專利名稱：廣視角超微型穿透反射式垂直配向型液晶顯示器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種平面顯示裝置，且特別是涉及一種廣視角的穿透反射式(Transflective type)液晶顯示器(LCD)。
背景技術：
長久以來，液晶顯示器早已廣泛的應用于電子手表、計算機等數(shù)位化的電子產品上。隨著薄膜晶體管-液晶顯示器(TFT-LCD)技術持續(xù)的發(fā)展與進步，加上其具有體積小、重量輕、驅動電壓低、以及消耗功率低的優(yōu)點，而被大量的應用于筆記型電腦、個人數(shù)位化處理系統(tǒng)、以及彩色電視上，并逐漸的取代傳統(tǒng)體積龐大的陰極射線影像管(CRT)顯示器。
在液晶顯示器的發(fā)展上，一開始是以穿透式(Transitive type)液晶顯示器為發(fā)展主軸。一般穿透式的液晶顯示器，其光源是內建于顯示器的背面，稱為背光源(back light)。所以其顯示電極(pixel electrode)的材料必須使用透明的導電材料，比如是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide；ITO)。穿透式液晶顯示器所使用的背光源，為其耗電最多的組件，加上一般液晶顯示器多半應用在可攜式電腦與通訊產品上，多半必須使用電池來供應電能。因此如何降低液晶顯示器的耗電量，成為一個主流的研究方向。此外，由于穿透式液晶顯示器在戶外，尤其是在太陽光下使用時會產生炫光，造成顯示對比降低，以致影像顯示并不清晰。
反射式的液晶顯示器因此應運而生，其光源是利用外在的自然光源或人工光源，所以需要反射層來反射外來光線，傳統(tǒng)上利用顯示電極作為反射層，顯示電極所使用的材料是會反射外來光線的導電材料，一般是使用金屬鋁。反射式LCD為了能達到較好的反射效果，顯示電極的表面為凹凸不平的表面，來增加光線的反射效果。不過，反射式液晶顯示器還是有一個問題，也就是當外來光源亮度不夠時，反射式LCD將無法顯示清晰的影像，因此半穿透半反射式或稱為穿透反射式的LCD便成為下一個研發(fā)的目標。穿透反射式LCD的作法為將由金屬鋁所做成的顯示電極的中央部份挖出一個或多個開口，由ITO來填補。如此在外來光源亮度不夠的時候，就可以打開背光源，由背光源來提供光線。
在液晶顯示器中，傳統(tǒng)的扭轉向列(twisted nematic，TN)型液晶顯示器最被廣泛使用，且多為單一區(qū)域(Single Domain)的結構。目前的反射式和穿透反射式液晶顯示器多為RTN(reflective twisted nematic)LCD、MTN-LCD(Mixed mode TN-LCD)，在LCD panel外側加以正交偏光片(cross-polarizers)，和補償膜。其在穿透模式的視角有先天上的缺陷，左右各約40度，上下各約30度。加以對比很低，僅約15∶1到50∶1。而且色散不佳，難以在高品質的產品有所應用。其制造工藝中所應用到的定向摩擦技術(Rubbing Process)更有靜電(ESD)防制和粉塵(particles)污染的問題。
再加上傳統(tǒng)的反射層高低落差很大，約在0.5-1.5微米(μm)，會對液晶盒間隙(cell gap)造成變化。一般在固定條件下，反射效果跟液晶盒的相位延遲(Retadation)量R有關，且延遲量R跟間隙變化量Δd以及液晶的復屈折率(birefringence)Δn有關。通常反射式用的液晶分子的復屈折率Δn約為0.06-0.1，倘若間隙變化量Δd若為0.5-1.5μm，造成Δnd變化量(Δndj-Δndi)約為0.06-0.15μm，因而造成反射光效率過低，從理想的100％降到60-85％不等，無法有效地將周遭光源反射到使用者的眼睛，而導致顯示器的顯示效果不佳。因此，傳統(tǒng)的穿透反射式LCD難以應用在可攜式的顯示裝置上，比如手機、個人數(shù)字助理(PAD)、筆記型電腦、可攜式電視等等。如何可達到省電抗炫光等需求也就成為目前所需要解決的課題。

發(fā)明內容
因此本發(fā)明的目的之一在于提供一種穿透反射式垂直配向型液晶顯示器，直接利用反射層作為下層電極，同時兼作散亂層，提升反射效率，并可以使制造工藝步驟簡化，降低生產成本。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種穿透反射式垂直配向型液晶顯示器，利用電極的設計區(qū)隔出數(shù)個區(qū)域，并且搭配上層電極，形成多域分割結構，增進液晶顯示器的顯示視角。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種穿透反射式垂直配向型液晶顯示器，在象素電極上形成凸塊層，使液晶分子形成預傾角，使液晶分子在施加電壓狀態(tài)時，能夠更順暢地隨多域分割所形成的電場扭轉，達到所需的傾斜角度，藉以獲得更大的視角。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種穿透反射式垂直配向型液晶顯示器，形成微型或超微型反射層可提高反射效率，增加外來光源的使用，減少背光源電源的消耗。
從一觀點，本發(fā)明提供一種穿透反射式垂直配向型液晶顯示器。此液晶顯示器至少包括兩片基板，在兩片基板之間具有一垂直配向型液晶層。在其中一片基板的內側表面上具有一粗糙層，且在粗糙層具有一導電反射層，其約略跟粗糙層共形，使其具有粗糙表面，而且在導電反射層中具有一第一電極開口，將導電反射層區(qū)隔成多個區(qū)域。在另一片基板的內側表面上則具有一透明導電層，其具有一第二電極開口，交錯對應于第一電極開口。在粗糙層上更可具有一凸塊層，藉此使垂直配向型液晶層內的液晶分子形成一預傾角度。
本發(fā)明的液晶顯示器直接利用導電反射層作為散亂層，同時兼作下層電極，可以提升反射效率，而且可以簡化制造工藝，降低成本，并且在導電反射層中形成電極開口圖案，將下層電極區(qū)隔出數(shù)個區(qū)域，不僅可以作為穿透區(qū)的開口，同時還可以形成多域分割結構，增進顯示視角。


為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。附圖中圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的一顯示單元的剖面結構示意圖。
圖2A所示為根據(jù)本發(fā)明的一顯示單元的下板的平面結構示意圖。
圖2B所示為根據(jù)本發(fā)明的一顯示單元的上板的平面結構示意圖。
圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的超微型反射層的剖面結構示意圖。
圖4所示為圖2A與圖2B的上板與下板重疊的平面結構示意圖。
圖5所示為根據(jù)本發(fā)明的一顯示單元的剖面結構示意圖。
圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的一顯示單元的剖面結構示意圖。
圖7A所示為根據(jù)本發(fā)明的一顯示單元的下板的平面結構示意圖。
圖7B所示為根據(jù)本發(fā)明的一顯示單元的上板的平面結構示意圖。
圖8所示為根據(jù)本發(fā)明的一顯示單元的剖面結構示意圖。
圖9所示為根據(jù)本發(fā)明的一顯示單元的平面結構示意圖。
圖10所示為根據(jù)本發(fā)明的一顯示單元的平面結構示意圖。
圖11A-11D所示為本發(fā)明不同實施例的電極開口的平面結構示意圖。
圖12所示為本發(fā)明超微型反射層跟PMOS型低溫多晶硅薄膜晶體管結合的結構剖面示意圖。
圖13所示為本發(fā)明超微型反射層跟CMOS型低溫多晶硅薄膜晶體管結合的結構剖面示意圖。
附圖標記說明100基板 110超微型粗糙層112銦錫氧化層 114含硅粗糙層120反射層130、130a、130b電極開口130c、130d、130e、130f電極開口140、140a凸塊層 200基板210透明電極層 220、220a電極開口300液晶層 400電場方向1002、1006源漏極區(qū)1004通道1020介電層1022柵極1030保護層1032、1034導線1102、1106源漏極區(qū)1104通道1122柵極 1132、1134導線LT穿透光線 LR反射光線具體實施方式
本發(fā)明提供一種穿透反射式垂直配向型液晶顯示器，直接利用反射層作為下層電極，并且在反射層中形成電極開口圖案，并且搭配上層透明電極，規(guī)劃出多個區(qū)域，形成多域分割結構，使液晶顯示器的顯示視角更廣。而且也可以搭配利用凸塊層使液晶分子形成預傾角度，更進一步加強顯示視角。本發(fā)明的反射層使用超微型反射層，可以達到極佳的反射效果，充分利用外來光源，減少液晶顯示器本身背光源電源的消耗。在不限制本發(fā)明的精神及應用范圍之下，即以下列實施例，介紹本發(fā)明的實施。本領域技術人員，在了解本發(fā)明的精神后，并在不脫離本發(fā)明的精神與范圍下，可將此結構應用于各種不同的液晶顯示器中，本發(fā)明的應用不僅限于以下所述的實施例。
圖1所示為本發(fā)明的一實施例的顯示單元的剖面結構示意圖，圖2A與2B所示為本發(fā)明的一實施例的顯示單元的平面結構示意圖，其中圖1的剖面結構是對應于圖2A與2B中的剖面線I-I與I′-I′。請同時參照圖1、2A、2B，本發(fā)明的液晶顯示器(LCD)主要包括下層透明基板100與上層透明基板200，透明基板100、200一般是由玻璃材質所構成。在下層基板100上，且在每一個顯示單元中形成有薄膜晶體管(未顯示)，用以控制顯示單元顯示與否。薄膜晶體管例如包括非晶硅(amorphous silicon)薄膜晶體管，多晶硅(polysilicon)薄膜晶體管等。其中多晶硅薄膜晶體管比如可包括PMOS型與CMOS型低溫多晶硅薄膜晶體管等。
接著在下層基板100上形成粗糙層110，此粗糙層110的制作可跟薄膜晶體管的制造工藝整合，且其可包含多種不同的形成方法，一般是在薄膜晶體管制作完成之后，在像素電極的位置上制作粗糙層110。本發(fā)明利用以下的技術形成具有超微粗糙表面的超微型粗糙層，且以超微粗糙層會有更好的反射效果。請參照圖3，首先在下層基板100上形成一層非結晶形或是部分結晶形銦錫氧化層(amorphous indium tin oxide layer；a-ITO)112。此非結晶形銦錫氧化層112是由氧化銦與氧化錫的混合物所構成，一般是利用化學氣相沉積(CVD)技術來形成，在制作的過程中，藉由制造工藝條件的控制，可將銦錫氧化層的晶體結構控制在非結晶形(amorphous crystal)的相區(qū)中，使銦錫氧化層晶體結構呈現(xiàn)散亂且極微小的晶體排列。
接著在a-ITO層112上形成一層含硅粗糙層114，其所選用的材質比如是非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(polysilicon)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或是氮氧化硅(SiONx)等，一般利用CVD技術，進行沉積成長，在形成此含硅粗糙層114的過程中，含硅粗糙層114的晶體排列會延續(xù)底下a-ITO層112的晶體結構并且受到影響，導致含硅粗糙層114頂部表面形成超微凹凸表面。在形成含硅粗糙層114的過程中，對于表面粗糙度的控制就極為重要。藉由制造工藝條件的控制，可將含硅粗糙層114表面的凸點顆?？刂圃跇O小的尺寸，所形成的平均凸點顆粒的長度L約為10-500奈米(nm)左右，且高度H約為5-100nm左右，其成形角度(shape angle)控制在約3-65度左右，如此即形成所需的超微粗糙層，以作為本發(fā)明的粗糙層110。上述的制造工藝是利用無機薄膜制造工藝，可比一般有機材料(制造工藝溫度小于攝氏250度)的反射式元件更耐高溫(制造工藝溫度約為攝氏400-500度)。
除了上述方式之外，也可以利用晶種層形成散亂且微小的晶體排列，來取代前述的a-ITO層112，其所選用的材質比如是非晶硅(amorphoussilicon)、多晶硅(polysilicon)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或是氮氧化硅(SiONx)等。然后在晶種層上形成含硅粗糙層114，在形成此含硅粗糙層114的過程中，含硅粗糙層114的晶體排列會受到晶種層影響，而形成所需的超微粗糙表面。倘若含硅粗糙層114選用非晶硅或是多晶硅材質，可以選用CVD制造工藝形成，在硅層形成之后，可進行高溫燒結長晶制造工藝，雷射結晶制造工藝以及去氫化制造工藝等等，來控制含硅粗糙層114表面的顆粒大小，藉此調整表面的粗糙度。此外，也可以直接利用硅靶材進行濺鍍(sputtering)制造工藝，形成具有微晶粒結構的硅層，作為含硅粗糙層114，利用此方式可直接形成粗糙層110。
在粗糙層110上形成有導電反射層120，作為下層的導電電極。由于粗糙層110與反射層120極易跟薄膜晶體管的制造工藝相整合，因此在制作過程中，可以減少2-3道光罩，使制造工藝步驟減少，大幅地降低制造成本。其中，反射層120是由具有高度反射特性的材質所構成，一般是使用金屬來形成，比如鋁(Al)、銀(Ag)或其合金，或是導電性多層膜反射層等。此外，反射層120也可由具有部分底部穿透的金屬層或是多層膜反射層所構成，比如是厚度較薄的金屬層，如此除了可以反射上面外來的光線之外，也可以透射部分來自底部背光源的光線。在形成過程中，控制反射層120的成長條件，可使反射層120約略跟底下的粗糙層110共形，因此反射層120的表面也就有跟粗糙層110一樣的凹凸表面。若使用超微型粗糙層，在形成反射層120時，可約略控制其階梯覆蓋性，使反射層120表面凸點的成形角度控制在約2-15度，且優(yōu)選是約7-12度，在此角度下會有優(yōu)選的反射效果。然后在反射層120中形成電極開口圖案130，在此一實施例中，開口130是形成近似“++”或是井字等圖案，如圖2A所示。電極開口130中分支的寬度W需根據(jù)象素面積的大小調整，且寬度W約為1-15微米左右。兩塊基板100與200之間的液晶盒間隙d與開口寬度W的比值(d/W)約為0.1-6左右。此開口130可僅形成在反射層120，如圖1所示，或是向下直到底下的下層基板100，如圖3所示，且開口頂部寬度WB為開口底部寬度WA的0.85-1.15倍。
以下將以PMOS型與CMOS型低溫多晶硅薄膜晶體管為例，其跟超微型反射層結合的結構進行更詳細的說明，但并非用以限定本發(fā)明的范圍。請參照圖12，其繪示PMOS型低溫多晶硅薄膜晶體管跟超微型反射層結合的結構剖面示意圖。PMOS型低溫多晶硅薄膜晶體管是形成在基板100上，對應于前述的基板。PMOS型低溫多晶硅薄膜晶體管例如圖12所示，包括P型摻雜的源漏極區(qū)1002與1006，以及中間的低溫多晶硅通道1004，在其上面覆蓋有一層介電層1020，并且在介電層1020上形成有柵極1022，對準底下的低溫多晶硅通道1004，構成低溫多晶硅薄膜晶體管。然后在柵極1022上覆蓋一層介電保護層1030，然后在象素區(qū)域形成a-ITO層112，并且于a-ITO層112中制作電極柵口130。之后在源漏極區(qū)1002與1006上分別經由接觸窗插塞(plug)連接到位于保護層1030上的導線1032與1034，其中導線1032可選擇性地連接到a-ITO層112，增進電場效應。然后在整個基板100之上覆蓋一層含硅粗糙層114，在a-ITO層112上的含硅粗糙層114即會形成超微粗糙表面。最后在象素區(qū)域的含硅粗糙層114上形成導電反射層120，經由導電插塞連接到下面的導線1032，作為象素電極，并且在其中形成電極開口130，也可直接從導電反射層120直接向下蝕刻直到底下的a-ITO層112，如圖3所示。
至于CMOS低溫多晶硅薄膜晶體管與上述的PMOS低溫多晶硅薄膜晶體管近似，不過在制作低溫多晶硅薄膜晶體管的過程中，還進行NMOS低溫多晶硅薄膜晶體管的制作。圖13所示為CMOS型低溫多晶硅薄膜晶體管跟超微型反射層結合的結構剖面示意圖。請參照圖13，在PMOS薄膜晶體管的旁邊同時制作NMOS薄膜晶體管，藉以構成CMOS晶體管，其中NMOS晶體管包括N+摻雜的源漏極區(qū)1102與1106，以及中間的低溫多晶硅通道1104。在源漏極區(qū)1102與1106鄰近的低溫多晶硅通道1104的區(qū)域可分別形成N-摻雜的區(qū)域1103與1105。至于柵極1122是形成在介電層1020上，并且對準底下的低溫多晶硅通道1104。
另一方面，在上層基板200的內側表面則形成有透明導電層210，作為上層電極，一般透明導電層210是由銦錫氧化物(ITO)或是銦鋅氧化物(IZO)所構成。在透明導電層210中同樣形成有電極開口220，此開口220的圖案是對應于底下的電極開口圖案130，跟開口130圖案交錯，藉以將顯示單元分隔成多個區(qū)域，形成多域分割(multi-domain)結構。最后在上下層基板100、200之間灌入垂直配向型液晶分子，也就是負型液晶分子(Δε＜0)，其具有復屈折射率Δn約為0.05-0.15，并且進行封裝等步驟，構成中間的液晶層300。上述所使用的液晶分子優(yōu)選是具有旋光性(Chiral)的液晶分子，或是摻雜旋光性液晶分子于液晶層中，且其自有旋轉周期(natural pitch)優(yōu)選是大約20微米。
圖4所示為圖2A與2B的上板與下板重疊的平面結構示意圖。請參照圖4，上下電極(即透明導電層210與導電反射層120)是以交錯方式排列，當電壓施加于上下電極時，即在上下電極之間形成多域分割的配向電場400，使液晶層300中的液晶分子受到電場的影響而傾斜扭轉，來控制透過液晶層300的光線，無須定向摩擦(rubbing)制造工藝。由于多域分割結構可以使透過上層基板200的光線角度更加均勻，藉此來增加顯示器的顯示視角。
圖5所示為根據(jù)本發(fā)明的一變化實施例的剖面結構示意圖。請參照圖5，除了上述的結構外，更可在電極開口圖案130中形成凸塊層140。此凸塊層140是壟起于粗糙層110上，其成形角度約在10-85度之間，使液晶層300中鄰近凸塊層140的液晶分子受到凸塊層140的輪廓影響，而形成預傾角度(pre-tilted angle)，使液晶分子在傾斜扭轉時可以更佳地順暢，更進一步地增進顯示視角，藉以得到更好的顯示效果。利用此凸塊層140可以取代傳統(tǒng)的摩擦(rubbing)技術，減少微粒污染的問題。此凸塊層140可以是光阻層，并且利用微影技術來形成，倘若底下的粗糙層110與凸塊層140均由光阻層所構成，可選擇在同一道制造工藝步驟中形成。
除了上述的實施例外，本發(fā)明還提供另一實施例，將電極開口的圖案予以變化。圖6所示為本發(fā)明的另一實施例的顯示單元的剖面結構示意圖，圖7A是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，繪示顯示單元的下板的平面結構示意圖，圖7B所示為顯示單元的上板的平面結構示意圖，其中圖6的剖面結構是對應于圖7A與7B中的剖面線II-II與II′-II′。請同時參照圖6、7A、7B，其中相同的標號請對照前述的實施例，于此不再贅述。在此實施例中，圖案開口變更成近似“+”圖案，其圖案分支的部分為平行或垂直于象素邊界，而形成圖案開口130a。同樣地，在透明導電層210中的開口圖案220a則必須跟著開口130a的圖案作對應的變更，藉以形成多域分割結構。
在粗糙層110上同樣可以形成凸塊層，在此一實施例中，凸塊層140a可形成在顯示單元的邊緣，以助于液晶層300邊緣的液晶分子形成預傾角度，當然在開口圖案130a中同樣還可以形成凸塊層，使液晶分子形成預傾角度以助于增進顯示視角。
除了上述的實施例外，本發(fā)明還提供另一實施例，在導電反射層中形成局部開口，并且在開口中形成透明導電電極，藉以調整反射區(qū)與穿透區(qū)的比例，使液晶顯示器的設計更具有彈性。其中，在穿透區(qū)中液晶盒的相位延遲Δn×dT優(yōu)選約為150-500nm，而在反射區(qū)中液晶盒的相位延遲Δn×dR優(yōu)選約為150-420nm。圖8所示為本發(fā)明的另一實施例的顯示單元的剖面結構示意圖，圖9所示為本發(fā)明的另一實施例的顯示單元的平面結構示意圖，其中圖8的剖面結構是對應于圖9中的剖面線III-III。請同時參照圖8與圖9，其中相同的標號請對照前述的實施例，于此不再贅述。在此實施例中，在反射層120中增加了穿透開口132，來調整反射區(qū)與穿透區(qū)的比例，而且仍然維持前述實施例的功能。在結構上也有略微不同的變化，在下層基板100上先形成透明導電層102，其材質比如是銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。接著在圖案開口130a形成于透明導電層102中，然后在于透明導電層102上依序形成粗糙層110與導電反射層120。在粗糙層110與導電反射層120中必須形成圖案開口130a與穿透開口132的重疊圖案，使兩者重疊圖案的區(qū)域均為透光區(qū)，此穿透開口132的圖案可為矩形，如圖9所示。此外，透明導電層102的形成位置亦可改變，將其形成在粗糙層110與反射層120之間。如此，穿透區(qū)包含圖案開口130a與穿透開口132的區(qū)域，可以使穿透區(qū)的穿透光線LT增加，藉此調整穿透光線LT與反射光線LR的比例，使液晶顯示器在設計上更有彈性。
除了上述的實施例外，本發(fā)明的電極開口圖案還可以做不同的變化，例如將電極開口的圖案變成近似“+++”形狀，如圖10所示，使區(qū)隔出的區(qū)域更多，藉此使顯示視角更佳。當然。電極開口的圖案還可以是近似“×”形狀，形成電極開口130c，如圖11A所示，其開口分支傾斜于象素邊界，且分支的夾角θc優(yōu)選為90度左右，當然還可以隨象素的長度比調整其交角，大于或小于90度，或是在長方形象素中形成多個并排的形狀，如“××”。此外，還可形成其他的圖案，如圖11B所示的兩個連接的Y形，形成電極開口130d來進行分割，其中分支圖案的夾角θd優(yōu)選是大于90度。其中各個分支的邊界可為不平行的對邊，如圖11C中開口電極130e的邊界a1與a2，在分支邊緣的寬度大于中心的寬度?；蛘撸鐖D11D所示，開口電極130f的邊界b1與b2，其分支邊緣的寬度小于中心的寬度。
綜上所述，本發(fā)明提供一種穿透反射式垂直配向型液晶顯示器，根據(jù)穿透反射式液晶顯示器以及垂直配向型液晶顯示器的特性，將兩者結合，并且藉由反射層的巧妙設計，再搭配上層的透明電極，不僅可以形成多域分割結構，增進其顯示視角，提高對比度高達200∶1到600∶1以上，而且還可以簡化制造工藝步驟，降低成本。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領域的技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，可作出一些更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應當以后附的權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種穿透反射式垂直配向型液晶顯示器面板，至少包括一第一基板；一第二基板；一垂直配向型液晶層，位于該第一基板與該第二基板之間；一粗糙層，位于該第一基板的內側表面上，該粗糙層具有一粗糙表面；一導電反射層，位于該粗糙層上，該導電反射層與該粗糙層共形，使該導電反射層具有該粗糙表面，且該導電反射層中具有一第一電極開口，將該導電反射層區(qū)隔成多個區(qū)域；以及一透明導電層，位于該第二基板的內側表面上，該透明導電層具有一第二電極開口，交錯對應于該第一電極開口。
2.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該第一與第二基板包括玻璃基板。
3.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該垂直配向型液晶包含一負型液晶，具有復屈折射率Δn大致為0.05-0.15。
4.如權利要求3所述的液晶顯示器面板，其中該負型液晶包括旋光性液晶。
5.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層表面的高度差大致為5-100nm。
6.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層表面的凸點顆粒的成形角度大致為3-65度。
7.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層為無機材料層。
8.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層需由多層材料以上才可以形成。
9.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層至少包括一非結晶形銦錫氧化層與一含硅粗糙層。
10.如權利要求9所述的液晶顯示器面板，其中該含硅粗糙層的材質是選自于非晶硅、多晶硅、氮化硅、氧化硅與氮氧化硅所組成族群的其中之一。
11.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層至少包括一含硅粗糙層。
12.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層至少包括一晶種層與一含硅粗糙層。
13.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該導電反射層包括具有高反射性的金屬層。
14.如權利要求13所述的液晶顯示器面板，其中該導電反射層包括具有部分底部穿透的金屬層。
15.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該導電反射層的材質是選自于由鋁、銀及其合金所組成族群的其中之一。
16.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該導電反射層包括導電性多層膜反射層。
17.如權利要求16所述的液晶顯示器面板，其中該導電性多層膜反射層包括具有部分底部穿透的多層膜反射層。
18.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該第一開口電極具有一開口寬度，且該開口寬度約為1-15微米。
19.如權利要求18所述的液晶顯示器面板，其中該第一與第二基板之間具有一液晶盒間隙，且該液晶盒間隙與該開口寬度的比值約為0.1-6。
20.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該第一開口電極具有一開口頂部寬度與一開口底部寬度，且該開口頂部寬度與該開口底部寬度的比值約為0.85-1.15。
21.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，還包括一薄膜晶體管連接于該導電反射層。
22.如權利要求21所述的液晶顯示器面板，其中該薄膜晶體管包括PMOS型或CMOS型低溫多晶硅薄膜晶體管。
23.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該透明導電層的材質包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
24.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，其中該第一電極開口的形狀包括“+”形、“×”形或兩個連接的Y形，用于形成多域分割。
25.如權利要求24所述的液晶顯示器面板，具有該“+”形與“×”形的該第一電極開口的夾角大致為90度。
26.如權利要求24所述的液晶顯示器面板，具有第一電極開口的分支圖案的夾角大于90度。
27.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，還包括一凸塊層，位于該第一電極開口的該粗糙層上，使該垂直配向型液晶層內的液晶分子形成一預傾角度。
28.如權利要求1所述的液晶顯示器面板，還包括一穿透開口，位于該導電反射層與該粗糙層中，且該穿透開口中具有一透明導電層。
29.如權利要求28所述的液晶顯示器面板，其中該穿透開口的區(qū)域為一穿透區(qū)，其他部分的區(qū)域為一反射區(qū)，在該穿透區(qū)的液晶盒相位延遲約為150-500nm，且在該反射區(qū)的液晶盒相位延遲約為150-420nm。
30.一種穿透反射式垂直配向型液晶顯示器面板，至少包括一第一基板；一第二基板；一垂直配向型液晶層，位于該第一基板與該第二基板之間；一粗糙層，位于該第一基板的內側表面上，該粗糙層具有一粗糙表面；一導電反射層，位于該粗糙層上，該導電反射層約略跟該粗糙層共形，使該導電反射層具有該粗糙表面，且該導電反射層中具有一第一電極開口，將該導電反射層區(qū)隔成多個區(qū)域；一透明導電層，位于該第二基板的內側表面上，該透明導電層具有一第二電極開口，交錯對應于該第一電極開口；以及一凸塊層，位于該第一電極開口的該粗糙層上，使該垂直配向型液晶層內的液晶分子形成一預傾角度。
31.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該第一與第二基板包括玻璃基板。
32.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該垂直配向型液晶包含一負型液晶，具有復屈折射率Δn為0.05-0.15。
33.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該負型液晶包括旋光性液晶。
34.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層表面的高度差約為5-100nm。
35.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層表面的凸點顆粒的成形角度約為3-65度。
36.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層為無機材料層。
37.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層需由多層材料以上才可以形成。
38.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層至少包括一非結晶形銦錫氧化層與一含硅粗糙層。
39.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該含硅粗糙層的材質是選自于非晶硅、多晶硅、氮化硅、氧化硅與氮氧化硅所組成族群的其中之一。
40.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層至少包括一含硅粗糙層。
41.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該粗糙層至少包括一晶種層與一含硅粗糙層。
42.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該導電反射層包括具有高反射性的金屬層。
43.如權利要求42所述的液晶顯示器面板，其中該導電反射層包括具有部分底部穿透的金屬層。
44.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該導電反射層的材質是選自于由鋁、銀及其合金所組成族群的其中之一。
45.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該導電反射層包括導電性多層膜反射層。
46.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該導電性多層膜反射層包括具有部分底部穿透的多層膜反射層。
47.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該第一開口電極具有一開口寬度，且該開口寬度約為1-15微米。
48.如權利要求47所述的液晶顯示器面板，其中該第一與第二基板之間具有一液晶盒間隙，且該液晶盒間隙與該開口寬度的比值約為0.1-6。
49.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該第一開口電極具有一開口頂部寬度與一開口底部寬度，且該開口頂部寬度與該開口底部寬度的比值約為0.85-1.15。
50.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，還包括一薄膜晶體管連接于該導電反射層。
51.如權利要求50所述的液晶顯示器面板，其中該薄膜晶體管包括PMOS型或CMOS型低溫多晶硅薄膜晶體管。
52.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該透明導電層的材質包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
53.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，其中該第一電極開口的形狀包括“+”形、“×”形或兩個連接的Y形，用于形成多域分割。
54.如權利要求53所述的液晶顯示器面板，具有該“+”形與“×”形的該第一電極開口的夾角大致為90度。
55.如權利要求53所述的液晶顯示器面板，該第一電極開口分支圖案的夾角大于90度。
56.如權利要求30所述的液晶顯示器面板，還包括一穿透開口，位于該第二基板上，且該穿透開口中具有一透明導電層。
57.如權利要求56所述的液晶顯示器面板，其中該穿透開口的區(qū)域為一穿透區(qū)，其他部分的區(qū)域為一反射區(qū)，在該穿透區(qū)的液晶盒相位延遲約為150-500nm，且在該反射區(qū)的液晶盒相位延遲約為150-420nm。
全文摘要
一種穿透反射式垂直配向型液晶顯示器，在超微型反射層中形成部分穿透區(qū)域的圖案，并且直接利用超微型反射層作為下層電極，同時兼具散亂層效果，構成穿透反射式結構，不僅可以提供良好的反射效果，而且更可以簡化制造工藝步驟，降低制造成本。利用下層具開口圖案的電極跟上層透明的電極開口圖案對應，將顯示單元區(qū)隔出多個區(qū)域，形成多域分割結構，并且搭配垂直配向液晶分子，可使液晶顯示器達到廣視角的效果。
文檔編號G02F1/13GK1648722SQ20041000287
公開日2005年8月3日 申請日期2004年1月20日 優(yōu)先權日2004年1月20日
發(fā)明者劉鴻達 申請人:鴻揚光電股份有限公司