專利名稱：電光裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如液晶裝置等的電光裝置的驅(qū)動(dòng)電路、該電光裝置以及具備它們的例如液晶投影機(jī)等的電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在例如液晶裝置等的電光裝置的基板上制成了這種驅(qū)動(dòng)電路作為驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線用的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)掃描線用的掃描線驅(qū)動(dòng)電路和對圖像信號進(jìn)行取樣用的取樣電路等。而且，被構(gòu)成為在其工作時(shí)按從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路供給的取樣電路的驅(qū)動(dòng)信號的時(shí)序取樣電路對在圖像信號線上供給的圖像信號進(jìn)行取樣以供給數(shù)據(jù)線。
再者，為了既抑制驅(qū)動(dòng)頻率的上升又實(shí)現(xiàn)高清晰的圖像顯示，下述的技術(shù)已實(shí)現(xiàn)了實(shí)用化，即，將串行的圖像信號變換為例如3相、6相、12相、24相、...等多個(gè)并行的圖像信號(即，相展開)之后，經(jīng)多條圖像信號線供給該電光裝置。此時(shí)，被構(gòu)成為利用多個(gè)取樣開關(guān)同時(shí)對多個(gè)圖像信號進(jìn)行取樣，同時(shí)供給多條數(shù)據(jù)線。
此外，在本申請中，將這樣的變換稱為“串-并變換”。
但是，按照這種同時(shí)驅(qū)動(dòng)多條數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)電路，起因于作為構(gòu)成取樣電路的多個(gè)取樣開關(guān)的多個(gè)薄膜晶體管(以下，適當(dāng)?shù)胤Q為“TFT”)相互間的寄生電容，在沿?cái)?shù)據(jù)線的像素列之間產(chǎn)生了圖像信號的干擾，或多或少發(fā)生了圖像不良。
而且，特別是存在下述的技術(shù)的問題在由同時(shí)被驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)線構(gòu)成的組的分界上可顯著地看到重影或串?dāng)_(crosstalk)那樣的圖像不良。按照后述的本申請的發(fā)明者的研究，可認(rèn)為這樣的重影等的圖像不良起因于在構(gòu)成取樣電路的多個(gè)薄膜晶體管中，經(jīng)由同時(shí)被驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)線構(gòu)成的組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管間的寄生電容。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而進(jìn)行的，其目的在于提供可減少在同時(shí)驅(qū)動(dòng)多條數(shù)據(jù)線時(shí)特別是在由同時(shí)被驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)線構(gòu)成的組的分界上變得顯著的、基于取樣電路內(nèi)的薄膜晶體管相互間的寄生電容的圖像不良的例如液晶裝置等的電光裝置的驅(qū)動(dòng)電路、該電光裝置以及具備它們的例如液晶投影機(jī)等的電子設(shè)備。
為了解決上述課題，本發(fā)明的電光裝置的第1驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)下述的電光裝置的驅(qū)動(dòng)電路，該電光裝置在基板上的圖像顯示區(qū)域中具備互相交叉地排列的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線以及連接到上述多條掃描線和上述多條數(shù)據(jù)線上的多個(gè)像素部，在位于上述圖像顯示區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域中具備供給進(jìn)行了串-并變換的n(其中，n是2以上的自然數(shù))個(gè)圖像信號的n條圖像信號線，在上述周邊區(qū)域中具備取樣電路，上述取樣電路包含多個(gè)薄膜晶體管，上述多個(gè)薄膜晶體管分別具備(i)連接到從上述數(shù)據(jù)線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的漏布線上的漏，(ii)連接到從上述圖像信號線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的源布線上的源，(iii)在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上被上述漏布線和上述源布線間夾住并延伸地設(shè)置的柵，同時(shí)上述多個(gè)薄膜晶體管與上述多條數(shù)據(jù)線對應(yīng)地排列；以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，對于連接到上述多條數(shù)據(jù)線中的同時(shí)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的n條數(shù)據(jù)線上的n個(gè)薄膜晶體管的每個(gè)組，將上述取樣電路的驅(qū)動(dòng)信號供給上述柵，將上述多個(gè)薄膜晶體管中的經(jīng)上述組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的夾住上述柵的上述源布線和上述漏布線的排列方式配置成彼此相反。
按照本發(fā)明的第1驅(qū)動(dòng)電路，作為構(gòu)成取樣電路的多個(gè)取樣開關(guān)的多個(gè)薄膜晶體管的漏布線、柵和源布線在數(shù)據(jù)線的延伸方向、例如縱方向或Y方向上延伸地被設(shè)置。而且，多個(gè)薄膜晶體管與多條數(shù)據(jù)線相對應(yīng)，例如在橫方向或X方向上進(jìn)行排列。
在其工作時(shí)，對n條圖像信號線供給的進(jìn)行了串-并變換(即，相展開)的n個(gè)圖像信號在構(gòu)成取樣電路的n個(gè)薄膜晶體管的每個(gè)組中分別被取樣，同時(shí)供給n條數(shù)據(jù)線。另外，例如由掃描線驅(qū)動(dòng)電路對掃描線依次供給掃描信號。由此，在具備例如像素開關(guān)用TFT、像素電極、存儲(chǔ)電容器等的像素部中例如能以像素單位進(jìn)行例如液晶驅(qū)動(dòng)等的電光工作。
在此，按照本申請的發(fā)明者的研究，確認(rèn)了，在同時(shí)驅(qū)動(dòng)n條數(shù)據(jù)線的情況下，由于在取樣電路內(nèi)相鄰的薄膜晶體管間的寄生電容的緣故，在連接到同時(shí)被驅(qū)動(dòng)的n條數(shù)據(jù)線和與其相鄰的數(shù)據(jù)線上的薄膜晶體管的源布線或漏布線間相互的電位變動(dòng)彼此影響的結(jié)果，發(fā)生了重影或串?dāng)_等。而且，特別是判明了在取樣電路內(nèi)相鄰的薄膜晶體管間的寄生電容中使對于顯示圖像的不良影響變得顯著的寄生電容是經(jīng)過組的分界的寄生電容。更具體地說，由于同一組內(nèi)的相鄰的薄膜晶體管間的寄生電容的緣故而只顯示例如以約幾μm～幾十μm的窄的布線間距相鄰的行(即，沿?cái)?shù)據(jù)線的像素列)間的重影等，故在人的視覺上幾乎或完全不能識(shí)別。與此不同，由于經(jīng)組的分界相鄰的薄膜晶體管間的寄生電容的緣故，在不采取任一種對策的狀況下，如下所述那樣在人的視覺上識(shí)別了重影等。
即，設(shè)想只排列了在取樣電路的全部區(qū)域中源布線、柵和漏布線的排列方式為統(tǒng)一的多個(gè)薄膜晶體管的情況。此時(shí)，第M(其中，M是自然數(shù))個(gè)組中的最初的薄膜晶體管和第M+1個(gè)組中的最初的薄膜晶體管連接到同一第1條圖像信號線上。在此，由于處于第M個(gè)組中的最后的薄膜晶體管(以下適當(dāng)?shù)貑螁畏Q為“第nTFT”)和第M+1個(gè)組中的最初的薄膜晶體管(以下適當(dāng)?shù)貑螁畏Q為“第n+1TFT”)之間的寄生電容的緣故，(i)第1條圖像信號線的電位變動(dòng)從第n+1TFT的源布線傳遞給第nTFT的漏布線。于是，在第nTFT前者將第n條圖像信號線的圖像信號供給數(shù)據(jù)線時(shí)，導(dǎo)致因經(jīng)上述的分界的寄生電容的緣故而從第n+1TFT的源區(qū)傳遞來的與第1條圖像信號線上的圖像信號對應(yīng)的電位變動(dòng)加到該圖像信號上的結(jié)果?；蛘?，(ii)第n條圖像信號線的電位變動(dòng)從第nTFT的源布線傳遞給第n+1TFT的漏布線。于是，在第n+1TFT將第1條圖像信號線的圖像信號供給數(shù)據(jù)線時(shí)，導(dǎo)致因經(jīng)上述的分界的寄生電容的緣故而從第nTFT的源區(qū)傳遞來的與第n條圖像信號線上的圖像信號對應(yīng)的電位變動(dòng)加到該圖像信號上的結(jié)果。特別是，第M+1個(gè)組中的與第n個(gè)相當(dāng)?shù)臅r(shí)序的圖像信號經(jīng)第M個(gè)組中的第n個(gè)源輸入到第M+1個(gè)組中的第1個(gè)漏上，成為處于離開n-1條的距離的重影，由于距離較遠(yuǎn)，故該重影較為明顯。
在上述(i)和(ii)的任一種情況下，起因于經(jīng)上述的分界的寄生電容，在各組內(nèi)在第1與第n條數(shù)據(jù)線間例如與顯示圖像的明暗對應(yīng)地在組的分界上顯示了白行或黑行作為重影等。而且，這樣的重影等以同時(shí)被驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)線組的寬度、例如位于隔開約幾μm～幾十μm×(n-1)個(gè)距離的位置上，故作為在人的視覺上可識(shí)別或明顯的重影等來顯示。
而且，按照本發(fā)明，將經(jīng)用同時(shí)驅(qū)動(dòng)n條數(shù)據(jù)線的n個(gè)薄膜晶體管構(gòu)成的組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管(即，第nTFT和第n+1TFT)的夾住柵的源布線和漏布線的排列方式配置成彼此相反。即，例如一方的薄膜晶體管按源布線、柵和漏布線的順序排列的情況下，另一方的薄膜晶體管按漏布線、柵和源布線的順序排列，漏布線與漏布線經(jīng)組的分界相鄰?；蛘?，源布線與源布線經(jīng)組的分界相鄰。
因此，如上所述，即使第n+1TFT的電位變動(dòng)對于第nTFT組中的最后的薄膜晶體管經(jīng)兩者間的寄生電容而產(chǎn)生影響，也可對其進(jìn)行抑制。即，如果第nTFT的漏布線與和第n+1TFT的漏布線相鄰，則由于后者的第n+1TFT在導(dǎo)通的時(shí)序中經(jīng)作為非導(dǎo)通狀態(tài)的第n薄膜晶體管與第1條圖像信號線連接，故其電位變動(dòng)幾乎不傳遞給前者。此外，如果第nTFT的源布線與第n+1TFT的源布線相鄰，則由于任一條布線都直接連接到圖像信號線上而成為穩(wěn)定的電位，故相互間的電位變動(dòng)的影響在其性質(zhì)上說基本上是輕微的。因而，在各組內(nèi)在第1與第n條數(shù)據(jù)線間可幾乎或在實(shí)踐上完全不產(chǎn)生因寄生電容引起的重影等。
以上所述的結(jié)果，按照本發(fā)明的第1驅(qū)動(dòng)電路，可顯示減少了起因于取樣電路內(nèi)的薄膜晶體管間的寄生電容的在同時(shí)被驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)線組的分界上發(fā)生的重影等的高品位的圖像。而且，由于既可抑制因這樣的寄生電容引起的圖像顯示的不良影響，又可使取樣電路內(nèi)的薄膜晶體管的間距變窄，故可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線的窄間距、即像素間距的變窄，也可進(jìn)行高清晰度的圖像顯示。
在本發(fā)明的第1驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)形態(tài)中，在上述每個(gè)組中，對于上述n個(gè)薄膜晶體管來說，除了經(jīng)上述分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的一方外，上述排列方式是統(tǒng)一的。
按照該形態(tài)，對于源布線、柵和漏布線的排列方式為統(tǒng)一的結(jié)構(gòu)，通過只對于經(jīng)分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的一方使該排列方式相反，可簡單地得到本發(fā)明的第1驅(qū)動(dòng)電路。
在本發(fā)明的第1驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)形態(tài)中，在上述每個(gè)組中，對于上述n個(gè)薄膜晶體管來說，上述排列方式是統(tǒng)一的，在相鄰的二個(gè)組間，上述排列方式彼此相反。
按照該形態(tài)，對于源布線、柵和漏布線的排列方式為統(tǒng)一的結(jié)構(gòu)，通過按組為單位交替地使排列方式相反，可簡單地得到本發(fā)明的第1驅(qū)動(dòng)電路。
在本發(fā)明的第1驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)形態(tài)中，上述多個(gè)薄膜晶體管的按其排列順序夾住了上述柵的上述源布線和上述漏布線的排列方式交替地相反，上述n是偶數(shù)。
按照該形態(tài)，作為串-并變換數(shù)(即，相展開數(shù))的n是偶數(shù)。即，例如按每6條、12條、24條等的數(shù)據(jù)線同時(shí)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。在此，由于上述多個(gè)薄膜晶體管的按其排列順序夾住了上述柵的上述源布線和上述漏布線的排列方式交替地相反，故位于各組的分界上的該排列方式總是相同的。即，在各組的全部的分界上，源布線之間相鄰或漏布線之間相鄰。因而，在任一個(gè)邊界上可一律減少寄生電容。例如，將n定為奇數(shù)，通過利用組的邊界，源布線之間相鄰或漏布線之間相鄰，可在未發(fā)生之前防止寄生電容的離散。此時(shí)，如果構(gòu)成為在組的邊界上總是源布線之間相鄰，則由于任一條源布線都直接連接到圖像信號線上而成為穩(wěn)定的電位，故相互間的電位變動(dòng)的影響在其性質(zhì)上說基本上是輕微的。相反，如果采用在組的邊界上總是漏布線之間相鄰的結(jié)構(gòu)，則第n+1TFT的漏布線經(jīng)非導(dǎo)通狀態(tài)的第n薄膜晶體管與第1條圖像信號線連接，故其電位變動(dòng)幾乎不傳遞給第nTFT。因而，由于在任一種情況下幾乎或在實(shí)踐上完全不產(chǎn)生因寄生電容引起的重影等，故是很有利的。
為了解決上述課題，本發(fā)明的電光裝置的第2驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)下述的電光裝置的驅(qū)動(dòng)電路，該電光裝置在基板上的圖像顯示區(qū)域中具備互相交叉地排列的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線以及連接到上述多條掃描線和上述多條數(shù)據(jù)線上的多個(gè)像素部，在位于上述圖像顯示區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域中具備供給進(jìn)行了串-并變換的n(其中，n是2以上的自然數(shù))個(gè)圖像信號的n條圖像信號線，在上述周邊區(qū)域中具備取樣電路，上述取樣電路包含多個(gè)薄膜晶體管，上述多個(gè)薄膜晶體管分別具備(i)連接到從上述數(shù)據(jù)線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的漏布線上的漏，(ii)連接到從上述圖像信號線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的源布線上的源，(iii)在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上被上述漏布線和上述源布線間夾住并延伸地設(shè)置的柵，同時(shí)上述多個(gè)薄膜晶體管與上述多條數(shù)據(jù)線對應(yīng)地排列；以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，對于連接到上述多條數(shù)據(jù)線中的同時(shí)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的n條數(shù)據(jù)線上的n個(gè)薄膜晶體管的每個(gè)組，將上述取樣電路的驅(qū)動(dòng)信號供給上述柵，將上述多個(gè)薄膜晶體管中的經(jīng)上述組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的間隙設(shè)定得比在上述組內(nèi)相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的間隙大。
按照本發(fā)明的第2驅(qū)動(dòng)電路，與上述的本發(fā)明的第1驅(qū)動(dòng)電路同樣地工作。在第2驅(qū)動(dòng)電路中，特別是將經(jīng)用同時(shí)驅(qū)動(dòng)n條數(shù)據(jù)線的n個(gè)薄膜晶體管構(gòu)成的組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管(即，第nTFT和第n+1TFT)的間隙設(shè)定得比在組內(nèi)相鄰的另外的薄膜晶體管的間隙大。因此，如上所述，即使第n+1TFT的電位變動(dòng)對于第nTFT組中的最后的薄膜晶體管經(jīng)兩者間的寄生電容而產(chǎn)生影響，也可根據(jù)被設(shè)定得大的間隙對其進(jìn)行抑制。因而，在各組內(nèi)在第1與第n條數(shù)據(jù)線間可幾乎或在實(shí)踐上完全不產(chǎn)生因寄生電容引起的重影等。
以上所述的結(jié)果，按照本發(fā)明的第2驅(qū)動(dòng)電路，可顯示減少了重影等的高品位的圖像。而且，由于可使除了面對邊界的間隙外的、即組內(nèi)的薄膜晶體管的各間隙變窄，故可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線的窄間距、即像素間距的變窄，也可進(jìn)行高清晰度的圖像顯示。
在本發(fā)明的第2驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)形態(tài)中，在經(jīng)上述分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的間隙中對連接到上述柵上的柵布線的一部分進(jìn)行了布線。
按照該形態(tài)，有效地利用了組的邊界上的大的間隙，對柵布線的一部分進(jìn)行布線。由此，在柵布線中可從多個(gè)路徑輸入信號。另外，如果利用該大的間隙形成冗余的柵布線，則即使柵布線的一部分發(fā)生斷線，也可在未發(fā)生之前有效地防止裝置整體發(fā)生缺陷。
在本發(fā)明的第1或第2驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)形態(tài)中，將經(jīng)上述分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管配置成上述源布線相互間相鄰。
在該形態(tài)中，由于在組的邊界上源布線之間相鄰，由于任一條布線都直接連接到圖像信號線上而成為穩(wěn)定的電位，故相互間的電位變動(dòng)的影響在其性質(zhì)上說基本上是輕微的?；蛘?，由于連接到布線電容被限制而理應(yīng)相對地容易受到電位變動(dòng)的影響的數(shù)據(jù)線上的各漏布線在各組中位于內(nèi)側(cè)，故可使對于各漏布線的電位變動(dòng)實(shí)際上比原來的小。因而，在各組內(nèi)在第1與第n條數(shù)據(jù)線間可幾乎或在實(shí)踐上完全不產(chǎn)生因寄生電容引起的重影等。
在本發(fā)明的第1或第2驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)形態(tài)中，將經(jīng)上述分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管配置成上述漏布線相互間相鄰。
在該形態(tài)中，由于在組的邊界上漏布線之間相鄰，由于第n+1TFT的漏布線經(jīng)非導(dǎo)通狀態(tài)的薄膜晶體管與第1條圖像信號線連接，故其電位變動(dòng)幾乎不傳遞給第nTFT。因而，在各組內(nèi)在第1與第n條數(shù)據(jù)線間可幾乎或在實(shí)踐上完全不產(chǎn)生因寄生電容引起的重影等。
為了解決上述課題，本發(fā)明的電光裝置的第3驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)下述的電光裝置的驅(qū)動(dòng)電路，該電光裝置在基板上的圖像顯示區(qū)域中具備互相交叉地排列的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線以及連接到上述多條掃描線和上述多條數(shù)據(jù)線上的多個(gè)像素部，在位于上述圖像顯示區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域中具備供給進(jìn)行了串-并變換的n(其中，n是2以上的自然數(shù))個(gè)圖像信號的n條圖像信號線，在上述周邊區(qū)域中具備取樣電路，上述取樣電路包含多個(gè)薄膜晶體管，上述多個(gè)薄膜晶體管分別具備(i)連接到從上述數(shù)據(jù)線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的漏布線上的漏，(ii)連接到從上述圖像信號線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的源布線上的源，(iii)在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上被上述漏布線和上述源布線間夾住并延伸地設(shè)置的柵，同時(shí)上述多個(gè)薄膜晶體管與上述多條數(shù)據(jù)線對應(yīng)地排列；以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，對于連接到上述多條數(shù)據(jù)線中的同時(shí)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的n條數(shù)據(jù)線上的n個(gè)薄膜晶體管的每個(gè)組，將上述取樣電路的驅(qū)動(dòng)信號供給上述柵，使上述多個(gè)薄膜晶體管中的經(jīng)上述組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的一方在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上錯(cuò)開地配置。
按照本發(fā)明的第3驅(qū)動(dòng)電路，與上述的本發(fā)明的第1驅(qū)動(dòng)電路同樣地工作。在第3驅(qū)動(dòng)電路中，特別是使經(jīng)用同時(shí)驅(qū)動(dòng)n條數(shù)據(jù)線的n個(gè)薄膜晶體管構(gòu)成的組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管(即，第nTFT和第n+1TFT)的一方在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上、例如縱方向或Y方向上錯(cuò)開地配置。因此，如上所述，即使第n+1TFT的電位變動(dòng)對于第nTFT組中的最后的薄膜晶體管經(jīng)兩者間的寄生電容而產(chǎn)生影響，也可根據(jù)作為錯(cuò)開量的2維的距離對其進(jìn)行抑制。因而，在各組內(nèi)在第1與第n條數(shù)據(jù)線間可幾乎或在實(shí)踐上完全不產(chǎn)生因寄生電容引起的重影等。
以上所述的結(jié)果，按照本發(fā)明的第3驅(qū)動(dòng)電路，可顯示減少了重影等的高品位的圖像。而且，通過使面對邊界的一方的薄膜晶體管在數(shù)據(jù)線的延伸方向上錯(cuò)開，最好錯(cuò)開該一方的薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線的延伸方向的寬度部分以上，可使其它的薄膜晶體管的各間隙變窄。因而，可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線的窄間距、即像素間距的變窄，也可進(jìn)行高清晰度的圖像顯示。
在本發(fā)明的第3驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)形態(tài)中，上述二個(gè)薄膜晶體管的一方錯(cuò)開了沿上述數(shù)據(jù)線的延伸方向的上述多個(gè)薄膜晶體管的長度以上，而且，上述二個(gè)薄膜晶體管的一方中的朝向上述組的外側(cè)的上述源布線和上述漏布線的一方在不與上述二個(gè)薄膜晶體管的另一方對向的方向上錯(cuò)開了。
按照該形態(tài)，經(jīng)組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的一方錯(cuò)開了沿?cái)?shù)據(jù)線的延伸方向的多個(gè)薄膜晶體管的長度以上。因而，可將在組的邊界處相鄰的源布線與漏布線的距離取得比較大。而且，一方的薄膜晶體管中的朝向組的外側(cè)的源布線和漏布線的一方在不與另一方的薄膜晶體管的對向的方向上錯(cuò)開了。例如，如果一方的薄膜晶體管中的朝向組的外側(cè)的布線是從基板周邊朝向薄膜晶體管的源布線，則該一方的薄膜晶體管沿?cái)?shù)據(jù)線的延伸方向朝向基板周邊錯(cuò)開。相反，如果一方的薄膜晶體管中的朝向組的外側(cè)的布線是從圖像顯示區(qū)域朝向薄膜晶體管的漏布線，則該一方的薄膜晶體管沿?cái)?shù)據(jù)線的延伸方向朝向圖像顯示區(qū)域錯(cuò)開。在任一種情況下，該一方的薄膜晶體管中的朝向組的外側(cè)的源布線或漏布線以對著相鄰的另一方的薄膜晶體管的朝向組的外側(cè)的源布線或漏布線的位置(即，相對向的位置)為前方而迎合終端。因而，可較大地減少在該一方的薄膜晶體管中的朝向組的外側(cè)的源布線或漏布線與相鄰的另一方的薄膜晶體管中的朝向組的外側(cè)的源布線或漏布線之間的寄生電容。
此外，在本形態(tài)中，由于這二個(gè)薄膜晶體管錯(cuò)開了沿?cái)?shù)據(jù)線的延伸方向的上述薄膜晶體管的長度以上，故減少這樣的寄生電容的效果極為顯著。但是，即使減小該錯(cuò)開量，也能得到相應(yīng)的效果。即，如果沿?cái)?shù)據(jù)線的延伸方向哪怕多少有些錯(cuò)開，則也可根據(jù)錯(cuò)開量相應(yīng)地得到減少這樣的寄生電容的效果。
為了解決上述課題，本發(fā)明的電光裝置具備上述的本發(fā)明的第1至第3驅(qū)動(dòng)電路(其中，包含其各種形態(tài))、上述基板、上述掃描線、上述數(shù)據(jù)線、上述像素部和上述圖像信號線。
按照本發(fā)明的電光裝置，由于具備上述的本發(fā)明的第1至第3驅(qū)動(dòng)電路，故可顯示減少了重影等的高品位的圖像，也可進(jìn)行高清晰度的圖像顯示。這樣的本發(fā)明的電子光學(xué)裝置可作為例如液晶裝置、電子紙等的電泳裝置、電子發(fā)射元件的裝置(場發(fā)射顯示器和表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射顯示器)等來實(shí)現(xiàn)。
為了解決上述課題，本發(fā)明的電子設(shè)備具備上述的本發(fā)明的電光裝置而構(gòu)成。
由于本發(fā)明的電子設(shè)備具備上述的本發(fā)明的電光裝置，故可實(shí)現(xiàn)能顯示高品位的圖像顯示的投射型顯示裝置、電視接收機(jī)、攜帶電話機(jī)、電子筆記本、文字處理器、尋像器型或監(jiān)視器直接觀察型的磁帶攝像機(jī)、工作站、可視電話、POS終端、觸摸面板等的各種電子設(shè)備。


圖1是示出與本發(fā)明的第1實(shí)施例有關(guān)的電光裝置的顯示面板的框圖。
圖2是示出圖1中示出的顯示面板中的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖3是示出圖2中示出的取樣電路的布線布局圖。
圖4是圖3的I-I’剖面圖。
圖5是說明圖2中示出的取樣電路中的寄生電容用的圖。
圖6是示出圖3中示出的取樣電路的比較例的布線布局圖。
圖7是說明圖6中示出的取樣電路中的寄生電容用的圖。
圖8是示出與第1實(shí)施例有關(guān)的取樣電路的變形例的布線布局圖。
圖9是示出與第1實(shí)施例有關(guān)的取樣電路的變形例的布線布局圖。
圖10是被應(yīng)用于與第2實(shí)施例有關(guān)的電光裝置的取樣電路的布線布局圖。
圖11是示出與第2實(shí)施例有關(guān)的取樣電路的應(yīng)用例的布線布局圖。
圖12是被應(yīng)用于與第3實(shí)施例有關(guān)的電光裝置的取樣電路的布線布局圖。
圖13是與第3實(shí)施例的變形例有關(guān)的電光裝置的取樣電路的布線布局圖。
圖14是作為應(yīng)用了電光裝置的電子設(shè)備的一例的投影機(jī)的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖15是作為應(yīng)用了電光裝置的電子設(shè)備的一例的個(gè)人計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖16是作為應(yīng)用了電光裝置的電子設(shè)備的一例的攜帶電話機(jī)的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，一邊參照附圖，一邊說明本發(fā)明的實(shí)施例。以下的實(shí)施例是將本發(fā)明的電光裝置應(yīng)用于液晶裝置的實(shí)施例。
〔第1實(shí)施例〕首先，參照圖1至圖9說明與本發(fā)明有關(guān)的電光裝置的第1實(shí)施例。
<顯示面板的結(jié)構(gòu)>
圖1示出了本實(shí)施例的液晶裝置中的顯示面板的結(jié)構(gòu)。該液晶裝置由驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置型的顯示面板100和進(jìn)行對于整體的驅(qū)動(dòng)控制或圖像信號的各種處理的未圖示的電路部構(gòu)成。
顯示面板100的結(jié)構(gòu)是這樣的經(jīng)液晶層對向地配置TFT陣列基板1和對向基板(未圖示)，通過在圖像顯示區(qū)域10中劃分排列列的每個(gè)像素部4中對液晶層施加電場來控制兩基板間的透過光量，從而對圖像進(jìn)行灰度顯示。再有，該液晶裝置采取TFT有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式，在顯示面板100中，在TFT陣列基板1中的圖像顯示區(qū)域10中互相交叉地排列多條掃描線2和多條數(shù)據(jù)線3，掃描線2和數(shù)據(jù)線3分別連接到像素部4上。像素部4基本上包含有選擇地施加由數(shù)據(jù)線3供給的圖像信號電壓用的像素開關(guān)用的TFT和對液晶層施加輸入電壓并進(jìn)行保持用的、即與對向電極一起構(gòu)成液晶保持電容的像素電極而構(gòu)成。
掃描線2連接到例如在兩端依次選擇并驅(qū)動(dòng)掃描線2的掃描線驅(qū)動(dòng)電路5A和5B上。在圖像顯示區(qū)域10的周邊區(qū)域中設(shè)置了掃描線驅(qū)動(dòng)電路5A和5B，被構(gòu)成為從兩端同時(shí)對各掃描線2施加電壓。
數(shù)據(jù)線3經(jīng)取樣電路7連接到供給圖像信號Sv的圖像信號線6上。取樣電路7由在為了選擇從圖像信號線6接受圖像信號Sv的數(shù)據(jù)線3而在每條數(shù)據(jù)線3中設(shè)置的開關(guān)元件構(gòu)成，其開關(guān)工作被構(gòu)成為由數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8進(jìn)行時(shí)序控制。此外，預(yù)充電電路9是為了在圖像信號Sv的施加前對數(shù)據(jù)線3施加預(yù)充電電平而設(shè)置的。
此外，在此將顯示面板100構(gòu)成為利用“串-并變換”進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。即，如圖示那樣，設(shè)置了多條圖像信號線6(這里是4條)，將按排列順序分別連接到上述多條圖像信號線6上的數(shù)據(jù)線3(即，4條)歸納在1個(gè)組中，在每個(gè)組中，利用控制布線X(X1、X2、...)將與數(shù)據(jù)線3對應(yīng)的開關(guān)元件連接到數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8上。然后，經(jīng)控制布線X1、X2、...，將從在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8內(nèi)設(shè)置的移位寄存器依次輸出的脈沖作為取樣電路驅(qū)動(dòng)信號按順序輸入到取樣電路7中。此時(shí)，連接到同一控制布線X上的構(gòu)成一組的多個(gè)開關(guān)元件同時(shí)被驅(qū)動(dòng)。由此，被構(gòu)成為在數(shù)據(jù)線3的每個(gè)組中對圖像信號線6上的圖像信號進(jìn)行取樣。這樣，如果同時(shí)對多條圖像信號線6供給變換串行的圖像信號得到的并行的圖像信號，則由于在每個(gè)組中同時(shí)進(jìn)行對數(shù)據(jù)線3的圖像信號輸入，故可抑制驅(qū)動(dòng)頻率。
<驅(qū)動(dòng)電路的功能結(jié)構(gòu)>
圖2示出了顯示面板中的與數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)有關(guān)的電路系統(tǒng)。再有，對于該圖來說，為了簡單起見，只代表性地表示了連接到控制布線X1、X1上的組G1、G2的數(shù)據(jù)線3的系統(tǒng)，以下也根據(jù)這2個(gè)組的電路系統(tǒng)進(jìn)行更詳細(xì)的說明。
在此，圖像信號線6是4條，被構(gòu)成為分別供給圖像信號Sv1～Sv4。此外，取樣電路7的開關(guān)元件具體地說作為取樣用TFT71來構(gòu)成。取樣用TFT71的每一個(gè)在數(shù)據(jù)線3中在源-漏間串聯(lián)地連接，其柵連接到數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8上。再有，各條數(shù)據(jù)線3在與取樣電路7相反一側(cè)連接到多個(gè)像素部4上，對已被選擇的像素部4的液晶電容Cs供給信號電壓。此外，存儲(chǔ)電容器也可另外并列地連接到液晶電容Cs上。
<取樣電路的布局>
其次，參照圖3和圖4，說明驅(qū)動(dòng)電路的TFT陣列基板上的布局。
在本實(shí)施例的取樣電路7中，將并列的取樣用TFT71中的經(jīng)組的分界相鄰的2個(gè)取樣用TFT71配置成源布線和漏布線的排列方式彼此相反。
具體地說，用圖3中示出的布局配置了取樣用TFT71。與控制布線X1和X2對應(yīng)地將多個(gè)取樣用TFT71分成組G1和G2。組G1和G2分別包含4個(gè)取樣用TFT71而構(gòu)成，該4個(gè)取樣用TFT71包含取樣用TFT71A(圖中各組中的左端)和取樣用TFT71B(圖中各組中的右端)。取樣用TFT71A具備在數(shù)據(jù)線3的延伸方向上延伸地設(shè)置的源布線72S和漏布線72D以及在數(shù)據(jù)線3的延伸方向上被源布線72S和漏布線72D夾住的柵布線72G。取樣用TFT71B具備在數(shù)據(jù)線3的延伸方向上延伸地設(shè)置的源布線73S和漏布線73D以及在數(shù)據(jù)線3的延伸方向上被源布線73S和漏布線73D夾住的柵布線73G。
再有，圖4放大地表示了I-I’線中的TFT71A的剖面結(jié)構(gòu)。對于取樣用TFT71A來說，例如以這種方式將源布線72S和漏布線72D分別連接到在TFT陣列基板1上設(shè)置的半導(dǎo)體層74的源區(qū)74S和漏區(qū)74D上，通過在溝道區(qū)74C的上層經(jīng)柵絕緣膜75設(shè)置與溝道區(qū)74C正對的柵布線72G而形成柵。利用層間絕緣膜76對源布線72S、柵布線72G和漏布線72D進(jìn)行了電絕緣。此外，關(guān)于取樣用TFT71B，也具有與圖4中示出的同樣的結(jié)構(gòu)。
如圖3中所示，在取樣用TFT71中具有以柵區(qū)為其間而彼此對稱的結(jié)構(gòu)的TFT71A和TFT71B這2種，源布線72S和漏布線72D的排列方式與源布線73S和漏布線73D的排列方式彼此相反。在此，將取樣用TFT71排列成在組的邊界R處TFT71A與TFT71B相鄰。再有，在各組內(nèi)，除了位于一方的最端部的TFT71B外，全部用TFT71A來構(gòu)成，源布線和漏布線的排列方式是統(tǒng)一的。
<顯示面板的工作>
在這樣的顯示面板100中，在一個(gè)水平掃描期間中對各數(shù)據(jù)線3供給圖像信號Sv時(shí)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8通過按規(guī)定的時(shí)序?qū)刂撇季€X1、X2、...依次輸入控制信號在每個(gè)組中控制取樣用TFT71的導(dǎo)通/關(guān)斷。與該取樣控制同步地，各組中取樣用TFT71成為導(dǎo)通狀態(tài)，與被許可了信號輸入的組的各數(shù)據(jù)線3對應(yīng)的圖像信號Sv1～Sv4在圖像信號線6上被取樣，同時(shí)供給對應(yīng)的4條數(shù)據(jù)線3。
現(xiàn)在，假定對控制布線X1施加電壓，對組G1供給了圖像信號Sv1～Sv4(參照圖2和圖3)。此時(shí)，只是組G1的取樣用TFT71為導(dǎo)通狀態(tài)，除此以外的取樣用TFT71全部為關(guān)斷狀態(tài)。于是，分別對組G1的取樣用TFT71的源布線72S、73S和漏布線72D、73D施加了與所輸入的圖像信號Sv(Sv1～Sv4)對應(yīng)的電壓。
此時(shí)，在相鄰的取樣用TFT71相互間，在通過以層間絕緣膜76為電介質(zhì)膜對向而起到電容電極的功能的布線部分間存在寄生電容。而且，特別是在最接近的布線間，這樣的寄生電容很大。此外，由于像素間距隨高清晰化而變窄，隨著取樣用TFT71的間隔變窄，其電介質(zhì)膜變薄，故寄生電容增大了。在工作中的組G1中，根據(jù)與該布線系統(tǒng)耦合的寄生電容的大小，主要在相鄰的源布線72S與漏布線72D之間相互受到電位變動(dòng)的影響。因而，在數(shù)據(jù)線3、進(jìn)而在像素部4中或多或少地產(chǎn)生起因于與原來供給的圖像信號不同的圖像信號的電位變動(dòng)。在嚴(yán)格的意義上說，這些電位變動(dòng)全部可成為重影發(fā)生的原因。
但是，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)了，與這樣的組內(nèi)的取樣用TFT71之間的寄生電容相比，屬于彼此不同的組的、在組與組的邊界上相鄰的取樣用TFT71之間的寄生電容(以下，稱為組間電容)對圖像質(zhì)量的影響顯著地大。
參照圖5至圖7來說明這一點(diǎn)。在此，圖5是示出了本實(shí)施例的情況的取樣電路內(nèi)的寄生電容的狀況的等效的電路圖。圖6和圖7是示出了比較例的情況的取樣電路內(nèi)的寄生電容的狀況的等效的電路圖。
如圖5中所示，在組G1內(nèi)或組G2內(nèi)，在TFT71A的源布線72S和不與該源布線72S夾住邊界R而接近的TFT71A的漏布線72D之間寄生了寄生電容C21。另一方面，在組G1與組G2之間，在組G2的TFT71B的源布線73S和與該源布線73S夾住邊界R而接近的TFT71A的源布線72S之間寄生了寄生電容C11。此時(shí)的組間電容C11是對向地配置源布線而構(gòu)成的寄生電容。
與此不同，設(shè)想如圖6中所示在全部的取樣用TFT71中源布線和漏布線的排列方式是統(tǒng)一的、即全部統(tǒng)一為TFT71A的比較例。在該比較例的情況下，如用圖6和圖7所示那樣，不管在組內(nèi)或組間，在TFT71A的源布線72S和與該源布線72S接近的TFT71A的漏布線72D之間寄生了寄生電容C21。即，以夾住邊界R的方式寄生了組間電容C21。此時(shí)的組間電容C21是對向地配置源布線和漏布線而構(gòu)成的寄生電容。
通常，已知如果在像素單位中看圖像不會(huì)急劇地變化，相鄰的像素之間進(jìn)行相似的顯示。即，像素之間越接近，像素的信號電壓就越?jīng)]有差別。因而，對于組內(nèi)來說，本實(shí)施例的情況也好、比較例的情況也好，可基本上減小因寄生電容C21產(chǎn)生的相鄰的布線間的電位變動(dòng)的不良影響。再者，即使是假定在像素單位中急劇地變化的情況，如果是相鄰的像素間的急劇的變化，則由于相鄰的取樣用TFT71間的寄生電容的緣故，即使在連接到相鄰的數(shù)據(jù)線上的像素行間產(chǎn)生重影，要辨認(rèn)該重影也是非常困難的。例如，即使在白圖像與黑圖像的邊界附近顯示了黑線或白線，通常幾乎或在實(shí)踐的意義上完全不能辨認(rèn)只是一線部分的、例如只是離開十幾μm的細(xì)的該黑線或白線。
但是，在比較例的情況下，在應(yīng)對組G1供給圖像信號的期間中，在組G1的一個(gè)邊界R處，直接連接到圖像信號線6上的源布線72S中的電位變動(dòng)經(jīng)組間電容C22傳遞給與其相鄰的漏布線72D而不經(jīng)過在哪一個(gè)TFT中都被關(guān)斷了的溝道區(qū)?；蛘?，在應(yīng)對組G1供給圖像信號的期間中，在組G1的另一個(gè)邊界R處，直接連接到圖像信號線6上的源布線72S中的電位變動(dòng)經(jīng)組間電容C22傳遞給處于被供給了來自圖像信號線6的圖像信號的狀態(tài)的漏布線72D。作為該情況的具體例，由本發(fā)明的發(fā)明者觀察了例如如果在組G1中供給使右端的像素部4進(jìn)行黑顯示的圖像信號Sv1則使左端的像素部4進(jìn)行白顯示這樣的現(xiàn)象。這起因于寄生電容C22與圖像信號Sv1對應(yīng)地使左端的像素部4中的施加電壓有效地減少的事實(shí)。
此外，由于組間電容C22以這種方式使在組內(nèi)在一端排列的數(shù)據(jù)線3的電位作用于另一端的數(shù)據(jù)線3的電位，故其影響在以組的周期部分分離的像素中呈現(xiàn)。因而，與在相鄰的像素間發(fā)生的噪聲相比，非常容易辨認(rèn)。這樣，按照圖6和圖7中示出的比較例，因組間電容C22引起的不良影響作為通過在顯示畫面上隔開一定的距離而變得明顯的重影在視覺上引人注目地被識(shí)別。
與此不同，在本實(shí)施例中，對取樣用TFT71進(jìn)行布局，使得在組的邊界R處不是組G1的一側(cè)的漏布線73D而是源布線72S接近于組G2一側(cè)的源布線73S。由于兩者都直接連接到圖像信號線6上，故這里的組間電容C11是電位極為穩(wěn)定的源布線相互間被對向地配置而構(gòu)成的寄生電容。而且，即使存在電位變動(dòng)的影響，因取樣用的TFT的柵的抑制，故也可認(rèn)為該影響幾乎不到達(dá)數(shù)據(jù)線3一側(cè)。
這樣，按照圖5中示出的本實(shí)施例，減輕了起因于組間電容C22的象比較例那樣的數(shù)據(jù)線3、進(jìn)而是像素部4中的電位變動(dòng)，可進(jìn)行圖像顯示而幾乎或完全不產(chǎn)生因重影等引起的圖像質(zhì)量的惡化。此外，通過對現(xiàn)有的取樣電路只作一部分的布局變更，可得到減輕組間電容這樣的特別大的寄生電容成分、飛躍地改善圖像質(zhì)量這樣的大的效果。
再者，通過以這種方式減少特別是對圖像質(zhì)量的影響大的寄生電容成分，可使與寄生電容處于折衷的關(guān)系的取樣用TFT71的布線間距變窄(不降低圖像質(zhì)量)。于是，與以往相比，可謀求顯示面板100的高清晰化。
(變形例1)圖8表示第1實(shí)施例中的取樣電路的第1變形例。在第1實(shí)施例中，說明了將各組的取樣用TFT71配置成源布線相互間以邊界R為界而相鄰的情況，在本變形例中，被構(gòu)成為漏布線相互間以邊界R為界而相鄰。例如，在該圖中示出的例子中，取樣用TFT71的各組除了將左端定為TFT71B外全部用TFT71A來構(gòu)成，以邊界R為界在左邊配置TFT71A，在右邊配置TFT71B(在第1實(shí)施例中，在組的右端配置TFT71B，以邊界R為界使TFT71B在左邊，使TFT71A在右邊)。
在這樣的排列布局中，也可減輕組間電容，可顯示抑制了重影等的高品位的圖像。進(jìn)而，可實(shí)現(xiàn)因取樣用TFT71的間距變窄導(dǎo)致的高清晰化而不降低圖像質(zhì)量。
(變形例2)圖9表示第1實(shí)施例中的取樣電路的第2變形例。在第1實(shí)施例和第1變形例中，說明了取樣用TFT71的各組除了將一端定為TFT71B外全部用TFT71A來構(gòu)成的情況，在本變形例中，使取樣用TFT71的布線的排列方式以組為單位交替地相反。例如，在該圖的例子中，組G1成為排列了TFT71A的結(jié)構(gòu)，組G2成為排列了TFT71B的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，源布線相互間以邊界R為界而相鄰，也可得到與第1實(shí)施例同樣的效果。
〔第2實(shí)施例〕其次，參照圖10和圖11說明第2實(shí)施例。與第2實(shí)施例有關(guān)的電光裝置的主要結(jié)構(gòu)與第1實(shí)施例是同樣的，只是取樣電路的布局不同。因而，對于與第1實(shí)施例同樣的構(gòu)成要素附以同一符號，適當(dāng)?shù)厥÷云湔f明。
圖10表示了與第2實(shí)施例有關(guān)的取樣電路的結(jié)構(gòu)。對于該取樣電路17來說，并列了同一結(jié)構(gòu)的TFT(在此是TFT71A)而構(gòu)成，將經(jīng)組的邊界R相鄰的TFT71A相互間的間隔W1設(shè)定得比在組內(nèi)相鄰的TFT71A的間隔W2大。
此時(shí)，可利用間隔W1來減少組間電容(圖7電容C22)。于是，可減輕起因于數(shù)據(jù)線3進(jìn)而是像素部4的電容C22的電壓變動(dòng)，可進(jìn)行圖像顯示而幾乎或完全不產(chǎn)生因重影等引起的圖像質(zhì)量的惡化。
再者，通過以這種方式減少特別是對圖像質(zhì)量的影響大的寄生電容成分，可使與寄生電容處于折衷的關(guān)系的取樣用TFT71的布線間距變窄(不降低圖像質(zhì)量)。于是，與以往相比，可謀求顯示面板100的高清晰化。
(應(yīng)用例)圖11表示了第2實(shí)施例中的取樣電路的應(yīng)用例。在本應(yīng)用例中，在經(jīng)邊界R相鄰的TFT71A的間隙W1中設(shè)置了連接到柵上的柵布線72G的一部分。即，不僅在每個(gè)組中將柵布線72G共同地連接到控制布線X1、X2、...上，而且如該圖中所示，將柵布線72G的共同部分迂回地延伸到TFT71A的各組的外周。由此，從組的左右兩側(cè)對各柵布線72G供給取樣電路驅(qū)動(dòng)信號。再有，如果以這種方式冗余地形成柵布線72G，則即使其一部分發(fā)生斷線，也可正常地驅(qū)動(dòng)TFT71A。
在這樣的布線結(jié)構(gòu)中，通過利用間隙W1對柵布線72G的一部分進(jìn)行布線，可作成沒有浪費(fèi)的布線布局。
再者，與上述的第2實(shí)施例和應(yīng)用例有關(guān)的取樣電路，如在第1實(shí)施例及其變形例中已說明的那樣，也可進(jìn)行將經(jīng)邊界R相鄰的取樣用TFT71配置成源布線相互間或漏布線相互間相鄰的變形。此時(shí)，可進(jìn)一步減少組間電容。
〔第3實(shí)施例〕其次，參照圖12和圖13說明第3實(shí)施例。與第3實(shí)施例有關(guān)的電光裝置的主要結(jié)構(gòu)與第1實(shí)施例是同樣的，只是取樣電路的布局不同。因而，對于與第1實(shí)施例同樣的構(gòu)成要素附以同一符號，適當(dāng)?shù)厥÷云湔f明。
圖12表示了與第3實(shí)施例有關(guān)的取樣電路的結(jié)構(gòu)。對于該取樣電路27來說，并列了同一結(jié)構(gòu)的TFT(在此是TFT71A)而構(gòu)成，但是，只是作為經(jīng)組的邊界R相鄰的取樣用TFT71的一方的TFT71C在數(shù)據(jù)線3的延伸方向上錯(cuò)開距離L而被配置。
此時(shí)，組間電容(圖7電容C22)隨作為TFT71C的錯(cuò)開量的距離L而減少。于是，可減輕起因于數(shù)據(jù)線3進(jìn)而是像素部4的電容C22的電壓變動(dòng)，可進(jìn)行圖像顯示而幾乎或完全不產(chǎn)生因重影等引起的圖像質(zhì)量的惡化。在本實(shí)施例中，特別是TFT71C錯(cuò)開了作為沿?cái)?shù)據(jù)線的延伸方向的各TFT的長度以上的距離邊界L，而且，TFT71C中的朝向組的外側(cè)的源布線在不與相鄰的組的TFT對向的方向上錯(cuò)開了。即，TFT71C中的朝向組的外側(cè)的源布線以對著朝向相鄰的組的外側(cè)的漏布線的位置(即，相對向的位置)為前方而迎合終端。因而，較大地減少了TFT71C中的朝向組的外側(cè)的源布線和與其相鄰的朝向組的外側(cè)的漏布線之間的寄生電容。
此外，在此通過從排列TFT71A的結(jié)構(gòu)中分離出TFT71C，可使TFT71A的間隔窄了TFT71C的寬度。于是，與組間電容的減少相結(jié)合，可使布線間距變窄(不降低圖像質(zhì)量)?？芍\求顯示面板100的高清晰化。
再有，作為本實(shí)施例的變形例，如圖13中所示，也可采取錯(cuò)開與圖12相反一側(cè)的TFT71C的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，TFT71C中的朝向組的外側(cè)的漏布線包含對著朝向相鄰的組的外側(cè)的源布線的位置(即，相對向的位置)進(jìn)行了布線。因而，如果與圖12中示出的第3實(shí)施例相比，則雖然減少寄生電容的效果多少差一些，但在本變形例的情況下，也能相應(yīng)地得到減少寄生電容的效果，同時(shí)也可使構(gòu)成取樣電路的TFT71A的間隙變窄。此外，作為其它的變形例，如在第1實(shí)施例及其變形例中已說明的那樣，如果將經(jīng)邊界R相鄰的取樣用TFT71配置成源布線相互間或漏布線相互間相鄰，則可進(jìn)一步減少組間電容。
〔電子設(shè)備〕其次，說明將以上已說明的電光裝置應(yīng)用于各種電子設(shè)備的情況。
(投影機(jī))首先，說明將作為該電光裝置的液晶裝置用作光閥的投影機(jī)。圖14是示出投影機(jī)的結(jié)構(gòu)例的平面圖。如該圖中所示，在投影機(jī)1100的內(nèi)部設(shè)置了由鹵素?zé)舻劝咨庠礃?gòu)成的燈單元1102。從該燈單元1102射出的投射光由光引導(dǎo)體1104內(nèi)配置的4片反射鏡1106和2片分色鏡1108分成RGB這3原色，入射到作為與各原色對應(yīng)的光閥的液晶裝置1110R、1110B和1110G上。液晶裝置1110R、1110B和1110G的結(jié)構(gòu)與上述的電光裝置是同等的，在上述各個(gè)液晶裝置中對從圖像信號處理電路供給的R、G、B的原色信號進(jìn)行調(diào)制。被這些液晶裝置調(diào)制了的光從3個(gè)方向入射到分色棱鏡1112上。在分色棱鏡1112中，使R和B的光折射90度，另一方面，G的光直接行進(jìn)。由此合成各色的圖像，經(jīng)投射透鏡1114將彩色圖像投射到屏幕等上。
(移動(dòng)型計(jì)算機(jī))其次，說明將作為該電光裝置的液晶裝置應(yīng)用于移動(dòng)型的個(gè)人計(jì)算機(jī)的例子。圖15是示出該個(gè)人計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)的斜視圖。個(gè)人計(jì)算機(jī)1200由具備鍵盤1202的本體部1204和液晶顯示單元1206構(gòu)成。液晶顯示單元1206成為在作為上述的電光裝置的液晶裝置1005中附加了背照光源的結(jié)構(gòu)。
(攜帶電話機(jī))再者，說明將作為該電光裝置的液晶裝置應(yīng)用于攜帶電話機(jī)的例子。圖16是示出該攜帶電話機(jī)1300的結(jié)構(gòu)的斜視圖。在該圖中，攜帶電話機(jī)1300具備多個(gè)操作按鈕1302，同時(shí)具備作為上述的電光裝置的液晶裝置1005。在該反射型的液晶裝置1005中，根據(jù)需要在其前面設(shè)置前光源。
以上，舉出液晶裝置作為本發(fā)明的電光裝置的一個(gè)具體例進(jìn)行了說明，但除此以外，本發(fā)明的電光裝置也可作為例如電子紙等的電泳裝置或使用了電子發(fā)射元件的顯示裝置(場發(fā)射顯示器和表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射顯示器)等來實(shí)現(xiàn)。此外，本發(fā)明的這樣的電光裝置除了前面已說明的電子設(shè)備外，還可應(yīng)用于電視接收機(jī)、尋像器型或監(jiān)視器直接觀察型的磁帶攝像機(jī)、車輛導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子筆記本、計(jì)算器、文字處理器、工作站、可視電話、POS終端、具備觸摸面板的裝置等。
本發(fā)明不限于上述的實(shí)施例，在不違反從技術(shù)方案的范圍和說明書整體讀取的發(fā)明的要旨或思想的范圍內(nèi)，可作適當(dāng)?shù)淖兏?，伴隨這樣的變更的驅(qū)動(dòng)電路、具備該驅(qū)動(dòng)電路的電光裝置和電子設(shè)備也包含在本發(fā)明的技術(shù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其特征在于具備基板；在基板上的圖像顯示區(qū)域中互相交叉地排列的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線；以及連接到上述多條掃描線和上述多條數(shù)據(jù)線上的多個(gè)像素部，在上述基板上的位于上述圖像顯示區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域中具備供給進(jìn)行了串-并變換的n(其中，n是2或2以上的自然數(shù))個(gè)圖像信號的n條圖像信號線，在上述周邊區(qū)域中具備取樣電路，上述取樣電路包含多個(gè)薄膜晶體管，上述多個(gè)薄膜晶體管分別具備(i)連接到從上述數(shù)據(jù)線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的漏布線上的漏，(ii)連接到從上述圖像信號線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的源布線上的源，(iii)在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上被夾持于上述漏布線和上述源布線間而延伸地設(shè)置的柵，且上述多個(gè)薄膜晶體管與上述多條數(shù)據(jù)線對應(yīng)地排列；以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，其對于連接到上述多條數(shù)據(jù)線中的同時(shí)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的n條數(shù)據(jù)線上的n個(gè)薄膜晶體管構(gòu)成的每個(gè)組，將上述取樣電路的驅(qū)動(dòng)信號供給上述柵，上述多個(gè)薄膜晶體管中的經(jīng)上述組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的夾著上述柵的上述源布線和上述漏布線的排列方式配置成彼此相反。
2.如權(quán)利要求1中所述的電光裝置，其特征在于在上述每個(gè)組中，上述n個(gè)薄膜晶體管，除了經(jīng)上述分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的一方外，上述排列方式是統(tǒng)一的。
3.如權(quán)利要求1中所述的電光裝置，其特征在于在上述每個(gè)組中，上述n個(gè)薄膜晶體管中，上述排列方式是統(tǒng)一的，在相鄰的二個(gè)組間，上述排列方式彼此相反。
4.如權(quán)利要求1中所述的電光裝置，其特征在于上述多個(gè)薄膜晶體管的按其排列順序夾著上述柵的上述源布線和上述漏布線的排列方式交替地相反，上述n是偶數(shù)。
5.一種電光裝置，其特征在于具備基板；在基板上的圖像顯示區(qū)域中互相交叉地排列的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線；以及連接到上述多條掃描線和上述多條數(shù)據(jù)線上的多個(gè)像素部，在上述基板上的位于上述圖像顯示區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域中具備供給進(jìn)行了串-并變換的n(其中，n是2或2以上的自然數(shù))個(gè)圖像信號的n條圖像信號線，在上述周邊區(qū)域中具備取樣電路，上述取樣電路包含多個(gè)薄膜晶體管，上述多個(gè)薄膜晶體管分別具備(i)連接到從上述數(shù)據(jù)線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的漏布線上的漏，(ii)連接到從上述圖像信號線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的源布線上的源，(iii)在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上被夾持于上述漏布線和上述源布線間而延伸地設(shè)置的柵，且上述多個(gè)薄膜晶體管與上述多條數(shù)據(jù)線對應(yīng)地排列；以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，其對于連接到上述多條數(shù)據(jù)線中的同時(shí)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的n條數(shù)據(jù)線上的n個(gè)薄膜晶體管構(gòu)成的每個(gè)組，將上述取樣電路的驅(qū)動(dòng)信號供給上述柵，將上述多個(gè)薄膜晶體管中的經(jīng)上述組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的間隙設(shè)定得比在上述組內(nèi)相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的間隙大。
6.如權(quán)利要求5中所述的電光裝置，其特征在于在經(jīng)上述分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的間隙中布有連接到上述柵上的柵布線的一部分。
7.如權(quán)利要求1中所述的電光裝置，其特征在于經(jīng)上述分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管配置成上述源布線相互間相鄰。
8.如權(quán)利要求1中所述的電光裝置，其特征在于經(jīng)上述分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管配置成上述漏布線相互間相鄰。
9.一種電光裝置，其特征在于具備基板；在基板上的圖像顯示區(qū)域中互相交叉地排列的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線；以及連接到上述多條掃描線和上述多條數(shù)據(jù)線上的多個(gè)像素部，在上述基板上的位于上述圖像顯示區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域中具備供給進(jìn)行了串-并變換的n(其中，n是2或2以上的自然數(shù))個(gè)圖像信號的n條圖像信號線，在上述周邊區(qū)域中具備取樣電路，上述取樣電路包含多個(gè)薄膜晶體管，上述多個(gè)薄膜晶體管分別具備(i)連接到從上述數(shù)據(jù)線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的漏布線上的漏，(ii)連接到從上述圖像信號線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的源布線上的源，(iii)在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上被夾持于上述漏布線和上述源布線間而延伸地設(shè)置的柵，且上述多個(gè)薄膜晶體管與上述多條數(shù)據(jù)線對應(yīng)地排列；以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，其對于連接到上述多條數(shù)據(jù)線中的同時(shí)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的n條數(shù)據(jù)線上的n個(gè)薄膜晶體管構(gòu)成的每個(gè)組，將上述取樣電路的驅(qū)動(dòng)信號供給上述柵，使上述多個(gè)薄膜晶體管中的經(jīng)上述組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的一方在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上錯(cuò)開地配置。
10.如權(quán)利要求9中所述的電光裝置，其特征在于上述二個(gè)薄膜晶體管的一方錯(cuò)開了沿上述數(shù)據(jù)線的延伸方向的上述多個(gè)薄膜晶體管的長度或該長度以上，而且，上述二個(gè)薄膜晶體管的一方中的朝向上述組的外側(cè)的上述源布線和上述漏布線的一方在不與上述二個(gè)薄膜晶體管的另一方對向的方向上錯(cuò)開。
11.一種電子設(shè)備，其特征在于具備下述的電光裝置，上述電光裝置具備基板；在基板上的圖像顯示區(qū)域中互相交叉地排列的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線；以及連接到上述多條掃描線和上述多條數(shù)據(jù)線上的多個(gè)像素部，在上述基板上的位于上述圖像顯示區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域中具備供給進(jìn)行了串-并變換的n(其中，n是2或2以上的自然數(shù))個(gè)圖像信號的n條圖像信號線，在上述周邊區(qū)域中具備取樣電路，上述取樣電路包含多個(gè)薄膜晶體管，上述多個(gè)薄膜晶體管分別具備(i)連接到從上述數(shù)據(jù)線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的漏布線上的漏，(ii)連接到從上述圖像信號線起在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的源布線上的源，(iii)在上述數(shù)據(jù)線的延伸方向上被夾持于上述漏布線和上述源布線間而延伸地設(shè)置的柵，且上述多個(gè)薄膜晶體管與上述多條數(shù)據(jù)線對應(yīng)地排列；以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，其對于連接到上述多條數(shù)據(jù)線中的同時(shí)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的n條數(shù)據(jù)線上的n個(gè)薄膜晶體管構(gòu)成的每個(gè)組，將上述取樣電路的驅(qū)動(dòng)信號供給上述柵，上述多個(gè)薄膜晶體管中的經(jīng)上述組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的夾著上述柵的上述源布線和上述漏布線的排列方式配置成彼此相反。
全文摘要
在具備供給進(jìn)行了串－并變換的n個(gè)圖像信號的n條圖像信號線的電光裝置中，驅(qū)動(dòng)電路包含取樣電路，該取樣電路包含多個(gè)薄膜晶體管，該多個(gè)薄膜晶體管分別具備(i)連接到從數(shù)據(jù)線起在數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的漏布線上的漏，(ii)連接到從圖像信號線起在數(shù)據(jù)線的延伸方向上延伸地設(shè)置的源布線上的源，(iii)被漏布線和源布線間夾住并延伸地設(shè)置的柵，同時(shí)該多個(gè)薄膜晶體管與多條數(shù)據(jù)線對應(yīng)地排列。多個(gè)薄膜晶體管中的經(jīng)組的分界相鄰的二個(gè)薄膜晶體管的夾住柵的源布線和漏布線的排列方式彼此相反。由此，減少了基于取樣電路內(nèi)的薄膜晶體管相互間的寄生電容的圖像不良。
文檔編號G02F1/1362GK1591149SQ20041007390
公開日2005年3月9日 申請日期2004年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月28日
發(fā)明者望月宏明, 內(nèi)田雅秀, 山崎康二 申請人:精工愛普生株式會(huì)社