū)，使得顯示質(zhì)量改善。


通過(guò)參考下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更容易理解。在附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示面板的透視圖；圖2是示出圖1所示的顯示面板的像素單元的平面圖；圖3是沿圖2的線I-I’所取的剖面圖；圖4是沿圖2的線II-II’所取的剖面圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示面板的剖面圖；圖6是示出圖2所示的像素單元的像素電極的平面圖；圖7是示出圖2所示的像素單元的公共電極的平面圖；圖8是示出圖2所示的像素單元的存儲(chǔ)線的平面圖；且圖9是沿圖2的線III-III’所取的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考其中顯示本發(fā)明的實(shí)施例的附圖更加全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)且不應(yīng)解釋為限于這里闡釋的實(shí)施例。而是，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)充分和完整，且向那些本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清晰可以夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。
可以理解當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為在另一元件或?qū)印吧稀被颉斑B接到”、“耦合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在其他元件或?qū)由稀⒅苯舆B接或耦合到其它元件或?qū)?，或可以存在中間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱(chēng)為“直接”在其他元件或?qū)印吧稀被颉爸苯舆B接到”、“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則沒(méi)有中間元件或?qū)哟嬖?。通篇相似的?biāo)號(hào)指示相似的元件。這里所用的術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)列舉項(xiàng)目的一個(gè)或更多的任何和所有組合。
可以理解雖然術(shù)語(yǔ)第一、第二和第三等可以于此用來(lái)描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分應(yīng)不受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)只用于區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與其他元件、部件、區(qū)域、層或部分。因此，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱(chēng)為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
在這里為了描述的方便，可以使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，諸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，來(lái)描述一個(gè)元件或部件和其他(諸)元件或(諸)部件如圖中所示的關(guān)系?？梢岳斫饪臻g相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包含除了在圖中所繪的方向之外的裝置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件或部件的“下方”或“下面”的元件則應(yīng)取向在所述其他元件或部件的“上方”。因此，示范性術(shù)語(yǔ)“下方”可以包含下方和上方兩個(gè)方向。裝置也可以有其它取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)且相應(yīng)地解釋這里所使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)。
這里所使用的術(shù)語(yǔ)是只為了描述特別的實(shí)施例的目的且不旨在限制本發(fā)明。如這里所用，單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非內(nèi)容清楚地指示另外的意思。還應(yīng)理解，本說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)“包括”指定了存在所述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或構(gòu)件，但不排除存在或增加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、構(gòu)件和/或其組。
參考剖面圖示在這里描述了本發(fā)明的實(shí)施例，該圖示是本發(fā)明的理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)解釋為限于這里所示的特別的區(qū)域形狀，而是包括由于例如制造引起的形狀的偏離。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)可以通常具有圓化的或曲線的特征和/或在其邊緣具有注入濃度的梯度而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。相似地，通過(guò)注入形成的埋入?yún)^(qū)可以在埋入?yún)^(qū)和通過(guò)其產(chǎn)生注入的表面之間的區(qū)域中產(chǎn)生一些注入。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的且它們的形狀不旨在示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀且不旨在限制本發(fā)明的范圍。
除非另有限定，否則這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的意思。還應(yīng)理解，例如那些在通常使用的詞典中定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)技術(shù)環(huán)境中一致的意思，且不應(yīng)理解為過(guò)度理想或過(guò)度正式的意思，除非清楚地如此限定。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示面板的透視圖。
參考圖1，顯示面板400包括陣列基板100、相對(duì)基板200和利用光顯示圖像的液晶層300。
陣列基板100包括多個(gè)排列成矩陣結(jié)構(gòu)的像素電極、多個(gè)向像素電極施加驅(qū)動(dòng)電壓的薄膜晶體管(TFT)和多個(gè)操作TFT的信號(hào)線。
相對(duì)基板200面對(duì)陣列基板100。相對(duì)基板200包括公共電極和多個(gè)濾色器。公共電極面對(duì)陣列基板100并包括透明導(dǎo)電材料。濾色器相應(yīng)于像素電極。濾色器可以包括例如紅色濾色器、綠色濾色器和藍(lán)色濾色器。
液晶層300夾置在陣列基板100和相對(duì)基板200之間并通過(guò)形成于像素電極和公共電極之間的電場(chǎng)取向。通過(guò)電場(chǎng)取向的液晶層300控制入射到液晶層300上的光的透光率，然后該光通過(guò)濾色器從而顯示圖像。
圖2是示出圖1所示的顯示面板的像素單元的平面圖。圖3是沿圖2的線I-I’所取的剖面圖。圖4是沿圖2的線II-II’所取的剖面圖。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示面板的剖面圖。
參考圖2到5，顯示面板400包括陣列基板100、相對(duì)基板200和液晶層300。
陣列基板100包括第一透明基板110、柵線GL、數(shù)據(jù)線DL、存儲(chǔ)線SL、柵極絕緣層120、TFT 130、保護(hù)層140、有機(jī)絕緣層150和像素電極160。
第一透明基板110具有板形并由透明材料構(gòu)成。透明材料的例子可以包括玻璃、石英、藍(lán)寶石、和透明合成樹(shù)脂。
數(shù)據(jù)線DL基本上垂直于柵線GL。具體地，數(shù)據(jù)線DL在第一方向延伸，且多條數(shù)據(jù)線DL在基本上垂直于第一方向的第二方向排列成行。柵線GL在第二方向延伸，從而交叉數(shù)據(jù)線DL，且多條柵線GL在第一方向排列成行。通過(guò)柵線GL和數(shù)據(jù)線DL定義多個(gè)像素。TFT 130和像素電極160形成在每個(gè)像素中。
柵線GL形成在第一透明基板110上。存儲(chǔ)線SL形成在第一透明基板110上。存儲(chǔ)線SL將在下面參考附圖更充分地解釋。
柵極絕緣層120形成在第一透明基板110上，以覆蓋柵線GL和存儲(chǔ)線SL。數(shù)據(jù)線DL形成在柵極絕緣層120上并從柵線GL絕緣。
TFT 130包括柵電極G、源電極S、漏電極D、有源層A和歐姆接觸層O。
柵電極G在第一方向從柵線GL延伸。例如，柵電極G可以在第一方向和與第一方向相反的方向從柵線GL延伸，使得當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，柵電極G具有矩形形狀。
有源層A形成在柵電極G上方。具體地，有源層A形成在柵極絕緣層120上從而與柵電極G交疊。例如，有源層A可以包括半導(dǎo)體材料，例如非晶硅(a-Si)。
源電極S在第二方向從數(shù)據(jù)線DL延伸，并與有源層A的一部分交疊。漏電極D與源電極S分隔開(kāi)預(yù)定距離并在第一方向延伸。一部分漏電極D與一部分有源層A交疊。
歐姆接觸層O形成在有源層A和源電極S之間以及有源層A和漏電極D之間。例如，歐姆接觸層O可以包括以高濃度注入n+雜質(zhì)的非晶硅。歐姆接觸層O可以減小有源層A和源電極S之間以及有源層A和漏電極D之間的接觸電阻。
保護(hù)層140形成在柵極絕緣層120上以覆蓋TFT 130。因此，保護(hù)層140可以防止TFT 130被物理和/或化學(xué)損壞。有機(jī)絕緣層150形成在保護(hù)層140的整個(gè)表面上以平坦化陣列基板100的表面。此外，接觸孔152形成在一部分漏電極D上。具體地，通過(guò)蝕刻工藝除去一部分保護(hù)層140和一部分有機(jī)絕緣層150，從而形成接觸孔152。
像素電極160形成在每個(gè)像素中和有機(jī)絕緣層150上。像素電極160通過(guò)接觸孔152電連接到漏電極D。例如，像素電極160可以包括透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)和非晶氧化銦錫(a-ITO)。
像素電極160包括第一電極部分162、第二電極部分164和連接電極部分166。第二電極部分164在第一方向與第一電極部分162分隔開(kāi)預(yù)定距離。連接電極部分166將第一電極部分162電連接到第二電極部分164。像素電極160將在下面參考附圖更充分地解釋。
相對(duì)基板220包括第二透明基板210、阻光層220、濾色器230、平坦化層240、公共電極250、第一域分割部分252和第二域分割部分254。
第二透明基板210可以具有基本與第一透明基板110相同的板形并可以包括透明材料。
阻光層220形成在一部分第二透明基板210上并面對(duì)陣列基板100從而阻擋光。例如，阻光層220可以與柵線GL、數(shù)據(jù)線DL和TFT 130交疊。
濾色器230形成在第二透明基板210上以覆蓋阻光層220。濾色器230與形成在像素中的每個(gè)像素電極250交疊。濾色器230的示例可以包括紅色濾色器、綠色濾色器、藍(lán)色濾色器。
平坦化層240形成在濾色器230上以平坦化相對(duì)基板200的表面。平坦化層240可以包括具有絕緣特性的透明有機(jī)材料。
公共電極250形成在平坦化層240上。公共電極250可以包括基本與像素電極160相同的透明導(dǎo)電材料。
第一域分割部分252與第一電極部分162交疊，且第二域分割部分254與第二電極部分164交疊。每個(gè)第一和第二域分割部分252和254可以包括通過(guò)除去一部分公共電極250而形成的開(kāi)口?？商鎿Q地，每個(gè)第一和第二域分割部分252和254可以包括形成在一部分公共電極250上的突起，如圖5所示。公共電極250和第一及第二域分割部分252和254將在下面參考附圖更充分地解釋。
圖6是示出圖2所示的像素單元的像素電極的平面圖。
參考圖2和6，像素電極160形成在像素單元中并包括第一電極部分162、第二電極部分164和連接電極部分166。
第一電極部分162在第一方向從柵線GL分隔開(kāi)預(yù)定距離。第一電極部分162通過(guò)接觸孔152電連接且直接連接到TFT 130的漏電極D。
第二電極部分164在第一方向與第一電極部分162分隔開(kāi)預(yù)定距離。該距離由字母L表示。連接電極部分166設(shè)置在第一和第二電極部分162和164之間從而將第一和第二電極部分162和164彼此連接。
當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，每個(gè)第一和第二電極部分162和164可以具有大致矩形的形狀?？梢猿ッ總€(gè)第一和第二電極部分162和164的邊緣以形成切去部分168。切去部分168可以關(guān)于第一和/或第二方向傾斜預(yù)定角度例如約45度。
第二電極部分164可以包括多個(gè)主電極。例如，第二電極部分164可以包括第一主電極164a、第二主電極164b和子連接電極164c。
第一主電極164a在第一方向與第一電極部分162分隔開(kāi)預(yù)定距離L。第一主電極164a通過(guò)連接電極部分166電連接到第一電極部分162。當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，第一主電極164a可以具有大致矩形的形狀。
第二主電極164b在第一方向與第一主電極164a分隔預(yù)定距離M。當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，第二主電極164b可以具有大致矩形形狀。
子連接電極164c設(shè)置在第一和第二主電極164a和164b之間以電連接第一和第二主電極164a和164b。
圖7是示出圖2所示的像素單元的公共電極的平面圖。
公共電極250和第一及第二域分割部分252和254將參考圖2和7更充分地解釋。
公共電極250具有第一和第二域分割部分252和254。每個(gè)第一和第二域分割部分252和254可以包括通過(guò)除去一部分公共電極250而產(chǎn)生的開(kāi)口?？商鎿Q地，每個(gè)第一和第二域分割部分252和254可以包括形成在一部分公共電極250上并具有預(yù)定高度的突起。
第一域分割部分252交疊第一電極部分162并在第一方向延伸。例如，第一域分割部分252可以橫過(guò)第一電極部分162的中心部分。在第一方向的第一域分割部分252的端部可以具有在第二方向?qū)ΨQ(chēng)的梯形。此外，第一域分割部分252的中心部分可以在第二方向和與第二方向相反的方向凹入，以形成具有大致三角形的凹陷。
第二域分割部分254與第二電極部分164交疊并在第二方向延伸。由于第二電極部分包括多個(gè)主電極，第二域分割部分254包括多個(gè)對(duì)應(yīng)于主電極的分割部分。例如，第二域分割部分254可以包括第一子分割部分254a和第二子分割部分254b。
第一子分割部分254a交疊第一主電極164a并在第二方向延伸。具體地，第一子分割部分254a可以交疊第一主電極164a的中心部分并可以在第二方向橫過(guò)第一主電極164a。
第二子分割部分254b交疊第二主電極164b并在第二方向延伸。具體地，第二子分割部分254b可以交疊第二主電極164b的中心部分并可以在第二方向橫過(guò)第二主電極164b。
在第二方向的每個(gè)第一和第二子分割部分254a和254b的端部可以具有在第一方向?qū)ΨQ(chēng)的梯形。此外，每個(gè)第一和第二子分割部分254a和254b的中心部分可以在第一方向和與第一方向相反的方向凹入，從而形成具有大致三角形的凹陷。
TFT 130可以與第一域分割部分252相鄰。具體地，TFT 130交疊與柵線GL相鄰的第一域分割部分252的端部。此外，接觸孔152可以交疊第一域分割部分252的端部。
圖8是示出圖2所示的像素單元的存儲(chǔ)線的平面圖。
下面，將參考圖2和8更充分地解釋存儲(chǔ)線SL。
存儲(chǔ)線SL交疊一部分像素電極160并包括主存儲(chǔ)電極SL1、連接存儲(chǔ)電極SL2和不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3。電極部分SL3、SL4和SL5形成存儲(chǔ)線SL的U形部分。該U形部分與像素電極160的第一電極部分162相關(guān)。
例如，存儲(chǔ)線SL可以包括成對(duì)的主存儲(chǔ)電極SL1。每個(gè)主存儲(chǔ)電極SL1在第一方向延伸并交疊像素電極160的端部。主存儲(chǔ)電極SL1之一電連接到余下的一個(gè)主存儲(chǔ)電極SL1。
連接存儲(chǔ)電極SL2在第二方向延伸并將主存儲(chǔ)電極SL1彼此連接。連接存儲(chǔ)電極SL2可以設(shè)置在第一和第二主電極164a和164b之間，或者可以與第二域分割部分254交疊。由于第二域分割部分254包括第一和第二分割部分254a和254b，存儲(chǔ)線SL可以包括多個(gè)連接存儲(chǔ)電極SL2以相應(yīng)于第一和第二分割部分254a和254b。例如，存儲(chǔ)線SL可以包括三個(gè)連接存儲(chǔ)電極SL2。
不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3在第二方向延伸并將主存儲(chǔ)電極SL1彼此連接。當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3形成在第一和第二電極部分162和164之間，且不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3離第二電極部分164比離第一電極部分162更近。不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3的術(shù)語(yǔ)“不對(duì)稱(chēng)”意味著不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3離第二電極部分164比離第一電極部分162更近。
圖9是沿圖2的線III-III’所取的剖面圖。
下面，將參考圖9更充分地解釋不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3。
第一和第二電極部分162和164之間的距離，具體地，第一電極部分162和第一主電極164a之間的距離L可以約為6μm到約10μm。此外，不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3在第一方向的寬度T可以約為3μm到約6μm。
不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3離第二電極部分164比離第一電極部分162更近。具體地，不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3的基本平行于第二方向的第一中心線與第一和第二電極部分162和164之間間隙的第二中心線分隔開(kāi)。例如，當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，第一和第二中心線之間的距離D可以約為1μm到約5μm。
此后，將解釋根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示面板的液晶分子的取向。
參考圖2，顯示面板400的像素單元包括第一區(qū)和第二區(qū)?；酒叫杏诘诙较虻碾妶?chǎng)形成在第一區(qū)以將第一區(qū)上的液晶分子沿第二方向排列?；酒叫杏诘谝环较虻碾妶?chǎng)形成在第二區(qū)以將第二區(qū)上的液晶分子沿第一方向排列。
具體地，第一電極部分162和第一域分割部分252設(shè)置在第一區(qū)上。第一域分割部分252在第一方向延伸以橫過(guò)第一電極部分162的中心部分。因此，在第一區(qū)上形成基本平行于第二方向的第一電場(chǎng)以將第一區(qū)上的液晶分子沿第二方向取向。
第二電極部分164和第二域分割部分254設(shè)置在第二區(qū)上。第二域分割部分254在第二方向延伸以橫過(guò)第二電極部分164的中心部分。因此，在第二區(qū)上形成基本平行于第一方向的第二電場(chǎng)以將第二區(qū)上的液晶分子沿第一方向取向。
第一和第二電場(chǎng)可以在第一和第二區(qū)之間的邊界上彼此影響。具體地，在鄰近第二區(qū)的第一區(qū)的端部上，第一電場(chǎng)可以被第二電場(chǎng)強(qiáng)烈影響。因此，在鄰近第二區(qū)的第一區(qū)的端部上的液晶分子可以不在第二方向排列，而是在第一方向或關(guān)于第二方向傾斜預(yù)定角度的方向排列。因此，在鄰近第二區(qū)的第一區(qū)的端部上可能形成暗區(qū)。
在此實(shí)施例中，存儲(chǔ)線SL包括離第二電極部分164比離第一電極部分162更近的不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3。因此，可以防止和/或減小鄰近第二區(qū)的第一區(qū)端部上第二電場(chǎng)對(duì)第一電場(chǎng)的影響。
具體地，約5V的電壓可以施加到像素電極160，且約0V的電壓可以施加到公共電極250和存儲(chǔ)線SL。當(dāng)不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3離第一電極部分162比離第二電極部分164更近時(shí)，或者不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3關(guān)于第一和第二電極部分162和164之間間隙的中心線對(duì)稱(chēng)設(shè)置時(shí)，第二電場(chǎng)可能對(duì)第一電場(chǎng)產(chǎn)生強(qiáng)烈的結(jié)構(gòu)上的影響。
然而，當(dāng)不對(duì)稱(chēng)連接電極SL3離第二電極部分164比離第一電極部分162更近時(shí)，等位面之間的間隙變小。因此，可以防止和/或減小第二電場(chǎng)對(duì)第一電場(chǎng)的影響。
如上所述，存儲(chǔ)線包括離第二電極部分比離第一電極部分更近的不對(duì)稱(chēng)連接電極。因此，可以防止和/或減小不期望的電場(chǎng)對(duì)第一區(qū)的影響。因此，可以防止和/或減小像素單元中引起的暗區(qū)，使得顯示質(zhì)量提高。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于這些示例性實(shí)施例，而是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種變化和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括像素電極，具有第一電極部分、第二電極部分和電連接所述第一和第二電極部分的連接電極部分，且所述第二電極部分的邊緣在第一方向上以預(yù)定距離與所述第一電極部分的邊緣分隔開(kāi)；薄膜晶體管，電連接到所述像素電極；及存儲(chǔ)線，與一部分所述像素電極交疊，其中所述存儲(chǔ)線包括不對(duì)稱(chēng)連接電極，該不對(duì)稱(chēng)連接電極設(shè)置得離所述第二電極部分比離所述第一電極部分更近。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述不對(duì)稱(chēng)連接電極的一部分與所述第二電極部分交疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述不對(duì)稱(chēng)連接電極在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述第一和第二電極部分的分隔開(kāi)的邊緣之間的距離為從約6μm到約10μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述不對(duì)稱(chēng)連接電極的寬度為約從3μm到約6μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中基本垂直于所述第一方向的所述不對(duì)稱(chēng)連接電極的中心線與第一和第二電極部分之間的間隙的中心線分隔約1μm到約5μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述存儲(chǔ)線還具有成對(duì)的主存儲(chǔ)電極，所述成對(duì)的主存儲(chǔ)電極在所述第一方向延伸并與所述第二方向的像素電極端部交疊，且通過(guò)所述不對(duì)稱(chēng)連接電極彼此連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中所述第二電極部分包括第一主電極；第二主電極，在所述第一方向上以預(yù)定距離與所述第一主電極分隔開(kāi)；和子連接電極，將所述第一主電極連接到所述第二主電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其中所述存儲(chǔ)線還具有在所述第二方向延伸并將所述主存儲(chǔ)電極彼此連接的連接存儲(chǔ)電極，且當(dāng)從平面圖上觀察時(shí)，所述連接存儲(chǔ)電極設(shè)置于所述第一和第二主電極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括數(shù)據(jù)線，在所述第一方向延伸并電連接到所述薄膜晶體管；柵線，其在基本上垂直于所述第一方向的第二方向延伸并電連接到所述薄膜晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其中所述薄膜晶體管電連接到所述第一電極部分。
12.一種顯示面板，包括陣列基板，包括像素電極、存儲(chǔ)線和薄膜晶體管，所述像素電極具有第一電極部分、第二電極部分和電連接所述第一和第二電極部分的連接電極部分，且所述第二電極部分的邊緣在第一方向以預(yù)定距離與所述第一電極部分的邊緣分隔開(kāi)，所述存儲(chǔ)線與一部分所述像素電極交疊，所述薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)所述像素電極，其中所述存儲(chǔ)線包括設(shè)置得離第二電極部分比離第一電極部分更近的不對(duì)稱(chēng)連接電極；相對(duì)基板，與所述陣列基板分隔開(kāi)，所述相對(duì)基板包括具有第一域分割部分的公共電極，所述公共電極面對(duì)所述陣列基板，所述第一域分割部分在所述第一方向延伸并交疊所述第一電極部分；包括液晶分子的液晶層，夾置在所述陣列基板和相對(duì)基板之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板，其中所述相對(duì)基板還包括第二域分割部分，該第二域分割部分在基本上垂直于所述第一方向的第二方向延伸并交疊所述第二電極部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中所述不對(duì)稱(chēng)連接電極在所述第二方向延伸。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示面板，其中所述存儲(chǔ)線還具有成對(duì)的主存儲(chǔ)電極，所述成對(duì)的主存儲(chǔ)電極在所述第一方向延伸并與所述第二方向的像素電極端部交疊，且通過(guò)所述不對(duì)稱(chēng)連接電極彼此連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示面板，其中所述第一域分割部分在所述第一方向橫過(guò)所述第一電極部分并交疊所述第一電極部分的中心部分，且所述第二域分割部分在所述第二方向橫過(guò)所述第二電極部分并交疊所述第二電極部分的中心部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示面板，其中所述存儲(chǔ)線還具有在所述第二方向延伸并將所述主存儲(chǔ)電極彼此連接且交疊第二域分割部分的連接存儲(chǔ)電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中所述薄膜晶體管與所述第一域分割部分的端部交疊。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中所述第一和第二域分割部分的每個(gè)包括通過(guò)除去一部分公共電極而形成的開(kāi)口。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中所述第一和第二域分割部分的每個(gè)包括形成在一部分公共電極上的突起。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種陣列基板和具有該陣列基板的顯示面板。該陣列基板包括像素電極、薄膜晶體管(TFT)和存儲(chǔ)線。所述像素電極具有第一電極部分、第二電極部分和將該第一和第二電極部分彼此電連接的連接電極部分。所述第二電極部分在第一方向以預(yù)定距離與第一電極部分分隔開(kāi)。所述薄膜晶體管電連接到該像素電極以驅(qū)動(dòng)該像素電極。存儲(chǔ)線交疊一部分所述像素電極并具有不對(duì)稱(chēng)連接電極，該不對(duì)稱(chēng)連接電極離第二電極部分比離第一電極部分更近。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101083270SQ200710106509
公開(kāi)日2007年12月5日 申請(qǐng)日期2007年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月1日
發(fā)明者趙善兒, 柳在鎮(zhèn), 孫智媛, 樸振遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社