專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)裝置以及LCD裝置的制造方法，尤其涉及一種能夠擴(kuò)大視角并改善圖像顯示質(zhì)量的LCD裝置以及該LCD裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
LCD裝置響應(yīng)于對(duì)其施加的電場、改變處于陣列基板和彩色濾光片基板之間的液晶的分布，從而顯示圖像。LCD裝置的顯示質(zhì)量取決于視角。LCD裝置在一視角內(nèi)顯示圖像，并且顯示的圖像具有大于10∶1的對(duì)比度。視角限制在特定的范圍。例如臺(tái)式監(jiān)視器的顯示裝置具有大于90°的視角。對(duì)比度是對(duì)裝置所能顯示的最亮白色與最暗黑色的亮度水平差的量度。當(dāng)LCD裝置顯示較暗的圖像或具有均勻的亮度時(shí)，對(duì)比度增大。
為了顯示較暗的圖像，LCD裝置要減少LCD板的光泄漏，采用黑色模式，并削弱黑底(black matrix)的反射性。當(dāng)不對(duì)LCD裝置的液晶施加電場時(shí)，LCD裝置在黑色模式下顯示黑色圖像。為了獲得均勻的亮度，LCD裝置包括補(bǔ)償膜和多域(multi-domain)的液晶層。
為了增大視角開發(fā)了諸如多域垂直配向(MVA)模式、圖案化的垂直配向(PVA)模式、共面轉(zhuǎn)換(IPS)模式等的寬視角技術(shù)。為了采用MVA模式，LCD裝置在彩色濾光片基板和薄膜晶體管(TFT)基板上形成突起以在液晶層中形成多域。因?yàn)閷捯暯荓CD裝置需要有一個(gè)在彩色濾光片基板和TFT基板上形成突起的工序，所以增大了LCD裝置的制造成本。
當(dāng)LCD裝置采用PVA模式時(shí)，在彩色濾光片基板的公共電極中形成狹縫以在公共電極和TFT基板的像素電極之間形成扭曲的電場。但是，處于狹縫上的液晶的分布可能不受控制，導(dǎo)致LCD裝置的開口率(aperture ratio)減小。特別是，當(dāng)小尺寸的LCD裝置采用PVA模式時(shí)，小尺寸LCD裝置的開口率大大地減小，以致于小尺寸LCD裝置的亮度下降。
當(dāng)LCD裝置采用IPS模式時(shí)，TFT基板包括兩個(gè)彼此平行排列的電極。因而，電場扭曲，造成LCD裝置的亮度下降。此外，當(dāng)摩擦(rub)彩色濾光片和TFT基板的表面以對(duì)齊液晶時(shí)，該表面可能被無規(guī)律地摩擦，以致于圖像顯示質(zhì)量下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種能夠擴(kuò)大視角并改善圖像顯示質(zhì)量的液晶顯示(LCD)裝置。
本發(fā)明還提供了一種制造上述LCD裝置的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，液晶顯示裝置包括包括像素區(qū)和設(shè)置在像素區(qū)中的開關(guān)元件的下面板；形成在下面板像素區(qū)中并電耦接到開關(guān)元件的電極上的像素電極，該像素電極包括多個(gè)像素電極部分和至少一個(gè)使像素電極部分彼此電連接的連接部分；包括對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板；設(shè)置在上面板上的公共電極，該公共電極包括多個(gè)分別對(duì)應(yīng)于像素電極部分的開口圖案；和夾置在像素電極和公共電極之間的液晶層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，液晶顯示裝置包括包括像素區(qū)和設(shè)置在像素區(qū)中的開關(guān)元件的下面板，該像素區(qū)包括透射窗和反射區(qū)；電耦接到開關(guān)元件的電極上的像素電極，該像素電極包括下面板透射窗中的透明電極，透明電極含有透明導(dǎo)電材料；下面板反射區(qū)中的反射電極，該反射電極含有高反射率的導(dǎo)電材料；和將透明電極電連接到反射電極的連接部分；包括對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板；設(shè)置在上面板上的公共電極，該公共電極包括多個(gè)分別對(duì)應(yīng)于透明電極和反射電極的開口圖案；和夾置在像素電極和公共電極之間的液晶層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，液晶顯示裝置包括包括像素區(qū)和設(shè)置在像素區(qū)中的開關(guān)元件的下面板；形成在下面板的像素區(qū)中并電耦接到開關(guān)元件的電極的像素電極；設(shè)置在下面板上的存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容的一部分凸向像素區(qū)的中線；包括對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板；設(shè)置在上面板上的公共電極，該公共電極對(duì)應(yīng)于像素電極；和夾置在像素電極和公共電極之間的液晶層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，液晶顯示裝置的制造方法包括在下面板的像素區(qū)中形成開關(guān)元件；形成像素電極，該像素電極包括多個(gè)像素電極部分和至少一個(gè)在下面板的像素區(qū)中將像素電極部分彼此電連接的連接部分，該像素電極電耦接到開關(guān)元件的電極；在包括對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板上沉積第一透明導(dǎo)電材料；去除第一透明導(dǎo)電材料的對(duì)應(yīng)于像素電極部分中心部分的一部分，以形成多個(gè)開口圖案；和在像素電極和包括開口圖案的第一透明導(dǎo)電材料之間形成液晶層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，液晶顯示裝置的制造方法包括在包括像素區(qū)的下面板上形成開關(guān)元件，該像素區(qū)包括透射窗和反射區(qū)；在包括開關(guān)元件的下面板上形成絕緣層，絕緣層包括接觸孔，開關(guān)元件的電極經(jīng)該接觸孔被部分地暴露；在絕緣層上沉積第一透明導(dǎo)電材料；部分地蝕刻第一透明導(dǎo)電材料以形成包括多個(gè)透明電極部分、使透明電極部分彼此電連接的第一連接部分和將透明電極部分的其中一個(gè)電連接到開關(guān)元件的電極上的第二連接部分的透明電極；在包括透明電極的下面板上沉積高反射率的導(dǎo)電材料；部分蝕刻沉積的導(dǎo)電材料以形成電耦接到透明電極的反射電極；在包括對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板上沉積第二透明導(dǎo)電材料；去除第二透明導(dǎo)電材料的對(duì)應(yīng)于透明電極部分中心部分的一部分以形成開口圖案；和在透明電極和第二透明導(dǎo)電材料之間以及反射電極和第二透明導(dǎo)電材料之間形成液晶層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，液晶顯示裝置的制造方法包括在包括像素區(qū)的下面板上形成半導(dǎo)體電路；在下面板的像素區(qū)中形成電耦接到半導(dǎo)體電路的開關(guān)元件的第一電極的像素電極，像素電極包括多個(gè)像素電極部分和至少一個(gè)使像素電極部分彼此電連接的連接部分；在包括對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板上沉積透明導(dǎo)電材料；去除所沉積透明導(dǎo)電材料的對(duì)應(yīng)于像素電極部分中心部分的一部分，以形成多個(gè)開口圖案，每個(gè)開口圖案包括多個(gè)第一凹陷；和在像素電極與所沉積的透明導(dǎo)電材料之間形成液晶層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，LCD裝置包括透射型LCD裝置、反射型LCD裝置和透射反射型LCD裝置等。例如公共電極包括對(duì)應(yīng)于像素電極部分的開口圖案以形成與開口圖案相鄰的域(domain)。例如每個(gè)像素電極部分的形狀均為具有圓角的正方形以增大域的數(shù)量。例如開口圖案包括圓形。因此，在每個(gè)開口圖案的附近徑向地形成域，并且LCD裝置的視角增大。例如每個(gè)開口圖案包括第一凹陷以形成對(duì)應(yīng)于第一凹陷的域。


通過下面參考附圖對(duì)示范性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述及其它優(yōu)點(diǎn)將變得更加清晰，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的液晶顯示(LCD)裝置的平面圖；圖2是圖1中所示透明電極和反射電極的平面圖；圖3是圖1所示公共電極的平面圖；圖4是沿圖1中I-I’線的截面圖；圖5A-5G是表示根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例制造LCD裝置的方法的截面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的截面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的平面圖；圖8是沿圖7中II-II’線的截面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的平面圖；圖10是沿圖9中III-III’線的截面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的平面圖；圖12是沿圖11中IV-IV’線的截面圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的平面圖；圖14是沿圖13中V-V’線的截面圖；圖15是沿圖13中VI-VI’線的截面圖；圖16是圖13所示柵電極、柵極線、第一存儲(chǔ)電極和存儲(chǔ)電容線的平面圖；圖17是圖13所示源電極、源極線、漏電極和第二存儲(chǔ)電極的平面圖；圖18是圖13所示薄膜晶體管(TFT)、柵極線、源極線、存儲(chǔ)電容和存儲(chǔ)電容線的平面圖；圖19A-19F是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置制造方法的截面圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的平面圖；圖21是沿圖20中VII-VII’線的截面圖；圖22是圖20所示形成在液晶層中的多域的平面圖；和圖23是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的截面圖。
具體實(shí)施例方式
應(yīng)當(dāng)理解的是，在不脫離本發(fā)明所公開的原理的前提下可以對(duì)下述本發(fā)明的示范性實(shí)施例做多種形式的改型，因此本發(fā)明的范圍不限于以下這些具體的示范性實(shí)施例。相反，這些示范性實(shí)施例的提供是為使本發(fā)明的公開更為充分和全面，并且通過例舉和非限定性的表述充分地向本領(lǐng)域的技術(shù)人員表達(dá)本發(fā)明的理念。
下面將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。
圖1是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的液晶顯示(LCD)裝置的平面圖。圖2是圖1中所示透明電極和反射電極的平面圖。圖3是圖1所示公共電極的平面圖。圖4是沿圖1中I-I’線的截面圖。
參見圖1-4，LCD裝置包括第一基板170、第二基板180和液晶層108。第一基板170包括上面板100、黑底102、彩色濾光片104、公共電極106和間隔物110。第一基板170具有顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。圖像在顯示區(qū)150中顯示。周邊區(qū)155包圍顯示區(qū)150。
第二基板180包括下面板120、開關(guān)元件、如薄膜晶體管(TFT)119、源極線118a’、柵極線118b’、存儲(chǔ)電容線190、柵極絕緣層126、鈍化層116、存儲(chǔ)電容196、有機(jī)層114、透明電極220a和反射電極230a。
第二基板180包括像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145。圖像顯示在像素區(qū)140。光不能穿過光遮擋區(qū)145。像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145分別對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。像素區(qū)140有透射窗129a和反射區(qū)128。從背光組件(未示出)產(chǎn)生的光線通過透射窗129a。由第二基板180提供的光線從反射區(qū)128反射。例如透射窗129a的形狀為在基本上平行于源極線118a’的方向上延伸的四邊形。
在第一和第二基板170和180之間夾置著液晶層108。
上下面板100和120分別包括透明玻璃。光通過透明玻璃。上下面板100和120不能包括堿性離子。當(dāng)堿性離子融解在液晶層108中時(shí)，液晶層108的電阻率減小，由此降低圖像顯示質(zhì)量以及密封劑(未示出)和面板100與120之間的粘著力。此外，TFT 119的特性會(huì)衰減。
或者，上下面板100和120可以包括三乙酸纖維素(triacetylcellulose，TAC)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚乙烯醇(PVA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、環(huán)烯烴聚合物(COP)等。上下面板100和120既可以是光學(xué)各向同性的，也可以是光學(xué)各向異性的。
TFT119設(shè)置在下面板120上對(duì)應(yīng)于反射區(qū)128的部分上，包括源電極118a、柵電極118b、漏電極118c和半導(dǎo)體層118d(如圖5A中所示)。驅(qū)動(dòng)集成電路(未示出)經(jīng)源極線118a’對(duì)源電極118a施加數(shù)據(jù)電壓，經(jīng)柵極線118b’對(duì)柵電極118b施加?xùn)艠O信號(hào)。
在具有柵電極118b的下面板120上形成柵極絕緣層126。因此，柵電極118b與源電極118a和漏電極118c電絕緣。柵極絕緣層126可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等。
鈍化層116設(shè)置在具有TFT119和柵極絕緣層126的下面板120之上。鈍化層116包括接觸孔117(如圖5B所示)。漏電極118c經(jīng)接觸孔117部分地暴露。鈍化層116可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等。
存儲(chǔ)電容196具有存儲(chǔ)電容線190。存儲(chǔ)電容196形成在下面板120上以維持反射電極230a和公共電極106之間的電壓差以及透明電極220a和公共電極106之間的電壓差?；蛘?，柵極線118b’與透明電極220a部分地重疊以形成存儲(chǔ)電容196。
有機(jī)層114設(shè)置在具有TFT119和鈍化層126的下面板120上。因而，TFT119與透明電極220a和反射電極230a電絕緣。有機(jī)層114包括接觸孔117、漏電極118c經(jīng)該接觸孔部分地暴露。
去除有機(jī)層114的對(duì)應(yīng)于透射窗129a的部分。因此，透射窗129a被打開，并且第二基板180的透射窗129a具有不同于第二基板180反射區(qū)128的厚度。在此情況下，在透射窗129a和反射區(qū)128之間形成階梯部分129。或者，該部分有機(jī)層114保留在透射窗129a中。
有機(jī)層114具有突起部分115和浮凸(embossed)部分115’。突起部分115設(shè)置在有機(jī)層114的對(duì)應(yīng)于第一基板170的間隔物110的部位，以布置液晶層108的配向。例如突起部分115與間隔物110接觸。當(dāng)從LCD裝置的前面看時(shí)，浮凸部分115’增大從反射電極230a反射的光的亮度。反射電極230a沿反射區(qū)128中的浮凸部分115’形成。
在有機(jī)層114的對(duì)應(yīng)于像素區(qū)140的部位上、在接觸孔117中以及在透射窗129a中的鈍化層116上形成透明電極220a。因此，透明電極220a電耦接到漏電極118c。當(dāng)電壓施加到公共電極106和透明電極220a上時(shí)，液晶層108的液晶被控制以改變液晶層108的光透射率。透明電極220a包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)等。
透明電極220a包括第一透明電極部分212a、第二透明電極部分212b、第一連接部分136a和第二連接部分136b。第一和第二透明電極部分212a和212b形成在透射窗129a中的鈍化層116上。第一透明電極部分212a與第二透明電極部分212b相鄰。
在第一和第二透明電極部分212a和212b之間形成第一連接部分136a，以將第一透明電極部分212a電連接到第二透明電極部分212b上。第一和第二透明部分212a和212b都可以為多邊形、圓形等形狀。第一和第二透明部分212a和212b都可以為四邊形。例如，第一和第二透明部分212a和212b為正方形。
第二連接部分136b與第一連接部分136a關(guān)于第二透明電極部分212b相對(duì)，以將第二透明電極部分212b電連接到反射電極230a上。第二連接部分136b可以延伸到接觸孔117中以與TFT119的漏電極118c電接觸。
在有機(jī)層114的對(duì)應(yīng)于反射區(qū)128的部位上設(shè)置反射電極230a。例如沿有機(jī)層114的浮凸部分115’設(shè)置反射電極230a。因此，外界提供的光線從反射電極230a反射到預(yù)定方向上。反射電極230a包括導(dǎo)電材料，并且經(jīng)透明電極220a電耦接到漏電極118c。反射電極230a可以為多邊形、圓形等形狀。反射電極230a可以為四邊形，如反射電極230a為正方形。
或者，在反射電極230a和透明電極220a上可以形成第二保護(hù)層(未示出)。第二保護(hù)層(未示出)不被摩擦以確保其具有平滑的表面和均勻的厚度?；蛘?，可以在預(yù)定的摩擦方向上摩擦第二保護(hù)層(未示出)。第二保護(hù)層(未示出)具有合成樹脂，如聚酰亞胺(PI)樹脂。
在上面板100的周邊區(qū)155中設(shè)置黑底102以遮擋內(nèi)外提供的光線。黑底102遮擋經(jīng)光遮擋區(qū)145通過的光線以提高圖像顯示質(zhì)量。
在上面板100上沉積金屬材料或不透明的有機(jī)材料并蝕刻成黑底102。黑底102的金屬材料包括鉻(Cr)、氧化鉻(CrOx)、氮化鉻(CrNx)等。不透明的有機(jī)材料包括碳黑、色素化合物、著色劑化合物等。色素化合物可以包括紅色色素、綠色色素和藍(lán)色色素，著色劑化合物可以包括紅色著色劑、綠色著色劑和藍(lán)色著色劑?；蛘撸梢园寻ü庵驴刮g劑的不透明的有機(jī)材料涂覆到上面板100上，以通過對(duì)所涂覆的不透明有機(jī)材料執(zhí)行光工藝形成黑底102。多個(gè)彩色濾色片的邊緣也可以彼此重疊從而形成黑底102。
在具有黑底102的上面板100的顯示區(qū)150上形成彩色濾光片104。具有預(yù)定波長的內(nèi)外供給的光線可以通過彩色濾光片104。彩色濾光片104包括紅色濾光片部分、綠色濾光片部分和藍(lán)色濾光片部分。彩色濾光片104包括光引發(fā)劑(photo initiator)、單體(monomer)、粘合劑、色素、分散劑、溶劑、光致抗蝕劑等?；蛘?，彩色濾光片104可以設(shè)置在下面板120或鈍化層116上。
在具有黑底102和彩色濾光片104的上面板100上形成公共電極106。公共電極106包括透明導(dǎo)電材料，例如包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)等。
公共電極106在單位像素區(qū)140中包括兩個(gè)第一開口圖案133a和一個(gè)第二開口圖案133b。這些圖案在液晶層108中形成多域。例如公共電極106被部分蝕刻，形成第一和第二開口圖案133a和133b。第一開口圖案133a分別形成在第一和第二透明電極部分212a和212b的中心部分之上。第二開口圖案133b形成在反射電極230a的中心部分之上。
在具有黑底102、彩色濾光片104和公共電極106的上面板100上形成間隔物110。利用間隔物110將第一基板170與第二基板180隔開。例如間隔物110設(shè)置在對(duì)應(yīng)于黑底102的位置，并呈現(xiàn)為柱狀?；蛘?，間隔物110可以包括球狀間隔物或球狀間隔物與柱狀間隔物的混合物。
或者，可以在公共電極106、第一開口圖案133a和第二開口圖案133b上設(shè)置第一保護(hù)層(未示出)。第一保護(hù)層(未示出)不被摩擦以確保其具有光滑的表面和均勻的厚度?；蛘甙搭A(yù)定的摩擦方向摩擦第一保護(hù)層。第一保護(hù)層(未示出)含有合成樹脂，如聚酰亞胺(PI)樹脂。
液晶層108夾置在第一和第二基板170和180之間，并用密封劑(未示出)密封。液晶層108可以包括垂直配向(VA)模式、扭曲向列相(twistednematic，TN)模式、混合扭曲向列相(MTN)模式或勻質(zhì)配向模式。例如液晶層108包括垂直配向(VA)模式。
液晶層108中液晶的排列可以通過摩擦第一和第二基板170和180而扭曲。因此，利用階梯部分129、凸起部分115和間隔物110使液晶層108中的液晶按預(yù)定的方向傾斜，而不是對(duì)第一和第二基板170和180進(jìn)行摩擦。
例如，當(dāng)LCD裝置包括具有延伸形狀的透明電極220a和反射電極230a時(shí)，液晶層108中的液晶可以向電極220a和230a的中心線傾斜，導(dǎo)致中心線周圍液晶的排列惡化。為了防止透明電極220a和反射電極230a中心線處的液晶排列惡化，LCD裝置包括均為正方形形狀的第一和第二透明電極部分212a和212b、均為正方形形狀的反射電極230和開口圖案133a和133b。液晶層108中的液晶向第一和第二透明電極部分212a和212b以及反射電極230的每個(gè)的中部傾斜。因此，液晶層108中液晶的傾斜集中在第一和第二透明電極部分212a和212b以及反射電極230的每個(gè)的中部。
當(dāng)對(duì)透明電極220a、反射電極230a和公共電極106施加電壓時(shí)，在鄰近第二基板180的凸起部分115以及第一基板170的間隔物110的區(qū)域、在鄰近透射窗129a和反射區(qū)128之間的階梯部分129的區(qū)域、在鄰近每個(gè)開口圖案133a和133b的區(qū)域、在第一和第二透明電極部分212a和212b之間的區(qū)域、以及在第二透明電極部分212b和反射電極230a之間的區(qū)域形成扭曲的電場。當(dāng)對(duì)液晶層108施加扭曲的電場時(shí)，在液晶層108中形成多域。因此，LCD裝置的視角擴(kuò)大，并且LCD裝置的圖像顯示質(zhì)量提高。此外，在每個(gè)開口圖案133a和133b的附近形成四個(gè)域。因此，LCD裝置的視角增大。
圖5A-5G是表示根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例制造LCD裝置的方法的截面圖。參見圖5A，下面板120包括像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145。像素區(qū)140包括透射窗129a和反射區(qū)128。由背光組件(未示出)產(chǎn)生的內(nèi)部光線通過透射窗129a，并且外界光從反射區(qū)128反射。
在下面板120上沉積導(dǎo)電材料。例如，導(dǎo)電材料包括金屬。去除部分沉積的材料以形成柵電極118b、柵極線118b’和存儲(chǔ)電容線190。柵極絕緣層126沉積在具有柵電極118b、柵極線118b’和存儲(chǔ)電容線190的下面板120上。柵極絕緣層126包括透明絕緣材料。
在柵極絕緣層126上沉積非晶硅和N+型非晶硅并對(duì)其蝕刻以在柵極絕緣層126的對(duì)應(yīng)于柵電極118b的部位上形成半導(dǎo)體層118d。N+型非晶硅可以通過在沉積的非晶硅上注入雜質(zhì)而形成。在具有半導(dǎo)體層118d的柵極絕緣層126上沉積導(dǎo)電材料。部分蝕刻沉積在柵極絕緣層126上的導(dǎo)電材料以形成源電極118a、源極線118a’、漏電極118c和存儲(chǔ)電容196。因此，在下面板120上形成包括源電極118a、柵電極118b、漏電極118c和半導(dǎo)體層118d的TFT 119以及存儲(chǔ)電容196。
在具有TFT 119的下面板120之上沉積透明絕緣材料116’。例如，該透明絕緣材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等。
參見圖5B，在如圖5A所示的沉積的透明絕緣材料116’之上涂覆有機(jī)材料。例如，有機(jī)材料包括光致抗蝕劑。
對(duì)涂覆的有機(jī)材料曝光并顯影，以利用光工藝形成接觸孔117、凸起部分115和浮凸部分115’。因?yàn)槿コ顺练e在透明絕緣材料116’(圖5A)的對(duì)應(yīng)于透射窗129a的部分上的有機(jī)材料，透射窗129a中沉積的透明絕緣材料116’被暴露。利用一個(gè)掩?；蚨鄠€(gè)掩模對(duì)涂覆的有機(jī)材料進(jìn)行光工藝。當(dāng)利用單個(gè)掩模形成接觸孔117、透射窗129a、浮凸部分115’和凸起部分115時(shí)，掩模包括不透明部分、半透明部分和透明部分。例如，不透明部分對(duì)應(yīng)于凸起部分115。半透明部分對(duì)應(yīng)于凹凸部分，即浮凸部分115’。透明部分對(duì)應(yīng)于透射窗129a?；蛘撸谀？梢园íM縫。部分除去對(duì)應(yīng)于接觸孔117的沉積的透明絕緣材料116’(圖5A中所示)以形成鈍化層116，并且經(jīng)接觸孔117使漏電極118c暴露。
參見圖5C，透明導(dǎo)電材料沉積在有機(jī)層114上、接觸孔117中以及鈍化層116的對(duì)應(yīng)于透射窗129a的部分上。透明導(dǎo)電材料包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)等。例如，在如圖所示的示范性實(shí)施例中，透明導(dǎo)電材料包括氧化銦錫(ITO)。部分蝕刻沉積的透明導(dǎo)電材料以形成第一透明電極部分212a、第二透明電極部分212b、第一連接部分136a和第二連接部分136b。結(jié)果，在鈍化層116的對(duì)應(yīng)于透射窗129a的部分上形成透明電極220a。
參見圖5D，在具有透明電極220a的下面板120上沉積具有高反射性的導(dǎo)電材料。例如，具有高反射性的導(dǎo)電材料包括鋁(Al)、鋁合金、釹(Nd)、釹合金等。部分蝕刻沉積的具有高反射性的導(dǎo)電材料以在反射區(qū)128中形成反射電極230a。
或者，反射電極230a可以有多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)反射電極230a具有多層結(jié)構(gòu)時(shí)，例如，反射電極230a包括鉬鎢合金(Mo-W)層和沉積在鉬鎢合金(Mo-W)層上的鋁釹(Al-Nd)合金層。反射電極230a經(jīng)透明電極220a和接觸孔117(如圖5B所示)電耦接到漏電極118c上。
或者，反射電極230a可以形成在有機(jī)層114上和接觸孔117中，并且透明電極220a可以形成在透射窗129a中和反射電極230a的一部分上。在此情況下，透明電極220a經(jīng)反射電極230a電連接到漏電極118c。
在另一示范性實(shí)施例中，可以在具有透明電極220a和反射電極230a的下面板120上涂覆聚酰亞胺(PI)樹脂以形成第二保護(hù)層(未示出)。由此完成具有下面板120、TFT119、源極線118a’、柵極線118b’、有機(jī)層114、透明電極220a和反射電極230a的第二基板180。
參見圖5E，在上面板100上沉積不透明的材料。部分去除所沉積的不透明材料以形成黑底102?；蛘?，可以在上面板100上涂覆具有光致抗蝕劑的不透明有機(jī)材料，并且通過對(duì)涂覆的不透明有機(jī)材料進(jìn)行光工藝而部分去除涂覆的不透明有機(jī)材料，以形成黑底102。光工藝包括曝光和顯影步驟。黑底102也可以形成在下面板120上。
在具有黑底的上面板100上形成彩色濾光片104。例如，在具有黑底102的上面板100上涂覆具有紅色著色劑和光致抗蝕劑的紅色有機(jī)材料。經(jīng)掩模對(duì)涂覆的紅色有機(jī)材料曝光并顯影以形成紅色濾光片部分。在具有黑底102和紅色濾光片部分的上面板100上形成綠色濾光片部分和藍(lán)色濾光片部分。在具有彩色濾光片104和黑底102的上面板100上沉積透明導(dǎo)電材料106’。
參見圖5F，在沉積的透明導(dǎo)電材料106’(如圖5E所示)上涂覆光致抗蝕劑膜。在經(jīng)掩模對(duì)涂覆的光致抗蝕劑膜曝光之后，對(duì)涂覆的光致抗蝕劑膜顯影以形成光致抗蝕劑圖案。利用光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模蝕刻沉積的透明導(dǎo)電材料，以形成具有第一和第二開口圖案133a和133b的公共電極106。
在公共電極106上涂覆有機(jī)材料。例如，有機(jī)材料包括光致抗蝕劑。經(jīng)掩模對(duì)涂覆的有機(jī)材料曝光并顯影以形成間隔物110。間隔物110沉積在公共電極106的對(duì)應(yīng)于黑底102的部位上。間隔物110也可以沉積在第二基板180的下面板120上。聚酰亞胺(PI)樹脂可以涂覆在具有間隔物110和公共電極106的上面板100上以形成第一保護(hù)層(未示出)。由此完成包括上面板100、黑底102、彩色濾光片104、具有開口圖案133a和133b的公共電極106以及間隔物110的第一基板170。
參見圖5G，第一基板170與第二基板180合并。液晶注入到第一和第二基板170和180之間的空間中。注入的液晶由形成在第一和第二基板170和180之間的密封劑(未示出)密封，以形成液晶層108?；蛘撸壕Э梢缘卧诰哂忻芊鈩?未示出)的第一基板170或第二基板180上。因此第一基板170與第二基板180合并以形成液晶層108。與開口圖案133a和133b相鄰地形成多域，由此增大LCD裝置的視角。
圖6是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的截面圖。圖6所示的LCD裝置除了第一保護(hù)層和第二保護(hù)層外與圖1-圖4相同。因此用相同的標(biāo)號(hào)表示與圖1-4相同或類似的部件并省去進(jìn)一步的解釋。
參見圖6，LCD裝置包括第一基板170、第二基板180和液晶層108。第一基板170包括上面板100、黑底102、彩色濾光片104、公共電極106、間隔物110和第一保護(hù)層301。第一基板170具有顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。圖像顯示在被周邊區(qū)155包圍的顯示區(qū)150中。
第二基板180包括下面板120、薄膜晶體管(TFT)119、源極線118a’、柵極線118b’、存儲(chǔ)電容線190、柵極絕緣層126、鈍化層116、存儲(chǔ)電容196、有機(jī)層114、透明電極220a、反射電極230a和第二保護(hù)層302。
第二基板180包括像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145。圖像顯示在像素區(qū)140中。光不能通過光遮擋區(qū)145。像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145分別對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。像素區(qū)140具有透射窗129a和反射區(qū)128。
透明電極220a包括第一透明電極部分212a、第二透明電極部分212b、第一連接部分136a和第二連接部分136b。第一和第二透明電極部分212a和212b形成在透射窗129a中的鈍化層116上。第一透明電極部分212a與第二透明電極部分212b相鄰。
反射電極230a設(shè)置在有機(jī)層114的對(duì)應(yīng)于反射區(qū)128的部分上。因此，外界提供給第二基板180的光從反射電極230a反射。第二保護(hù)層302可以形成在反射電極230a和透明電極220a上。第二保護(hù)層302不受摩擦并具有平滑的表面和均勻的厚度。由此防止了由摩擦造成的失準(zhǔn)(misalignment)。
公共電極106在單位像素區(qū)140中包括兩個(gè)第一開口圖案133a和一個(gè)第二開口圖案133b以在液晶層108中形成多域。第一保護(hù)層301可以形成在公共電極106上以保護(hù)公共電極106。第一保護(hù)層301不受摩擦，具有平滑的表面和均勻的厚度。因此防止了由摩擦形成的失準(zhǔn)。液晶層108與第一和第二保護(hù)層301和302相接觸。
當(dāng)對(duì)透明電極220a、反射電極230a和公共電極106施加電壓時(shí)，在與每個(gè)開口圖案133a和133b相鄰的區(qū)域、在第一和第二透明電極部分212a和212b之間的區(qū)域以及在第二透明電極部分212b和反射電極230a之間的區(qū)域形成扭曲的電場。當(dāng)對(duì)液晶層108施加扭曲的電場時(shí)，在液晶層108中形成多域。由此擴(kuò)大了LCD裝置的視角。
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的平面圖。圖8是沿圖7中II-II’線的截面圖。圖7和8所示的LCD裝置除有機(jī)層和外覆層外與圖1-4所示的裝置相同。因而，用相同的標(biāo)號(hào)表示與圖1-4所示裝置相同或類似的部件并省去進(jìn)一步的解釋。
參見圖7和8，LCD裝置包括第一基板170、第二基板180和液晶層108。第一基板170包括上面板100、黑底102、彩色濾光片104、外覆層105、公共電極106和間隔物110。第一基板170具有顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。圖像顯示在顯示區(qū)150中。周邊區(qū)155包圍顯示區(qū)150。
第二基板180包括下面板120、薄膜晶體管(TFT)119、源極線118a’、柵極線118b’、存儲(chǔ)電容線190、柵極絕緣層126、鈍化層116、存儲(chǔ)電容196、有機(jī)層114、透明電極220b和反射電極230b。
第二基板180包括像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145。圖像顯示在像素區(qū)140。光不能通過光遮擋區(qū)145。像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145分別對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。像素區(qū)140具有透射窗129a和反射區(qū)128。透射窗129a具有基本上在平行于源極線118a’的方向上延伸的矩形的形狀。
有機(jī)層114設(shè)置在具有TFT119和鈍化層126的下面板120上。因此，TFT119與透明電極220b和反射電極230b電絕緣。
有機(jī)層114包括突起部分115、浮凸部分115’和接觸孔(未示出)，TFT119的漏電極118c經(jīng)該接觸孔部分地暴露。突起部分115對(duì)應(yīng)于間隔物110，以布置液晶在液晶層108中的排列。突起部分115與間隔物110接觸。從LCD裝置的前面看時(shí)，浮凸部分115’增大從反射電極230b反射的光的亮度。反射電極230b沿反射區(qū)128中的浮凸部分115’形成。
透明電極220b形成在有機(jī)層114的對(duì)應(yīng)于像素區(qū)140的一部分上和接觸孔中。因此，透明電極220b與漏電極118c電接觸。
透明電極220b包括第一透明電極部分212c、第二透明電極部分212d、第一連接部分136a和第二連接部分136b。第一和第二透明電極部分212c和212d形成在透射窗129a中的有機(jī)層114上。第一透明電極部分212c與第二透明電極部分212d相鄰。
第一和第二透明部分212c和212d均可以具有多邊形、圓形等形狀。第一和第二透明電極部分212c和212d均可以具有四邊形形狀，如矩形。例如，第一和第二電極部分212c和212d均具有包括圓角的正方形形狀。
反射電極230b設(shè)置在有機(jī)層114的對(duì)應(yīng)于反射區(qū)128的部分上。因此，外界提供給第二基板180的光從反射電極230b反射。當(dāng)對(duì)透明電極220b、反射電極230b和公共電極106施加電壓時(shí)，在與每個(gè)開口圖案133a和133b相鄰的區(qū)域、在第一和第二透明電極部分212c和212d之間的區(qū)域以及在第二透明電極部分212c和反射電極230b之間的區(qū)域中形成扭曲的電場。當(dāng)對(duì)液晶層108施加扭曲的電場時(shí)，在液晶層108中形成多域。因此LCD裝置的視角擴(kuò)大。
在具有黑底102和彩色濾光片104的上面板100上形成外覆層105以保護(hù)黑底102和彩色濾光片104。從上面板100去除外覆層105的對(duì)應(yīng)于透射窗129a的部分。因此彩色濾光片104的對(duì)應(yīng)于透射窗129a的部分被暴露。因此，第一基板170的對(duì)應(yīng)于透射窗129a的部分具有不同于第一基板170對(duì)應(yīng)于反射區(qū)128的部分的厚度。或者，可以在上面板100上保留對(duì)應(yīng)于透射窗129a的外覆層105。外覆層105還使具有黑底102和彩色濾光片104的第一基板170的表面平坦。
公共電極106在單位像素區(qū)140中包括兩個(gè)第一開口圖案133a和一個(gè)第二開口圖案133b，以在液晶層108中形成多域。部分蝕刻公共電極106以形成第一和第二開口圖案133a和133b。
因?yàn)橥飧矊?05的厚度得到控制，所以第一基板170的對(duì)應(yīng)于透射窗129a的部分具有不同于第一基板170的對(duì)應(yīng)于反射區(qū)128的部分的厚度。因此，液晶層108的光學(xué)特性得到控制。
圖9是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的平面圖。圖10是沿圖9中III-III’線的截面圖。圖9和10所示的LCD裝置除透明電極外與圖1-4所示的裝置相同。因而，用相同的標(biāo)號(hào)表示與圖1-4所示裝置相同或類似的部件并省去進(jìn)一步的解釋。
參見圖9和10，LCD裝置包括第一基板170、第二基板180和液晶層108。第一基板170包括上面板100、黑底102、彩色濾光片104、公共電極106和間隔物110。第一基板170具有顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。圖像顯示在被周邊區(qū)155包圍的顯示區(qū)150中。
第二基板180包括下面板120、薄膜晶體管(TFT)119、源極線118a’、柵極線118b’、存儲(chǔ)電容線190、柵極絕緣層126、鈍化層116、存儲(chǔ)電容196、有機(jī)層114、透明電極220a和反射電極230b。
第二基板180包括像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145。圖像顯示在像素區(qū)140中。光不能通過光遮擋區(qū)145。像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145分別對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。像素區(qū)140具有透射窗129a和反射區(qū)128。透射窗129a，例如，具有基本上在平行于源極線118a’的方向上延伸的矩形形狀。
在具有TFT119的下面板120之上設(shè)置鈍化層116。鈍化層116包括接觸孔，漏電極118c經(jīng)該接觸孔被部分地暴露。
在鈍化層116的像素區(qū)140中和接觸孔中形成透明電極220a。因此，透明電極220a電連接到TFT 119的漏電極118c。透明電極220a包括第一透明電極部分212a、第二透明電極部分212b、第一連接部分136a和第二連接部分136b。
有機(jī)層114設(shè)置在具有TFT119、鈍化層116和透明電極220a的下面板120上。反射電極230a設(shè)置在有機(jī)層114的對(duì)應(yīng)于反射區(qū)120的部分上。因此，TFT 119與反射電極230a絕緣。
去除有機(jī)層114的對(duì)應(yīng)于透射窗129a的部分。因此，第二基板180的透射窗129a具有不同于第二基板180的反射區(qū)128的厚度?；蛘撸谕干浯?29a中保留有機(jī)層114的該部分。當(dāng)在透射窗129中部分保留有機(jī)層114時(shí)，有機(jī)層114具有接觸孔，透明電極220a經(jīng)該接觸孔與反射電極230a電接觸。
有機(jī)層114具有突起部分115和浮凸部分115’。突起部分115對(duì)應(yīng)于間隔物110以布置液晶層108的排列。從LCD裝置的前面看時(shí)，浮凸部分115’增大從反射電極230a反射的光的亮度。反射電極230a沿反射區(qū)128中的浮凸部分115’形成。
在透明電極220a的第二連接部分136b上形成反射電極230a的一部分。因此，反射電極230a經(jīng)透明電極220a電耦接到漏電極118c。因?yàn)榈诙B接部分136b設(shè)置在有機(jī)層114下，所以有機(jī)層114可以沒有接觸孔。因此，有機(jī)層114的結(jié)構(gòu)得以簡化，并且LCD裝置的制造成本降低。
圖11是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的平面圖。圖12是沿圖11中IV-IV’線的截面圖。圖11和12所示的LCD裝置除透明電極、反射電極、有機(jī)層和外覆層外與圖1-4所示的裝置相同。因而，用相同的標(biāo)號(hào)表示與圖1-4所示裝置相同或類似的部件并省去進(jìn)一步的解釋。
參見圖11和12，LCD裝置包括第一基板170、第二基板180和液晶層108。第一基板170包括上面板100、黑底102、彩色濾光片104、外覆層105、公共電極106和間隔物110。第一基板170具有顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。圖像顯示在被周邊區(qū)155包圍的顯示區(qū)150中。
第二基板180包括下面板120、薄膜晶體管(TFT)119、源極線118a’、柵極線118b’、存儲(chǔ)電容線190、柵極絕緣層126、鈍化層116、存儲(chǔ)電容196、有機(jī)層114、透明電極220b和反射電極230b。
第二基板180包括像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145。圖像顯示在像素區(qū)140中。光不能通過光遮擋區(qū)145。像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145分別對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。像素區(qū)140具有透射窗129a和反射區(qū)128。透射窗129a，例如，形狀為基本上在平行于源極線118a’的方向上延伸的矩形。
有機(jī)層114設(shè)置在具有TFT 119和鈍化層126的下面板120上。因此，TFT 119與透明電極220b和反射電極230b電絕緣。
有機(jī)層114具有突起部分115、浮凸部分115’和接觸孔(未示出)，TFT119的漏電極118c經(jīng)該接觸孔暴露。突起部分115對(duì)應(yīng)于間隔物110，以布置液晶層的排列。突起部分115，例如，與間隔物110接觸。從LCD裝置的前面看，浮凸部分115’增大從反射電極230b反射的光的亮度。反射電極230b沿反射區(qū)128中的浮凸部分115’形成。
透明電極220b形成在有機(jī)層114的對(duì)應(yīng)于像素區(qū)140的一部分上和接觸孔中。因此，透明電極220b與漏電極118c電接觸。
透明電極220b包括第一透明電極部分212c、第二透明電極部分212d、第一連接部分136a和第二連接部分136b。第一和第二透明電極部分212c和212d每個(gè)具有多邊形、圓形等形狀。例如，第一和第二透明電極部分212c和212d均具有包括圓角的正方形形狀。
反射電極230b設(shè)置在有機(jī)層114的對(duì)應(yīng)于反射區(qū)128的部分上。因此，外界提供的光從反射電極230b反射。反射電極230b可以具有多邊形、圓形等形狀。例如，反射電極230b的形狀為包括圓角的正方形。
當(dāng)對(duì)透明電極220b、反射電極230b和公共電極106施加電壓時(shí)，在與每個(gè)開口圖案133a和133b相鄰的區(qū)域、在第一和第二透明電極部分212c和212d之間的區(qū)域以及在第二透明電極部分212c和反射電極230b之間的區(qū)域中形成扭曲的電場。當(dāng)對(duì)液晶層108施加扭曲的電場時(shí)，在液晶層108中形成多域。因此LCD裝置的視角擴(kuò)大。
在具有黑底102和彩色濾光片104的上面板100上形成外覆層105以保護(hù)黑底102和彩色濾光片104。外覆層105使具有黑底102和彩色濾光片104的第一基板170的表面平坦?；蛘撸瑢⑼飧矊?05的一部分保留在彩色濾光片104的對(duì)應(yīng)于透射窗129a的部分上。
公共電極106在單位像素區(qū)140中包括兩個(gè)第一開口圖案133a和一個(gè)第二開口圖案133b，以在液晶層108中形成多域。例如，部分蝕刻公共電極106以形成第一和第二開口圖案133a和133b。
因?yàn)榈谝缓偷诙该麟姌O部分212c和212d以及反射電極230b每個(gè)為具有包括圓角的正方形，所以每個(gè)開口圖案133a和133b附近形成的域的數(shù)量增加。因此增大了LCD裝置的視角。
圖13是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的平面圖。圖14是沿圖13中V-V’線的截面圖。圖15是沿圖13中VI-VI’線的截面圖。圖16是圖13所示柵電極、柵極線、第一存儲(chǔ)電極和存儲(chǔ)電容線的平面圖。圖17是圖13所示源電極、源極線、漏電極和第二存儲(chǔ)電極的平面圖。圖18是圖13所示薄膜晶體管(TFT)、柵極線、源極線、存儲(chǔ)電容和存儲(chǔ)電容線的平面圖。圖13-18所示的LCD裝置除像素電極、有機(jī)層和存儲(chǔ)電容外與圖1-4所示的裝置相同。因而，用相同的標(biāo)號(hào)表示與圖1-4所示裝置相同或類似的部件并省去進(jìn)一步的解釋。
參見圖13和18，LCD裝置包括第一基板170、第二基板180和液晶層108。第一基板170包括上面板100、黑底102、彩色濾光片104、公共電極106和間隔物110。第一基板170具有顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。圖像顯示在被周邊區(qū)155包圍的顯示區(qū)150中。
第二基板180包括下面板120、薄膜晶體管(TFT)119、源極線118a’、柵極線118b’、存儲(chǔ)電容線191、柵極絕緣層126、鈍化層116、存儲(chǔ)電容197和像素電極220。
第二基板180包括像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145。圖像顯示在像素區(qū)140。光不能通過光遮擋區(qū)145。像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145分別對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。例如，像素區(qū)140的形狀基本上為在平行于源極線118a’的方向上延伸的矩形。
在具有TFT119的下面板120之上設(shè)置鈍化層116。鈍化層116包括接觸孔(未示出)，漏電極118c經(jīng)該接觸孔被部分地暴露?；蛘?，可以在具有TFT 119和鈍化層116的下面板120上形成有機(jī)層(未示出)。
像素電極220形成在鈍化層116的對(duì)應(yīng)于像素區(qū)140的部分上和接觸孔中。因此，像素電極220電耦接到漏電極118c。當(dāng)對(duì)像素電極220和公共電極106施加電壓時(shí)，在像素電極220和公共電極106之間形成電場。液晶層108中的液晶響應(yīng)于該電場而改變它們的分布，并且液晶層108的光透射率發(fā)生變化以顯示圖像。像素電極220含有透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)等。或者，像素電極220可以具有反射率高的導(dǎo)電材料。
像素電極220包括第一像素電極部分212a、第二像素電極部分212b、第三像素電極部分212c、第一連接部分136a和第二連接部分136b。第一連接部分136a處于第一和第二像素電極部分212a和212b之間，以將第一像素電極部分212a電耦接到第二像素電極部分212b上。第二連接部分136b處于第二和第三像素電極部分212b和212c之間，以將第二像素電極部分212b電耦接到第三像素電極部分212c上。
第一至第三像素電極部分212a、212b和212c均具有包括圓角的正方形形狀。第三像素電極部分212c的一部分設(shè)置在接觸孔中。因此，像素電極220的第三像素電極部分212c電耦接到TFT119的漏電極118c?；蛘撸谝恢恋谌袼仉姌O部分212a，212b和212c均具有多邊形、圓形等形狀。
在下面板120上形成存儲(chǔ)電容197以維持像素電極220內(nèi)的電壓差。存儲(chǔ)電容197包括第一存儲(chǔ)電極193和第二存儲(chǔ)電極195。存儲(chǔ)電容197的一部分凸向像素區(qū)140的中線。例如，存儲(chǔ)電容197的凸出部分基本上垂直于像素區(qū)140的中線。
參見圖15和16，第一存儲(chǔ)電極193設(shè)置在下面板120上，并與存儲(chǔ)電容線191電連接。第一存儲(chǔ)電極193的一部分形成在第一和第二像素電極部分212a和212b之間和/或第二和第三像素電極部分212b和212c之間以阻擋輻射到第一和第二像素電極部分212a和212b之間和/或第二和第三像素電極部分212b和212c之間的空間的光。因此，第一存儲(chǔ)電極193的該部分凸入到像素區(qū)140中。第一存儲(chǔ)電極193的其余部分沿像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145之間的界面形成。
參見圖15和17，第二存儲(chǔ)電極195設(shè)置在柵極絕緣層126對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)電極193的部分上，并且電耦接到源電極118a。第二存儲(chǔ)電極195的一部分形成在第一和第二像素電極部分212a和212b之間和/或第二和第三像素電極部分212b和212c之間，以遮擋輻射到第一和第二像素電極部分212a和212b之間和/或第二和第三像素電極部分212b和212c之間的空間的光。因此，該部分的第二存儲(chǔ)電極195凸入到像素區(qū)140中。例如，第二存儲(chǔ)電極195的其余部分沿像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145之間的界面設(shè)置。因此，存儲(chǔ)電容197的其余部分沿像素區(qū)140的邊形成。
或者，可以在第一至第三像素電極部分212a、212b和212c上形成第二保護(hù)層(未示出)。第二保護(hù)層(未示出)不受摩擦并具有光滑的表面和均勻的厚度。或者，可以在預(yù)定的摩擦方向摩擦第二保護(hù)層(未示出)。第二保護(hù)層(未示出)具有合成樹脂，如聚酰亞胺(PI)樹脂。
在上面板100的周邊區(qū)155中形成黑底102。彩色濾光片104形成在上面板100的顯示區(qū)150中。因此，預(yù)定波長的光可以通過彩色濾光片104。
公共電極106形成在具有黑底102和彩色濾光片104的上面板100之上。公共電極106包括開口圖案135a，以在液晶層108中形成多域。例如，部分蝕刻公共電極106以形成開口圖案135a。公共電極106，例如，包括三個(gè)開口圖案135a。開口圖案135a分別形成在像素電極220的第一至第三像素電極部分212a、212b和212c的中心部分之上。
在具有黑底102、彩色濾光片104和公共電極106的上面板100上形成間隔物110。第一基板170通過間隔物110與第二基板180隔開。
或者，可以在公共電極106和開口圖案135a上形成第一保護(hù)層(未示出)。第一保護(hù)層(未示出)不受摩擦并具有平化的表面和均勻的厚度。第一保護(hù)層(未示出)含有合成樹脂，如聚酰亞胺(PI)樹脂。
液晶層108夾置在第一和第二基板170和180之間并由密封劑(未示出)密封。液晶層108可以包括垂直配向(VA)模式、扭曲向列相(TN)模式，混合扭曲向列相(MTN)模式、勻質(zhì)排列模式、反向電控雙折射(反向ECB)模式等。例如，液晶層108包括垂直配向(VA)模式。
當(dāng)對(duì)像素電極220和公共電極106施加電壓時(shí)，在鄰近間隔物110的區(qū)域、在鄰近每個(gè)開口圖案135a的區(qū)域以及在像素電極部分212a、212b和212c之間的區(qū)域中形成扭曲的電場。當(dāng)對(duì)液晶層108施加扭曲的電場時(shí)，在液晶層108中形成多域。因此，LCD裝置的視角擴(kuò)大。
圖19A-19F是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置制造方法的截面圖。參見圖19A，下面板120包括像素區(qū)140和遮擋區(qū)145。背光組件(未示出)產(chǎn)生的光線通過像素區(qū)140。
在下面板120上沉積導(dǎo)電材料。沉積的導(dǎo)電材料被部分地除去，從而形成柵電極118b、柵極線118b’、第一存儲(chǔ)電極193(圖15所示)和存儲(chǔ)電容線191。柵極絕緣層126沉積在具有柵電極118b和柵極線118b’的下面板120上。柵極絕緣層126包括透明絕緣材料。
在柵極絕緣層126上形成非晶硅和N+型非晶硅，并將之部分地除去以在對(duì)應(yīng)于柵電極118b的柵極絕緣層126上形成半導(dǎo)體層118d。在具有半導(dǎo)體層118d的柵極絕緣層126上沉積導(dǎo)電材料。部分地蝕刻沉積在柵極絕緣層126上的導(dǎo)電材料以形成源電極118a、源極線118a’和漏電極118c。因此，在下面板120上形成包括源電極118a、柵電極118b、漏電極118c和半導(dǎo)體層118d的TFT119以及包括第一存儲(chǔ)電極193和第二存儲(chǔ)電極195的存儲(chǔ)電容197。
透明絕緣材料沉積在具有TFT119和存儲(chǔ)電容197的下面板120之上。沉積的透明絕緣材料被部分地蝕刻，從而形成具有接觸孔117的鈍化層116，漏電極118c經(jīng)接觸孔117被部分地暴露。
參見圖19B，在鈍化層116上和接觸孔117中沉積透明導(dǎo)電材料。透明導(dǎo)電材料包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)等。例如，透明導(dǎo)電材料包括氧化銦錫(ITO)。沉積的透明導(dǎo)電材料被部分地蝕刻，以形成第一至第三像素電極部分212a、212b和212c以及第一和第二連接部分136a和136b，從而形成像素電極220。
或者，可以在具有像素電極220的下面板120上涂覆聚酰亞胺(PI)樹脂以形成第二保護(hù)層(未示出)。由此完成具有下面板120、TFT 119、存儲(chǔ)電容197、電源線118a’、柵極線118b’、存儲(chǔ)電容線191和像素電極220的第二基板180。
參見圖19C，在上面板100上沉積不透明材料。沉積的不透明材料被部分地除去以形成黑底102。
在具有黑底102的上面板100上涂覆具有著色劑和光致抗蝕劑的有機(jī)材料。涂覆的著色有機(jī)材料經(jīng)掩模曝光并顯影而形成彩色濾光片104。在具有彩色濾光片104和黑底102的上面板100上沉積透明導(dǎo)電材料106’。
參見圖19D，在沉積的透明導(dǎo)電材料106’(圖19C所示)上涂覆光致抗蝕劑膜。涂覆的光致抗蝕劑膜經(jīng)掩模曝光并顯影，形成光致抗蝕劑圖案。利用光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模蝕刻沉積的透明導(dǎo)電材料106’，形成具有開口圖案135的公共電極106。
參見圖19E，在公共電極106上涂覆有機(jī)材料。例如，有機(jī)材料包括光致抗蝕劑。涂覆的有機(jī)材料經(jīng)掩模曝光并顯影，以形成間隔物110。
可以在具有間隔物110和公共電極106的上面板100上涂覆聚酰亞胺(PI)樹脂以形成第一保護(hù)層(未示出)。由此完成包括上面板100、黑底102、彩色濾光片104、公共電極106和間隔物110的第一基板170。
參見圖19F，第一基板170與第二基板180結(jié)合。液晶注入到第一和第二基板170和180之間的空間中。注入的液晶被形成在第一和第二基板170和180之間的密封劑(未示出)密封，從而形成液晶層108。或者，液晶可以在滴在具有密封劑(未示出)的第一基板170或第二基板180上。由此，第一基板170與第二基板180結(jié)合，形成液晶層108。
因?yàn)榈谝恢恋谌袼仉姌O部分212a、212b和212c每個(gè)為具有圓角的正方形，并且每個(gè)的開口圖案135a為圓形，所以域形成在鄰近開口圖案135a處。因此，LCD裝置的視角擴(kuò)大。
此外，存儲(chǔ)電容197的部分設(shè)置在第一和第二像素電極部分212a和212b之間和/或第二和第三像素電極部分212b和212c之間以遮擋輻射到第一和第二像素電極部分212a和212b之間和/或第二和第三像素電極部分212b和212c之間的空間的光。因此，第一和第二存儲(chǔ)電極193和195的該部分凸入到像素區(qū)140中。因此，光泄漏減少，并且LCD裝置的圖像顯示質(zhì)量得以提高。
圖20是根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的平面圖。圖21是沿圖20中VII-VII’線的截面圖。圖22是圖20所示形成在液晶層中的多域的平面圖。圖20和21的LCD裝置除開口圖案和突起外與圖13-18所示的裝置相同。因而，用相同的標(biāo)號(hào)表示與圖13-18所示裝置相同或類似的部件并省去進(jìn)一步的解釋。
參見圖20-22，LCD裝置包括第一基板170、第二基板180和液晶層108。第一基板170包括上面板100、黑底102、彩色濾光片104、公共電極106和間隔物110。第一基板170具有顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。圖像顯示在被周邊區(qū)155包圍的顯示區(qū)150中。
第二基板180包括下面板120、薄膜晶體管(TFT)119、源極線118a’、柵極線118b’、存儲(chǔ)電容線191、柵極絕緣層126、鈍化層116、存儲(chǔ)電容197、突起139和像素電極220。
第二基板180包括像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145。圖像顯示在像素區(qū)140。光不能通過光遮擋區(qū)145。像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145分別對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。例如，像素區(qū)140的形狀為基本上在平行于源極線118a’的方向上延伸的矩形。第二基板180，例如，在單位像素區(qū)140中包括三個(gè)突起139。像素電極220包括第一像素電極部分212a、第二像素電極部分212b、第三像素電極部分212c、第一連接部分136a和第二連接部分136b。
在第一至第三電極部分212a、212b和212c上分別形成突起139，以在液晶層108中形成多域。例如，每個(gè)突起139都形成在第一至第三電極部分212a、212b和212c每個(gè)的中部。
每個(gè)突起139有多個(gè)第二凹陷139’。域的縱向分別對(duì)應(yīng)于突起139的第二凹陷139’的水平方向。例如，每個(gè)突起139都具有四個(gè)第二凹陷139’。為了形成突起139，在像素電極220上涂覆含有光致抗蝕劑的有機(jī)材料，并且通過對(duì)涂覆的有機(jī)材料進(jìn)行光工藝以部分地除去涂覆的有機(jī)材料。
在具有黑底102和彩色濾光片104的上面板100之上形成公共電極。公共電極106形成在具有黑底102和彩色濾光片104的上面板100之上。公共電極106包括開口圖案135以在液晶層108中形成多域。例如，部分地蝕刻公共電極106，以在單位像素區(qū)140中形成三個(gè)開口圖案135b。
每個(gè)開口圖案135b有多個(gè)第一凹陷135b’。域的縱向分別對(duì)應(yīng)于開口圖案135b的第一凹陷135b’的水平方向。開口圖案135b的第一凹陷135b’可以有突起部分。例如，每個(gè)開口圖案135b都有四個(gè)第一凹陷135b’。開口圖案135b的第一凹陷135b’分別對(duì)應(yīng)于突起139的第二凹陷139’?；蛘?，每個(gè)突起139可以有至少五個(gè)第二凹陷139’，每個(gè)開口圖案135b也可以有至少五個(gè)第一凹陷135b’。
參見圖22，在液晶層108對(duì)應(yīng)于像素電極部分212a、212b和212c的部分中形成由突起139的第二凹陷139’和開口圖案135b的第一凹陷135b’形成的域。因此，在液晶層108中形成多域。例如，在液晶層108的對(duì)應(yīng)于像素電極部分212a、212b和212c的部分中形成八個(gè)域。例如，八個(gè)域中的四個(gè)域?qū)?yīng)于突起139的第二凹陷139’和開口圖案135b的第一凹陷135b’，并且八個(gè)域中的其余四個(gè)域?qū)?yīng)于像素電極部分212a、212b和212c的邊。
圖23是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實(shí)施例的LCD裝置的截面圖。圖23所示的LCD裝置除第一保護(hù)層和第二保護(hù)層外與圖20-22所示的裝置相同。因而，用相同的標(biāo)號(hào)表示與圖20-22所示裝置相同或類似的部件并省去進(jìn)一步的解釋。
參見圖23，LCD裝置包括第一基板170、第二基板180和液晶層108。第一基板170包括上面板100、黑底102、彩色濾光片104、公共電極106、間隔物110和第一保護(hù)層303。第一基板170具有顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。圖像顯示在被周邊區(qū)155包圍的顯示區(qū)150中。
第二基板180包括下面板120、薄膜晶體管(TFT)119、源極線118a，、柵極線118b’、存儲(chǔ)電容線191、柵極絕緣層126、鈍化層116、存儲(chǔ)電容197、突起139、像素電極220和第二保護(hù)層304。
第二基板180包括像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145。圖像顯示在像素區(qū)140。光不能通過光遮擋區(qū)145。像素區(qū)140和光遮擋區(qū)145分別對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)150和周邊區(qū)155。例如，第二基板180在單位像素區(qū)140中包括三個(gè)突起139。
在像素電極220和突起139上形成第二保護(hù)層304以保護(hù)像素電極220和突起139。第二保護(hù)層304不被摩擦并具有平滑的表面和均勻的厚度?；蛘?，第二保護(hù)層304可以形成在像素電極220上，并且突起139可以形成在第二保護(hù)層304上。
在公共電極106上形成第一保護(hù)層303以保護(hù)公共電極106。第一保護(hù)層303不被摩擦并具有平滑的表面和均勻的厚度。液晶層108與第一和第二保護(hù)層303和304相接觸。
通過開口圖案135b和突起139的第一和第二凹陷135b’和139’在液晶層108中形成多域。此外，第一和第二保護(hù)層303和304不被摩擦，從而防止摩擦造成的失準(zhǔn)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，公共電極具有對(duì)應(yīng)于透明電極部分和反射電極部分的開口圖案。因此，在鄰近開口圖案處形成域。此外，每個(gè)透明電極部分和反射電極部分包括含有圓角的矩形形狀，以增加域的數(shù)量。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，每個(gè)開口圖案均為圓形。因此，在每個(gè)開口圖案附近都有徑向形成的域，并且LCD裝置的視角增大。此外，第一凹陷形成在開口圖案中，對(duì)應(yīng)于第一凹陷的第二凹陷形成在像素電極上形成的突起上。第一和第二凹陷形成多域。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，存儲(chǔ)電容的部分設(shè)置在透明電極部分之間，以及反射電極和鄰接反射電極的透明電極部分之間。因此，輻射到透明電極部分之間的光以及輻射到反射電極和鄰接反射電極的透明電極部分之間的光被遮擋。因此，光的泄漏被阻止，并且圖像顯示質(zhì)量得以提高。
以上參考示范性實(shí)施例描述了本發(fā)明。但顯然，在之上所述的指導(dǎo)下本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以進(jìn)行多種改型和變化。相應(yīng)地，所有的這些改型和變化都將落在本發(fā)明所附權(quán)利要求限定的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括包括像素區(qū)和設(shè)置在像素區(qū)中的開關(guān)元件的下面板；形成在所述下面板的像素區(qū)中并電耦接到所述開關(guān)元件的電極的像素電極，該像素電極包括多個(gè)像素電極部分和至少一個(gè)使所述像素電極部分彼此電連接的連接部分；包括對(duì)應(yīng)于所述像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板；設(shè)置在所述上面板上的公共電極，該公共電極包括多個(gè)分別對(duì)應(yīng)于所述像素電極部分的開口圖案；和夾置在所述像素電極和公共電極之間的液晶層。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述公共電極的開口圖案分別對(duì)應(yīng)于所述像素電極部分的中部。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中每個(gè)所述像素電極部分均具有多邊形或圓形形狀。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中每個(gè)所述像素電極部分均具有正方形形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中每個(gè)所述像素電極部分均具有含有圓角的正方形形狀。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述像素電極包括具有透明導(dǎo)電材料的第一像素電極部分；具有所述透明導(dǎo)電材料的第二像素電極部分；具有高反射性導(dǎo)電材料的第三像素電極部分；將所述第一像素電極部分電連接到所述第二像素電極部分上的第一連接部分；和將所述第二像素電極部分電連接到所述第三像素電極部分上的第二連接部分。
7.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，還包括設(shè)置在具有所述像素電極部分的下面板上的有機(jī)層，所述像素電極部分含有透明導(dǎo)電材料。
8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，還包括設(shè)置在所述下面板和所述像素電極部分之間的有機(jī)層，所述像素電極部分含有透明導(dǎo)電材料，并且其中所述有機(jī)層具有接觸孔，所述開關(guān)元件的電極經(jīng)該接觸孔與所述像素電極電接觸。
9.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，還包括設(shè)置在所述公共電極上的第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層具有光滑的表面和均勻的厚度；和設(shè)置在所述像素電極上的第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層具有光滑的表面和均勻的厚度，并且其中所述液晶層夾置在所述第一和第二保護(hù)層之間。
10.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述公共電極的每個(gè)開口圖案包括多個(gè)第一凹陷，以在所述液晶層中形成多域。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，還包括電耦接到所述像素電極的存儲(chǔ)電容，且其中所述存儲(chǔ)電容的一部分形成在彼此相鄰的所述像素電極部分之間。
12.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其中每個(gè)所述開口圖案包括四個(gè)第一凹陷。
13.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，還包括分別形成在所述像素電極部分上的多個(gè)突起，且其中每個(gè)所述突起對(duì)應(yīng)于每個(gè)所述開口圖案。
14.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其中所述每個(gè)突起包括多個(gè)第二凹陷，以在液晶層中形成諸域。
15.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其中每個(gè)所述像素電極部分均具有含有圓角的四邊形形狀。
16.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其中每個(gè)所述像素電極部分均具有圓形形狀。
17.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，還包括設(shè)置在所述公共電極上的第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層具有光滑的表面和均勻的厚度；設(shè)置在所述像素電極上的第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層具有光滑的表面和均勻的厚度；和分別設(shè)置在所述像素電極部分和所述第二保護(hù)層之間、對(duì)應(yīng)于所述開口圖案的多個(gè)突起，并且其中所述液晶層夾置在所述第一和第二保護(hù)層之間。
18.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示裝置，其中每個(gè)所述突起包括多個(gè)第二凹陷，以在液晶層中形成諸域。
19.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，還包括設(shè)置在所述公共電極上的第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層具有光滑的表面和均勻的厚度；設(shè)置在所述像素電極上的第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層具有光滑的表面和均勻的厚度；和分別設(shè)置在所述第二保護(hù)層上、對(duì)應(yīng)于所述開口圖案的多個(gè)突起，并且其中所述液晶層夾置在所述第一和第二保護(hù)層之間。
20.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示裝置，其中每個(gè)所述突起包括多個(gè)第二凹陷，以在所述液晶層中形成諸域。
21.一種液晶顯示裝置，包括包括像素區(qū)和設(shè)置在所述像素區(qū)中的開關(guān)元件的下面板，該像素區(qū)包括透射窗和反射區(qū)；電耦接到所述開關(guān)元件的電極的像素電極，該像素電極包括所述下面板透射窗中的透明電極，該透明電極含有透明導(dǎo)電材料；所述下面板反射區(qū)中的反射電極，該反射電極含有高反射性導(dǎo)電材料；和將所述透明電極電連接到所述反射電極的連接部分；包括對(duì)應(yīng)于所述像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板；設(shè)置在所述上面板上的公共電極，該公共電極包括多個(gè)分別對(duì)應(yīng)于所述透明電極和反射電極的開口圖案；和夾置在所述像素電極和公共電極之間的液晶層。
22.如權(quán)利要求21所述的液晶顯示裝置，其中所述液晶層對(duì)應(yīng)于所述反射區(qū)的部分具有比所述液晶層對(duì)應(yīng)于所述透射窗的部分更薄的厚度。
23.如權(quán)利要求21所述的液晶顯示裝置，其中所述透明電極包括多個(gè)透明電極部分和至少一個(gè)使所述透明電極部分彼此電連接的連接部分。
24.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其中每個(gè)所述透明電極部分為具有圓角的正方形。
25.一種液晶顯示裝置，包括包括像素區(qū)和設(shè)置在所述像素區(qū)中的開關(guān)元件的下面板；形成在所述下面板的像素區(qū)中并電耦接到所述開關(guān)元件的電極的像素電極；設(shè)置在所述下面板上的存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容的一部分凸向所述像素區(qū)的中線；包括對(duì)應(yīng)于所述像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板；設(shè)置在所述上面板上的公共電極，該公共電極對(duì)應(yīng)于所述像素電極；和夾置在所述像素電極和公共電極之間的液晶層。
26.如權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，其中所述像素電極包括多個(gè)像素電極部分和至少一個(gè)使所述像素電極部分彼此電連接的連接部分。
27.如權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，其中所述公共電極包括多個(gè)開口圖案，并且每個(gè)所述開口圖案包括多個(gè)第一凹陷。
28.如權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，其中所述存儲(chǔ)電容的剩余部分沿所述像素區(qū)的邊形成。
29.一種液晶顯示裝置的制造方法，包括在下面板的像素區(qū)中形成開關(guān)元件；形成像素電極，該像素電極包括多個(gè)像素電極部分和至少一個(gè)在所述下面板的像素區(qū)中使所述像素電極彼此電連接的連接部分，所述像素電極電耦接到所述開關(guān)元件的電極；在包括對(duì)應(yīng)于所述像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板上沉積第一透明導(dǎo)電材料；去除所述第一透明導(dǎo)電材料的對(duì)應(yīng)于所述像素電極部分中心部分的一部分，以形成多個(gè)開口圖案；和在所述像素電極和包括所述開口圖案的第一透明導(dǎo)電材料之間形成液晶層。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中去除所述第一透明導(dǎo)電材料的對(duì)應(yīng)于像素電極中部的部分以形成多個(gè)開口圖案的步驟包括在所述第一透明導(dǎo)電材料上涂覆光致抗蝕劑膜；利用掩模對(duì)涂覆的光致抗蝕劑膜曝光；對(duì)曝光的光致抗蝕劑膜顯影以形成光致抗蝕劑圖案；和利用所述光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述第一透明導(dǎo)電材料。
31.如權(quán)利要求29所述的方法，還包括在包括開關(guān)元件的下面板上形成絕緣層，其中所述絕緣層具有接觸孔，所述開關(guān)元件的電極經(jīng)該接觸孔被部分地暴露。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中形成像素電極包括在所述絕緣層上和接觸孔中沉積第二透明導(dǎo)電材料；部分蝕刻所述第二透明導(dǎo)電材料以形成第一像素電極部分，與所述第一像素電極部分相鄰的第二像素電極部分，將所述第一像素電極部分電連接到所述第二像素電極部分上的第一連接部分，和將所述第二像素電極部分經(jīng)接觸孔電連接到所述開關(guān)元件的電極的第二連接部分；在具有所述第一和第二像素電極部分和第一及第二連接部分的絕緣層上沉積高反射性的導(dǎo)電材料；和部分蝕刻沉積的具有高反射性的導(dǎo)電材料，以形成與所述第二連接部分電連接的第三像素電極部分。
33.如權(quán)利要求29所述的方法，其中形成像素電極包括在所述像素區(qū)中形成像素電極的第一像素電極部分，該第一像素電極部分具有第二透明導(dǎo)電材料；和在具有所述第一像素電極部分的下面板上形成有機(jī)層。
34.如權(quán)利要求29所述的方法，其中形成像素電極包括在所述下面板上形成有機(jī)層，該有機(jī)層具有接觸孔，所述開關(guān)元件的電極經(jīng)該接觸孔被部分地暴露；和在所述有機(jī)層的對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的部分上形成像素電極的第一像素電極部分，該第一像素電極部分具有第二透明導(dǎo)電材料。
35.如權(quán)利要求29所述的方法，還包括在具有沉積的導(dǎo)電材料的所述上面板上涂覆聚酰亞胺樹脂以形成第一保護(hù)層；和在具有像素電極的所述下面板上涂覆聚酰亞胺樹脂以形成第二保護(hù)層。
36.一種液晶顯示裝置的制造方法，包括在包括像素區(qū)的下面板上形成開關(guān)元件，該像素區(qū)包括透射窗和反射區(qū)；在包括所述開關(guān)元件的下面板上形成絕緣層，該絕緣層包括接觸孔，所述開關(guān)元件的電極經(jīng)該接觸孔被部分地暴露；在所述絕緣層上沉積第一透明導(dǎo)電材料；部分地蝕刻所述第一透明導(dǎo)電材料以形成包括多個(gè)透明電極部分、將透明電極部分彼此電連接的第一連接部分和將透明電極部分之一電連接到開關(guān)元件的電極上的第二連接部分的透明電極；在包括所述透明電極的下面板上沉積高反射性的導(dǎo)電材料；部分蝕刻沉積的導(dǎo)電材料以形成電耦接到所述透明電極的反射電極；在包括對(duì)應(yīng)于所述像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板上沉積第二透明導(dǎo)電材料；去除所述第二透明導(dǎo)電材料對(duì)應(yīng)于所述透明電極部分中心部分的一部分以形成開口圖案；和在所述透明電極和所述第二透明導(dǎo)電材料之間以及所述反射電極和所述第二透明導(dǎo)電材料之間形成液晶層。
37.一種液晶顯示裝置的制造方法，包括在包括像素區(qū)的下面板上形成半導(dǎo)體電路；在所述下面板的像素區(qū)中形成電耦接到半導(dǎo)體電路的開關(guān)元件的第一電極的像素電極，所述像素電極包括多個(gè)像素電極部分和至少一個(gè)將所述像素電極部分彼此電連接的連接部分；在包括對(duì)應(yīng)于所述像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板上沉積透明導(dǎo)電材料；去除沉積的透明導(dǎo)電材料的對(duì)應(yīng)于像素電極部分中心部分的一部分，以形成多個(gè)開口圖案，每個(gè)所述開口圖案包括多個(gè)第一凹陷；和在所述像素電極與沉積的透明導(dǎo)電材料之間形成液晶層。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其中形成半導(dǎo)體電路包括在所述下面板上形成所述開關(guān)元件的柵電極和與所述柵電極隔開的第一存儲(chǔ)電極，該第一存儲(chǔ)電極的一部分凸向像素區(qū)的中線；在具有所述柵電極和第一存儲(chǔ)電極的下面板上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層的對(duì)應(yīng)于所述柵電極的部分上形成半導(dǎo)體層；在具有所述半導(dǎo)體層的柵極絕緣層上形成導(dǎo)電層；和部分去除所述導(dǎo)電層以在所述半導(dǎo)體層上形成第一電極、與所述第一電極隔開的第二電極以及形成在所述柵極絕緣層的對(duì)應(yīng)于所述第一存儲(chǔ)電極的部分上的第二存儲(chǔ)電極。
39.如權(quán)利要求37所述的方法，還包括在具有沉積的透明導(dǎo)電材料的上面板上涂覆聚酰亞胺樹脂以形成第一保護(hù)層；和在具有像素電極的下面板上涂覆聚酰亞胺樹脂以形成第二保護(hù)層。
全文摘要
公開了一種LCD裝置及其制造方法。LCD裝置包括具有像素區(qū)和設(shè)置在像素區(qū)中的開關(guān)元件的下面板；形成在下面板的像素區(qū)中并電耦接到開關(guān)元件的電極的像素電極，該像素電極包含多個(gè)像素電極部分和至少一個(gè)使像素電極部分彼此電連接的連接部分；具有對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的顯示區(qū)的上面板；設(shè)置在上面板上的公共電極，該公共電極包含多個(gè)分別對(duì)應(yīng)于像素電極部分的開口圖案和夾置在像素電極和公共電極之間的液晶層。因此視角擴(kuò)大，圖像顯示質(zhì)量得以提高。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1721925SQ20051006778
公開日2006年1月18日 申請日期2005年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月8日
發(fā)明者樸源祥, 金尚佑, 金宰賢, 魚基漢, 李宰瑛, 車圣恩, 林載翊 申請人:三星電子株式會(huì)社