專利名稱：曝光掩模圖形的形成方法,曝光掩模圖形,以及半導體器件的制作方法
發(fā)明的領(lǐng)域本發(fā)明涉及到曝光掩模圖形的形成方法以及曝光掩模圖形，更確切地說是采用以模型為基礎(chǔ)的鄰近效應(yīng)修正來形成曝光掩模圖形的方法、能夠以此得到的曝光掩模圖形、以及制作半導體器件的方法。
背景技術(shù)：
在半導體器件的生產(chǎn)過程中，用抗蝕劑圖形作為掩模來執(zhí)行離子注入和圖形腐蝕。
但眾所周知，用光刻術(shù)得到的抗蝕劑圖形和隨后用腐蝕得到的轉(zhuǎn)移圖形，存在著由工藝條件、圖形排列密度、下方層條件、以及其它各種因素所造成的尺寸精度變化的問題。尺寸精度的這種變化成為引起圖形間短路、斷接、以及其它缺陷的原因。
因此，近年來為了得到更接近設(shè)計圖形的轉(zhuǎn)移圖形，已經(jīng)執(zhí)行了所謂“光學鄰近效應(yīng)修正”(以下稱為“OPC”)來修正設(shè)計圖形以得到曝光用的掩模圖形(亦即“曝光掩模圖形”)。其中，如

圖11所示，以模型為基礎(chǔ)的OPC是這樣一種方法，它提供圖中虛線所示的設(shè)計圖形1的邊沿、邊沿分割點P，用邊沿分割點P之間的中點作為評估點執(zhí)行光強度模擬，基于得到的模擬結(jié)果而自動地確定邊沿分割點P之間的邊沿位置的修正量，從而形成曝光掩模圖形3。
由上述以模型為基礎(chǔ)的OPC給出的曝光掩模圖形3的形狀，決定于邊沿分割點P之間的間距t。若間距t大，則修正變得更粗糙，因而難以借助于用此曝光掩模圖形的光刻術(shù)得到轉(zhuǎn)移圖形精度的改善。反之，若邊沿分割點P之間的間距t小，則曝光掩模圖形3的完成變得復雜，生產(chǎn)變得困難，最后招致完成掩模的生產(chǎn)成本提高。而且，由于精細圖形的出現(xiàn)，缺陷檢查變得不可能，且保證無缺陷的掩模制造有時變得不可能。因此，在以模型為基礎(chǔ)的OPC中，邊沿分割點P之間的間距t被設(shè)定以使確保轉(zhuǎn)移圖形的形狀精度且使掩模的制造能夠保證無缺陷。
而且，如圖12所示，當用設(shè)計圖形1的頂點P0作為起點對設(shè)計圖形1提供邊沿分割點P時，根據(jù)設(shè)定的間距t來相繼提供各個邊沿分割點。
但當用設(shè)計圖形的頂點作為起點且相繼提供邊沿分割點時，起點與分割點位置之間的間距可能在面對的邊沿部分處導致邊沿分割點位置的“偏離”。例如，在圖12所示的L形設(shè)計圖形1中，若采用設(shè)計圖形1的頂點P0作為起點來設(shè)定間距t且相繼提供邊沿分割點P，只要間距t與設(shè)計圖形1的線寬W1和W2如所示不匹配，就會在面對的邊沿部分處的邊沿分割點P的位置處出現(xiàn)“偏離”。
在此情況下，如圖11所示，借助于修正設(shè)計圖形1而得到的曝光掩模圖形3的邊沿部分，就變得以臺階的方式在面對的邊沿部分之間偏離。因此，盡管如上所述在邊沿分割點P之間設(shè)定間距t，但曝光掩模圖形3變得復雜，曝光掩模圖形3的形成變得困難，掩模成本提高，且保證無缺陷的掩模的制造變得困難。
而且，當采用以這種方法形成的曝光掩模圖形3來制造曝光掩模時，曝光掩模圖形3的數(shù)據(jù)(所謂“掩模數(shù)據(jù)”)被分成各個矩形部分。因此，若有需要，曝光掩模圖形3被從邊沿分割點P垂直于各個邊沿提供的分割線7分割，并用各個分割的圖形9部分作為照射區(qū)執(zhí)行電子束光刻術(shù)。
但當用矩形分割圖形9形成如上所述在邊沿部分處具有“偏離”的曝光掩模圖形3時，形成了邊小于邊沿分割點P之間的間距t的分割的圖形9，因此，盡管邊沿分割點P的間距t如上所述被設(shè)定，但分割圖形9的數(shù)目增加。這成為招致在制造掩模時增加曝光照射數(shù)目以及TAT(周轉(zhuǎn)時間)變壞的原因。
發(fā)明的公開用來解決上述問題的本發(fā)明提供了一種形成曝光掩模圖形的方法，該方法具有下列步驟用預定的間距為設(shè)計圖形的邊沿提供邊沿分割點以及在各個分割的邊沿部分處修正邊沿位置，其特征如下。首先，在設(shè)計圖形中，用包含設(shè)計圖形的一對面對的邊來形成矩形圖形。接著，用共用矩形圖形一個邊的二個頂點作為起點，以從這些起點開始的預定間距為面對的邊提供邊沿分割點。然后，分割的邊沿部分用于邊沿位置的修正，以便形成曝光掩模圖形。而且，本發(fā)明還提供了一種用此方法得到的曝光掩模以及一種包括用此曝光掩模圖形曝光的制作半導體器件的方法。
在形成曝光掩模圖形的上述方法、曝光掩模圖形、以及制作半導體器件的方法中，由于邊沿分割點以預定的間距從共用矩形圖形一個邊的二個頂點被設(shè)定在矩形圖形的面對的邊處，故邊沿分割點被提供在面對的邊處且沿面對的邊的延伸方向沒有“偏離”。因此，當在由邊沿分割點分割的邊沿部分中修正邊沿位置時，修正的邊沿部分不能夠以臺階方式沿面對的邊的延伸方向被排列。因此，當沿面對的邊的延伸方向分割由上述修正得到的曝光掩模圖形以便將其分成矩形分割圖形部分時，邊沿分割點之間的間距成為分割的最小單位，且矩形分割圖形的數(shù)目被保持為不多于邊沿分割點之間的部分的數(shù)目。因此，曝光掩模圖形的形狀被簡化，容易保證掩模無缺陷，并能夠形成相對于設(shè)計圖形具有高精度的轉(zhuǎn)移圖形。注意，上述矩形圖形可以是矩形的或正方形的。而且，提供分割點的間距可以是恒定的數(shù)值。
在形成矩形圖形的步驟中，借助于將具有面對邊之間距離在預定間距內(nèi)的部分設(shè)計圖形成為矩形圖形，在具有彎曲部分的長圖形中，矩形圖形被形成在包含此彎曲部分的圖形之外的部分處。因此，當在矩形圖形的面對邊處提供邊沿分割點時，能夠防止邊沿分割點被提供在設(shè)計圖形內(nèi)部。
由于上述修正是光學鄰近效應(yīng)修正，故利用上述修正得到的曝光掩模圖形執(zhí)行圖形曝光的光刻術(shù)，得到了更接近設(shè)計圖形的轉(zhuǎn)移圖形。
而且，根據(jù)執(zhí)行以這種方法得到的曝光掩模圖形的圖形曝光制作半導體器件的方法，當沿面對各邊的延伸方向分割由上述修正得到的曝光掩模圖形以便將其分成矩形分割圖形時，邊沿分割點之間的間距成為分割的最小單位，矩形分割圖形的數(shù)目被保持為不多于邊沿分割點之間的部分的數(shù)目。能夠防止在制作掩模時掩模數(shù)據(jù)的數(shù)目和曝光照射數(shù)目的增加以及由此造成的TAT(周轉(zhuǎn)時間)的變壞。
而且，在這種制作半導體器件的方法中，當圖形曝光是用具有曝光掩模圖形的曝光掩模來執(zhí)行的曝光時，能夠減少曝光掩模的數(shù)據(jù)數(shù)目。另一方面，當圖形曝光是光刻術(shù)曝光時，能夠減少曝光照射的數(shù)目。
而且，若圖形曝光是電子束曝光、X射線曝光、或光學曝光，特別是對于采用要求精細圖形或高密度圖形的曝光掩模的這種圖形曝光，能夠有效地防止在制作掩模時圖形曝光中掩模數(shù)據(jù)的數(shù)目和曝光照射數(shù)目的增加以及TAT的變壞。
附圖的簡要說明圖1A-1C是工藝圖，示出了本發(fā)明的一個實施方案。
圖2A和2B是工藝圖，示出了本發(fā)明的一個實施方案。
圖3解釋了用本發(fā)明得到的曝光掩模圖形的圖形數(shù)據(jù)的制造。
圖4A-4C示出了用本發(fā)明得到的曝光掩模圖形的形成例子以及模擬結(jié)果。
圖5A-5C示出了利用常規(guī)以模型為基礎(chǔ)的OPC形成曝光掩模圖形以及模擬結(jié)果。
圖6是用模版掩模構(gòu)成的曝光掩模例子的構(gòu)造平面圖。
圖7是用模版掩模構(gòu)成的曝光掩模例子的剖面圖。
圖8是用模版掩模構(gòu)成的曝光掩模例子的局部放大透視圖。
圖9是半導體器件的平面圖。
圖10是流程圖，解釋了本發(fā)明的半導體器件制作方法。
圖11解釋了用常規(guī)以模型為基礎(chǔ)的OPC來形成曝光掩模圖形。
圖12解釋了在常規(guī)以模型為基礎(chǔ)的OPC中提供邊沿分割點。
本發(fā)明的最佳實施模式下面根據(jù)附圖來解釋本發(fā)明的實施方案。此處，將作為采用本發(fā)明為以模型為基礎(chǔ)的OPC而形成曝光掩模圖形以及用光刻術(shù)形成L形設(shè)計圖形的轉(zhuǎn)移圖形的例子來解釋實施方案。
首先，如圖1A所示，沿延伸方向(縱向)檢查L形設(shè)計圖形不同部分的線寬W1和W2。此時，假設(shè)沿用作設(shè)計圖形1的延伸方向的二個方向(例如二個垂直的x和y方向)的設(shè)計圖形1的面對的邊之間的間距被探測為線寬W1和W2。
接著，如圖1B所示，使被上述檢查探測到的線寬W1和W2不大于設(shè)定間距W0的各個位置成為矩形圖形10和11。此處，間距W0例如被設(shè)定為設(shè)計圖形中最厚的設(shè)計線寬。因此，在本實施方案中，L形的二個位置成為矩形圖形10和11。而且，線寬(W1＞W(wǎng)0)和(W2＞W(wǎng)0)部分不被認為是矩形部分，故L形彎曲部分不被設(shè)定為具有矩形圖形。而且，這些矩形圖形是具有由形成設(shè)計圖形的一對面對邊的一個邊和部分另一邊構(gòu)成的面對邊的矩形圖形。而且，在設(shè)計圖形中設(shè)定矩形圖形的方法不局限于此技術(shù)，而可以是彎曲部分不被設(shè)定為具有矩形圖形的任何一種技術(shù)。而且，“矩形圖形”不局限于矩形，也可以是正方形。
然后，如圖1C所示，形成的各個矩形圖形10和11的4個頂點被提供為邊沿分割點P。而且，形成的矩形圖形10和11之外的L形部分12的頂點(此處是一個)也被提供為邊沿分割點P(Pe)。
接著，如圖2A所示，在各矩形圖形10和11處，提供在共用一個短邊的二個頂點處的邊沿分割點P，被用作起點P0，并對矩形圖形10和11的面對的邊(長邊)以預定的間距t，從這些P0相繼提供新的邊沿分割點P(P1)。
而且，此圖示出了所有邊沿分割點P(P1)被提供為相同的預定間距t(亦即恒定數(shù)值)的情況。但此處重要的是，新的邊沿分割點P1根據(jù)相似的規(guī)則從共用短邊的二個起點P0以預定的間距t被相繼提供給面對的邊。因此，沿長邊鄰接的各個邊沿分割點P的間距可以彼此不同。
在以這種方式提供新的邊沿分割點P1之后，如圖2B所示，被邊沿分割點P分割的設(shè)計圖形1在其各個邊沿部分的邊沿部分的位置處被修正，以便形成曝光掩模圖形20。此時，用各個邊沿分割點P之間的中點作為評估點來執(zhí)行光強度模擬。根據(jù)得到的模擬結(jié)果，來計算邊沿分割點P之間的邊沿位置的修正量，并利用此準確計算的修正量來修正邊沿部分的位置。而且，相似于一般修正而填充設(shè)計圖形1的角落部分(包括末端)，以便得到?jīng)]有臺階差別的曝光掩模圖形20。
而且，當用以上述方式得到的曝光掩模圖形20來形成曝光掩模時，如圖3所示，曝光掩模圖形20被分成矩形圖形，并用各個分割的圖形21作為照射域而執(zhí)行電子束曝光。
根據(jù)形成曝光掩模圖形的這一方法，如圖2A所示，由于為共用各個矩形圖形10和11的短邊的二個頂點提供的邊沿分割點P被用作起點P0，并在各個矩形圖形10和11的長邊處從這些起點P0以預定間距t提供新的邊沿分割點P(P1)，故邊沿分割點P(P1)被提供在這些面對的邊(長邊)，而沿長邊的延伸發(fā)現(xiàn)沒有偏離。因此，當修正被邊沿分割點P分割的各個邊沿部分的邊沿位置時，修正的邊沿部分決不會被排列成沿矩形圖形10和11的延伸方向具有臺階差別。因此，與其中邊沿部分被排列成沿延伸方向具有臺階差別的常規(guī)修正相比，能夠簡化曝光掩模圖形20的形狀。結(jié)果，形成保證沒有缺陷的曝光掩模圖形就變得容易，且借助于利用此曝光掩模圖形20的光刻術(shù)，能夠得到相對于設(shè)計圖形具有高精度的轉(zhuǎn)移圖形。
而且，當采用以這種方法形成的曝光掩模圖形20來制造曝光掩模時，如圖3所示，當沿面對的邊(長邊)的延伸方向分割曝光掩模圖形20以便將其分割成矩形的分割圖形21部分時，各個邊沿分割點P之間的間距(亦即t)成為分割的最小單位。因此，矩形分割圖形21的數(shù)目被保持少于各邊沿分割點P之間的部分的數(shù)目。結(jié)果，能夠防止在制作掩模時掩模數(shù)據(jù)的數(shù)目和曝光照射數(shù)目的增加以及由此造成的TAT(周轉(zhuǎn)時間)的變壞。
圖4A-4C示出了用上述方法形成曝光掩模圖形的例子。此處如圖4A所示，用矩形圖形10和11形成設(shè)計圖形1，然后用上述方法相繼配備邊沿分割點P。注意，邊沿分割點P不僅從起點P0以預定間距t被相繼提供在矩形圖形10和11處，而且若有需要，還被提供在矩形圖形10和11之外的設(shè)計圖形部分處。然后，如圖4B所示，邊沿分割點P之間的邊沿部分的位置被修正，以便形成曝光掩模圖形20。圖4C示出了用上述曝光掩模圖形20得到的設(shè)計圖形1的轉(zhuǎn)移圖形30。借助于采用此曝光掩模的光刻術(shù)模擬來得到此轉(zhuǎn)移圖形30，并能夠證實沒有形成斷接且相對于設(shè)計圖形1具有良好的精度。
與此相反，圖5A-5C作為比較例示出了用常規(guī)以模型為基礎(chǔ)的OPC來形成曝光掩模圖形。此處，首先如圖5A所示，邊沿分割點P(P0)被提供給設(shè)計圖形1的頂點，并被用作相繼增加邊沿分割點的起點P0。然后，如圖5B所示，包括起點P0的邊沿分割點P之間的邊沿部分的位置被修正，以便形成曝光掩模圖形3。圖5C示出了利用此曝光掩模圖形3得到的轉(zhuǎn)移圖形5。此轉(zhuǎn)移圖形5借助于利用曝光掩模的光刻術(shù)模擬而得到，并具有斷開。
如上所述，根據(jù)形成曝光掩模圖形的方法以及根據(jù)本實施方案的曝光掩模圖形，利用產(chǎn)生在設(shè)計圖形1中的矩形圖形10和11的頂點作為起點P0來提供邊沿分割點P(P1)，也可能形成邊沿分割點P(P1)中具有面對修正位置的各個邊沿之間沒有臺階差別的曝光掩模圖形。
因此，曝光掩模圖形被簡化了，保證掩模無缺陷變得容易，并能夠形成相對于設(shè)計圖形具有高的精度的轉(zhuǎn)移圖形。而且，生產(chǎn)掩模時的曝光照射數(shù)目被減少，并能夠改善TAT(周轉(zhuǎn)時間)。
而且，本發(fā)明不僅能夠被應(yīng)用于形成光學曝光的曝光掩模的曝光掩模圖形，還能夠被應(yīng)用于形成電子束曝光、X射線曝光、紫外線曝光、EUV(遠紫外線)曝光、離子束曝光等的曝光掩模的曝光掩模圖形。而且，本發(fā)明不僅能夠被應(yīng)用于形成曝光掩模的曝光掩模圖形，還能夠被應(yīng)用于形成光刻術(shù)曝光的曝光圖形。能夠得到相似的效果。
此處，在用來代替光刻術(shù)的下一代曝光技術(shù)之一中，亦即在低能電子鄰近投影光刻術(shù)(LEEPL)中，在厚度為幾百nm的膜片中配備有孔狀曝光掩模圖形的模版掩模被用作曝光掩模。
圖6是這種模版掩模的平面圖，圖7是沿圖6中A-A’線的剖面圖，而圖8是圖6的局部透視圖。如圖6-8所示，模版掩模101由硅晶片組成的框架102、跨越框架102一個表面伸展的膜片103、以及在框架102內(nèi)部與框架102整體提供且支持膜片103的網(wǎng)格104構(gòu)成。模版掩模101具有其膜片103部分被網(wǎng)格104分割作為圖形形成區(qū)105的結(jié)構(gòu)。這些圖形形成區(qū)105由孔狀曝光掩模圖形106組成。而且，具有掩模對準記號107的網(wǎng)格104通常被形成在支持膜片的表面的反面處。
當采用這種圖形曝光構(gòu)造的模版掩模101時，模版掩模101被直接排列在曝光表面上，致使模版掩模101的膜片103與曝光表面之間的間距成為幾十微米。在此情況下，模版掩模101在曝光掩模圖形106形成區(qū)處被幾keV到幾十keV的電子束掃描，通過曝光掩模圖形101的電子束從而沖擊曝光表面，曝光掩模圖形106就被轉(zhuǎn)移到此曝光表面。
但在這種構(gòu)造的模版掩模中，出現(xiàn)環(huán)形孔圖形無法被形成為曝光掩模圖形的問題以及膜片103在形成沿一個方向長的曝光掩模圖形時彎曲和圖形定位精度變低的問題。因此，在模版掩模101中，借助于修正設(shè)計圖形而得到的曝光掩模圖形106在分成多個互補掩模(互補分割)的狀態(tài)下被形成。而且，由于利用這種重疊曝光的互補掩模，曝光掩膜圖形在曝光表面處被互補地轉(zhuǎn)移。注意，“互補掩?！币馕吨@樣一些掩模，即分割某個區(qū)域的圖形以放置在不同的掩模上并重疊這些掩模以便重疊被分割的圖形，并由此形成在此區(qū)域分割之前的圖形。
根據(jù)本實施方案的曝光掩模圖形，當采用上述互補分割的模版掩模時，能夠在半導體襯底上特別有效地形成精細圖形。
圖9是用根據(jù)本發(fā)明的曝光掩模圖形形成的半導體器件例子的平面圖。此圖所示的半導體器件201由元件區(qū)203和有源區(qū)204形成在半導體襯底的正面?zhèn)?，并具有多晶硅或硅化物的?05，亦即是一種MOS晶體管。特別是對于形成諸如柵長度L1、L2、L3之類的精細圖形，采用根據(jù)本實施方案的曝光掩模圖形是有效的。
圖10是根據(jù)本實施方案的制作半導體器件的方法的流程圖。根據(jù)本實施方案的制作半導體器件的方法應(yīng)該包括圖10所示的步驟S1-S4。亦即，在步驟S1，用形成設(shè)計圖形的一對面對的邊，以矩形圖形形成設(shè)計圖形。在步驟S2，共用各個矩形圖形的一個邊的二個頂點被用作起點，并從起點以預定的間距對面對的邊提供邊沿分割點。然后，在步驟S3，被邊沿分割點分割的邊沿部分的邊沿位置被修正，于是形成了曝光掩模圖形。上述步驟S1-S3是用來形成以上解釋的曝光掩模圖形的步驟。在步驟S4，借助于圖形曝光，這樣得到的曝光掩模圖形被轉(zhuǎn)移到半導體晶片上的抗蝕劑膜。
根據(jù)制作半導體器件的這種方法，根據(jù)產(chǎn)生上述曝光掩模圖形的方法，形成了用來形成半導體器件的曝光掩模圖形，故能夠在半導體晶片上形成相對于設(shè)計圖形具有高精度的轉(zhuǎn)移圖形。而且，能夠防止在形成曝光掩模圖形時掩模數(shù)據(jù)的數(shù)目和制作掩模時曝光照射數(shù)目的增加以及由此造成的TAT(周轉(zhuǎn)時間)的變壞。結(jié)果，能夠防止半導體器件的TAT變壞。
工業(yè)應(yīng)用可能性本發(fā)明的形成曝光掩模圖形的方法能夠被應(yīng)用于考慮光學鄰近效應(yīng)修正的曝光掩模圖形形成方法。本發(fā)明的曝光掩模圖形能夠被應(yīng)用于例如用光刻術(shù)方法形成接近設(shè)計圖形的轉(zhuǎn)移圖形時所用的曝光掩模圖形。本發(fā)明的制作半導體器件的方法能夠被應(yīng)用于用考慮光學鄰近效應(yīng)修正的曝光掩模圖形形成轉(zhuǎn)移圖形的制作半導體器件的方法。
權(quán)利要求
1.一種形成曝光掩模圖形的方法，它包含下列步驟用包含所述設(shè)計圖形的一對面對的邊，在設(shè)計圖形中形成矩形圖形；用共用每一矩形圖形的一個邊的二個頂點作為起點，并從所述起點以預定的間距為所述面對的邊提供邊沿分割點；以及修正所述邊沿分割點所分割的每一邊沿部分的邊沿位置。
2.權(quán)利要求1所述的形成曝光掩模圖形的方法，其中，在形成所述矩形圖形的步驟中，使其中所述面對的邊之間的間距不大于預定間距的部分所述設(shè)計圖形形成所述矩形圖形。
3.權(quán)利要求1所述的形成曝光掩模圖形的方法，其中，所述矩形圖形是矩形或正方形。
4.權(quán)利要求1所述的形成曝光掩模圖形的方法，其中，所述修正是光學鄰近效應(yīng)修正。
5.權(quán)利要求1所述的形成曝光掩模圖形的方法，其中，所述預定間距是恒定數(shù)值。
6.一種用下列步驟形成的曝光掩模圖形用包含所述設(shè)計圖形的一對面對的邊，在設(shè)計圖形中形成矩形圖形；用共用每一矩形圖形的一個邊的二個頂點作為起點，并從所述起點以預定的間距為所述面對的邊提供邊沿分割點；以及修正被所述邊沿分割點所分割的每一邊沿部分的邊沿位置。
7.權(quán)利要求6所述的曝光掩模圖形，其中，在形成所述矩形圖形的步驟中，使其中所述面對的邊之間的間距不大于預定間距的部分所述設(shè)計圖形形成所述矩形圖形。
8.權(quán)利要求6所述的曝光掩模圖形，其中，所述矩形圖形是矩形或正方形。
9.權(quán)利要求6所述的曝光掩模圖形，其中，所述修正是光學鄰近效應(yīng)修正。
10.權(quán)利要求6所述的曝光掩模圖形，其中，所述預定間距是恒定數(shù)值。
11.一種制作半導體器件的方法，它包含下列步驟形成曝光掩模圖形并借助于圖形曝光而轉(zhuǎn)移所述曝光掩模圖形，所述形成曝光掩模圖形包含下列步驟；用包含所述設(shè)計圖形的一對面對的邊，在設(shè)計圖形中形成矩形圖形，用共用每一矩形圖形的一個邊的二個頂點作為起點，并從所述起點以預定的間距為所述面對的邊提供邊沿分割點，以及修正被所述邊沿分割點所分割的各個邊沿部分的邊沿位置。
12.權(quán)利要求11所述的制作半導體器件的方法，其中，在借助于圖形曝光而轉(zhuǎn)移所述曝光掩模圖形的步驟中，用具有所述曝光掩模圖形的曝光掩模來執(zhí)行曝光。
13.權(quán)利要求11所述的制作半導體器件的方法，其中，在借助于圖形曝光而轉(zhuǎn)移所述曝光掩模圖形的步驟中，所述曝光掩模圖形由光刻術(shù)曝光來轉(zhuǎn)移。
14.權(quán)利要求11所述的制作半導體器件的方法，其中，在形成所述矩形圖形的步驟中，使其中所述面對的邊之間的間距不大于預定間距的部分所述設(shè)計圖形形成所述矩形圖形。
15.權(quán)利要求11所述的制作半導體器件的方法，其中，所述矩形圖形是矩形或正方形。
16.權(quán)利要求11所述的制作半導體器件的方法，其中，所述修正是光學鄰近效應(yīng)修正。
17.權(quán)利要求11所述的制作半導體器件的方法，其中，所述預定間距是恒定數(shù)值。
18.權(quán)利要求11所述的制作半導體器件的方法，其中，所述圖形曝光是電子束曝光、X射線曝光、紫外線曝光、遠紫外線曝光、離子束曝光、或光學曝光。
全文摘要
一種用來形成曝光掩模圖形的方法，其中，以預定的間距為設(shè)計圖形(1)的邊沿提供了邊沿分割點(P)，并對借助于分割邊沿而確定的各個邊沿區(qū)段的邊沿位置進行修正。具有是為設(shè)計圖形(1)的成對面對的邊的長邊的矩形(10，11)，被產(chǎn)生在設(shè)計圖形(1)中。矩形(10，11)被形成在其中設(shè)計圖形(1)的各個長邊之間的距離W1和W2處于預定間距W0內(nèi)的部分。從是為矩形(10，11)的短邊所共用的角落的二個起點(P
文檔編號G03F1/36GK1646988SQ0380776
公開日2005年7月27日 申請日期2003年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月8日
發(fā)明者小川和久, 川原和義 申請人:索尼株式會社