專利名稱：施加水平電場(chǎng)型液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件，特別涉及一種能夠減少掩模工序量的水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示器件(LCD)使用電場(chǎng)控制液晶的光透射比以顯示圖像。根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)方向，LCD主要分為垂直電場(chǎng)型和水平電場(chǎng)型。
垂直電場(chǎng)型LCD使用形成在下基板上的像素電極和上基板上的公共電極之間的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)扭曲向列(TN)模式的液晶，其中像素電極和公共電極彼此相對(duì)。這種垂直電場(chǎng)型LCD具有高孔徑比的優(yōu)點(diǎn)，卻具有只有大約90°的窄視角的缺點(diǎn)。水平電場(chǎng)型LCD使用形成在下基板上的像素電極和公共電極之間的水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)共平面開關(guān)(IPS)模式的液晶，其中像素電極和公共電極彼此平行設(shè)置。這種水平電場(chǎng)型LCD具有大約160°的寬視角的優(yōu)點(diǎn)。
下面詳細(xì)描述水平電場(chǎng)型LCD。水平電場(chǎng)型LCD包括粘接在一起且彼此相對(duì)的薄膜晶體管基板(即，下基板)和濾色片基板(即，上基板)。這種LCD還包括均勻保持兩基板之間的盒間隙的襯墊料以及填充在盒間隙中的液晶。所述薄膜晶體管基板包括用于形成每一像素的水平電場(chǎng)的多條信號(hào)線、多個(gè)薄膜晶體管以及涂覆其上排列液晶的定向膜。所述濾色片基板包括實(shí)現(xiàn)顯示顏色的濾色片、防止光泄漏的黑矩陣以及涂覆其上排列液晶的定向膜。
在這種液晶顯示器件中，完成薄膜晶體管基板需要具有幾輪掩模工序的復(fù)雜制造工序，導(dǎo)致制造成本增加。為了解決這一問題，研究者們?cè)跍p少完成薄膜晶體管基板的掩模工序數(shù)量方面正在進(jìn)行積極的研究。這是因?yàn)?，一輪掩模工序包括許多例如是薄膜沉積、清洗、光刻、蝕刻、光致抗蝕劑剝離和檢測(cè)工序等的子工序。近來，已經(jīng)開發(fā)了四輪掩模工序。該四輪掩模工序從現(xiàn)有的制造薄膜晶體管基板的標(biāo)準(zhǔn)五輪掩模工序中減少一輪掩模工序。
圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)通過四輪掩模工序制造的水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)，圖2示出了沿圖1中的I-I’和II-II’線截取的薄膜晶體管基板的截面圖。
參照?qǐng)D1和圖2，薄膜晶體管基板包括位于下基板45上彼此交叉的其間設(shè)有柵極絕緣膜46的柵線2和數(shù)據(jù)線4、位于每一交叉點(diǎn)附近的薄膜晶體管6、位于由柵線2和數(shù)據(jù)線4限定的像素區(qū)內(nèi)用于形成水平電場(chǎng)的像素電極14和公共電極18以及連接到公共電極18的公共線16。而且，薄膜晶體管基板包括位于像素電極14和公共線16之間的重疊部分的存儲(chǔ)電容20、連接到柵線2的柵極焊盤24、連接到數(shù)據(jù)線4的數(shù)據(jù)焊盤30以及連接到公共線16的公共焊盤36。提供有柵極信號(hào)的柵線2和提供有數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線4限定像素區(qū)，并在其間設(shè)有柵極絕緣膜46。提供有用于驅(qū)動(dòng)液晶的參考電壓的公共線16位于像素區(qū)內(nèi)并與柵線2平行。
薄膜晶體管6響應(yīng)柵線2的柵極信號(hào)，將數(shù)據(jù)線4的數(shù)據(jù)信號(hào)充入像素電極14。為此，薄膜晶體管6包括連接到柵線2的柵極8、連接到數(shù)據(jù)線4的源極10以及連接到像素電極14的漏極12。薄膜晶體管6還包括與柵極8重疊并在其間設(shè)有柵極絕緣膜46的有源層48，以在源極10和漏極12之間限定一溝道。有源層48還與數(shù)據(jù)線4、下數(shù)據(jù)焊盤電極32和上存儲(chǔ)電極22重疊。在有源層48上是歐姆接觸層50，以與數(shù)據(jù)線4、源極10、漏極12和下數(shù)據(jù)焊盤電極32形成歐姆接觸。
像素電極14通過貫穿保護(hù)膜52的第一接觸孔13連接到薄膜晶體管6的漏極12并位于像素區(qū)。具體地說，像素電極14包括連接到漏極12并與相鄰的柵線2平行的第一水平部分14A、與公共線16重疊的第二水平部分14B以及在第一和第二水平部分14A和14B之間平行設(shè)置的指狀部分14C。公共電極18連接到公共線16并位于像素區(qū)。特別地，公共電極18在像素區(qū)與像素電極14的指狀部分14C平行。
因此，在通過薄膜晶體管6施加有數(shù)據(jù)信號(hào)的像素電極14和通過公共線16施加有參考電壓的公共電極18之間形成水平電場(chǎng)。具體地說，在像素電極14的指狀部分14C和公共電極18之間形成水平電場(chǎng)。由于液晶分子的介電各向異性，位于薄膜晶體管基板和濾色片基板之間沿水平方向取向排列的液晶分子通過該水平電場(chǎng)旋轉(zhuǎn)。像素區(qū)的透射比根據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度而不同，從而實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)值。
如圖2所示，存儲(chǔ)電容20包括公共線16、與公共線16重疊的上存儲(chǔ)電極22、柵極絕緣膜46、有源層48和歐姆接觸層50。柵極絕緣膜46、有源層48和歐姆接觸層50夾在公共線16和上存儲(chǔ)電極22之間。在存儲(chǔ)電容20中，像素電極14通過貫穿保護(hù)膜52的第二接觸孔21連接到上存儲(chǔ)電極22。存儲(chǔ)電容20保持充入像素電極14的數(shù)據(jù)信號(hào)，直到下一數(shù)據(jù)信號(hào)充入為止。
柵線2通過柵極焊盤24連接到柵極驅(qū)動(dòng)器(未示出)。柵極焊盤24包括從柵線2延伸的下柵極焊盤電極26以及通過貫穿柵極絕緣膜46和保護(hù)膜52的第三接觸孔27連接到下柵極焊盤電極26的上柵極焊盤電極28。數(shù)據(jù)線4通過數(shù)據(jù)焊盤30連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)。數(shù)據(jù)焊盤30包括從數(shù)據(jù)線4延伸的下數(shù)據(jù)焊盤電極32以及通過貫穿保護(hù)膜52的第四接觸孔33連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極32的上數(shù)據(jù)焊盤電極34。公共線16通過公共焊盤36接收來自外部參考電壓源(未示出)的參考電壓。公共焊盤36包括從公共線16延伸的下公共焊盤電極38以及通過貫穿柵極絕緣膜46和保護(hù)膜52的第五接觸孔39連接到下公共焊盤電極38的上公共焊盤電極40。
下面參照?qǐng)D3A到3D詳細(xì)描述具有上述結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板通過四輪掩模工序的制造方法。
參照?qǐng)D3A，通過第一掩模工序，在下基板45上形成包括柵線2、柵極8、下柵極焊盤電極26、公共線16、公共電極18以及下公共焊盤電極38的柵極金屬圖案組(或第一導(dǎo)電圖案組)。具體地說，通過例如是濺射的沉積技術(shù)，在下基板45上形成柵極金屬層(或第一導(dǎo)電層)。然后，通過光刻和蝕刻工序，使用第一掩模對(duì)柵極金屬層構(gòu)圖，以形成包括柵線2、柵極8、下柵極焊盤電極26、公共線16、公共電極18以及下公共焊盤電極38的柵極金屬圖案組。這里，柵極金屬層由例如是鋁族金屬、鉻(Cr)或鉬(Mo)等金屬形成。
參照?qǐng)D3B，在具有柵極金屬圖案組的下基板45上沉積柵極絕緣膜46。而且，通過第二掩模工序，在柵極絕緣膜46上形成包括有源層48和歐姆接觸層50的半導(dǎo)體圖案以及包括數(shù)據(jù)線4、源極10、漏極12、下數(shù)據(jù)焊盤電極32和上存儲(chǔ)電極22的源極/漏極金屬圖案組(或第二導(dǎo)電圖案組)。具體地說，通過例如是等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)和濺射等沉積技術(shù)，在具有柵極金屬圖案組的下基板45上順序沉積柵極絕緣膜46、非晶硅層、n+非晶硅層和源極/漏極金屬層(或第二導(dǎo)電層)。這里，柵極絕緣膜46由例如是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等無機(jī)絕緣材料形成。源極/漏極金屬層由鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或鉬合金等形成。
然后，通過光刻工序，使用第二掩模在源極/漏極金屬層上形成光致抗蝕劑圖案。在這種情況下，在薄膜晶體管的溝道部分具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模用作第二掩模，從而允許在溝道部分的光致抗蝕劑圖案具有比其它源極/漏極圖案部分低的高度。然后，通過濕蝕刻工序，使用光致抗蝕劑圖案對(duì)源極/漏極金屬層構(gòu)圖，以形成包括數(shù)據(jù)線4、源極10、與源極10一體的漏極12以及上存儲(chǔ)電極22的源極/漏極金屬圖案組。
然后，通過干蝕刻工序，使用相同的光致抗蝕劑圖案同時(shí)對(duì)n+非晶硅層和非晶硅層構(gòu)圖，以形成歐姆接觸層50和有源層48。通過灰化工序去除在溝道部分具有相對(duì)低高度的光致抗蝕劑圖案，然后通過干蝕刻工序?qū)ξ挥跍系啦糠值脑礃O/漏極金屬圖案和歐姆接觸層50進(jìn)行蝕刻。這樣，暴露出溝道部分的有源層48以斷開源極10和漏極12的連接。然后，通過剝離工序去除剩余在源極/漏極金屬圖案組上的光致抗蝕劑圖案。
參照?qǐng)D3C，通過第三掩模工序，在具有源極/漏極金屬圖案組的柵極絕緣膜46上形成包括第一到第五接觸孔13、21、27、33和39的保護(hù)膜52。具體地說，通過例如是等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)的沉積技術(shù)，在具有源極/漏極金屬圖案組的柵極絕緣膜46上完全沉積保護(hù)膜52。通過光刻和蝕刻工序，使用第三掩模對(duì)保護(hù)膜52構(gòu)圖，以限定第一到第五接觸孔13、21、27、33和39。第一接觸孔13貫穿保護(hù)膜52以暴露出漏極12，第二接觸孔21貫穿保護(hù)膜52以暴露出上存儲(chǔ)電極22。第三接觸孔27貫穿保護(hù)膜52和柵極絕緣膜46以暴露出下柵極焊盤電極26。第四接觸孔33貫穿保護(hù)膜52以暴露出下數(shù)據(jù)焊盤電極32。第五接觸孔39貫穿保護(hù)膜52和柵極絕緣膜48以暴露出下公共焊盤電極38。這里，如果源極/漏極金屬層由例如是鉬(Mo)的具有大的干蝕刻比的金屬材料形成，那么各第一、第二和第四接觸孔13、21和33分別貫穿漏極12、上存儲(chǔ)電極22和下數(shù)據(jù)焊盤電極32，從而暴露出它們的側(cè)表面。保護(hù)膜52由與柵極絕緣膜46相似的無機(jī)材料形成，或者是由例如是丙烯酸有機(jī)化合物、BCB(苯并環(huán)丁烯)或PFCB(全氟環(huán)丁烷)等具有小介電常數(shù)的有機(jī)材料形成。
參照?qǐng)D3D，通過第四掩模工序，在保護(hù)膜52上形成包括像素電極14、上柵極焊盤電極28、上數(shù)據(jù)焊盤電極34和上公共焊盤電極40的透明導(dǎo)電膜圖案組(或第三導(dǎo)電圖案組)。具體地說，通過例如是濺射等的沉積技術(shù)，在保護(hù)膜52上沉積透明導(dǎo)電膜(或第三導(dǎo)電膜)。然后，通過光刻和蝕刻工序，使用第四掩模對(duì)透明導(dǎo)電膜構(gòu)圖以提供包括像素電極14、上柵極焊盤電極28、上數(shù)據(jù)焊盤電極34和上公共焊盤電極40的透明導(dǎo)電圖案組。像素電極14通過第一接觸孔13電連接到漏極12，并通過第二接觸孔21電連接到上存儲(chǔ)電極22。上柵極焊盤電極28通過第三接觸孔37電連接到下柵極焊盤電極26。上數(shù)據(jù)焊盤電極34通過第四接觸孔33電連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極32。上公共焊盤電極40通過第五接觸孔39電連接到下公共焊盤電極38。這里，透明導(dǎo)電膜由銦錫氧化物(ITO)、銦氧化物(TO)或銦鋅氧化物(IZO)等形成。
上述的水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板及其制造方法使用了四輪掩模工序，從而與通過五輪掩模工序制造的這種薄膜晶體管基板相比，減少了制造工序的數(shù)量并降低了制造成本。然而，由于該四輪掩模工序仍然需要復(fù)雜的制造工序并且在降低成本方面也有限度，更簡(jiǎn)單的制造工序?qū)⒂幸嬗诮档椭圃斐杀尽?br>
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明在于提供一種LCD及其制造方法，基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)而產(chǎn)生的一個(gè)或多個(gè)問題。
因此，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于提供了一種能夠減少掩模工序數(shù)量的水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板及其制造方法。
本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)在于提供了一種在信號(hào)線上具有剝離劑滲透路徑以簡(jiǎn)化剝離工序的水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板以及制造方法。
下面的描述闡明本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)，一部分可以通過描述明顯得到，或者通過實(shí)施本發(fā)明而得到。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過說明書及其權(quán)利要求以及附圖指出的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)和獲得。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)，并根據(jù)本發(fā)明的目的，作為概括和具體的描述，一種水平電場(chǎng)型液晶顯示器件(LCD)在上基板和下基板之間具有液晶，該LCD包括在下基板上由第一導(dǎo)電層形成的柵線和公共線；由第二導(dǎo)電層形成的與該柵線交叉的數(shù)據(jù)線，在該柵線和數(shù)據(jù)線之間設(shè)有柵極絕緣膜，并且所述柵線和數(shù)據(jù)線限定一像素區(qū)；連接到該柵線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；從所述公共線延伸到像素區(qū)并由所述第一導(dǎo)電層形成的公共電極；電連接到薄膜晶體管的漏極并在像素區(qū)內(nèi)由第二導(dǎo)電層形成的像素電極，在液晶顯示器件工作時(shí)，該像素電極和公共電極在像素區(qū)內(nèi)形成水平電場(chǎng)；用于覆蓋至少薄膜晶體管的保護(hù)膜；柵極焊盤，具有從柵線延伸的下柵極焊盤電極、由第三導(dǎo)電層形成的上柵極焊盤電極和第一接觸孔，該上柵極焊盤電極通過該第一接觸孔電連接到下柵極焊盤；公共焊盤，具有連接到公共線的下公共焊盤電極、由第三導(dǎo)電層形成的上公共焊盤電極和第二接觸孔，該上公共焊盤電極通過該第二接觸孔電連接到下公共焊盤電極；以及數(shù)據(jù)焊盤，具有連接到數(shù)據(jù)線的下數(shù)據(jù)焊盤電極、由第三導(dǎo)電層形成的上數(shù)據(jù)焊盤電極和第三接觸孔，該上數(shù)據(jù)焊盤電極通過該第三接觸孔電連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極，其中，上柵極焊盤電極、上公共焊盤電極和上數(shù)據(jù)焊盤電極分別形成在第一到第三接觸孔內(nèi)。
在像素區(qū)內(nèi)的柵線、數(shù)據(jù)線、公共線、像素電極和公共電極至少其中之一上形成剝離劑滲透路徑。
所述剝離劑滲透路徑或者形成在保護(hù)膜內(nèi)或者形成在保護(hù)膜和柵極絕緣膜內(nèi)，以便于在剝離工序中容易地去除用于構(gòu)圖保護(hù)膜的光致抗蝕劑圖案。
所述剝離劑滲透路徑具有狹縫或多個(gè)孔的形狀。
所述剝離劑滲透路徑與第一到第三接觸孔同時(shí)形成。
由第三導(dǎo)電層形成的虛擬圖案保留在剝離劑滲透路徑內(nèi)。
該LCD進(jìn)一步包括存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容包括由第一導(dǎo)電層形成的第一和第二下存儲(chǔ)電極；以及由第二導(dǎo)電層形成的上存儲(chǔ)電極，該上存儲(chǔ)電容電極電連接到所述像素電極。
這里，所述上存儲(chǔ)電極與像素電極的任一指狀部分為一整體。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種上下基板之間具有的液晶的水平電場(chǎng)型液晶顯示器件的制造方法，包括通過構(gòu)圖第一導(dǎo)電層，在下基板上形成包括柵線、連接到柵線的柵極、下柵極焊盤電極、公共線、從公共線延伸的公共電極、連接到公共線的下公共焊盤電極的第一導(dǎo)電圖案組；在所述第一導(dǎo)電圖案組上形成柵極絕緣膜；在所述柵極絕緣膜上形成半導(dǎo)體圖案；通過構(gòu)圖第二導(dǎo)電層，在所述半導(dǎo)體圖案上形成包括與所述柵線交叉以限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線、連接到該數(shù)據(jù)線的源極和下數(shù)據(jù)焊盤電極、與該源極相對(duì)的漏極以及連接到該漏極的像素電極的第二導(dǎo)電圖案組，在液晶顯示器件工作時(shí)，所述公共電極和像素電極在像素區(qū)內(nèi)形成水平電場(chǎng)；在所述第二導(dǎo)電圖案組上形成保護(hù)膜；通過使用光致抗蝕劑圖案對(duì)保護(hù)膜和柵極絕緣膜至少其中之一構(gòu)圖，形成下柵極焊盤電極、下公共焊盤電極和下數(shù)據(jù)焊盤電極的第一到第三接觸孔；以及通過在光致抗蝕劑圖案上沉積第三導(dǎo)電層然后剝離光致抗蝕劑圖案，形成包括上柵極焊盤電極、上公共焊盤電極和上數(shù)據(jù)焊盤電極的第三導(dǎo)電圖案組，所述上柵極焊盤電極、上公共焊盤電極和上數(shù)據(jù)焊盤電極通過第一到第三接觸孔分別連接到下柵極焊盤電極、下公共焊盤電極和下數(shù)據(jù)焊盤電極。
在該方法中，在像素區(qū)內(nèi)的柵線、數(shù)據(jù)線、公共線、像素電極和公共電極至少其中之一上同時(shí)形成剝離劑滲透路徑孔。
在該方法中，所述剝離劑滲透路徑孔簡(jiǎn)化了光致抗蝕劑圖案的剝離工序。
所述光致抗蝕劑圖案在與保護(hù)膜的接觸面內(nèi)具有突出部分。
所述剝離劑滲透路徑孔具有狹縫或多個(gè)孔的形狀。
該方法還進(jìn)一步包括形成與部分柵線以及與該柵線相鄰的部分公共線重疊的上存儲(chǔ)電極，在該柵線和公共線之間設(shè)有柵極絕緣膜和半導(dǎo)體圖案，所述上存儲(chǔ)電極電連接到像素電極。
按照本發(fā)明的另一方面，一種施加水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板的制造方法，包括第一掩模工序，在基板上由第一導(dǎo)電層形成柵線、連接到柵線的柵極和下柵極焊盤電極、平行于柵線的公共線、連接到公共線的下公共焊盤電極以及從公共線延伸到像素區(qū)的公共電極；第二掩模工序，完全涂覆柵極絕緣膜，在柵極絕緣膜的預(yù)定區(qū)域形成半導(dǎo)體圖案，以及在該半導(dǎo)體圖案上由第二導(dǎo)電層形成與柵線和公共線交叉的數(shù)據(jù)線、連接到數(shù)據(jù)線的源極和下數(shù)據(jù)焊盤電極、與源極相對(duì)的漏極以及連接到漏極并與公共電極形成水平電場(chǎng)的像素電極；以及第三掩模工序，完全涂覆保護(hù)膜，構(gòu)圖保護(hù)膜和柵極絕緣膜以限定用于暴露出下柵極焊盤電極、下公共焊盤電極和下數(shù)據(jù)焊盤電極的第一到第三接觸孔，并且在該第一到第三接觸孔內(nèi)由第三導(dǎo)電層形成上柵極焊盤電極、上公共焊盤電極和上數(shù)據(jù)焊盤電極。
在該方法中，所述第三掩模工序包括完全涂覆保護(hù)膜；在該保護(hù)膜上使用掩模形成光致抗蝕劑圖案；通過該光致抗蝕劑圖案構(gòu)圖保護(hù)膜和柵極絕緣膜；在該光致抗蝕劑圖案上完全涂覆透明導(dǎo)電膜；以及去除覆蓋有透明導(dǎo)電膜的光致抗蝕劑圖案以對(duì)透明導(dǎo)電膜構(gòu)圖。
所述第三掩模工序還進(jìn)一步包括在由第一和第二導(dǎo)電層形成的多條信號(hào)線和多個(gè)電極中至少其中之一上形成貫穿保護(hù)膜的剝離劑滲透路徑，以去除所述光致抗蝕劑圖案。
所述剝離劑滲透路徑貫穿到保護(hù)膜下的柵極絕緣膜。
所述剝離劑滲透路徑包括沿所述多條信號(hào)線和多個(gè)電極中至少其中之一形成的狹縫或多個(gè)孔的至少一種形狀。
所述剝離劑滲透路徑位于公共電極和像素電極中至少其中之一上。
所述與經(jīng)過構(gòu)圖的保護(hù)膜具有一接觸面的第三導(dǎo)電層保留在剝離劑滲透路徑中。
這里，所述第一到第三接觸孔用作剝離劑滲透路徑。
所述第二掩模工序還進(jìn)一步包括形成與部分柵線以及和該柵線相鄰的部分公共線重疊的上存儲(chǔ)電極，在該柵線和公共線以及上存儲(chǔ)電極之間設(shè)有柵極絕緣膜和半導(dǎo)體圖案，所述上存儲(chǔ)電極連接到由第二導(dǎo)電層形成的像素電極。
所述第三導(dǎo)電層包含任一透明導(dǎo)電層、鈦和鎢。
應(yīng)該理解，上面的概括描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，意欲對(duì)所要保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


所包括的附圖用來進(jìn)一步理解本發(fā)明并且作為說明書一部分說明本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)通過四輪掩模工序制造的水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)的平面圖；圖2示出了沿圖1中的I-I’和II-II’線截取的薄膜晶體管基板的截面圖；圖3A到3D示出了圖2所示的薄膜晶體管基板的制造方法截面圖；圖4示出了按照本發(fā)明一實(shí)施例的水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)的平面圖；
圖5示出了沿圖4中的III-III’、IV-IV’、V-V’、VI-VI’和VII-VII’線截取的薄膜晶體管基板的截面圖；圖6A和6B分別示出了解釋按照本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板制造方法中第一掩模工序的平面圖和截面圖；圖7A和7B分別示出了解釋按照本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板制造方法中第二掩模工序的平面圖和截面圖；圖8A到8D示出了更加詳細(xì)解釋第二掩模工序的截面圖；圖9A和9B分別示出了解釋按照本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板制造方法中第三掩模工序的平面圖和截面圖；圖10A到10D示出了更加詳細(xì)解釋第三掩模工序的截面圖；圖11A和11B分別示出了解釋按照本發(fā)明實(shí)施例的一剝離劑滲透路徑的平面圖和截面圖；以及圖12A和12B分別示出了解釋按照本發(fā)明實(shí)施例的另一剝離劑滲透路徑的平面圖和截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
圖4示出了按照本發(fā)明一實(shí)施例的水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)的平面圖，圖5示出了沿圖4中的III-III’、IV-IV’、V-V’、VI-VI’和VII-VII’線截取的薄膜晶體管基板的截面圖。
參照?qǐng)D4和圖5，薄膜晶體管基板包括位于下基板145上彼此交叉的其間設(shè)有柵極絕緣膜146的柵線102和數(shù)據(jù)線104、位于每一交叉點(diǎn)附近的薄膜晶體管106、位于由柵線102和數(shù)據(jù)線104限定的像素區(qū)內(nèi)用于形成水平電場(chǎng)的像素電極114和公共電極118以及連接到公共電極118的公共線116。薄膜晶體管基板還包括位于前級(jí)柵線102、公共線116和上存儲(chǔ)電極122之間的重疊部分的存儲(chǔ)電容120、連接到柵線102的柵極焊盤125、連接到數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)焊盤131以及連接到公共線116的公共焊盤135。提供有柵極信號(hào)的柵線102和提供有數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線104限定像素區(qū)，并在其間設(shè)有柵極絕緣膜146。這里，柵線102由第一導(dǎo)電層(即，柵極金屬層)形成，數(shù)據(jù)線104由第二導(dǎo)電層(即，源極/漏極金屬層)形成。
公共線116和公共電極118提供用于驅(qū)動(dòng)液晶的參考電壓。公共線116還包括位于顯示區(qū)并與柵線102平行的內(nèi)公共線116A，以及在非顯示區(qū)共同連接到內(nèi)公共線116A的外公共線116B。公共電極118具有指狀結(jié)構(gòu)并從內(nèi)公共線116A延伸到像素區(qū)。公共線116和公共電極118連同柵線102一起由第一導(dǎo)電層形成。
薄膜晶體管106響應(yīng)柵線102的柵極信號(hào)，將數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)信號(hào)充入像素電極114。為此，薄膜晶體管106包括連接到柵線102的柵極108、連接到數(shù)據(jù)線104的源極110以及與源極110相對(duì)的漏極112。薄膜晶體管106還包括與柵極108重疊并在其間設(shè)有柵極絕緣膜146的有源層148，以在源極110和漏極112之間限定一溝道。在除了溝道區(qū)的有源層148上是歐姆接觸層150，以與源極110和漏極112形成歐姆接觸。另外，有源層148和歐姆接觸層150還與連同源極110和漏極112一起由第二導(dǎo)電層形成的數(shù)據(jù)線104、下數(shù)據(jù)焊盤電極130和上存儲(chǔ)電極122重疊。
像素電極114與公共電極118在像素區(qū)形成水平電場(chǎng)，并且像素電極連接到薄膜晶體管106的漏極112。像素電極114與漏極112由第二導(dǎo)電層形成并且是一整體。具體地說，像素電極114包括與柵線102平行并且與漏極112一體的水平部分114A、從水平部分114A延伸到像素區(qū)并與公共電極118平行的指狀部分114B。
這樣，在通過薄膜晶體管106施加有數(shù)據(jù)信號(hào)的像素電極114和通過公共線116施加有參考電壓的公共電極118之間形成水平電場(chǎng)。具體地說，在像素電極114的指狀部分114B和公共電極118之間形成水平電場(chǎng)。由于液晶分子的介電各向異性，位于薄膜晶體管基板和濾色片基板之間沿水平方向取向排列的液晶分子通過該水平電場(chǎng)旋轉(zhuǎn)。像素區(qū)的透射度根據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度而不同，從而實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)值。
如圖5所示，存儲(chǔ)電容120包括作為第一下存儲(chǔ)電極的部分前級(jí)柵線102、作為第二下存儲(chǔ)電極的部分內(nèi)公共線116A、與柵線102和內(nèi)公共線116A重疊的上存儲(chǔ)電極122、柵極絕緣膜146、有源層148以及歐姆接觸層150。柵極絕緣膜146、有源層148和歐姆接觸層150夾在第一和第二下存儲(chǔ)電極102和116A與上存儲(chǔ)電極122之間。這里，上存儲(chǔ)電極122與像素電極114由第二導(dǎo)電層形成并且是一整體。存儲(chǔ)電容120保持充入像素電極114的數(shù)據(jù)信號(hào)，直到下一數(shù)據(jù)信號(hào)充入為止。
柵線102通過柵極焊盤125連接到柵極驅(qū)動(dòng)器(未示出)。柵極焊盤125包括從柵線102延伸的下柵極焊盤電極124以及通過貫穿柵極絕緣膜146和保護(hù)膜152的第一接觸孔166連接到下柵極焊盤電極124的上柵極焊盤電極128。
公共線116通過公共焊盤135接收來自外部參考電壓源(未示出)的參考電壓。公共焊盤135包括從公共線116延伸的下公共焊盤電極136以及通過貫穿柵極絕緣膜146和保護(hù)膜152的第二接觸孔170連接到下公共焊盤電極136的上公共焊盤電極140。
數(shù)據(jù)線104通過數(shù)據(jù)焊盤131連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)。數(shù)據(jù)焊盤131包括從數(shù)據(jù)線104延伸的下數(shù)據(jù)焊盤電極130以及通過貫穿保護(hù)膜152的第三接觸孔168連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極130的上數(shù)據(jù)焊盤電極134。
在該薄膜晶體管基板中，上柵極焊盤電極128、上數(shù)據(jù)焊盤電極134和上公共焊盤電極140由第三導(dǎo)電層形成。當(dāng)去除用于構(gòu)圖保護(hù)膜152和柵極絕緣膜146的光致抗蝕劑圖案時(shí)，通過剝離工序構(gòu)圖第三導(dǎo)電層。這樣，構(gòu)圖的第三導(dǎo)電層與保護(hù)膜152具有一接觸面。按照本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的制造方法通過使用剝離工序構(gòu)圖第三導(dǎo)電層可以減少一輪掩模工序。
為了簡(jiǎn)化剝離工序，在上述的信號(hào)線和電極上提供有貫穿柵極絕緣膜146和保護(hù)膜152或者貫穿保護(hù)膜152的剝離劑滲透路徑154。例如，剝離劑滲透路徑154位于公共電極118或像素電極114上，并且第三導(dǎo)電圖案在剝離劑滲透路徑154內(nèi)與保護(hù)膜152具有一接觸面。設(shè)置在沒有光致抗蝕劑圖案部分的剝離劑滲透路徑154以及第一到第三接觸孔166、170和168允許剝離劑容易地滲透進(jìn)光致抗蝕劑圖案和保護(hù)膜152之間的接觸面。
下面詳細(xì)描述按照本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的制造方法。
圖6A和6B分別示出了解釋按照本發(fā)明實(shí)施例的水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板制造方法中第一掩模工序的平面圖和截面圖。
如圖6A和6B所示，通過第一掩模工序，在下基板145上形成包括柵線102、柵極108、下柵極焊盤電極124、公共線116、公共電極118以及下公共焊盤電極136的第一導(dǎo)電圖案組。具體地說，通過例如是濺射的沉積技術(shù)，在下基板145上形成第一導(dǎo)電層。然后，通過光刻和蝕刻工序，使用第一掩模對(duì)第一導(dǎo)電層構(gòu)圖，以形成包括柵線102、柵極108、下柵極焊盤電極124、公共線116、公共電極118以及下公共焊盤電極136的第一導(dǎo)電圖案組。這里，第一導(dǎo)電層由Cr、MoW、Cr/Al、Cu、Al(Nd)、Mo/Al、Mo/Al(Nd)或Cr/Al(Nd)等形成。
圖7A和7B分別示出了解釋按照本發(fā)明實(shí)施例的水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板制造方法中第二掩模工序的平面圖和截面圖，圖8A到8D示出了更加詳細(xì)解釋第二掩模工序的截面圖。
通過例如是等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)、濺射等沉積技術(shù)，在具有第一導(dǎo)電圖案的下基板145上形柵極絕緣膜146。這里，柵極絕緣膜由例如是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的無機(jī)絕緣材料形成。
如圖7A和7B所示，通過第二掩模工序，在柵極絕緣膜146上沉積包括有源層148和歐姆接觸層150的半導(dǎo)體圖案并且形成包括數(shù)據(jù)線104、源極110、漏極112、下數(shù)據(jù)焊盤電極130、像素電極114以及上存儲(chǔ)電極122的第二導(dǎo)電圖案組。具體地說，如圖8A所示，通過例如是等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)和濺射等沉積技術(shù)，在柵極絕緣膜146上順序形成非晶硅層148A、n+非晶硅層150A和第二導(dǎo)電層156。這里，第二導(dǎo)電層156由Cr、MoW、Cr/Al、Cu、Al(Nd)、Mo/Al、Mo/Al(Nd)或Cr/Al(Nd)等形成。
接著，在第二導(dǎo)電層156上完全涂覆光致抗蝕劑膜，然后通過光刻工序，使用部分曝光掩模的第二掩模在其上形成如圖8A所示的具有階梯覆層的光致抗蝕劑圖案158。在這種情況下，在薄膜晶體管的溝道部分具有衍射曝光部分(或半透射或半透反射部分)的衍射曝光掩模用作第二掩模。這樣，與第二掩模的衍射曝光部分(或半透射部分)對(duì)應(yīng)的光致抗蝕劑圖案158比與第二掩模的透射部分(或遮蔽部分)對(duì)應(yīng)的光致抗蝕劑圖案158部分具有更低的高度。換句話說，位于溝道部分的光致抗蝕劑圖案158具有比位于其它源極/漏極圖案部分的光致抗蝕劑圖案158更低的高度。
然后，如圖8B所示，通過濕蝕刻工序，使用光致抗蝕劑圖案158對(duì)第二導(dǎo)電層156層構(gòu)圖，以形成包括數(shù)據(jù)線104、薄膜晶體管部分的源極110、與源極110一體的漏極112、像素電極114、下數(shù)據(jù)焊盤電極130以及上存儲(chǔ)電極122的第二導(dǎo)電金屬圖案組。這里，上存儲(chǔ)電極122與部分柵線102和內(nèi)公共線116A重疊，像素電極114與漏極112和上存儲(chǔ)電極122為一整體。而且，通過干蝕刻工序，使用相同的光致抗蝕劑圖案158同時(shí)對(duì)n+非晶硅層150A和非晶硅層148A構(gòu)圖，如圖8B所示，與第二導(dǎo)電圖案組一起形成一個(gè)有歐姆接觸層150和有源層148結(jié)構(gòu)。
然后，如圖8C所示，通過灰化工序，使用氧(O2)等離子體去除在溝道部分具有相對(duì)低高度的光致抗蝕劑圖案158，而位于其它第二導(dǎo)電圖案組部分的光致抗蝕劑圖案158變?yōu)榫哂斜然一ば蛞郧暗偷母叨?。如圖8C所示，通過干蝕刻工序，使用剩余的光致抗蝕劑圖案158，對(duì)位于溝道形成部分的第二導(dǎo)電層和歐姆接觸層150進(jìn)行蝕刻，從而斷開源極110和漏極112的連接并且暴露出有源層148。這樣，在源極110和漏極112之間形成由有源層148形成的溝道。然后，如圖8D所示，通過剝離工序去除剩余在第二導(dǎo)電圖案組部分上的光致抗蝕劑圖案158。
圖9A和9B分別示出了解釋按照本發(fā)明實(shí)施例的水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板制造方法中第三掩模工序的平面圖和截面圖，圖10A到10D示出了更加詳細(xì)解釋第三掩模工序的截面圖。
如圖9A和9B所示，通過第三掩模工序?qū)ΡＷo(hù)膜152和柵極絕緣膜146構(gòu)圖，并且形成包括上柵極焊盤電極128、上數(shù)據(jù)焊盤電極134和上公共焊盤電極140的第三導(dǎo)電圖案組。該第三導(dǎo)電圖案組與構(gòu)圖的保護(hù)膜152之間形成一接觸面而沒有重疊部分。具體地說，如圖10A所示，在具有第二導(dǎo)電圖案組的柵極絕緣膜146上完全形成保護(hù)膜152。這里，保護(hù)膜152由與柵極絕緣膜146相似的無機(jī)絕緣材料或者是有機(jī)絕緣材料形成。而且，如圖10A所示，通過光刻工序，使用第三掩模在保護(hù)膜152上形成光致抗蝕劑圖案160。如圖10B所示，通過干蝕刻工序，使用光致抗蝕劑圖案160對(duì)保護(hù)膜152和柵極絕緣膜146構(gòu)圖，從而形成貫穿保護(hù)膜152或保護(hù)膜152和柵極絕緣膜146的第一到第三接觸孔166、170和168以及剝離劑滲透路徑154。這里，第一接觸孔166暴露出下柵極焊盤電極124，第二接觸孔170暴露出下公共焊盤電極136，第三接觸孔168暴露出下數(shù)據(jù)焊盤電極130。而且，剝離劑滲透路徑154暴露出公共電極118或像素電極114。
然后，如圖10C所示，通過例如是濺射等的沉積技術(shù)，在保留有光致抗蝕劑圖案160的薄膜晶體管基板上完全形成第三導(dǎo)電層172。第三導(dǎo)電層172由包括銦錫氧化物(ITO)、錫氧化物(TO)、銦鋅氧化物(IZO)或SnO2等的透明導(dǎo)電層形成?；蛘?，第三導(dǎo)電膜172由例如是鈦(Ti)或鎢(W)等具有高抗腐蝕性和高強(qiáng)度特性的金屬材料形成。
然后，如圖10D所示，通過剝離工序，去除光致抗蝕劑圖案160連同其上的第三導(dǎo)電層172，以分別在第一到第三接觸孔166、170和168以及剝離劑滲透路徑154內(nèi)形成上柵極焊盤電極128、上公共焊盤電極140、上數(shù)據(jù)焊盤電極134以及虛擬透明導(dǎo)電圖案164。
在這種情況下，第一到第三接觸孔166、170和168以及剝離劑滲透路徑154形成在光致抗蝕劑圖案160不存在的部分，使得大量剝離劑，例如是剝離劑A能夠滲透進(jìn)光致抗蝕劑圖案160和保護(hù)膜152之間的接觸面。這樣，通過剝離劑A，覆蓋有第三導(dǎo)電層172的光致抗蝕劑圖案160可以容易地從保護(hù)膜152分隔開。這是因?yàn)?，由于保護(hù)膜152的過蝕刻，光致抗蝕劑圖案160的邊界比形成有剝離劑滲透路徑154以及第一到第三接觸孔166、170和168部分的保護(hù)膜152的邊界具有更多的突出(未示出)。另外，還因?yàn)椋捎诠庵驴刮g劑圖案160突出的邊界，沿垂直于基板145的方向沉積的第三導(dǎo)電層172在光致抗蝕劑圖案160的邊界和保護(hù)膜152的邊界之間具有開口，或者是沉積得相對(duì)薄，從而允許剝離劑A容易地滲透進(jìn)光致抗蝕劑圖案160。
如上所述，通過剝離工序去除第三導(dǎo)電層172和光致抗蝕劑圖案160的不需要部分，使得第三導(dǎo)電圖案組與保護(hù)膜152具有一接觸面。具體地說，在相應(yīng)的接觸孔166、170和168內(nèi)設(shè)有上柵極焊盤電極128、上公共焊盤電極140和上數(shù)據(jù)焊盤電極134，以分別連接到下柵極焊盤電極124、下公共焊盤電極136和下數(shù)據(jù)焊盤電極130。而且，剩余在剝離劑滲透路徑154內(nèi)的第三虛擬導(dǎo)電圖案164也在剝離劑滲透路徑154內(nèi)與保護(hù)膜152具有一接觸面。
下面舉例描述在公共電極118和/或像素電極114上貫穿柵極絕緣膜146和/或保護(hù)膜152的剝離劑滲透路徑154的形狀。
參照?qǐng)D11A和11B，剝離劑滲透路徑154具有在公共電極118上貫穿柵極絕緣膜146和保護(hù)膜152的狹縫180的形狀。而且，第三虛擬導(dǎo)電圖案182保留在狹縫180內(nèi)。狹縫180可以設(shè)置在包括柵線、公共線和數(shù)據(jù)線的任何一條信號(hào)線以及像素電極之上。
參照?qǐng)D12A和12B，剝離劑滲透路徑154具有在公共電極118上貫穿柵極絕緣膜146和保護(hù)膜152的多個(gè)孔184的形狀。彼此隔離開的第三虛擬導(dǎo)電圖案186位于多個(gè)孔184內(nèi)。多個(gè)孔184可以位于包括柵線、公共線和數(shù)據(jù)線的任何一條信號(hào)線以及像素電極之上。
如上所述，按照本發(fā)明，使用剝離工序代替第三導(dǎo)電層的掩模工序。因此，薄膜晶體管基板通過三輪掩模工序制造，使得簡(jiǎn)化的制造工序減少了制造成本并提高了產(chǎn)量。而且，按照本發(fā)明，剝離劑滲透路徑位于保護(hù)膜內(nèi)的信號(hào)線上，使得用于去除覆蓋有第三導(dǎo)電層的光致抗蝕劑圖案的剝離工序能夠有效地執(zhí)行。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的前提下，本發(fā)明還有各種改進(jìn)和變化。因此，本發(fā)明的各種改進(jìn)和變化包括在由所附權(quán)利要求書及其等同物限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種上下基板之間具有液晶的水平電場(chǎng)型液晶顯示器件，包括在下基板上由第一導(dǎo)電層形成的柵線和公共線；由第二導(dǎo)電層形成的與該柵線交叉的數(shù)據(jù)線，在該柵線和數(shù)據(jù)線之間設(shè)有柵極絕緣膜，并且所述柵線和數(shù)據(jù)線限定一像素區(qū)；連接到該柵線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；從所述公共線延伸到像素區(qū)并由所述第一導(dǎo)電層形成的公共電極；電連接到薄膜晶體管的漏極并位于像素區(qū)內(nèi)由第二導(dǎo)電層形成的像素電極，在液晶顯示器件工作時(shí)，該像素電極和公共電極在像素區(qū)內(nèi)形成水平電場(chǎng)；用于覆蓋至少薄膜晶體管的保護(hù)膜；柵極焊盤，具有從柵線延伸的下柵極焊盤電極、由第三導(dǎo)電層形成的上柵極焊盤電極和第一接觸孔，該上柵極焊盤電極通過該第一接觸孔電連接到下柵極焊盤；公共焊盤，具有連接到公共線的下公共焊盤電極、由第三導(dǎo)電層形成的上公共焊盤電極和第二接觸孔，該上公共焊盤電極通過該第二接觸孔電連接到下公共焊盤電極；以及數(shù)據(jù)焊盤，具有連接到數(shù)據(jù)線的下數(shù)據(jù)焊盤電極、由第三導(dǎo)電層形成的上數(shù)據(jù)焊盤電極和第三接觸孔，該上數(shù)據(jù)焊盤電極通過該第三接觸孔電連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極，其中，上柵極焊盤電極、上公共焊盤電極和上數(shù)據(jù)焊盤電極分別形成在第一到第三接觸孔內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，還進(jìn)一步包括位于像素區(qū)內(nèi)的柵線、數(shù)據(jù)線、公共線、像素電極和公共電極至少其中之一上的剝離劑滲透路徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述剝離劑滲透路徑或者形成在保護(hù)膜內(nèi)或者形成在保護(hù)膜和柵極絕緣膜內(nèi)，以便于在剝離工序中去除用于構(gòu)圖保護(hù)膜的光致抗蝕劑圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述剝離劑滲透路徑具有狹縫或多個(gè)孔的形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述剝離劑滲透路徑與第一到第三接觸孔同時(shí)形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其特征在于，由第三導(dǎo)電層形成的虛擬圖案剩余在剝離劑滲透路徑內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，還進(jìn)一步包括存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容包括由第一導(dǎo)電層形成的第一和第二下存儲(chǔ)電極；以及由第二導(dǎo)電層形成的上存儲(chǔ)電極，該上存儲(chǔ)電容電極電連接到所述像素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述上存儲(chǔ)電極與像素電極的任一指狀部分為一整體。
9.一種上下基板之間具有液晶的水平電場(chǎng)型液晶顯示器件的制造方法，包括構(gòu)圖第一導(dǎo)電層，在下基板上形成包括柵線、連接到柵線的柵極、下柵極焊盤電極、公共線、從公共線延伸的公共電極、連接到公共線的下公共焊盤電極的第一導(dǎo)電圖案組；在所述第一導(dǎo)電圖案組上形成柵極絕緣膜；在所述柵極絕緣膜上形成半導(dǎo)體圖案；構(gòu)圖第二導(dǎo)電層，在所述半導(dǎo)體圖案上形成包括與所述柵線交叉以限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線、連接到數(shù)據(jù)線的源極和下數(shù)據(jù)焊盤電極、與源極相對(duì)的漏極以及連接到漏極的像素電極的第二導(dǎo)電圖案組，在液晶顯示器件工作時(shí)，所述公共電極和像素電極在像素區(qū)內(nèi)形成水平電場(chǎng)；在所述第二導(dǎo)電圖案組上形成保護(hù)膜；使用光致抗蝕劑圖案對(duì)保護(hù)膜和柵極絕緣膜至少其中之一構(gòu)圖，形成下柵極焊盤電極、下公共焊盤電極和下數(shù)據(jù)焊盤電極對(duì)應(yīng)的第一到第三接觸孔；以及在光致抗蝕劑圖案上沉積第三導(dǎo)電層然后剝離光致抗蝕劑圖案，形成包括上柵極焊盤電極、上公共焊盤電極和上數(shù)據(jù)焊盤電極的第三導(dǎo)電圖案組，所述上柵極焊盤電極、上公共焊盤電極和上數(shù)據(jù)焊盤電極通過第一到第三接觸孔分別連接到下柵極焊盤電極、下公共焊盤電極和下數(shù)據(jù)焊盤電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，還進(jìn)一步包括在像素區(qū)內(nèi)的柵線、數(shù)據(jù)線、公共線、像素電極和公共電極至少其中之一上同時(shí)形成剝離劑滲透路徑孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述剝離劑滲透路徑孔簡(jiǎn)化光致抗蝕劑圖案的剝離工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述光致抗蝕劑圖案在與保護(hù)膜的接觸面內(nèi)具有突出部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述剝離劑滲透路徑孔具有狹縫或多個(gè)孔的形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，還進(jìn)一步包括形成與部分柵線以及與該柵線相鄰的部分公共線重疊的上存儲(chǔ)電極，在該柵線和公共線之間設(shè)有柵極絕緣膜和半導(dǎo)體圖案，所述上存儲(chǔ)電極電連接到像素電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述剝離劑滲透路徑貫穿到保護(hù)膜下面的柵極絕緣膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述剝離劑滲透路徑包括沿著所述多條信號(hào)線和多個(gè)電極至少其中之一形成的狹縫和多個(gè)孔的至少一種。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述剝離劑滲透路徑位于公共電極和像素電極至少其中之一上。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述第三導(dǎo)電層包含任一透明導(dǎo)電層、鈦和鎢層。
19.一種施加水平電場(chǎng)型薄膜晶體管基板的制造方法，包括第一掩模工序，在基板上由第一導(dǎo)電層形成柵線、連接到柵線的柵極和下柵極焊盤電極、平行于柵線的公共線、連接到公共線的下公共焊盤電極以及從公共線延伸到像素區(qū)的公共電極；第二掩模工序，完全涂覆柵極絕緣膜，在柵極絕緣膜的預(yù)定區(qū)域形成半導(dǎo)體圖案，以及在該半導(dǎo)體圖案上由第二導(dǎo)電層形成與柵線和公共線交叉的數(shù)據(jù)線、連接到數(shù)據(jù)線的源極和下數(shù)據(jù)焊盤電極、與源極相對(duì)的漏極以及連接到漏極并與公共電極形成水平電場(chǎng)的像素電極；以及第三掩模工序，完全涂覆保護(hù)膜，構(gòu)圖保護(hù)膜和柵極絕緣膜以限定用于暴露出下柵極焊盤電極、下公共焊盤電極和下數(shù)據(jù)焊盤電極的第一到第三接觸孔，并且在該第一到第三接觸孔內(nèi)由第三導(dǎo)電層形成上柵極焊盤電極、上公共焊盤電極和上數(shù)據(jù)焊盤電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述第三掩模工序包括完全涂覆保護(hù)膜；在該保護(hù)膜上使用掩模形成光致抗蝕劑圖案；通過該光致抗蝕劑圖案構(gòu)圖保護(hù)膜和柵極絕緣膜；在該光致抗蝕劑圖案上完全涂覆透明導(dǎo)電膜；以及去除覆蓋有透明導(dǎo)電膜的光致抗蝕劑圖案以對(duì)透明導(dǎo)電膜構(gòu)圖。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述第三掩模工序還進(jìn)一步包括由第一和第二導(dǎo)電層在多條信號(hào)線和多個(gè)電極至少其中之一上形成貫穿保護(hù)膜的剝離劑滲透路徑，以去除所述光致抗蝕劑圖案。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述剝離劑滲透路徑貫穿到保護(hù)膜下的柵極絕緣膜。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述剝離劑滲透路徑包括沿所述多條信號(hào)線和多個(gè)電極至少其中之一形成的狹縫和多個(gè)孔中至少一種。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述剝離劑滲透路徑位于公共電極和像素電極至少其中之一上。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述與經(jīng)過構(gòu)圖的保護(hù)膜具有一接觸面的第三導(dǎo)電層保留在剝離劑滲透路徑中。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所述第一到第三接觸孔用作剝離劑滲透路徑。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述第二掩模工序還進(jìn)一步包括形成與部分柵線以及和該柵線相鄰的部分公共線重疊的上存儲(chǔ)電極，在該柵線和公共線之間設(shè)有柵極絕緣膜和半導(dǎo)體圖案，所述上存儲(chǔ)電極連接到由第二導(dǎo)電層形成的像素電極。
28.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述第三導(dǎo)電層包含任一透明導(dǎo)電層、鈦和鎢層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種水平電場(chǎng)型液晶顯示器件(LCD)。該液晶顯示器件通過三輪掩模工序制造并且具有柵極焊盤電極、公共焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極，其中的每一電極都包括由透明導(dǎo)電材料形成的上電極。使用剝離工序，這些上電極形成在接觸孔內(nèi)。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK1614486SQ20041008680
公開日2005年5月11日 申請(qǐng)日期2004年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月4日
發(fā)明者趙興烈, 張?jiān)虱? 安炳喆 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社