專(zhuān)利名稱(chēng)：多層反射鏡光譜純?yōu)V光片、光刻設(shè)備以及裝置制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于多層反射鏡的光譜純?yōu)V光片、包括這樣的多層反射鏡的光刻設(shè)備、用于放大想要的輻射與不想要的輻射的比率的方法、以及使用這樣的多層反射鏡的裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將想要的圖案施加到襯底(通常為襯底的目標(biāo)部分)上的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于比如集成電路(IC)的制造。在那種情形下，可利用另外被稱(chēng)為掩?；蚍謩澃宓膱D案形成裝置生成將在IC的單個(gè)層上形成的電路圖案。該圖案可被轉(zhuǎn)移到襯底(如硅片)上的目標(biāo)部分(如包括一個(gè)或若干管芯的部分)。圖案的轉(zhuǎn)移通常借助于在襯底上設(shè)置的輻射敏感材料層(光刻膠)上的成像。一般地，單個(gè)襯底將包含被連續(xù)圖案化的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻設(shè)備包括分檔器和掃描器，在分檔器中，通過(guò)同時(shí)使整個(gè)圖案曝光到目標(biāo)部分上而使每個(gè)目標(biāo)部分被照射；在掃描器中，通過(guò)輻射束沿著給定方向(“掃描方向”)掃描圖案并同時(shí)沿著與這個(gè)方向平行或反平行的方向掃描襯底而使每個(gè)目標(biāo)部分被照射。通過(guò)在襯底上壓印圖案也能將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底。
在光刻設(shè)備中，能夠在襯底上成像的特征的尺寸受限于投射輻射的波長(zhǎng)。為了制造具有更高裝置密度以及因此具有更高的操作速度的集成電路，希望能夠?qū)Ω〉奶卣鬟M(jìn)行成像。雖然目前大部分光刻投影設(shè)備使用由水銀燈或受激準(zhǔn)分子激光器生成的紫外光，但是已經(jīng)建議使用更短波長(zhǎng)的輻射。這樣的輻射被稱(chēng)作極遠(yuǎn)紫外(EUV)或軟x射線(xiàn)，并且可能的光源包括比如激光產(chǎn)生的等離子體光源、放電等離子體光源、或來(lái)自電子儲(chǔ)存環(huán)的同步輻射。
EUV輻射的光源通常為等離子體光源，比如激光產(chǎn)生的等離子體或放電光源。在某些情形下，EUV光源可發(fā)射若干不同波長(zhǎng)的光束，其中的一些可能是不想要的輻射，比如深紫外輻射(DUV)。這種非-EUV輻射在某些情形下對(duì)EUV光刻系統(tǒng)可能是有害的，因?yàn)樗蓪?dǎo)致對(duì)比度損失。因此，可以期望通過(guò)光譜純?yōu)V光片(SPF)將這種不想要的輻射去掉。
本光譜純?yōu)V光片是基于炫耀光柵的。這些光柵常常難以制造，因?yàn)槿切涡螤畹膱D案的表面質(zhì)量應(yīng)當(dāng)是較高的。例如，對(duì)某些光柵來(lái)說(shuō)，表面的粗糙度應(yīng)當(dāng)?shù)陀?nm RMS。除了這點(diǎn)以外，目前的光譜純?yōu)V光片折疊了光路，這意味著不能將其從系統(tǒng)中取下，除非另一個(gè)反射鏡被用來(lái)代替光譜純?yōu)V光片，因而導(dǎo)致了損失。為了保持靈活性，可期望能夠隨意地將光譜純?yōu)V光片從系統(tǒng)中取下，以便規(guī)避由光譜純?yōu)V光片造成的損失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是提供了用于放大EUV輻射和DUV輻射比率的多層反射鏡，例如可用于光刻設(shè)備。本發(fā)明的另一個(gè)方面是提供了包括這種多層反射鏡或包括許多這樣的多層反射鏡的光刻設(shè)備。本發(fā)明的又一個(gè)方面是提供了一種用于放大EUV輻射和DUV輻射比率的方法，以及一種其中應(yīng)用這樣的方法的裝置制造方法。
本發(fā)明提供了包括在多層反射鏡頂部的光譜純度增強(qiáng)層的多層反射鏡，尤其可用于EUV光刻設(shè)備。這個(gè)光譜純度增強(qiáng)層至少包括第一光譜純度增強(qiáng)層，但是在多層反射鏡和第一光譜純度增強(qiáng)層之間還可存在有中間層或者第二光譜純度增強(qiáng)層和中間層。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例當(dāng)中，存在具有下列配置的多層反射鏡多層反射鏡/第一光譜純度增強(qiáng)層；多層反射鏡/中間層/第一光譜純度增強(qiáng)層；以及多層反射鏡/第二光譜純度增強(qiáng)層/中間層/第一光譜純度增強(qiáng)層。這些和其它的實(shí)施例可增強(qiáng)正入射輻射的光譜純度，以使DUV輻射的減少相對(duì)強(qiáng)于EUV輻射。


現(xiàn)在將通過(guò)舉例的方式并參考所附的示意圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中相應(yīng)的標(biāo)記符號(hào)表示相應(yīng)的部分，開(kāi)且其中圖1示意性地描述了按照本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2示意性地描述了按照?qǐng)D1的光刻投影設(shè)備的EUV照明系統(tǒng)和投影光學(xué)的側(cè)視圖；圖3示意性地描述了按照本發(fā)明的多層反射鏡；圖4a-c示意性地描述了按照本發(fā)明的多層反射鏡的實(shí)施例；圖5示意性地描述了按照本發(fā)明實(shí)施例的多層反射鏡；圖6描述了按照本發(fā)明實(shí)施例的光譜純度增強(qiáng)層的層厚度對(duì)反射率的影響；圖7描述了用于按照本發(fā)明實(shí)施例的光譜純度增強(qiáng)層的多種材料的選擇對(duì)反射率的影響；圖8描述了在使用按照本發(fā)明實(shí)施例的Si3N4的光譜純度增強(qiáng)層時(shí)該層厚度對(duì)反射率的影響；圖9描述了按照本發(fā)明實(shí)施例的光譜純度增強(qiáng)層的反射率的模型研究；圖10描述了在按照本發(fā)明實(shí)施例的光譜純度增強(qiáng)層上的覆蓋層對(duì)反射率的影響；圖11描述了按照本發(fā)明實(shí)施例的多個(gè)光譜純度增強(qiáng)層對(duì)DUV和EUV損失的比率的影響。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地描述了按照本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備1。設(shè)備1包括照明系統(tǒng)(照明器)IL，其被配置成可調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo)(如UV輻射或EUV輻射)。支持體(如掩模工作臺(tái))MT被配置成可支持圖案形成裝置(如掩模)MA，并且與被配置成可依照某些參數(shù)將圖案形成裝置精確定位的第一定位裝置PM相連。襯底工作臺(tái)(如晶片工作臺(tái))WT被配置成可支持襯底(如光刻膠涂敷的晶片)W，并且與被配置成可依照某些參數(shù)將襯底精確定位的第二定位裝置PW相連。投影系統(tǒng)(如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS被配置成可通過(guò)圖案形成裝置MA將傳遞給輻射束B(niǎo)的圖案投射到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。
照明系統(tǒng)可包括對(duì)輻射進(jìn)行定向、成形和/或控制的各種類(lèi)型的光學(xué)元件，比如折射的、反射的、磁的、電磁的、靜電的或其它類(lèi)型的光學(xué)元件、或者其中的任何組合。
支持體支撐著圖案形成裝置(比如承載其重量)。支持體以依賴(lài)于圖案形成裝置的方位、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及其它條件(例如，圖案形成裝置是否被保持在真空環(huán)境中)的方式支撐著圖案形成裝置。支持體可使用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它的箝位技術(shù)來(lái)支撐圖案形成裝置。支持體可以是比如根據(jù)需要而被固定或可移動(dòng)的框架或者工作臺(tái)。支持體可確保圖案形成裝置位于比如相對(duì)投影系統(tǒng)來(lái)說(shuō)所期望的位置。在這里，術(shù)語(yǔ)“分劃板”或“掩模”的任何用法可被認(rèn)為與更通用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”是同義的。
這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)當(dāng)被廣義地解釋為指可用來(lái)將圖案?jìng)鬟f到輻射束的橫截面上以致在襯底的目標(biāo)部分產(chǎn)生圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意的是比如如果圖案包括相移特征或所謂的輔助特征，則被傳遞給輻射束的圖案可以不是與襯底的目標(biāo)部分中想要的圖案精確對(duì)應(yīng)的。一般地，被傳遞給輻射束的圖案將與正在目標(biāo)部分中被生成的、裝置中的特定功能層(如集成電路)相對(duì)應(yīng)。
圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列和可編程LCD面板。掩模在光刻術(shù)領(lǐng)域中是眾所周知的并包括如二進(jìn)制、交替的相移和被衰減的相移這樣的掩模類(lèi)型以及各種混合掩模類(lèi)型。可編程反射鏡陣列的示例使用小反射鏡的矩陣布置，其中的每個(gè)反射鏡可以是獨(dú)立傾斜的，以便以不同的方向反射入射輻射束。傾斜的反射鏡在被反射鏡矩陣反射的輻射束中傳遞圖案。
這里所使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)當(dāng)被廣義地解釋為包含任何類(lèi)型的投影系統(tǒng)，包括折射的、反射的、反射折射的、磁的、電磁的和靜電的光學(xué)系統(tǒng)、或者其中任何的組合，適于正被使用的曝光輻射或者適于其它因素(如浸液的使用或真空的使用)。在這里，術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”的任何用法可被認(rèn)為與更通用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”是同義的。
正如這里所描述的，設(shè)備是反射類(lèi)型的(如使用反射掩模)。另一方面，設(shè)備可以是透射類(lèi)型的(如使用透射掩模)。
光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或多個(gè)襯底工作臺(tái)(和/或兩個(gè)或多個(gè)掩模工作臺(tái))的類(lèi)型的。在這種“多個(gè)臺(tái)”的機(jī)器中，附加的工作臺(tái)可被并行使用，或者可以在一個(gè)或多個(gè)工作臺(tái)上實(shí)施預(yù)備步驟而一個(gè)或多個(gè)另外的工作臺(tái)被用于曝光。
光刻設(shè)備還可以是下列類(lèi)型的其中至少部分襯底可被折射指數(shù)相對(duì)較高的液體(如水)所覆蓋，以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸液還可以用于光刻設(shè)備的其它空間(例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間)。浸沒(méi)技術(shù)在增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑的領(lǐng)域中是眾所周知的。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“浸沒(méi)”不意味著結(jié)構(gòu)(如襯底)必須被浸沒(méi)在液體中而是僅僅意味著在曝光期間液體位于比如投影系統(tǒng)和襯底之間。
參考圖1，照明器IL接收來(lái)自輻射源SO的輻射。該源和光刻設(shè)備可以是獨(dú)立的實(shí)體(比如，當(dāng)輻射源是一個(gè)受激準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這樣的情形下，不認(rèn)為源是構(gòu)成光刻設(shè)備的一部分，并且借助于包括有比如適當(dāng)?shù)亩ㄏ蚍瓷溏R和/或光束擴(kuò)展器的光束輸送系統(tǒng)，將輻射從源SO傳遞至照明器IL。在其它情形下，源可以是光刻設(shè)備的整體部分(比如，當(dāng)輻射源是水銀燈時(shí))。源SO和照明器IL(如果需要的話(huà)，可連同光束輸送系統(tǒng))可被稱(chēng)為輻射系統(tǒng)。
照明器IL可包括調(diào)節(jié)裝置，該調(diào)節(jié)裝置被配置成可調(diào)節(jié)輻射束的角強(qiáng)度分布。一般地，在照明器的光瞳平面內(nèi)強(qiáng)度分布的至少外部和/或內(nèi)部徑向范圍(通常分別被稱(chēng)為σ-外部和σ-內(nèi)部)可被調(diào)節(jié)。另外，照明器IL可包括各種其它的元件，如積分器和聚光器。照明器可用來(lái)調(diào)節(jié)輻射束，在其橫截面內(nèi)擁有希望得到的均一性和強(qiáng)度分布。
輻射束B(niǎo)入射到被支持體(如掩模工作臺(tái)MT)支撐的圖案形成裝置(如掩模MA)上并且通過(guò)圖案形成裝置被圖案化。已經(jīng)穿過(guò)掩模MA的輻射束B(niǎo)穿過(guò)將輻射束投影到襯底W的目標(biāo)部分C的投影系統(tǒng)PS。借助于第二定位裝置PW和位置傳感器IF2(如干涉裝置、線(xiàn)性編碼器或電容傳感器)，襯底工作臺(tái)WT可被精確地移動(dòng)，比如以便在輻射束B(niǎo)的路徑中使不同的目標(biāo)部分C定位。類(lèi)似地，第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器IF1(如干涉裝置、線(xiàn)性編碼器或電容傳感器)可用來(lái)使掩模MA相對(duì)于輻射束B(niǎo)的路徑被精確定位，比如從掩模庫(kù)機(jī)械檢索之后或在掃描期間。一般地，借助于構(gòu)成第一定位裝置PM的部分的長(zhǎng)行程模塊(粗糙定位)和短行程模塊(精細(xì)定位)可實(shí)現(xiàn)掩模工作臺(tái)MT的移動(dòng)。類(lèi)似地，利用構(gòu)成第二定位裝置PW的部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊可實(shí)現(xiàn)襯底工作臺(tái)WT的移動(dòng)。在分檔器的情形中，與掃描儀相反，掩模工作臺(tái)MT可以只和短行程致動(dòng)器相連接或者可以被固定。使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、p2，掩模MA和襯底W可以被調(diào)準(zhǔn)。盡管如圖所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專(zhuān)用的目標(biāo)部分，但是可使它們位于目標(biāo)部分之間的空間(這些被稱(chēng)為是劃線(xiàn)巷道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)。類(lèi)似地，在不止一個(gè)的管芯被設(shè)置在掩模MA上的情形下，可使掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于管芯之間。
所描述的設(shè)備可用于下列模式中的至少一種1.在分檔模式中，掩模工作臺(tái)MT和襯底工作臺(tái)WT基本上保持不動(dòng)，而被傳遞給輻射束的整個(gè)圖案被同時(shí)投射在目標(biāo)部分C上(即單個(gè)靜態(tài)曝光)。接著，襯底工作臺(tái)WT在X和/或Y方向上被移動(dòng)，以使不同的目標(biāo)部分C可被曝光。在分檔模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單個(gè)靜態(tài)曝光中成像的目標(biāo)部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，掩模工作臺(tái)MT和襯底工作臺(tái)WT被同時(shí)掃描，而被傳遞給輻射束的圖案被投射在目標(biāo)部分C上(即單個(gè)動(dòng)態(tài)曝光)。襯底工作臺(tái)WT相對(duì)于掩模工作臺(tái)MT的速度和方向可通過(guò)投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單個(gè)動(dòng)態(tài)曝光中目標(biāo)部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描移動(dòng)的長(zhǎng)度確定了目標(biāo)部分的高度(在掃描方向上)。
3.在另一個(gè)模式中，支撐可編程圖案形成裝置的掩模工作臺(tái)MT基本上保持不動(dòng)，襯底工作臺(tái)WT被移動(dòng)或被掃描，而被傳遞給輻射束的圖案被投射在目標(biāo)部分C上。在這種模式中，一般地，在掃描期間，使用脈沖輻射源并且在襯底工作臺(tái)WT每次移動(dòng)之后或者在連續(xù)輻射脈沖之間根據(jù)需要對(duì)可編程圖案形成裝置進(jìn)行更新?？梢院苋菀椎貙⑦@種操作模式應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(如上面提到的可編程反射鏡陣列的類(lèi)型)的無(wú)掩模光刻術(shù)。
還可以使用上述模式的組合和/或變化或者是完全不同的模式。
在上下文中所提及的術(shù)語(yǔ)“透鏡”可指各種類(lèi)型的光學(xué)元件的任何一個(gè)或組合，包括折射的、反射的、磁的、電磁的和靜電的光學(xué)元件。
正如本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的，這里所使用的術(shù)語(yǔ)“層”可描述具有一個(gè)或多個(gè)邊界表面的層，這些一個(gè)或多個(gè)邊界表面具有其它層和/或其它像真空這樣的介質(zhì)(使用中)。然而，應(yīng)當(dāng)了解“層”還可意味著結(jié)構(gòu)的部分。術(shù)語(yǔ)“層”還可表示許多層。這些層可以是比如彼此緊鄰的或者是一個(gè)位于另一個(gè)上方，等等。它們還可包括一種材料或多種材料的組合。還應(yīng)當(dāng)注意的是，這里所使用的術(shù)語(yǔ)“層”可描述連續(xù)的或不連續(xù)的。在本發(fā)明中，這里所使用的術(shù)語(yǔ)“材料”還可被解釋成材料的組合。
這里所使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“射束”包含所有類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(如具有365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng)λ)和極遠(yuǎn)紫外(EUV或軟x射線(xiàn))輻射(如具有范圍為5-20nm的波長(zhǎng))，以及粒子束(如離子射束或電子射束)。一般地，具有介于大約780-3000nm之間(或更大)的波長(zhǎng)的輻射被看作是IR輻射。UV指具有約為100-400nm的波長(zhǎng)的輻射。在光刻技術(shù)內(nèi)，它通常還適用于可由水銀放電燈產(chǎn)生的波長(zhǎng)G-線(xiàn)436nm；H-線(xiàn)405nm；和/或I-線(xiàn)365nm。VUV為真空UV(即被空氣吸收的UV)并且指約為100-200nm的波長(zhǎng)。DUV為深UV，并且通常在由受激準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生的如126nm-248nm的波長(zhǎng)的光刻術(shù)中使用。本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解，具有范圍為比如5-20nm的波長(zhǎng)的輻射涉及某一波帶的輻射，其中至少部分被發(fā)現(xiàn)處于5-20nm的范圍內(nèi)。
這里的折射率指在輻射波長(zhǎng)處或者在輻射波長(zhǎng)范圍內(nèi)的折射率，所述的輻射波長(zhǎng)范圍選自100-400nm的范圍，比如介于100和200nm之間。
圖2更詳細(xì)地示出了投影設(shè)備1，其包括輻射系統(tǒng)42、照明光學(xué)單元44、以及投影光學(xué)系統(tǒng)PS。輻射系統(tǒng)42包括輻射源SO，其可通過(guò)放電等離子體而構(gòu)成。EUV輻射可由氣體或蒸汽(如Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)產(chǎn)生，其中生成非常熱的等離子體，以便在電磁光譜的EUV范圍內(nèi)發(fā)射輻射。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的，通過(guò)比如放電而促成至少部分離子化的等離子體從而產(chǎn)生非常熱的等離子體。輻射的有效生成需要Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它適當(dāng)?shù)臍怏w或蒸汽的例如010Pa的分壓。由輻射源SO發(fā)射的輻射經(jīng)由氣體阻擋層或污染物陷阱(contamination trap)49從源室47進(jìn)入集光器室48，氣體阻擋層或污染物陷阱49位于源室47中的開(kāi)口內(nèi)或后面。比如在美國(guó)專(zhuān)利6,614,505、6,359,969和WO 04/104707中詳細(xì)描述過(guò)，氣體阻擋層49包括通道結(jié)構(gòu)，在這里通過(guò)引用而將其內(nèi)容結(jié)合在此。
集光器室48包括輻射集光器50，輻射集光器50可由比如掠入射集光器構(gòu)成。集光器50可包括若干反射器142、143、146。反射器142被稱(chēng)為內(nèi)反射器，反射器146被稱(chēng)為外反射器。輻射集光器50對(duì)現(xiàn)有技術(shù)來(lái)說(shuō)是已知的?？捎糜诒景l(fā)明的輻射集光器的一個(gè)示例在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公布2004/0094274 A1(例如在圖3和4中)被描述過(guò)，在這里通過(guò)引用而將其內(nèi)容結(jié)合在此。
經(jīng)過(guò)集光器50的輻射被反射，從光柵光譜濾光片51離開(kāi)而被聚焦于集光器室48內(nèi)的孔徑處的虛源點(diǎn)52。離開(kāi)集光器室48后，輻射束56在照明光學(xué)單元44中借助于正入射反射器53、54被反射到位于分劃板或掩模工作臺(tái)MT上的分劃板或掩模上。形成圖案化的輻射束57，圖案化的輻射束57借助于反射元件58、59在投影系統(tǒng)PS內(nèi)被成像于晶片臺(tái)或襯底工作臺(tái)WT上。在照明光學(xué)單元44和投影系統(tǒng)PS中存在有比所示出的更多的元件。取決于光刻設(shè)備的類(lèi)型，可提供光柵光譜濾光片51。另外，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解的，可存在有比圖中所示的還要多的反射鏡，如存在有比58、59多出1-4個(gè)反射元件，這在比如美國(guó)專(zhuān)利6,556,648中被描述的，在這里通過(guò)引用而將其結(jié)合在此。
如圖1和2所示的光刻設(shè)備可以是下列光刻設(shè)備，比如EUV光刻設(shè)備，包括被配置成可調(diào)節(jié)輻射束的照明系統(tǒng)；被配置成可支持圖案形成裝置的支持體，圖案形成裝置被配置成可在其橫截面上將圖案?jìng)鬟f給輻射束以形成圖案化的輻射束；被配置成可支持襯底的襯底工作臺(tái)；被配置成可將圖案化的輻射束投射到襯底的目標(biāo)部分的投影系統(tǒng)；輻射源；以及集光器反射鏡。
在一個(gè)實(shí)施例中，由集光器反射鏡50收集的、用于本發(fā)明光刻設(shè)備和方法的輻射包括EUV輻射，該輻射具有選自5-20nm范圍的波長(zhǎng)，如13.5nm。
圖3示意性地描述了按照本發(fā)明的多層反射鏡100。多層反射鏡100包括多層反射鏡疊層102，比如包括許多交替的Mo/Si、或W/Si、或WRe/Si層。多層反射鏡100可以是正入射反射鏡。對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，多層反射鏡和正入射反射鏡是已知的。這樣的反射鏡在下列文獻(xiàn)中被描述，比如J.H.Underwood和T.W.Barbee、Jr.的“Layered synthetic microstructures as Bragg diffractorsfor X rays and extreme ultraviolettheory and predictedperformance”，Applied Optics 20，3027(1981)；K.M.Skulina、C.S.Alford、R.M.Bionta、D.M.Makowieki、E.M.Gullikson、R.Soufli、J.B.Kortright和J.H.Underwood的“Molybdenum/BerylliumMultilayer Mirrors for Normal Incidence in the ExtremeUltraviolet”，Applied Optics34，3727(1995)；以及EberhardSpiller的“Soft X-ray Optics”，SPIE，Bellingham Washington(1994)，通過(guò)引用而將其全部結(jié)合在此。多層疊層102具有頂部層103，其可以是Mo或Si(即屬于多層疊層102的若干層之一)。在這個(gè)多層疊層頂部層103的頂部，設(shè)有光譜純度增強(qiáng)層104并且可選地設(shè)有附加的覆蓋層105。按照本發(fā)明的多層反射鏡的許多實(shí)施例在圖4a-c中被示意性地詳細(xì)描述。
圖4a示意性地描述了按照本發(fā)明實(shí)施例的多層反射鏡，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層上的光譜濾光片頂部層104。光譜濾光片頂部層104可包括具有層厚為d1的第一光譜純度增強(qiáng)層110；具有層厚為d2的中間層111；以及具有層厚為d3的第二光譜純度增強(qiáng)層112，第二光譜純度增強(qiáng)層被布置在多層疊層頂部層103上?？稍O(shè)置覆蓋層105。
圖4b示意性地描述了按照本發(fā)明的多層反射鏡100的另一個(gè)實(shí)施例，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層上的光譜濾光片頂部層104。光譜濾光片頂部層104可包括具有層厚為d1的第一光譜純度增強(qiáng)層110；以及具有層厚為d2的中間層111；中間層111被布置在多層疊層頂部層103上。
圖4c示意性地描述了按照本發(fā)明的多層反射鏡100的另一個(gè)實(shí)施例，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層上的光譜濾光片頂部層104。光譜濾光片頂部層104可包括具有層厚為d1的第一光譜純度增強(qiáng)層110；第一光譜純度增強(qiáng)層110被布置在多層疊層頂部層103上。
使用這些光譜濾光片頂部層104，可濾出特定的輻射頻帶。這提供了靈活性，因?yàn)橥ㄟ^(guò)改變包括在光譜純度增強(qiáng)層104中的相應(yīng)層的一種或多種被選擇的材料(分別為m1、m2和m3)、被選擇的層厚(分別為d1、d2和d3)，以及通過(guò)選擇接受這樣的光譜濾光片頂部層104的多層反射鏡的數(shù)目可調(diào)整抑制量。如此，可使用不想要輻射(如DUV)的所需要的抑制，同時(shí)最小化的EUV損失。不同的光譜濾光片頂部層104可在不同的反射鏡上使用以便使抑制更寬或更強(qiáng)。
這將被詳細(xì)解釋?zhuān)紫葏⒁?jiàn)只包括第一光譜純度增強(qiáng)層110的光譜濾光片頂部層104，例如如圖4c所示。隨后，討論兩個(gè)其它實(shí)施例，前者針對(duì)包括了兩個(gè)被中間層隔開(kāi)的光譜純度增強(qiáng)層的光譜濾光片頂部層104，后者針對(duì)包括了第一光譜純度增強(qiáng)層和中間層的光譜濾光片頂部層104。
圖5示意性地描述了如圖4c所描述的按照本發(fā)明實(shí)施例的多層反射鏡100，其包括多層疊層102和光譜濾光片頂部層104，光譜濾光片頂部層104只包括層厚為d1的第一光譜純度增強(qiáng)層110。圖5實(shí)際上示出的是3-層系統(tǒng)，其中第一“層”是在多層反射鏡100上方的空氣，例如在處理?xiàng)l件下的真空。第二層是第一光譜純度增強(qiáng)層110；以及系統(tǒng)的第三層是多層疊層102?？紤]未達(dá)到正入射的輻射(例如之間相差多達(dá)15°)，因?yàn)槎鄬盈B層102還可用于正入射光。因此，結(jié)果不是偏振相關(guān)的，即橫向電模(TE)與橫向磁模(TM)相同。
在光束從層1(周?chē)h(huán)境；多層反射鏡1上方的空氣)進(jìn)入系統(tǒng)時(shí)，在其頂部具有第一光譜純度增強(qiáng)層110的多層疊層102的強(qiáng)度反射R的方程是R＝|r|2r＝r12+t21·bb=r23·t12·exp(i·2·K2·t)1-r23·r21·exp(i·2·K2·t)---(1)]]>K2=2πλ·N2]]>其中rpq是從層p進(jìn)入并在p和q之間的界面處反射的正入射平面波的反射的菲涅耳振幅反射系數(shù)。在這里r23是在第一光譜純度增強(qiáng)層110內(nèi)、在第一光譜純度增強(qiáng)層110和多層疊層102之間的界面處的光反射；tpq是從層p進(jìn)入層q的平面波透射的菲涅耳振幅透射系數(shù)；λ是光的波長(zhǎng)；t是第一光譜純度增強(qiáng)層110的厚度(即d1)；K2是介質(zhì)p中的波數(shù)；Np＝np+j*kp為介質(zhì)p的復(fù)折射率。
對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，菲涅耳反射是公知的并且實(shí)際上可在任何有關(guān)光學(xué)的書(shū)上找到(參見(jiàn)，比如E.Hecht的“Optics”第二版，Addison Wesley，1997，在這里通過(guò)引用而將其結(jié)合在此)。對(duì)于正入射光，來(lái)自介質(zhì)p的光在介質(zhì)p和介質(zhì)q之間的界面處的菲涅耳反射是與偏振無(wú)關(guān)的，并通過(guò)下式給出rpq＝(Np-Nq)/(Np+Nq)。在多層的情形中，應(yīng)當(dāng)計(jì)算來(lái)自層2、在第一光譜純度增強(qiáng)層110和多層疊層102之間的界面處的射束的反射r23。
第一光譜純度增強(qiáng)層110的厚度可以盡可能地小，以避免EUV損失。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括選自Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF的材料m1。在又一個(gè)實(shí)施例中，材料m1選自Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳。光譜濾光片頂部層104(在這個(gè)實(shí)施例中為第一光譜純度增強(qiáng)層110)具有的層厚d1介于大約0.5和30nm之間。按照本發(fā)明的實(shí)施例在下面的表1中給出。
表1 單層光譜純度增強(qiáng)層104的實(shí)施例的示例

當(dāng)將射束PB的射線(xiàn)r投射到多層反射鏡1時(shí)，盡可能低的反射要求在被直接反射的不想要輻射和已經(jīng)在第一光譜純度增強(qiáng)層110中傳播了至少一個(gè)往返的不想要輻射之間的相消干涉。
為了導(dǎo)出第一光譜純度增強(qiáng)層110的厚度的方程，將直接反射的復(fù)振幅(r12)和對(duì)已經(jīng)在第一光譜純度增強(qiáng)層110中傳播了一個(gè)往返的反射的影響(r1)相比較r1＝t12·t21·r23·exp(i·2·K2·t)(2)對(duì)于直接反射和已經(jīng)在第一光譜純度增強(qiáng)層110中傳播了一個(gè)往返的影響之間的相消干涉，比率Q≡r1/r2的自變量應(yīng)當(dāng)是πr1＝t12·t21·r23·exp(i·2·K2·t)Q=t12·t21·r23·exp(i·2·K2·t)t12---(3)]]>
相消干涉arg(Q)＝π按照N＝n+j*k，其中N＝復(fù)折射率，n＝復(fù)折射率的實(shí)部，以及k＝復(fù)折射率的虛部，例如，對(duì)于上述的以及在圖5中所描述的系統(tǒng)，在將a-Si(而不是Si/Mo多層疊層)作為多層疊層102的頂部層103以及將Si3N4作為第一光譜純度增強(qiáng)層110時(shí)，波長(zhǎng)為198.4nm的折射率為空氣 N1＝1Si3N4N2＝2.62+j*0.174a-Si N3＝1.028+j*2.1716981i)利用IMD軟件計(jì)算Si3N4對(duì)Si/Mo多層疊層102的影響以及ii)利用方程(1)計(jì)算Si3N4對(duì)a-Si襯底(作為模型，而不是多層疊層102)的影響，得到如圖6所描述的結(jié)果。在這個(gè)圖形中，描述了使用IMD軟件計(jì)算的具有a-Si/Mo多層疊層102的模型的結(jié)果和使用方程(1)計(jì)算的a-Si襯底(作為模型，而不是多層疊層102)的結(jié)果并，且看來(lái)似乎在計(jì)算的Si3N4對(duì)多層疊層的影響和計(jì)算的Si3N4對(duì)a-Si襯底的影響之間有一個(gè)明顯的重疊。這表明了在Si3N4/a-Si界面處的高反射。當(dāng)使用方程(3)計(jì)算直接反射和已經(jīng)在光譜純度增強(qiáng)層104(在這里指第一光譜純度增強(qiáng)層110(Si3N4)涂層)中傳播了單個(gè)往返的影響之間相位差(提供圖6中重復(fù)急降的曲線(xiàn)(注意右側(cè)的垂直軸)，該曲線(xiàn)還用標(biāo)記數(shù)字120表示)時(shí)，可以看到在其中直接反射和已經(jīng)在第一光譜純度增強(qiáng)層110中傳播了一次的影響之間相位差是π的Si3N4層的厚度(X-軸)與空氣/Si3N4/a-Si三層模型的反射的最小值之間只有較小的差別。所以判據(jù)(3)的確看來(lái)對(duì)于厚度是一個(gè)很好的判據(jù)。在相位差為π的地方，i)和ii)都具有其最小的相消干涉，并且在相位差為2π的地方，i)和ii)都具有其最大的相消干涉。因?yàn)閷雍馾(在這里為d1)為盡可能的小，所以相位差為π之處的第一最小值將被選擇，導(dǎo)致了針對(duì)這個(gè)波長(zhǎng)(198.4nm)的、約為4-11nm(比如約9±1nm)的這個(gè)實(shí)施例的層厚d1將被減少?？紤]界面處的振幅反射和透射表2針對(duì)198.4nm輻射的在圖4c和5的模型中的界面處的反射和透射

與直接反射和已經(jīng)在第一光譜純度增強(qiáng)層110中傳播了一次的影響之間相位差相關(guān)的反射和透射為斜體字。表2示出了由于在Si3N4/a-Si界面處的反射引起的0.532*π的較大相移。在界面處的其它相移都相當(dāng)小并且直接反射和已經(jīng)在第一光譜純度增強(qiáng)層110中傳播了一次的影響之間的總相位差為0.52*π。由于Si3N4層較高的實(shí)折射率，在假定不想要的輻射具有198.4nm的波長(zhǎng)的情形下，只有約4-11nm(比如約9nm)的厚度對(duì)額外的0.48*π相移以及為π的總相位差來(lái)說(shuō)已足夠。
因此，本發(fā)明還提供了包括多層反射鏡1的實(shí)施例，其中包括在光譜濾光片頂部層104中的層110的材料m1和層110的層厚d1被設(shè)計(jì)成比如可滿(mǎn)足下列判據(jù)r1＝t12·t21·r23·exp(i·2·K2·t)Q=t12·t21·r23·exp(i·2·K2·t)r12---(3)]]>相消干涉arg(Q)＝π其中r12是從層1(即多層反射鏡1上方的大氣)進(jìn)入并在層1和層2(即第一光譜純度增強(qiáng)層110)之間的界面處反射的正入射平面波的反射的菲涅耳振幅反射系數(shù)，其中層1和層2分別為多層反射鏡上方的大氣和光譜濾光片頂部層104(即第一光譜純度增強(qiáng)層110)；r23是從層2進(jìn)入并在層2和層3之間的界面處反射的正入射平面波的反射的菲涅耳振幅反射系數(shù)，其中層2和層3分別為光譜濾光片頂部層104(即第一光譜純度增強(qiáng)層110)和多層疊層頂部層103；tpq是從層p進(jìn)入層q的平面波的透射的菲涅耳振幅透射系數(shù)；λ是輻射的波長(zhǎng)；以及t是光譜濾光片頂部層104(即第一光譜純度增強(qiáng)層110；因此在這些實(shí)施例中t＝d＝d1)的厚度。
因此，厚度的初始值應(yīng)當(dāng)被選擇成以使服從關(guān)系(3)。如果有必要，通過(guò)使具有多層疊層的系統(tǒng)的反射最小可實(shí)施另外的實(shí)驗(yàn)。對(duì)于第一光譜純度增強(qiáng)層110的盡可能小的厚度d1(在這個(gè)實(shí)施例中d＝d1)，在一個(gè)實(shí)施例中，選擇第一光譜純度增強(qiáng)層110的折射率以使在第一光譜純度增強(qiáng)層110和多層疊層102的多層疊層頂部層103之間的界面處的反射的量值較大，并且由于在這個(gè)界面處的反射引起的相移也較大。在一個(gè)實(shí)施例中，層110被選擇成以使Q(如在方程(3)中所定義的)的量值盡可能接近1，在另一個(gè)實(shí)施例中，范圍為1±0.05，并且arg(Q)＝((1±0.05)*π+s*2π)(其中s是≥0的整數(shù))。對(duì)于多重反射，這可能不再是完全正確的，但是其仍然是一個(gè)很好的選擇。在一個(gè)實(shí)施例中，這可以通過(guò)選擇第一光譜純度增強(qiáng)層110的材料m1而獲得，其折射率的實(shí)部(n)盡可能大并且虛部(k)盡可能小，或者對(duì)于給定第一光譜純度增強(qiáng)層110的厚度d1來(lái)說(shuō)，由于通過(guò)第一光譜純度增強(qiáng)層110的傳播而使往返相移(arg(Q)＝π、3*π、5*π等)盡可能大，層110需要該層材料具有較大的折射率的實(shí)部。
因此，按照本發(fā)明的實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110具有的復(fù)折射率的虛部k≤0.25*n+1.07，其中n為復(fù)折射率的實(shí)部。按照本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)實(shí)施例，復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于1.5，以及復(fù)折射率的虛部等于或小于2。在又一個(gè)實(shí)施例中，第一光譜純度增強(qiáng)層110具有的復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于2，以及復(fù)折射率的虛部等于或小于1.6。在這里折射率指輻射波長(zhǎng)的或者選自100-400nm(如介于100和200nm之間的)范圍的輻射波長(zhǎng)范圍內(nèi)的折射率。例如，當(dāng)期望減少190nm波長(zhǎng)或者130-190nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的輻射時(shí)，材料和層厚被選擇成滿(mǎn)足這里所描述的判據(jù)。
按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層102上的光譜濾光片頂部層104，光譜濾光片頂部層104包括被布置在多層疊層頂部層103上的第一光譜純度增強(qiáng)層110，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括材料m1并具有層厚d1，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110包括具有復(fù)折射率的虛部k≤0.25*n+1.07的材料m1，其中n是復(fù)折射率的實(shí)部并且光譜濾光片頂部層110具有介于0.5和30nm之間的層厚d1。
按照又一個(gè)實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層102上的光譜濾光片頂部層104，光譜濾光片頂部層104包括被布置在多層疊層頂部層103上的第一光譜純度增強(qiáng)層110，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括材料m1并具有層厚d1，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110包括具有復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于2以及復(fù)折射率的虛部等于或小于1.6的材料m1，并且光譜濾光片頂部層110具有介于0.5和30nm之間的層厚d1。
這些實(shí)施例可以組合。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其中包括在光譜濾光片頂部層104中的層的材料以及層的層厚d(即第一光譜純度增強(qiáng)層110的材料m1以及層厚d1)被設(shè)計(jì)成比如可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
按照另一個(gè)實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層102上的光譜濾光片頂部層104，光譜濾光片頂部層104包括被布置在多層疊層頂部層103上的第一光譜純度增強(qiáng)層110，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括材料m1并具有層厚d1，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110包括的材料m1選自Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，并且光譜濾光片頂部層110具有介于0.5和30nm之間的層厚d1。
圖7和8示出的是這個(gè)實(shí)施例的進(jìn)一步的變化，它們分別描述了光譜純度增強(qiáng)層104(即110)的多種材料m1的選擇對(duì)反射率的影響，以及Si3N4的光譜純度增強(qiáng)層110的厚度(即d1)對(duì)反射率的影響。這些實(shí)施例都針對(duì)具有某一材料(如Si)的頂部層103的標(biāo)準(zhǔn)50層Si/Mo多層反射鏡100。在圖例中列示的百分?jǐn)?shù)給出了13.5nm EUV輻射的反射率；y軸上的值表示反射率(*100％)。圖7示出了針對(duì)100-200nm范圍的、在多層反射鏡1上的第一光譜純度增強(qiáng)層110的某些理論示例。第一光譜純度增強(qiáng)層110的適合的候選材料m1的實(shí)施例是非晶碳、金剛石、SiC和Si3N4。模擬表明在目標(biāo)波長(zhǎng)時(shí)的高折射率和EUV的低吸收的組合是期望的(還是參見(jiàn)上面)。由此得到的反射率曲線(xiàn)是多層反射鏡100(即多層疊層102)和光譜純度增強(qiáng)層104(即在這些實(shí)施例中是第一光譜純度增強(qiáng)層110)的反射率曲線(xiàn)的組合。除此之外，第一光譜純度增強(qiáng)層110的反射率曲線(xiàn)還根據(jù)厚度發(fā)生改變(也是參見(jiàn)上面；以及圖6)。由此，具有最小反射率的波長(zhǎng)取決于第一光譜純度增強(qiáng)層110的厚度。圖8示出的是利用Si3N4作為第一光譜純度增強(qiáng)層110以及具有變化的厚度d1的Si/Mo多層疊層102的另一個(gè)實(shí)施例。因此，在一個(gè)實(shí)施例，提供了具有光譜純度增強(qiáng)層104的多層反射鏡100，光譜純度增強(qiáng)層104只包括第一光譜純度增強(qiáng)層110，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括Si3N4，第一光譜純度增強(qiáng)層110具有的層厚d1介于4和11nm之間。
為了提供光譜純度增強(qiáng)層104，例如光譜純度增強(qiáng)層1-4只包括第一光譜純度增強(qiáng)層110，可使用LP-CVD、PE-CVD或其它技術(shù)。通過(guò)在硅片上沉積Si3N4層進(jìn)行了模型研究，以便實(shí)際測(cè)試SPE-層的原理。選擇了15nm的層厚d1。針對(duì)這個(gè)厚度，最低的理論反射率約為10％，因此第一光譜純度增強(qiáng)層110在這個(gè)范圍內(nèi)工作得不是非常好，但是反射率的損失足夠驗(yàn)證原理。利用橢偏測(cè)量術(shù)，沉積的Si3N4層110的厚度d1被確定為13.5nm(LP-CVD沉積時(shí)間是1分45秒)，其具有大約0.5nm的估計(jì)的RMS表面粗糙度。
圖9示出的是與裸露的硅片的測(cè)量的反射率曲線(xiàn)相比較的、被涂敷了Si3N4的硅晶片的測(cè)量的反射率曲線(xiàn)。還示出了來(lái)自IMD的理論曲線(xiàn)。很明顯，實(shí)驗(yàn)的第一光譜純度增強(qiáng)層110與計(jì)算的值之間具有非常好的一致性，這證明了光譜純度增強(qiáng)層104(在這個(gè)實(shí)施例中僅為第一光譜純度增強(qiáng)層110)的原理如所期望地那樣工作。
如圖8所示，在光譜純度增強(qiáng)層104的頂部存在有覆蓋層105。因此，按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其中光譜濾光片頂部層104還包括位于第一光譜純度增強(qiáng)層110頂部的覆蓋層105，其包括Ru并具有介于0.5和2.5nm之間的層厚d4。另外，在一個(gè)實(shí)施例中，還使用其它的材料作為覆蓋層105，例如材料m4選取自BN、B4C、B、C(如類(lèi)似金剛石的碳)、TiN、Pd、Rh、Au或C2F4。在又一個(gè)可選用的實(shí)施例中，第一光譜純度增強(qiáng)層110還被用作覆蓋層105。用作覆蓋層105(即第一光譜純度增強(qiáng)層110同時(shí)是覆蓋層105)的適當(dāng)?shù)牟牧蟤4可選自Si3N4、SiC、MgF2或LiF。覆蓋層可提供進(jìn)一步的保護(hù)以抵抗來(lái)自比如其中按照本發(fā)明的多層反射鏡100被使用的光刻設(shè)備中提供的源或其它粒子或氣體的粒子的物理侵襲、化學(xué)氧化。因此，在另一個(gè)實(shí)施例中，提供了多層反射鏡，其中光譜濾光片頂部層104還包括位于第一光譜純度增強(qiáng)層110頂部的覆蓋層105，覆蓋層105包括選自Ru、BN、B4C、B、C(如類(lèi)似金剛石的碳)、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、Si3N4、SiC、MgF2或LiF的材料m4，并且具有介于0.5和11nm之間的層厚d4。在一種變化中，第一光譜純度增強(qiáng)層110的材料m1包括不同于覆蓋層105的材料m4的材料，比如m1是Si3N4而m4是Ru。
圖10示出的是作為輻射波長(zhǎng)的函數(shù)的、具有覆蓋層105的實(shí)施例的示范反射(y軸*100％)，其描述了在第一光譜純度增強(qiáng)層110上包括了Ru的覆蓋層105對(duì)反射率的影響。
在一個(gè)實(shí)施例中，假定借助于傳統(tǒng)多層反射鏡100的正常光抑制在介于130和190nm之間的DUV范圍內(nèi)是不足的，并且假定當(dāng)前的DUV強(qiáng)度需要被減小到其當(dāng)前功率(current power)的10％。這些是對(duì)EUV光刻工具所能期望的典型值。EUV光刻系統(tǒng)通常包含11個(gè)Si/Mo多層反射鏡。按照上述實(shí)施例的第一光譜純度增強(qiáng)層110將被放置在這些反射鏡100的某些上面，如在多層疊層頂部層103上，以便取得在DUV范圍內(nèi)足夠的抑制。使用第一光譜純度增強(qiáng)層110在選擇EUV光的抑制和由此產(chǎn)生的損失方面提供了靈活性。利用標(biāo)準(zhǔn)的光譜純?yōu)V光片，損失總是約為50％，但是在這種情形下，它們可能更低。因?yàn)榻橛?30和190nm之間的DUV范圍需要被抑制，在一個(gè)實(shí)施例中，選擇5nm的Si3N4第一光譜純度增強(qiáng)層110。
圖11示出的是針對(duì)第一光譜純度增強(qiáng)層110的增加數(shù)目(1-5)(即包括這樣的第一光譜純度增強(qiáng)層110的多層反射鏡100的增加數(shù)目)的DUV光的抑制，并且還示出了在DUV范圍內(nèi)10％反射率的目標(biāo)(水平虛線(xiàn))。從圖11可以看到，具有覆蓋了Ru的5nm Si3N4第一光譜純度增強(qiáng)層110的兩個(gè)多層反射鏡足以達(dá)到想要的DUV抑制。事實(shí)上，利用兩個(gè)第一光譜純度增強(qiáng)層110，針對(duì)130-190nm范圍內(nèi)的任何波長(zhǎng)，DUV被減至低于15％并且平均減少降至7％。由此引起的EUV損失可通過(guò)將兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的覆蓋了Ru的多層反射鏡100的反射率(每個(gè)反射鏡的R～75％、總Rtot～56％)和兩個(gè)覆蓋了Ru的、具有5nm Si3N4第一光譜純度增強(qiáng)層110(每個(gè)反射鏡的R～63％、Rtot～40％)進(jìn)行比較來(lái)計(jì)算，結(jié)果產(chǎn)生了由于第一光譜純度增強(qiáng)層110而造成的EUV光的16％的損失。作為比較，標(biāo)準(zhǔn)光譜純?yōu)V光片有50％的損失。在將這里給定的EUV損失和經(jīng)過(guò)2×5＝10nm的Si3N4層的吸收進(jìn)行比較時(shí)，損失為每個(gè)多層反射鏡1是6％，這意味著多層反射鏡1的反射率應(yīng)是69％而不是計(jì)算的63％。這個(gè)額外的EUV損失是EUV波長(zhǎng)發(fā)生的干涉效應(yīng)造成的。為了避開(kāi)這個(gè)，可將Si3N4層分成兩部分，并包括一層比如Mo在其間。在這么做時(shí)，計(jì)算的反射鏡的EUV反射率是68％，完全與在第一光譜純度增強(qiáng)層110中的EUV吸收一致。這將在下面本發(fā)明的另一個(gè)方面中進(jìn)行說(shuō)明。
能夠計(jì)算第一光譜純度增強(qiáng)層110的數(shù)目，其具有與標(biāo)準(zhǔn)光譜純?yōu)V光片(NOSPE)相同的損失(50％)[REUV,SPEREUV,NOSPE]X=0.5⇒X=log(0.5)log[REUV,SPEREUV,NOSPE]=log(0.5)log(0.84)=4]]>這意味著利用四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)第一光譜純度增強(qiáng)層110，EUV的總損失為50％，平均DUV減少降至0.7％(大致為兩個(gè)數(shù)量級(jí))。如果在標(biāo)準(zhǔn)的第一光譜純度增強(qiáng)層110頂部上沒(méi)有使用Ru覆蓋層105，比如因?yàn)榈谝还庾V純度增強(qiáng)層110可充當(dāng)覆蓋層本身，則6個(gè)第一光譜純度增強(qiáng)層110合計(jì)可用于50％的相同損失，并給出平均DUV抑制降至0.012％(大致為四個(gè)數(shù)量級(jí))。
在一個(gè)實(shí)施例中，按照本發(fā)明的多層反射鏡100是正入射反射鏡，其被配置成可反射具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射。在又一個(gè)實(shí)施例中，按照本發(fā)明的多層反射鏡100是一個(gè)正入射Si/Mo多層反射鏡，其被配置成可反射具有選自12-15nm波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射，例如13.5nm的EUV輻射。
按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，提供了如上所述的光刻設(shè)備，其包括一個(gè)或多個(gè)如上所述的并且在圖4c和5中被示意性描述的多層反射鏡100。因此，在另一個(gè)方面，本發(fā)明還提供了一種在兩個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射輻射的源的輻射束中，通過(guò)在反射鏡上反射至少部分的該源的輻射束，放大具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射和具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射之間的比率的方法。
如上所述，在另一個(gè)實(shí)施例中，光刻設(shè)備包括按照本發(fā)明的兩個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100，其作為正入射反射鏡被放置在由源SO產(chǎn)生的輻射束中。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種光刻設(shè)備和/或方法，其中使用了按照本發(fā)明的多個(gè)多層反射鏡100，例如，在另一個(gè)實(shí)施例中，使用了兩個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100，并且其中在由源產(chǎn)生的輻射束中最接近源的多層反射鏡的反射的輻射分別在一個(gè)或多個(gè)緊鄰的多層反射鏡100上被反射。
按照又一個(gè)實(shí)施例，提供了一種光刻設(shè)備和/或方法，其中光刻設(shè)備包括多個(gè)如上所述的多層反射鏡100，并且其中層104的材料m1(即第一光譜純度增強(qiáng)層110)和包括在不同多層反射鏡100的光譜濾光片頂部層104內(nèi)的層110的層厚d(即d1)分別被設(shè)計(jì)成比如可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍基本部分的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
通過(guò)使用多個(gè)按照本發(fā)明的多層反射鏡100，其中多層反射鏡在第一光譜純度增強(qiáng)層110的厚度d1或材料m1或兩者上分別發(fā)生變化，對(duì)過(guò)濾掉不想要的波長(zhǎng)可進(jìn)行調(diào)節(jié)以使想要的波長(zhǎng)(比如介于5和20nm之間的)基本上未被減少(例如，相對(duì)于不具有這樣的第一光譜純度增強(qiáng)層110的相同多層反射鏡，少于約50％的減少)，而DUV輻射基本上被減少(相對(duì)于不具有這樣的第一光譜純度增強(qiáng)層110的相同多層反射鏡，90％、或約95％、乃至約99％或以上的減少)。在一個(gè)實(shí)施例中，這樣的減少可應(yīng)用于100-400nm波長(zhǎng)范圍的基本部分，例如介于100-400nm之間的波長(zhǎng)范圍的15％，即對(duì)于該波長(zhǎng)范圍的至少約15％來(lái)說(shuō)，在這個(gè)波長(zhǎng)范圍的至少約15％部分輻射減少至少約為總輻射的90％。在一個(gè)實(shí)施例中，至少在介于約130和190nm之間的波長(zhǎng)的輻射被減少約90％，或更多。
在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100裝有光譜純度增強(qiáng)層104，其被設(shè)計(jì)用于使具有100-200nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的輻射減少，并且一個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100裝有光譜純度增強(qiáng)層104，其被設(shè)計(jì)用于使具有200-300nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的輻射減少。
按照本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了裝置制造方法，包括提供輻射束；將輻射束圖案化；將圖案化的輻射束投射到襯底的目標(biāo)部分；在兩個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射輻射的源的輻射束中，通過(guò)在按照如上所述實(shí)施例的反射鏡上反射至少部分的該源的輻射束，放大具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射和具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射之間的比率。
如上所述，可使用具有第一光譜純度增強(qiáng)層110的多個(gè)多層反射鏡100。另外，按照本發(fā)明的又一個(gè)方面以及如圖4a中示意性描述的，提供了多層反射鏡100，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層103上的光譜濾光片頂部層104。光譜濾光片頂部層104包括第一光譜純度增強(qiáng)層110，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括材料m1并具有層厚d1；中間層111包括材料m2并具有層厚d2；第二光譜純度增強(qiáng)層112包括材料m3并具有層厚d3，第二光譜純度增強(qiáng)層112被布置在多層疊層頂部層103上。
如上面所提到的在具有單個(gè)光譜純度增強(qiáng)層110的實(shí)施例中，存在有由發(fā)生在EUV波長(zhǎng)時(shí)的干涉效應(yīng)造成的一些額外的EUV損失。第一光譜純度增強(qiáng)層110的厚度可被確定，為此EUV中的干涉不會(huì)給出負(fù)效應(yīng)(參見(jiàn)上面只包括第一光譜純度增強(qiáng)層110的光譜純度增強(qiáng)層104的實(shí)施例)，例如在EUV區(qū)域內(nèi)干涉的厚度不會(huì)發(fā)生(例如7nm的Si3N4層不可能具有由EUV干涉造成的損失)，或者選擇額外層111位于其間，其在本實(shí)施例中被描述(光譜濾光片頂部層104包括第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112以及中間層111)。
因此，為了避開(kāi)或盡可能將EUV干涉損失減至最小，按照本發(fā)明的本實(shí)施例，第一光譜純度增強(qiáng)層110(如Si3N4)被“分”成兩部分，即第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112，并包括中間層111(比如Mo)在其間。這可導(dǎo)致干涉損失的減少。在這么做時(shí)，計(jì)算的反射鏡100的EUV反射率是68％，在假定是Si3N4的情形下，完全與在第一光譜純度增強(qiáng)層110中的EUV吸收一致。
參見(jiàn)圖11，虛曲線(xiàn)表示如下1302個(gè)具有分離的光譜純度增強(qiáng)層的反射鏡；1313個(gè)具有分離的光譜純度增強(qiáng)層的反射鏡；1324個(gè)具有分離的光譜純度增強(qiáng)層的反射鏡；1335個(gè)具有分離的光譜純度增強(qiáng)層的反射鏡。因此，分離的光譜純度增強(qiáng)層指如圖4a所描述的實(shí)施例一個(gè)第一光譜純度增強(qiáng)層110、中間層111和第二光譜純度增強(qiáng)層112。圖11示出了與用實(shí)曲線(xiàn)所示的相同的計(jì)算(即一個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100，每一個(gè)具有只包括第一光譜純度增強(qiáng)層110的光譜純度增強(qiáng)層104)，但在這種情形下，接著2.5nm的Si3N4第一光譜純度增強(qiáng)層110的是2nm的Mo的中間層，接著是2.5nm的Si3N4第二光譜純度增強(qiáng)層112，接著是是2.5nm的Ru覆蓋層105。這些曲線(xiàn)看上去非常相似，但是虛曲線(xiàn)具有稍小的EUV抑制并且被稍微移向更短的波長(zhǎng)。在這種情形下，可能需要三個(gè)具有這個(gè)實(shí)施例的光譜純度增強(qiáng)層(分離層)的多層反射鏡100以便達(dá)到低于10％的抑制，但是總損失更低，即11％EUV損失并伴隨平均DUV抑制降至3.4％(三個(gè)覆蓋了Ru的反射鏡Rtot～42％；3個(gè)Mo-分離的光譜純度增強(qiáng)層110和112的覆蓋了Ru的反射鏡Rtot～31％)。
如上所述，當(dāng)使用四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的第一光譜純度增強(qiáng)層110時(shí)，EUV的總損失是50％，平均DUV減少降至0.7％。(大致為兩個(gè)數(shù)量級(jí))。然而，對(duì)于本發(fā)明的Mo-分離的第一光譜純度增強(qiáng)層來(lái)說(shuō)，可使用最大七個(gè)光譜純度增強(qiáng)層110+112(即七個(gè)光譜純度增強(qiáng)層104、每一個(gè)包括層110、111和112，并且每一個(gè)分別被布置在不同的多層反射鏡100上)，同時(shí)平均DUV抑制降至0.06％(大致為三個(gè)數(shù)量級(jí))。在另一個(gè)實(shí)施例中，d1+d2的厚度近似與如上述實(shí)施例中給定的并在表1的實(shí)施例中表示的d1的厚度相同。
本實(shí)施例可使用Ru覆蓋層105。
按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層102上的光譜濾光片頂部層104，光譜濾光片頂部層104包括第一光譜純度增強(qiáng)層110，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括材料m1并具有層厚d1；中間層111包括材料m2并具有層厚d2；第二光譜純度增強(qiáng)層112包括材料m3并具有層厚d3，第二光譜純度增強(qiáng)層112被布置在多層疊層頂部層103上，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112獨(dú)自包括選自Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF的材料(分別為m1和m3)，以及中間層111包括與來(lái)自第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112的材料m1和m2不同的材料m3，并且光譜濾光片頂部層104具有介于2.5和40nm的層厚d＝d1+d2+d3。
在一個(gè)實(shí)施例中，多層反射鏡100還可選地包括位于第一光譜純度增強(qiáng)層10頂部上的覆蓋層105，其包括Ru并具有介于0.5和2.5nm之間的層厚d4。
在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供了多層反射鏡100，其中中間層包括金屬。在又一個(gè)實(shí)施例中，提供了多層反射鏡100，其中中間層包括選自Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa或U的材料m2。
按照本發(fā)明的實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112具有的復(fù)折射率的虛部k≤0.25*n+1.07，其中n為復(fù)折射率的實(shí)部。按照本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)實(shí)施例，復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于1.5以及復(fù)折射率的虛部等于或小于2。在又一個(gè)實(shí)施例中，第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112具有的復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于2以及復(fù)折射率的虛部等于或小于1.6。在這里折射率指輻射波長(zhǎng)的或者選自100-400nm范圍的輻射波長(zhǎng)范圍(如介于100和200nm之間的)內(nèi)的折射率。例如，當(dāng)期望減少190nm波長(zhǎng)或者130-190nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的輻射時(shí)，各對(duì)應(yīng)層的材料和層厚被選擇成以滿(mǎn)足這里所描述的判據(jù)。
因此，按照本發(fā)明的一個(gè)可選用的實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層102上的光譜濾光片頂部層104，光譜濾光片頂部層104包括第一光譜純度增強(qiáng)層110，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括材料m1并具有層厚d1；中間層111包括材料m2并具有層厚d2；第二光譜純度增強(qiáng)層112包括材料m3并具有層厚d3，第二光譜純度增強(qiáng)層112被布置在多層疊層頂部層103上，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112獨(dú)自包括具有復(fù)折射率的虛部k≤0.25*n+1.07的材料(分別為m1和m3)，其中n是復(fù)折射率的實(shí)部，中間層111包括與來(lái)自第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112的材料m1和m2不同的材料m3，并且光譜濾光片頂部層104具有介于2.5和40nm的層厚d＝d1+d2+d3。
因此，按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層102上的光譜濾光片頂部層104，光譜濾光片頂部層104包括第一光譜純度增強(qiáng)層110，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括材料m1并具有層厚d1；中間層111包括材料m2并具有層厚d2；第二光譜純度增強(qiáng)層112包括材料m3并具有層厚d3，第二光譜純度增強(qiáng)層112被布置在多層疊層頂部層103上，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112獨(dú)自包括具有復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于2以及復(fù)折射率的虛部等于或小于1.6的材料(分別為m1和m3)，中間層111包括與來(lái)自第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112的材料m1和m2不同的材料m3，并且光譜濾光片頂部層104具有介于2.5和40nm的層厚d＝d1+d2+d3上述實(shí)施例可以組合。
在另一個(gè)實(shí)施例中，提供了多層反射鏡100，其中包括在光譜濾光片頂部層中的層的材料(分別為m1、m2和m3)以及層的層厚(分別為d1、d2和d3)被設(shè)計(jì)成比如可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
在一個(gè)實(shí)施例中，提供了多層反射鏡100，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112包括Si3N4，每一層獨(dú)自具有分別介于1.5和3.5nm之間的層厚d1和d3，并且其中中間層111包括Mo并具有介于1和3nm之間的層厚d2?？蛇x用的實(shí)施例具有相同的尺寸但同時(shí)m1和m2各自獨(dú)立地選自Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF。
在一個(gè)實(shí)施例中，按照本發(fā)明的多層反射鏡100是正入射反射鏡，其被配置成可反射具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射。在又一個(gè)實(shí)施例中，按照本發(fā)明的多層反射鏡100是一個(gè)正入射Si/Mo多層反射鏡，其被配置成可反射具有選自12-15nm波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射，例如13.5nm的EUV輻射。
按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了如上所述的光刻設(shè)備，其包括一個(gè)或多個(gè)如上所述的并在圖4a中被示意性描述的多層反射鏡100。因此，在另一個(gè)方面，本發(fā)明還提供了一種在兩個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射輻射的源的輻射束中，通過(guò)在按照這個(gè)實(shí)施例的反射鏡上反射至少部分的該源的輻射束，放大具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射和具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射之間的比率的方法。
如上所述，在又一個(gè)實(shí)施例中，光刻設(shè)備包括按照本發(fā)明的兩個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100，其作為正入射反射鏡被放置在由源SO產(chǎn)生的輻射中。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，提供了光刻設(shè)備和/或方法，其中使用按照本發(fā)明的多個(gè)多層反射鏡100，例如，在另一個(gè)實(shí)施例中，使用了兩個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100，并且其中在由源產(chǎn)生的輻射中最接近源的多層反射鏡的反射的輻射分別在一個(gè)或多個(gè)緊鄰的多層反射鏡100上被反射。
按照又一個(gè)實(shí)施例，提供了光刻設(shè)備和/或方法，其中光刻設(shè)備包括多個(gè)如上所述的多層反射鏡100，并且其中包括在光譜純度增強(qiáng)層104中的第一光譜純度增強(qiáng)層110、中間層111和第二光譜純度增強(qiáng)層112各自的材料m1、m2和m3以及包括在不同多層反射鏡100中的光譜濾光片頂部層104中的層110、111和112的各自的層厚d1、d2和d3分別被設(shè)計(jì)成，可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm波長(zhǎng)范圍基本部分的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
通過(guò)使用多個(gè)按照本發(fā)明的多層反射鏡100，其中多層反射鏡在第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112以及中間層111的厚度d1、d2、d3或材料m1、m2、m3或者層厚和材料兩者上分別發(fā)生變化，對(duì)過(guò)濾掉不想要的波長(zhǎng)可進(jìn)行調(diào)節(jié)以使想要的輻射(比如具有介于5和20nm之間波長(zhǎng)的)基本上未被減少(例如，相對(duì)于不具有第一光譜純度增強(qiáng)層110和第二光譜純度增強(qiáng)層112以及被中間層111分離的相同多層反射鏡少于約50％的減少；即相對(duì)于不具有如圖4a所示的這樣的光譜純度增強(qiáng)層104的相同多層反射鏡)，而DUV輻射基本上被減少(相對(duì)于不具有如圖4a所示的這樣的光譜純度增強(qiáng)層104的相同多層反射鏡，90％、或約95％、乃至約99％或以上的減少)。在一個(gè)實(shí)施例中，這樣的減少優(yōu)選地應(yīng)用于100-400nm波長(zhǎng)范圍的基本部分，例如介于100-400nm之間的波長(zhǎng)范圍的15％。在一個(gè)實(shí)施例中，至少在介于約130和190nm之間的波長(zhǎng)內(nèi)的輻射被減少約90％，或更多。
在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100裝有光譜純度增強(qiáng)層104，其被設(shè)計(jì)用于使具有100-200nm范圍的波長(zhǎng)的輻射減少，并且一個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100裝有光譜純度增強(qiáng)層104，其被設(shè)計(jì)用于使具有200-300nm范圍的波長(zhǎng)的輻射減少。
按照本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了裝置制造方法，包括提供輻射束；將輻射束圖案化；將圖案化的輻射束投射到襯底的目標(biāo)部分；在兩個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射輻射的源的輻射束中，通過(guò)在按照如上所述實(shí)施例的反射鏡上反射至少部分的該源的輻射束，放大具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射和具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射之間的比率。
參考上述實(shí)施例，存在有另一個(gè)“中間”實(shí)施例，其中光譜純度增強(qiáng)層104只包括第一光譜純度增強(qiáng)層110和中間層111，其中后者被放置于多層疊層頂部層103上。因此，按照本發(fā)明的另一個(gè)方面以及如圖4a示意性描述的，提供了多層反射鏡100，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層103上的光譜濾光片頂部層104，光譜濾光片頂部層104包括第一光譜純度增強(qiáng)層110，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括材料m1并具有層厚d1；中間層111包括材料m2并具有層厚d2，中間層111被布置在多層疊層頂部層103上。
本實(shí)施例可與可選的覆蓋層105(比如具有介于0.5和2.5nm之間的層厚d4的Ru)組合。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，多層反射鏡100還可選地包括位于第一光譜純度增強(qiáng)層104頂部上的覆蓋層105，其包括Ru并具有介于0.5和2.5nm層厚d4。
按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層102上的光譜濾光片頂部層104，光譜濾光片頂部層104包括第一光譜純度增強(qiáng)層110，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括材料m1并具有層厚d1；中間層111包括材料m2并具有層厚d2，中間層111被布置在多層疊層頂部層103上，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110包括選自Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF的材料m1，中間層111包括與第一光譜純度增強(qiáng)層110的材料m1不同的材料m2，并且光譜濾光片頂部層104具有介于2.5和40nm的層厚d＝d1+d2。
在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供了多層反射鏡100，其中中間層111包括金屬。在又一個(gè)實(shí)施例中，提供了多層反射鏡100，其中中間層包括選自Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa或U的材料m2。
按照本發(fā)明的實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110具有的復(fù)折射率的虛部k≤0.25*n+1.07，其中n為復(fù)折射率的實(shí)部。按照本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)實(shí)施例，復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于1.5以及復(fù)折射率的虛部等于或小于2。在又一個(gè)實(shí)施例中，第一光譜純度增強(qiáng)層110具有的復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于2以及復(fù)折射率的虛部等于或小于1.6。在這里折射率指輻射波長(zhǎng)的或者選自100-400nm范圍的輻射波長(zhǎng)范圍(在本實(shí)施例中介于100和200nm之間)內(nèi)的折射率。例如，當(dāng)期望減少190nm波長(zhǎng)的或者130-190nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的輻射時(shí)，各對(duì)應(yīng)層的材料和層厚被選擇以滿(mǎn)足這里所描述的判據(jù)。
因此，按照本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層102上的光譜濾光片頂部層104，光譜濾光片頂部層104包括第一光譜純度增強(qiáng)層110，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括材料m1并具有層厚d1；中間層111包括材料m2并具有層厚d2，中間層111被布置在多層疊層頂部層103上，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110包括具有復(fù)折射率的k≤0.25*n+1.07的材料m1，n是復(fù)折射率的實(shí)部，中間層111包括與第一光譜純度增強(qiáng)層110的材料m1不同的材料m2，并且光譜濾光片頂部層104具有介于2.5和40nm的層厚d＝d1+d2。
因此，按照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，提供了多層反射鏡100，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，以及b)被布置在多層疊層102上的光譜濾光片頂部層104，光譜濾光片頂部層104包括第一光譜純度增強(qiáng)層110，第一光譜純度增強(qiáng)層110包括材料m1并具有層厚d1；中間層111包括材料m2并具有層厚d2，中間層111被布置在多層疊層頂部層103上，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110包括具有復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于2以及復(fù)折射率的虛部等于或小于1.6的材料m1，其中中間層111包括與第一光譜純度增強(qiáng)層110的材料m1不同的材料m2，并且光譜濾光片頂部層104具有介于2.5和40nm的層厚d＝d1+d2上述實(shí)施例可以組合。
在另一個(gè)實(shí)施例中，提供了多層反射鏡100，其中包括在光譜濾光片頂部層中的層的材料(分別為m1和m2)以及層的層厚(分別為d1和d2)被設(shè)計(jì)成可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
在一個(gè)實(shí)施例中，提供了多層反射鏡100，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110包括Si3N4，并具有介于4和1nm之間的層厚d1，并且其中中間層111包括Mo并具有介于1和3nm之間的層厚d2。
在一個(gè)實(shí)施例中，按照本發(fā)明的多層反射鏡100是正入射反射鏡，其被配置成可反射具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射。在又一個(gè)實(shí)施例中，按照本發(fā)明的多層反射鏡100是正入射Si/Mo多層反射鏡，其被配置成可反射具有選自12-15nm波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射，例如13.5nm的EUV輻射。
按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了如上所述的光刻設(shè)備，其包括一個(gè)或多個(gè)如上所述的并在圖4b中被示意性描述的多層反射鏡100。因此，在另一個(gè)方面，本發(fā)明還提供了一種在兩個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射輻射的源的輻射束中，通過(guò)在反射鏡上反射至少部分的該源的輻射束，放大具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射和具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射之間的比率的方法。
如上所述，在另一個(gè)實(shí)施例中，光刻設(shè)備包括按照本發(fā)明的兩個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100，其作為正入射反射鏡被放置在由源SO產(chǎn)生的輻射中。因此，提供了光刻設(shè)備和/或方法，其中使用按照本發(fā)明的多個(gè)多層反射鏡100，例如，在另一個(gè)實(shí)施例中，使用了兩個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100，并且其中在由源產(chǎn)生的輻射中最接近該源的多層反射鏡的反射的輻射分別在一個(gè)或多個(gè)緊鄰的多層反射鏡100上被反射。
按照又一個(gè)實(shí)施例，提供了光刻設(shè)備和/或方法，其中光刻設(shè)備包括多個(gè)如上所述的多層反射鏡100，并且其中包括在光譜純度增強(qiáng)層104中的第一光譜純度增強(qiáng)層110和中間層111各自的層的材料m1和m2、以及包括在不同多層反射鏡100的光譜濾光片頂部層104中的層110和111各自的層厚d1和d2，分別被設(shè)計(jì)成可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm波長(zhǎng)范圍基本部分的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
通過(guò)使用多個(gè)按照本發(fā)明的多層反射鏡100，其中多層反射鏡在第一光譜純度增強(qiáng)層110和中間層111的厚度d1、d2或材料m1、m2或者層厚和材料兩者上分別發(fā)生變化，對(duì)過(guò)濾掉不想要的波長(zhǎng)可進(jìn)行調(diào)節(jié)以使想要的波長(zhǎng)(比如介于5和20nm之間的)基本上未被減少(例如，相對(duì)于不具有這樣的第一光譜純度增強(qiáng)層110的相同多層反射鏡，少于約50％的減少)，而DUV輻射基本上被減少(相對(duì)于不具有如圖4a所示的這樣的光譜純度增強(qiáng)層104的相同多層反射鏡，90％、或約95％、乃至約99％或以上的減少)。在一個(gè)實(shí)施例中，這樣的減少可應(yīng)用于100-400nm波長(zhǎng)范圍的基本部分，例如介于100和400nm之間的波長(zhǎng)范圍的約15％。在一個(gè)實(shí)施例中，至少在介于約130和190nm之間的波長(zhǎng)的輻射被減少約90％，或更多。
在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100裝有光譜純度增強(qiáng)層104，其被設(shè)計(jì)成用于使具有100-200nm范圍的波長(zhǎng)的輻射減少，并且一個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100裝有光譜純度增強(qiáng)層104，其被設(shè)計(jì)成用于使具有200-300nm范圍的波長(zhǎng)的輻射減少。
按照本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了裝置制造方法，包括使用照明系統(tǒng)提供輻射束；將輻射束圖案化；將圖案化的輻射束投射到襯底的目標(biāo)部分；在兩個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射輻射的源的輻射中，通過(guò)在按照如上所述的實(shí)施例的反射鏡上反射至少部分的該源的輻射，放大具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射和具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射之間的比率。
按照本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了光刻設(shè)備、用于放大想要的(EUV)與不想要的(DUV)輻射的比率的方法和/或裝置制造方法，其中使用選自上述三個(gè)實(shí)施例的兩個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100。在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100可裝有光譜純度增強(qiáng)層104，其被設(shè)計(jì)成用于使具有100-200nm范圍的波長(zhǎng)的輻射減少，并且一個(gè)或多個(gè)多層反射鏡100裝有光譜純度增強(qiáng)層104，其被設(shè)計(jì)成用于使具有200-300nm范圍的波長(zhǎng)的輻射減少。
除了上述的實(shí)施例外，還可應(yīng)用第一光譜純度增強(qiáng)層110、中間層111和第二光譜純度增強(qiáng)層112的疊層。例如，這可以是包括多層疊層102的多層反射鏡100，多層疊層102具有位于多層疊層頂部層103的頂部上的、從下列層的疊層中選擇的一個(gè)或多個(gè)疊層(其中第一個(gè)(最左側(cè))數(shù)字表示被布置在多層疊層頂部層103上的層，并且其中符號(hào)n表示重復(fù)層組合的數(shù)目)(110/111)n、(111/110)n、(110/111)n/110和(111/110)n/110。另外，覆蓋層105可設(shè)在最后層(最后(最右側(cè))數(shù)字)上，比如示意為102/(110/111)n/110/105。
如上所述，多層反射鏡100包括多層(反射鏡)疊層102，比如包括許多交替的Mo/Si、或W/Si、或WRe/Si、或其它類(lèi)型的多層疊層，其中多層疊層頂部層103可包括比如Mo、Si、W或WRe等。在這個(gè)多層疊層頂部層103的頂部，布置按照本發(fā)明的光譜濾光片頂部層104，其還可被覆蓋層105可選地覆蓋住，覆蓋層105包括選自Ru、BN、B4C、B、C(如類(lèi)似金剛石的碳)、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、Si3N4、SiC、MgF2或LiF的材料m4，其具有介于0.5和11nm之間的層厚。在一個(gè)實(shí)施例中，覆蓋層105的材料m4不同于第一光譜純度增強(qiáng)層110的材料m1。在另一個(gè)實(shí)施例中，材料m4選自Ru、BN、B4C、B、C(如類(lèi)似金剛石的碳)、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、Si3N4、SiC、MgF2或LiF或合金，或這些材料的兩種或更多種所組成的多層。在上述的變化中，覆蓋層105包括Ru，其具有介于0.5和2.5nm之間的層厚d4。
然而，在一個(gè)可選用的實(shí)施例中，這個(gè)多層疊層頂部層103不代表多層疊層102的若干層中的一層，而是代表覆蓋層，其包括選自Ru、BN、B4C、B、C(如類(lèi)似金剛石的碳)、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、Si3N4、SiC、MgF2或LiF的材料m5，并具有介于0.5和11nm之間的層厚d5。例如參見(jiàn)圖3、4a-4c和5，多層反射鏡100包括a)多層反射鏡疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，其中多層疊層頂部層103代表覆蓋層(具有層厚d5)，以及b)被布置在多層疊層102上的光譜濾光片頂部層104，其中這個(gè)光譜濾光片頂部層104是按照上述實(shí)施例之一的光譜濾光片頂部層104。在一個(gè)實(shí)施例中，覆蓋層/多層疊層頂部層103的材料m5不同于第一光譜純度增強(qiáng)層110的材料m1。
在一種變化中，提供了多層反射鏡100，其包括a)多層疊層102，多層疊層102包括具有多層疊層頂部層103的多個(gè)交替層，其中多層疊層頂部層103代表覆蓋層，以及b)被布置在多層疊層102上的光譜濾光片頂部層104，光譜濾光片頂部層104包括被布置在多層疊層頂部層103上的、包括材料m1和具有層厚d1的第一光譜純度增強(qiáng)層110，其中第一光譜純度增強(qiáng)層110包括選自Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF的材料m1，光譜濾光片頂部層110具有介于0.5和30nm之間的層厚d1，并且覆蓋層包括選自Ru、BN、B4C、B、C(如類(lèi)似金剛石的碳)、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、Si3N4、SiC、MgF2或LiF的材料m5，并具有介于0.5和11nm之間的層厚。
在一種變化中，多層疊層頂部層103包括Ru并具有介于0.5和2.5nm之間的層厚d5。在一個(gè)實(shí)施例中，光譜濾光片頂部層110包括4-11nm Si3N4(m5)的層厚d1，并且在一種變化中，為5-7nm Si3N4(m5)。
在一個(gè)實(shí)施例中，可提供第二覆蓋層105，其被布置在光譜濾光片頂部層104上(如圖3和4a所示)。
光譜純度增強(qiáng)層104適合于抑制某一目標(biāo)波長(zhǎng)范圍的光，如介于130和190nm之間的DUV范圍。
使用具有光譜純度增強(qiáng)層104、包括比如Ru的覆蓋層105的兩個(gè)反射鏡，可在130-190nm的DUV范圍內(nèi)獲得不止1個(gè)量級(jí)的典型抑制。不包括Ru覆蓋層105時(shí)，可獲得更好的抑制同時(shí)更低的損失。
如上所述并如圖4a中示意性描述的，通過(guò)將光譜純度增強(qiáng)層104分成兩部分，可減少EUV損失。
光譜純度增強(qiáng)層104還可充當(dāng)覆蓋層以保護(hù)多層反射鏡100免受氧化。
不同材料可用于不同波長(zhǎng)。
不同光譜純度增強(qiáng)層104可在不同的反射鏡上使用以便獲得更廣泛的吸收范圍(借助于不同材料)，或更強(qiáng)的抑制(借助于與光譜純度增強(qiáng)層相同的材料)。
對(duì)于除了目標(biāo)波長(zhǎng)范圍之外的波長(zhǎng)，光譜純度增強(qiáng)層104通常不會(huì)導(dǎo)致額外的反射率。
光譜純度增強(qiáng)層104的使用具有高度靈活性的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)槿Q于所需要的抑制，可以選擇光譜純度增強(qiáng)層104的數(shù)目(以及因此可選擇損失)。
在EUV光刻系統(tǒng)中，其被設(shè)計(jì)成不具有光譜純?yōu)V光片，可在任何時(shí)間添加光譜純度增強(qiáng)層104。
盡管在這個(gè)說(shuō)明中具體提到了在IC制造中使用光刻設(shè)備，但是應(yīng)當(dāng)理解這里所描述的光刻設(shè)備還具有其它的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的制導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)和薄膜磁頭等的制造。應(yīng)當(dāng)意識(shí)到在這種可選用的應(yīng)用范圍中，這里的術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”的任何用法可被認(rèn)為分別與更通用的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”是同義的。這里提到的襯底可在曝光以前或之后通過(guò)比如導(dǎo)向裝置(track)(一種通常將光刻膠層施加于襯底并顯影已曝光的光刻膠的工具)、測(cè)量工具和/或檢視工具而被處理。在可適用的地方，這里所公開(kāi)的內(nèi)容可適用于這種和其它的襯底處理工具。另外，例如為了制造多層IC，襯底可經(jīng)過(guò)不止一次地處理，以使這里所使用的術(shù)語(yǔ)襯底還可指已經(jīng)包含有多個(gè)已處理層的襯底。
盡管上面具體提到了本發(fā)明的實(shí)施例在光學(xué)光刻術(shù)的范圍中的使用，但是應(yīng)當(dāng)意識(shí)到本發(fā)明可用于其它的應(yīng)用(如壓印光刻術(shù))，并且在范圍允許的地方，本發(fā)明不限于光學(xué)光刻術(shù)。在壓印光刻術(shù)中，圖案形成裝置中的圖像限定在襯底上生成的圖案。圖案形成裝置的圖像可被壓入提供給襯底的光刻膠層，隨后通過(guò)應(yīng)用電磁輻射、加熱、加壓或其中的組合使光刻膠固化。在光刻膠被固化后，使圖案留在光刻膠上而將圖案形成裝置移離光刻膠。
雖然在上面對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例已經(jīng)進(jìn)行了描述，但是將會(huì)意識(shí)到可以與所述的不同的方式實(shí)施本發(fā)明。例如，本發(fā)明可采用描述上面公開(kāi)的方法的包含有一個(gè)或多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或者是將這樣的計(jì)算機(jī)程序存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤(pán)或光盤(pán))。
上面的描述是用來(lái)說(shuō)明的而不是限制的。因而，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的是只要未背離下面所陳述的權(quán)利要求的范圍，可對(duì)所述的本發(fā)明進(jìn)行更改。另外，應(yīng)當(dāng)了解，上述實(shí)施例可以組合。
對(duì)于材料m1(以及可使用材料m3之處)來(lái)說(shuō)，比如當(dāng)?shù)谝还庾V純度增強(qiáng)層110(以及還可使用第二光譜純度增強(qiáng)層112之處)具有復(fù)折射率的虛部k≤0.25*n+1.07、其中n是復(fù)折射率的實(shí)部時(shí)，或者當(dāng)按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例、復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于1.5以及復(fù)折射率的虛部等于或小于2時(shí)，可選擇除了選自Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF的材料以外的其它材料。在另一個(gè)實(shí)施例中，材料m1(以及可使用材料m3之處)被選擇成以滿(mǎn)足這些判據(jù)。在又一個(gè)實(shí)施例中，第一光譜純度增強(qiáng)層110的材料m1(以及在可使用第二光譜純度增強(qiáng)層112的材料m3之處)具有的復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于2以及復(fù)折射率的虛部等于或小于1.6。
在本說(shuō)明中，氮化硅被認(rèn)為是Si3N4。然而，這應(yīng)當(dāng)被解釋為包括所有的Si-N化合物，如SiN。
本發(fā)明不限于光刻設(shè)備的應(yīng)用或如實(shí)施例中所述的光刻設(shè)備的使用。另外，附圖通常只包括了理解本發(fā)明所必需的部件和特征。除此之外，光刻設(shè)備的附圖是示意性的而非按比例繪制的。本發(fā)明不限于在示意圖中所示的這些部件(如示意圖中繪制的反射鏡數(shù)目)。另外，本發(fā)明不受限于圖1和2所描述的光刻設(shè)備。
權(quán)利要求
1.一種多層反射鏡，包含多層疊層，所述多層疊層包含具有多層疊層頂部層的多個(gè)交替層以及被布置在所述多層疊層上的光譜濾光片頂部層，所述光譜濾光片頂部層包含第一光譜純度增強(qiáng)層，所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含第一材料并具有第一層厚d1；中間層，所述中間層包含第二材料并具有第二層厚d2；以及第二光譜純度增強(qiáng)層，所述第二光譜純度增強(qiáng)層包含第三材料并具有第三層厚d3，所述第二光譜純度增強(qiáng)層被布置在所述多層疊層頂部層上，其中所述第一材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，所述第三材料選自Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，所述第二材料包含與所述第一和第三材料不同的材料，并且d1+d2+d3具有介于2.5和40nm之間的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述光譜濾光片頂部層還包含位于所述第一光譜純度增強(qiáng)層的頂部的覆蓋層，所述覆蓋層包含選自Ru、BN、B4C、B、C、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、SiN、Si3N4、SiC、MgF2或LiF的第四材料。
3.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述光譜濾光片頂部層還包含位于所述第一光譜純度增強(qiáng)層的頂部的覆蓋層，包含Ru并具有介于0.5和2.5nm之間的第四層厚d4。
4.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述中間層包含金屬。
5.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述第二材料選自Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa或U。
6.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述第一和第二光譜純度增強(qiáng)層獨(dú)自具有復(fù)折射率的虛部k≤0.25*n+1.07，其中n為所述復(fù)折射率的實(shí)部。
7.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述第一和第二光譜純度增強(qiáng)層獨(dú)自具有復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于2，以及所述復(fù)折射率的虛部等于或小于1.6。
8.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述第一、第二和第三材料以及所述第一、第二和第三層厚被配置成可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
9.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述多層反射鏡是正入射反射鏡。
10.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述多層反射鏡是正入射反射鏡，其被配置成可反射具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射。
11.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述多層反射鏡是正入射Si/Mo多層反射鏡，其被配置成可反射具有選自所述12-15nm波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射。
12.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述第一和第三材料包含Si3N4，每一層具有介于1.5和3.5nm之間的層厚，并且所述第二材料包含Mo并具有介于1和3nm之間的層厚。
13.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述多層疊層頂部層包含覆蓋層，所述多層疊層頂部層包含選自Ru、BN、B4C、B、C、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、SiN、Si3N4、SiC、MgF2或LiF的第四材料。
14.如權(quán)利要求1所述的多層反射鏡，其中所述多層疊層頂部層包含覆蓋層，所述多層疊層頂部層包含Ru并具有介于0.5和2.5nm之間的第四層厚d4。
15.一種包含多層反射鏡的光刻設(shè)備，所述多層反射鏡包含多層疊層，所述多層疊層包含具有多層疊層頂部層的多個(gè)交替層以及被布置在所述多層疊層上的光譜濾光片頂部層，所述光譜濾光片頂部層包含第一光譜純度增強(qiáng)層，所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含第一材料并具有第一層厚d1；中間層，所述中間層包含第二材料并具有第二層厚d2；以及第二光譜純度增強(qiáng)層，所述第二光譜純度增強(qiáng)層包含第三材料并具有第三層厚d3，所述第二光譜純度增強(qiáng)層被布置在所述多層疊層頂部層上，其中所述第一材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，所述第三材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，所述第二材料包含與所述第一和第三材料不同的材料，并且d1+d2+d3具有介于2.5和40nm之間的厚度。
16.如權(quán)利要求15所述的光刻設(shè)備，還包含多個(gè)多層反射鏡，其中所述多個(gè)多層反射鏡的所述第一、第二和第三材料以及所述第一、第二和第三層厚被配置成可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
17.一種用于在兩個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射輻射的源的輻射束中，放大具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射和具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射之間的比率的方法，所述方法包含在多層反射鏡上反射至少部分輻射束，所述多層反射鏡包含多層疊層，所述多層疊層包含具有多層疊層頂部層的多個(gè)交替層以及被布置在所述多層疊層上的光譜濾光片頂部層，所述光譜濾光片頂部層包含第一光譜純度增強(qiáng)層，所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含第一材料并具有第一層厚d1；中間層包含第二材料并具有第二層厚d2；以及第二光譜純度增強(qiáng)層包含第三材料并具有第三層厚d3，所述第二光譜純度增強(qiáng)層被布置在所述多層疊層頂部層上，其中所述第一材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，所述第三材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，所述第二材料包含與所述第一和第三材料不同的材料，并且d1+d2+d3具有介于2.5和40nm之間的厚度。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中在多層反射鏡上反射至少部分的輻射束包含在多個(gè)多層反射鏡上反射所述至少部分的輻射束。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第一、第二和第三材料以及所述第一、第二和第三層厚被配置成可使具有選自所述第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自所述第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
20.一種裝置制造方法，包含提供輻射束；將所述輻射束圖案化；將所述圖案化的輻射束投射到襯底的目標(biāo)部分；在兩個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射輻射的源的輻射束中，通過(guò)在多層反射鏡上反射至少部分的輻射束，放大具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射和具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射之間的比率，所述多層反射鏡包含多層疊層，所述多層疊層包含具有多層疊層頂部層的多個(gè)交替層以及被布置在所述多層疊層上的光譜濾光片頂部層，所述光譜濾光片頂部層包含第一光譜純度增強(qiáng)層，所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含第一材料并具有第一層厚d1；中間層包含第二材料并具有第二層厚d2；以及第二光譜純度增強(qiáng)層包含第三材料并具有第三層厚d3，所述第二光譜純度增強(qiáng)層被布置在所述多層疊層頂部層上，其中所述第一材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，所述第三材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，所述第二材料包含與所述第一和第三材料不同的材料，并且d1+d2+d3具有介于2.5和40nm之間的厚度。
21.一種多層反射鏡，包含多層疊層，所述多層疊層包含具有多層疊層頂部層的多個(gè)交替層以及被布置在所述多層疊層上的光譜濾光片頂部層，所述光譜濾光片頂部層包含第一光譜純度增強(qiáng)層，所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含第一材料m1并具有第一層厚d1；中間層，所述中間層包含第二材料m2并具有第二層厚d2，所述中間層被布置在所述多層疊層頂部層上，其中所述第一材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，所述第二材料包含與所述第一材料不同的材料，并且d1+d2具有介于2.5和40nm之間的厚度。
22.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述光譜濾光片頂部層還包含位于所述第一光譜純度增強(qiáng)層的頂部的覆蓋層，所述覆蓋層包含選自Ru、BN、B4C、B、C、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、SiN、Si3N4、SiC、MgF2或LiF的第三材料。
23.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述光譜濾光片頂部層還包含位于所述第一光譜純度增強(qiáng)層的頂部的覆蓋層，包含Ru并具有介于0.5和2.5nm之間的層厚d4。
24.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述中間層包含金屬。
25.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述第二材料選自Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa或U。
26.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述第一光譜純度增強(qiáng)層具有復(fù)折射率的虛部k≤0.25*n+1.07，其中n為所述復(fù)折射率的實(shí)部。
27.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述第一光譜純度增強(qiáng)層具有所述復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于2以及所述復(fù)折射率的虛部等于或小于1.6。
28.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述第一和第二材料以及所述第一和第二層厚被配置成可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
29.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述多層反射鏡是正入射反射鏡。
30.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述多層反射鏡是正入射反射鏡，其被配置成可反射具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射。
31.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述多層反射鏡是正入射Si/Mo多層反射鏡，其被配置成可反射具有選自12-15nm波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射。
32.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含Si3N4，并具有介于4和11nm之間的層厚，并且其中所述中間層包含Mo并具有介于1和3nm之間的層厚。
33.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述多層疊層頂部層包含覆蓋層，所述頂部層包含選自Ru、BN、B4C、B、C、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、SiN、Si3N4、SiC、MgF2或LiF的材料m5。
34.如權(quán)利要求21所述的多層反射鏡，其中所述多層疊層頂部層包含覆蓋層，所述多層疊層頂部層包含Ru并具有介于0.5和2.5nm之間的層厚d5。
35.一種包含多層反射鏡的光刻設(shè)備，所述多層反射鏡包含多層疊層，所述多層疊層包含具有多層疊層頂部層的多個(gè)交替層以及被布置在所述多層疊層上的光譜濾光片頂部層，所述光譜濾光片頂部層包含第一光譜純度增強(qiáng)層，所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含第一材料m1并具有第一層厚d1；中間層包含第二材料m2并具有第二層厚d2，所述中間層被布置在所述多層疊層頂部層上，其中所述第一材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，所述第二材料包含與所述第一材料不同的材料，并且d1+d2具有介于1.5和40nm之間的厚度。
36.如權(quán)利要求35所述的光刻設(shè)備，還包含多個(gè)多層反射鏡，其中所述第一和第二材料以及所述第一和第二層厚被配置成可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm波長(zhǎng)范圍基本部分的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
37.一種用于在兩個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射輻射的源的輻射束中，放大具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射和具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射之間的比率的方法，所述方法包含在多層反射鏡上反射至少部分的輻射束，所述多層反射鏡包含多層疊層，所述多層疊層包含具有多層疊層頂部層的多個(gè)交替層以及被布置在所述多層疊層上的光譜濾光片頂部層，所述光譜濾光片頂部層包含第一光譜純度增強(qiáng)層，所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含第一材料m1并具有第一層厚d1；中間層包含第二材料m2并具有第二層厚d2，所述中間層被布置在所述多層疊層頂部層上，其中所述第一材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，所述第二材料包含與所述第一材料不同的材料，并且d1+d2具有介于1.5和40nm之間的厚度。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其中反射所述至少部分的輻射束包含在多個(gè)多層反射鏡上反射所述至少部分的輻射束。
39.如權(quán)利要求37所述的方法，其中所述第一和第二材料以及所述第一和第二層厚度被配置成可使具有選自所述第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自所述100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
40.一種裝置制造方法，包含提供輻射束；將所述輻射束圖案化；將所述圖案化的輻射束投射到襯底的目標(biāo)部分；通過(guò)在多層反射鏡上反射至少部分的輻射束，放大具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射和具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射之間的比率，所述多層反射鏡包含多層疊層，所述多層疊層包含具有多層疊層頂部層的多個(gè)交替層以及被布置在所述多層疊層上的光譜濾光片頂部層，所述光譜濾光片頂部層包含第一光譜純度增強(qiáng)層，所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含第一材料m1并具有第一層厚d1；中間層包含第二材料m2并具有第二層厚d2，所述中間層被布置在所述多層疊層頂部層上，其中所述第一材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，所述第二材料包含與所述第一材料不同的材料，并且d1+d2具有介于1.5和40nm之間的厚度。
41.一種多層反射鏡，包含多層疊層，所述多層疊層包含具有多層疊層頂部層的多個(gè)交替層以及被布置在所述多層疊層上的光譜濾光片頂部層，所述光譜濾光片頂部層包含第一光譜純度增強(qiáng)層，所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含第一材料并具有層厚d1并且被布置在所述多層疊層頂部層上，其中所述第一材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，并且厚度d1介于0.5和30nm之間。
42.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中所述光譜濾光片頂部層還包含位于所述第一光譜純度增強(qiáng)層的頂部的覆蓋層，所述覆蓋層包含選自Ru、BN、B4C、B、C、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、SiN、Si3N4、SiC、MgF2或LiF的第二材料。
43.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中所述光譜濾光片頂部層還包含位于所述第一光譜純度增強(qiáng)層的頂部的覆蓋層，包含Ru并具有介于0.5和2.5nm之間的第二層厚。
44.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中所述第一光譜純度增強(qiáng)層具有復(fù)折射率的虛部k≤0.25*n+1.07，其中n為所述復(fù)折射率的實(shí)部。
45.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中所述第一光譜純度增強(qiáng)層具有所述復(fù)折射率的實(shí)部等于或大于2以及所述復(fù)折射率的虛部等于或小于1.6。
46.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中所述第一材料和所述厚度d1被配置成可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
47.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中包含在所述光譜濾光片頂部層中的層的所述第一材料和所述層厚d1被設(shè)計(jì)成比如可滿(mǎn)足下列判據(jù)r1＝t12·t21·r23·exp(i·2·K2·t)Q=t12·t21·r23·exp(i·2·K2·t)r12---(3)]]>相消干涉arg(Q)＝π其中r12是從第一層1進(jìn)入并在所述第一層1和第二層2之間的界面處反射的正入射平面波反射的菲涅耳振幅反射系數(shù)，其中所述第一層1和所述第二層2分別為所述多層反射鏡上方的大氣和所述光譜濾光片頂部層；r23是從所述第二層2進(jìn)入并在所述第二層2和第三層3之間的界面處反射的正入射平面波反射的菲涅耳振幅反射系數(shù)，其中所述第二層2和所述第三層3分別為所述光譜濾光片頂部層和所述多層疊層頂部層；tpq是從層p進(jìn)入層q的平面波透射的菲涅耳振幅透射系數(shù)；λ是輻射的波長(zhǎng)；t是所述光譜濾光片頂部層的厚度；K2是介質(zhì)p中的波數(shù)；以及Np＝np+j*kp，為介質(zhì)p的復(fù)折射率。
48.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中所述多層反射鏡是正入射反射鏡。
49.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中所述多層反射鏡是正入射反射鏡，其被配置成可反射具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射。
50.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中所述多層反射鏡是正入射Si/Mo多層反射鏡，其被配置成可反射具有選自所述12-15nm波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射。
51.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含Si3N4，并具有介于4和11nm之間的層厚。
52.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中所述多層疊層頂部層包含覆蓋層，所述多層疊層頂部層包含選自Ru、BN、B4C、B、C、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、SiN、Si3N4、SiC、MgF2或LiF的第二材料。
53.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中所述多層疊層頂部層包含覆蓋層，所述多層疊層頂部層包含Ru并具有介于0.5和2.5nm之間的第二層厚。
54.如權(quán)利要求41所述的多層反射鏡，其中所述多層疊層頂部層包含覆蓋層，所述多層疊層頂部層包含Ru并具有介于0.5和2.5nm之間的第二層厚，以及所述第一光譜濾光片頂部層包含SiN、Si3N4，并具有介于4和11nm之間的層厚d1。
55.一種包含一個(gè)或多個(gè)多層反射鏡的光刻設(shè)備，所述多層反射鏡包含多層疊層，所述多層疊層包含具有多層疊層頂部層的多個(gè)交替層以及被布置在所述多層疊層上的光譜濾光片頂部層，所述光譜濾光片頂部層包含第一光譜純度增強(qiáng)層，所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含第一材料并具有層厚d1并且被布置在所述多層疊層頂部層上，其中所述第一材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，并且厚度d1介于0.5和30nm之間。
56.如權(quán)利要求55所述的光刻設(shè)備，還包含多個(gè)多層反射鏡，其中在不同的所述多層反射鏡的所述光譜濾光片中的層的材料和層的層厚被配置成可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm波長(zhǎng)范圍基本部分的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
57.一種用于在兩個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射輻射的源的輻射束中，放大具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射和具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射之間的比率的方法，所述方法包含用多層反射鏡反射所述輻射束，所述多層反射鏡包含多層疊層，所述多層疊層包含具有多層疊層頂部層的多個(gè)交替層以及被布置在所述多層疊層上的光譜濾光片頂部層，所述光譜濾光片頂部層包含第一光譜純度增強(qiáng)層，所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含第一材料并具有層厚d1并且被布置在所述多層疊層頂部層上，其中所述第一材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，并且厚度d1介于0.5和30nm之間。
58.如權(quán)利要求57所述的方法，還包含利用多個(gè)多層反射鏡反射所述輻射束。
59.如權(quán)利要求57所述的方法，其中通過(guò)多個(gè)多層反射鏡反射所述輻射束，在所述多個(gè)多層反射鏡的光譜濾光片頂部層中的層的材料和層的層厚被配置成可使具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射的吸收和/或相消干涉最大。
60.一種裝置制造方法，包含提供輻射束；將所述輻射束圖案化；將所述圖案化的輻射束投射到襯底的目標(biāo)部分；以及在兩個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射輻射的源的輻射束中，通過(guò)在多層反射鏡上反射至少部分的輻射束，放大具有選自5-20nm第一波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射和具有選自100-400nm第二波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)的輻射之間的比率，所述多層反射鏡包含多層疊層，所述多層疊層包含具有多層疊層頂部層的多個(gè)交替層以及被布置在所述多層疊層上的光譜濾光片頂部層，所述光譜濾光片頂部層包含第一光譜純度增強(qiáng)層，所述第一光譜純度增強(qiáng)層包含第一材料并具有層厚d1并且被布置在所述多層疊層頂部層上，其中所述第一材料選自SiN、Si3N4、SiO2、ZnS、Te、金剛石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、TiO2、Ge、PbF2、ZrO2、BaTiO3、LiF或NaF，并且厚度d1介于0.5和30nm之間。
全文摘要
多層反射鏡包括位于多層反射鏡頂部的光譜純度增強(qiáng)層，其比如可用于EUV光刻設(shè)備。這個(gè)光譜純度增強(qiáng)層包括第一光譜純度增強(qiáng)層，但是介于多層反射鏡和第一光譜純度增強(qiáng)層之間可存在有中間層或者第二光譜純度增強(qiáng)層和中間層。因此，具有下列配置的多層反射鏡是可能的多層反射鏡/第一光譜純度增強(qiáng)層；多層反射鏡/中間層/第一光譜純度增強(qiáng)層；以及多層反射鏡/第二光譜純度增強(qiáng)層/中間層/第一光譜純度增強(qiáng)層?？商岣哒肷漭椛涞墓庾V純度，以使DUV輻射的減少相對(duì)EUV輻射更強(qiáng)。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1854771SQ20061007994
公開(kāi)日2006年11月1日 申請(qǐng)日期2006年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月27日
發(fā)明者M·M·J·W·范赫爾彭, L·P·巴克, V·Y·巴尼納, D·J·W·克倫德 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司