專利名稱：：中間轉(zhuǎn)印體、中間轉(zhuǎn)印體的制造方法以及圖像形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在電子復(fù)印機(jī)、激光打印機(jī)、傳真機(jī)等電子照相裝置或靜電記錄裝置中，合成用于形成彩色圖像的各種顏色的調(diào)色劑圖像并進(jìn)行轉(zhuǎn)印用的中間轉(zhuǎn)印體、中間轉(zhuǎn)印體的制造方法以及具有中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成裝置。
背景技術(shù)：
：一直以來(lái)，作為在記錄材料上轉(zhuǎn)印電子照相感光體(以下，也簡(jiǎn)稱為感光體)上的調(diào)色劑圖像的方式，已知有使用中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成方式，該方式在將調(diào)色劑圖像從電子照相感光體轉(zhuǎn)印至記錄材料的工序中，加入另一個(gè)轉(zhuǎn)印工序，即從電子照相感光體一次轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印體后，將中間轉(zhuǎn)印體的一次轉(zhuǎn)印圖像二次轉(zhuǎn)印至記錄材料上，得到最終圖像。該方式大多被使用于，采用由黑色、青色、品紅、黃色等調(diào)色劑進(jìn)行減色混合而再現(xiàn)色彩分解的原稿圖像，即所謂全色圖像形成裝置中的各色調(diào)色劑圖像的多重轉(zhuǎn)印方式。然而，在使用該中間轉(zhuǎn)印體的多重轉(zhuǎn)印方式中，由于加入了一次轉(zhuǎn)印和二次轉(zhuǎn)印這樣的雙重轉(zhuǎn)印，以及將四色的調(diào)色劑在轉(zhuǎn)印體上重合，因此伴隨有調(diào)色劑圖像的轉(zhuǎn)印不良而容易產(chǎn)生圖像不良。通常，對(duì)于調(diào)色劑的轉(zhuǎn)印不良，已知有通過(guò)使用二氧化硅等外添加劑對(duì)調(diào)色劑表面進(jìn)行表面處理，從而提高轉(zhuǎn)印效率。然而，由于接受來(lái)自顯影裝置內(nèi)部的調(diào)色劑攪拌部件的應(yīng)力，或接受來(lái)自用于在顯影輥上形成調(diào)色劑層的控制刮刀的應(yīng)力，以及在感光體和顯影輥之間所受到的應(yīng)力等，而導(dǎo)致二氧化硅從調(diào)色劑表面脫離，并埋沒(méi)于調(diào)色劑內(nèi)部，因此存在無(wú)法得到足夠轉(zhuǎn)印效率的問(wèn)題。對(duì)于這些問(wèn)題，已經(jīng)提出了通過(guò)在中間轉(zhuǎn)印體表面上包覆氧化硅或氧化鋁等，以謀求提高調(diào)色劑圖像的剝離性，并提高對(duì)記錄紙等的轉(zhuǎn)印效率(例如，參見專利文獻(xiàn)l、2)。專利文獻(xiàn)l:特開平9-212004號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開2001-347593號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的問(wèn)題然而在目前情況下，具有中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成裝置，在二次轉(zhuǎn)印時(shí)，基本上不可能100%地轉(zhuǎn)印調(diào)色劑圖像，并且需要例如使用刮刀從中間轉(zhuǎn)印體上掃落殘留在中間轉(zhuǎn)印體上的調(diào)色劑的清潔裝置。專利文獻(xiàn)1、2所述的中間轉(zhuǎn)印體，存在耐久性不足，壽命短的問(wèn)題。此外，由于膜附著和膜強(qiáng)度不足，容易因外部千擾而在薄膜上產(chǎn)生損傷，并且由于卡紙(紙"去D)等原因，存在薄膜受損傷而容易產(chǎn)生圖像缺陷的問(wèn)題。此外，為了通過(guò)真空蒸鍍或?yàn)R射而形成氧化硅或氧化鋁等，則需要真空裝置等大型設(shè)備，因此在生產(chǎn)性上存在問(wèn)題。鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種轉(zhuǎn)印性更高，清潔性和耐久性也更高的中間轉(zhuǎn)印體，無(wú)需真空裝置等大型設(shè)備的中間轉(zhuǎn)印體的制造裝置，和具有該中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成裝置。解決問(wèn)題的方法發(fā)明者反復(fù)進(jìn)行積極研究，發(fā)現(xiàn)通過(guò)下述的任一種方案，可以解決前述問(wèn)題。權(quán)利要求1的中間轉(zhuǎn)印體，該中間轉(zhuǎn)印體包括基材以及在基材上設(shè)置的陶瓷膜，其特征在于，前述陶瓷膜具有滿足下式的密度(pf)。0.8<pf/ph^l式中，pb是通過(guò)熱氧化或熱氮化母體材料，而形成具有和前述陶瓷膜相同組成比的陶瓷膜時(shí)，該陶瓷膜的密度。權(quán)利要求2的中間轉(zhuǎn)印體涉及權(quán)利要求1所述的中間轉(zhuǎn)印體，，其特征在于，具有前述密度(pf)的陶瓷膜的殘留應(yīng)力以壓縮應(yīng)力計(jì)為0.01MPa以上，100MPa以下。權(quán)利要求3的中間轉(zhuǎn)印體涉及權(quán)利要求1或2所述的中間轉(zhuǎn)印體，其特征在于，構(gòu)成具有前述密度(pf)的陶瓷膜的物質(zhì)，是氧化硅、氧化氮化硅、氮化硅、氧化鈦、氧化氮化鈦、氮化鈦或氧化鋁中的任一種，或它們的混合物。權(quán)利要求4的中間轉(zhuǎn)印體涉及權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其特征在于，具有前述密度(pf)的陶瓷膜的厚度為200nm以上1000nm以下。權(quán)利要求5的中間轉(zhuǎn)印體的制造方法涉及權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的中間轉(zhuǎn)印體的制造方法，其特征在于，在大氣壓或其附近的壓力下，向放電空間供給含有薄膜形成氣體的氣體，通過(guò)在前述放電空間施加高頻電場(chǎng)而激發(fā)前述氣體，并通過(guò)將基材暴露于激發(fā)的前述氣體，而在前述基材的表面上形成陶瓷膜。權(quán)利要求6的圖像形成裝置，該圖像形成裝置使圖像載體的表面顯影而形成調(diào)色劑圖像，并將該調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印體后，再轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印紙上，其特征在于前述中間轉(zhuǎn)印體是權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可以得到下述效果，即，通過(guò)在中間轉(zhuǎn)印體的基材上設(shè)置陶瓷膜，并將該陶瓷膜的密度設(shè)為pf，此外，將通過(guò)熱氧化或熱氮化母體材料而形成與該陶瓷膜為相同組成比的陶瓷膜時(shí)的密度設(shè)為pb,則滿足0.8<pf/pb^l的關(guān)系式，由此可以得到具有和基材的粘合性好，裂縫等少的致密陶瓷膜的，調(diào)色劑的脫模性優(yōu)異，清潔性和耐久性高的中間轉(zhuǎn)印體。并且,可以得到前述中間轉(zhuǎn)印體的中間轉(zhuǎn)印體制造方法、以及使用該中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成裝置。是示出彩色圖像形成裝置的一例的截面結(jié)構(gòu)圖。[圖2]是示出中間轉(zhuǎn)印體的層結(jié)構(gòu)的示意截面圖。是示出由真空蒸鍍法所形成的氧化硅膜的殘留應(yīng)力和真空度的關(guān)系的圖。是制造中間轉(zhuǎn)印體的第一制造裝置的說(shuō)明圖。[圖5]是制造中間轉(zhuǎn)印體的第二制造裝置的說(shuō)明圖。[圖6]是通過(guò)等離子體制造中間轉(zhuǎn)印體的第一等離子體成膜裝置的說(shuō)明圖。符號(hào)說(shuō)明1彩色圖像形成裝置2中間轉(zhuǎn)印體的制造裝置3大氣壓等離子體CVD裝置4大氣壓等離子體裝置17中間轉(zhuǎn)印體單元20輥電極21固定電極23放電空間24混合氣體供給裝置25第1電源26第2電源41薄膜形成區(qū)域117二次轉(zhuǎn)印輥170中間轉(zhuǎn)印帶175基材176陶瓷膜201從動(dòng)輥具體實(shí)施例方式以下說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，但本部分的記載并不限定權(quán)利要求的技術(shù)范圍和所述用語(yǔ)的含意。本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體，適合用于電子照相方式的復(fù)印機(jī)、打印機(jī)、傳真機(jī)等圖像形成裝置，并且只要可以將負(fù)載在感光體表面上的調(diào)色劑圖像一次轉(zhuǎn)印至其表面，保持轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像，并將保持的調(diào)色劑圖像二次轉(zhuǎn)印至記錄紙等被轉(zhuǎn)印物的表面上即可，即可以是帶狀的轉(zhuǎn)印體，也可以是鼓狀的轉(zhuǎn)印體。首先，對(duì)于具有本發(fā)明中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成裝置，以串聯(lián)型全彩色復(fù)印機(jī)為例進(jìn)行說(shuō)明。圖1是示出彩色圖像形成裝置的一例的截面結(jié)構(gòu)圖。該彩色圖像形成裝置l，可稱作串聯(lián)型全彩色復(fù)印機(jī)，其包括自動(dòng)原稿傳送裝置13、原稿圖像讀取裝置14、多個(gè)曝光設(shè)備13Y、13M、13C、13K、多組圖像形成部10Y、IOM、IOC、IOK、中間轉(zhuǎn)印體單元17、進(jìn)紙?jiān)O(shè)備15和定影設(shè)備124。在圖像形成裝置的主體12的上部，配置有自動(dòng)原稿傳送裝置13和原稿圖像讀取裝置14,并且由自動(dòng)原稿傳送裝置13傳送的原稿d的圖像，通過(guò)原稿圖像讀取裝置14的光學(xué)系統(tǒng)反射喊像，并通過(guò)聯(lián)機(jī)在線圖像傳(，4》少-^、七7廿)ccD讀取。使通過(guò)聯(lián)機(jī)圖像傳感器CCD讀取的原稿圖像進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換形成的模擬信號(hào)，在未圖示的圖像處理部中，進(jìn)行模擬處理、A/D轉(zhuǎn)換、黑斑補(bǔ)償(少工亍、、乂夕'補(bǔ)正)、圖像壓縮處理等后，以各色的每個(gè)數(shù)字圖像數(shù)據(jù)的形式送至曝光設(shè)備13Y、13M、13C、13K,并通過(guò)曝光設(shè)備13Y、13M、13C、13K在相應(yīng)的作為第1圖像載體的鼓狀感光體(以下，還記作感光體)11Y、11M、IIC、IIK上形成各色的圖像數(shù)據(jù)的潛像。圖像形成部IOY、IOM、IOC、10K在垂直方向上以縱列配置，并在感光體IIY、IIM、IIC、11K的圖示左側(cè)方配置本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體(以下，記作中間轉(zhuǎn)印帶)170,所述本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體是巻繞在輥171、172、173、174上且可以轉(zhuǎn)動(dòng)架設(shè)的半導(dǎo)電性環(huán)形帶狀的第2圖像載體170。而且，本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印帶170，通過(guò)由未圖示的驅(qū)動(dòng)裝置而旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的輥171沿箭頭方向驅(qū)動(dòng)。形成黃色圖像的圖像形成部10Y,具有配置在感光體IIY周圍的帶電設(shè)備12Y、曝光設(shè)備13Y、顯影設(shè)備14Y、作為一次轉(zhuǎn)印設(shè)備的一次轉(zhuǎn)印輥15Y、清潔設(shè)備16Y。形成品紅色圖像的圖像形成部10M,具有感光體11M、帶電設(shè)備12M、曝光設(shè)備13M、顯影設(shè)備14M、作為一次轉(zhuǎn)印設(shè)備的一次轉(zhuǎn)印輥15M、清潔設(shè)備16M。形成青色圖像的圖像形成部10C,具有感光體11C、帶電設(shè)備12C、曝光設(shè)備13C、顯影設(shè)備14C、作為一次轉(zhuǎn)印設(shè)備的一次轉(zhuǎn)印輥15C、清潔設(shè)備16C。形成黑色圖像的圖像形成部10K,具有感光體11K、帶電設(shè)備12K、曝光設(shè)備13K、顯影設(shè)備14K、作為一次轉(zhuǎn)印設(shè)備的一次轉(zhuǎn)印輥15K、清潔設(shè)備16K。調(diào)色劑補(bǔ)給設(shè)備141Y、141M、141C、141K,分別將新調(diào)色劑補(bǔ)給至顯影裝置14Y、14M、14C、14K。此處，一次轉(zhuǎn)印輥15Y、15M、15C、15K,通過(guò)未圖示的控制設(shè)備并根據(jù)圖像種類選擇性地工作，將中間轉(zhuǎn)印帶170擠壓至各自對(duì)應(yīng)的感光體IIY、IIM、IIC、11K,由此轉(zhuǎn)印感光體上的圖像。如此一來(lái)，通過(guò)圖像形成部IOY、IOM、IOC、10K在感光體11Y、IIM、IIC、IIK上形成的各色圖像，通過(guò)一次轉(zhuǎn)印輥15Y、15M、15C、15K，逐次轉(zhuǎn)印到旋轉(zhuǎn)的中間轉(zhuǎn)印帶170上，并形成合成的彩色圖像。即，中間轉(zhuǎn)印帶將負(fù)載在感光體表面上的調(diào)色劑圖像一次轉(zhuǎn)印至其表面上，并保持轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像。此外，收容在進(jìn)紙盒151內(nèi)的作為記錄介質(zhì)的記錄紙P,通過(guò)進(jìn)紙?jiān)O(shè)備15進(jìn)紙，接著經(jīng)過(guò)多個(gè)中間輥122A、122B、122C、122D、阻擋輥123,運(yùn)送至作為二次轉(zhuǎn)印設(shè)備的二次轉(zhuǎn)印輥117，并通過(guò)二次轉(zhuǎn)印輥117將中間轉(zhuǎn)印體上的合成調(diào)色劑圖像一次性地轉(zhuǎn)印至記錄紙P上。即，將保持在中間轉(zhuǎn)印體上的調(diào)色劑圖像二次轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印物的表面上。此處，二次轉(zhuǎn)印設(shè)備6，僅在記錄紙P通過(guò)它而進(jìn)行二次轉(zhuǎn)印時(shí)，將記錄紙P壓接在中間轉(zhuǎn)印帶170上。轉(zhuǎn)印彩色圖像的記錄紙P,通過(guò)定影設(shè)備124進(jìn)行定影處理，并通過(guò)夾持在排紙輥125中而放置在機(jī)外的排紙盤126上。另一方面，通過(guò)二次轉(zhuǎn)印輥117將彩色圖像轉(zhuǎn)印至記錄紙P后，彎曲分離記錄紙P的中間轉(zhuǎn)印帶170,通過(guò)清潔設(shè)備8除去殘留的調(diào)色劑。此處，中間轉(zhuǎn)印體還可以換成前述的旋轉(zhuǎn)鼓狀中間轉(zhuǎn)印鼓。接著，對(duì)和中間轉(zhuǎn)印帶170相連的作為一次轉(zhuǎn)印設(shè)備的一次轉(zhuǎn)印輥15Y、15M、15C、15K,和二次轉(zhuǎn)印輥117的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。一次轉(zhuǎn)印輥15Y、15M、15C、15K,通過(guò)在例如外徑為8mm的不銹鋼等導(dǎo)電性芯棒的圓周面上，包覆半導(dǎo)電彈性橡膠而形成，所述半導(dǎo)電彈性橡膠，是通過(guò)在聚氨酯、EPDM、聚硅氧烷等橡膠材料中，分散炭黑等導(dǎo)電性填料，或含有離子性導(dǎo)電材料，而形成的體積電阻為105-109Q-cm左右的固體狀或發(fā)泡海綿狀，并且厚度為5mm,橡膠硬度為20-70。左右(ASK硬度C)的半導(dǎo)電彈性橡膠。二次轉(zhuǎn)印輥117,通過(guò)在例如外徑為8mm的不銹鋼等導(dǎo)電性芯棒的圓周面上，包覆半導(dǎo)電彈性橡膠而形成，所述半導(dǎo)電彈性橡膠，是通過(guò)在聚氨酯、EPDM、聚硅氧烷等橡膠材料中，分散炭黑等導(dǎo)電性填料，或含有離子性導(dǎo)電材料，而形成的體積電阻為105-109Q'cm左右的固體狀或發(fā)泡海綿狀，并且厚度為5mm,橡膠硬度為20-70。左右(ASK硬度C)的半導(dǎo)電彈性橡膠。而且，由于二次轉(zhuǎn)印輥117和一次轉(zhuǎn)印輥15Y、15M、15C、15K不同，并且在沒(méi)有記錄紙P的狀態(tài)下，存在有和調(diào)色劑接觸的可能性，因此最好在二次轉(zhuǎn)印輥6的表面上包覆半導(dǎo)電性的氟樹脂或聚氨酯樹脂等脫模性好的物質(zhì)，并且通過(guò)在不銹鋼等導(dǎo)電性芯棒的圓周面上，包覆厚度為0.05-0.5mm左右的半導(dǎo)電性材料而形成二次轉(zhuǎn)印輥117,其中所述半導(dǎo)電性材料，是通過(guò)在聚氨酯、EPDM、聚硅氧烷等橡膠或樹脂材料中，分散炭黑等導(dǎo)電性填料，或含有離子性導(dǎo)電材料，而形成的半導(dǎo)電性材料。下面，以上述的中間轉(zhuǎn)印帶170為例，對(duì)本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印體進(jìn)行說(shuō)明。圖2是示出中間轉(zhuǎn)印體層結(jié)構(gòu)的示意截面圖。中間轉(zhuǎn)印帶170具有基材175，和在基材175表面上形成的陶瓷膜176。陶瓷膜176由至少一層以上的陶瓷膜而形成。當(dāng)該陶瓷膜的密度設(shè)定為pf，此外；通過(guò)熱氧化或熱氮化,構(gòu)成與該陶乾膜相同組成比的前述陶乾膜的陶乾母體材料而形成的陶瓷膜的密度設(shè)定為pb時(shí)，其密度比Y(-pf/pb)為12Y>0.8,并且是具有如此所形成的陶資膜的樹脂膜。作為該陶瓷膜，殘留應(yīng)力(內(nèi)部)以壓縮應(yīng)力計(jì)優(yōu)選O.OlMPa以上，lOOMPa以下。由此，可以得到調(diào)色劑的轉(zhuǎn)印效率高，清潔性、耐久性高的中間轉(zhuǎn)印體。下面，對(duì)本發(fā)明涉及的中間轉(zhuǎn)印帶170的構(gòu)成要素進(jìn)行說(shuō)明。(基材)作為本發(fā)明中的中間轉(zhuǎn)印帶170的基材175,可以使用在樹脂材料中分散導(dǎo)電劑而形成的帶。作為帶中所用的樹脂，可以使用聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚偏氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚酰胺和聚苯硫醚等，即所謂的工程塑料材料。此外，作為導(dǎo)電劑，可以使用炭黑。作為炭黑，可以使用中性或酸性炭黑。導(dǎo)電性填料的使用量，根據(jù)所用導(dǎo)電性填料的種類而不同，并且只要添加至中間轉(zhuǎn)印帶170的體積電阻值和表面電阻值處于少見定范圍即可，通常，相對(duì)于100質(zhì)量份樹脂材料，為10-20質(zhì)量份，并優(yōu)選為10-16質(zhì)量份。本發(fā)明中所用的基材175,可以通過(guò)以往公知的常規(guī)方法制造。例如，可以通過(guò)使用擠出機(jī)熔融擠出作為材料的樹脂，并使用環(huán)狀模頭或T型模頭擠出，再急冷而制造。基材175的厚度，在樹脂材料的情況下設(shè)定為50-200)am左右，在橡膠材料的情況下設(shè)定為300-700pm左右。(陶瓷膜)接著，在該基材175上形成本發(fā)明中的陶瓷膜176。本發(fā)明中，在基材175上所形成的陶瓷膜176,當(dāng)其密度設(shè)定為pf時(shí)，并且以與該陶覺(jué)膜相同組成比地?zé)嵫趸驘岬阁w材料而形成的陶瓷膜的密度設(shè)定為pb時(shí)，應(yīng)該形成為其密度比Y(-pf/pb)為1^Y>0.8。本發(fā)明中，在基材175上所形成的陶瓷膜176的密度，可以使用公知的分析方法求出，在本發(fā)明中，使用通過(guò)X射線反射率法求出的值。這是，在表面平坦的物質(zhì)上，以非常小的角度射入X射線而進(jìn)行測(cè)定的方法，X射線反射率法的概要，可以參照X射線衍射手冊(cè)151頁(yè)(理學(xué)電機(jī)株式會(huì)社編2000年國(guó)際文獻(xiàn)出版社)或化學(xué)工業(yè)1999年1月No.22進(jìn)行。本發(fā)明中有用的測(cè)定方法的具體例子如下所示。作為測(cè)定裝置，使用MacScience(T、;/夕廿>f工乂X)社制造的MXPW進(jìn)行。X射線源的靶使用銅，并以42kV,500mA工作。在入射單色器中，使用多層膜拋物線鏡0《，水，；、，一)。入射狹縫使用0.05mmx5mm，受光狹縫使用0.03mmx20mm。以20/e掃描方式，并通過(guò)步長(zhǎng)寬為0.005°,1步長(zhǎng)為IO秒的FT法，進(jìn)行從0到5。的測(cè)定。對(duì)所得的反射率曲線，使用MacScience(7少夕廿4工>只)社制造的反射率分析程序第1版(ReflectivityAnalysisProgramVer.l)進(jìn)行曲線擬合，求出各個(gè)參數(shù)以使實(shí)測(cè)值和擬合曲線的誤差(殘差)平方和最小。由各個(gè)參數(shù)可以求出疊層膜的厚度和密度。本發(fā)明疊層膜的各層膜厚度的評(píng)價(jià)也可以由上述X射線反射率測(cè)定求出。使用該方法，可以對(duì)例如通過(guò)后述的大氣壓等離子體法、或蒸鍍法等所形成的氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等陶瓷膜，測(cè)定其密度(pf)。這些陶瓷膜，必須為致密的膜，并且與成為相同組成的松散(bulk)陶瓷(在所形成的陶瓷膜為氧化硅膜時(shí)，松散氧化硅)的密度(pb)的比率，即密度比(Y-pf/pb)優(yōu)選在前述范圍。優(yōu)選接近松散程度的致密。并優(yōu)選可以穩(wěn)定地制造這種膜的方法。作為上述松散的膜，使用熱氧化或熱氮化前述陶瓷膜176的母體材料而形成的陶瓷膜的密度，所述陶瓷膜176的母體材料是與例如，通過(guò)蒸鍍或等離子體CVD等在基材175上形成的陶瓷膜176相同組成比那樣形成的。作為母體材料，在氧化硅的情況下，相當(dāng)于母體金屬，即硅基板。通過(guò)例如硅基板的熱氧化而形成氧化硅膜是公知的，使用硅基板，在其表面上，在例如80(TC下形成熱氧化膜。硅氧化膜(氧化硅膜)的特性，已知適合在半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行研究，硅氧化膜，已知在硅基板邊界附近，存在具有與松散氧化硅結(jié)構(gòu)不同結(jié)構(gòu)的lnm左右的遷移層，但是其未受到該部分的影響，而形成具有足夠厚度(例如，10nm-300nm)的松散的氧化硅膜。或者，在氧化硅膜的情況下，例如通過(guò)使用臭氧等可以形成低溫下遷移層少的氧化膜，因此也可以采用這些方法。這些情況，在氧氮化膜、氮化膜等中也是一樣的，通過(guò)調(diào)整氣體的種類、流量、溫度、時(shí)間等條件，由形成相同組成的陶瓷膜的母體材料，例如金屬基板，通過(guò)其熱氧氮化、氮化，而形成陶瓷膜，并通過(guò)前述X射線反射率法測(cè)定其松散密度(pb)。此外，在這些基材175上所形成的陶瓷膜176的殘留應(yīng)力以壓縮應(yīng)力計(jì)，優(yōu)選為0.0lMPa以上，1OOMPa以下。具有通過(guò)例如，蒸鍍法、CVD法、溶膠凝膠法等形成的陶乾膜的基材膜，在一定條件下放置時(shí)，由于該基材膜和陶瓷膜的膜質(zhì)的關(guān)系而產(chǎn)生正巻曲(y，7力一A)、倒巻曲(74大只力一A)。該巻曲(力一/L)，是通過(guò)在前述陶瓷膜中發(fā)生的應(yīng)力而產(chǎn)生的，并且可以認(rèn)為巻曲越大(正巻曲)，壓縮應(yīng)力越大。陶瓷膜中的內(nèi)部應(yīng)力的測(cè)定，通過(guò)以下方法測(cè)定。即，在寬10mm,長(zhǎng)50mm,厚O.lmm的石英基板上，通過(guò)相同的方法制造和測(cè)定膜相同組成、厚度的陶瓷膜，并使其厚度為lpm，使樣品的凹部向上，并且可以通過(guò)NEC三榮社制造的薄膜物性評(píng)價(jià)裝置MH4000測(cè)定所制造樣品中產(chǎn)生的巻曲。一般來(lái)說(shuō)，由于壓縮應(yīng)力而使膜側(cè)相對(duì)于基材收縮的正巻曲情況下，為正的應(yīng)力，相反，由于拉伸應(yīng)力而產(chǎn)生倒巻曲的情況下，表現(xiàn)為負(fù)的應(yīng)力。本發(fā)明中，作為該應(yīng)力值，在正的區(qū)域，優(yōu)選為200MPa以下，并特別優(yōu)選為O.OlMPa以上，lOOMPa以下的范圍。形成氧化硅膜的中間轉(zhuǎn)印體的殘留應(yīng)力，在例如通過(guò)真空蒸鍍法制造氧化硅膜時(shí)，可以通過(guò)調(diào)整真空度而調(diào)整。圖3示出在寬10mm,長(zhǎng)50mm,厚O.lmm的石英基板上，通過(guò)真空蒸鍍法形成lpm的氧化硅膜時(shí)的腔室真空度，與形成的氧化硅膜通過(guò)前述方法測(cè)定的殘留(內(nèi)部)應(yīng)力的關(guān)系。圖中，優(yōu)選為具有大于0并直到1OOMPa左右的殘留應(yīng)力的陶瓷膜，但是微調(diào)困難，特別是細(xì)微控制困難，并且在該范圍內(nèi)無(wú)法調(diào)整的情況也很多。當(dāng)殘留應(yīng)力過(guò)小時(shí)，存在有部分地形成拉伸應(yīng)力的情況，并且膜上容易產(chǎn)生裂縫或龜裂，形成了無(wú)耐久性的膜，而當(dāng)其過(guò)大時(shí)，形成了容易斷開，容易剝離的膜。本發(fā)明中的陶瓷膜176的膜厚，較好為200nm-1OOOnm,優(yōu)選為200nm-600nm，并進(jìn)一步優(yōu)選為220nm-500nm。在陶瓷膜176的膜厚不足200nm時(shí)，由于耐久性或表面強(qiáng)度不足，因而在對(duì)厚紙轉(zhuǎn)印等時(shí)產(chǎn)生擦傷，并且最終薄膜不均勻地磨耗，并產(chǎn)生調(diào)色劑轉(zhuǎn)印率下降以及轉(zhuǎn)印不均勻。當(dāng)膜厚超過(guò)1000nm時(shí)，由于密合性或耐彎曲性不足，因此在反復(fù)使用時(shí)，容易產(chǎn)生損壞或剝離，并且增加了成膜所需要的時(shí)間，因此從生產(chǎn)性的觀點(diǎn)考慮，也不優(yōu)選。本發(fā)明中的陶瓷膜176,優(yōu)選為氧化硅、氧化氮化硅、氮化硅、氧化鈦、氧化氮化鈦、氮化鈦或氧化鋁中的任一種，并且還優(yōu)選包括它們的混合物所形成的無(wú)機(jī)化合物。本發(fā)明中的陶瓷膜176，只要是l層以上即可。在基材175上形成本發(fā)明陶資膜176之前，還可以對(duì)基材進(jìn)行電暈處理、火焰處理、等離子體處理、輝光放電處理、粗面化處理、藥品處理等表面處理。此外，在本發(fā)明中的陶瓷膜176和基材175之間，為了提高密合性，還可以形成粘固涂覆劑層(7>力-3-卜劑層)。作為該粘固涂覆劑層中所用的粘固涂覆劑，可以使用1種或并用2種以上的聚酯樹脂、異氰酸酯樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸類樹脂、乙烯-乙烯醇樹脂、乙烯基改性樹脂、環(huán)氧樹脂、改性苯乙烯樹脂、改性聚硅氧烷樹脂和烷基鈦酸酯等。在這些粘固涂覆劑中，還可以添加以往公知的添加劑。而且，上述粘固涂覆劑，可以通過(guò)輥涂法、照相凹版涂覆法、刮涂法、浸涂法、噴涂法等公知方法涂覆到基材上，并通過(guò)千燥除去溶劑、稀釋劑等或進(jìn)行UV固化而進(jìn)行粘固涂覆。作為上述粘固涂覆劑的涂布量，優(yōu)選為0.1-5g/m、干燥狀態(tài))左右。接著，對(duì)使用大氣壓等離子體CVD形成本發(fā)明涉及的中間轉(zhuǎn)印體陶瓷膜時(shí)的裝置和方法，以及使用的氣體進(jìn)行說(shuō)明。圖4是制造中間轉(zhuǎn)印體的第1制造裝置的說(shuō)明圖。中間轉(zhuǎn)印體的制造裝置2(放電空間和薄膜堆積區(qū)域大致相同的直接方式)，是在基材175上形成陶瓷膜176的裝置，并且是由輥電極20和從動(dòng)輥201,以及作為在基材175表面上形成陶瓷膜176的成膜裝置的大氣壓等離子體CVD裝置3所構(gòu)成，所述輥電極20巻繞架設(shè)環(huán)形帶狀的中間轉(zhuǎn)印體170的基材175并沿著箭頭方向旋轉(zhuǎn)。大氣壓等離子體CVD裝置3,具有沿輥電極20外周配置的至少一個(gè)固定電極21、在固定電極21和輥電極20的對(duì)置區(qū)域并且進(jìn)行放電的放電空間23、至少生成原料氣體和放電氣體的混合氣G并將混合氣G供給至放電空間23的混合氣供給裝置24、在放電空間23等中減少空氣流入的放電容器29、連接至輥電極20的第1電源25、連接至固定電極21的第2電源26,和將使用完的排出氣G'排出的排氣部28?；旌蠚夤┙o裝置24，將形成選自無(wú)機(jī)氧化物層、無(wú)機(jī)氮化物層中的至少一層的膜的原料氣體，和氮?dú)饣驓鍤獾认∮袣怏w混合的混合氣供給至放電空間23。此外，更優(yōu)選將通過(guò)氧化還原反應(yīng)而用于反應(yīng)促進(jìn)的氧氣或氫氣混合。此外，從動(dòng)輥201,由張力賦予設(shè)備202沿箭頭方向牽引，并在基材175上施加規(guī)定的張力。張力賦予設(shè)備202在基材175更換時(shí)等解除張力的賦予，并且可以很容易地進(jìn)行基材175的更換。第1電源25輸出頻率為1的電壓，第2電源26輸出頻率為co2的電壓，并通過(guò)這些電壓在放電空間23中產(chǎn)生頻率col和co2重疊的電場(chǎng)V。而且，通過(guò)電場(chǎng)V使混合氣G等離子體化，并使混合氣G中所含的原料氣體所對(duì)應(yīng)的膜(陶瓷膜176)堆積在基材175的表面上。另夕卜，通過(guò)多個(gè)固定電極中位于輥電極旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)的多個(gè)固定電極和混合氣供給裝置以積累堆積方式堆積陶瓷膜176，并且還可以調(diào)整陶瓷膜176的厚度。此外，通過(guò)多個(gè)固定電極中位于輥電極旋轉(zhuǎn)方向最下游側(cè)的固定電極和混合氣供給裝置堆積陶瓷膜176,并且，還可以通過(guò)位于較為上游的其它固定電極和混合氣供給裝置，形成其它層，例如提高陶資膜176和基材175粘合性的粘合層等。此外，為了提高陶瓷膜176和基材175的粘合性，可以在形成陶瓷膜176的固定電極和混合氣供給裝置的上游，設(shè)置供給氬氣或氧氣等氣體的氣體供給裝置和固定電極而進(jìn)行等離子體處理，從而使基材175的表面活性化。如以上所說(shuō)明那樣，將作為環(huán)狀帶的中間轉(zhuǎn)印帶架設(shè)在1對(duì)輥上，并將l對(duì)輥中的一個(gè)作為l對(duì)電極中的一個(gè)電極，沿著作為這一個(gè)電極的輥的外周面的外側(cè)設(shè)置作為另一個(gè)電極的至少一個(gè)固定電極，并在這1對(duì)電^J'司，在大氣壓或大氣壓附近進(jìn)行產(chǎn)生電場(chǎng)的等離子體放電，在中間轉(zhuǎn)印體表面上堆積.形成薄膜，通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)可以制造轉(zhuǎn)印性高、清潔性和耐久性高的中間轉(zhuǎn)印體。圖5是制造中間轉(zhuǎn)印體的第2制造裝置的說(shuō)明圖。中間轉(zhuǎn)印體第2制造裝置2b,是在多個(gè)基材上同時(shí)形成陶瓷膜的裝置，并且主要是由在基材表面形成陶瓷膜的多個(gè)成膜裝置2bl和2b2所構(gòu)成。第2制造裝置2b(是直接方式的變形，在對(duì)置的輥電極間進(jìn)行放電和堆積薄膜的方式)，具有與第1成膜裝置2bl隔有規(guī)定間隙，并配置為大致鏡像關(guān)系的第2成膜裝置2b2、配置在第1成膜裝置2bl和第2成膜裝置2b2之間的至少生成原料氣體和放電氣體的混合氣G且將混合氣G供給至放電空間23b的混合氣供給裝置24b。第1成膜裝置2bl，具有巻繞在架設(shè)環(huán)形帶狀的中間轉(zhuǎn)印體的基材175上并沿箭頭方向旋轉(zhuǎn)的輥電極20a、和從動(dòng)輥201、和沿箭頭方向牽引從動(dòng)輥201的張力賦予設(shè)備202、和連接呈輥電極20a的第1電源25，并且第2成膜裝置2b2,具有巻繞架設(shè)環(huán)形帶狀的中間轉(zhuǎn)印體的基材175并沿箭頭方向旋轉(zhuǎn)的輥電極20b、和從動(dòng)輥201、和沿箭頭方向牽引從動(dòng)輥201的張力賦予設(shè)備202、和連接至輥電極20b的第2電源26。此外，第3制造裝置2b具有在輥電極20a和在輥電極20b的對(duì)置區(qū)域進(jìn)行放電的放電空間23b?；旌蠚夤┙o裝置24b，將形成選自無(wú)機(jī)氧化物層、無(wú)機(jī)氮化物層的至少一層的膜的原料氣體，和氮?dú)饣驓鍤獾认∮袣怏w混合的混合氣供給至放電空間23b。此外，更優(yōu)選將通過(guò)氧化還原反應(yīng)而用于反應(yīng)促進(jìn)的氧氣或氬氣混合。第1電源25輸出頻率為col的電壓，第2電源26輸出頻率為co2的電壓，并通過(guò)這些電壓在放電空間23b中產(chǎn)生頻率col和co2重疊的電場(chǎng)V。而且，通過(guò)電場(chǎng)V使混合氣G等離子體化(激發(fā))，將等離子體化(激發(fā))的混合氣暴露在第1成膜裝置2b1的基材175和第2成膜裝置2b2的基材175的表面上，并使等離子體化(激發(fā))的混合氣中所含的原料氣體所對(duì)應(yīng)的膜(陶瓷膜)同時(shí)堆積'形成在第1成膜裝置2bl的基材175和第2成膜裝置2b2的基材175的表面上。此處，對(duì)置的輥電極20a和輥電極20b隔著規(guī)定的間隙配置。下面，對(duì)在基材175上形成陶瓷膜176的大氣壓等離子體CVD裝置的形態(tài)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。另外，下述圖6是以圖4為主并去除虛線部分的圖。圖6是通過(guò)等離子體制造中間轉(zhuǎn)印體的第1等離子體成膜裝置的說(shuō)明圖。參照?qǐng)D6，說(shuō)明優(yōu)選適用于形成陶瓷膜176的大氣壓等離子體CVD裝置的一例。大氣壓等離子體CVD裝置3是中間轉(zhuǎn)印體的制造裝置，其具有可裝卸地巻繞架設(shè)基材并使之旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的至少l對(duì)輥、和進(jìn)行等離子體放電的至少l對(duì)電極，并且在上述l對(duì)電極中，一個(gè)電極是上述1對(duì)輥中的一個(gè)輥，另一個(gè)電極是介由上述基材與上述一個(gè)輥對(duì)置的固定電極，該裝置3使上述基材暴露在上述一個(gè)輥和上述固定電極的對(duì)置區(qū)域中所產(chǎn)生的等離子體中，堆積-形成上述陶瓷膜。大氣壓等離子體CVD裝置3，如前所述具有混合氣供給裝置24、固定電極21、第1電源25、第1濾波器25a、輥電極20、使輥電極沿箭頭方向驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)設(shè)備20a、第2電源26、和第2濾波器26a,并且在放電空間23中進(jìn)行等離子體放電，從而使原料氣體和放電氣體混合的混合氣G激發(fā)，再將激發(fā)的混合氣G1暴露于基材表面175a，并在該表面上堆積'形成陶瓷膜176。然后，由第1電源25向固定電極21施加頻率為co,的第1高頻電壓，并由第2電源26向輥電極20施加頻率為C02的高頻電壓，由此，在固定電極21和輥電極20之間產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度為VI頻率為co,和電場(chǎng)強(qiáng)度為V2頻率為(02重疊的電場(chǎng)，并且在固定電極21中流過(guò)電流I,,在輥電極20中流過(guò)電流12,以及在電極間產(chǎn)生等離子體。此處，頻率CO,和頻率2的關(guān)系，以及，電場(chǎng)強(qiáng)度V,與電場(chǎng)強(qiáng)度V2和放電氣體開始放電的電場(chǎng)強(qiáng)強(qiáng)度IV的關(guān)系，滿足Q)一CD2，V^IV〉V2，或者，滿足V,MV^/2,并且上述第2高頻電場(chǎng)的輸出功率密度為1W/cm、乂上。由于氮?dú)忾_始放電的電場(chǎng)強(qiáng)強(qiáng)度IV是3.7kV/mm,因此優(yōu)選至少由第1電源25所施加的電場(chǎng)強(qiáng)度V,為3.7kV/mm或其以上，并且由第2電源60所施加的電場(chǎng)強(qiáng)度V2為3.7kV/mm或其以下。此外，作為可用于第1大氣壓等離子體CVD裝置3中的第1電源25(高頻電源)，可以列舉所施加電源記號(hào)制造商頻率神鋼電才幾3kHzA2神鋼電機(jī)5kHzA3春日電機(jī)15kHzA43申4岡電才幾50kHzA5高強(qiáng)度鋼(Haiden)100kHz*研究所("4r7)A6pearl(乂《一》)工業(yè)A7pearl(一/。工業(yè)A8SERENIPS等市售品，并且可以任意使用。此外，作為第2電源26(高頻電源)，可以列舉200kHz400kHz100-460kHz產(chǎn)品名SPG3-4500SPG5-4500AGI-023SPG50-4500PHF-6kCF-2000-200kCF陽(yáng)2000-400kL3001施力口電源i己號(hào)制造商頻率制品名Blpearl(,一A)工業(yè)800kHzCF-2000-800kB2pearl(乂《一A)工業(yè)2MHzCF-2000-2MB3pearl(A一A)工業(yè)13.56MHzCF-5000-13MB4pearl(乂《—A)工業(yè)27MHzCF-2000-27MB5pearl(乂《—A)工業(yè)150MHzCF-2000-150MB6pearl(,一A)工業(yè)20畫99.9MHzRP-2000-20/100M等市售品，并且可以任意使用。另外，在上述電源中，H己號(hào)是高強(qiáng)度鋼(Haiden。、^ff乂))研究所的脈沖(0,^7)高頻電源(在連續(xù)模式下為100kHz)。除此之外，是可以僅施加連續(xù)正弦波的高頻電源。本發(fā)明中，由第1和第2電源供給至對(duì)置電極間的電力，向固定電極21供給lW/cm"以上的電力(輸出功率密度)，并激發(fā)放電氣體而產(chǎn)生等離子體，并形成薄膜。作為供給至固定電極21的電力上限值，優(yōu)選為50W/cm2,并更優(yōu)選為20W/cm2。下限值優(yōu)選為1.2W/cm2。另外，放電面積(cm2)，是指在電極中產(chǎn)生放電的范圍的面積。此外，在輥電極20中，通過(guò)供給lW/cn^以上的電力(輸出功率密度)，可以維持高頻電場(chǎng)的均勻性的狀態(tài)，并且提高輸出功率密度。由此，可以進(jìn)一步產(chǎn)生均勻的高密度等離子體，并且可以進(jìn)一步兼顧制膜速度的提高和膜質(zhì)量的提高。其優(yōu)選為5W/cn^以上。供給至輥電極20的電力上限值，優(yōu)選為50W/cm2。此處，作為高頻電場(chǎng)的波形，沒(méi)有特別限制。有稱為連續(xù)模式的連續(xù)正弦波狀的連續(xù)振蕩模式，和稱為脈沖模式的間斷進(jìn)行ON/OFF的間斷振蕩模式等，并且可以采用其中任一種，但由于至少向輥電極20供給的高頻波為連續(xù)正弦波時(shí)，可以得到更致密的優(yōu)質(zhì)膜，因此優(yōu)選。此外，在固定電極21和第1電源25之間，設(shè)置第1濾波器25a,使從第1電源25到固定電極21的電流容易通過(guò)，并使來(lái)自第2電源26的電流接地，以使從第2電源26到第1電源25的電流難以通過(guò)，并且在輥電極20和第2電源26之間，設(shè)置第2濾波器26a,使從第2電源26到輥電極20的電流容易通過(guò)，并使來(lái)自第1電源21的電流接地，以使從第1電源25到第2電源26的電流難以通過(guò)。優(yōu)選采用可以通過(guò)在電極上施加上述強(qiáng)電場(chǎng)，而均勻且穩(wěn)定地保持放電狀態(tài)的電極，并且在固定電極21和輥電極20中，為了耐受由強(qiáng)電場(chǎng)產(chǎn)生的放電，而在至少一個(gè)電極表面上包覆下述的電介質(zhì)。在上述說(shuō)明中，電極和電源的關(guān)系，可以是將第2電源26連接至固定電極21,并將第1電源25連接至輥電極20。對(duì)輥電極20的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，輥電極20,是對(duì)金屬等導(dǎo)電性母材(以下，也稱為"電極母材，，)熱噴鍍陶瓷，然后包覆使用無(wú)機(jī)材料進(jìn)行了封孔處理的陶瓷包覆處理的電介質(zhì)(以下，也簡(jiǎn)稱為"電介質(zhì)")的組合而構(gòu)成的。此外，作為在熱噴鍍中使用的陶瓷材料，可以優(yōu)選使用氧化鋁'氮化硅等，其中，由于氧化鋁容易加工，因此更優(yōu)選使用。17此外，也可以通過(guò)將由襯涂而設(shè)置了無(wú)機(jī)材料的襯涂處理電介質(zhì)包覆在金屬等導(dǎo)電性母材上的組合，構(gòu)成電極。作為襯涂材料，可以優(yōu)選使用硅酸鹽類玻璃、硼酸鹽類玻璃、磷酸鹽類玻璃、鍺酸鹽類玻璃、亞碲酸鹽玻璃、鋁酸鹽玻璃、釩酸鹽玻璃等，其中，由于硼酸鹽類玻璃容易加工，因此更優(yōu)選使用。作為金屬等導(dǎo)電性母材，可以列舉銀、柏、不銹鋼、鋁、鈦、鈦合金、鐵等金屬，并且從加工或費(fèi)用的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選不銹鋼。此外，在本實(shí)施方式中，輥電極的母材，使用具有通過(guò)冷卻水進(jìn)行的冷卻設(shè)備的不銹鋼制夾套輥母材(未圖示)。固定電極21以及21a、21b,和上述的輥電極20—樣，是在對(duì)金屬等導(dǎo)電性母材熱噴鍍陶資后，包覆使用無(wú)機(jī)材料進(jìn)行了封孔處理的陶資包覆處理電介質(zhì)的組合而構(gòu)成的。此外，也可以是對(duì)金屬等導(dǎo)電性母材包覆通過(guò)襯涂而設(shè)置無(wú)機(jī)材料的村涂處理電介質(zhì)的組合而構(gòu)成的。以下，參照?qǐng)D4、6,對(duì)中間轉(zhuǎn)印體制造方法工序中，在基材175上堆積-形成陶瓷膜176的成膜工序的例子進(jìn)行說(shuō)明。圖4和6中，在輥電極20和從動(dòng)輥201上架設(shè)基材175后，通過(guò)張力賦予設(shè)備202的運(yùn)行，在基材175上施加規(guī)定的張力，接著以規(guī)定轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)輥電極20。由混合氣供給裝置24生成混合氣G,并排放至》文電空間23。由第1電源25輸出頻率為w的電壓并施加在固定電極21上，由第2電源26輸出頻率為①2的電壓并施加在輥電極20上，并由這些電壓在放電空間23中產(chǎn)生頻率(xm和032重疊的電場(chǎng)V。由電場(chǎng)V激發(fā)排放至放電空間23中的混合氣G,并形成等離子體狀態(tài)。然后，將等離子體狀態(tài)的混合氣G暴露于基材表面上，并通過(guò)混合氣G中的原料氣體在基材175上形成選自無(wú)機(jī)氧化物層、無(wú)機(jī)氮化物層中至少一層的膜，即陶瓷膜176。如此形成的陶瓷膜，也可以設(shè)置多層，并可以是由多層形成的陶瓷膜，但是該多層中，最低一層，通過(guò)XPS測(cè)定的碳原子含量測(cè)定，優(yōu)選含有0.1-20原子％的碳原子，此外，更優(yōu)選該含碳原子層是更接近于基材的層。例如，在上述大氣壓等離子體CVD裝置3中，在一對(duì)電極(輥電極20和固定電極21)間將混合氣(放電氣體)激發(fā)為等離子體，使該等離子體中所存在的具有碳原子的原料氣體自由基化，并暴露在基材175的表面上。而且，暴露于該基材175表面上的含碳分子或含碳自由基，也包含在陶瓷膜中。所謂放電氣體，是指在上述條件下等離子體激發(fā)的氣體，例如，氮?dú)?、氬氣、氦氣、氖氣、氪氣、氙氣等以及它們的混合物等。其中，?yōu)選使用氮?dú)?、氦氣、氬氣，特別是氮?dú)?，在費(fèi)用上也低廉，因此優(yōu)選。此外，作為用于形成陶瓷膜的原料氣體，可以使用在常溫下為氣體或液體的有機(jī)金屬化合物，特別是烷基金屬化合物或烷氧基金屬化合物、有機(jī)金屬配位化合物。這些原料的相狀態(tài)在常溫常壓下不一定必須是氣相，只要通過(guò)在混合氣供給裝置24中加熱或減壓等，可以經(jīng)過(guò)熔融、蒸發(fā)、升華等而氣化的即可，也可以使用液相，也可以使用固相。作為原料氣體，是在放電空間成為等離子體狀態(tài)，并含有形成薄膜的成分的物質(zhì)，并且是有機(jī)金屬化合物、有機(jī)化合物、無(wú)機(jī)化合物等。例如，作為硅化合物，可以列舉硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷(TEOS)、四正丙氧基硅烷、四異丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷、二曱基二甲氧基硅烷、二曱基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二笨基二曱氧基硅烷、曱基三乙氧基硅烷、乙基三曱氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)三曱氧基硅烷、六甲基二硅氧烷、雙(二曱基氨基)二甲基硅烷、雙(二甲基氨基)曱基乙烯基硅烷、雙(乙基氨基)二曱基硅烷、N,O-雙(三曱基曱硅烷基)乙酰胺、雙(三曱基曱硅烷基)碳化二亞胺、二乙基氨基三曱基硅烷、二曱基氨基二曱基硅烷、六曱基二硅氨烷、六曱基環(huán)三硅氨烷、七曱基二硅氨烷、九曱基三硅氨烷、八曱基環(huán)四硅氨烷、四(二曱基氨基)硅烷、四異氰酸酯基硅烷、四曱基二硅氨烷、三(二甲基氨基)硅烷、三乙氧基氟化硅烷、烯丙基二曱基硅烷、烯丙基三曱基硅烷、芐基三甲基硅烷、雙(三曱基曱硅烷基)乙炔、1,4-雙三曱基甲硅烷基-1,3-丁二炔、二-叔丁基硅烷、1，3-二硅雜丁烷(1，3-夕〉，7、夕>,1，3-disilabutane)、雙(三甲基曱硅烷基)曱烷、環(huán)戊二烯基三曱基硅烷、苯基二曱基硅烷、苯基三曱基硅烷、炔丙基三曱基硅烷、四甲基硅烷、三曱基甲硅烷基乙炔、l-(三曱基曱硅烷基)-l-丙烷、三(三曱基曱硅烷基)曱烷、三(三甲基曱硅烷基)硅烷、乙烯基三曱基硅烷、六曱基二硅烷、八曱基環(huán)四硅氧烷、四曱基環(huán)四硅氧烷、六曱基環(huán)四硅氧烷、M硅酸鹽51等，但是并不限定于它們。作為鈦化合物，可以列舉四(二曱基氨基)鈦等有機(jī)金屬化合物、單鈦、化鈦、三氯化鈦、四氯化鈦等金屬卣化合物、四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、四丁氧基鈦等金屬烷氧化物等，但是并不限定于它們。作為鋁化合物，可以列舉正丁氧基鋁、仲丁氧基鋁、叔丁氧基鋁、乙基乙酰乙酸酯二異丙氧基鋁、乙氧基鋁、六氟戊二酸鋁(7V";、二々厶^廿7乂b才口《7夕》';？才凈-卜)、異丙氧基鋁、2,4-戊二酸鋁ni(7Vb(二々厶1112，4-、>夕>^才豐-卜)、二曱基鋁氯化物等，但是并不限定于它們。此外，這些原料，可以單獨(dú)使用，也可以將2種以上成分混合使用。此外，上述陶瓷膜的硬度，可以通過(guò)成膜速度或添加氣體量比等而調(diào)整。通過(guò)使用上述方法在基材175表面上形成陶瓷膜176，可以提供轉(zhuǎn)印性高、清潔性和耐久性高的中間轉(zhuǎn)印體。實(shí)施例以下列舉實(shí)施例，具體說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不限定于此。1.試料的制作(實(shí)施例)如下制作基材。聚苯硫醚樹脂(E2180、Toray社制造)100質(zhì)量份導(dǎo)電填料(fumace(:;7—豐久)弁30:30B、三菱化學(xué)社制造)l6質(zhì)量份接枝共聚物(modiper(乇亍'、4——)A4400、日本油脂社制造)l質(zhì)量份潤(rùn)滑劑(二十八碳烷酸鈣)0.2質(zhì)量份將上述材料投入單螺桿擠出機(jī)，熔融混煉形成樹脂混合物。在單螺桿擠出機(jī)的前端，安裝了具有狹縫狀并擠出為無(wú)縫帶形狀出料口的環(huán)狀模頭，并將混煉的上述樹脂混合物擠出為無(wú)縫帶形狀。將擠出的無(wú)縫帶形狀的樹脂混合物，排出在設(shè)于出料前的圓筒狀冷卻筒，冷卻，固化，由此得到無(wú)縫圓筒狀的中間轉(zhuǎn)印帶。所得基材的厚度為120(im。接著，使用圖4的等離子體放電處理裝置，在該基材上形成作為陶瓷膜的1層無(wú)機(jī)化合物層350nm。作為陶瓷膜，使用氧化鈦、氧化硅、氧化鋁。包覆此時(shí)的等離子體放電處理裝置的各個(gè)電極的電介質(zhì)和對(duì)置的兩電極，共同使用由陶瓷熱噴鍍加工而包覆片厚lmm的氧化鋁的物質(zhì)。包覆后的電極間隙，設(shè)定為0.5mm。此外，包覆有電介質(zhì)的金屬母材，是具有使用冷卻水的冷卻功能的不銹鋼制夾套方式，并且一邊由冷卻水進(jìn)行電極溫度控制，一邊實(shí)施放電。通過(guò)如下所述改變陶覺(jué)膜的成膜條件，制作表1所示的實(shí)施例和比較例的試料。各原料氣體，通過(guò)加熱生成蒸氣，并預(yù)先將產(chǎn)生余熱的放電氣體和反應(yīng)氣體混合.稀釋以使原料不凝結(jié)，然后向放電空間供給。(氧化硅層);改電氣體K氣體反應(yīng)氣體02氣體，相對(duì)于所有氣體為21體積％原料氣體四乙氧基硅烷(TEOS),相對(duì)于所有氣體為0.1體積％j氐頻側(cè)電源電力(神鋼電才幾制高頻電源(50kHz)):10W/cm2高頻側(cè)電源電力(pearl(乂《一乂L))工業(yè)制高頻電源(11S6MHz)):在l-10W/cm2范圍變化(氧化鈦層)放電氣體N2氣體反應(yīng)氣體02氣體，相對(duì)于所有氣體為21體積％原料氣體四異丙氧基鈦(TTIP)，相對(duì)于所有氣體為0.1體積％低頻側(cè)電源電力(SERENIPS制高頻電源(110kHz)):10W/cm2高頻側(cè)電源電力(pearl(一A)工業(yè)制高頻電源(13.56MHz)):在l-10W/cm2范圍變化(氧化鋁層)放電氣體>12氣體反應(yīng)氣體H2，體，相對(duì)于所有氣體為4.0體積％原料氣體三仲丁氧基鋁，相對(duì)于所有氣體為0.05體積％低頻側(cè)電源電力(高強(qiáng)度鋼(Haiden)研究所制脈沖高頻電源(1OOkHz)):10W/cm2高頻側(cè)電源電力(pearl(——》))工業(yè)制寬頻帶高頻電源(訓(xùn).OMHz)):在l-10W/cn^范圍變化(比較例1)在和實(shí)施例相同的基材上進(jìn)行制膜，并實(shí)施評(píng)價(jià)。(氧化硅層)放電氣體K氣體反應(yīng)氣體02氣體，相對(duì)于所有氣體為21體積％原料氣體四乙氧基硅烷(TEOS),相對(duì)于所有氣體為0.1體積％低頻側(cè)電源電力(神鋼電機(jī)制高頻電源(50kHz)):3W/cm2高頻側(cè)電源電力(pearl(一A)工業(yè)制高頻電源(13.56MHz)):0.5W/cm2基材保持溫度20°C(比較例2)使用SAMCO(廿厶n)社制造的等離子體CVD裝置ModelPD-270STP，在和實(shí)施例相同的基材上進(jìn)行制膜，并實(shí)施評(píng)價(jià)。根據(jù)制膜裝置的情況，僅對(duì)帶的一部分進(jìn)行制膜，并僅對(duì)成膜部分進(jìn)行評(píng)價(jià)。(氧化硅層)》丈電氣體02氣體，0.08torr反應(yīng)氣體四乙氧基石圭火克(TEOS),5sccm(standardcubiccentimeterperminute)電力13.56MHz,100W基材保持溫度60°C2.評(píng)價(jià)方法(1)調(diào)色劑二次轉(zhuǎn)印率的評(píng)價(jià)方法二次轉(zhuǎn)印率，是在記錄紙上轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像的調(diào)色劑質(zhì)量相對(duì)于在中間轉(zhuǎn)印體上形成的調(diào)色劑圖像的調(diào)色劑質(zhì)量的比例，并如下進(jìn)行評(píng)價(jià)。在打印機(jī)(柯尼卡美能達(dá)(3-力S乂/L夕)社制造的magicolor5440DL)中設(shè)置平均粒徑為6.5pm的聚合調(diào)色劑，在黃色、品紅、青色、黑色的最大調(diào)色劑濃度下對(duì)柯尼卡美能達(dá)(3二力；、乂A夕)CF紙進(jìn)行測(cè)試打印。由光學(xué)(反射)濃度測(cè)定，轉(zhuǎn)印到測(cè)試打印紙上的調(diào)色劑附著量和帶上殘存的調(diào)色劑量，并將測(cè)定結(jié)果換算為調(diào)色劑附著量，求出調(diào)色劑轉(zhuǎn)印率。轉(zhuǎn)印率(％)=(轉(zhuǎn)印至測(cè)試打印紙上的調(diào)色劑量/(轉(zhuǎn)印至測(cè)試打印紙上的調(diào)色劑量+帶上殘留的調(diào)色劑量))xl00o:轉(zhuǎn)印率為95%以上?！?轉(zhuǎn)印率為不足95%且90%以上。x:轉(zhuǎn)印率為不足90%。(2)清潔性使用上述打印機(jī)，并目視觀察使用清潔刮刀清潔中間轉(zhuǎn)印體表面后的中間轉(zhuǎn)印體表面狀態(tài)，確認(rèn)調(diào)色劑的附著狀態(tài)。然后，將沒(méi)有調(diào)色劑附著的記為O，將附著了一點(diǎn)但使用時(shí)沒(méi)有問(wèn)題的記為A,并將使用時(shí)存在問(wèn)題的記為x。(3)耐久性試驗(yàn)使用上述打印機(jī)，以及使用柯尼卡美能達(dá)(3二力；、乂A夕)CF紙(A4)和對(duì)于各調(diào)色劑色均為5%圖像率的測(cè)試圖案進(jìn)行16萬(wàn)張打印。然后，進(jìn)行調(diào)色劑二次轉(zhuǎn)印率的評(píng)價(jià)和打印品質(zhì)的目視檢查，并和初期進(jìn)行比較，將即使打印16萬(wàn)張后也未確認(rèn)變化的記為o(OK),將變化了一點(diǎn)但使用時(shí)沒(méi)有問(wèn)題的記為A,并將使用時(shí)存在問(wèn)題的記為x(NG)。以上實(shí)施例1-3和比較例1、2的測(cè)定結(jié)果和評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>由表l結(jié)果可知，通過(guò)使用一種中間轉(zhuǎn)印體，其特征在于在基材上具有至少一層以上陶瓷膜的中間轉(zhuǎn)印體中，該陶瓷膜的密度設(shè)定為pf，此外，通過(guò)熱氧化或熱氮化母體材料，而形成具有和前述陶瓷膜相同組成比的陶f(shuō);膜時(shí)，該陶瓷膜的密度設(shè)定為pb時(shí)，其密度比Y(-pf/pb)為1^Y>0.8,則可以提供轉(zhuǎn)印效率好，清潔性和耐久性優(yōu)異的中間轉(zhuǎn)印體，該中間轉(zhuǎn)印體的制造方法，以及具有該中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成裝置。權(quán)利要求1、一種中間轉(zhuǎn)印體，該中間轉(zhuǎn)印體包括基材以及在基材上設(shè)置的陶瓷膜，其中，前述陶瓷膜具有滿足下式的密度(ρf)。0.8＜ρf/ρb≤1式中，ρb是通過(guò)熱氧化或熱氮化母體材料，而形成具有與前述陶瓷膜相同組成比的陶瓷膜時(shí)，該陶瓷膜的密度。2、權(quán)利要求1所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，具有前述密度(pf)的陶瓷膜的殘留應(yīng)力以壓縮應(yīng)力計(jì)為0.01MPa以上，100MPa以下。3、權(quán)利要求1或2所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中構(gòu)成具有前述密度(pf)的陶瓷膜的物質(zhì)，是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鈦、氮氧化鈥、氮化鈦或氧化鋁中的任一種，或它們的混合物。4、權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體，其中，具有前述密度(pf)的陶瓷〗莫的厚度為200nm以上1000nm以下。5、制造權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的中間轉(zhuǎn)印體的方法，該方法包括在大氣壓或其附近的壓力下，向放電空間供給含有薄膜形成氣體的氣體，并通過(guò)對(duì)前述放電空間施加高頻電場(chǎng)而激發(fā)前述氣體，再通過(guò)將基材暴露于激發(fā)的前述氣體中，在前述基材的表面上形成陶瓷膜。6、一種圖像形成裝置，該圖像形成裝置使圖像載體的表面顯影而形成調(diào)色劑圖像，并將該調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印體，再轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印紙上形成圖像，其中，所述中間轉(zhuǎn)印體是權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的中間轉(zhuǎn)印體。全文摘要本發(fā)明提供一種轉(zhuǎn)印性更高，清潔性和耐久性更高的中間轉(zhuǎn)印體，無(wú)需真空裝置等大型設(shè)備的中間轉(zhuǎn)印體的制造裝置，和具有該中間轉(zhuǎn)印體的圖像形成裝置。該圖像形成裝置中所用的中間轉(zhuǎn)印體，其特征在于中間轉(zhuǎn)印體(170)通過(guò)在基材(175)上設(shè)置陶瓷膜(176)而形成，并且前述陶瓷膜(176)具有滿足下式的密度(ρf)(所述ρb是通過(guò)熱氧化或熱氮化母體材料，而形成具有與前述陶瓷膜(176)相同組成比的陶瓷膜時(shí)，該陶瓷膜的密度)。0.8＜ρf/ρb≤1。文檔編號(hào)G03G15/16GK101317136SQ200680044168公開日2008年12月3日申請(qǐng)日期2006年11月7日優(yōu)先權(quán)日2005年11月30日發(fā)明者前原雄一郎申請(qǐng)人:柯尼卡美能達(dá)商用科技株式會(huì)社