專利名稱：電子照相光電導(dǎo)體和含該光電導(dǎo)體的電子照相裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子照相光電導(dǎo)體(下面簡(jiǎn)稱為光電導(dǎo)體)并涉及裝有這種電子照相光電導(dǎo)體的電子照相裝置。
近年來(lái)，電子照相光電導(dǎo)體領(lǐng)域提出并使用了許多利用有機(jī)光電導(dǎo)材料的所謂有機(jī)電子照相光電導(dǎo)體。由于這種材料無(wú)污染、低成本，并且材料選擇度高，因此它們可設(shè)計(jì)成具有各種光電導(dǎo)性能。
有機(jī)電子照相光電導(dǎo)體的光敏層主要包括分散在樹脂中的有機(jī)光電導(dǎo)材料。業(yè)已提出了許多疊層結(jié)構(gòu)和單層結(jié)構(gòu)。在疊層結(jié)構(gòu)中，一層分散在樹脂中的電荷產(chǎn)生物質(zhì)和一層分散在樹脂中的電荷輸送物質(zhì)相疊合。單層結(jié)構(gòu)包括電荷產(chǎn)生物質(zhì)和電荷輸送物質(zhì)分散在一種樹脂中的一層單層。
在這些結(jié)構(gòu)中，廣泛使用的是功能獨(dú)立型光敏層結(jié)構(gòu)的光電導(dǎo)體，因?yàn)樗哂袃?yōu)良的光電導(dǎo)體性能和耐久性。功能獨(dú)立型光電導(dǎo)體具有一層電荷輸送層疊合在電荷產(chǎn)生層的表面上。這種功能獨(dú)立型疊層光電導(dǎo)體由于主要使用了一種空穴輸送材料作為電荷輸送層，所以一般使用于負(fù)電荷充電法。與正電暈充電相比，負(fù)電荷充電法中使用的負(fù)電暈充電是不穩(wěn)定的，產(chǎn)生的臭氧量也較高。結(jié)果，對(duì)光電導(dǎo)體產(chǎn)生不利影響，并對(duì)使用環(huán)境產(chǎn)生不利影響。
為解決這些問題，采用可正電荷充電的有機(jī)電子照相光電導(dǎo)體是有用的。因此目前需要一種高靈敏度的正電荷充電的電子照相光電導(dǎo)體。對(duì)于這種正電荷充電的光電導(dǎo)體，業(yè)已提出了許多功能獨(dú)立型光電導(dǎo)體或單層型光電導(dǎo)體。功能獨(dú)立型光電導(dǎo)體的光敏層中電荷產(chǎn)生層疊合在空穴輸送層的表面上，或者光敏層中電子輸送層疊合在電荷產(chǎn)生層的表面上。單層光電導(dǎo)體的光敏層在單獨(dú)一層中含有電荷產(chǎn)生物質(zhì)和電荷輸送物質(zhì)。
近年來(lái)，特開平1-206349號(hào)公報(bào)、特開平4-360148號(hào)公報(bào)、電子寫真學(xué)會(huì)會(huì)志vol.30，p.266-273(1991)、特開平3-290666號(hào)公報(bào)、特開平5-92936號(hào)公報(bào)、Pan-Pacific Imaging Conference/Japan Hardcopy’98 July 15-17 JA HALL，Tokyo，Japan文獻(xiàn)匯編p.207-210、特開平9-151157號(hào)公報(bào)、Japan Hardcopy’97論文集1997年7月9日、10日、11日J(rèn)A Hall(東京，大手町)p.21-24、特開平5-279582號(hào)公報(bào)、特開平7-179775號(hào)公報(bào)、Japan Hardcopy’92論文集1992年7月6日、7日、8日J(rèn)A Hall(東京，大手町)p.173-176、特開平10-73937號(hào)公報(bào)等提出并描述了許多電子輸送物質(zhì)和采用這些電子輸送物質(zhì)的電子照相光電導(dǎo)體，它們非常令人感興趣。另外，如特開平5-150481號(hào)公報(bào)、特開平6-130688號(hào)公報(bào)、特開平9-281728號(hào)公報(bào)、特開平9-281729號(hào)公報(bào)、特開平10-239874號(hào)公報(bào)所述，在單層光敏層中使用空穴輸送物質(zhì)和電子輸送物質(zhì)的混合物的光電導(dǎo)體由于具有高靈敏度而已經(jīng)引起人們的注意，有人已經(jīng)使用了這種光電導(dǎo)體。但是，與負(fù)電荷充電的功能獨(dú)立型光電導(dǎo)體相比，采用正電荷充電的光電導(dǎo)體其靈敏度等電氣性能仍不理想。
另外，現(xiàn)有技術(shù)對(duì)電荷產(chǎn)生物質(zhì)進(jìn)行了各種研究。一般來(lái)說，對(duì)于電荷產(chǎn)生物質(zhì)，根據(jù)光電導(dǎo)體的靈敏度范圍使用各種顏料。具體地說，對(duì)于對(duì)波長(zhǎng)在紅外或近紅外區(qū)的半導(dǎo)體激光或紅外LED光線等具有響應(yīng)的光電導(dǎo)體，廣泛使用酞菁顏料如無(wú)金屬酞菁、鈦氧基酞菁等。這些酞菁顏料具有各種晶型。已知不同的晶型具有不同的吸收光波長(zhǎng)區(qū)和量子效率，對(duì)于使用這些顏料作為電荷產(chǎn)生物質(zhì)的電子照相光電導(dǎo)體，不同的晶型還會(huì)影響光電導(dǎo)體重復(fù)使用過程中的靈敏度和電氣性能，如殘余電位、暗衰減和穩(wěn)定性等。業(yè)已對(duì)晶型和光電導(dǎo)體的電氣性能進(jìn)行了各種研究。
例如，特開昭61-217050提出了一種單層光電導(dǎo)體，它具有一層分散在粘合劑樹脂中的α鈦氧基酞菁光敏層。在Cu Kα作為輻射源的X射線衍射譜中，在布拉格角(2θ±0.2°)為7.5、12.3、16.3、25.3和28.7°這種α鈦氧基酞菁顯示強(qiáng)的衍射峰。
另外，特開平9-73182提出了一種電子照相光電導(dǎo)體，它的單層光電導(dǎo)體含有在一層光敏層中的電荷輸送物質(zhì)和電荷產(chǎn)生物質(zhì)。在上述X射線衍射譜中所述電荷產(chǎn)生物質(zhì)包括衍射峰在布拉格角(2θ±0.2°)為7.5、9.1、16.7、17.4、22.3和28.6°的無(wú)金屬酞菁和衍射峰在布拉格角(2θ±0.2°)為9.5、14.2、24.0和27.2°的鈦氧基酞菁的混合物。鈦氧基酞菁在電荷產(chǎn)生物質(zhì)的總重量中所占的比例大于50重量％。
但是，盡管提出了許多這類單層電子照相光電導(dǎo)體，然而與現(xiàn)有的負(fù)電荷充電型功能獨(dú)立的光電導(dǎo)體相比，其靈敏度電氣性能仍不能滿足要求。仍不能令人滿意地獲得能正電荷充電并具有良好的電氣性能的光電導(dǎo)體。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種解決了上述問題的電子照相光電導(dǎo)體。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種電子照相光電導(dǎo)體和裝有該光電導(dǎo)體的電子照相裝置，其中的電子照相光電導(dǎo)體具有單層光敏層，它具有優(yōu)良的正電荷充電的電氣性能，并且在重復(fù)使用過程中具有優(yōu)良的穩(wěn)定性。
作為解決上述問題的研究結(jié)果，本發(fā)明人獲得如下發(fā)現(xiàn)對(duì)于具有單層光敏層的電子照相光電導(dǎo)體并且所述光敏層至少含有一種樹脂粘合劑、一種電荷產(chǎn)生物質(zhì)和一種電荷輸送物質(zhì)，使用結(jié)晶度等于或小于一恒定值的鈦氧基酞菁作為電荷產(chǎn)生物質(zhì)，可改進(jìn)正電荷充電的電氣性能，如靈敏度、殘余電位和暗衰減，本發(fā)明就是在該發(fā)現(xiàn)的基礎(chǔ)上完成的。
換句話說，本發(fā)明涉及一種電子照相光電導(dǎo)體，它直接在導(dǎo)電基片上或者在導(dǎo)電基片的底涂層上具有單層光敏層，所述單層光敏層至少含有一種樹脂粘合劑、一種電荷產(chǎn)生物質(zhì)和一種電荷輸送物質(zhì)，其中至少一種電荷產(chǎn)生物質(zhì)是鈦氧基酞菁，在Cu Kα輻射源的粉末X射線衍射譜中在布拉格角2θ＝5-35°的范圍內(nèi)，該鈦氧基酞菁的最高峰衍射強(qiáng)度P值與衍射強(qiáng)度本底B值之比R(下面稱為結(jié)晶度)滿足等式R＝(P-B)/B≤7.0，較好滿足下列等式R＝(P-B)/B≤3.0其中P是最高峰的衍射強(qiáng)度值。在與最高峰相同的布拉格角，B為連接該最高峰兩側(cè)峰谷的直線的衍射強(qiáng)度。
在本發(fā)明中，所述電荷輸送物質(zhì)可以是空穴輸送物質(zhì)。另外，它也可包括空穴輸送物質(zhì)和電子輸送物質(zhì)。
另外，至少一種空穴輸送物質(zhì)較好具有下列通式(HT1)-(HT4)所示的結(jié)構(gòu) 在式(HT1)中，RH1-RH32各自為氫原子、具有1-6個(gè)碳原子的C1-C6烷基或者C1-C6烷氧基。 在式(HT2)中，RH33代表氫原子或C1-C6烷基。RH34和RH35各自表示氫原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基或任選取代的芳基，它們可直接鍵合成環(huán)或者通過一個(gè)氧原子、硫原子或碳原子鍵合成環(huán)。RH36和RH37各自為C1-C12烷基、任選取代的C3-C12環(huán)烷基、任選取代的芳基或任選取代的芳烷基。RH38-RH41各自為氫原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、任選取代的芳基。對(duì)于RH36-RH41，兩個(gè)或多個(gè)基團(tuán)可直接鍵合成環(huán)或者通過一個(gè)氧原子、硫原子或碳原子鍵合成環(huán)。m為0或1。取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、任選取代的芳基、任選取代的芳氧基、羥基、氰基、氨基、硝基、鹵代烷基、烷基取代的氨基或芳基取代的氨基。對(duì)于取代基，兩個(gè)或多個(gè)取代基可直接鍵合成環(huán)，或者通過一個(gè)氧原子、硫原子或碳原子鍵合成環(huán)。 在式(HT3)中，RH42-RH60各自為氫原子、鹵原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、烷基取代的氨基、或任選取代的芳基。其中，兩個(gè)或多個(gè)基團(tuán)可直接鍵合成環(huán)或通過一個(gè)氧原子、一個(gè)硫原子或一個(gè)碳原子鍵合成環(huán)。取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、羥基、氰基、氨基、硝基或鹵代烷基。兩個(gè)或多個(gè)取代基可直接鍵合成環(huán)或通過一個(gè)氧原子、一個(gè)硫原子或一個(gè)碳原子鍵合成環(huán)。 在式(HT4)中，RH61-RH88各自為氫原子、鹵原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基或任選取代的芳基。取代基是鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基或芳基。
另外，在前述電子輸送物質(zhì)中最好至少有一種是具有下式(ET1)-(ET4)結(jié)構(gòu)表示的化合物 在式(ET1)中，RE1-RE4各自為氫原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、任選取代的芳基、環(huán)烷基、任選取代的芳烷基或者鹵代烷基。取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、羥基、氰基、氨基、硝基或鹵代烷基。 在式(ET2)中，RE5-RE8各自為氫原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、任選取代的芳基、環(huán)烷基、任選取代的芳烷基或者鹵代烷基。取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、羥基、氰基、氨基、硝基或鹵代烷基。 在式(ET3)中，RE9-RE10各自為氫原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、任選取代的芳基、環(huán)烷基、任選取代的芳烷基或者鹵代烷基。RE11為氫原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、任選取代的芳基、環(huán)烷基、任選取代的芳烷基或者鹵代烷基。RE12-RE16各自為氫原子、鹵原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、任選取代的芳基、任選取代的芳烷基、任選取代的苯氧基、鹵代烷基、氰基、氨基。其中，兩個(gè)或多個(gè)這些基團(tuán)可鍵合成環(huán)。取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C12烷氧基、羥基、氰基、氨基、硝基或鹵代烷基。 在式(ET4)中，RE17為任選取代的烷基或任選取代的芳基。RE18為任選取代的烷基、任選取代的芳基或者式(ET4a)表示的基團(tuán)-O-RE19(ET4a)其中，RE19代表任選取代的烷基或者任選取代的芳基。取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、芳基、羥基、氰基、氨基、硝基或鹵代烷基。
另外，至少一種樹脂粘合劑是聚碳酸酯，它含有下式結(jié)構(gòu)單元作為主要重復(fù)單元 其中，RB1-RB8各自為氫原子、C1-C6烷基、任選取代的芳基、環(huán)烷基或鹵原子。Z代表形成一個(gè)任選取代的碳環(huán)所需的原子基團(tuán)。取代基為C1-C6烷基、芳基或鹵原子。
另外，本發(fā)明電子照相裝置裝有上述本發(fā)明電子照相光電導(dǎo)體。此外，它用正電荷充電法進(jìn)行充電。
通過下面的描述并結(jié)合附圖可更容易地理解本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。附圖中相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元件。


圖1是本發(fā)明電子照相光電導(dǎo)體的一個(gè)結(jié)構(gòu)實(shí)例的理想的剖面圖；圖2是合成例1的鈦氧基酞菁的粉末X-射線衍射光譜；圖3是合成例3的太氧基酞菁的粉末X-射線衍射光譜；圖4是實(shí)例中使用的β型鈦氧基酞菁的粉末X-射線衍射光譜；圖5是實(shí)例中使用的X-型無(wú)金屬酞菁的粉末X-射線衍射光譜；圖6是本發(fā)明電子照相裝置的一個(gè)實(shí)例的示意圖。
下面參照附圖描述本發(fā)明電子照相光電導(dǎo)體的實(shí)例。
如上所述，本發(fā)明電子照相光電導(dǎo)體是單層光電導(dǎo)體，它在導(dǎo)電基片的表面上具有一層至少含有一種樹脂粘合劑、一種電荷產(chǎn)生物質(zhì)和一種電荷輸送物質(zhì)的的光敏層。對(duì)于所述至少一種電荷產(chǎn)生物質(zhì)，使用的是具有特定結(jié)晶度的鈦氧基酞菁。
在本發(fā)明中作為電荷產(chǎn)生物質(zhì)的鈦氧基酞菁的結(jié)晶度用比例R(R＝(P-B)/B)限定。在布拉格角2θ＝5-35°的范圍內(nèi)在以Cu Kα作為輻射源(波長(zhǎng)為1.541埃)的粉末X射線衍射譜中，P值是最高峰的衍射強(qiáng)度，B值是本底衍射強(qiáng)度。本發(fā)明人在研究該電荷產(chǎn)生物質(zhì)的結(jié)晶度R與光電導(dǎo)體的電氣性能時(shí)發(fā)現(xiàn)當(dāng)該結(jié)晶度R為7.0或更小時(shí)光電導(dǎo)體的靈敏度得到極大的改進(jìn)，本發(fā)明就是在該發(fā)現(xiàn)的基礎(chǔ)上完成的。
換句話說，R值滿足下列等式R＝(P-B)/B≤7.0，較好滿足下列等式R＝(P-B)/B≤3.0對(duì)于本發(fā)明是重要的。
在本發(fā)明中，使用結(jié)晶度滿足上述關(guān)系的電荷產(chǎn)生物質(zhì)能改進(jìn)正電荷充電的靈敏度電氣性能的詳細(xì)機(jī)理和原因仍不清楚。但是，認(rèn)為這是因?yàn)楸景l(fā)明鈦氧基酞菁對(duì)波長(zhǎng)在紅外至近紅外區(qū)的半導(dǎo)體激光和紅外LED光具有高的吸收并且還具有高的量子產(chǎn)率有關(guān)。
在用X-射線衍射法得到的X-射線衍射譜中，用下列方法得到本發(fā)明鈦氧基酞菁的結(jié)晶度RP值是在布拉格角2θ＝5-35°范圍內(nèi)多個(gè)衍射峰中最高峰的衍射強(qiáng)度(最高峰的衍射強(qiáng)度)。B值是最高峰與其兩側(cè)兩個(gè)峰之間的峰谷的連線上與最高峰點(diǎn)和水平軸之間的垂線之間的交點(diǎn)處的衍射強(qiáng)度(在與最高峰相同的布拉格角下最高峰兩側(cè)峰谷的連線的衍射強(qiáng)度)。
用于測(cè)量結(jié)晶度的粉末X-射線衍射法使用例如MAC Science Corporation制造的MPX-18 X-射線衍射儀。測(cè)量較好在下列條件下進(jìn)行X射線產(chǎn)生裝置 18kW輻射源Cu Kα射線(1.5406埃)管電壓40kV管電流50mA取樣寬度 0.02°掃描速度 4°/分鐘發(fā)散狹縫 0.5°掃描狹縫 0.5°受光狹縫 0.30mm下面將詳細(xì)描述本發(fā)明光電導(dǎo)體的具體結(jié)構(gòu)等，但是本發(fā)明僅需滿足上述要求，不受下面描述的限制。
層結(jié)構(gòu)參見剖面示意圖1，圖1顯示本發(fā)明光電導(dǎo)體的一個(gè)例子。光電導(dǎo)體包括導(dǎo)電基片1、底涂層2、光敏層3和保護(hù)層4。底涂層2和保護(hù)層4是根據(jù)需要才提供的。本發(fā)明光敏層3具有電荷產(chǎn)生功能和電荷輸送功能，它是在一層單層中具有兩種功能的單層光敏層。
導(dǎo)電基片導(dǎo)電基片1起光電導(dǎo)體的電極的作用，同時(shí)，它還是各層的支承體。導(dǎo)電基片1的形狀可以是管狀的、板狀的或膜狀的。導(dǎo)電基片1的材料可以是金屬，如鋁、不銹鋼、鎳等，或者可以是表面經(jīng)導(dǎo)電處理的玻璃或樹脂等材料。
底涂層可根據(jù)需要施加底涂層用于防止不合需求的電荷由電導(dǎo)基片注入光敏層、用于覆蓋基片表面的缺陷、用于改進(jìn)光敏層的粘性等。底涂層2包括一主要組分為樹脂的層或者耐酸鋁的氧化膜等。
對(duì)于樹脂粘合劑，可使用聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚氯乙烯樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、蜜胺樹脂、硅樹脂、硅氧烷樹脂、聚酰胺樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙縮醛樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、聚砜樹脂、甲基丙烯酸酯樹脂的聚合物和共聚物。它們可單獨(dú)使用，或者兩種或多種混合使用。另外，可混合使用具有不同分子量的同種樹脂。
此外，樹脂粘合劑還可含有金屬氧化物，如氧化硅、氧化鈦、氧化鋅、氧化鈣、氧化鋁、氧化鋯等；金屬硫化物如硫酸鋇、硫酸鈣等；金屬氮化物細(xì)顆粒如氮化硅、氮化鋁等；有機(jī)金屬化合物；硅烷偶合劑；由有機(jī)金屬化合物和硅烷偶合劑形成的物質(zhì)等。其含量設(shè)定在可形成層的范圍內(nèi)的適當(dāng)量。
當(dāng)?shù)淄繉又泻袠渲鳛橹饕M分時(shí)，為具有電荷輸送性能并減少電荷吸收等，底涂層可含有空穴輸送物質(zhì)和電子輸送物質(zhì)。空穴輸送物質(zhì)和電子輸送物質(zhì)的含量占底涂層固體部分重量的0.1-60％，較好占5-40重量％。另外，如有必要，在對(duì)電子照相性能無(wú)不利影響的前提下底涂層可含有其它已知的添加劑。
底涂層可作為單一的層，但是，也可疊合并使用兩層或多層不同類型的層。底涂層的膜厚度取決于底涂層的混合組分，但是它可設(shè)定為在無(wú)不利影響(例如重復(fù)使用后殘留電位上升)范圍內(nèi)的適當(dāng)厚度。較好的是，薄膜厚度為0.1-10微米。
光敏層本發(fā)明光敏層3具有一層單層結(jié)構(gòu)，它至少含有一種樹脂粘合劑、一種電荷產(chǎn)生物質(zhì)和一種電荷輸送物質(zhì)。
對(duì)于本發(fā)明電荷產(chǎn)生物質(zhì)，必須至少使用一種上述鈦氧基酞菁。但是，除此之外還可使用這種鈦氧基酞菁以外的其它酞菁顏料、萘酞菁(naphthalocyanine)顏料、偶氮顏料、多環(huán)苯醌顏料(如蒽醌顏料和三苯并〔cd，jk〕芘-5，10-二酮)、苝顏料、perinone顏料、squarilium顏料、甘菊環(huán)烴鎓(azulenium)顏料、噻喃鎓(thiapyrylium)顏料、花青顏料、喹丫啶酮顏料等。這些電荷產(chǎn)生物質(zhì)可單獨(dú)使用，或者在對(duì)電子照相性能無(wú)大的不利影響的前提下兩種或多種混合使用。具體地說，下列化合物是較好的對(duì)于偶氮顏料，二偶氮基顏料、三偶氮基顏料是較好的；對(duì)于三苯并〔cd，jk〕芘-5，10-二酮，較好的是3，9-二溴三苯并〔cd，jk〕芘-5，10-二酮；對(duì)于苝顏料，較好是N，N’-二(3，5-二甲基苯基)-3，49，10-苝二(羰基酰亞胺)；對(duì)于酞菁顏料，無(wú)金屬酞菁、酞菁銅、鈦氧基酞菁是較好的。另外，下列化合物是較好的X型無(wú)金屬酞菁(USP3,357,989等)、τ型無(wú)金屬酞菁(特開昭58-183757等)、ε型酞菁銅(特開昭53-39325、特開昭57-149358等)、α型鈦氧基酞菁(特開昭61-217050、特開昭61-239248等)、β型鈦氧基酞菁(特開昭63-218768、特開昭62-67094等)、無(wú)定形鈦氧基酞菁(特開昭62-275272等)、Y型鈦氧基酞菁(特開昭64-17066等)、I型鈦氧基酞菁(特開平3-128973等)、以及特開平8-209023所述的在Cu Kα衍射光譜中在布拉格角2θ為9.6°具有最大峰的鈦氧基酞菁。這種電荷產(chǎn)生物質(zhì)的含量占光敏層固體部分重量的0.1-20％，較好占0.5-10重量％。
在本發(fā)明中可僅使用空穴輸送物質(zhì)作為電荷輸送物質(zhì)，也可組合使用空穴輸送物質(zhì)和電子輸送物質(zhì)作為電荷輸送物質(zhì)。
對(duì)于空穴輸送物質(zhì)，前面用通式(HT1)-(HT4)表示的化合物是合適的，另外可使用肼化合物、砒唑啉化合物、砒唑啉酮化合物、噁二唑化合物、噁唑化合物、芳基胺化合物、聯(lián)苯胺(benzidene)化合物、茋化合物、苯乙烯基化合物、聚乙烯基咔唑、聚硅烷等。這些空穴輸送物質(zhì)可單獨(dú)使用或者兩種或多種混合使用。前面用通式(HT1)-(HT4)表示的化合物的具體例子包括例如下面式(HT1-1)-(HT4-20)表示的化合物。另外，其它空穴輸送物質(zhì)的具體例子有下式(HT-1)-(HT-37)所示的化合物。但是，本發(fā)明不限于這些化合物?？昭ㄝ斔臀镔|(zhì)的含量占光敏層固體重量的5-80％，較好占10-60重量％。 另外，對(duì)于電子輸送物質(zhì)(受體化合物)，前面式(ET1)-(ET4)表示的化合物是合適的。另外，可使用琥珀酸酐、馬來(lái)酸酐、二溴琥珀酸酐、鄰苯二甲酸酐、3-氮鄰苯二甲酸酐、4-氮鄰苯二甲酸酐、1，2，4，5-苯四酸酐、1，2，4，5-苯四酸、偏苯三酸、偏苯三酸酐、苯二酰亞胺、4-硝基苯二酰亞胺、四氰乙烯、四氰醌二甲烷、氯醌、溴醌、鄰硝基苯甲酸、丙二腈、三硝基芴酮、三硝基噻噸酮、二硝基苯、二硝基蒽、二硝基丫啶、硝基蒽醌、二硝基蒽醌、噻喃化合物、醌化合物、苯醌化合物、二苯醌化合物、萘醌化合物、蒽醌化合物、二亞氨基醌化合物、茋醌化合物等。此外，可使用單獨(dú)的電子輸送化合物，或者組合使用兩種或多種這些電子輸送化合物。前面用式(ET1)-(ET4)表示的化合物的具體例子包括具有下面式(ET1-1)-(ET4-14)結(jié)構(gòu)的化合物。另外，其它電子輸送物質(zhì)的具體例子包括下面用式(ET1)-(ET42)表示的化合物。但是，本發(fā)明不限于這些化合物。電子輸送物質(zhì)的含量占光敏層固體重量的1-50％，較好占5-40重量％。
對(duì)于樹脂粘合劑，可適當(dāng)?shù)亟M合并使用下列聚合物和共聚物聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚氯乙烯樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、蜜胺樹脂、硅樹脂、硅氧烷樹脂、聚酰胺樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙縮醛樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、聚砜樹脂、甲基丙烯酸酯樹脂，及其共聚物。具體地說，正如用雙酚Z型聚碳酸酯表示的那樣，合適的是具有用前面通式(BD1)表示的結(jié)構(gòu)單元作為主要重復(fù)單元的聚碳酸酯。具體例子包括具有用下式(BD1-1)-(BD1-16)表示的結(jié)構(gòu)單元作為主要重復(fù)單元的聚碳酸酯。另外，具有一種下式(BD-1)-(BD-6)表示的結(jié)構(gòu)單元或者兩種或多種這種結(jié)構(gòu)單元表示的作為主要重復(fù)單元的聚碳酸酯樹脂和聚酯樹脂是合適的。但是，本發(fā)明不限于這些化合物?？蓡为?dú)使用這種樹脂或者兩種或多種組合使用之?？苫旌鲜褂镁哂胁煌肿恿康南嗤瑯渲渲澈蟿┑暮抠澒饷魧庸腆w重量的10-90％，較好占20-80重量％。
為了改進(jìn)環(huán)境耐受性和光穩(wěn)定性，光敏層3可含有降解抑制劑，如抗氧化劑、自由基調(diào)節(jié)劑、單態(tài)淬滅劑、紫外光吸收劑等。用于這些目的的化合物包括色原烷醇衍生物及其酯化的化合物如維生素E等，聚芳基烷烴、氰醌衍生物、醚化的化合物、二醚化的化合物、二苯酮衍生物、苯并三唑衍生物、硫醚化合物、苯二胺衍生物、磷酸酯、亞磷酸酯、酚化合物、位阻胺化合物、聯(lián)苯衍生物等。
另外，為改進(jìn)形成的薄膜的勻涂性并賦予潤(rùn)滑性，光敏層可含有勻涂劑(如硅油和氟油)等。
另外，為降低摩擦稀釋并提供潤(rùn)滑性，光敏層可含有下列化合物金屬氧化物如氧化硅、氧化鈦、氧化鋅、氧化鈣、氧化鋁、氧化鋯等；金屬硫化物如硫酸鋇、硫酸鈣等；金屬氮化物細(xì)顆粒如氮化硅、氮化鋁等；或者氟樹脂顆粒如三氟乙烯樹脂等；以及含氟梳型接枝聚合物樹脂等。
為了保持在實(shí)踐中足夠的表面電位，光敏層3的薄膜厚度較好為3-100微米，更好為10-50微米。
保護(hù)層保護(hù)層4的目的是為了改進(jìn)耐打印性等，它可根據(jù)需要施加。保護(hù)層4包括一層以樹脂粘合劑作為主要組分的層或者包括無(wú)定形炭等的無(wú)機(jī)薄膜。另外，為了改進(jìn)導(dǎo)電性或者降低摩擦系數(shù)以及提供潤(rùn)滑性等，該樹脂粘合劑可包括金屬氧化物，如氧化硅、氧化鈦、氧化鋅、氧化鈣、氧化鋁、氧化鋯等，金屬硫化物如硫酸鋇、硫酸鈣等，金屬氮化物細(xì)顆粒如氮化硅、氮化鋁等或者氟樹脂顆粒如四氟乙烯樹脂等或者含氟梳型聚合物樹脂等。
此外，為了具有電荷輸送性能，保護(hù)層4可含有上述光敏層中所用的空穴輸送物質(zhì)和電子輸送物質(zhì)。為改進(jìn)形成的薄膜的勻涂性或?yàn)榱颂峁?rùn)滑性，保護(hù)層可含有勻涂劑如硅油或氟油等。另外，如有必要可在不對(duì)電子照相性能產(chǎn)生不利影響的前提下加入其它已知的添加劑。
制造方法作為在導(dǎo)電基片1表面上進(jìn)行涂覆而形成底涂層2、光敏層3、保護(hù)層4的各層的制造方法，可將上述組分材料溶解并一起分散在合適的溶劑中，形成涂料液。用合適的涂覆方法涂覆該涂料液并干燥。
用于形成涂料液的溶劑的例子包括醇如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、苯甲醇等；酮如丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、環(huán)己酮等；酰胺如二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺等；亞砜如二甲亞砜等；環(huán)狀或直鏈醚如四氫呋喃、二噁烷、二氧戊環(huán)(dioxoran)、乙醚、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑等；酯如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯等；脂族鹵代烴如二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、二氯乙烯、三氯乙烯等；礦物油如石油醚等；芳香鹵代烴如氯苯、二氯苯等?？苫旌鲜褂脙煞N或多種溶劑。
作為分散和溶解涂料液的方法，可使用已知的方法。例如，可采用球磨如涂料振搖機(jī)、球磨機(jī)、染料研磨機(jī)(dynomill)等以及超聲波分散等。對(duì)于涂覆方法，可使用已知的方法如蘸涂、密封涂覆、噴涂、刮條涂覆、刮刀涂覆等。
另外，干燥時(shí)，可根據(jù)需要考慮使用的溶劑類型和制造成本等來(lái)設(shè)定干燥溫度和干燥時(shí)間。較好的是，干燥溫度為室溫至200℃，干燥時(shí)間為10分鐘至2小時(shí)。更好的是，溫度在溶劑的沸點(diǎn)至比沸點(diǎn)高80℃的范圍內(nèi)。干燥通常是在常壓或減壓下在靜止空氣或流動(dòng)空氣中進(jìn)行。
本發(fā)明電子照相裝置裝有本發(fā)明電子照相光電導(dǎo)體并用正電荷充電方式進(jìn)行充電。其它所有結(jié)構(gòu)均無(wú)限制。例如，參見圖6，本發(fā)明裝置可具有該示意圖所示的結(jié)構(gòu)。根據(jù)該附圖，所述裝置具有光電導(dǎo)體鼓11、充電scorotron12、用于曝光的激光光學(xué)系統(tǒng)13、顯影器14、輸送輥15、放電光源16、清除輥17和紙18。
下面將參照實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明。
先描述用于合成本發(fā)明光電導(dǎo)體實(shí)施例用的鈦氧基酞菁的合成例和比較例。
合成例1在一個(gè)反應(yīng)容器中加入800克鄰苯二甲腈和1.8升喹啉并攪拌之。在氮?dú)夥罩邢蛟摶旌衔镏械渭?97克四氯化鈦并攪拌。滴加完成后，升高溫度同時(shí)加熱并攪拌，使之在180℃反應(yīng)15小時(shí)。
將反應(yīng)溶液冷卻至130℃，過濾。在氮?dú)夥罩袑⑵湓?.8升N-甲基-2-砒咯烷酮中在100℃加熱并攪拌1小時(shí)。過濾并依次用2升丙酮、2升甲醇和4升溫水洗滌。
將得到的產(chǎn)物分散在4升水和360ml 36％的稀鹽酸中。在80℃加熱攪拌1小時(shí)后，將其冷卻并過濾。用10升溫水漂清后，干燥之。
接著在-5℃或更低的溫度下將200克上述干產(chǎn)物緩慢地加至4kg 96％硫酸中。將該溶液保持在5℃的同時(shí)將其攪拌1小時(shí)。接著將該硫酸溶液加至35升水和5kg冰中進(jìn)行冷卻并攪拌。在冷卻的同時(shí)將其再攪拌1小時(shí)。過濾，并用10升溫水漂清之。下面將這組步驟簡(jiǎn)稱為步驟A。
隨后，在將溫度保持在80℃的同時(shí)將其在10升水和770ml 36％稀鹽酸中攪拌1小時(shí)。將其冷卻并過濾，隨后用10升溫水漂清并干燥。通過上述步驟制得鈦氧基酞菁。
合成例2在合成例1的步驟A中，用與合成例1相同的方法進(jìn)行合成，但是將溫度為5℃時(shí)的攪拌時(shí)間改成30分鐘。
合成例3在合成例1的步驟A中，用與合成例1相同的方法進(jìn)行合成，但是省略在-5℃進(jìn)行攪拌的步驟。
比較合成例1在合成例1的步驟A中，用與合成例1相同的方法進(jìn)行合成，但是將96％硫酸的量改成2kg。
比較合成例2用與合成例1相同的方法進(jìn)行合成，但是不進(jìn)行合成例1的步驟A。
比較合成例3根據(jù)特開昭61-217050的實(shí)施例所述的方法制得鈦氧基酞菁。
光電導(dǎo)體實(shí)施例1制得板狀光電導(dǎo)體以評(píng)價(jià)電氣性能。制得圓鼓狀(直徑30mm)光電導(dǎo)體以評(píng)價(jià)打印性能。
將具有下列組成的底涂層溶液蘸涂在鋁板和鋁管的表面上，在100℃將其干燥60分鐘。形成膜厚0.1微米的底涂層。下面的份是指重量份。氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物 30份(Solbin C日信化學(xué)(株)制)甲乙酮 970份接著，將下列組成的材料混合在一起，在染料研磨機(jī)中形成單層光敏層的分散液。將該分散液蘸涂在上述底涂層的表面上。在100℃將其干燥60分鐘，形成膜厚25微米的單層光敏層。電荷產(chǎn)生物質(zhì)鈦氧基酞菁(合成例1)2份空穴輸送物質(zhì)上述式(HT1-23)化合物 100份硅油KF-96(信越化學(xué)(株)制) 0.1份樹脂粘合劑雙酚Z型聚碳酸酯樹脂 100份(結(jié)構(gòu)單元為上述式(BD1-1)的樹脂，Panlite TS2050帝人化成(株))四氫呋喃 800份如上所述制得電子照相光電導(dǎo)體。光電導(dǎo)體實(shí)施例2-8和比較例1-6用與實(shí)施例1相同的方法制得各個(gè)光電導(dǎo)體，但是實(shí)施例1使用的光敏層分散液的組成、電荷產(chǎn)生物質(zhì)和空穴輸送物質(zhì)改成下表1所示的化合物。
表1
光電導(dǎo)體實(shí)施例9用與實(shí)施例1相同的方法制得光電導(dǎo)體，但是將實(shí)施例1所用的光敏層分散液的組成改成下列組成電荷產(chǎn)生物質(zhì)鈦氧基酞菁(合成例1) 2份空穴輸送物質(zhì)上式(HT1-101)化合物 60份電子輸送物質(zhì)上式(ET1-8)化合物 40份硅油KF-96(信越化學(xué)工業(yè)(株)制) 0.1份樹脂粘合劑雙酚Z型聚碳酸酯樹脂 100份(結(jié)構(gòu)單元為上述式(BD1-1)的樹脂，
Panlite TS2050帝人化成(株))四氫呋喃 800份光電導(dǎo)體實(shí)施例10-19和比較例7-11用與實(shí)施例9相同的方法制得各個(gè)光電導(dǎo)體，但是實(shí)施例9使用的光敏層分散液的組成、電荷產(chǎn)生物質(zhì)、空穴輸送物質(zhì)和電子輸送物質(zhì)改成下表2所示的化合物。
表2
結(jié)晶度的評(píng)價(jià)用下列方法評(píng)價(jià)用于光電導(dǎo)體實(shí)施例和比較例的各酞菁化合物的結(jié)晶度。
首先使用MAC Science Corp.制造的MPX-18型X射線衍射裝置，在下列測(cè)量條件下用粉末X射線衍射法測(cè)定作為本發(fā)明電荷產(chǎn)生物質(zhì)的合成例1的鈦氧基酞菁X射線產(chǎn)生裝置 18kW輻射源Cu Kα射線(1.5406埃)管電壓40kV管電流50mA取樣寬度 0.02°
掃描速度 4°/分鐘發(fā)散狹縫 0.5°掃描狹縫 0.5°受光狹縫 0.30mm接著，使用得到的X射線衍射譜(參見圖2)用下列等式獲得結(jié)晶度(R)。P值是在布拉格角2θ＝5-35°范圍內(nèi)多個(gè)衍射峰的最高峰高度表示的峰的衍射強(qiáng)度。B值是最高峰與其兩側(cè)兩個(gè)峰之間的峰谷的連線上與最高峰點(diǎn)和水平軸之間的垂線之間的交點(diǎn)處的衍射強(qiáng)度。
R＝(P-B)/BP最高峰的衍射強(qiáng)度值；B與最高峰相同的布拉格角，連接最高峰兩側(cè)峰谷的連線的衍射強(qiáng)度(本底衍射強(qiáng)度)。
同樣，還對(duì)合成例2、3，比較合成例1-3，β型鈦氧基酞菁，X型無(wú)金屬酞菁進(jìn)行評(píng)價(jià)。參見圖3-5，它們顯示比較合成例3，β型鈦氧基酞菁，X型無(wú)金屬酞菁的x射線衍射譜。
評(píng)價(jià)光電導(dǎo)體實(shí)施例1-8、比較例1-6為評(píng)價(jià)電氣性能，使用了板狀光電導(dǎo)體。用EPA-8100型靜電復(fù)印試驗(yàn)裝置(川口電機(jī)制作所(株)制)進(jìn)行下列評(píng)價(jià)首先在23℃和50％濕度的環(huán)境中，在黑暗中將光電導(dǎo)體充電至表面電位約為+600V。用下列等式算得光照前5秒內(nèi)表面電位的保持率保持率Vk5(％)＝V5/V0×100V0充電后的表面電位V55秒后(開始光照時(shí))的表面電位接著，同樣將表面電位充電至+600V。用1.0微瓦/cm2的單色光(來(lái)自鹵素?zé)舯粸V光片分離成780nm的光線)照射5秒。記錄使表面電位減半(+300V)所需的光照量作為靈敏度E1/2(微焦/cm2)。將光照后5秒的表面電位記錄為殘余電位Vr(V)。
另外，為評(píng)價(jià)實(shí)際打印性，將圓鼓狀的光電導(dǎo)體安裝在兄弟公司制的HL-730激光打印機(jī)上。在24℃和48％濕度的環(huán)境中進(jìn)行打印并評(píng)價(jià)打印質(zhì)量。同時(shí)，測(cè)定初始表面電位V0(V)和光照部分的電位V1(V)。隨后，在打印500頁(yè)打印比例約為5％的圖像后，再次測(cè)定表面電位V0(V)和光照部分的電位V1(V)。得到相對(duì)其初始值的ΔV0(V)和ΔV1(V)的差值，評(píng)價(jià)其重復(fù)疲勞性。
評(píng)價(jià)結(jié)果列于表3。
表3
評(píng)價(jià)光電導(dǎo)體實(shí)施例9-19、光電導(dǎo)體比較例7-11用與光電導(dǎo)體實(shí)施例1-8和光電導(dǎo)體比較例1-6相同的方法評(píng)價(jià)實(shí)際打印性，但是評(píng)價(jià)裝置改成兄弟公司制作的HL-1240激光打印機(jī)。
另外，同樣評(píng)價(jià)電氣性能。
結(jié)果列于表4。
表4
由表3和表4的結(jié)果可見，電子照相光電導(dǎo)體實(shí)施例1-19(使用電荷輸送物質(zhì)并使用結(jié)晶度(R)為7.0或更小的鈦氧基酞菁作為電荷產(chǎn)生物質(zhì))比結(jié)晶度(R)大于7.0的比較例試樣以及不使用電荷輸送物質(zhì)的比較例試樣具有更高的靈敏度。另外，打印5000頁(yè)后電位波動(dòng)ΔV0和ΔV是穩(wěn)定的，顯然具有優(yōu)良的重復(fù)性能。
如上所述，本發(fā)明電子照相光電導(dǎo)體具有直接在導(dǎo)電基片表面上或者在底涂層上的單層光敏層，該單層光敏層至少含有一種樹脂粘合劑、一種電荷產(chǎn)生物質(zhì)和一種電荷輸送物質(zhì)，至少有一種電荷產(chǎn)生物質(zhì)是鈦氧基酞菁，在Cu Kα輻照源的粉末X射線衍射譜中，由最高峰強(qiáng)度與本底強(qiáng)度之比限定的結(jié)晶度低于7.0，較好低于3.0。結(jié)果，可獲得具有優(yōu)良靈敏度和重復(fù)性的電子照相光電導(dǎo)體。另外，這些光電導(dǎo)體適用于使用電子照相系統(tǒng)的電子照相裝置如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)等。
在參照附圖對(duì)本發(fā)明較好實(shí)例進(jìn)行描述以后，可以理解本發(fā)明不限于這些較好的實(shí)例，在不偏離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明范圍或精神的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種變化和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種電子照相光電導(dǎo)體，它是在導(dǎo)電基片上直接具有或?qū)щ娀偷淄繉娱g具有至少包含樹脂粘合劑、電荷產(chǎn)生物質(zhì)和電荷輸送物質(zhì)的單層光敏層的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于，所述電荷產(chǎn)生物質(zhì)的至少一種是鈦氧基酞菁，該鈦氧基酞菁在以Cu Kα作為輻射源的粉末X射線衍射譜中的布拉格角2θ＝5-35°的范圍內(nèi)時(shí)的最高峰衍射強(qiáng)度P和本底的衍射強(qiáng)度B之比R滿足等式R＝(P-B)/B≤7.0，其中P值是最高峰衍射強(qiáng)度，B值是連接所述最高峰兩側(cè)峰谷的連線的衍射強(qiáng)度。
2.如權(quán)利要求1所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述比例R滿足下列等式R＝(P-B)/B≤3.0其中P和B如前所述。
3.如權(quán)利要求1所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述電荷輸送物質(zhì)是空穴輸送物質(zhì)。
4.如權(quán)利要求1所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述電荷輸送物質(zhì)包含空穴輸送物質(zhì)及電子輸送物質(zhì)。
5.如權(quán)利要求3或4所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述空穴輸送物質(zhì)的至少一種是具有下式(HT1)表示的結(jié)構(gòu)的化合物， 式(HT1)中，RH1-RH32可以相同也可不同，表示氫原子、C1-C6烷基或者C1-C6烷氧基。
6.如權(quán)利要求3或4所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述空穴輸送物質(zhì)的至少一種是具有下式(HT2)表示的結(jié)構(gòu)的化合物， 式(HT2)中，RH33代表氫原子或C1-C6烷基；RH34和RH35可以相同也可不同，表示氫原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基或可帶有取代基的芳基，也表示直接或通過氧原子、硫原子或碳鏈連接形成的環(huán)；RH36和RH37可以相同也可不同，表示C1-C12烷基或可帶有取代基的C3-C12環(huán)烷基、可帶有取代基的芳基或可帶有取代基的芳烷基；RH38-RH41可以相同也可不同，表示氫原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、可帶有取代基的芳基，RH36-RH41中兩個(gè)以上基團(tuán)可直接或者通過氧原子、硫原子或碳鏈連接形成環(huán)；m為0或1；所述取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、可帶有取代基的芳基、可帶有取代基的芳烷氧基、羥基、氰基、氨基、硝基、鹵代烷基、烷基取代的氨基或芳基取代的氨基，這些取代基中兩個(gè)以上取代基可直接或者通過氧原子、硫原子或碳鏈連接形成環(huán)。
7.如權(quán)利要求3或4所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述空穴輸送物質(zhì)的至少一種是具有下式(HT3)表示的結(jié)構(gòu)的化合物， 式(HT3)中，RH42-RH60可以相同也可不同，表示氫原子、鹵原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、烷基取代的氨基或可帶有取代基的芳基，其中兩個(gè)以上基團(tuán)可直接或通過氧原子、硫原子或碳鏈連接形成環(huán)；所述取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、羥基、氰基、氨基、硝基或鹵代烷基，這些取代基中兩個(gè)以上取代基可直接或通過氧原子、硫原子或碳鏈連接形成環(huán)。
8.如權(quán)利要求3或4所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述空穴輸送物質(zhì)的至少一種是具有下式(HT4)表示的結(jié)構(gòu)的化合物， 式(HT4)中，RH61-RH88可以相同也可不同，表示氫原子、鹵原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基或可帶有取代基的芳基；所述取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基或芳基。
9.如權(quán)利要求4所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述電子輸送物質(zhì)的至少一種是具有下式(ET1)表示的結(jié)構(gòu)的化合物， 式(ET1)中，RE1-RE4可以相同也可不同，表示氫原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、可帶有取代基的芳基、環(huán)烷基、可帶有取代基的芳烷基或者鹵代烷基；所述取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、羥基、氰基、氨基、硝基或鹵代烷基。
10.如權(quán)利要求4所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述電子輸送物質(zhì)的至少一種是具有下式(ET2)表示的結(jié)構(gòu)的化合物， 式(ET2)中，RE5-RE8可以相同也可不同，表示氫原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、可帶有取代基的芳基、環(huán)烷基、可帶有取代基的芳烷基或者鹵代烷基；所述取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、羥基、氰基、氨基、硝基或鹵代烷基。
11.如權(quán)利要求4所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述電子輸送物質(zhì)的至少一種是具有下式(ET3)表示的結(jié)構(gòu)的化合物， 式(ET3)中，RE9和RE10可以相同也可不同，表示氫原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、可帶有取代基的芳基、環(huán)烷基、可帶有取代基的芳烷基或者鹵代烷基；RE11表示氫原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、可帶有取代基的芳基、環(huán)烷基、可帶有取代基的芳烷基或者鹵代烷基；RE12-RE16可以相同也可不同，表示氫原子、鹵原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、可帶有取代基的芳基、可帶有取代基的芳烷基、可帶有取代基的苯氧基、鹵代烷基、氰基或硝基，其中，兩個(gè)以上的基團(tuán)可連接成環(huán)；所述取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C12烷氧基、羥基、氰基、氨基、硝基或鹵代烷基。
12.如權(quán)利要求4所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述電子輸送物質(zhì)的至少一種是具有下式(ET4)表示的結(jié)構(gòu)的化合物， 式(ET4)中，RE17表示可帶有取代基的烷基或可帶有取代基的芳基；RE18表示可帶有取代基的烷基、可帶有取代基的芳基或者式(ET4a)表示的基團(tuán)；-O-RE19(ET4a)式(ET4a)中，RE19表示可帶有取代基的烷基或者可帶有取代基的芳基；式(ET4)和(ET4a)中所述的取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、芳基、羥基、氰基、氨基、硝基或鹵代烷基。
13.如權(quán)利要求4所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述空穴輸送物質(zhì)的至少一種是具有下式(HT1)表示的結(jié)構(gòu)的化合物， 式(HT1)中，RH1-RH32可以相同也可不同，表示氫原子、C1-C6烷基或者C1-C6烷氧基；所述電子輸送物質(zhì)的至少一種是具有下式(ET3)表示的結(jié)構(gòu)的化合物， 式(ET3)中，RE9和RE10可以相同也可不同，表示氫原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、可帶有取代基的芳基、環(huán)烷基、可帶有取代基的芳烷基或者鹵代烷基；RE11表示氫原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、可帶有取代基的芳基、環(huán)烷基、可帶有取代基的芳烷基或者鹵代烷基；RE12-RE16可以相同也可不同，表示氫原子、鹵原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、可帶有取代基的芳基、可帶有取代基的芳烷基、可帶有取代基的苯氧基、鹵代烷基、氰基或硝基，其中，兩個(gè)以上的基團(tuán)可連接成環(huán)；所述取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C12烷氧基、羥基、氰基、氨基、硝基或鹵代烷基。
14.如權(quán)利要求4所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述空穴輸送物質(zhì)的至少一種是具有下式(HT2)表示的結(jié)構(gòu)的化合物， 式(HT2)中，RH33代表氫原子或C1-C6烷基；RH34和RH35可以相同也可不同，表示氫原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基或可帶有取代基的芳基，也可直接或通過氧原子、硫原子或碳鏈連接形成環(huán)；RH36和RH37可以相同也可不同，表示C1-C12烷基、可帶有取代基的C3-C12環(huán)烷基、可帶有取代基的芳基或可帶有取代基的芳烷基；RH38-RH41可以相同也可不同，表示氫原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、可帶有取代基的芳基，RH36-RH41基團(tuán)中兩個(gè)以上基團(tuán)可直接或者通過氧原子、硫原子或碳鏈連接形成環(huán)；m為0或1；所述取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、可帶有取代基的芳基、可帶有取代基的芳烷氧基、羥基、氰基、氨基、硝基、鹵代烷基、烷基取代的氨基或芳基取代的氨基，這些取代基中兩個(gè)以上基團(tuán)可直接或者通過氧原子、硫原子或碳鏈連接形成環(huán)；所述電子輸送物質(zhì)的至少一種是具有下式(ET3)表示的結(jié)構(gòu)的化合物， 式(ET3)中，RE9和RE10可以相同也可不同，表示氫原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、可帶有取代基的芳基、環(huán)烷基、可帶有取代基的芳烷基或者鹵代烷基；RE11表示氫原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、可帶有取代基的芳基、環(huán)烷基、可帶有取代基的芳烷基或者鹵代烷基；RE12-RE16可以相同也可不同，表示氫原子、鹵原子、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、可帶有取代基的芳基、可帶有取代基的芳烷基、可帶有取代基的苯氧基、鹵代烷基、氰基或硝基，其中，兩個(gè)以上的基團(tuán)可連接成環(huán)；所述取代基為鹵原子、C1-C6烷基、C1-C12烷氧基、羥基、氰基、氨基、硝基或鹵代烷基。
15.如權(quán)利要求1所述的電子照相光電導(dǎo)體，其特征在于所述樹脂粘合劑的至少一種是以下式(BD1)表示的結(jié)構(gòu)單元為主要重復(fù)單元的聚碳酸酯， 式(BD1)中，RB1-RB8可以相同也可不同，表示氫原子、C1-C6烷基、可帶有取代基的芳基、環(huán)烷基或鹵原子；Z表示形成可帶有取代基的碳環(huán)所必須的原子群；所述取代基為C1-C6烷基、芳基或鹵原子。
16.一種電子照相裝置，其特征在于所述裝置具備權(quán)利要求1、3、4、15的任一項(xiàng)所述的電子照相光電導(dǎo)體，且采用正電荷充電步驟作為充電步驟。
17.一種電子照相裝置，其特征在于所述裝置具備權(quán)利要求11、13、14的任一項(xiàng)所述的電子照相光電導(dǎo)體，且采用正電荷充電步驟作為充電步驟。
全文摘要
一種電子照相光電導(dǎo)體,它在導(dǎo)電基片上或在導(dǎo)電基片底涂層上具有單層光敏層,該光敏層至少含一種樹脂粘合劑、一種電荷產(chǎn)生物質(zhì)和一種電荷輸送物質(zhì),至少一種電荷產(chǎn)生物質(zhì)是鈦氧基酞菁,在Cu Kα輻射源的粉末X射線衍射譜中在布拉格角2θ=5－35°的范圍內(nèi),該鈦氧基酞菁的最高峰衍射強(qiáng)度P與衍射強(qiáng)度本底B之比R滿足R=(P－B)/B≤7.0。形成的電導(dǎo)體具有正電荷充電的優(yōu)良的電氣性能以及優(yōu)良的重復(fù)使用穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)G03G5/06GK1325039SQ0111977
公開日2001年12月5日 申請(qǐng)日期2001年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月23日
發(fā)明者竹內(nèi)勝, 大倉(cāng)健一 申請(qǐng)人:富士電機(jī)影像器材有限公司