專利名稱：液晶顯示面板及激光修補方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種液晶顯示面板及激光修補方法(laser repairing)，且特別是有關(guān)一種能夠從液晶顯示器的正面(front side)直接進行修補動作并且會在液晶顯示面板上形成一修補孔的激光修補方法。
背景技術(shù)：
自從第一臺以陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)為工作模式的黑白電視機發(fā)明以來，顯示技術(shù)便以飛快的速度不斷演進。然而，由于此種以陰極射線管模式工作的顯示器具有體積大、重量重、輻射量高及畫質(zhì)較差等缺點，因此平面顯示技術(shù)便不斷的開發(fā)出新技術(shù)。在這些平面顯示技術(shù)中，又以具有輕薄短小、省電、無輻射、全彩及方便攜帶等優(yōu)點的液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)技術(shù)最為純熟且普及化。舉凡手機、語言翻譯機、數(shù)字相機、數(shù)字攝影機、個人數(shù)字助理(PDA)、筆記本電腦甚至于臺式顯示器都有其應(yīng)用范圍。
雖然液晶顯示器技術(shù)已趨成熟，但顯示面板在制造過程的中難免會產(chǎn)生一些瑕疵，而這些瑕疵在顯示器顯像時會造成感官上的不適，若直接報廢丟棄這些有瑕疵的顯示面板，將會使得制造成本大幅增加。一般來說，只依賴改善制作工藝技術(shù)來實現(xiàn)零瑕疵率是非常困難的，因此液晶顯示面板的瑕疵修補技術(shù)變得相當?shù)闹匾?。在現(xiàn)有技術(shù)中，液晶顯示面板的瑕疵修補通常是采用激光熔接(laserwelding)或激光切割(laser cutting)等方式進行。以薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT-LCD)為例，激光修補或切割的動作通常是在薄膜晶體管陣列(TFT array)制作完成后進行。然而，液晶顯示顯示面板中瑕疵點(defects)有可能在液晶顯示顯示面板與背光組件組件組立之后(即液晶顯示組件組件(LCM)階段)才被檢出。因此，制造者已經(jīng)相繼提出一些能夠在液晶顯示組件組件階段進行的激光修補技術(shù)。
在液晶顯示組件組件階段進行的激光修補技術(shù)大致上可分為兩種。其中一種激光修補技術(shù)是將背光組件組件由液晶顯示組件組件上拆解下來后，再從液晶顯示面板的背面(TFT側(cè)的基板)入射激光光束以進行修補。此作法的缺點是拆解及組裝背光組件組件需要耗費人力及拆解、組裝工時，且物件拆解后放置會占據(jù)不少空間。
承上所述，另外一種激光修補技術(shù)則不需要拆解液晶顯示組件組件，可直接由液晶顯示面板的正面入射激光光束以進行修補。更具體來說，上述的激光修補技術(shù)是先從液晶顯示面板的正面入射一功率約為1.05毫焦耳的激光光束，使液晶受熱之后排開，液晶被排開的位置上將形成氣泡(bubble)。接著，再連續(xù)入射另一激光光束以破壞配向膜。之后，將液晶顯示組件組件靜置約4小時，等待氣泡消失后再進行點燈測試。由于局部區(qū)域上的配向膜已被激光光束所破壞，故此區(qū)域內(nèi)的液晶排列散亂，可被修補為暗點。
值得注意的是，上述修補技術(shù)需以掃描的方式破壞配向膜，耗費相當多的時間。此外，在液晶排開后，無法立即檢測修補的結(jié)果，需靜置長時間后才能點燈檢測。在靜置的過程中需有適當?shù)目臻g予以存放，且若修補失敗則必須再次重復(fù)等待，非常耗時。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種激光修補技術(shù)，其能夠從液晶顯示器的正面直接進行修補動作。
本發(fā)明的另一目的是提供一種激光修補技術(shù)，其能夠從液晶顯示組件組件的正面直接進行修補動作。
本發(fā)明的再一目的就是在提供一種液晶顯示面板，可借助上述的激光修補技術(shù)對此液晶顯示面板的正面直接進行修補動作。
為達上述的目的，本發(fā)明提供一種激光修補方法，適于修補一液晶顯示面板，此液晶顯示面板包括一主動元件陣列基板、一對向基板及一配置于主動元件陣列基板與對向基板間的液晶層。本發(fā)明的激光修補方法是先提供一激光光束，接著將所提供的激光光束經(jīng)過對向基板及液晶層照射于液晶顯示面板中的主動元件陣列基板上，以修補液晶顯示面板的點瑕疵(dot defect)。
為達上述的目的，本發(fā)明提供另一種激光修補方法，適用于修補一液晶顯示組件組件，液晶顯示組件組件包括一液晶顯示面板以及一裝置在液晶面板下的背光源。其中，液晶顯示面板包括一主動元件陣列基板，一對向基板及一配置于主動元件陣列基板與對向基板間的液晶層。本發(fā)明的激光修補方法是先提供一激光光束，接著將所提供的激光光束照射于液晶顯示面板中的主動元件陣列基板上，以修補液晶顯示組件組件的點瑕疵。
本發(fā)明的一實施例中，激光光束功率例如是介于0.65毫焦耳至1.05毫焦耳之間。
本發(fā)明的一實施例中，主動元件陣列基板包括多個掃描配件、多個數(shù)據(jù)配線以及多個像素單元，且主動元件陣列基板中的每一個像素單元包括一薄膜晶體管以及一與薄膜晶體管電性連接的像素電極，且像素電極與掃描配線耦合成一儲存電容(Cs on Gate)。此時，本實施例可借助激光光束使有瑕疵的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管失效。當液晶顯示面板為常態(tài)白畫面模式(NormallyWhite mode)時，激光光束將會使薄膜晶體管失效，并使像素電極與其對應(yīng)的掃描配線等電壓，以將瑕疵的像素單元修補成暗點。
本發(fā)明的一實施例中，主動元件陣列基板包括多個掃描配線、多個數(shù)據(jù)配線以及多個像素單元，且主動元件陣列基板中的每一像素單元包括一薄膜晶體管、一與薄膜晶體管電性連接的像素電極以及一共用配線，且像素電極與共用配線耦合成一儲存電容(Cs on Common)。此時，本實施例可借助激光光束使有瑕疵的像素單元內(nèi)的儲存電容失效。當液晶顯示面板為常態(tài)黑畫面模式(Normally Black mode)時，激光光束的修補將會使儲存電容失效，并使像素電極與對應(yīng)的共用配線等電壓，以將瑕疵的像素單元修補成暗點。
為達上述的目的，本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，此液晶顯示面板包括一主動元件陣列基板、一對向基板以及一液晶層。上述的主動元件陣列基板包括多個掃描配線、多個數(shù)據(jù)配線以及多個像素單元，其中像素單元中至少包括一已修補像素單元。對向基板則配置于主動元件陣列基板上方，并且具有一修補孔，此修補孔位于已修補的像素單元上方。而液晶層是配置于主動元件陣列基板與對向基板之間。
本發(fā)明的一實施例中，液晶顯示面板內(nèi)的主動元件陣列基板包括多個掃描配線、多個數(shù)據(jù)配線以及多個像素單元。其中，每一像素單元例如包括一薄膜晶體管以及一像素電極，且像素電極與薄膜晶體管為電性連接，并與掃描配線耦合成一儲存電容。此外，經(jīng)由激光修補而形成的修補孔是位于已修補像素單元中的薄膜晶體管上方。
本發(fā)明的一實施例中，液晶顯示面板內(nèi)的主動元件陣列基板例如包括多個掃描配線、多個數(shù)據(jù)配線以及多個像素單元。其中，每一像素單元包括一薄膜晶體管、一像素電極以及一共用配線。上述的像素電極與薄膜晶體管為電性連接，且與共用配線耦合成一儲存電容。此外，經(jīng)由激光修補而形成的修補孔是位于已修補像素單元的共用配線上方。
綜上所述，本發(fā)明的激光修補方法是將激光光束直接由液晶顯示器的正面穿透對向基板與液晶層，并利用激光光束所產(chǎn)生的高溫將儲存電容的上電極與下電極熔接，或是將薄膜晶體管的柵極與漏極相熔接，以達到瑕疵點修補的效果，并且會在對向基板上形成一修補孔。
由于上述的激光修補方法并不需要拆解背光組件組件，而且可以即時得知修補結(jié)果，因此本發(fā)明可有效地簡化激光修補制作工藝，節(jié)省拆裝組件組件的人力成本，并進一步提高產(chǎn)能(throughput)。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特點和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖進行詳細說明。


圖1為依照本發(fā)明一較佳實施例激光修補方法的流程圖。
圖2為本發(fā)明較佳實施例中液晶顯示組件組件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3A為本發(fā)明中一較佳實施例的液晶顯示面板剖面示意圖。
圖3B為本發(fā)明中另一較佳實施例的液晶顯示面板剖面示意圖。
圖4A為依照本發(fā)明一較佳實施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖意圖。
圖4B為依照本發(fā)明另一較佳實施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖意圖。
圖5A為依照本發(fā)明較佳實施例中常態(tài)白畫面模式液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板激光熔接剖面示意圖。
圖5B為依照本發(fā)明較佳實施例中常態(tài)黑畫面模式液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板激光熔接剖面示意圖。
具體實施例方式
圖1為依照本發(fā)明一較佳實施例激光修補方法的流程圖。請參照圖1，首先提供一待修補的液晶顯示組件組件或是液晶顯示面板(S100)。本實施例中，液晶顯示面板例如是由一主動元件陣列基板、一對向基板以及一配置于主動元件陣列基板與對向基板之間的液晶層所構(gòu)成(將詳述于后)，而液晶顯示組件組件例如是由上述的液晶顯示面板與一位于液晶面板下方的背光源所構(gòu)成(將詳述于后)。
同樣請參照圖1，在提供待修補的液晶顯示組件組件或是液晶顯示面板之后，接著提供一適當功率與波長的激光光束(S110)。本實施例中，激光光束的功率例如是介于0.65毫焦耳至1.05毫焦耳之間，激光光束的波長可視液晶層的材料特性而定，而所選用的激光光束的波長范圍以不被液晶層吸收者為佳。
之后，使激光光束經(jīng)過對向基板與液晶層而照射于主動元件陣列基板上(S120)，以修補主動元件陣列基板。值得注意的是，在進行激光修補的過程中，由于絕大部分的激光光束將可穿透液晶層并照射于主動元件陣列基板，因此液晶層不會受熱而排開，且所提供的激光光束可直接對主動元件陣列基板上的元件進行修補(熔接)，使得激光修補的效率大幅提升。以下，本發(fā)明將針對液晶顯示組件組件的結(jié)構(gòu)、組裝于其內(nèi)的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)，以及激光修補的細節(jié)進行描述。
圖2為本發(fā)明較佳實施例中液晶顯示組件組件的結(jié)構(gòu)示意圖。請先參考圖2，本實施例的液晶顯示組件組件200包括液晶顯示面板300以及背光源400。其中，背光源400配置于液晶顯示面板300的下方，以提供液晶顯示組件組件200在顯示時所需的光源410。
請繼續(xù)參照圖2，本實施例的液晶顯示面板300包括一主動元件陣列基板310、一對向基板320以及一配置于對向基板320與主動元件基板310之間的液晶層330。此外，依照不同的產(chǎn)品設(shè)計，本實施例可以在液晶面板300的上、下表面選擇性地貼附適當偏振方向的偏光片(Polarizer)340。上述的主動元件陣列基板310例如為薄膜晶體管陣列基板(TFT array substrate)，或是其他的主動元件陣列基板。承上述，本實施例中對向基板320例如是由一上基板322及一彩色濾光薄膜(Color Filter Film)324所組成，其中彩色濾光薄膜324是位于上基板322之下。此外，本實施例中主動元件陣列基板310例如是由一基板312、多數(shù)個掃描配線314、多數(shù)個數(shù)據(jù)配線316，及多數(shù)個像素單元318所構(gòu)成。其中，掃描配線314、數(shù)據(jù)配線316與像素單元318配置于基板312上，而各個像素單元318與對應(yīng)的掃描配線314與數(shù)據(jù)配線316電性連接。
在本實施例中，上基板322例如為玻璃基板、塑膠基板或是其他軟質(zhì)或硬質(zhì)材質(zhì)的透明基板，基板312例如為玻璃基板、塑膠基板或是其他軟質(zhì)或硬質(zhì)材質(zhì)的基板。如圖2所示，掃描配線314與數(shù)據(jù)配線316配置于基板312上，將基板312區(qū)分為多數(shù)個像素區(qū)域。更詳細的說，掃描配線314例如為彼此平行地配置于基板312之上，數(shù)據(jù)配線316亦例如為彼此平行的配置在基板312上，且掃描配線314與數(shù)據(jù)配線316的延伸方向例如是彼此垂直，以將基板312區(qū)分為多數(shù)個矩形的像素區(qū)域，而各個像素單元318是配置于對應(yīng)的像素區(qū)域內(nèi)。
圖3A為本發(fā)明中一較佳實施例的液晶顯示面板剖面示意圖。請同時參考圖2與圖3A，本實施例的像素單元318例如包括一薄膜晶體管(TFT)318a以及一像素電極(Pixel electrode)318b。其中，薄膜晶體管318a具有一源極S、一漏極D、一柵極G以及一通道層C。值得注意的是，像素電極318b是與薄膜晶體管318a的漏極D電性連接。本實施例中，雖以底電極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管(bottom gate TFT)為例子進行說明，但本發(fā)明的薄膜晶體管318a并不限定于底電極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，亦可以采用頂電極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管(top gateTFT)。
圖4A為依照本發(fā)明一較佳實施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視示意圖。請同時參照圖3A與圖4A，在本實施例的像素單元318中，像素電極318b的部分區(qū)域會與掃描配線314重疊，以耦合成一儲存電容Cst。
圖5A為依照本發(fā)明較佳實施例中常態(tài)白畫面模式液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板激光熔接剖面示意圖。請同時參考圖4A及圖5A。以常態(tài)白畫面模式液晶顯示面板(NW mode LCD panel)300(示于圖2中)為例，當像素單元318發(fā)生瑕疵而無法正常顯示時，為了將像素單318修補成暗點，本實施例可由液晶顯示面板300的正面入射一激光光束，穿過對向基板320及液晶層330將薄膜晶體管318a的柵極G與漏極D熔接在一起，以使對應(yīng)的薄膜晶體管318a失效。具體而言，激光光束例如可照射于熔接點W1上，以將薄膜晶體管318a的柵極G與漏極D熔接。
在經(jīng)過上述的激光修補后，當一開啟電壓VG被提供至掃描配線314以開啟像素單元318中的薄膜晶體管318a時，像素電極318b亦會維持在開啟電壓VG的位準，因此瑕疵的像素單元318便可被修補為恒暗點。此時，對向基板320中的彩色濾光薄膜324上會形成有一修補孔322a，且此修補孔322a是位于被修補的像素單元318的上方。
圖3B為本發(fā)明中另一較佳實施例的液晶顯示面板剖面示意圖，圖4B則為依照本發(fā)明另一較佳實施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視示意圖。請同時參照圖3B與圖4B，本實施例與前一實施例相似，但其差異之處在于本實施例的薄膜晶體管陣列基板310除了包括是由一基板312、掃描配線314、數(shù)據(jù)配線316、像素單元318之外，還包括多條配置于相鄰的掃描配線314之間的共用配線314’。此外，本實施例的像素單元318中，像素電極318b的部分區(qū)域會與一耦接至共用電壓VCOM的共用配線314’重疊，以耦合成一儲存電容Cst。
圖5B為依照本發(fā)明較佳實施例中常態(tài)黑畫面模式液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板激光熔接剖面示意圖。請同時參考圖4B及圖5B。以常態(tài)黑畫面模式液晶顯示面板(NB mode LCD panel)300(示于圖2中)為例，當像素單元318發(fā)生瑕疵而無法正常顯示時，為了將像素單元318修補成暗點，本實施例可由液晶顯示面板300的正面入射一激光光束，穿過對向基板320及液晶層330將儲存電容Cst的上電極(像素電極318b)與下電極(共用配線314’)熔接在一起，以使對應(yīng)的儲存電容Cst失效。具體而言，激光光束例如可照射于熔接點W2上，以將儲存電容Cst的上電極(像素電極318b)與下電極(共用配線314’)熔接。
在經(jīng)過上述的激光修補后，當一開啟電壓VG被提供至掃描配線314以開啟像素單元318中的薄膜晶體管318a之后，一顯示資訊電壓VDATA便會通過數(shù)據(jù)配線316寫入像素電極318b上，由于像素電極318b與共用配線314’已被熔接為一體，故像素電極318b與共用配線314’仍會維持在共用電壓VCOM的位準，也因此瑕疵的像素單元318便可被修補為恒暗點。此時，對向基板320中的彩色濾光薄膜324上會形成有一修補孔322b，且此修補孔322b是位于被修補的像素單元318的上方。請參照圖5A與圖5B，更具體而言，經(jīng)過上述修補步驟之后，液晶顯示面板300中的主動元件陣列基板310上至少包括一已修補像素單元318，而對應(yīng)于已修補像素單元318上方的對向基板320上具有一修補孔332a/332b。
值得注意的是，本實施例所采用的激光光束是由液晶顯示組件組件200或液晶面板300的正面入射至薄膜晶體管陣列基板310上。另外，由于所選定的激光光束為直接穿透液晶層而對主動元件陣列基板310做熔接修補的動作，因此不會使液晶分子產(chǎn)生汽化現(xiàn)象，可以有效地節(jié)省修補與靜置空間，并減少再次修補的可能性。
綜上所述，在本發(fā)明的激光修補方法至少具有以下的優(yōu)點1.本發(fā)明直接由液晶面板正面進行激光修補，不用拆解液晶顯示組件組件，可節(jié)省修補時所需耗費的人力與工時。
2.本發(fā)明直接由液晶面板正面進行激光修補，可減少再次修補的可能性。
3.本發(fā)明直接由液晶面板正面進行激光修補，可立即確認修補結(jié)果，進而省去不必要的工時與靜置空間。
4.本發(fā)明直接由液晶面板正面進行激光修補，可適用于已貼附偏光板的液晶顯示面板、未貼附偏光板的液晶顯示面板，或已完成組立的液晶顯示組件組件。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本技術(shù)的人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作種種的等效的變化或替換，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的本申請范圍所界定的為準。
權(quán)利要求
1.一種激光修補方法，該激光修補方法包括提供一液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括一主動元件陣列基板、一對向基板以及一配置于該主動元件陣列基板與該對向基板之間的液晶層，其中該主動元件陣列基板包含多數(shù)個掃描配線、多數(shù)個數(shù)據(jù)配線以及多數(shù)個像素單元，每一像素單元包括一薄膜晶體管、一像素電極、一儲存電容與一共用配線；提供一激光光束；以及使該激光光束經(jīng)過該對向基板與該液晶層而照射于該主動元件陣列基板上，使這些薄膜晶體管其中之一或這些儲存電容其中之一失效。
2.如權(quán)利要求1所述的激光修補方法，其特征在于該激光光束的功率是介于0.65毫焦耳至1.05毫焦耳之間。
3.如權(quán)利要求1所述的激光修補方法，其特征在于該儲存電容是由該像素電極與該掃描配線耦合而成。
4.如權(quán)利要求3所述的激光修補方法，其特征在于該液晶顯示面板為一常態(tài)白畫面模式液晶顯示面板，而該激光光束熔接這些薄膜晶體管的一漏極或一源極與這些薄膜晶體管的一柵極。
5.如權(quán)利要求1所述的激光修補方法，其特征在于該儲存電容是由該像素電極與該共用配線耦合而成。
6.如權(quán)利要求5所述的激光修補方法，其特征在于該液晶顯示面板為一常態(tài)黑畫面模式液晶顯示面板，而該激光光束熔接該像素電極與該共用配線。
7.一種激光修補方法，，該激光修補方法包括提供一液晶顯示組件，該液晶顯示組件包括一液晶顯示面板與一位于該液晶面板下方的背光源，且該液晶顯示面板包括一主動元件陣列基板、一對向基板以及一配置于該主動元件陣列基板與該對向基板之間的液晶層，其中該主動元件陣列基板包含多數(shù)個掃描配線、多數(shù)個數(shù)據(jù)配線以及多數(shù)個像素單元，每一這些像素單元包括一薄膜晶體管、一像素電極、一儲存電容與一共用配線；提供一激光光束；以及使該激光光束經(jīng)過該對向基板與該液晶層而照射于該主動元件陣列基板上，使這些薄膜晶體管其中之一或這些儲存電容其中之一失效。
8.如權(quán)利要求7所述的激光修補方法，其特征在于該激光光束的功率是介于0.65毫焦耳至1.05毫焦耳之間。
9.如權(quán)利要求7所述的激光修補方法，其特征在于該儲存電容是由該像素電極與該掃描配線耦合而成。
10.如權(quán)利要求9所述的激光修補方法，其特征在于該液晶顯示面板為一常態(tài)白畫面模式液晶顯示面板，而該激光光束熔接這些薄膜晶體管的一漏極或一源極與這些薄膜晶體管的一柵極。
11.如權(quán)利要求7所述的激光修補方法，其特征在于該儲存電容是由該像素電極與該共用配線耦合而成。
12.如權(quán)利要求11所述的激光修補方法，其特征在于該液晶顯示面板為一常態(tài)黑畫面模式液晶顯示面板，而該激光光束熔接該像素電極與該共用配線。
13.一種液晶顯示面板，包括一主動元件陣列基板，該主動元件陣列基板包括多數(shù)個掃描配線、多數(shù)個數(shù)據(jù)配線、一共用配線以及多數(shù)個像素單元，每一這些像素單元包括一薄膜晶體管、一像素電極與一儲存電容，其中這些像素單元至少包括一已修補像素單元；一對向基板，配置于該主動元件陣列基板上方，其中該對向基板具有一修補孔，位于該已修補像素單元上方；以及一液晶層，配置于該主動元件陣列基板與該對向基板之間；其中，是使用一激光光束使得該已修補像素單元中的該薄膜晶體管或該儲存電容其中之一失效。
14.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示面板，其特征在于該像素電極與該掃描配線耦合成一儲存電容。。
15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示面板，其特征在于該修補孔是位于該已修補像素單元中的該薄膜晶體管上方。
16.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示面板，其特征在于該共用配線與該像素電極耦合成一儲存電容。
17.如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其特征在于該修補孔是位于該已修補像素單元中的該共用配線上方。
18.一種激光修補方法，該激光修補方法包括提供一液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括一主動元件陣列基板、一對向基板以及一配置于該主動元件陣列基板與該對向基板之間的液晶層，其中主動元件陣列基板包含多數(shù)個掃描配線、多數(shù)個數(shù)據(jù)配線以及多數(shù)個像素單元，每一這些像素單元是由一第一金屬與一第二金屬構(gòu)成；提供一激光光束；以及使該激光光束經(jīng)過該對向基板與該液晶層而照射于該主動元件陣列基板上，熔接該第一金屬與該第二金屬。
19.如權(quán)利要求18所述的激光修補方法，其特征在于該激光光束的功率是介于0.65毫焦耳至1.05毫焦耳之間。
20.如權(quán)利要求18所述的激光修補方法，其特征在于每一這些像素單元包括一薄膜晶體管、一像素電極、一儲存電容與一共用配線。
21.如權(quán)利要求20所述的激光修補方法，其特征在于該儲存電容是由該像素電極與該掃描配線耦合而成。
22.如權(quán)利要求18所述的激光修補方法，其特征在于該儲存電容是由像素電極與該共用配線耦合而成。
全文摘要
提供一種激光修補方法以修補一液晶顯示面板。此激光修補方法提供一具有特定波長的激光光束，然后將此激光光束由液晶顯示面板或是液晶顯示組件的正面入射，此激光穿過液晶層對薄膜晶體管陣列基板進行修補動作。在經(jīng)過上述修補后的液晶顯示面板中，主動元件陣列基板上對應(yīng)于激光修補的位置會形成有已修補像素單元，而在已修補像素單元上方的對向基板上會形成有一修補孔。
文檔編號G02F1/1362GK1945383SQ20051011377
公開日2007年4月11日 申請日期2005年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月8日
發(fā)明者王正中, 莊國揚, 楊聰慶 申請人:奇美電子股份有限公司