專(zhuān)利名稱(chēng)：位置測(cè)量技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及測(cè)量標(biāo)記等位置的位置測(cè)量技術(shù)。
背景技術(shù)：
在用于半導(dǎo)體制造等的曝光裝置中，作為測(cè)量晶片的各曝光區(qū)域位置的方法，有使用校準(zhǔn)用的光學(xué)系統(tǒng)，照射規(guī)定波長(zhǎng)的光，利用光電變換校準(zhǔn)標(biāo)記的反射光的結(jié)果的方法。以下，簡(jiǎn)單地說(shuō)明使用該技術(shù)的半導(dǎo)體制造用曝光裝置的以往例子。
在圖5所示的曝光裝置中，R是形成電路圖案的原版(以下，還稱(chēng)為“中間掩膜”)，W是作為曝光襯底的晶片，1是投影光學(xué)系統(tǒng)。另外，S表示校準(zhǔn)用光學(xué)系統(tǒng)，2是校準(zhǔn)照明裝置，3是光束分離器，4和5是成像光學(xué)系統(tǒng)，6是攝像裝置，7是A/D變換裝置，8是積分裝置，9是位置檢測(cè)裝置，10是波長(zhǎng)切換裝置，11是二維可移動(dòng)XY載物臺(tái)，13是載物臺(tái)控制裝置。載物臺(tái)控制裝置13根據(jù)位置檢測(cè)裝置9的檢測(cè)結(jié)果可以把XY載物臺(tái)定位在規(guī)定的位置上。14是曝光照明光源，照明中間掩膜R。在此假設(shè)在圖5中只展示檢測(cè)X方向位置的校準(zhǔn)用光學(xué)系統(tǒng)S，但同樣用于檢測(cè)Y方向(和紙面垂直方向)位置的校準(zhǔn)用光學(xué)系統(tǒng)也安置在曝光裝置上。在圖5所示的半導(dǎo)體的制造中使用的曝光裝置在中間掩膜R和晶片W的相對(duì)位置校準(zhǔn)后，從曝光照明光源14照射曝光光，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)1把被形成在中間掩膜R上的電子電路圖案投影曝光在安置于XY載物臺(tái)11上的晶片W上。
以下，說(shuō)明在上述曝光裝置中的位置測(cè)量方法。首先，最初調(diào)整XY載物臺(tái)11的位置，使得可以在攝像裝置6的攝像畫(huà)面內(nèi)觀(guān)察晶片W上的校準(zhǔn)標(biāo)記WM。接著，從校準(zhǔn)照明裝置2照射非曝光光，由波長(zhǎng)切換裝置10切換波長(zhǎng)。經(jīng)波長(zhǎng)切換的光束經(jīng)由成像光學(xué)系統(tǒng)4、光束分離器3，照明校準(zhǔn)標(biāo)記WM。從被照明的校準(zhǔn)標(biāo)記WM反射的光束經(jīng)由光束分離器3、成像光學(xué)系統(tǒng)5在攝像裝置6的攝像面上的觀(guān)察范圍(WP)上形成通過(guò)反射得到的校準(zhǔn)標(biāo)記的像(圖2E)。攝像裝置6光電變換校準(zhǔn)標(biāo)記WM的像。
其后，來(lái)自攝像裝置6的輸出在A(yíng)/D變換裝置7中，被變換為二維的數(shù)字信號(hào)串。積分裝置8把作為A/D變換裝置7的輸出的二維信號(hào)變換為一維數(shù)字信號(hào)串S1(x)。在變換為一維的數(shù)字信號(hào)串后，由位置測(cè)量裝置9檢測(cè)校準(zhǔn)標(biāo)記WM的位置。
在此在采用積分裝置8的一維數(shù)字信號(hào)串S1(x)的制成中需要，(1)攝像裝置6中的光電變換以及A/D變換裝置7中的A/D變換在各個(gè)動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)進(jìn)行，(2)在攝像裝置6中在校準(zhǔn)標(biāo)記WM的位置測(cè)量中確保充分的受光量，如果這2個(gè)條件滿(mǎn)足，則可以正確地進(jìn)行校準(zhǔn)標(biāo)記位置的測(cè)量。
在此，作為判定攝像光量是否進(jìn)入規(guī)定范圍并且可以根據(jù)該判定結(jié)果用適宜的光量拍攝標(biāo)記的位置測(cè)量技術(shù)，揭示在特開(kāi)2003-092247號(hào)公報(bào)中。
但是，近年，以DRAM為代表的半導(dǎo)體集成度越來(lái)越高，在校準(zhǔn)標(biāo)記的位置測(cè)量中要求的測(cè)量精度也越來(lái)越高。為了調(diào)節(jié)攝像裝置6的受光量，有用未圖示的ND濾波器等調(diào)節(jié)校準(zhǔn)照明裝置2的照明強(qiáng)度的方法，和調(diào)節(jié)攝像裝置6的受光時(shí)間(在CCD等的光電變換裝置中的電荷蓄積時(shí)間等)的方法。但是，在A(yíng)/D變換采用攝像裝置6的光電變換結(jié)果后，生成一維數(shù)字信號(hào)串S(x)，當(dāng)求該S(x)的S/N比的情況下，由于采用校準(zhǔn)照明裝置2的光源中的閃爍引起的光學(xué)噪聲，和攝像裝置6和A/D變換裝置7的電氣噪聲的影響，即使調(diào)節(jié)成同樣的受光量，由于該受光量，或者照明強(qiáng)度和受光時(shí)間的組合，處于一維數(shù)字信號(hào)串S1(x)的S/N比不同的情況。這意味著即使是同樣的受光量校準(zhǔn)標(biāo)記的位置檢測(cè)精度也變化，因而，根據(jù)情況存在校準(zhǔn)標(biāo)記的位置測(cè)定精度惡化的可能，只控制為處于規(guī)定容限內(nèi)的受光量是不夠的。
本發(fā)明以提供抑止精度劣化的新的位置測(cè)量技術(shù)為目的。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的位置測(cè)量裝置的特征是主要具有以下構(gòu)成。
本發(fā)明提供一種測(cè)量標(biāo)記位置的位置測(cè)量裝置，具備攝像單元；求出由上述攝像單元得到的圖像數(shù)據(jù)偏差(variation)的積分單元；根據(jù)對(duì)于與由在不同受光量下通過(guò)上述攝像單元得到的多個(gè)圖像數(shù)據(jù)，由上述計(jì)算單元分別求得的偏差，設(shè)定與上述攝像單元的受光量有關(guān)的參數(shù)的設(shè)定單元。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述而更加清楚，其中相同的附圖標(biāo)記表明相同的部分。


圖1A是展示實(shí)施方式1中的曝光裝置構(gòu)成的圖。
圖1B是說(shuō)明實(shí)施方式1中的位置測(cè)量處理流程的流程圖。
圖1C是說(shuō)明圖1B的步驟S106后續(xù)的實(shí)施方式2的具體處理流程的流程圖。
圖1D是說(shuō)明圖1B的步驟S106后續(xù)的實(shí)施方式3的具體處理流程的流程圖。
圖1E是說(shuō)明圖1B的步驟S106后續(xù)的實(shí)施方式4的具體處理流程的流程圖。
圖2A-2E是說(shuō)明基準(zhǔn)面、基準(zhǔn)標(biāo)記的攝像的圖。
圖3A是展示受光時(shí)間和噪聲成分的標(biāo)準(zhǔn)偏差關(guān)系的圖。
圖3B是展示由切換裝置10切換的照明光的各波長(zhǎng)λi和受光時(shí)間tcimin相對(duì)該波長(zhǎng)的關(guān)系的圖。
圖3C是關(guān)注波長(zhǎng)λi，將使受光時(shí)間變化為tc1、tc2、tc3、…tcm時(shí)的跨距dM1～dM4的測(cè)量結(jié)果歸納為數(shù)據(jù)表的圖。
圖4A是展示固定規(guī)定波長(zhǎng)λi考慮時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)偏差和受光量關(guān)系的圖。
圖4B是展示把在位置測(cè)量中使用的光束波長(zhǎng)作為λi，改變受光量Hi時(shí)的標(biāo)記跨距dM1～dM4的測(cè)量結(jié)果，和此時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)偏差關(guān)系的圖。
圖5是展示以往例子中的曝光裝置構(gòu)成例子的圖。
圖6是展示半導(dǎo)體設(shè)備整體制造工藝流程的圖。
圖7是展示晶片工藝詳細(xì)流程的圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照

本發(fā)明的適宜的實(shí)施方式。
<實(shí)施方式1>
下面說(shuō)明把本發(fā)明的位置檢測(cè)方法適用于曝光裝置的實(shí)施方式。圖1A是展示實(shí)施方式1的曝光裝置構(gòu)成的圖。在同一圖中，R是形成有電子電路圖案的中間掩膜，W是作為曝光襯底的晶片，1是投影光學(xué)系統(tǒng)。該投影光學(xué)系統(tǒng)1根據(jù)由照明光源14照射的投影光，把中間掩膜R的電子電路圖案像投影在晶片W上。
S是校準(zhǔn)用光學(xué)系統(tǒng)，包含照明裝置、光束分離器、成像光學(xué)系統(tǒng)、攝像裝置、控制單元。2是照射位置檢測(cè)用的照明光的校準(zhǔn)用的照明裝置，3是光束分離器，4以及5是成像光學(xué)系統(tǒng)。60是可以調(diào)節(jié)接收從照明裝置照射光的反射光的受光時(shí)間(蓄積時(shí)間)的攝像裝置。16是控制單元，控制照明裝置2照射光束的強(qiáng)度，或者根據(jù)用攝像評(píng)價(jià)裝置12的評(píng)價(jià)結(jié)果設(shè)定攝像裝置60接收的光束的受光時(shí)間。攝像裝置60根據(jù)已設(shè)定的受光時(shí)間接收從照明裝置2照明的光的反射光。
7是用于把在攝像裝置60中處理的結(jié)果變換為數(shù)字信號(hào)的A/D變換裝置。8是和A/D變換裝置7連接，可以進(jìn)行數(shù)字信號(hào)計(jì)算的積分裝置。9是根據(jù)數(shù)字信號(hào)檢測(cè)檢查對(duì)象位置的位置檢測(cè)裝置。10是用于切換從照明裝置2照射的照明光波長(zhǎng)的波長(zhǎng)切換裝置，在檢測(cè)對(duì)象的位置測(cè)量中，在向位置檢測(cè)對(duì)象照射位置測(cè)量用的照明光時(shí)，可以切換為各種波長(zhǎng)的照明光。波長(zhǎng)切換可以由控制單元16控制。11是可以二維移動(dòng)的XY載物臺(tái)，13是載物臺(tái)控制裝置。XY載物臺(tái)11在晶片W的曝光時(shí)，在載物臺(tái)控制裝置13的控制下，為了曝光晶片W的被曝光區(qū)域移動(dòng)晶片W進(jìn)行校準(zhǔn)，在位置測(cè)量時(shí)，為了用攝像裝置60測(cè)量被放置在XY載物臺(tái)上的晶片W的各被曝光區(qū)域的位置，把被設(shè)置在需要的XY載物臺(tái)上的基準(zhǔn)標(biāo)記SM，在攝像裝置60可以觀(guān)測(cè)的范圍(WP)中進(jìn)行校準(zhǔn)。
12是攝像評(píng)價(jià)裝置，可以測(cè)量采用積分裝置8的積分結(jié)果的偏差，進(jìn)行與標(biāo)準(zhǔn)偏差和范圍等的統(tǒng)計(jì)計(jì)算處理和最小平方計(jì)算等的誤差評(píng)價(jià)有關(guān)的計(jì)算處理。15是用于保存在位置檢測(cè)裝置9、攝像評(píng)價(jià)裝置12中經(jīng)檢測(cè)、評(píng)價(jià)的結(jié)果的數(shù)據(jù)庫(kù)，在被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的狀態(tài)下可以寫(xiě)入，讀出。
圖1B是說(shuō)明在實(shí)施方式1中的位置測(cè)量處理流程的流程圖。首先，在步驟S101中，用載物臺(tái)控制裝置13驅(qū)動(dòng)XY載物臺(tái)11進(jìn)行位置調(diào)整，使得在攝像裝置60的攝像畫(huà)面內(nèi)(WP)可以觀(guān)察XY載物臺(tái)11上的基準(zhǔn)標(biāo)記SM。在此，被設(shè)置在XY載物臺(tái)11上的基準(zhǔn)標(biāo)記SM是在載物臺(tái)上的XY平面內(nèi)配置多個(gè)圖2B所示的矩形標(biāo)記。WP是表示在攝像裝置60中的攝像畫(huà)面的觀(guān)察范圍，在步驟S101中，XY載物臺(tái)11的基準(zhǔn)標(biāo)記(SM)進(jìn)入攝像裝置60的觀(guān)察范圍(WP)內(nèi)，如果可以調(diào)整到可以觀(guān)察4條基準(zhǔn)標(biāo)記的位置上，則處理進(jìn)入步驟S102，從校準(zhǔn)用的照明裝置2中照射照明光。
在步驟S103中，用由波長(zhǎng)切換裝置10選擇的波長(zhǎng)的光束，經(jīng)由成像光學(xué)系統(tǒng)4、光束分離器3，照明XY載物臺(tái)上的基準(zhǔn)標(biāo)記SM。從基準(zhǔn)標(biāo)記SM反射的光束再次返回光束分離器3，經(jīng)由成像光學(xué)系統(tǒng)5在攝像裝置60的觀(guān)察范圍(WP)內(nèi)形成基準(zhǔn)標(biāo)記SM的像。
在步驟S104中，攝像裝置60光電變換基準(zhǔn)標(biāo)記SM的像，其后，來(lái)自攝像裝置60的輸出被輸入A/D變換裝置7，A/D變換裝置7把光電變換的結(jié)果變換為二維的數(shù)字信號(hào)串(S105)。通過(guò)攝像裝置60進(jìn)行的受光時(shí)間的調(diào)節(jié)，可以調(diào)節(jié)受光量(照明光量＝光束的強(qiáng)度×受光時(shí)間)。
在步驟S106中，積分裝置8把作為A/D變換裝置7的輸出的二維信號(hào)在Y方向或者X方向上進(jìn)行積分處理變換為一維的數(shù)字信號(hào)串S1(x)或者S1(y)(圖2D展示在Y方向積分處理得到的X方向的數(shù)字信號(hào)串的例子的圖)。一維數(shù)字信號(hào)串例如如圖2D所示是與基準(zhǔn)標(biāo)記SM對(duì)應(yīng)的一維的數(shù)字信號(hào)串S1(x)，根據(jù)該信號(hào)串S1(x)的對(duì)比度(contrast)(例如，把該對(duì)比度成為最大作為條件)可以把攝像裝置60和基準(zhǔn)標(biāo)記SM相互設(shè)置成共軛位置關(guān)系(進(jìn)而，該共軛位置關(guān)系可以通過(guò)校準(zhǔn)用光學(xué)系統(tǒng)內(nèi)的光學(xué)要素、攝像裝置60或者基準(zhǔn)標(biāo)記SM的移動(dòng)等進(jìn)行)。求出對(duì)比度的處理可以用位置檢測(cè)裝置9執(zhí)行。另外，位置檢測(cè)裝置9通過(guò)把用積分裝置8求得的一維的數(shù)字信號(hào)串S1(x)對(duì)在攝像裝置60的觀(guān)察范圍(WP)中的位置(x)微分，可以求出一維數(shù)字信號(hào)串S1(x)的斜率和其分布，或者求出攝像裝置60接收到的光束的強(qiáng)度(Intensity)的最大值、接收到的光束的強(qiáng)度分布。在圖2D中，與基準(zhǔn)標(biāo)記SM1～SM4(圖2B)的位置對(duì)應(yīng)，在信號(hào)電平中發(fā)生峰值(M1～M4)。通過(guò)使強(qiáng)度峰值的間隔dM1～dM3，和基準(zhǔn)標(biāo)記的正規(guī)的配置間隔LM1～LM3(圖2B)一致，可以使攝像裝置60和基準(zhǔn)標(biāo)記SM處于共軛位置關(guān)系。即，一邊使攝像裝置60中的接收時(shí)間變化，求出相對(duì)峰值位置M1～M4的正規(guī)位置的偏離的偏差(標(biāo)準(zhǔn)偏差等)為最小的受光時(shí)間，在該受光期間用攝像裝置60進(jìn)行攝像，根據(jù)得到的攝像圖像的對(duì)比度，可以把基準(zhǔn)標(biāo)記SM和攝像裝置60設(shè)置成共軛位置關(guān)系。
接著，求出由作為位置測(cè)量用而選擇出的每個(gè)波長(zhǎng)的照射光引起的閃爍和電子噪聲的影響。首先，在步驟S107中，為了用位置測(cè)量用的照明照射沒(méi)有基準(zhǔn)標(biāo)記和圖案的測(cè)量用區(qū)域，調(diào)整位置，使得可以在攝像裝置60的攝像畫(huà)面(WP)內(nèi)觀(guān)察如圖2A所示可以觀(guān)察的區(qū)域(基準(zhǔn)標(biāo)記SM不存在的XY載物臺(tái)上的測(cè)量區(qū)域(以下，還稱(chēng)為“基準(zhǔn)面”))。而后，對(duì)于該基準(zhǔn)面，和相對(duì)前面說(shuō)明過(guò)的基準(zhǔn)標(biāo)記SM一樣的處理，用被選擇出的波長(zhǎng)光束照射，經(jīng)由光束分離器3、成像光學(xué)系統(tǒng)5用攝像裝置60接收其反射光，進(jìn)行與來(lái)自基準(zhǔn)面的反射像有關(guān)的光電變換。而后，采用攝像裝置60的光電變換的結(jié)果其后用A/D變換器7進(jìn)行A/D變換，求出相對(duì)基準(zhǔn)面的一維的數(shù)字信號(hào)串。這樣，在攝像裝置60中的每一受光時(shí)間tc，可以求出與基準(zhǔn)標(biāo)記SM相關(guān)的一維的數(shù)字信號(hào)串和與基準(zhǔn)面有關(guān)的一維數(shù)字信號(hào)串的相對(duì)關(guān)系(S/N比)。
在此，圖2C是作為一維數(shù)字信號(hào)串，示例在X方向上的一維的數(shù)字信號(hào)串So(x)的圖。從So(x)的分布可知，當(dāng)觀(guān)測(cè)沒(méi)有圖案和基準(zhǔn)標(biāo)記的基準(zhǔn)面的情況下，根據(jù)校準(zhǔn)用的照明裝置2的光源的閃爍和攝像裝置的電氣特性，數(shù)字信號(hào)串不一樣，如圖2C所示有偏差。因而，用攝像評(píng)價(jià)裝置12求出該偏差(例如標(biāo)準(zhǔn)偏差)，根據(jù)該偏差確定優(yōu)選的受光時(shí)間(S109)。在此確定的受光時(shí)間由控制單元16設(shè)定在攝像裝置60中。
在此，作為決定優(yōu)選受光時(shí)間的具體處理，例如如圖3A所示橫軸為攝像裝置60中的受光時(shí)間tci，縱軸為基于基準(zhǔn)面中的反射光的一維數(shù)字信號(hào)串的偏差(標(biāo)準(zhǔn)偏差和范圍等，作為用攝像評(píng)價(jià)裝置12得到的偏差的指標(biāo)的值)(在圖3A中表示縱軸為標(biāo)準(zhǔn)偏差的例子)，從兩者的關(guān)系中求出一維數(shù)字信號(hào)串的偏差為最小的受光時(shí)間tcimin。對(duì)于受光時(shí)間tcimin，如圖3A所示一邊使受光時(shí)間變化，一邊求標(biāo)準(zhǔn)偏差，可以作為標(biāo)準(zhǔn)偏差值成為最小的受光時(shí)間而特定。該受光時(shí)間tcimin是可以使由位置測(cè)量用的照明裝置2的光源中的閃爍和攝像裝置60的電氣特性引起的偏差的影響最小的受光時(shí)間，如果用攝像裝置60在該受光時(shí)間攝像校準(zhǔn)標(biāo)記，則可以使S/N比最高。
對(duì)于可以用波長(zhǎng)切換裝置10切換的照明光的波長(zhǎng)λi全部執(zhí)行以上處理，對(duì)每個(gè)波長(zhǎng)λi求出基準(zhǔn)面一維數(shù)字信號(hào)串的偏差最小的受光時(shí)間tcimin。圖3B是展示用波長(zhǎng)切換裝置10切換的照明光的各波長(zhǎng)λi和受光時(shí)間tcimin關(guān)系的圖。根據(jù)被選擇出的波長(zhǎng)，通過(guò)切換受光時(shí)間tcimin，可以減少照明光的閃爍等的影響，可以調(diào)整攝像裝置60的受光光量使得S/N比為最高。
圖3B的波長(zhǎng)和受光時(shí)間的關(guān)系例如在存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)庫(kù)15中作為查找表(LUT)存儲(chǔ)，在采用曝光裝置對(duì)晶片的校準(zhǔn)測(cè)量時(shí)，通過(guò)參照該LUT，可以用對(duì)應(yīng)于選擇出的波長(zhǎng)的受光時(shí)間執(zhí)行位置測(cè)量。
進(jìn)而，在本實(shí)施方式中，圖2C、D所示的一維數(shù)字信號(hào)串與X軸方向有關(guān)，但也可以使用Y軸方向的數(shù)字信號(hào)串，另外，也可以在該每個(gè)方向上根據(jù)兩方向的信號(hào)串的數(shù)據(jù)確定受光時(shí)間(tcimin)。
<實(shí)施方式2>
為了求實(shí)施方式1中優(yōu)選的受光時(shí)間tc，根據(jù)被設(shè)置在XY載物臺(tái)11上的基準(zhǔn)標(biāo)記SM，和在觀(guān)察沒(méi)有基準(zhǔn)標(biāo)記的面(基準(zhǔn)面)時(shí)的一維的數(shù)字信號(hào)串的數(shù)據(jù)，確定最小受光時(shí)間(tcimic)，但在本實(shí)施方式中，只使用基準(zhǔn)標(biāo)記SM的位置測(cè)量結(jié)果作為指標(biāo)求出優(yōu)選的受光時(shí)間。在本實(shí)施方式中，根據(jù)相對(duì)在XY載物臺(tái)11中的基準(zhǔn)標(biāo)記SM的一維數(shù)字信號(hào)串，把攝像裝置60和基準(zhǔn)標(biāo)記SM調(diào)整為共軛位置關(guān)系的處理(圖1的步驟S101～S106)和實(shí)施方式1一樣進(jìn)行。
圖1C是說(shuō)明在圖1B的步驟S106中后續(xù)的實(shí)施方式2的具體處理流程的流程圖。首先，在步驟S201中，使用位置測(cè)量裝置9根據(jù)圖2D所示的基準(zhǔn)SM的信號(hào)測(cè)量各矩形標(biāo)記的位置M1～M4，在步驟S202中，求出各矩形標(biāo)記間的距離(跨距)dM1～dM4。在此，各矩形標(biāo)記間的跨距dM1(＝M2-M1)～dM4(＝M4-M1)的偏差主要由照明裝置2的光源的閃爍和攝像裝置60的電氣特性等引起。一邊使攝像裝置60中的受光時(shí)間變化，一邊測(cè)量基準(zhǔn)標(biāo)記SM中的矩形標(biāo)記間的跨距dM1～dM4，根據(jù)測(cè)量結(jié)果，攝像評(píng)價(jià)裝置12逐個(gè)計(jì)算跨距的偏差。圖3C是對(duì)某一波長(zhǎng)λ1的光束，把將受光時(shí)間變化為tc1、tc2、tc3、…tcm時(shí)的跨距dM1～dM4的測(cè)量結(jié)果歸納為數(shù)據(jù)表的圖，在每個(gè)受光時(shí)間求出跨距dM1～dM4的標(biāo)注偏差(σ)。另外，如圖2B所示當(dāng)作為矩形標(biāo)記間的規(guī)范長(zhǎng)度把LM1～LM4作為已知量確定的情況下，對(duì)于該規(guī)范長(zhǎng)度(LMi)和測(cè)量的標(biāo)記跨距(dMi)的差可以求出標(biāo)準(zhǔn)偏差等(步驟S203)。進(jìn)而，作為統(tǒng)計(jì)性指標(biāo)，除了標(biāo)準(zhǔn)偏差外，也可以是作為測(cè)量值的最大值或最小值的幅度范圍和用最小平方法求得的范圍長(zhǎng)度(LMi)和測(cè)量測(cè)量值(dMi)的關(guān)系(例如，是表示該關(guān)系的近似直線(xiàn)的斜率等的參數(shù))。一邊使攝像裝置60接收反射光的受光時(shí)間變化一邊求這些統(tǒng)計(jì)性指標(biāo)。而后，在步驟S204中，根據(jù)在步驟S203中求得的統(tǒng)計(jì)性指標(biāo)(例如，把將與標(biāo)記跨距dM1～Dm4有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)偏差和范圍等設(shè)置為最小的受光時(shí)間作為優(yōu)選時(shí)間)確定受光時(shí)間。而后，在此確定的受光時(shí)間由控制單元16在攝像裝置60中設(shè)定。
為了確定優(yōu)選的受光時(shí)間，例如，如在實(shí)施方式1中說(shuō)明的圖3A所示，橫軸取在攝像裝置60中的受光時(shí)間tci，縱軸取與標(biāo)記跨距dM1～dM4有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)偏差和范圍等、表示由攝像評(píng)價(jià)裝置12得到的一維數(shù)字信號(hào)串的偏差的數(shù)據(jù)，只要求得如一維信號(hào)串的偏差最小那樣的受光時(shí)間tcimin即可。這樣得到的受光時(shí)間tcimin是使由位置測(cè)量用的照明裝置2的光源的閃爍和攝像裝置的電氣特性引起的偏差影響最小的受光時(shí)間。進(jìn)而，通過(guò)位置測(cè)量裝置9，在切換為位置檢測(cè)用的光束的每個(gè)波長(zhǎng)中，求出受光時(shí)間tcimin。另外，波長(zhǎng)和受光時(shí)間的關(guān)系和在實(shí)施方式1中說(shuō)明的LUT(圖3B)一樣，以在校準(zhǔn)測(cè)量時(shí)可以參照的狀態(tài)下存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)庫(kù)15中。
實(shí)際在測(cè)量校準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)，與測(cè)量時(shí)的照明波長(zhǎng)一致地變更受光時(shí)間tcimin，拍攝校準(zhǔn)標(biāo)記。根據(jù)選擇的波長(zhǎng)，通過(guò)切換受光時(shí)間tcimin，可以排除照明光的閃爍等的影響，另外，對(duì)于攝像裝置60的受光光量，通過(guò)調(diào)整可以使S/N為最高。因而，即使在切換位置測(cè)量用的照明光波長(zhǎng)的情況下，也可以不依賴(lài)波長(zhǎng)或者與波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的光源得到S/N比良好的圖像。
在本實(shí)施方式中，確定了把在基準(zhǔn)標(biāo)記SM的攝像信號(hào)中的各矩形標(biāo)記的間隔(跨距)的“偏差”設(shè)置為最小的受光時(shí)間，但攝像的對(duì)象并不限定于XY載物臺(tái)11上的基準(zhǔn)標(biāo)記SM，例如，也可以是被設(shè)置在成為曝光對(duì)象的晶片上的晶片標(biāo)記WM(圖1A)。根據(jù)可以用照明裝置2照明晶片標(biāo)記WM得到的攝像結(jié)果，作為把晶片標(biāo)記WM的間隔的偏差設(shè)置為最小的方法還可以確定受光時(shí)間tcimin。在測(cè)量中使用晶片W上的標(biāo)記WM的同時(shí)，如果把本實(shí)施方式的處理適用在晶片W單張上，則即使在每個(gè)晶片上晶片表面狀態(tài)和標(biāo)記形狀存在偏差，也可以在各個(gè)晶片上確定優(yōu)選的受光時(shí)間tcimin。
當(dāng)以晶片標(biāo)記WM為基準(zhǔn)的情況下，雖然可以對(duì)測(cè)量對(duì)象標(biāo)記全部求出優(yōu)選受光時(shí)間tcimin，但這種情況下因?yàn)樘幚硇枰L(zhǎng)時(shí)間，所以例如對(duì)有代表性的晶片標(biāo)記WM(例如，與1個(gè)采樣拍照對(duì)應(yīng)設(shè)置的晶片標(biāo)記)求出優(yōu)選的受光時(shí)間，對(duì)于另一晶片標(biāo)記在代表性的晶片標(biāo)記中求得的受光時(shí)間攝像，還可以縮短求出受光時(shí)間的處理時(shí)間。另外，當(dāng)在一批內(nèi)晶片表面狀態(tài)和晶片標(biāo)記的形狀穩(wěn)定的情況下，還可以在以后的同一批內(nèi)的晶片中使用在批內(nèi)的第1晶片中求得的優(yōu)選的受光時(shí)間tcimic。
如上所述，通過(guò)設(shè)置成在由波長(zhǎng)切換裝置10切換的照明波長(zhǎng)中優(yōu)選的受光時(shí)間，可以進(jìn)行更高精度的校準(zhǔn)標(biāo)記的位置測(cè)量。另外，通過(guò)把晶片W上的標(biāo)記的攝像數(shù)據(jù)作為指標(biāo)確定受光時(shí)間，可以確定在實(shí)際的晶片上優(yōu)選的受光時(shí)間。
<實(shí)施方式3>
在實(shí)施方式2中，為了求出優(yōu)選的受光時(shí)間，把基準(zhǔn)標(biāo)記SM或者晶片標(biāo)記WM的攝像信號(hào)中的標(biāo)記跨距的偏差作為指標(biāo)，但在本實(shí)施方式中，把被設(shè)定在XY載物臺(tái)上的基準(zhǔn)標(biāo)記SM的測(cè)量位置的偏差作為指標(biāo)確定優(yōu)選的受光量(受光時(shí)間)。在本實(shí)施方式中，把攝像裝置60和基準(zhǔn)標(biāo)記SM調(diào)整為共軛位置關(guān)系的處理(圖1B的步驟S101～S106)和實(shí)施方式1一樣執(zhí)行。
圖1D是說(shuō)明圖1B的步驟S106后續(xù)的實(shí)施方式3的具體處理流程的流程圖。首先，在步驟S301中，使用位置測(cè)量裝置9根據(jù)圖2D所示的基準(zhǔn)標(biāo)記SM的攝像信號(hào)，測(cè)量與各矩陣中央位置對(duì)應(yīng)的峰值的位置M1～M4。在此，相對(duì)位置M1～M4的各基準(zhǔn)位置(各矩形標(biāo)記設(shè)計(jì)上的實(shí)際的位置)的偏差主要由照明光源的偏差和攝像裝置60的電氣特性，進(jìn)而還由載物臺(tái)和測(cè)量載物臺(tái)的位置的干涉等引起。在攝像基準(zhǔn)標(biāo)記SM時(shí)得到的一維數(shù)字信號(hào)串S1(x)中，峰值的位置M1～M4可以作為圖2D的峰值位置求得。
在步驟S302中，一邊改變攝像裝置60中的受光時(shí)間，一邊求測(cè)量位置M1～M4的偏差(標(biāo)準(zhǔn)偏差等)。進(jìn)而，作為偏差的統(tǒng)計(jì)指標(biāo)，和實(shí)施方式2一樣，除了標(biāo)準(zhǔn)偏差外，還可以使用作為最大值和最小值的差的范圍等。
而后，在步驟S303中，根據(jù)在步驟S302中求得的位置M1～M4的偏差(標(biāo)準(zhǔn)偏差和范圍等)，確定(假設(shè)把標(biāo)準(zhǔn)偏差等的偏差指標(biāo)設(shè)置為最小)受光時(shí)間。在此確定的受光時(shí)間由控制單元16設(shè)定在攝像裝置60中。
為了確定優(yōu)選受光時(shí)間，例如如實(shí)施方式1中說(shuō)明的圖3A所示，橫軸取攝像裝置60中的受光時(shí)間tci，縱軸取與測(cè)量值M1～M4有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)偏差和范圍等由攝像評(píng)價(jià)裝置12得到的偏差的指標(biāo)，只要求出測(cè)量值M1～M4的偏差最小的受光時(shí)間tcimic即可。該受光時(shí)間tcimin可以是使由位置測(cè)量用的照明裝置2的光源中的閃爍和攝像裝置60的電氣特性引起的偏差的影響最小的受光時(shí)間。另外，用位置測(cè)量裝置9對(duì)于切換為位置檢測(cè)用的光束的每個(gè)波長(zhǎng)中，求出受光時(shí)間tcimin。波長(zhǎng)和受光時(shí)間的關(guān)系如在實(shí)施方式1中說(shuō)明的LUT(圖3B)那樣，以在校準(zhǔn)測(cè)量時(shí)可以參照的狀態(tài)下存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)庫(kù)15中。
實(shí)際在測(cè)量校準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)，與測(cè)量時(shí)的照明波長(zhǎng)一致地變更受光時(shí)間tcimin，攝像校準(zhǔn)標(biāo)記。根據(jù)選擇出的波長(zhǎng)，通過(guò)切換受光時(shí)間tcimin，可以排除照明光的偏差等的影響，對(duì)于攝像裝置60的受光光量，通過(guò)調(diào)整可以使S/N比最高。因而，不依賴(lài)于波長(zhǎng)或者與波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的光源可以得到S/N比良好的圖像。
在本實(shí)施方式中，確定把在基準(zhǔn)標(biāo)記SM的攝像信號(hào)中的各矩形標(biāo)記的位置的“偏差”設(shè)置為最小的受光時(shí)間，但攝像對(duì)象并不限于XY載物臺(tái)11上的基準(zhǔn)標(biāo)記SM，例如，也可以是被設(shè)置在成為曝光對(duì)象的晶片W上的晶片WM(圖1A)。在測(cè)量中使用晶片WM的同時(shí)，通過(guò)對(duì)晶片W在單片上適用本實(shí)施方式的處理，即使在每個(gè)晶片上晶片表面狀態(tài)和標(biāo)記形狀存在偏差，也可以在各個(gè)晶片中確定優(yōu)選的受光時(shí)間tcimin。
另外，雖然可以對(duì)晶片上的測(cè)量標(biāo)記全部求出優(yōu)選的受光時(shí)間tcimin，但因?yàn)楫?dāng)各自求受光時(shí)間時(shí)在處理中需要長(zhǎng)時(shí)間，所以，例如，對(duì)于代表性的1個(gè)晶片WM(例如，與1個(gè)采樣拍照對(duì)應(yīng)設(shè)置的晶片標(biāo)記)求出優(yōu)選的受光時(shí)間，對(duì)于另一晶片標(biāo)記在用代表性的晶片標(biāo)記WM求得的受光時(shí)間進(jìn)行攝像，還可以縮短求受光時(shí)間的處理時(shí)間。另外，當(dāng)在一批內(nèi)晶片表面狀態(tài)和晶片標(biāo)記的形狀穩(wěn)定的情況下，還可以在以后的同一批內(nèi)的晶片中使用在批內(nèi)的第1晶片中求得的優(yōu)選的受光時(shí)間tcimic。
如上所述，通過(guò)設(shè)置成在由波長(zhǎng)切換裝置10切換的照明波長(zhǎng)中優(yōu)選的受光時(shí)間，可以進(jìn)行更高精度的校準(zhǔn)標(biāo)記的位置測(cè)量。另外，通過(guò)根據(jù)晶片W上的標(biāo)記的攝像信號(hào)確定受光時(shí)間，可以確定在實(shí)際的晶片上優(yōu)選的受光時(shí)間。
另外，在上述受光時(shí)間確定中，還加進(jìn)載物臺(tái)的振動(dòng)、干涉計(jì)的測(cè)量誤差的影響評(píng)價(jià)標(biāo)記的位置(例如，根據(jù)受光時(shí)間中的多個(gè)載物臺(tái)位置數(shù)據(jù)(例如，把載物臺(tái)位置作為該多個(gè)位置的平均位置)求出標(biāo)記位置)，不僅可以排除光源的閃爍和攝像裝置60的電氣特性、噪聲，而且還可以排除XY載物臺(tái)11的振動(dòng)、激光干涉計(jì)(未圖示)的測(cè)量誤差的影響。
<實(shí)施方式4>
在上述實(shí)施方式2、3中，從構(gòu)成基準(zhǔn)標(biāo)記SM的矩形標(biāo)記的間隔(跨距)和矩形標(biāo)記的測(cè)量位置求出優(yōu)選的受光時(shí)間，但也可以求出可以確保測(cè)量精度的光量容限。
所謂光量容限是在基準(zhǔn)標(biāo)記SM和晶片WM的攝像中，攝像裝置60的受光量是否是適宜測(cè)量的電平的判定基準(zhǔn)。通過(guò)設(shè)定光量容限進(jìn)行受光時(shí)間和照明強(qiáng)度的調(diào)整，使得在基準(zhǔn)標(biāo)記等的位置測(cè)量時(shí)受光量在該光量容限的范圍內(nèi)，可以縮短用于調(diào)整受光時(shí)間的時(shí)間。以下，說(shuō)明用于求出光量容限的順序。
在本實(shí)施方式中，把攝像裝置60和基準(zhǔn)標(biāo)記SM調(diào)整為共軛位置關(guān)系的處理(圖1B的步驟S101～S106)和實(shí)施方式1同樣地執(zhí)行。
圖1E是說(shuō)明圖1B的步驟S106后續(xù)的實(shí)施方式4的具體處理流程的流程圖。首先，在步驟S401中，使用位置測(cè)量裝置9測(cè)量在圖2D所示的基準(zhǔn)標(biāo)記SM的攝像信號(hào)中的各矩形標(biāo)記的位置M1～M4，在步驟S402中，根據(jù)該測(cè)量結(jié)果，求出各矩陣標(biāo)記間的跨距dM1(＝M2-M1)、dM2(＝M3-M2)、dM3(＝M4-M3)、dM4(＝M4-M1)。
在此，各矩陣標(biāo)記間的跨距dM1～dM4的偏差和前面的實(shí)施方式中說(shuō)明的一樣，主要是由照明裝置2的光源閃爍和攝像裝置60的電氣特性等引起。
在步驟S403中，在一邊改變光束的波長(zhǎng)、攝像裝置60的受光時(shí)間、照明強(qiáng)度，一邊通過(guò)攝像評(píng)價(jià)裝置12逐個(gè)計(jì)算已求得的跨距dM1～dM4的偏差(標(biāo)準(zhǔn)偏差等)。其結(jié)果，如在實(shí)施方式2中說(shuō)明的那樣，例如，歸納為圖4B那樣的數(shù)據(jù)表，存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)15中。圖4B是把在位置測(cè)量中使用的光束的波長(zhǎng)設(shè)置為λi，把改變受光量Hi(由照明強(qiáng)度I，攝像裝置60的受光時(shí)間Tc確定)時(shí)的標(biāo)記跨距dM1～dM4的測(cè)量結(jié)果、此時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)偏差的關(guān)系歸納為表形式。在此，對(duì)每個(gè)波長(zhǎng)i確定容許標(biāo)準(zhǔn)偏差σai。該容許標(biāo)準(zhǔn)偏差σai是表示容許的偏差的最大值的數(shù)據(jù)。
在步驟S404中，根據(jù)步驟S403的計(jì)算結(jié)果確定優(yōu)選的光量容限。作為確定優(yōu)選光量容限的具體處理，例如，如圖4A所示，橫軸取受光量，縱軸取標(biāo)記跨距的標(biāo)準(zhǔn)偏差，把基于容許標(biāo)準(zhǔn)偏差σai的受光量作為光量容限的下限。在圖4A中，用虛線(xiàn)表示的部分是給予小于等于容許標(biāo)準(zhǔn)偏差σai的偏差的受光量的范圍。該范圍是光量容限。一般受光量在攝像裝置60和A/D變換裝置7的動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)最好盡可能大，但如果是在對(duì)矩形標(biāo)記的位置測(cè)量精度沒(méi)有不良影響的范圍內(nèi)(光量容限內(nèi))則小也可以。
圖4A是相對(duì)規(guī)定波長(zhǎng)λi展示標(biāo)準(zhǔn)偏差和受光量關(guān)系的圖，對(duì)在波長(zhǎng)切換裝置10中可以設(shè)定的照明波長(zhǎng)的各自執(zhí)行上述處理，把在每一照明波長(zhǎng)中標(biāo)記跨越dM1～dM4的標(biāo)準(zhǔn)偏差小于等于規(guī)定的容許標(biāo)準(zhǔn)偏差作為條件求光量容限(S401～S404)。
實(shí)際上在測(cè)量校準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)，與測(cè)量時(shí)的照明波長(zhǎng)λi相應(yīng)，通過(guò)切換為如上所述那樣求得的光量容限內(nèi)的受光量Hi，可以排除照明光的閃爍等的影響，對(duì)于攝像裝置60的受光光量，可以調(diào)整成能夠確?？梢匀菰S的S/N比。因而，不依賴(lài)于波長(zhǎng)或者與波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的光源可以得到S/N比的良好的圖像。進(jìn)而，受光量因?yàn)楦鶕?jù)照射的光束的強(qiáng)度和攝像裝置60的受光時(shí)間確定，所以控制單元16通過(guò)調(diào)整其中某一方或者雙方的參數(shù)，控制照明裝置2以及/或者攝像裝置60，以滿(mǎn)足上述的光量容限的條件。
另外，在本實(shí)施方式中根據(jù)基準(zhǔn)標(biāo)記SM的矩形標(biāo)記的跨越的偏差確定光量容限，但也可以根據(jù)晶片上的標(biāo)記WM的矩形標(biāo)記的跨越確定光量容限。這種情況下，在使用晶片上的標(biāo)記WM的同時(shí)，通過(guò)對(duì)晶片W在單片上適用本實(shí)施方式的處理，即使在每個(gè)晶片上晶片表面狀態(tài)和標(biāo)記形狀存在偏差，也可以確定與各個(gè)晶片相應(yīng)的光量容限?？梢詫?duì)每個(gè)晶片上的標(biāo)記求出光量容限，但通過(guò)用晶片上的代表性的標(biāo)記(例如，與采樣拍照區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的標(biāo)記)求出光量容限，如果對(duì)其他的標(biāo)記使用對(duì)上述代表標(biāo)記求得的光量容限，則可以縮短求出光量容限的處理時(shí)間。另外，還可以對(duì)以后同一批內(nèi)的晶片使用對(duì)批內(nèi)的第1晶片求得的光量容限。
這樣通過(guò)控制受光量使得滿(mǎn)足在每個(gè)照明波長(zhǎng)中預(yù)先求得的光量容限的條件，可以進(jìn)行更高精度的校準(zhǔn)標(biāo)記的位置測(cè)量。另外，通過(guò)根據(jù)晶片W上的標(biāo)記的攝像數(shù)據(jù)確定光量容限，可以確定最適宜實(shí)際晶片的光量容限。
如果采樣本發(fā)明，則可以提供抑止上述那樣的精度劣化的高精度的位置測(cè)量技術(shù)。
<設(shè)備制造方法的實(shí)施方式>
以下說(shuō)明利用上述曝光裝置的半導(dǎo)體設(shè)備的制造工藝。圖6是展示半導(dǎo)體設(shè)備的全體的制造工藝流程的圖。在步驟1(電路設(shè)計(jì))中進(jìn)行半導(dǎo)體設(shè)備的電路設(shè)計(jì)。在步驟2中(掩膜制造)中根據(jù)已設(shè)計(jì)的電路圖案制作掩膜。另一方面，在步驟S3(晶片制造)中使用硅等的材料制造晶片。步驟4(晶片工藝)被稱(chēng)為前工序，使用上述掩膜和晶片，用光刻技術(shù)在晶片上形成實(shí)際的電路。以下的步驟5(組裝)被稱(chēng)為后工序，是使用通過(guò)步驟4制作的晶片半導(dǎo)體芯片化的工序，包含裝配工序(切割，焊接)、封裝工序(封入芯片)等組裝工序。在步驟6(檢查)中進(jìn)行在步驟5中制作的半導(dǎo)體設(shè)備的動(dòng)作確認(rèn)檢查、耐久性檢查等的檢查。經(jīng)過(guò)這樣的工序半導(dǎo)體設(shè)備完成，出廠(chǎng)(步驟7)。
圖7是展示上述晶片工藝的詳細(xì)流程的圖。在步驟11(氧化)中氧化晶片表面。在步驟12(CVD)中在晶片表面形成絕緣膜。在步驟13(電極形成)中用蒸鍍?cè)诰闲纬呻姌O。在步驟14(離子注入)中在晶片上注入離子。在步驟15(抗蝕劑處理)中在晶片上涂抹感光劑。在步驟16(曝光)中用上述曝光裝置在晶片上轉(zhuǎn)印電路圖案。在步驟17(顯影)中顯影經(jīng)曝光的晶片。在步驟18(蝕刻)中削去經(jīng)顯影的抗蝕劑像以外的部分。在步驟19(抗蝕劑剝離)中去除蝕刻后不需要的抗蝕劑。通過(guò)重復(fù)進(jìn)行這些步驟，在晶片上多重形成電路圖案。如果采樣本方法，則可以提供適用了抑止上述那樣精度劣化的高精度的位置測(cè)量技術(shù)的本設(shè)備制造方法。
在不偏離本發(fā)明的范圍和精神的前提下，可以有各種實(shí)施方式。本發(fā)明不受所說(shuō)明的具體實(shí)施方式
的限制。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)量標(biāo)記位置的位置測(cè)量裝置，該裝置具備攝像單元；求出用上述攝像單元得到的圖像數(shù)據(jù)的偏差的計(jì)算單元；基于對(duì)于在不同受光量下用上述攝像單元得到的多個(gè)圖像數(shù)據(jù)用上述計(jì)算單元分別求得的偏差，設(shè)定與上述攝像單元的受光量有關(guān)的參數(shù)的設(shè)定單元。
2.權(quán)利要求1所述的位置測(cè)量裝置，上述計(jì)算單元，作為上述偏差，求出上述圖像數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差以及范圍中的1個(gè)。
3.權(quán)利要求1所述的位置測(cè)量裝置，上述設(shè)定單元，作為上述參數(shù)，設(shè)定積累時(shí)間以及受光量容限之一。
4.權(quán)利要求1所述的位置測(cè)量裝置，上述設(shè)定單元設(shè)定上述參數(shù)以使上述偏差為最小。
5.權(quán)利要求1所述的位置測(cè)量裝置，上述設(shè)定單元設(shè)定上述參數(shù)以使上述偏差小于等于容許值。
6.權(quán)利要求1所述的位置測(cè)量裝置，上述設(shè)定單元作為上述參數(shù)，設(shè)定上述攝像單元的受光量容限，以使上述偏差小于等于容許值。
7.權(quán)利要求1所述的位置測(cè)量裝置，上述計(jì)算單元包含根據(jù)上述圖像數(shù)據(jù)抽出標(biāo)記的各部分間的跨距的抽出單元，作為上述偏差，求出由上述抽出單元抽出的多個(gè)跨距和分別與上述多個(gè)跨距對(duì)應(yīng)的多個(gè)基準(zhǔn)跨距間的差的偏差。
8.權(quán)利要求1所述的位置測(cè)量裝置，上述計(jì)算單元包含根據(jù)上述圖像數(shù)據(jù)抽出標(biāo)記各部分位置的抽出單元，作為上述偏差，求出由上述抽出單元抽出的多個(gè)位置和分別與上述多個(gè)位置對(duì)應(yīng)的多個(gè)基準(zhǔn)位置之間的位置偏移的偏差。
9.權(quán)利要求1所述的位置測(cè)量裝置，還具備波長(zhǎng)可變的照明單元，上述設(shè)定單元對(duì)于上述照明裝置的每個(gè)波長(zhǎng)設(shè)定上述參數(shù)。
10.一種在襯底上曝光圖案的曝光裝置，具備權(quán)利要求1所述的位置測(cè)量裝置；根據(jù)由上述位置測(cè)量裝置所測(cè)量的位置，在上述襯底上曝光圖案的曝光單元。
11.權(quán)利要求10所述的曝光裝置，用上述位置測(cè)量裝置測(cè)量上述襯底上的標(biāo)記的位置。
12.權(quán)利要求10所述的曝光裝置，具備支撐以及使上述襯底移動(dòng)的載物臺(tái)，用上述位置測(cè)量裝置測(cè)量上述載物臺(tái)上的標(biāo)記的位置。
13.權(quán)利要求10所述的曝光裝置，具備支撐以及使上述襯底移動(dòng)的載物臺(tái)，上述圖像數(shù)據(jù)是用上述攝像裝置拍攝上述載物臺(tái)上的基準(zhǔn)面得到的。
14.權(quán)利要求10所述的曝光裝置，上述計(jì)算裝置包含根據(jù)上述圖像數(shù)據(jù)抽出標(biāo)記的各部分間的跨距的抽出單元，作為上述偏差，求出用上述抽出單元抽出的多個(gè)跨距和分別與上述多個(gè)跨距對(duì)應(yīng)的多個(gè)基準(zhǔn)跨距之間的差的偏差。
15.權(quán)利要求10所述的曝光裝置，上述計(jì)算單元包含根據(jù)上述圖像數(shù)據(jù)抽出標(biāo)記的各部分的位置的抽出單元，作為上述偏差，求出用上述抽出單元抽出的多個(gè)位置和分別與上述多個(gè)位置對(duì)應(yīng)的多個(gè)基準(zhǔn)位置之間的位置偏移的偏差。
16.權(quán)利要求14所述的曝光裝置，上述標(biāo)記是上述襯底上的標(biāo)記。
17.權(quán)利要求14或者15所述的曝光裝置，具備支撐以及使上述襯底移動(dòng)的載物臺(tái)，上述標(biāo)記是上述載物臺(tái)上的標(biāo)記。
18.一種設(shè)備制造方法，包含用權(quán)利要求10所述的曝光裝置在襯底上曝光圖案的曝光步驟；顯影經(jīng)上述曝光后的圖案的步驟。
19.一種測(cè)量標(biāo)記的位置的位置測(cè)量方法，具備用攝像單元取得圖像數(shù)據(jù)的攝像步驟；求出在攝像步驟中得到的圖像數(shù)據(jù)的偏差的計(jì)算步驟；根據(jù)對(duì)于在上述攝像步驟中在不同受光量得到的多個(gè)圖像數(shù)據(jù)在上述計(jì)算步驟中分別求得的偏差，設(shè)定與上述攝像單元中的受光量有關(guān)的參數(shù)的設(shè)定步驟。
20.權(quán)利要求19所述的位置測(cè)量方法，在上述計(jì)算步驟中，作為上述偏差，求出上述圖像數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差以及范圍之一。
21.權(quán)利要求19所述的位置測(cè)量方法，在上述設(shè)定步驟中，作為上述參數(shù)，設(shè)定積累時(shí)間以及受光量容限之一。
22.權(quán)利要求19所述的位置測(cè)量方法，在上述設(shè)定步驟中設(shè)定上述參數(shù)以使上述偏差為最小。
23.權(quán)利要求19所述的位置測(cè)量方法，在上述設(shè)定步驟中設(shè)定上述參數(shù)以使上述偏差小于等于容許值。
24.權(quán)利要求19所述的位置測(cè)量方法，在上述設(shè)定步驟中作為上述參數(shù)設(shè)定上述攝像單元中的受光量容限，以使上述偏差小于等于容限。
25.權(quán)利要求19所述的位置測(cè)量方法，上述計(jì)算步驟包含根據(jù)上述圖像數(shù)據(jù)抽出標(biāo)記的各部分間的跨距的抽出步驟，在上述計(jì)算步驟中，作為上述偏差，求出在上述抽出步驟中抽出的多個(gè)跨距和分別與上述多個(gè)跨距對(duì)應(yīng)的多個(gè)基準(zhǔn)跨距間的差的偏差。
26.權(quán)利要求19所述的位置測(cè)量方法，上述計(jì)算步驟包含根據(jù)上述圖像數(shù)據(jù)抽出標(biāo)記的各部分的位置的抽出步驟，在上述計(jì)算步驟中，作為上述偏差，求出在上述抽出步驟中抽出的多個(gè)位置和分別與上述多個(gè)位置對(duì)應(yīng)的多個(gè)基準(zhǔn)位置之間的位置偏移的偏差。
27.權(quán)利要求19所述的位置測(cè)量方法，上述設(shè)定步驟對(duì)于波長(zhǎng)可變的照明裝置的每個(gè)波長(zhǎng)設(shè)定上述參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種測(cè)量標(biāo)記位置的位置測(cè)量裝置，該裝置具備攝像單元；求出用上述攝像單元得到的圖像數(shù)據(jù)的偏差的計(jì)算單元；基于對(duì)于在不同受光量下用上述攝像單元得到的多個(gè)圖像數(shù)據(jù)用上述計(jì)算單元分別求得的偏差，設(shè)定與上述攝像單元的受光量有關(guān)的參數(shù)的設(shè)定單元。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1677641SQ20051006277
公開(kāi)日2005年10月5日 申請(qǐng)日期2005年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月31日
發(fā)明者林望 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社