專利名稱：制造液晶顯示裝置的方法
本申請(qǐng)要求2002年7月29日申請(qǐng)的第P2002-44657號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，相對(duì)于本申請(qǐng)所涉及的所有目的而言，將上述申請(qǐng)?jiān)诒旧暾?qǐng)中引作參考。
在各種平板顯示裝置中，LCD裝置由于其具有尺寸薄、重量輕、能耗低等優(yōu)點(diǎn)而獲得了最廣泛的使用，LCD裝置因此而替代了陰極射線管(CRT)。除了例如筆記本電腦的顯示器等移動(dòng)型LCD裝置外，還開(kāi)發(fā)了用于計(jì)算機(jī)監(jiān)視器和電視機(jī)上可接收和顯示廣播信號(hào)的LCD裝置。
盡管在不同領(lǐng)域中根據(jù)使用情況對(duì)LCD技術(shù)進(jìn)行了各種技術(shù)開(kāi)發(fā)，但是與LCD裝置的其他特征和優(yōu)點(diǎn)相比，在提高LCD裝置圖像質(zhì)量方面的研究還存在某些方面的不足。因此，為了能在各種應(yīng)用環(huán)境下象使用普通顯示器那樣使用LCD裝置，所述LCD裝置應(yīng)該能夠生成例如在大尺寸屏幕內(nèi)具有高分辨率和高亮度的高質(zhì)量畫(huà)面，同時(shí)應(yīng)仍然是重量輕、尺寸薄和能耗低。
LCD裝置通過(guò)借助于電介質(zhì)各向異性的電場(chǎng)控制液晶的光透射率來(lái)顯示圖像或畫(huà)面。
LCD裝置不同于例如電致發(fā)光(EL)裝置、陰極射線管(CRT)和發(fā)光二極管(LED)裝置等顯示裝置。EL、CRT和LED裝置均可自發(fā)光，但是LCD裝置則是利用環(huán)境光作為光源。
有兩種不同類型的LCD裝置，透射型LCD裝置和反射型LCD裝置。透射型LCD裝置以在LCD面板背面的背光作為光源，因此，透射型LCD裝置可以根據(jù)液晶的取向通過(guò)控制光的透射率在低光環(huán)境下顯示圖像映像。然而，透射型LCD裝置的問(wèn)題在于它的能耗高。同時(shí)，反射型LCD裝置利用環(huán)境光作為光源，所以能耗比較低。然而，反射型LCD裝置的問(wèn)題在于它不能在低光環(huán)境下顯示圖像映像。
為了解決透射型和反射型LCD裝置的上述問(wèn)題，而提出了透射反射型LCD裝置。透射反射型LCD裝置可以根據(jù)需要作為反射型LCD或透射型LCD使用。
圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)中反射型彩色LCD裝置的剖面圖。參照?qǐng)D1，現(xiàn)有技術(shù)中的反射型彩色LCD裝置包括帶有濾色片層(未示出)和公用電極17的上襯底13，帶有薄膜晶體管(未示出)和反射電極16的下襯底11，以及設(shè)在下襯底11和上襯底13之間的液晶19。這時(shí)，液晶19的液晶分子在電場(chǎng)的作用下按預(yù)定方向取向，即，液晶19是根據(jù)液晶分子取向控制光透射率的光學(xué)各向異性介質(zhì)。在此，可以用具有光學(xué)各向異性特征的預(yù)定介質(zhì)來(lái)代替液晶19。
此外，在下襯底11和上襯底13各自的外表面上形成多層介質(zhì)以控制光的偏振狀態(tài)。例如，在上襯底13上依次沉積散射膜21、遲滯膜23和偏振片25。形成散射膜21是為了通過(guò)散射光獲得寬視角，遲滯膜23包括具有使反射電極感光的λ/4波片特征的第一相位差膜，和具有λ/2波片特征的第二相位差膜。
當(dāng)在斷開(kāi)狀態(tài)沒(méi)有將電壓施加到遲滯膜23上時(shí)，光的相位產(chǎn)生反轉(zhuǎn)，因此向外發(fā)射一定量的光。這樣，便形成了具有高亮度特征的LCD板。而且，偏振片25僅使具有特定偏振量的光通過(guò)。
圖2是表示現(xiàn)有技術(shù)所述反射型LCD裝置中陣列襯底的平面圖。如圖2中所示，在下襯底11上沿一個(gè)方向形成多條相隔一定間距的柵極線33，和形成多條與柵極線33垂直并具有固定間隔的數(shù)據(jù)線36，所述柵極線和數(shù)據(jù)線構(gòu)成多個(gè)象素區(qū)。在由柵極線33和數(shù)據(jù)線36交叉構(gòu)成的每個(gè)象素區(qū)P內(nèi)形成矩陣型象素電極(反射電極)16。然后，形成多個(gè)薄膜晶體管T，所述薄膜晶體管T根據(jù)柵極線33上的信號(hào)導(dǎo)通或斷開(kāi)以便把數(shù)據(jù)線36上的信號(hào)發(fā)送到象素電極(反射電極)16。
這時(shí)，薄膜晶體管T包括從柵極線33上延出的柵極27，設(shè)在下襯底11整個(gè)表面上的柵極絕緣層(未示出)，設(shè)在柵極27上方的柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層30，從數(shù)據(jù)線36延出的源極29，和與源極29相對(duì)的漏極31。漏極31通過(guò)接觸孔35與象素電極16電性連接。
同時(shí)，將下襯底11粘合到上襯底(未示出)上，且兩襯底之間留有預(yù)定間隙。
上襯底包括用于防止光泄漏的黑底層。黑底層具有與下襯底11上的象素區(qū)P對(duì)應(yīng)的開(kāi)口、顯示彩色的R/G/B濾色片層、和與象素電極(反射電極)16一起驅(qū)動(dòng)液晶的公用電極。
用襯墊料使下襯底和上襯底11和13之間保持預(yù)定間隙，然后用帶有液晶注入孔的密封劑將下襯底和上襯底11和13彼此粘合。接著，通過(guò)液晶注入孔將液晶注入到下襯底和上襯底11和13之間。
圖3是表示沿圖2中的線II-II’剖開(kāi)的LCD裝置的剖面圖。參照?qǐng)D3，在下襯底11上沉積諸如鋁Al、鋁合金、鉬Mo、鎢W或鉻Cr等導(dǎo)電金屬材料，然后通過(guò)光刻選擇性地形成圖形，由此形成柵極線33和從柵極線33上延出的柵極27。隨后，用諸如氮化硅SiNx或氧化硅SiOx等無(wú)機(jī)絕緣材料或諸如苯并環(huán)丁烯BCB或丙烯酸樹(shù)脂等有機(jī)絕緣材料形成柵極絕緣層28。接著，在包含柵極絕緣層28的下襯底11的整個(gè)表面上形成含有純非晶硅和雜質(zhì)的非晶硅，隨后通過(guò)光刻選擇性地除去一部分非晶硅，由此在柵極27上方的柵極絕緣層28上形成島形半導(dǎo)體層30。
接下來(lái)，將上述導(dǎo)電金屬層沉積在包含半導(dǎo)體層30的下襯底11的整個(gè)表面上，然后，通過(guò)光刻選擇性地除去一部分導(dǎo)電金屬層，由此形成基本上與柵極線33垂直的數(shù)據(jù)線36。在半導(dǎo)體層上形成與柵極27局部重疊的源極29，而在與源極29相隔一定距離處形成漏極31。隨后，用例如苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯酸樹(shù)脂等有機(jī)絕緣材料形成鈍化層36，并通過(guò)光刻選擇性地除去一部分鈍化層，以形成暴露漏極31的接觸孔35。在下襯底11的鈍化層36和接觸孔35的整個(gè)表面上沉積諸如鋁Al等高反射率不透明金屬，然后通過(guò)光刻選擇性除去一部分金屬，由此在象素區(qū)P內(nèi)形成通過(guò)接觸孔35與漏極31電性連接的象素電極(反射電極)16。
下面將參照?qǐng)D4-6描述現(xiàn)有技術(shù)中制造LCD裝置的方法。圖4是表示具有反射電極的現(xiàn)有技術(shù)中LCD裝置的平面圖，所述反射電極帶有突起，而圖5是表示沿圖4中的線IV-IV’剖開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)中LCD裝置的剖面圖。
如圖4和圖5所示，在下襯底11上形成薄膜晶體管T(柵極27、柵極絕緣層28、源極29、漏極31和半導(dǎo)體層30)，在包含薄膜晶體管T的下襯底11的整個(gè)表面上形成鈍化層36。然后在鈍化層36上以固定間隔形成多個(gè)由光敏壓克力材料構(gòu)成的突起37a。在包含薄膜晶體管T的下襯底11的整個(gè)表面形成多個(gè)具有固定間隔的突起是為了改善光反射角。
在帶有突起37a的鈍化層36上形成反射電極16，并使反射電極與薄膜晶體管T的漏極31電性連接。由于在鈍化層36上形成突起37a，所以反射電極16的表面不平整。因此，如果入射光被反射和發(fā)射，反射電極16將使從不同角度射到突起37a上的光會(huì)聚，并以預(yù)定角度發(fā)射會(huì)聚光。在包含突起37a的下襯底11的整個(gè)表面上形成有機(jī)絕緣層38，并且在有機(jī)絕緣層38上形成反射電極16。
圖6A-圖6E是表示沿圖4中線IV-IV’剖開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)中LCD裝置制造工藝步驟的剖面圖。
如圖6A所示，在包含薄膜晶體管T的下襯底11的整個(gè)表面上形成鈍化層36，而在鈍化層36上沉積光敏丙烯酸樹(shù)脂37。
在圖6B中，通過(guò)曝光和顯影工序使光敏丙烯酸樹(shù)脂37形成圖形，由此形成多個(gè)具有固定間隔的光敏丙烯酸樹(shù)脂圖形37b。
在圖6C中，通過(guò)熱處理使多個(gè)光敏丙烯酸樹(shù)脂圖形37b軟熔，由此形成多個(gè)半球形突起37a。
在圖6D中，在包含半球形突起37a的下襯底11的整個(gè)表面上形成有機(jī)絕緣層38。接著，通過(guò)光刻選擇性地除去一部分有機(jī)絕緣層38和鈍化層36以便暴露薄膜晶體管的漏極31，由此形成接觸孔35。
在圖6E中，在包含接觸孔35的下襯底11的整個(gè)表面上沉積諸如鋁Al等高反射率不透明金屬層，然后，通過(guò)光刻選擇性地除去一部分不透明金屬層，由此在象素區(qū)內(nèi)形成與漏極31接觸的反射電極16。反射電極16是象素電極。由于存在多個(gè)突起37a，所以反射電極16的表面不平整。
然而，現(xiàn)有技術(shù)中制造LCD裝置的方法存在以下缺點(diǎn)。在制造現(xiàn)有技術(shù)所述LCD裝置的方法中，用光敏壓克力材料形成具有不平表面的反射電極，而且必須進(jìn)行熱處理，所以制造過(guò)程復(fù)雜而且增加了生產(chǎn)成本。
因此，本發(fā)明在于提供一種制造LCD裝置的方法，該方法基本上克服了因現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于提供了一種用簡(jiǎn)單的生產(chǎn)工藝步驟制造反射電極上帶有突起的LCD裝置的方法，由此可提高反射率。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的說(shuō)明中給出，其中一部分特征和優(yōu)點(diǎn)可以由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從說(shuō)明書(shū)中明顯得出或是通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而得到。通過(guò)在文字說(shuō)明部分、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了得到這些和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，作為概括性的和廣義的描述，本發(fā)明所述的制造LCD裝置的方法包括在一個(gè)襯底上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成光刻膠層，其中光刻膠層帶有多個(gè)圓形突起和圓形凹谷；通過(guò)對(duì)第一絕緣層和光刻膠層進(jìn)行蝕刻，在第一絕緣層上形成多個(gè)圓形突起和圓形凹谷；在第一絕緣層上形成反射電極。第一絕緣層可以用例如丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺、BCB、氧化物或氮化物等有機(jī)絕緣層制成。而且，蝕刻工序可以在襯底的整個(gè)表面上用SF6、O2和He的復(fù)合氣體完成。形成光刻膠的步驟可以包括在第一絕緣層上沉積光刻膠；在預(yù)定溫度下對(duì)沉積了光刻膠的襯底進(jìn)行幾分鐘軟化烘烤處理；通過(guò)對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理使光刻膠形成圖形；和在預(yù)定溫度下對(duì)光刻膠圖形進(jìn)行幾分鐘硬化烘烤處理。反射板可以用Al、Ag、Au、MoW、Al-Nd合金和Cr中的任何一種制成。上述方法可以進(jìn)一步包括的步驟有，在具有突起的第一絕緣層上形成反射電極之前，先在第一絕緣層上形成第二絕緣層。
按照本發(fā)明的另一方面，所述用于制造LCD裝置的方法包括在具有薄膜晶體管的襯底上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成光刻膠層，其中光刻膠層帶有多個(gè)圓形突起和圓形凹谷；通過(guò)對(duì)第一絕緣層和光刻膠層進(jìn)行蝕刻，在第一絕緣層上形成多個(gè)圓形突起和圓形凹谷；在第一絕緣層上形成反射電極；在第一絕緣層和反射電極上形成第二絕緣層；通過(guò)選擇性除去第一和第二絕緣層的一部分而形成用于暴露薄膜晶體管預(yù)定部分的接觸孔；和形成通過(guò)接觸孔與漏極電性相連的透明電極。
很顯然，上面對(duì)本發(fā)明的一般性描述和下面的詳細(xì)說(shuō)明都是示例性和解釋性的，其意在對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求作進(jìn)一步解釋。


本申請(qǐng)所包含的附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，其與本申請(qǐng)相結(jié)合并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，所述附圖表示本發(fā)明的實(shí)施例并與說(shuō)明書(shū)一起解釋本發(fā)明的原理。
附圖中圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)中反射型彩色LCD裝置的剖面圖；圖2是表示現(xiàn)有技術(shù)中反射型彩色LCD裝置的陣列襯底的平面圖；圖3是表示沿圖2中的線I-I’剖開(kāi)的LCD裝置的剖面圖；圖4是表示包含帶有突起的反射電極的現(xiàn)有技術(shù)中LCD裝置的平面圖；圖5是表示沿圖4中的線IV-IV’剖開(kāi)的LCD裝置的剖面圖；圖6A-6E是表示制造沿圖4中的線IV-IV’剖開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)中LCD裝置的剖面圖；圖7A-7F是表示制造按照本發(fā)明第一實(shí)施例所述LCD裝置的工藝步驟的剖面圖；圖8是表示圖7B中光刻膠層狀態(tài)的照片；圖9是表示形成圖7F中的反射電極之后的狀態(tài)的剖面照片；圖10A-10G是表示制造按照本發(fā)明第二實(shí)施例所述LCD裝置的工藝步驟剖面圖。
下面，將參照

制造按照本發(fā)明第一實(shí)施例所述LCD裝置的方法。
圖7A-7F是表示制造按照本發(fā)明第一實(shí)施例所述LCD裝置的工藝步驟的剖面圖。
在圖7A中，在包含薄膜晶體管的下襯底41的整個(gè)表面上形成第一絕緣層42。第一絕緣層42可以用例如丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、氧化物層或氮化物層等有機(jī)絕緣層構(gòu)成，該層的厚度為約1μm-約5μm。接著在第一絕緣層42上沉積光刻膠層43。然后，在約80℃的低溫下對(duì)下襯底41進(jìn)行兩分鐘的軟化烘烤，使有機(jī)溶劑從沉積在下襯底41整個(gè)表面上的光刻膠43揮發(fā)。軟化烘烤工序可以是熱板法、氮化物加熱法、紅外線加熱法、微波加熱法和恒溫浴法。
通常，薄膜晶體管可以包括位于下襯底41預(yù)定區(qū)域上的柵極44，設(shè)在包含柵極44的下襯底41整個(gè)表面上的柵極絕緣層45，設(shè)在柵極44上方的柵極絕緣層45上的半導(dǎo)體層46，和以預(yù)定間隔與半導(dǎo)體層46局部重疊的源極/漏極47和48。
如圖7B所示，通過(guò)曝光和顯影工序使光刻膠43形成一定圖形，由此形成具有圓形突起和圓形凹谷的光刻膠層43a。然后，在約100攝氏度-約200攝氏度的高溫下對(duì)具有圓形突起和圓形凹谷的光刻膠層43a進(jìn)行約2或3分鐘硬化烘烤。這樣，將使光刻膠層43a具有小的圓形掩模圖形(直徑約為5μm)，即，可以在照相工序中形成圓形突起和圓形凹谷的圖形。
進(jìn)行硬化烘烤處理是為了使光刻膠層43a固化。在曝光和顯影工序之后，光刻膠層43a可能具有未揮發(fā)的有機(jī)成分或未固化的部分。因此，要對(duì)光刻膠層43a進(jìn)行熱處理使得光刻膠層43a牢固地粘合到第一有機(jī)絕緣層42上。由此，可以提高光刻膠層43a的抗蝕性。
在圖7C中，對(duì)包含光刻膠層43a和第一絕緣層42的下襯底41的整個(gè)表面進(jìn)行蝕刻，由此復(fù)制光刻膠層43a的形狀，并除去預(yù)定厚度的第一絕緣層42。這樣，便在第一絕緣層42的表面上形成了多個(gè)圓形突起42a和圓形凹谷。在此，可以用SF6、O2和He的復(fù)合氣體對(duì)包含光刻膠層43a的下襯底41的整個(gè)表面進(jìn)行蝕刻。
同時(shí)，通過(guò)干蝕刻可以在第一絕緣層42上形成圓形突起42a和圓形凹谷。當(dāng)通過(guò)蝕刻除去光刻膠層43a時(shí)，第一有機(jī)絕緣層42可以因光刻膠層43a而形成帶有多個(gè)圓形突起42a和圓形凹谷的不平坦表面。在由普通光刻膠制成的光刻膠層43a上形成的圓形突起和圓形凹谷是耐熱和耐化學(xué)性的，因此，很難在裝置上直接形成圓形突起和圓形凹谷。
如圖7D中所示，在包含帶有圓形突起42a和圓形凹谷的第一絕緣層42的下襯底41的整個(gè)表面上形成用與第一絕緣層42相同的材料制成的具有預(yù)定厚度的第二絕緣層49。在第一絕緣層42的表面上形成多個(gè)圓形突起42a和圓形凹谷之后，用與第一絕緣層42相同(相似)的材料涂敷第二絕緣層49，以便基本上消除圓形突起42a之間的平坦區(qū)從而形成圓形凹谷?；蛘撸部梢圆灰笤诰哂卸鄠€(gè)圓形突起42a和圓形凹谷的第一絕緣層42上形成第二絕緣層49。為了提高光的有效性，優(yōu)選形成圓形突起42a和圓形凹谷，以便使圓形突起的頂部和相鄰圓形凹谷的底部之間的距離或高度H約為0.5μm-1μm。而且，優(yōu)選使突起42a的高度H和圓形突起42a中點(diǎn)之間的距離W之比為1∶10-1∶30。
參照?qǐng)D7E，選擇性地除去一部分第一和第二絕緣層42和49，以便暴露薄膜晶體管的漏極，從而形成接觸孔50。
如圖7F所示，在包含接觸孔50的下襯底41的整個(gè)表面上沉積具有高反射性的不透明導(dǎo)電金屬，例如鋁Al，然后通過(guò)光刻選擇性地除去一部分金屬，從而在象素區(qū)上形成與漏極接觸的反射電極51。反射電極51是象素電極。由于在第一絕緣層42的表面上形成突起42a的緣故，所以反射電極51的表面不平整。具有高反射性的不透明導(dǎo)電金屬層可以用Al、Ag、Au、MoW、Al-Nd合金或者Cr制成。
在按照本發(fā)明所述的上述LCD裝置中，反射電極51的表面不平整，因此提高了反射電極51的反射性。
圖8是表示圖7B中光刻膠層43a狀態(tài)的照片。在光刻膠層43a上形成多個(gè)位于象素區(qū)內(nèi)的圓形突起和圓形凹谷。
圖9是表示在反射電極形成之后反射電極51狀態(tài)的照片。反射電極51的表面不平整。
現(xiàn)在，將說(shuō)明用于制造本發(fā)明所述反射型LCD裝置的方法。然而，用本發(fā)明所述方法有可能形成帶有不平整表面的反射部分的透射反射型LCD裝置。而且，在本發(fā)明所述制造反射型LCD裝置的方法中，反射電極51起象素電極的作用。此外，也可以在形成帶有不平整表面的反射電極后再形成象素電極。
圖10A-10G是表示制造按照本發(fā)明第二實(shí)施例所述LCD裝置的工藝步驟的剖面圖。
如圖10A所示，在包含薄膜晶體管的下襯底101的整個(gè)表面上形成第一絕緣層102。第一絕緣層102可以用例如丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、氧化物層或氮化物層等有機(jī)絕緣層構(gòu)成，該層的厚度為約1μm-約5μm。接著在第一絕緣層102上沉積光刻膠103。然后，在約80℃的溫度下對(duì)下襯底101進(jìn)行兩分鐘的軟化烘烤處理，使有機(jī)溶劑從沉積在下襯底101整個(gè)表面上的光刻膠103上揮發(fā)。軟化烘烤工序可以是熱板法、氮化物加熱法、紅外線加熱法、微波加熱法和恒溫浴法。
通常，薄膜晶體管可以包括位于下襯底101預(yù)定區(qū)域上的柵極104，設(shè)在包含柵極104的下襯底101整個(gè)表面上的柵極絕緣層105，設(shè)在柵極104上方的柵極絕緣層105上的半導(dǎo)體層106，和以預(yù)定間隔與半導(dǎo)體層106局部重疊的源極/漏極107和108。
如圖10B所示，通過(guò)曝光和顯影工序使光刻膠103形成一定圖形，由此形成具有圓形突起和圓形凹谷的光刻膠層103a。然后，在約100攝氏度-約200攝氏度的溫度下對(duì)光刻膠層103a進(jìn)行約2或3分鐘硬化烘烤處理。這樣，將使光刻膠層103a具有小的圓形掩模圖形(直徑約為5μm)，即，可以在照相工序中形成圓形突起和圓形凹谷的圖形。
進(jìn)行硬化烘烤處理是為了使光刻膠層103a固化。在曝光和顯影工序之后，光刻膠層103a可以具有未揮發(fā)的有機(jī)成分或未固化的部分。因此，要對(duì)光刻膠層103a進(jìn)行熱處理使得光刻膠層103a牢固地粘合到第一有機(jī)絕緣層102上。由此，可以提高光刻膠層103a的抗蝕性。
在圖10C中，對(duì)包含光刻膠層103a的下襯底41的整個(gè)表面進(jìn)行蝕刻，由此復(fù)制光刻膠層103a的形狀，并除去預(yù)定厚度的第一絕緣層102。這樣，便在第一絕緣層102的表面上形成了多個(gè)圓形突起102a和圓形凹谷。在此，可以用SF6、O2和He的復(fù)合氣體對(duì)包含光刻膠層103a的下襯底101的整個(gè)表面進(jìn)行蝕刻。
同時(shí)，通過(guò)干蝕刻可以在第一絕緣層102上形成圓形突起102a和圓形凹谷。當(dāng)通過(guò)蝕刻除去光刻膠層103a時(shí)，第一有機(jī)絕緣層102可以因光刻膠層103a而形成帶有多個(gè)圓形突起102a和圓形凹谷的不平坦表面。在由普通光刻膠制成的光刻膠層103a上形成的圓形突起和圓形凹谷是耐熱和耐化學(xué)性的，因此，很難在裝置上直接形成圓形突起。
如圖10D中所示，在包含帶有圓形突起102a和圓形凹谷的第一絕緣層102的下襯底101的整個(gè)表面上形成用與第一絕緣層102相同的材料制成的具有預(yù)定厚度的第二絕緣層109。在第一絕緣層102的表面上形成多個(gè)圓形突起102a和圓形凹谷之后，用與第一絕緣層102相同(相似)的材料涂敷第二絕緣層109，以便基本上消除圓形突起102a之間的平坦區(qū)從而形成圓形凹谷?；蛘?，也可以不要求在具有多個(gè)圓形突起102a和圓形凹谷的第一絕緣層102上形成第二絕緣層109。為了提高光的有效性，優(yōu)選形成圓形突起102a和圓形凹谷，以便使圓形突起的頂部和相鄰圓形凹谷的底部之間的距離或高度H為約0.5μm-約1μm。而且，優(yōu)選使突起102a的高度H和突起102a中點(diǎn)之間的距離W之比為1∶10-1∶30。
參照?qǐng)D10E，在下襯底101的整個(gè)表面上沉積不透明金屬層，然后通過(guò)光刻選擇性地除去一部分金屬層，從而形成反射電極110。由于在第一絕緣層102上形成多個(gè)圓形突起102a和圓形凹谷的緣故，所以反射電極110的表面不平整。在此，不透明金屬層可以用Al、Ag、Au、MoW、Al-Nd合金和Cr中的一種制成。
如圖10F所示，可以在包含反射電極110的下襯底101的整個(gè)表面上形成第三絕緣層111，然后通過(guò)光刻選擇性地除去第一、第二和第三絕緣層102、109和111的一部分以便暴露漏極108的預(yù)定部分，從而形成接觸孔112。
參照?qǐng)D10G，可以在包含接觸孔112的下襯底101的整個(gè)表面上沉積透明金屬層，然后通過(guò)光刻選擇性地除去一部分金屬層。由此，形成透明電極113并使其通過(guò)接觸孔112與漏極108電性相連，而且透明電極113蓋住反射電極110。可以用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫鋅(ITZO)通過(guò)CVD法或?yàn)R射法形成透明金屬層。
如上所述，按照本發(fā)明所述制造LCD裝置的方法具有以下優(yōu)點(diǎn)。在絕緣層上形成帶有圓形突起和圓形凹谷的光刻膠層后，可以同時(shí)對(duì)光刻膠層和絕緣層進(jìn)行蝕刻，從而在絕緣層上形成圓形突起和圓形凹谷，然后，在其上形成反射電極，以此提高反射性。如果同時(shí)形成普通光刻膠層和具有圓形突起和圓形凹谷的反射電極，則可降低生產(chǎn)成本。而且，可通過(guò)簡(jiǎn)單的制造工藝步驟形成具有圓形突起和圓形凹谷的反射電極，所以能獲得高質(zhì)量的反射或透射反射型LCD裝置。
對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，很顯然，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思或范圍的基礎(chǔ)上，可以對(duì)本發(fā)明做出各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明意在覆蓋那些落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種制造LCD裝置的方法包括在襯底上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成光刻膠層，其中光刻膠層帶有多個(gè)圓形突起和圓形凹谷；通過(guò)對(duì)第一絕緣層和光刻膠層進(jìn)行蝕刻，在第一絕緣層上形成多個(gè)圓形突起和圓形凹谷；在第一絕緣層上形成反射電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一絕緣層由有機(jī)絕緣層構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一絕緣層用丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺、BCB、氧化物或氮化物中的任何一種制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一絕緣層的厚度為約1μm-約5μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻工序是用SF6、O2和He復(fù)合氣體完成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成光刻膠層的步驟進(jìn)一步包括在第一絕緣層上沉積光刻膠；在預(yù)定溫度下對(duì)沉積了光刻膠的襯底進(jìn)行幾分鐘軟化烘烤處理；通過(guò)對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理使光刻膠形成圖形；和在預(yù)定溫度下對(duì)光刻膠層進(jìn)行幾分鐘硬化烘烤處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，軟化烘烤處理是在約80攝氏度的溫度下持續(xù)約2分鐘完成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，硬化烘烤處理是在約100攝氏度至約200攝氏度的溫度下持續(xù)2-3分鐘完成的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，反射電極用Al、Ag、Au、MoW、Al-Nd合金和Cr中的任何一種材料制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括的步驟有，在具有圓形突起和圓形凹谷的第一絕緣層上形成反射電極之前，先在第一絕緣層上形成第二絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，第一絕緣層是用與第二絕緣層相同的材料制成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，圓形突起的頂部和相鄰圓形凹谷的底部之間的距離在約0.5μm-約1μm的范圍內(nèi)。
13.一種制造LCD裝置的方法包括在具有薄膜晶體管的襯底上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成光刻膠層，其中光刻膠層帶有多個(gè)圓形突起和圓形凹谷；通過(guò)對(duì)第一絕緣層和光刻膠層進(jìn)行蝕刻，在第一絕緣層上形成多個(gè)圓形突起和圓形凹谷；在第一絕緣層上形成反射電極；在第一絕緣層和反射電極上形成第二絕緣層；通過(guò)選擇性除去第一和第二絕緣層的一部分形成用于暴露薄膜晶體管預(yù)定部分的接觸孔；和形成通過(guò)接觸孔與漏極電性相連的透明電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，第一和第二絕緣層是用相同材料制成的。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，第一和第二絕緣層是用選自丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺、BCB、氧化物和氮化物的材料制成的。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，第一絕緣層的厚度為約1μm-約5μm。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，蝕刻工序是用SF6、O2和He復(fù)合氣體完成的。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，形成光刻膠層的步驟進(jìn)一步包括在第一絕緣層上沉積光刻膠；在預(yù)定溫度下對(duì)沉積了光刻膠的襯底進(jìn)行幾分鐘軟化烘烤處理；通過(guò)對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理使光刻膠形成圖形；和在預(yù)定溫度下對(duì)光刻膠層進(jìn)行幾分鐘硬化烘烤處理。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，反射電極可以用選自Al、Ag、Au、MoW、Al-Nd合金和Cr的材料制成。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，用選自ITO、IZO或ITZO中的任何一種形成透明電極。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種制造LCD裝置的方法，該方法可用簡(jiǎn)單的生產(chǎn)工藝步驟形成帶有突起的反射電極，由此提高了反射性。所述方法包括在襯底上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成光刻膠層，其中光刻膠層帶有多個(gè)圓形突起和圓形凹谷；通過(guò)對(duì)第一絕緣層和光刻膠層進(jìn)行蝕刻在第一絕緣層上形成多個(gè)圓形突起和圓形凹谷；和在第一絕緣層上形成反射電極。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK1479144SQ03150170
公開(kāi)日2004年3月3日 申請(qǐng)日期2003年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月29日
發(fā)明者柳熙永 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社