專利名稱：基于開孔的衍射光調(diào)制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及一種衍射光調(diào)制器，更具體地說，本發(fā)明涉及一種基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中在基座構(gòu)件上設(shè)置下部反射部件，通過從基座構(gòu)件突起的上部微型反射鏡形成開孔，使得使用具有該上部微型反射鏡形的一個單元形成一個像素。
背景技術(shù)：
通常，光學(xué)信號處理技術(shù)的優(yōu)點在于，與不可能實時處理大量數(shù)據(jù)的傳統(tǒng)數(shù)字信息處理技術(shù)不同，以并行方式快速處理大量數(shù)據(jù)。對二元相位濾波器、光學(xué)邏輯門、光增強(qiáng)器、圖像處理技術(shù)、光學(xué)器件以及采用空間光調(diào)制技術(shù)的光調(diào)制器的設(shè)計和生產(chǎn)過程進(jìn)行研究。
空間光調(diào)制器應(yīng)用于光學(xué)存儲器、光學(xué)顯示器件、打印機(jī)、光學(xué)互連以及全息領(lǐng)域，而且進(jìn)行研究，以開發(fā)采用它的顯示器件。
圖1所示的反射形變衍射光調(diào)制器10實現(xiàn)空間光調(diào)制器。Bloom等人在第5,311,360號美國專利中公開了該調(diào)制器10。調(diào)制器10包括多個反射形變帶18，反射形變帶18基于反射面部分，浮空在硅襯底16的上部之上以及互相分離開規(guī)則間隔。絕緣層11沉積在硅襯底16上。然后，沉積二氧化硅保護(hù)膜12和低應(yīng)力氮化硅膜14。
利用形變帶18圖形化氮化物膜14，然后蝕刻部分二氧化硅薄膜12，從而利用氮化物結(jié)構(gòu)20使形變帶18保持在氧化物隔離層12上。
為了調(diào)制單波長λ0的光，設(shè)計調(diào)制器，以使形變帶18和氧化物隔層12的厚度分別為λ0/4。
受每個形變帶18的反射面22與襯底16之間的垂直距離(d)的限制，通過在形變帶18(用作第一電極的形變帶18的反射面)與襯底16(在襯底16的下側(cè)形成的用作第二電極的導(dǎo)電層24)之間施加電壓，控制調(diào)制器10的光柵振幅。
在光調(diào)制器未被施加電壓的非變形狀態(tài)下，光柵振幅是λ0/2，而形變帶與襯底反射的光束之間的總往返行程光路差是λ0。因此，增強(qiáng)了反射光的相位。
因此，在未變形狀態(tài)下，在調(diào)制器10反射入射光時，調(diào)制器10用作平面反射鏡。在圖2中，參考編號20表示未變形狀態(tài)下的調(diào)制器10反射的入射光。
當(dāng)在形變帶18與襯底16之間施加正確電壓時，靜電力使形變帶18向著襯底16的表面向下移動。此時，光柵振幅變更為λ0/4?？偼敌谐坦饴凡钍遣ㄩL的一半，而且形變帶18反射的光和襯底16反射的光被破壞性干涉。
利用該干涉，調(diào)制器衍射入射光26。在圖3中，參考編號28和30分別表示在變形狀態(tài)下，以+/-衍射模式(D+1，D-1)干涉的光束。
然而，Bloom發(fā)明的光調(diào)制器采用靜電方法，控制微型反射鏡的位置，其缺點在于，工作電壓較高(通常為30V左右)，而且所施加的電壓與位移之間的關(guān)系不是線性的，因此控制光的可靠性糟糕。
Bloom的專利描述的光調(diào)制器可以用作用于顯示圖像的器件。在這種情況下，最少兩個相鄰單元可以形成一個像素。當(dāng)然，3個單元可以形成一個像素，或者4個或6個單元可以形成一個像素。
然而，Bloom的專利描述的光調(diào)制器在實現(xiàn)小型化方面受到限制。即，光調(diào)制器的局限性在于，所形成的其單元的寬度不低于3μm，而且所形成的單元之間的間隔不低于0.5μm。
此外，最少需要兩個單元構(gòu)成衍射像素，因此在該器件的小型化方面受到限制。

發(fā)明內(nèi)容
因此，為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，提出本發(fā)明，而且本發(fā)明的目的是提供一種衍射光調(diào)制器，其中使用少至一個形變帶單元形成一個像素，由此小型化產(chǎn)品。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種基于開孔的衍射光調(diào)制器，包括基座構(gòu)件；第一反射部件，由基座構(gòu)件支承，并包括與基座構(gòu)件分開的中間部分，使得限定其間的間隔，朝向基座構(gòu)件并且與之分離并用作反射面以反射入射光的第一表面，以及通過所形成的第一反射部件以使得穿過其通過入射光的至少一個開孔；第二反射部件，位于第一反射部件和基座構(gòu)件之間，所述第二反射部件與第一反射部件分開，并包括面向第一反射部件的反射面，以反射通過所述至少一個開孔的入射光；以及致動單元，用于相對第二反射部件移動第一反射部件的中間部分，以改變衍射光的強(qiáng)度，該衍射光使用從第一反射部件和第二反射部件所反射的光形成。
在本發(fā)明的還一方面，第一反射部件橫跨形成在基座構(gòu)件上的凹槽，基座構(gòu)件的凹槽的側(cè)壁支承第二反射部件，以與第一反射部件成平行間隔關(guān)系，第二反射部件朝向或遠(yuǎn)離第一反射部件可移動，以反射通過開孔的入射光；以及致動單元相對于第一反射部件移動第二反射部件，以改變衍射光的強(qiáng)度，該衍射光使用從第一反射部件和第二反射部件反射的光形成。
此外，本發(fā)明提供基于開孔的衍射光調(diào)制器，包括基座構(gòu)件；排列形成陣列的多個第一反射部件，每個第一反射部件在其中間部分從基座構(gòu)件分離，以使得在其間形成間隔，每個第一反射部件都由基座構(gòu)件支承，每個第一反射部件都具有離開基座構(gòu)件朝向的反射表面以反射入射光，以及每個第一反射部件都形成有至少一個開孔以使得穿過其通過入射光；第二反射部件，位于第一反射部件和基座構(gòu)件之間，以使得相對于第一反射部件限定間隔，并且第二反射部件具有反射面以反射通過開孔的入射光；以及多個致動單元，用于移動相應(yīng)第一反射部件的中間部分，以改變衍射光的強(qiáng)度，該衍射光使用從第一反射部件和第二反射部件反射的光形成。
在本發(fā)明的另一方面中，第一反射部件橫跨由基座構(gòu)件限定的凹槽，所述第二反射部件排列形成陣列，以及由基座構(gòu)件的凹槽側(cè)壁支承，以與相應(yīng)的第一反射部件成平行分隔關(guān)系，第二反射部件朝向或遠(yuǎn)離第一反射部件可移動，以反射通過開孔的入射光；所述致動單元相對于第一反射部件移動相應(yīng)的第二反射部件，以改變衍射光的強(qiáng)度，該衍射光使用從第一反射部件和第二反射部件反射的光形成。
此外，本發(fā)明提供使用基于開孔的衍射光調(diào)制器的顯示設(shè)備，包括發(fā)射光的光源；基于開孔的衍射光調(diào)制器，調(diào)制入射光以生成衍射光；光學(xué)部件，用于將從光源發(fā)射的入射光施加到基于開孔的衍射光調(diào)制器；過濾光學(xué)部件，用于從由基于開孔的衍射光調(diào)制器所調(diào)制的衍射光中選擇期望級的衍射光，使得穿過其通過所選擇的衍射光；以及投射和掃描光學(xué)部件，用于在屏幕上掃描通過過濾光學(xué)部件的衍射光。基于開孔的衍射光調(diào)制器包括基座構(gòu)件；排列為形成陣列的多個第一反射部件，每個第一反射部件由基座構(gòu)件支承，使得在第一反射部件的中部部分和基座構(gòu)件之間形成間隔，并且每個第一反射部件具有在其中形成的開孔，使得穿過其通過光，以及反射面以反射入射光；第二反射部件，由基座構(gòu)件支承，所述第二反射部件與第一反射部件分隔，所述第二反射部件包括反射表面，以反射通過第一反射部件的開孔的入射光；以及多個致動單元，用于相對于第二反射部件移動相應(yīng)的第一反射部件的中間部分，以改變衍射光的強(qiáng)度，該衍射光使用從第一反射部件和第二反射部件反射的光形成。
此外，本發(fā)明提供基于開孔的衍射光調(diào)制器，包括襯底；在襯底上沉積的絕緣層；在絕緣層上沉積的至少一個犧牲層；在絕緣層上放置的反射部件，放置該反射部件以反射入射光；位于至少一個犧牲層上的支承，通過該支承形成第一開孔；放置在所述支承上的微型反射鏡，該微型反射鏡具有反射面以反射入射光，在微型反射鏡中形成的第二開孔，以對應(yīng)于第一開孔，穿過其通過入射光；以及至少一個致動單元，以當(dāng)向其施加電壓時，移動支承的中間部分，由此改變衍射光的強(qiáng)度，該衍射光是使用從微型反射鏡和反射部件反射的光形成的。


根據(jù)以下結(jié)合附圖所做的詳細(xì)說明，可以更清楚地理解本發(fā)明的上述以及其他目的、特征以及其他優(yōu)點，附圖包括圖1示出根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)，采用靜電方法的光柵光調(diào)制器；圖2示出在未變形狀態(tài)下，根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)采用靜電方法的光柵光調(diào)制器反射的入射光；圖3示出在靜電力引起的變形狀態(tài)下，根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)由光柵光調(diào)制器衍射的入射光；圖4a是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖；圖4b是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖；圖4c是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖；圖4d是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖；圖4e是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖；圖4f是根據(jù)本發(fā)明的第六實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖；圖4g是根據(jù)本發(fā)明的第七實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖；圖4h是根據(jù)本發(fā)明的第八實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖；圖4i是根據(jù)本發(fā)明的第九實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖；圖4j是根據(jù)本發(fā)明的第十實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖；圖5示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器的1-D陣列結(jié)構(gòu)；圖6示出根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器的2-D陣列結(jié)構(gòu)；圖7示出使用根據(jù)本發(fā)明的實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器的顯示系統(tǒng)；圖8a是根據(jù)本發(fā)明的實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖，其中入射光斜射單元1-D陣列的上部微型反射鏡；以及圖8b是根據(jù)本發(fā)明的實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖，其中光垂直入射單元1-D陣列的上部微型反射鏡。
具體實施例方式
下面將參考圖4a至8b詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖4a是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖。
參考附圖，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器包括硅襯底501a、絕緣層502a、微型反射鏡503a以及單元510a。盡管在該實施例中以單獨層構(gòu)造絕緣層和微型反射鏡，但是可以實現(xiàn)該絕緣層以在它具有光反射特性時，用作微型反射鏡。此外，在此，絕緣層502a示為在基座構(gòu)件501a的表面上形成，但是絕緣層并不是必需的，因此可以形成反射部件503a而不形成絕緣層502a。
硅襯底501a包括用于向單元510a提供間隔的凹槽，在硅襯底501a上形成絕緣層502a，在硅襯底501a上沉積下部微型反射鏡503a，以及單元510a的底部與位于凹槽外部的硅襯底501a的兩側(cè)相連或者由其支承。諸如Si、Al2O3、ZrO2、石英以及SiO2的材料用于構(gòu)造硅襯底501a，可以利用不同材料來形成硅襯底501a的下層和上層(利用虛線劃分)。此外，玻璃襯底可被用作基座構(gòu)件510a。
下部微型反射鏡503a放置在基座構(gòu)件501a的上側(cè)，并反射入射光。微型反射鏡可用作下部反射部件503a，以及諸如Al、Pt、Cr或Ag的金屬可以用于構(gòu)造下部微型反射鏡503a。
單元510a被形成為拉長的薄的帶形，然而，可以以其他形狀形成該單元，例如長方形、圓形、橢圓形等。單元510a包括下部支承511a，其兩側(cè)的底部與位于硅襯底501a的凹槽外部的硅襯底501a的兩側(cè)相連或由其支撐，以使單元510a的中心部分與該凹槽分離。命名術(shù)語“下部支承”因為它位于壓電層520a和520a’的下面。
分別在下部支承511a的兩側(cè)設(shè)置壓電層520a和520a’，而且通過所設(shè)置的壓電層520a和520a’的收縮和膨脹，提供單元510a的致動力。
硅的氧化物(例如，SiO2等)、硅的氮化物(例如，Si3N4等)、陶瓷襯底(Si、ZrO2和Al2O3等)或硅的碳化物可以用于構(gòu)造下部支承511a?？梢愿鶕?jù)需要，省略該下部支承511a。
左和右壓電層520a或520a’包括下部電極層521a或521a’，適于提供壓電電壓；壓電材料層522a或522a’，形成在下部電極層521a或521a’上，而且當(dāng)對其兩側(cè)施加電壓時，適于通過收縮和膨脹，產(chǎn)生垂直致動力；以及上部電極層523a或423a’，形成在壓電材料層521a或521a’上，而且適于對壓電材料層521a或521a’提供壓電電壓。當(dāng)對上部電極層523a和523a’以及下部電極層521a和521a’施加電壓時，壓電材料層521a和521a’收縮和膨脹，因此導(dǎo)致下部支承511a朝向或遠(yuǎn)離微型反射鏡503a垂直移動。
Pt、Ta/Pt、Ni、Au、Al、Ti/Pt、IrO2和RuO2可以用作電極521a、521a’、523a和523a’的材料，而且利用噴鍍或汽化方法，沉積這些材料，以具有0.01至3μm范圍內(nèi)的深度。
同時，在下部支承511a的中心部分，沉積上部微型反射鏡530a。上部微型反射鏡530a包括多個開孔531a1至531a3。在這種情況下，優(yōu)選將開孔531a1至531a3形成為矩形，但是可以形成為諸如圓形或橢圓形的任意封閉形狀。此外，下部支承511a和上部微型反射鏡530a可被稱為上部反射部件540a。如果下部支承由反光材料構(gòu)成，則不需要沉積單獨上部微型反射鏡，而且下部支承單獨用作反射部件540a。
這種開孔531a1至531a3使光入射到單元510a上，以穿過它，因此光入射到對應(yīng)于開孔531a1至531a3的部分下部微型反射鏡503a上，因此可以使下部微型反射鏡503a和上部微型反射鏡530a形成像素。
即，例如，在其中形成開孔531a1-531a3的上部微型反射鏡530a的一部分(A)和下部微型反射鏡503a的一部分(B)可以形成一個像素。
換句話說，由于上部微型反射鏡530a具有反射面，它反射入射光以形成反射光，同時允許入射光通過開孔到達(dá)下部反射部件503a。然后下部反射部件503a反射入射光以形成反射光，因此從上部微型反射鏡530a反射的光與從下部微型反射鏡530a反射的光互相干涉，由此形成衍射光。衍射光的強(qiáng)度取決于上部微型反射鏡530a和下部反射部件503a之間的距離。
在這種情況下，通過上部微型反射鏡530a的開孔531a1至531a3的入射光可以入射到下部微型反射鏡503a的相應(yīng)部分上，而且在上部微型反射鏡530a與下部微型反射鏡503a之間的高度差是λ/4的奇數(shù)倍之一時，產(chǎn)生最強(qiáng)衍射光。同樣，在此，只示出一個單元510a，但是本發(fā)明的基于開孔的衍射光調(diào)制器可包括多個彼此平行的單元。換句話說，本發(fā)明的基于開孔的衍射光調(diào)制器可包括單元陣列，其示于圖5和6。
當(dāng)使用根據(jù)本發(fā)明的單元陣列時，可以使用少于現(xiàn)有技術(shù)的單元實現(xiàn)具有期望像素的顯示設(shè)備。
例如，在現(xiàn)有技術(shù)中，可以使用至少兩個帶狀單元形成一個像素。在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)兩個帶狀單元構(gòu)成一個像素時，衍射效率為50％或更低，因此四個或六個單元構(gòu)成一個像素以使得增加衍射效率。當(dāng)四個或更多單元構(gòu)成一個像素時，衍射效率為70％或更高，由此可以通過單元數(shù)目的增加而獲得期望的最高效率。在本發(fā)明的第一實施例中，通過構(gòu)成一個單元510a的上部部件的上部微型反射鏡530a形成三個開孔531a1-531a3，以穿過其通過入射光，以達(dá)到下部反射部件503a，由此獲得與使用六個單元來形成一個像素的現(xiàn)有技術(shù)相同的衍射效率。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，鄰近上部微型反射鏡530a的第一開孔531a1的反射鏡部件反射入射光，以用作現(xiàn)有技術(shù)的一個形變帶單元。此外，部分下部反射部件503a反射通過第一開孔531a1的入射光，由此用作另一個形變帶單元，所述部分下部反射部件503a位于第一開孔531a1之下，以使得在位置上對應(yīng)于第一開孔。另外，鄰近上部微型反射鏡530a的第二開孔531a2的反射鏡部件反射入射光，以用作現(xiàn)有技術(shù)的另一個形變帶單元，而且部分下部反射部件503a反射通過第二開孔531a2的入射光，由此用作另一個形變帶單元，所述部分下部反射部件503a位于第二開孔531a2之下，以使得在位置上對應(yīng)于第二開孔。同樣，鄰近上部微型反射鏡530a的第三開孔531a3的反射鏡部件反射入射光，以用作現(xiàn)有技術(shù)的另一個形變帶單元，而且部分下部反射部件503a反射通過第三開孔531a3的入射光，由此用作另一個形變帶單元，所述部分下部反射部件503a位于第三開孔531a3之下，以使得在位置上對應(yīng)于第三開孔。如上所述，如果使用穿過其形成三個開孔531a1-531a3的上部微型反射鏡530和下部反射部件503a，可以使用一個形變帶單元510a獲得在現(xiàn)有技術(shù)中使用六個形變帶單元形成一個像素時獲得的相同衍射效率。
如果使用上述衍射光調(diào)制器實現(xiàn)對應(yīng)于1080×1920的數(shù)字TVHD格式，垂直排列1080個像素并且每個像素經(jīng)受1920次光學(xué)調(diào)制，由此形成一個幀。如果通過現(xiàn)有技術(shù)使用四個或六個驅(qū)動形變帶(driving ribbon)形成一個像素，需要1080×4(或6)個驅(qū)動形變帶來形成1080個像素。另一方面，如果使用根據(jù)本發(fā)明的具有兩個或三個開孔的帶狀單元時，可以只使用1080×1個帶狀單元形成1080個像素。因此，容易地實現(xiàn)制造，產(chǎn)量提高，而且可以制造具有小尺寸的設(shè)備。
圖4b是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖。
參照附圖，根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器包括基座構(gòu)件501b、下部反射部件503b和單元510b。
與第一實施例不同，下部反射部件503b包括多個下部反射圖形503b1-503b3，該多個下部反射圖形503b1-503b3按間隔設(shè)置在絕緣層502a的表面上，使得它們在位置上對應(yīng)于上部微型反射鏡530b的開孔531b1-531b3。其他構(gòu)造與圖4a的相同。
圖4c是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖。
參照附圖，根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器包括基座構(gòu)件501c，其包括SIMOX SOI(被注入氧的絕緣體上硅分開)襯底(在下文中，稱為“絕緣體上硅襯底”)、下部反射部件503c和單元510c。
本發(fā)明的第三實施例不同于圖4a的第一實施例在于絕緣體上硅襯底，而不是硅襯底，被用作基座構(gòu)件501c。其制造是公知的，因此在此省略其詳細(xì)描述。
本發(fā)明中使用的絕緣體上硅的基座構(gòu)件501c包括硅襯底501c1、二氧化硅絕緣層501c2，其通過在硅襯底中注入氧離子形成、以及犧牲硅層501c3，其通過在硅襯底中注入高濃度氧形成。犧牲硅層501c3的位于上部微型反射鏡530a下面的部分被蝕刻，使得確保移動間隔(空氣隙)，在其中單元510c可以垂直移動。此外，犧牲硅層501c3的位于壓電層520a，520a’下面的部分被部分蝕刻，使得通過壓電層520c和520c’的壓電材料522c和522c’的收縮和膨脹致動上部微型反射鏡530a。同樣，二氧化硅絕緣層501c2可被認(rèn)為是蝕刻阻止層，用于當(dāng)蝕刻硅犧牲層501c3時防止硅襯底501c1被蝕刻。
此外，本發(fā)明的第三實施例還與第一實施例不同，在于下部反射部件503c包括多個彼此分離的下部反射圖形503c1-503c3。從這點上看，它與第二實施例相同。
此外，本發(fā)明的第三實施例與第一實施例不同，在于犧牲硅層501c3為單元510c提供移動間隔(空氣隙)。也就是說，在本發(fā)明的第三實施例中，在硅襯底501c1上沒有必要提供單獨的凹槽。在這點上看，可認(rèn)為犧牲硅層501c3是用于支承單元510c的支承構(gòu)件，以為單元510c提供移動間隔。此外，根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器與第一實施例的那些相同。
圖4d是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖，該光調(diào)制器包括包含有硅襯底的基座構(gòu)件501d、下部反射部件503d、以及單元510d。
圖4d的第四實施例與圖4a的實施例不同在于沒有縱向排列開孔531d1-531d3，而是橫向排列。其他構(gòu)造與圖4a相同。
圖4e是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖。
參照附圖，根據(jù)第五實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器不同于根據(jù)第四實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器，在于單元510e的下部支承511e從硅襯底的基座構(gòu)件501e上突起，以提供間隔。結(jié)果是，單元510e可以垂直移動。
即，單元510e具有用于反射入射光的上部微型反射鏡530e，并能夠垂直移動，同時從基座構(gòu)件501e上突起。在此情況下，如果下部支承具有光反射特性，可以實現(xiàn)下部支承以用作微型反射鏡，而不必形成單獨的微型反射鏡。
單元510e的下部支承511e突起以向單元510e提供空氣隙，其兩側(cè)附于基座單元510e上。
此外，在包括硅襯底的基座構(gòu)件501e上淀積絕緣層502e和下部反射部件503e，下部反射部件503e反射通過開孔的入射光。在此情況下，如果絕緣層具有光反射特性，絕緣層可以用作下部反射部件，而不必形成單獨的下部反射部件。
單元510e可形成為帶狀，定位其中心部分以從基座構(gòu)件501e突起并分離，以及其底部的兩側(cè)附于基座構(gòu)件501e上。
壓電層520e和520e’分別形成單元510e的上部的左側(cè)和右側(cè)。壓電層520e或520e’包括適于提供壓電電壓的下部電極層521e或521e’、壓電材料層522e或522e’，形成在下部電極層521e或521e’上，并適于當(dāng)電壓施加到其兩側(cè)時，通過收縮和膨脹生成垂直致動力、以及上部電極層523e或523e’，形成在壓電材料層522e或522e’上，并適于向壓電材料層522e或522e’提供壓電電壓。
當(dāng)電壓施加到上部電極層523e和523e’以及下部電極層521e和521e’時，單元510e向上移動并反射入射光以形成反射光。
在其中除去了下部支承511e的壓電層520e和520e’的單元510e的中心部分放置上部微型反射鏡530e，以及在上部微型反射鏡530e上設(shè)置開孔531e1至531e3。在這種情況下，開孔531e1_531e3優(yōu)選地形成為長方形，但也可以形成為任意閉合形狀例如圓形或橢圓。
這種開孔531e1_531e3允許對應(yīng)于開孔531e1至531e3的部分下部微型反射鏡503e，以及鄰近上部微型反射鏡530e的開孔531e1至531e3的部分上部微型反射鏡530e，形成像素。
即，例如，部分上部微型反射鏡530e(A)，其中形成開孔531e1至531e3，以及部分下部微型反射鏡503e(B)形成單個像素。
在此情況下，穿過上部微型反射鏡530的開孔531e1至531e3的入射光可以入射到下部微型反射鏡503e的相應(yīng)部分上，可以理解當(dāng)上部微型反射鏡530e與下部微型反射鏡503e之間的高度差是λ/4的奇數(shù)倍之一時，生成最強(qiáng)衍射光。
圖4f是根據(jù)本發(fā)明的第六實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖。
參照附圖，根據(jù)第六實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器不同于根據(jù)第五實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器，在于開孔在橫向方向上排列。其他結(jié)構(gòu)與如圖4e的基于開孔的衍射光調(diào)制器相同。
圖4g是根據(jù)本發(fā)明的第七實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖。參照附圖，根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器包括硅襯底501g、在硅襯底上層疊的下部反射部件503g、以及上部微型反射鏡510g。
下部反射部件503g不僅用作下部電極，還反射光以形成反射光。
上部微型反射鏡510g具有在其中設(shè)置的開孔511g1_511g3。在此情況下，優(yōu)選地開孔511g1_511g3形成為長方形，但也可以形成為任意閉合形狀例如圓形或橢圓。
這種開孔511g1_511g3允許對應(yīng)于開孔511g1_511g3的部分下部微型反射鏡503g，以及鄰近上部微型反射鏡510g的開孔511g1_511g3的部分上部微型反射鏡530e，形成像素。
即，例如，部分上部微型反射鏡510g(A)，其中形成開孔，以及部分下部微型反射鏡503g(B)形成單個像素。
在此情況下，穿過上部微型反射鏡510g的開孔511g1_511g3的入射光可以入射到下部微型反射鏡503g的相應(yīng)部分上，可以理解當(dāng)上部微型反射鏡510g與下部微型反射鏡503g之間的高度差是λ/4的奇數(shù)倍之一時，生成最強(qiáng)衍射光。
圖4h是根據(jù)本發(fā)明的第八實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖。
參照附圖，根據(jù)本發(fā)明第八實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器不同于根據(jù)本發(fā)明第七實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器在于，開孔水平排列。其他的結(jié)構(gòu)與圖4g相同。同時，在本發(fā)明的第一至第六實施例中，使用壓電材料層生成垂直致動力，以及在第七和第八實施例中，使用靜電力生成垂直致動力。此外，使用電磁力生成垂直致動力。
同時，在第四至第八實施力中，一個反射鏡層構(gòu)成下部反射部件，但是，如第二實施例所示，下部反射部件可以按間隔包括多個下部反射圖形。也就是說，下部反射部件包括多個下部反射圖形，并且按間隔在絕緣層的表面上設(shè)置多個下部反射圖形，使得它們在位置上對應(yīng)于下部微型反射鏡的開孔。
圖4i是根據(jù)本發(fā)明的第九實施例，部分分離的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖。
參照附圖，根據(jù)本發(fā)明第九實施例的基于開孔的衍射光調(diào)制器包括基座構(gòu)件501i，包含硅襯底、下部反射部件510i，形成在基座構(gòu)件501i的凹槽中間、以及上部微型反射鏡520i，適于橫跨基座部件501i的最上表面。下部反射部件510i不僅反射入射光以形成反射光，還用作上部電極。
在基座構(gòu)件501i的凹槽底部形成下部電極層503i。下部電極層503i，以及位于凹槽中間的下部反射部件510i(上部電極)，向下部反射部件510i提供由靜電力導(dǎo)致的垂直致動力。
即，下部電極503i和下部反射部件510i由于靜電力彼此吸引，并且如果對其施加電壓，生成向下致動力，或者如果不對其施加電壓，它們通過復(fù)原力(restoring force)產(chǎn)生向下致動力。
同時，在上部微型反射鏡520i上設(shè)置開孔531i1-531i3。開孔531i1-531i3優(yōu)選地形成為長方形，但是也可形成為任何閉合形狀，例如圓形或橢圓形。
這種開孔531i1-531i3使得對應(yīng)于開孔531i1-531i3的部分下部反射部件510i，以及臨近開口531i1-531i3的部分上部微型反射鏡520i，形成像素。
即，例如，在其上形成開孔531i1-531i3的上部微型反射鏡520i的一部分(A)和下部微型反射鏡的一部分(B)可以形成一個像素。
在這種情況下，通過上部微型反射鏡520i的開孔的入射光可以入射到下部微型反射鏡510i的相應(yīng)部分上，而且可以理解在上部微型反射鏡520i與下部微型反射鏡510i之間的高度差是λ/4的奇數(shù)倍之一時，產(chǎn)生最強(qiáng)衍射光。
圖4j示出根據(jù)本發(fā)明第十實施例的基于開孔的光調(diào)制器，其與第九實施例不同在于，橫向設(shè)置開孔。
同時，在第四實施例中，以及第七至第十實施例中，硅襯底被用作基座部件，但是，如第三實施例所示，可以使用絕緣體上硅襯底。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的基于開孔的光調(diào)制器的單元1-D陣列的透視圖。
參照附圖，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的基于開孔的光調(diào)制器的單元1-D陣列中，具有上部微型反射鏡的多個單元610a-610n彼此平行單向排列，因此衍射入射光。同時，在此僅描述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的基于開孔的光調(diào)制器的單元1-D陣列，但也可以相同地實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明第二至第十實施例的基于開孔的光調(diào)制器的單元1-D陣列。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第七實施例的基于開孔的光調(diào)制器的單元2-D陣列的透視圖。
參照附圖，在根據(jù)本發(fā)明第七實施例的基于開孔的光調(diào)制器的單元2-D陣列中，在X-和Y-方向上排列多個單元710a1-710nn。在此僅描述根據(jù)本發(fā)明第七實施例的基于開孔的光調(diào)制器的單元2-D陣列，但也可以相同地實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明其他實施例的基于開孔的光調(diào)制器的單元2-D陣列。
同時，盡管在此說明書中描述了單個壓電材料層的情況，可以實現(xiàn)由多個壓電材料層形成的多種壓電材料層。
圖7示出使用根據(jù)本發(fā)明實施例的基于開孔的光調(diào)制器的顯示設(shè)備。如上所述，例如在顯示設(shè)備中使用的光學(xué)系統(tǒng)也可被用在打印機(jī)中，以及，在此情況下，可以使用磁鼓(drum)而不是屏幕818，如下文所述。在使用磁鼓的情況下，由于磁鼓轉(zhuǎn)動，單獨的掃描光學(xué)部件旋轉(zhuǎn)，如在顯示設(shè)備中，因此并不必須使用掃描光學(xué)部件。
參照圖7，使用根據(jù)本發(fā)明實施例的基于開孔的光調(diào)制器的顯示設(shè)備包括顯示光學(xué)系統(tǒng)802以及顯示電子系統(tǒng)804。顯示光學(xué)系統(tǒng)802包括光源806、光學(xué)部件(light optical part)808，用于將從光源806發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為線性光，使得以線性光的形式照射基于開孔的光調(diào)制器810，該基于開孔的光調(diào)制810用于調(diào)制由光學(xué)部件808形成的線性光，以形成衍射光、濾光部件(filtering optical part)812，用于分離由基于開孔的光調(diào)制810調(diào)制的衍射光束的級，以穿過其通過衍射光束的不同級中期望的衍射光束級、投射和掃描光學(xué)部件816，用于聚光通過濾光部件812的衍射光束，以按2-D圖像掃描聚光的點光(point light)、以及顯示屏幕818。
顯示電子系統(tǒng)804連接到光源806、基于開孔的衍射光調(diào)制器810、以及投射和掃描光學(xué)部件816。
此外，如果來自光學(xué)部件808的線性光入射到基于開孔的光調(diào)制器810上，調(diào)制器通過顯示電子系統(tǒng)804的控制調(diào)制入射光，以生成衍射光，因此發(fā)射它。
圖8a是基于開孔的光調(diào)制器的透視圖，其中線性光斜照射單元811a-811n 1-D陣列的多個上部微型反射鏡812a-811n。如果多個上部微型反射鏡812a-812n垂直移動，由于上部微型反射鏡812a-812n和下部反射部件813之間的高度差，調(diào)制入射線性光，由此生成衍射光。在此情況下，由于光斜入射，衍射光斜發(fā)射。
圖8b是基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖，其中線性光垂直地照射單元811a-811n 1-D陣列的多個上部微型反射鏡812a-811n。如果多個上部微型反射鏡812a-812n垂直移動，由于上部微型反射鏡812a-812n和下部反射部件813之間的高度差，調(diào)制入射線性光，由此生成衍射光。在此情況下，垂直地發(fā)射0級衍射光束，并斜發(fā)射±1級衍射光束，左和右，因為光是垂直入射的。
同時，當(dāng)衍射光入射于其上時，濾光系統(tǒng)812從衍射光束的各個級中分離衍射光束的期望級。濾光系統(tǒng)812包括傅立葉透鏡(未示出)以及過濾器(未示出)，并且選擇性地通過0或±1級衍射光束。
同樣，投射和掃描光學(xué)部件816包括聚光透鏡(未示出)和掃描反射鏡(未示出)，并且在屏幕818上掃描衍射光束，同時控制顯示電子系統(tǒng)804。
顯示電子系統(tǒng)804驅(qū)動投射和掃描光學(xué)部件816的掃描反射鏡(未示出)。投射和掃描光學(xué)部件816在屏幕818上投射圖像并在顯示屏幕818上掃描它，以在顯示屏幕818上形成2-D圖像。
同時，在圖7至8b中，僅描述了單色圖像的生成，但是可以生成彩色圖像。可以通過額外地將兩個光源、兩個衍射光調(diào)制器、以及過濾器施加到顯示光學(xué)系統(tǒng)802，來實現(xiàn)彩色圖像的生成。
如上所述，本發(fā)明意在使用一個驅(qū)動形變帶單元形成一個像素。
此外，本發(fā)明意在通過形變帶單元的上部微型反射鏡來形成多個開孔，由此生成具有改進(jìn)的衍射效率的衍射光。
同樣，本發(fā)明意在用一個驅(qū)動單元替換四個或六個傳統(tǒng)驅(qū)動單元，由此改善制造過程產(chǎn)量并降低制造成本。
權(quán)利要求
1.一種基于開孔的衍射光調(diào)制器，包括(a)基座構(gòu)件；(b)第一反射部件，由基座構(gòu)件支承，包括與基座構(gòu)件分離的中間部分，以使得在其間限定間隔；朝向所述基座構(gòu)件且與之分離，并用作反射表面以反射入射光的第一面；穿過所述第一反射部件延伸并形成為使得穿過其以通過入射光的至少一個開孔；(c)第二反射部件，位于第一反射部件和基座構(gòu)件之間，所述第二反射部件與第一反射部件分開；并且包括面向第一反射部件的反射面，以反射通過所述至少一個開孔的入射光；以及(d)致動單元，用于相對于第二反射部件移動第一反射部件的中間部分，以改變衍射光的強(qiáng)度，該衍射光使用從第一反射部件和第二反射部件反射的光而形成。
2.如權(quán)利要求1所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中所述基座構(gòu)件包括襯底；以及支承構(gòu)件，從襯底伸出，所述支承構(gòu)件以第一反射部件的中間部分與襯底分開的方式支承第一反射部件的分開位置，以在其間形成間隔；其中，相對于襯底放置第二反射部件，以反射通過第一反射部件的開孔的入射光。
3.如權(quán)利要求2所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，還包括在襯底和第二反射部件之間插入的絕緣層。
4.如權(quán)利要求1所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中所述基座構(gòu)件限定凹槽以提供間隔，在基座構(gòu)件的凹槽中放置第二反射部件，以及第一反射部件橫跨凹槽，以使得其中間部分與第二反射部件分開，以在其間形成間隔。
5.如權(quán)利要求4所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中第一反射部件橫跨基座構(gòu)件的凹槽，第二反射部件由基座構(gòu)件的凹槽的側(cè)壁支承，以與第一反射部件平行地分離，第二反射部件朝向或遠(yuǎn)離第一反射部件可移動，以反射通過開孔的入射光；以及所述致動單元相對于第一反射部件移動第二反射部件，以改變衍射光的強(qiáng)度，該衍射光使用從第一反射部件和第二反射部件反射的光形成。
6.如權(quán)利要求5所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中致動單元將凹槽底部用作第一電極并將第二反射部件用作第二電極，并且當(dāng)向第二反射部件施加電壓時，使用在第一電極和第二反射部件之間生成的靜電力移動第二反射部件。
7.如權(quán)利要求4所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，還包括在基座構(gòu)件和第二反射部件之間插入的絕緣層。
8.如權(quán)利要求1所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中第一反射部件包括第一支承層，具有相對于基座構(gòu)件放置的中間部分，以使得在其間形成間隔，所述支承層由基座構(gòu)件支承并限定所形成的至少一個開孔，以使得穿過其通過入射光；以及第一微型反射鏡，放置在第一支承層上，以基本上朝向基座構(gòu)件并且與之分離，所述第一微型反射鏡限定在位置上對應(yīng)于第一支承層的至少一個開孔的至少一個開孔，并形成為穿過其通過入射光，并且所述第一微型反射鏡還具有用作反射面的表面以反射入射光。
9.如權(quán)利要求1所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中構(gòu)造第一反射部件以使得其中間部分與第二反射部件分開，以在其間提供間隔。
10.如權(quán)利要求1所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中第一反射部件具有排列在一個方向上的多個開孔，所述方向與第一反射部件橫跨基座構(gòu)件的方向相同。
11.如權(quán)利要求1所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中第一反射部件具有排列在一個方向上的多個開孔，所述方向橫向于第一反射部件橫跨基座構(gòu)件的方向。
12.如權(quán)利要求1所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中所述致動單元包括壓電層，放置在不同于第一反射部件的中間部分的位置的第一位置，所述壓電層可操作的收縮和膨脹，以當(dāng)向壓電層的相對側(cè)施加電壓時，在橫向于第一反射部件的方向上提供致動力。
13.如權(quán)利要求12所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，還包括至少兩個相對于第一反射部件在位置上彼此分開的壓電層部分。
14.如權(quán)利要求13所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，還包括放置在壓電層部分上的電極層，以提供壓電電壓。
15.如權(quán)利要求12所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器還包括放置在壓電材料層上的電極層，以提供壓電電壓，以及其中，第一反射部件用作壓電層的電極。
16.如權(quán)利要求12所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器其中壓電層包括多個壓電材料層，以當(dāng)向其兩側(cè)施加電壓時，生成收縮和膨脹致動力；多個第一電極層，插入多個第一壓電材料層之間，以提供壓電電壓；第二電極層，放置在多個第一壓電材料層的最外層上，以提供壓電電壓；以及其中第一反射部件用作壓電層的電極。
17.如權(quán)利要求1所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中致動單元包括第一電極和第二電極，并且在第一和第二電極之間生成靜電力以使第一和第二反射部件相對于彼此移動。
18.如權(quán)利要求17所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中第一電極包括第一反射部件。
19.如權(quán)利要求18所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中第二電極包括第二反射部件。
20.如權(quán)利要求19所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中第二電極包括半導(dǎo)體硅襯底。
21.如權(quán)利要求1所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中致動單元使用靜電力移動第一反射部件。
22.一種基于開孔的衍射光調(diào)制器，包括基座構(gòu)件；多個第一反射部件，排列形成陣列，每個第一反射部件為從基座構(gòu)件在其中間部分分開，使得在其間形成間隔；每個第一反射部件由基座構(gòu)件支承，每個第一反射部件具有離開基座構(gòu)件指向的反射面；以及每個第一反射部件形成有至少一個開孔，使得穿過其通過入射光；第二反射部件，位于第一反射部件和基座構(gòu)件之間，使得相對于上部反射部件限定間隔，并且該第二反射部件具有反射面以反射通過開孔的入射光；以及多個致動單元，用于移動相應(yīng)第一反射部件的中間部分，以改變衍射光的強(qiáng)度，所述衍射光使用從第一反射部件和第二反射部件反射的光形成。
23.如權(quán)利要求22所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中所述基座構(gòu)件包括襯底；以及至少一個支承構(gòu)件，從襯底伸出，以每個第一反射部件的中間部分與襯底分開的方式支承第一反射部件，以在其間形成間隔；其中相對于襯底放置第二反射部件，以反射通過多個第一反射部件的開孔的入射光。
24.如權(quán)利要求22所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中所述基座構(gòu)件具有相對平坦的表面，多個上部反射部件的中間部分與下部反射部件分開，使得在其間限定間隔，以及基本上平行地排列上部反射部件，以形成陣列。
25.如權(quán)利要求22所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中所述基座構(gòu)件具有限定凹槽的部分以提供間隔，第二反射部分位于基座構(gòu)件的凹槽內(nèi)，并且多個第一反射部件分別橫跨凹槽，使得其中間部分與相應(yīng)的第二反射部件分開，以在其間形成間隔，并且排列多個第一反射部件以形成陣列。
26.如權(quán)利要求25所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中所述第一反射部件橫跨基座構(gòu)件的凹槽；所述第二反射部件排列形成陣列并由基座構(gòu)件的凹槽側(cè)壁支承，以與相應(yīng)的第一反射部件平行地分開，所述第二反射部件朝向或遠(yuǎn)離第一反射部件可移動，以反射通過開孔的入射光；以及所述致動單元相對于第一反射部件移動相應(yīng)的第二反射部件，以改變衍射光的強(qiáng)度，該衍射光使用從第一和第二反射部件反射的光形成。
27.一種使用基于開孔的衍射光調(diào)制器的顯示設(shè)備，包括發(fā)射光的光源；基于開孔的衍射光調(diào)制器，調(diào)制入射光以生成衍射光，包括基座構(gòu)件；多個第一反射部件，排列形成陣列，每個由基座構(gòu)件支承，使得在第一反射部件的中間部分和基座構(gòu)件之間形成間隔，并且每個第一反射部件形成有開孔，以使得穿過其通過光，以及反射面以反射入射光；由基座構(gòu)件支承的第二反射部件，所述第二反射部件與第一反射部件分開，所述第二反射部件包括反射面以反射通過第一反射部件的開孔的入射光；以及多個致動單元，用于相對于第二反射部件移動相應(yīng)的第一反射部件的中間部分，以改變衍射光的強(qiáng)度，該衍射光使用從第一反射部件和第二反射部件反射的光而形成；光學(xué)部件，用于將從光源發(fā)射的入射光施加到基于開孔的衍射光調(diào)制器；過濾光學(xué)部件，用于從由基于開孔的衍射光調(diào)制器所調(diào)制的衍射光中選擇期望級的衍射光，使得穿過其通過所選擇的衍射光；以及投射和掃描光學(xué)部件，用于在屏幕上掃描通過過濾光學(xué)部件的衍射光。
28.一種使用基于開孔的衍射光調(diào)制器的印刷設(shè)備，包括發(fā)射光的光源；基于開孔的衍射光調(diào)制器，調(diào)制入射光以生成衍射光，包括基座構(gòu)件；多個第一反射部件，排列形成陣列，每個由基座構(gòu)件支承，以在其中間部分和基座構(gòu)件之間形成間隔，并且每個所述第一反射部件形成有開孔，以使得穿過其通過光，以及反射面以反射入射光；由基座構(gòu)件支承的第二反射部件，所述第二反射部件與第一反射部件分開，所述第二反射部件包括反射面以反射通過開孔的入射光；以及多個致動單元，用于移動相應(yīng)的第一反射部件的中間部分，以改變衍射光的強(qiáng)度，該衍射光使用從第一反射部件和第二反射部件反射的光而形成；光學(xué)部件，用于將從光源發(fā)射的入射光施加到基于開孔的衍射光調(diào)制器；過濾光學(xué)部件，用于從由基于開孔的衍射光調(diào)制器所調(diào)制的衍射光中選擇期望級的衍射光，使得穿過其通過所選擇的衍射光；以及投射光學(xué)部件，用于在磁鼓上投射通過過濾光學(xué)部件的衍射光。
29.一種基于開孔的衍射光調(diào)制器，包括襯底；絕緣層，放置在襯底上；至少一個犧牲層，放置在絕緣層上；反射部件，放置在絕緣層上，安放所述反射部件以反射入射光；支承，設(shè)置在至少一個犧牲層上，并通過其形成第一開孔；微型反射鏡，放置在支承上，所述微型反射鏡具有反射面以反射入射光，在反射鏡上形成第二開孔以對應(yīng)第一開孔，以穿過其通過入射光；以及至少一個致動單元，以當(dāng)向其施加電壓時，移動支承的中間部分，由此改變衍射光的強(qiáng)度，該衍射光使用從微型反射鏡和反射部件反射的光而形成。
30.如權(quán)利要求29所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中所述襯底是硅襯底，以及所述致動單元具有壓電材料，在電極上設(shè)置壓電材料，使得當(dāng)向電極施加電壓時，致動單元收縮和膨脹。
31.如權(quán)利要求1所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中第一反射部件在致動單元的影響下彎曲，由此朝向或遠(yuǎn)離第二反射部件移動。
32.如權(quán)利要求1所述的基于開孔的衍射光調(diào)制器，其中第一反射部件在橫向于其長度的方向上拉長并可彎曲。
全文摘要
本發(fā)明涉及衍射光調(diào)制器。具體地，本發(fā)明涉及基于開孔的衍射光調(diào)制器。在該調(diào)制器中，在基座構(gòu)件上設(shè)置下部反射部件，穿過從基座構(gòu)件突起的上部微型反射鏡形成開孔，使得使用具有帶狀上部微型反射鏡形的一個單元形成一個像素。
文檔編號G02F1/19GK1854796SQ200510120099
公開日2006年11月1日 申請日期2005年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月26日
發(fā)明者尹相璟 申請人:三星電機(jī)株式會社