專利名稱：降低反射的液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可降低外界光線反射的液晶顯示器。
背景技術(shù)：
當(dāng)外界光線(ambient light)進(jìn)入液晶顯示器時(shí)，會(huì)造成反射導(dǎo)致對(duì)比降低。為了增加對(duì)比，液晶顯示器會(huì)在內(nèi)部加入黑色矩陣來阻擋外界光線進(jìn)入液晶顯示器。此外，黑色矩陣也可以遮蔽液晶排列不齊區(qū)，以提升顯示畫面的品質(zhì)。


圖1為現(xiàn)有的液晶顯示器的剖面圖。第一基板102具有多晶硅層128，及絕緣層106。內(nèi)介電層108形成于閘極線延伸而來的閘極區(qū)126及絕緣層106上。數(shù)據(jù)線延伸而成的源極/汲極區(qū)122、124及分別形成于內(nèi)介電層108上，且向下延伸與多晶硅層128連接，和閘極區(qū)126組成一晶體管。平坦層110形成于內(nèi)介電層108與源極/汲極區(qū)122、124上。畫素電極(pixel electrode)112形成于平坦層110上并與源極/汲極區(qū)124電性連接。彩色濾光片114設(shè)置于第二基板104上。黑色矩陣120位于第二基板104上且介于彩色濾光片114間。在彩色濾光片118及畫素電極112間為液晶層118。
由于源極/汲極區(qū)122、124與閘極區(qū)126通常由金屬制成，容易產(chǎn)生反射。因此液晶顯示器組裝時(shí)，第一基板102需和第二基板104對(duì)齊，即讓黑色矩陣120可以遮蔽源極/汲極區(qū)122、124與閘極區(qū)126，來避免外界光線照射于其上產(chǎn)生反射。通常為了有效遮蔽，黑色矩陣120的面積會(huì)較大。然而隨著顯示器的畫面分辨率提升而畫素面積縮小，使用較大面積的黑色矩陣會(huì)無法達(dá)到高開口率的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供具有抗反射層的液晶顯示器，以降低液晶顯示器內(nèi)部的反射。
一種降低反射的液晶顯示器，包含第一基板及第二基板。開關(guān)設(shè)置于第一基板上，以控制液晶顯示器的發(fā)光。數(shù)據(jù)線延伸成為開關(guān)之源極/汲極區(qū)。第一電極和數(shù)據(jù)線電性連接?？狗瓷鋵釉O(shè)置于數(shù)據(jù)線上，抗反射層由抗反射材料形成，以降低液晶顯示器的反射。第二電極設(shè)置于第二基板上，而液晶層設(shè)置于第二電極及開關(guān)之間。
一種降低反射的液晶顯示器，包含第一基板及第二基板。開關(guān)設(shè)置于第一基板上，以控制液晶顯示器的發(fā)光。閘極線延伸成為開關(guān)之閘極區(qū)。第一電極和數(shù)據(jù)線電性連接?？狗瓷鋵釉O(shè)置于閘極線上，抗反射層由一抗反射材料形成，以降低液晶顯示器的反射。第二電極設(shè)置于第二基板上，而液晶層設(shè)置于第二電極及開關(guān)之間。
附圖簡(jiǎn)要說明圖1是現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示器內(nèi)部具有黑色矩陣和數(shù)據(jù)線。
圖2是本發(fā)明中液晶顯示器內(nèi)部數(shù)據(jù)線與門極線的相對(duì)位置示意圖。
圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例的剖面圖，數(shù)據(jù)線具有抗反射層，彩色濾光片設(shè)置于第二基板上。
圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線具有抗反射層，彩色濾光片設(shè)置于第一基板上。
圖5是本發(fā)明的第三實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線具有抗反射層，彩色濾光片設(shè)置于第一基板上。
圖6是本發(fā)明的第四實(shí)施例中，閘極線具有抗反射層。
圖7是本發(fā)明的第五實(shí)施例中，閘極線及數(shù)據(jù)線皆具有抗反射層。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供具有抗反射層的液晶顯示器。此抗反射層位于數(shù)據(jù)線或門極線上，降低液晶顯示器內(nèi)的反射，以提高對(duì)比。
圖2為本發(fā)明的液晶顯示器中，彩色濾光片和數(shù)據(jù)線與門極線的示意圖。數(shù)據(jù)線202和閘極線204交錯(cuò)，其中數(shù)據(jù)線202延伸形成源極/汲極區(qū)206、208。閘極線204延伸形成閘極210。畫素電極212和源極/汲極區(qū)208電性連接。本發(fā)明的抗反射層可以形成于數(shù)據(jù)線206或門極線208上，或者同時(shí)形成于數(shù)據(jù)線206和閘極線208上。
圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例中液晶顯示器的剖面圖。第一基板302及第二基板304的材料可為玻璃基板或類似之物。第一基板302上有半導(dǎo)體層(semiconductor layer)328，較佳為多晶硅層(polysilicon layer)或非晶硅層(amorphous silicon layer)。絕緣層306位在半導(dǎo)體層328上，其上設(shè)有閘極線延伸而來的閘極區(qū)326。在閘極區(qū)326及第一基板302上形成一內(nèi)介電層308。數(shù)據(jù)線延伸而成的源極/汲極區(qū)322、324分別形成于內(nèi)介電層308上，且向下延伸與半導(dǎo)體層328連接。閘極區(qū)326與源極/汲極區(qū)322、324形成一開關(guān)，如薄膜晶體管(TFT)。平坦層(planerization layer)310形成于內(nèi)介電層308與源極/汲極區(qū)322、324上。第一電極312，又稱為畫素電極(pixel electrode)，形成于平坦層310上并與源極/汲極區(qū)324電性連接。第一電極312的材料較佳為銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)，或類似之物。
繼續(xù)參考圖3，數(shù)據(jù)線延伸而成的源極/汲極區(qū)322上具有抗反射層(anti-reflectivelayer)320。制程中，抗反射層320和數(shù)據(jù)線及源極/汲極區(qū)322具有相同的圖案(pattern)，因此制程中不需要多一道光罩步驟來制作抗反射層320?？狗瓷鋵?20是由抗反射材料(anti-reflective material)形成，可降低液晶顯示器內(nèi)部的反射。抗反射材料較佳為氧化鉻(chromium oxide)或氮化硅(silicon nitride)，或者其它可以降低光線反射之材料。當(dāng)液晶顯示器為彩色顯示器時(shí)，彩色濾光片314可選擇性地形成于第二基板304上。彩色濾光片314上形成第二電極316。第二電極316又名共同電極(common electrode)，其材料較佳為ITO或其它相似之物。在第二電極316及平坦層310間則是液晶層318。在第一實(shí)施例中，由于抗反射層320直接形成于源極/汲極區(qū)322上，因此當(dāng)?shù)诙?04和第一基板302的對(duì)齊時(shí)，不需要加大抗反射層320的面積以遮蓋源極/汲極區(qū)322。如此一來，可有效提高液晶顯示器的開口率。
圖4為本發(fā)明的第二實(shí)施例中液晶顯示器的剖面圖。圖4的液晶顯示器和圖3類似，主要不同之處在于彩色濾光片414可直接形成于第一電極312上。在圖4中，第一電極312形成于彩色濾光片414及平坦層310之間。第二電極416則直接形成于第二基板304上。由于彩色濾光片414為直接形成于平坦層306之上，因此不需像圖3結(jié)構(gòu)需注意彩色濾光片314與第一基板302的對(duì)齊。
圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例中液晶顯示器的剖面圖。圖5的液晶顯示器和圖4類似。不同處在于彩色濾光片414直接形成于平坦層308上，而第一電極412為形成于彩色濾光片414上。
圖6為本發(fā)明的第四實(shí)施例中，液晶顯示器的剖面圖。圖6和圖3的液晶顯示器剖面圖類似，不同處在于抗反射層420形成于閘極線延伸而來的閘極區(qū)326。抗反射層420是由抗反射材料形成，可降低液晶顯示器內(nèi)部的反射?？狗瓷洳牧陷^佳為氧化鉻或氮化硅，或者其它可以降低光線反射的材料。制程中，抗反射層420和閘極線與門極區(qū)326具有相同的圖案，因此制程中不需要多一道光罩步驟來制作抗反射層420。當(dāng)抗反射層420形成于閘極線與門極區(qū)326上時(shí)，彩色濾光片314的可形成如同圖4及圖5的位置。此等替換為熟悉技術(shù)的人容易想到的，在此不加以贅述。
圖7為本發(fā)明的第五實(shí)施例中，液晶顯示器的剖面圖。圖7和圖3或圖6類似，不同之處在于將抗反射層320形成于數(shù)據(jù)線延伸延伸而來的源極/汲極區(qū)322上，且抗反射層420形成于閘極線延伸而來的閘極區(qū)326上。如此一來，液晶顯示器的內(nèi)部反射可有效的降低，以提高對(duì)比。當(dāng)抗反射層320、420形成于閘極線及數(shù)據(jù)線時(shí)，彩色濾光片314可位于如同圖4及圖5的位置。此等替換為熟悉技術(shù)的人容易想到的，在此不加以贅述。
以上具體實(shí)施例的詳細(xì)描述用以更加清楚地描述本發(fā)明的特征與精神，而非用以限制本發(fā)明的范疇。本發(fā)明的范疇?wèi)?yīng)依據(jù)權(quán)利要求的范圍，并包含固有的均等改變以及具均等性的安排。
組件符號(hào)說明102第一基板 104第二基板106絕緣層 108內(nèi)介電層110平坦層 112畫素電極114彩色濾光片 116共同電極118液晶層 120黑色矩陣122、124源極/汲極區(qū) 126閘極區(qū)128多晶硅層202數(shù)據(jù)線 204閘極線206、208源極/汲極區(qū) 210閘極區(qū)302第一基板 304第二基板306絕緣層 308內(nèi)介電層310平坦層 312第一電極314彩色濾光片 316第二電極318液晶層 320抗反射層322、324源極/汲極區(qū) 326閘極區(qū)328半導(dǎo)體層412第一電極 414彩色濾光片416第二電極 420抗反射層
權(quán)利要求
1.一種降低反射的液晶顯示器，其特征在于，包含一第一基板(substrate)及一第二基板；一開關(guān)(switch)設(shè)置于所述第一基板上，以控制所述液晶顯示器的發(fā)光；一數(shù)據(jù)線(data line)，延伸成為所述開關(guān)之源極/汲極區(qū)；一第一電極，和所述數(shù)據(jù)線電性連接；一抗反射層(anti-reflective layer)，設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線上，所述抗反射層由一抗反射材料(anti-reflective material)形成，以降低所述液晶顯示器的反射；一第二電極，設(shè)置于所述第二基板上；以及一液晶層，設(shè)置于所述第二電極及所述開關(guān)之間。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其進(jìn)一步特征在于，所述抗反射材料由氧化鉻(chromium oxide)及氮化硅(silicon nitride)所組成的一群組選出。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其進(jìn)一步特征在于，所述第一電極的材料由銦錫氧化物(ITO)及銦鋅氧化物(IZO)所組成之一群組選出。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其進(jìn)一步特征在于，包含一彩色濾光片設(shè)置于所述第二基板與所述液晶層之間。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其進(jìn)一步特征在于，包含一彩色濾光片設(shè)置于所述開關(guān)與所述液晶層之間，且所述第一電極設(shè)置于所述彩色濾光片與所述開關(guān)間。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其進(jìn)一步特征在于，包含一彩色濾光片設(shè)置于所述開關(guān)與所述液晶層之間，且所述第一電極設(shè)置于所述彩色濾光片與所述液晶層間。
7.一種降低反射的液晶顯示器，其特征在于，包含一第一基板及一第二基板；一開關(guān)，以控制所述液晶顯示器的發(fā)光；一閘極線(gate line)，延伸成為所述開關(guān)之一閘極區(qū)；一抗反射層，設(shè)置于所述閘極線上，所述抗反射層由一抗反射材料形成，以降低所述液晶顯示器的反射；一第二電極，設(shè)置于所述第二基板上；以及一液晶層，設(shè)置于所述第二電極及所述開關(guān)之間。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其進(jìn)一步特征在于，所述抗反射材料由氧化鉻及氮化硅所組成的一群組中選出。
9.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其進(jìn)一步特征在于，所述第一電極的材料由銦錫氧化物(ITO)及銦鋅氧化物(IZO)所組成之一群組選出。
10.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其進(jìn)一步特征在于，包含一彩色濾光片設(shè)置于所述第二電極及所述液晶層之間。
11.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其進(jìn)一步特征在于，包含一彩色濾光片設(shè)置于所述開關(guān)與所述液晶層之間，且所述第一電極設(shè)置于所述彩色濾光片與所述開關(guān)間。
12.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其進(jìn)一步特征在于，包含一彩色濾光片設(shè)置于所述開關(guān)與所述液晶層之間，且所述第一電極設(shè)置于所述彩色濾光片與所述液晶層之間。
全文摘要
一種降低反射的液晶顯示器。此液晶顯示器的信息線和閘極線上具有抗反射層?？狗瓷鋵佑煽狗瓷洳牧蠘?gòu)成，可避免外界光線在液晶顯示器內(nèi)部而產(chǎn)生反射。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1519618SQ0310296
公開日2004年8月11日 申請(qǐng)日期2003年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月22日
發(fā)明者蔡耀銘, 陸一民, 張世昌 申請(qǐng)人:統(tǒng)寶光電股份有限公司