專利名稱：光刻掩模制造技術(shù)
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝的光刻掩模的制造。
背景光刻應(yīng)用一種圖象系統(tǒng)，該圖象系統(tǒng)將一種光輻射投射到一個(gè)形成圖形的掩模上以形成一個(gè)圖象，然后該圖象被投影到涂覆光刻膠的半導(dǎo)體晶片上。


圖1是在晶片處理中應(yīng)用掩模的光刻圖象系統(tǒng)的框圖。
圖2A-2E是掩模在制造工藝的不同時(shí)期的剖面圖。
圖3A和3B是晶片的臨界尺寸相對(duì)于圖象系統(tǒng)的散焦的曲線圖，分別用于用圖2A-2E的工藝制造的掩模的密集的和隔離的圖形。
圖4A-4G是掩模在制造工藝的不同時(shí)期的剖面圖，在該工藝中一個(gè)薄層被淀積在掩模的反射體上。
圖4H是在用圖4A-4G的工藝制造的掩模中薄層和反射體之間的界面上的反射的剖面圖。
圖5是在用圖4A-4G的工藝制造的掩模中掩模的反射率相對(duì)于薄層的厚度的曲線圖。
圖6是晶片的臨界尺寸相對(duì)于圖象系統(tǒng)的散焦的曲線圖，用于用圖4A-4G的工藝制造的掩模的隔離的圖形。
圖7A-7G是掩模在制造工藝的不同時(shí)期的剖面圖，在該工藝中一個(gè)溝槽被刻蝕成掩模的反射體。
圖8是用圖7A-7G的工藝制造的掩模的照片。
圖9A和9B是晶片的臨界尺寸相對(duì)于圖象系統(tǒng)的散焦的曲線圖，分別用于用圖7A-7G的工藝制造的掩模的密集的和隔離的圖形。
圖10是顯示光刻過(guò)程中的遮蔽效應(yīng)的示意圖。
圖11是晶片的臨界尺寸相對(duì)于被形成圖形以在晶片上成像的掩模的臨界尺寸的曲線圖。
圖12A和12B是晶片的臨界尺寸相對(duì)于圖象系統(tǒng)的散焦的曲線圖，分別用于用圖2A-2E的工藝制造的帶有鍺制的吸收體的掩模的密集的和隔離的圖形。
圖13A和13B是晶片的臨界尺寸相對(duì)于圖象系統(tǒng)的散焦的曲線圖，分別用于用圖2A-2E的工藝制造的帶有鋁制的吸收體的掩模的密集的和隔離的圖形。
圖14A和14B是晶片的臨界尺寸相對(duì)于圖象系統(tǒng)的散焦的曲線圖，分別用于用圖2A-2E的工藝制造的帶有鋁制的吸收體和硅鍺合金制的緩沖體的掩模的密集的和隔離的圖形。
在各個(gè)圖中相同的參考符號(hào)指示相同的元件。
詳細(xì)描述1)光刻成像系統(tǒng)的概述光刻應(yīng)用一種圖象系統(tǒng)，該圖象系統(tǒng)將一種光輻射投射到一個(gè)掩模上以形成一個(gè)圖形，然后該圖形的圖象被以例如4∶1的縮減比例投影到涂覆光刻膠的半導(dǎo)體晶片上。在光刻中使用的光輻射可以是任何適當(dāng)?shù)牟ㄩL(zhǎng)，通過(guò)減小波長(zhǎng)系統(tǒng)的分辨率得到提高。因?yàn)榉直媛侍岣?，在半?dǎo)體晶片上印制更小圖形的能力也提高。
一種類型的光刻系統(tǒng)應(yīng)用的光輻射在極端紫外線(EUV)的波長(zhǎng)范圍。通常，EUV輻射有1到40納米(nm)的波長(zhǎng)范圍，而在光刻中用的EUV輻射有10到14nm的波長(zhǎng)范圍。用在該區(qū)域中的輻射光進(jìn)行的光刻被認(rèn)知為EUV光刻(EUVL)。
參考圖1，一個(gè)EUVL成像系統(tǒng)100包括一個(gè)輻射源105，一個(gè)縮微光學(xué)部分110，一個(gè)投影光學(xué)部分112，一個(gè)掩模臺(tái)115和一個(gè)晶片臺(tái)120。對(duì)于所討論的情況，該所討論的裝備涉及EUVL成像系統(tǒng)。但是，所敘述的方法和系統(tǒng)不限制于EUVL成像系統(tǒng)。相反，其可以用于任何使用掩模的，在有些情況下使用反射型掩模的光刻成像系統(tǒng)。它們也可以用于使用發(fā)射型掩模的光刻成像系統(tǒng)。
輻射源105可以是能產(chǎn)生極端紫外線(EUV)波長(zhǎng)范圍的輻射的任何光源。適當(dāng)?shù)妮椛湓?05的一個(gè)實(shí)例是一種等離子體，當(dāng)一個(gè)諸如1700瓦(W)的脈沖鐿-鋁石榴石(YAG)固態(tài)激光器照射一種氣體時(shí)就產(chǎn)生該種等離子體，諸如一種氙氣超聲波發(fā)生器。作為另一個(gè)實(shí)例，適當(dāng)?shù)妮椛湓?05可以用和同步加速器相關(guān)的彎曲磁場(chǎng)和波動(dòng)器形成。作為還有一個(gè)實(shí)例，適當(dāng)?shù)妮椛湓?05可以形成于或開(kāi)發(fā)于各種放電源，該放電源具有提供在所要求的波長(zhǎng)范圍中的足夠的功率的電勢(shì)。EUV輻射幾乎在所有發(fā)射材料中被強(qiáng)烈吸收，包括氣體和玻璃。由于這個(gè)原因，EUV成像要在接近真空的條件下進(jìn)行。
掩模臺(tái)115包括一個(gè)安裝到一個(gè)輸送臺(tái)130上的掩模125，該輸送臺(tái)130對(duì)該掩模125進(jìn)行掃描。掩模125可以是平面的，凹面的，凸面的或允許形成圖形的任何形狀。在一個(gè)EUV成像系統(tǒng)中，因?yàn)镋UV輻射在諸如可以被用于傳統(tǒng)的光刻成像系統(tǒng)中的各種透鏡的發(fā)射材料中被強(qiáng)烈吸收，因此掩模125是反射型的。
晶片臺(tái)120包括一個(gè)安裝在一個(gè)輸送臺(tái)140的光刻膠覆蓋半導(dǎo)體晶片135，該輸送臺(tái)140對(duì)晶片135和掩模125同步地進(jìn)行掃描，并逐步地將晶片135置于從掩模125接收下一個(gè)圖象的位置。
縮微光學(xué)部分110將輻射從源105帶到掩模臺(tái)115。在EUVL成像系統(tǒng)中，因?yàn)楹虴UV輻射相關(guān)的吸收，縮微光學(xué)部分是反射性的。因此，縮微光學(xué)部分110包括將來(lái)自源105的輻射收集和聚焦到掩模臺(tái)115上的縮微反射器或鏡子145?？梢杂萌魏螖?shù)量的縮微鏡145，諸如圖1中的四個(gè)。
投影光學(xué)部分112減弱了來(lái)自掩模臺(tái)115上的掩模125的圖象并在晶片臺(tái)120上的晶片135上形成圖象。在EUVL成像系統(tǒng)中，因?yàn)楹虴UV輻射相關(guān)的吸收，投影光學(xué)部分是反射性的。因此，投影光學(xué)部分112包括將從掩模125反射的輻射投影到晶片的反射器或鏡子150。在投影光學(xué)部分112中，掩模125的反射光譜可以和鏡子的反射光譜匹配。
再參考圖2A-2E，通常，反射型的掩模225(圖2D-2E)包括一個(gè)吸收EUV輻射的帶有圖形的吸收體230，一個(gè)緩沖體235，一個(gè)多層(ML)反射器240和一個(gè)在下面的掩模底板241。掩模底板241可以是能經(jīng)受后續(xù)的制造工藝的任何的襯底，通常是用有低熱膨脹的材料制成，諸如ULETM，由紐約的Coring公司制造的超低膨脹鈦硅玻璃等。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模底板241的厚度為0.64cm。在工作中，在掩模225上的任何入射輻射(圖2D中由箭頭250表示)將被帶有圖形的吸收體230吸收或被不帶有圖形的區(qū)域中的ML反射體240部分反射(圖2D中由箭頭255表示)。
如圖2A所示，ML反射體240形成在掩模底板241上，并由多層交替的反射材料和傳輸材料總體構(gòu)成，當(dāng)層次的周期大致為在該成像系統(tǒng)中所用的輻射的波長(zhǎng)的一半時(shí)，這些層次提供一種諧振的反射性能?？梢詰?yīng)用若干反射和傳輸材料的不同組合。在一個(gè)實(shí)施例中，這些材料可以是鉬(Mo)和硅(Si)，它們?cè)诩s2到12nm的厚度上交替分層以產(chǎn)生約50到500nm厚度的ML反射體。
緩沖體235可以是起阻擋層或刻蝕剖面控制器作用的任何材料。在掩?？涛g和修理過(guò)程中緩沖體235保護(hù)下面的反射器，同時(shí)保證在吸收器上刻蝕的圖形清潔和基本垂直。緩沖體235相對(duì)地非不透光，并且應(yīng)容易選擇性地除去或刻蝕。緩沖體235的厚度大多數(shù)情況下由對(duì)緩沖體的選擇性的吸收體刻蝕，對(duì)ML反射體的選擇性的修理刻蝕以及光學(xué)檢查對(duì)比度確定。在一個(gè)實(shí)施例中，緩沖體235有從30到50nm的厚度范圍，并用二氧化硅(SiO2)制成。在其他實(shí)施例中，緩沖體可以用碳(C)或釕(Ru)制成。
吸收體230可以是對(duì)在該成像系統(tǒng)中應(yīng)用的波長(zhǎng)上的輻射吸收的并可被選擇性地刻蝕的任何適當(dāng)?shù)牟牧?。吸收體230的厚度大多數(shù)情況下由被用作吸收體的材料的輻射吸收確定。吸收體230可以用符合這些標(biāo)準(zhǔn)的任何材料或成分制成，諸如鉻(Cr)，鉭(Ta)，氮化鉭(TaN)和硼氮化鉭(TaBN)等。通常，如果用TaN，吸收體230的厚度可以在50到100nm的范圍內(nèi)。
如圖2A所示，掩模225由在掩模底板241上淀積ML反射體240形成。緩沖體235用任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)諸如物理氣相淀積或?yàn)R射技術(shù)置于ML反射器240的頂部。該技術(shù)進(jìn)行的溫度應(yīng)進(jìn)行選擇以避免對(duì)下面的ML反射體240發(fā)生改變。接著，吸收體230用任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)諸如物理氣相淀積或?yàn)R射技術(shù)置于緩沖體235的頂部。
參考圖2B和2C，用任何適當(dāng)?shù)目涛g技術(shù)刻蝕掩模225。通常，在吸收體230的頂部形成一層光刻膠245的圖形，通過(guò)在未被光刻膠245覆蓋的位置刻蝕吸收體230將該圖形重復(fù)進(jìn)吸收體230而形成掩模特征247然后光刻膠245被選擇性地去除，在未被吸收體230覆蓋的位置刻蝕緩沖體235以產(chǎn)生如圖2D和2E所示的掩模。經(jīng)刻蝕的掩模圖形如上所述最終被用于用投影光學(xué)和縮微光學(xué)形成半導(dǎo)體晶片上的圖形。在一個(gè)實(shí)施例中，如上所述，掩模用等離子刻蝕進(jìn)行刻蝕。
2)光刻成像系統(tǒng)中的相位糾正掩模225的特征在于其臨界尺寸(CD)，該臨界尺寸通常是特征圖形的線寬。一個(gè)特征由一個(gè)間隔將其從相鄰的特征分開(kāi)，節(jié)距或周期是從一個(gè)特征圖形上的點(diǎn)到相鄰特征圖形上的同一個(gè)點(diǎn)之間的距離或線寬加間隔。掩模的周期性的或密集的特征被限定為掩模的這樣的特征，在該特征中線寬等于特征之間的間隔。例如，密集的特征可以有30nm的線寬和60nm的節(jié)距。掩模的隔離的或半隔離的特征被限定為掩模的這樣的特征，在該特征中線寬小于特征之間的間隔。例如，隔離的特征可以有30nm的線寬和200nm的節(jié)距。掩模的特征圖形被成像到晶片上，這樣晶片的特征也在于其本身的臨界尺寸，該臨界尺寸和掩模的臨界尺寸成比例，但通常是小于掩模的臨界尺寸。
如下文所述，在光刻中經(jīng)常遇到的一個(gè)問(wèn)題是正確印制隔離的特征圖形所需要的條件和正確印制密集的特征圖形所需要的條件之間的沖突。當(dāng)分析因?yàn)槌上裣到y(tǒng)的散焦而晶片的特征的線寬怎樣變化時(shí)，這樣的沖突可以被認(rèn)識(shí)到或被理解。
在一個(gè)反射的掩模(諸如反射掩模225)中，相位誤差可以在掩模反射體(諸如反射體240)和吸收體(諸如吸收體230)之間的邊界上誘發(fā)。這樣的相位誤差由從掩模反射體反射的輻射和在吸收體和反射體之間的邊界上散射的輻射的相互作用而引起。誘發(fā)的相位誤差引起聚焦上的節(jié)距依賴的轉(zhuǎn)變，而焦點(diǎn)是該成像系統(tǒng)的特征。相位誤差也引起在隔離特征中表現(xiàn)出來(lái)的工藝窗口的傾斜。工藝窗口是成像系統(tǒng)的產(chǎn)生合格的或有用的晶片的焦點(diǎn)和曝光劑量的范圍。節(jié)距依賴的聚焦轉(zhuǎn)變和工藝窗口傾斜的效應(yīng)極大地減小了為密集的和隔離的特征圖形共用的工藝窗口。
圖3A顯示了對(duì)于有30nm線寬的掩模的密集特征的晶片的線寬305(微米或μm)對(duì)成像系統(tǒng)的散焦310(μm)的曲線圖300。圖3B顯示了對(duì)于有30nm線寬的掩模的隔離特征的晶片的線寬355(μm)對(duì)散焦360(μm)的曲線圖350。曲線300，350是掩模225的性能的模擬輸出。在這些模擬中，掩模的結(jié)構(gòu)是這樣的，襯底用SiO2制成，有28nm的厚度，反射體240用Mo/Si堆疊制成，其中Mo有2.76nm的厚度，Si有4.14nm的厚度，緩沖層被取消了，吸收體用TaN制成，有100nm的厚度。另外，在這些模擬中，輻射波長(zhǎng)為13.42nm，成像系統(tǒng)的數(shù)字光圈為0.25，例如輻射的相對(duì)于掩模表面的法線的入射角(θ)為5°。
曲線300，350的形狀取決于對(duì)晶片的輻射曝光劑量。在曲線圖300，350中明顯的是，聚焦存在從圖3B中的隔離特征相對(duì)于圖3A中的密集特征的轉(zhuǎn)變。而且，圖3B中的隔離特征的工藝窗口不對(duì)稱或偏斜。因?yàn)檫@些問(wèn)題，為隔離特征和密集特征的共用工藝窗口減小了。
為了糾正節(jié)距依賴聚焦轉(zhuǎn)變和工藝窗口偏斜的問(wèn)題以及將共用的工藝窗口保持在適合于半導(dǎo)體晶片成像的閾值水平之上，在制作掩模期間誘發(fā)一個(gè)相反的相位轉(zhuǎn)變以補(bǔ)償相位誤差，如下文所述。
再參考圖4A-4G，掩模425可以用一個(gè)在ML反射體440上淀積成一個(gè)附加頂層的薄層442而形成。在刻蝕過(guò)程中，薄層442在相鄰于掩模的特征的部分443被除去。薄層的材料經(jīng)選擇以抵消相位轉(zhuǎn)變。
參考圖4A，掩模通過(guò)在掩模底板441上淀積ML反射體440，在反射體440上淀積薄層442，在薄層442上淀積緩沖體435和在緩沖體435上淀積吸收體430而制備。淀積技術(shù)的實(shí)例如上相關(guān)于圖2A的討論。
接著，如圖4B所示，在吸收體430的頂部形成光刻膠445的圖形，以及如圖4C所示，通過(guò)在光刻膠445未覆蓋的位置刻蝕吸收體430而將該圖形重復(fù)進(jìn)吸收體430以形成掩模的特征圖形447。接著，如圖4D所示，光刻膠被選擇性地去除，在未由吸收體430覆蓋的位置刻蝕緩沖體435。如圖4E所示，在薄層442的頂部形成另一個(gè)光刻膠455的圖形。最后，如圖4F所示，通過(guò)在光刻膠455或吸收體430未覆蓋的位置刻蝕薄層442，然后選擇性地去除光刻膠455而將該圖形重復(fù)進(jìn)薄層442以形成掩模425。
經(jīng)刻蝕的掩模圖形最終將如上所述用投影光學(xué)和縮微光學(xué)用于形成半導(dǎo)體晶片的圖形。在一個(gè)實(shí)施例中，如上所述，掩模用等離子刻蝕進(jìn)行刻蝕。
再參考圖4H，在從薄層442反射的輻射和從反射體440反射的輻射之間的相位轉(zhuǎn)變(ΔΦ)由下式給出 式中λ是來(lái)自輻射源的輻射的波長(zhǎng)；Δn是n1-nv，此處n1是薄層的折射率的實(shí)部，nv是真空的折射率的實(shí)部；θ是來(lái)自輻射源的輻射的入射角；d是薄層的厚度。
在一個(gè)實(shí)施例中，薄層用Ru制成，其中Δn＝0.11063。在該情況下，如果Ru層的厚度d為3nm，然后，如果輻射的波長(zhǎng)λ為13.4nm，則ΔΦ＝18°。如另一個(gè)實(shí)例所示，如果薄層用二氧化硅(SiO2)制成，如果SiO2層的厚度d為3nm，然后Δn＝0.02137以及如果輻射的波長(zhǎng)λ為13.4nm，則ΔΦ＝3.4°。通過(guò)和Ru對(duì)照，如果用SiO2，就需要16nm的厚度d以得到18°的相位糾正。結(jié)果，光將由SiO2的厚層衰減。其他的可以用作薄層442的可能的材料包括例如Mo，鉬硅化物(MoSi)，或任何其他產(chǎn)生相位糾正，沒(méi)有不可接受的光衰減數(shù)量的材料。
在參考圖4F，在相鄰于吸收體特征447的位置薄層442被刻蝕。如果薄層用3mm厚的Ru制成，如果Ru被刻蝕成有5nm到20nm(1×)的接近特征447的邊緣的寬度，在特征的邊緣就產(chǎn)生一個(gè)相位誤差(10到30度)。該相位誤差有和在EUVL成像系統(tǒng)100中誘發(fā)的相位誤差相反的符號(hào)，并且是圖形的節(jié)距依賴聚焦轉(zhuǎn)變的原由。因此兩種相位誤差互相抵消，節(jié)距依賴聚焦轉(zhuǎn)變被糾正。
圖5顯示了掩模相對(duì)于薄層厚度的反射率的曲線圖500，該薄層用Ru淀積在ML反射體440上，該ML反射體440由40對(duì)Mo/Si層制成。因?yàn)镽u層的厚度505增加到3nm以上，掩模反射率明顯減小。如從曲線圖中可看到，為了得到大于0.7的反射率，Ru層通常應(yīng)該具有小于或等于4nm的厚度505。如圖所示，隨著Ru層有小于3nm的厚度505，反射率能達(dá)到0.75的水平?？傊绻鸕u有小于4nm的厚度，然后Ru就可刻蝕到具有接近特征的邊緣的5nm到30nm(1×)的寬度以得到適當(dāng)?shù)南辔徽`差。
圖6顯示了掩模425的掩模性能的模擬結(jié)果(曲線600)。這些結(jié)果顯示了對(duì)于各種曝光劑量的線寬605(μm)對(duì)散焦610的關(guān)系。在這些模擬中，掩模425的結(jié)構(gòu)是這樣的，襯底用SiO2制成，有28nm的厚度，反射體440用Mo/Si堆疊制成，其中Mo有2.76nm的厚度，Si有4.14nm的厚度，緩沖層被取消了，吸收體用TaN制成，有100nm的厚度，以及薄層442用Ru制成，有3nm的厚度。另外，在這些模擬中，輻射波長(zhǎng)為13.42nm，成像系統(tǒng)的數(shù)字光圈為0.25，例如輻射的入射角θ為5°。在掩模特征447的每側(cè)的模擬的刻蝕寬度為1×比例的16nm，或4×掩模比例的64nm。如在曲線圖600中明顯的是，隔離特征的聚焦轉(zhuǎn)變和工藝窗口傾斜都被糾正了。因此，掩模的共用工藝窗口被保持在使半導(dǎo)體掩模成像能夠進(jìn)行的水平之上。
再參考圖7A-7G，掩模725或765可以這樣形成，其中溝槽被直接刻蝕進(jìn)相鄰于掩模的特征圖形的反射體740的部分743。用這種方法，直接從部分刻蝕的反射體740產(chǎn)生相位轉(zhuǎn)變。如圖所示，掩模725或765包括一個(gè)淀積在掩模底板741上的ML反射體740，一個(gè)置于ML反射體740上的緩沖體735，以及一個(gè)置于緩沖體735上的吸收體730。最初，如圖2A所示，掩模通過(guò)在掩模底板741上淀積ML反射體740，在反射體740上淀積緩沖體735以及在緩沖體735上淀積吸收體730而制備。具體的淀積技術(shù)在上文相關(guān)于圖2A進(jìn)行討論。因?yàn)榉瓷潴w740將被刻蝕，有利的是，在淀積ML反射體中向ML反射體添加幾個(gè)額外的層次。
接著，如圖7B所示，在吸收體730上形成光刻膠745的圖形，如圖7C所示，通過(guò)在未由光刻膠745覆蓋的位置刻蝕吸收體730將圖形重復(fù)進(jìn)吸收體730以形成掩模特征747。接著，如圖7D和7E所示，光刻膠745被選擇性地去除，在未由吸收體730覆蓋的位置刻蝕緩沖體735。
如圖7D所示，兩種刻蝕緩沖體735的方法包括以常規(guī)的方式(A)刻蝕緩沖體或經(jīng)刻蝕緩沖體使溝槽739形成在反射體740上(B)。這可以通過(guò)在特征747的邊緣刻蝕緩沖體比在沿緩沖體的其他位置更快來(lái)完成這個(gè)工作(被稱做微溝槽刻蝕的工藝)。在該點(diǎn)上，如果緩沖體根據(jù)第二種方式刻蝕(圖7D-B)，然后不需附加的抗蝕工藝，掩模765就形成了。如圖8所示，在用圖7A-7D顯示的工藝制造的掩模765的一個(gè)部分800的照片中可以看到溝槽739。
如果根據(jù)第一方式(圖7D-A)刻蝕緩沖體，然后，如圖7E所示，在反射體740的頂部形成另一個(gè)光刻膠755的圖形。如圖7F所示，通過(guò)在未由光刻膠755或吸收體730覆蓋的位置刻蝕反射體740(例如通過(guò)約4對(duì)ML)將圖形重復(fù)進(jìn)反射體740，然后光刻膠755被選擇性地除去以形成掩模725。如上所述，經(jīng)刻蝕的掩模圖形最終將通過(guò)應(yīng)用投影光學(xué)和縮微光學(xué)被用于形成半導(dǎo)體晶片的圖形。在一個(gè)實(shí)施例中，如上所述，用等離子刻蝕進(jìn)行掩模的刻蝕。
從溝槽和反射體740的經(jīng)刻蝕的區(qū)域反射的輻射和從反射體740的未刻蝕的區(qū)域反射的輻射之間在相位轉(zhuǎn)變(ΔΦ)上的差別可以通過(guò)在未刻蝕的反射體區(qū)域的每個(gè)層1(此處反射體的層1可以是反射材料層或傳輸材料層)計(jì)算相位轉(zhuǎn)變?chǔ)う?，然后將所有層次數(shù)的相位轉(zhuǎn)變?chǔ)う?相加而估計(jì)出來(lái)
式中，λ是來(lái)自輻射源的輻射的波長(zhǎng)，Δn1是n1-nv，式中n1是反射體740的折射率的實(shí)部，nv是真空的折射率的實(shí)部，d1是多層反射體中的層次的厚度。該等式僅提供所有相位轉(zhuǎn)變的估計(jì)值。為了確定實(shí)際的相位轉(zhuǎn)變，必須考慮在每層上反射的光的干涉。這樣，應(yīng)用該估計(jì)，如果反射體用Mo和Si的多層次制成，如果每層的厚度d1對(duì)Si為4.14nm，對(duì)Mo為2.76nm，如果如果層次數(shù)1＝8(或4對(duì)Mo/Si)，然后對(duì)于Mo，Δn1等于0.07257，對(duì)于Si，Δn1等于6.7×10-5，如果輻射的波長(zhǎng)λ為13.4nm，則ΔΦ等于35°。
再參考圖9A和9B，圖中給出了對(duì)于掩模765的掩模性能的模擬結(jié)果(曲線900和950)。這些結(jié)果顯示對(duì)于密集特征的各種曝光劑量的線寬905(μm)對(duì)散焦910(μm)，以及對(duì)于隔離特征的各種曝光劑量的線寬915(μm)對(duì)散焦920(μm)的關(guān)系。在這些模擬中，掩模765的結(jié)構(gòu)是這樣的，襯底用SiO2制成，有28nm的厚度，反射體740用Mo/Si堆疊制成，其中Mo有2.76nm的厚度，Si有4.14nm的厚度，緩沖層被取消了，吸收體用TaN制成，有100nm的厚度，4對(duì)ML(約28nm的深度)被刻蝕進(jìn)反射體740，因此特征747的一面上的溝槽的寬度在1×比例下為6nm，在4×比例下為24nm。還有，在溝槽的厚度和溝槽的寬度之間有一個(gè)交替。另外，在這些模擬中，輻射波長(zhǎng)為13.42nm，成像系統(tǒng)的數(shù)字光圈為0.25，輻射的入射角θ為5°。從曲線900和950很明顯的是，隔離特征的聚焦轉(zhuǎn)變和工藝窗口傾斜被糾正。因此，掩模的共用工藝窗口被保持在使半導(dǎo)體掩模成像能夠進(jìn)行的水平之上。
3)吸收體和緩沖體的折射率匹配在光刻中遇到的另一個(gè)問(wèn)題是掩模制造中因?yàn)殛幱靶?yīng)造成的掩模偏斜(在EUVL中這尤其是一個(gè)問(wèn)題)。再參考圖10，在光刻過(guò)程中因?yàn)閬?lái)自輻射源105的輻射以非直角的角度投射在掩模125上而發(fā)生了陰影效應(yīng)。因?yàn)檫@樣，從掩模125反射的輻射不再輪廓清晰或界限確定，其有使特征圖形的線寬(LW)大于其實(shí)際線寬的效應(yīng)。因?yàn)檫@樣，在晶片135上的相應(yīng)的目標(biāo)印制特征1000將比希望的要大。為了保證目標(biāo)印制特征1000有正確的尺寸，掩模125可以被偏置，因此，例如對(duì)于正光刻膠，掩模線寬將做得比其不這樣做而將做到的線寬要小。例如，如果目標(biāo)印制特征1000應(yīng)是15到20nm，則掩模先寬應(yīng)是80nm。但是，因?yàn)殛幱靶?yīng)，這樣的掩模線寬實(shí)際上產(chǎn)生30nm的目標(biāo)印制特征。為了產(chǎn)生15到20nm的目標(biāo)印制特征1000，掩模線寬必須減小到約50nm。在線寬尺寸上的這樣的限制對(duì)掩模的制造產(chǎn)生這樣的問(wèn)題，例如可能需要新的工具設(shè)備或新的工藝。
為了減小陰影效應(yīng)，用于吸收體230和緩沖體235的材料要經(jīng)過(guò)選擇，它們的折射率(分別為na和nb)和光刻成像在其中進(jìn)行(通常對(duì)于EUVL以及其他技術(shù)是在真空或接近真空中進(jìn)行)的環(huán)境的折射率(nv)匹配或接近匹配。真空中的折射率為1。在包括各種氣體的空氣中，折射率n可以大致為1。在下面的討論中，為了清楚的目的，假定該環(huán)境是真空。折射率的差(Δn＝nv-na，b)或百分比差(Δn/nv×100)可以是在na或nb和nv之間接近匹配的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。一個(gè)通常使用的吸收體材料是TaN，其在13.4nm的波長(zhǎng)上的折射率為0.92724。對(duì)于TaN，折射率差Δn為0.07276，百分比差為7.3％。可以使用的緩沖體材料的一種類型是Ru，其在13.4nm的波長(zhǎng)上的折射率為0.88984。對(duì)于Ru，折射率差Δn為0.11016，百分比差為11.0％。另一種通常使用的吸收體材料是鉻(Cr)，其在13.4nm的波長(zhǎng)上的折射率為0.93333。對(duì)于Cr，折射率差Δn為0.06667，百分比差為6.7％。
如果材料的折射率和真空的折射率之間的百分比差小于5％，則材料的折射率接近于匹配真空的折射率。對(duì)于緩沖體235的滿足這些標(biāo)準(zhǔn)的材料包括鋁，鍺，硅或這些材料的混合物，諸如硅鍺合金(SiG)或鋁硅合金(AlSi)。相似地，對(duì)于吸收體230的滿足這些標(biāo)準(zhǔn)的材料包括鋁，鍺，硅或這些材料的混合物，諸如硅鍺合金(SiG)或鋁硅合金(AlSi)。雖然Si在EUV波長(zhǎng)上有較低的吸收系數(shù)，但用Si制造的化合物可以被用作緩沖體235和吸收體230的材料。例如，鋁在13.4nm的波長(zhǎng)上有1.00253的折射率，其導(dǎo)致的百分比差約為0.3％。作為另一個(gè)實(shí)例，Ge在13.4nm的波長(zhǎng)上有0.00539的折射率，其導(dǎo)致的百分比差約為0.5％。
用這些材料制作的緩沖體235可以用低溫濺射工藝(例如相關(guān)于圖2A討論的工藝)淀積在反射體240上。相似地，用這些材料制作的吸收體230可以用低溫濺射工藝(例如相關(guān)于圖2A討論的工藝)淀積在反射體240上。吸收體230和緩沖體235可以用Cl2或F2基干法刻蝕化學(xué)過(guò)程刻蝕(例如相關(guān)于圖2C和2D討論的工藝)。
圖11顯示了緩沖體135的線寬(μm)對(duì)為晶片成像的掩模125的線寬(μm)的曲線(1×的比例)，對(duì)于TaN(通常用于掩模吸收體230的材料)為曲線1100，對(duì)于Al(通常用于有接近匹配的折射率的掩模吸收體230的材料)為曲線1105。圖11也顯示了一個(gè)表示晶片線寬和掩模線寬之間的最佳關(guān)系的曲線1110。這些曲線通過(guò)一個(gè)模擬產(chǎn)生，該模擬假定晶片的曝光劑量對(duì)于TaN和Al掩模吸收體都相同。如果掩模吸收體用TaN制成，為印制20nm的晶片線寬需要12nm(1×)或52nm(4×)的掩模線寬。作為對(duì)比，如果掩模吸收體用Al制成，為印制20nm的晶片線寬需要18nm(1×)或72nm(4×)的掩模線寬。
如果晶片曝光劑量變化，所需要的掩模線寬也相應(yīng)變化。然而，對(duì)于一個(gè)目標(biāo)晶片線寬，Al吸收體掩模和TaN吸收體掩模的線寬之間的差保持相同。這樣，例如，對(duì)于給出的目標(biāo)晶片線寬和曝光劑量，所需要的Al吸收體掩模線寬將總是大于所需要的TaN吸收體掩模線寬約20nm。
選擇其折射率匹配或接近匹配真空折射率的吸收體230和緩沖體235的材料的另一個(gè)好處是，在隔離特征和密集特征中工藝窗口的傾斜和聚焦的轉(zhuǎn)變相關(guān)于什么時(shí)候應(yīng)用TaN吸收體而部分得到糾正。該效應(yīng)顯示在圖12A到14B，并可以和圖3A和3B進(jìn)行比較。如上所述，圖3A顯示了對(duì)于密集的并有30nm線寬的掩模特征，晶片線寬305對(duì)散焦310的曲線300。圖3B顯示了對(duì)于隔離的并有30nm線寬的掩模特征，晶片線寬355對(duì)散焦360的曲線350。線寬305，355對(duì)幾種不同的曝光劑量(1-13)進(jìn)行了模擬。在這些模擬中，掩模225的結(jié)構(gòu)是這樣的，緩沖體層被取消，吸收體用TaN制成，有100nm的厚度。另外，在這些模擬中，輻射波長(zhǎng)為13.42nm，成像系統(tǒng)的數(shù)字光圈為0.25，輻射的入射角θ為5°。
圖12A顯示了對(duì)于密集的并有30nm線寬的掩模特征，晶片線寬1205對(duì)散焦1210的曲線1200。圖12B顯示了對(duì)于隔離的并有30nm線寬的掩模特征，晶片線寬1255對(duì)散焦1260的曲線1250。線寬1205，1255對(duì)幾種不同的曝光劑量(1-13)進(jìn)行了模擬。在這些模擬中，掩模225的結(jié)構(gòu)是這樣的，緩沖體層被取消，吸收體用Ge制成，有100nm的厚度。另外，在這些模擬中，輻射波長(zhǎng)為13.42nm，成像系統(tǒng)的數(shù)字光圈為0.25，輻射的入射角θ為5°。
圖13A顯示了對(duì)于密集的并有30nm線寬的掩模特征，晶片線寬1305對(duì)散焦1310的曲線1300。圖13B顯示了對(duì)于隔離的并有30nm線寬的掩模特征，晶片線寬1355對(duì)散焦1360的曲線1350。線寬1305，1355對(duì)幾種不同的曝光劑量(1-13)進(jìn)行了模擬。在這些模擬中，掩模225的結(jié)構(gòu)是這樣的，緩沖體層被取消，吸收體用Al制成，有100nm的厚度。另外，在這些模擬中，輻射波長(zhǎng)為13.42nm，成像系統(tǒng)的數(shù)字光圈為0.25，輻射的入射角θ為5°。
圖14A顯示了對(duì)于密集的并有30nm線寬的掩模特征，晶片線寬1405對(duì)散焦1410的曲線1400。圖14B顯示了對(duì)于隔離的并有30nm線寬的掩模特征，晶片線寬1455對(duì)散焦1460的曲線1450。線寬1405，1455對(duì)幾種不同的曝光劑量(1-13)進(jìn)行了模擬。在這些模擬中，掩模225的結(jié)構(gòu)是這樣的，緩沖體層用SiGe制成，有30nm的厚度，吸收體用Al制成，有80nm的厚度。另外，在這些模擬中，輻射波長(zhǎng)為13.42nm，成像系統(tǒng)的數(shù)字光圈為0.25，輻射的入射角θ為5°。
從這些曲線很明顯的是，和使用一種TaN，非接近匹配的折射率的材料相比較，當(dāng)一個(gè)匹配的或接近匹配的折射率被用于掩模中的吸收體和緩沖體時(shí)，在隔離的和密集的特征中的工藝窗口傾斜和聚焦轉(zhuǎn)變至少部分得到糾正。
其他實(shí)施例也在下文的權(quán)利要求的范圍之中。例如，光刻成像系統(tǒng)可以使用一種其波長(zhǎng)大于極端紫外線的輻射源，成像可以在經(jīng)減小的環(huán)境下或適合于輻射波長(zhǎng)的環(huán)境下進(jìn)行。在這種情況下，吸收體或緩沖體可以匹配于或接近匹配于在光刻成像系統(tǒng)中應(yīng)用的該環(huán)境的折射率。
如上所述，光刻成像系統(tǒng)可以使用一種傳輸性的掩模。在這種情況下，掩模包括一個(gè)在襯底上的形成圖形的吸收體，該吸收體吸收掩模在該波長(zhǎng)上被形成圖形的波長(zhǎng)的輻射。傳輸性的掩模在襯底上可以包括一個(gè)成像層或一個(gè)緩沖體，這樣吸收體不直接淀積在襯底上。在成像過(guò)程中，圖象被投影到晶片上。
在任何情況下，掩模在制作時(shí)都可以帶有或不帶有一個(gè)緩沖體。
權(quán)利要求
1.一種制造光刻掩模的方法，該方法包括在一個(gè)襯底上形成一種材料的一個(gè)薄層；在該薄層上形成一個(gè)吸收體；和選擇性地刻蝕該吸收體以形成掩模特征；其中該薄層的厚度和材料經(jīng)選擇以產(chǎn)生一個(gè)抵消相位誤差的相位糾正，這樣，掩模的一個(gè)共用的工藝窗口被保持在一個(gè)閾值水平之上。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中相位糾正由被用于形成掩模的圖象的輻射的波長(zhǎng)，淀積薄層的厚度以及該薄層的折射率值確定。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，其中折射率值等于薄層的折射率減去掩模成像在其中發(fā)生的環(huán)境的折射率。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，其中掩模成像在其中發(fā)生的環(huán)境是真空或接近真空。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中相位糾正ΔΦ等于Δφ=4πλΔn×dcosθ]]>(弧度)式中λ是用于成像掩模的輻射的波長(zhǎng)，d是淀積薄層的厚度，θ是成像輻射相關(guān)于掩模法線的入射角，以及Δn等于薄層的折射率減去掩模成像在其中發(fā)生的環(huán)境的折射率。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在襯底上形成一個(gè)多層反射體，其中薄層的厚度和材料經(jīng)選擇，因此掩模的反射率被保持在一個(gè)閾值水平之上，和在襯底上形成薄層包括在該多層反射體上形成薄層。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，其中多層反射體包括交替的反射材料和傳輸材料的多層次，其提供諧振的反射率。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，其中反射材料包括鉬，傳輸材料包括硅。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括在薄層上淀積一個(gè)緩沖體，該緩沖體在掩?？涛g和修理過(guò)程中起保護(hù)反射體的作用。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中襯底包括一種具有低熱膨脹的材料。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中襯底包括超低膨脹的鈦硅玻璃。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中吸收體包括一種對(duì)在用于形成掩模的圖象的波長(zhǎng)上的輻射有吸收性的材料。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在相鄰于掩模的特征的部分選擇性地刻蝕薄層。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，其中薄層的經(jīng)選擇性刻蝕的部分形成一個(gè)溝槽，該溝槽有一個(gè)寬度，該寬度取決于薄層的厚度和薄層的材料。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，其中薄層包括釕，該釕以小于4nm的厚度淀積并具有掩模規(guī)模中的5到30nm范圍內(nèi)的寬度。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中薄層包括釕。
17.一種光刻掩模包括一個(gè)襯底；一個(gè)在襯底上的薄層，薄層的厚度和材料產(chǎn)生一個(gè)抵消相位誤差的相位糾正，因此掩模的一個(gè)共用的工藝窗口被保持在一個(gè)閾值水平之上；和一個(gè)在薄層上的吸收體；其中吸收體經(jīng)選擇性的刻蝕以形成掩模特征。
18.如權(quán)利要求17所述的掩模，其特征在于，其中相位糾正由被用于形成掩模的圖象的輻射的波長(zhǎng)，淀積薄層的厚度以及該薄層的折射率值確定。
19.如權(quán)利要求18所述的掩模，其特征在于，其中折射率值等于薄層的折射率減去掩模成像在其中發(fā)生的環(huán)境的折射率。
20.如權(quán)利要求19所述的掩模，其特征在于，其中掩模成像在其中發(fā)生的環(huán)境是真空或接近真空。
21.如權(quán)利要求17所述的掩模，其特征在于，其中相位糾正ΔΦ等于Δφ=4πλΔn×dcosθ]]>(弧度)式中λ是用于成像掩模的輻射的波長(zhǎng)，d是淀積薄層的厚度，θ是成像輻射相關(guān)于掩模法線的入射角，以及Δn等于薄層的折射率減去掩模成像在其中發(fā)生的環(huán)境的折射率。
22.如權(quán)利要求17所述的掩模，進(jìn)一步包括在襯底上的一個(gè)多層反射體，其中薄層的厚度和材料經(jīng)選擇，因此掩模的反射率被保持在一個(gè)閾值水平之上，和在襯底上的薄層形成在該多層反射體上。
23.如權(quán)利要求22所述的掩模，其特征在于，其中多層反射體包括交替的反射材料和傳輸材料的多層次，其提供諧振的反射率。
24.如權(quán)利要求23所述的掩模，其特征在于，其中反射材料包括鉬，傳輸材料包括硅。
25.如權(quán)利要求24所述的掩模，進(jìn)一步包括在薄層上淀積的一個(gè)緩沖體該緩沖體在掩?？涛g和修理過(guò)程中起保護(hù)反射體的作用。
26.如權(quán)利要求17所述的掩模，其特征在于，其中襯底包括一種具有低熱膨脹的材料。
27.如權(quán)利要求17所述的掩模，其特征在于，其中襯底包括超低膨脹的鈦硅玻璃。
28.如權(quán)利要求17所述的掩模，其特征在于，其中吸收體包括一種對(duì)在用于形成掩模的圖象的波長(zhǎng)上的輻射有吸收性的材料。
29.如權(quán)利要求17所述的掩模，其特征在于，其中薄層在相鄰于掩模的特征的部分選擇性地進(jìn)行刻蝕。
30.如權(quán)利要求29所述的掩模，其特征在于，其中薄層的經(jīng)選擇性刻蝕的部分形成一個(gè)溝槽，該溝槽有一個(gè)寬度，該寬度取決于薄層的厚度和薄層的材料。
31.如權(quán)利要求30所述的掩模，其特征在于，其中薄層包括釕，該釕以小于4nm的厚度淀積并具有掩模規(guī)模中的5到30nm范圍內(nèi)的寬度。
32.如權(quán)利要求17所述的掩模，其特征在于，其中薄層包括釕。
33.一種制造光刻掩模的方法，該方法包括在一個(gè)襯底上形成一個(gè)多層次的反射體；在該多層次的反射體上形成一個(gè)吸收體；選擇性地刻蝕該吸收體以形成掩模特征；和在相鄰于掩模特征的部分刻蝕該多層次反射體的至少若干部分。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，其中多層次反射體的若干部分經(jīng)刻蝕以產(chǎn)生一個(gè)抵消相位誤差的相位糾正。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其特征在于，其中相位糾正由被用于形成掩模的圖象的輻射的波長(zhǎng)，多層次反射體的被刻蝕部分的厚度以及該多層次反射體的折射率值確定。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，其特征在于，其中折射率值等于多層次反射體的折射率減去掩模成像在其中發(fā)生的環(huán)境的折射率。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，其中掩模成像在其中發(fā)生的環(huán)境是真空或接近真空。
38.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，其中多層反射體包括交替的反射材料和傳輸材料的多層次，其提供諧振的反射率。
39.如權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，其中反射材料包括鉬，傳輸材料包括硅。
40.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，其中襯底包括一種具有低熱膨脹的材料。
41.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，其中襯底包括超低膨脹的鈦硅玻璃。
42.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，其中吸收體包括一種對(duì)在用于形成掩模的圖象的波長(zhǎng)上的輻射有吸收性的材料。
43.如權(quán)利要求33所述的方法，進(jìn)一步包括在多層反射體上淀積一個(gè)緩沖體，該緩沖體在掩?？涛g和修理過(guò)程中起保護(hù)多層反射體的作用。
44.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，其中多層反射體的經(jīng)刻蝕的部分形成一個(gè)溝槽，該溝槽有一個(gè)寬度，該寬度取決于多層反射體刻蝕的深度和多層反射體的材料。
45.一種光刻掩模包括一個(gè)襯底；一個(gè)在襯底上的多層反射體；和一個(gè)在多層反射體上的吸收體，該吸收體經(jīng)刻蝕以形成掩模特征；其中多層反射體的若干部分在相鄰于掩模的特征處經(jīng)刻蝕。
46.如權(quán)利要求45所述的掩模，其特征在于，其中多層次反射體的若干部分經(jīng)刻蝕以產(chǎn)生一個(gè)抵消相位誤差的相位糾正。
47.如權(quán)利要求46所述的掩模，其特征在于，其中相位糾正由被用于形成掩模的圖象的輻射的波長(zhǎng)，多層次反射體的被刻蝕部分的厚度以及該多層次反射體的折射率值確定。
48.如權(quán)利要求47所述的方法，其特征在于，其中折射率值等于多層次反射體的折射率減去掩模成像在其中發(fā)生的環(huán)境的折射率。
49.如權(quán)利要求48所述的掩模，其特征在于，其中掩模成像在其中發(fā)生的環(huán)境是真空或接近真空。
50.如權(quán)利要求45所述的掩模，其特征在于，其中多層反射體包括交替的反射材料和傳輸材料的多層次，其提供諧振的反射率。
51.如權(quán)利要求50所述的掩模，其特征在于，其中反射材料包括鉬，傳輸材料包括硅。
52.如權(quán)利要求45所述的掩模，其特征在于，其中襯底包括一種具有低熱膨脹的材料。
53.如權(quán)利要求45所述的掩模，其特征在于，其中襯底包括超低膨脹的鈦硅玻璃。
54.如權(quán)利要求45所述的掩模，其特征在于，其中吸收體包括一種對(duì)在用于形成掩模的圖象的波長(zhǎng)上的輻射有吸收性的材料。
55.如權(quán)利要求45所述的掩模，進(jìn)一步包括在多層反射體上淀積的一個(gè)緩沖體，該緩沖體在掩模刻蝕和修理過(guò)程中起保護(hù)多層反射體的作用。
56.如權(quán)利要求45所述的掩模，其特征在于，其中多層反射體的經(jīng)刻蝕的部分形成一個(gè)溝槽，該溝槽有一個(gè)寬度，該寬度取決于多層反射體刻蝕的深度和多層反射體的材料。
57.一種制造光刻掩模的方法，該方法包括形成一個(gè)襯底；和在該襯底上形成一個(gè)吸收體；其中吸收體的折射率匹配或接近匹配于掩模的光刻成像在其中發(fā)生的環(huán)境的折射率。
58.如權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，其中如果吸收體折射率和環(huán)境折射率之間的百分比差小于5％，吸收體的折射率接近匹配于環(huán)境的折射率。
59.如權(quán)利要求57所述的方法，進(jìn)一步包括選擇性地刻蝕吸收體以形成掩模特征。
60.如權(quán)利要求59所述的方法，其特征在于，其中選擇性地刻蝕吸收體包括一種干法刻蝕化學(xué)反應(yīng)技術(shù)。
61.如權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，其中在襯底上淀積吸收體包括應(yīng)用一種低溫濺射技術(shù)。
62.如權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，其中吸收體包括鋁，鍺，硅或其混合物。
63.如權(quán)利要求57所述的方法，進(jìn)一步包括在襯底上形成一個(gè)多層次反射體，其中在襯底上形成吸收體包括在多層次反射體上形成吸收體。
64.如權(quán)利要求63所述的方法，進(jìn)一步包括在多層次反射體上淀積一個(gè)緩沖體，其中緩沖體的折射率匹配或接近匹配于掩模的光刻成像在其中發(fā)生的環(huán)境的折射率。
65.如權(quán)利要求64所述的方法，其特征在于，其中如果緩沖體折射率和環(huán)境折射率之間的百分比差小于5％，緩沖體的折射率接近匹配于環(huán)境的折射率。
66.如權(quán)利要求64所述的方法，進(jìn)一步包括選擇性地刻蝕緩沖體和吸收體以形成掩模特征。
67.如權(quán)利要求66所述的方法，其特征在于，其中選擇性地刻蝕緩沖體包括應(yīng)用干法刻蝕化學(xué)反應(yīng)技術(shù)。
68.如權(quán)利要求64所述的方法，其特征在于，其中在多層次反射體上淀積緩沖體包括應(yīng)用一種低溫濺射技術(shù)。
69.如權(quán)利要求64所述的方法，其特征在于，其中緩沖體包括鋁，鍺，硅或其混合物。
70.如權(quán)利要求64所述的方法，其特征在于，其中如果緩沖體折射率和環(huán)境折射率之間的百分比差小于1％，緩沖體的折射率接近匹配于環(huán)境的折射率。
71.如權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，其中如果吸收體折射率和環(huán)境折射率之間的百分比差小于1％，吸收體的折射率接近匹配于環(huán)境的折射率。
72.如權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，其中掩模成像在其中發(fā)生的環(huán)境是真空或接近真空。
73.一種光刻掩模包括一個(gè)襯底；和一個(gè)在襯底上的吸收體；其中吸收體的折射率匹配或接近匹配于掩模的光刻成像在其中發(fā)生的環(huán)境的折射率。
74.如權(quán)利要求73所述的掩模，其特征在于，其中如果吸收體折射率和環(huán)境折射率之間的百分比差小于5％，吸收體的折射率接近匹配于環(huán)境的折射率。
75.如權(quán)利要求73所述的掩模，其特征在于，其中吸收體包括經(jīng)刻蝕的掩模特征。
76.如權(quán)利要求73所述的掩模，其特征在于，其中吸收體包括鋁，鍺，硅或其混合物。
77.如權(quán)利要求73所述的掩模，進(jìn)一步包括一個(gè)在襯底上的多層次反射體，其中襯底上的吸收體形成在多層次反射體上。
78.如權(quán)利要求77所述的掩模，進(jìn)一步包括在多層次反射體上淀積的一個(gè)緩沖體，其中緩沖體的折射率匹配或接近匹配于掩模的光刻成像在其中發(fā)生的環(huán)境的折射率。
79.如權(quán)利要求78所述的掩模，其特征在于，其中如果緩沖體折射率和環(huán)境折射率之間的百分比差小于5％，緩沖體的折射率接近匹配于環(huán)境的折射率。
80.如權(quán)利要求79所述的掩模，其特征在于，其中緩沖體和吸收體包括經(jīng)刻蝕的掩模特征。
81.如權(quán)利要求78所述的掩模，其特征在于，其中緩沖體包括鋁，鍺，硅或其混合物。
82.如權(quán)利要求78所述的掩模，其特征在于，其中如果吸收體折射率和環(huán)境折射率之間的百分比差小于1％，緩沖體的折射率接近匹配于環(huán)境的折射率。
83.如權(quán)利要求73所述的掩模，其特征在于，其中如果吸收體折射率和環(huán)境折射率之間的百分比差小于1％，吸收體的折射率接近匹配于環(huán)境的折射率。
84.如權(quán)利要求73所述的掩模，其特征在于，其中掩模成像在其中發(fā)生的環(huán)境是真空或接近真空。
全文摘要
一種在光刻成像系統(tǒng)中應(yīng)用的用于形成半導(dǎo)體晶片的圖形的光刻掩模。該光刻掩模包括一個(gè)襯底，以及一個(gè)在襯底上的吸收體。該吸收體經(jīng)選擇性的刻蝕以形成掩模特征。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模包括一個(gè)襯底上的薄層，薄層的厚度和材料產(chǎn)生一個(gè)抵消相位誤差的相位糾正，因此掩模的共用的工藝窗口被保持在一個(gè)閾值水平之上。在另一個(gè)實(shí)施例中，掩模包括一個(gè)多層次反射體，多層次反射體的若干部分在相鄰于掩模的特征處被刻蝕。在還有一個(gè)實(shí)施例中，吸收體的折射率匹配或接近匹配于光刻成像在其中發(fā)生的環(huán)境的折射率。
文檔編號(hào)G03F1/08GK1656424SQ02823847
公開(kāi)日2005年8月17日 申請(qǐng)日期2002年10月2日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月3日
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