專(zhuān)利名稱(chēng)：光學(xué)基片以及用于生產(chǎn)光學(xué)基片的方法與設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及光學(xué)基片以及用于生產(chǎn)光學(xué)基片的方法與設(shè)備，具體涉及到依據(jù)權(quán)利要求1前序部分的光學(xué)基片與依據(jù)權(quán)利要求17前序部分的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法以及用于將光學(xué)層涂布到基片上以實(shí)施本方法的設(shè)備。
由于光信號(hào)處理與傳輸技術(shù)開(kāi)始用于眾多領(lǐng)域中，例如用于洲際或干線上以及用于局部網(wǎng)和中等范圍網(wǎng)之中進(jìn)行高數(shù)據(jù)率的傳輸，對(duì)于用以影響和控制載運(yùn)信息的光的傳播的光學(xué)設(shè)備，其需求與日俱增。
光信號(hào)處理與傳輸技術(shù)的一種重要的基礎(chǔ)部件是光學(xué)基片，它一般由依高的表面質(zhì)量加工成的、本身也稱(chēng)作基片的支承件構(gòu)成，并在所用波長(zhǎng)范圍內(nèi)進(jìn)行傳輸時(shí)具有盡可能低的吸收。一般，取決于具體應(yīng)用目的，在這種基片上涂有一或多層光學(xué)層，其范圍從只有少數(shù)幾層的簡(jiǎn)單消反射到包括百層以上的窄帶濾光器。為避免損耗，這些層應(yīng)提供最低可能的吸收和具有最少可能散射中心個(gè)數(shù)的高的表面質(zhì)量。
已知采用濺射法如APS法生產(chǎn)干涉光學(xué)層，它通過(guò)改變折射率來(lái)實(shí)現(xiàn)反射和/或透射光的多光束干涉。但這種方法的缺點(diǎn)是通常難以應(yīng)用完全熔融的材料，這是由于這類(lèi)材料在容器中的直接霧化限制了可能的蒸涂速率。此外，由于反應(yīng)參與物例如氧由于這種方法需要有低真空而不能以充分的量供給，材料例如鈮也就不能以化學(xué)計(jì)量存在于涂層中。結(jié)果，需要特別耗時(shí)的再氧化步驟以及熱處理，而這極其不利于成本。但是沒(méi)有這種再加工的步驟，殘余的吸收中心使得不能利用這類(lèi)基片。此外，在光學(xué)多光束干涉基片例如在DWDM基片情形下，APS法的處理速率對(duì)于一批次加工及其質(zhì)量檢驗(yàn)就已需用16小時(shí)以上。因此，為優(yōu)化這種方法的控制與調(diào)節(jié)過(guò)程也是極度費(fèi)時(shí)的。
再有，作為應(yīng)用APS法涂層的結(jié)果，特別嚴(yán)重的缺點(diǎn)在于基片表面上產(chǎn)生了高的機(jī)械應(yīng)力。為了最終獲得經(jīng)濟(jì)上有利的產(chǎn)率，必須采用層厚超過(guò)10mm的基片且這種基片必須在表面涂層后在其背面加工成其最終厚度1～2mm。這不僅會(huì)危害所涂布的膜層系統(tǒng)，還會(huì)構(gòu)成新的干擾源，例如在基片表面之間所形成的不理想的楔角。
盡管此后公布的PCT申請(qǐng)PCT/EP 00/06518指出了應(yīng)用等離子體感應(yīng)的CVD法來(lái)構(gòu)造干涉光學(xué)層系，但對(duì)可以采用的材料以及所形成的機(jī)械及吸濕性質(zhì)則未給出詳細(xì)信息。
因此，本發(fā)明的目的之一在于能以較短的時(shí)間生產(chǎn)光學(xué)基片而且優(yōu)選能使這種基片具有顯著更低的表面應(yīng)力。此外還希望在所提出的生產(chǎn)方法的整個(gè)工序中加工基本上具有最終的尺寸的基片，以便從一開(kāi)始就消除在以后對(duì)層系造成損害和新增加干涉源。還希望能采用高折射率的材料例如鈮以及相關(guān)的、業(yè)已引入光學(xué)膜層中的Nb2O5，用以輔助光學(xué)膜層的設(shè)計(jì)和促進(jìn)光學(xué)基片濾光作用的有效性。
上述目的是通過(guò)具有權(quán)利要求1特征的光學(xué)基片、具有權(quán)利要求17特征的生產(chǎn)方法以及權(quán)利要求33特征的生產(chǎn)設(shè)備，以出奇簡(jiǎn)單的方式達(dá)到的。
本發(fā)明人出乎意料地發(fā)現(xiàn)，在基片的光學(xué)膜層中存在鹵素原子或鹵素化合物，明顯地大大減少了表面應(yīng)力。但在這以前，光學(xué)膜層中夾雜鹵素原子或鹵素化合物曾被視為是極其所不希望的，因?yàn)樗沟眠@種膜層有發(fā)展吸濕性質(zhì)的傾向，導(dǎo)致其由于所吸入的液體而不太耐久。再有，還曾經(jīng)認(rèn)為，液體的吸入，特別是在吸入水的情形將連帶地引入其他吸收帶，這對(duì)于光學(xué)基片是極其有害的。
但本發(fā)明證明，只要鹵素原子或鹵素化合物保持低于一定的限度則是高度有利的。據(jù)信在涂布膜層時(shí)，鹵素殘基能增強(qiáng)擬涂布到基片表面上的材料的或在業(yè)已涂布到基片的膜層上的遷移性，這可導(dǎo)致所淀積的材料能在其與基片表面接觸后仍可移至在能量上有利的點(diǎn)。對(duì)于擬涂布的膜層來(lái)說(shuō)，這意味著有關(guān)材料能遷移到表面上產(chǎn)生較少應(yīng)力或應(yīng)變的區(qū)域。
此外，當(dāng)存在某種比例的鹵素原子或鹵素化合物時(shí)，類(lèi)似的光學(xué)層便相對(duì)地具有較高的光密度，而這歸因于所剩余的空穴能夠由于提高的表面遷移性而能被待涂布材料更好地占據(jù)。
在涂布到基片的膜層中的鹵素原子或鹵素化合物中的鹵素的比例，按膜層材料的重量％計(jì)優(yōu)選≤5％，而尤為優(yōu)選是小于1％。按此方式涂布到多重干涉光學(xué)基片上的干涉膜層具有極低的機(jī)械應(yīng)力，因而幾乎沒(méi)有任何應(yīng)力感生的雙折射，同時(shí)具有高均勻性和高的光密度與低吸收。
鉭與鈮，它們優(yōu)選能依化學(xué)計(jì)量氧化物比Nb2O5或Ta2O5進(jìn)行淀積，業(yè)已證明是淀積物質(zhì)的極為有利的配伍者。
在鈮的情形，高折射率以及由此能在膜層系中產(chǎn)生的高折射率變化，對(duì)于膜層的設(shè)計(jì)是極為有利的。由于上述優(yōu)點(diǎn)，就能快速地和以高的光學(xué)質(zhì)量生產(chǎn)多重干涉光學(xué)基片以用作光學(xué)截止濾光器、帶通濾光器、增益-矯平濾光器以及WDM(波分復(fù)用)濾光器，特別是用作DWDM(密集波分復(fù)用)濾光器。
用以生產(chǎn)這種光學(xué)基片的方法優(yōu)選是等離子體輔助的PACVD(等離子體輔助的化學(xué)氣相淀積)法，它的特別理想的實(shí)施形式是PECVD(等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相淀積)法，而它的最理想的實(shí)施形式則是等離子脈沖CVD法-其中采用帶鹵素化合物的前體氣體。
在上述方法中，最佳的方法參數(shù)是壓力為0.05～10mbar；基片溫度約100～600℃；前體氣體中NbCl5的濃度為0.1～50％，前體氣體中HMDS(六二甲基二硅氧烷(hexadimethyldisiloxane))的濃度為0.1～50％；平均微波功率為0.01～20KW及氣體流率為50～10000sccm。
特別理想的一組方法參數(shù)包括壓力為0.01～1mbar；基片溫度約150～300℃；前體氣體中NbCl5的濃度為0.2～5％；前體氣體中HMDSO(六二甲基二硅氧烷)的濃度為0.25～15％；平均微波功率為0.1～5KW以及氣體流率為100～2000sccm。
用以實(shí)施本發(fā)明方法的最佳實(shí)施形式是在下述條件下進(jìn)行的壓力約為0.2mbar+/-10％、基片溫度約200℃+/-10％、前體氣體中NbCl5的濃度約為2+/-10％，前體氣體中HMDSO(六二甲基二硅氧烷)的濃度約3％+/-10％，平均微波功率約為0.5KW+/-10％，以及氣體流率為500sccm+/-10％。
在上述各組參數(shù)下，與APS法相比，PICVD法可將處理速度從16小時(shí)減少到1.5小時(shí)，從而可有快的可控性，以及因此能得到較低的廢品率。
此外，在一種特別有利的方式下，是在基本上具有最終規(guī)格厚度的基片上直接進(jìn)行這種淀積。膜層厚度僅有的變化只在于基于光學(xué)基片淀積的厚度增加。這些基片業(yè)已具有為其繼后應(yīng)用所需的楔角，且基本上不存在另外的機(jī)械干擾。
在PICVD法的情形下，對(duì)于方法的可重現(xiàn)性尤其重要的另一優(yōu)點(diǎn)還在于這樣的事實(shí)由于供給了合適的前體氣體，就不需要例如在APS法中那樣，為了充填或改變靶料而在生產(chǎn)過(guò)程中打開(kāi)容器。
本發(fā)明將參考優(yōu)選實(shí)施形式以及根據(jù)附圖更詳細(xì)地說(shuō)明如下，附圖中

圖1圖示了PECVD設(shè)備及其主要組件；圖2圖示了上述設(shè)備于容器及微波發(fā)生器區(qū)域的剖面圖；圖3是此容器的側(cè)視圖；圖4以正視圖概示此容器內(nèi)的微波等離子體的空間結(jié)構(gòu)；圖5是圖示具有多重干涉光學(xué)層的光學(xué)基片的橫剖圖。
下面首先參考圖1說(shuō)明用于涂布光學(xué)層的設(shè)備的優(yōu)選實(shí)施形式，圖1中概示了此設(shè)備的主要組件。
本發(fā)明的設(shè)備包括可抽真空室1形式的容器，其中設(shè)有基片架2，上面可借助于其背面4固定通過(guò)橫剖圖更詳細(xì)地示于圖5中的光學(xué)基片3。容器1通過(guò)入口5與相關(guān)管道系統(tǒng)一起形成的處理氣體的供給裝置，連至高溫(HAT)氣體發(fā)生器6，后者又由低溫(NT)氣體發(fā)生器7供氣，而依此將處理前體氣體供給容器1。
此外，容器1通過(guò)形成用于排出處理氣體的排氣裝置的出口8與管道系統(tǒng)連至泵站9，泵站9包括預(yù)真空泵與主真空泵，以便能在即使于供應(yīng)前體氣體或清洗氣體時(shí)，也能將壓力穩(wěn)定地和可調(diào)節(jié)地保持到約0.05～10mbar。
泵站9可以包括許多羅茨泵或其他適當(dāng)?shù)谋孟到y(tǒng)，用以產(chǎn)生相應(yīng)的真空。
從容器1抽出的氣體從泵站9通至滌氣器，以使環(huán)境污染減至最少。
構(gòu)成光學(xué)監(jiān)控裝置的監(jiān)控探測(cè)器10與監(jiān)控光源11，通過(guò)以氣密方式設(shè)于容器1機(jī)殼中的窗口與容器1這樣連接，使得由監(jiān)控光源11發(fā)射出的光通過(guò)光學(xué)基片3與基片架2上的孔12到達(dá)監(jiān)控探測(cè)器10，后者當(dāng)采用單色光時(shí)，隨著于基片3上膜層的逐漸生長(zhǎng)，記錄著透射光強(qiáng)的變化，而據(jù)此可控制膜層厚度的增長(zhǎng)。
下面參看圖2進(jìn)行說(shuō)明，圖2圖示于容器1以及微波發(fā)光器區(qū)域的剖面圖，從圖中可以看到基片加熱器12，后者或者構(gòu)成基片架2的一部分或于其上設(shè)置成使其能控制基片的溫度，并且優(yōu)選此溫度可穩(wěn)定地調(diào)節(jié)至約100～600℃范圍內(nèi)的某個(gè)值。
微波源13、14分設(shè)于基片架2的兩側(cè)，各產(chǎn)生其自己的微波場(chǎng)而部分地投射入容器1中，這可從圖4的示意性正視圖中看清，由線15與16限定出微波場(chǎng)。這些線近似地描繪出在這種微波場(chǎng)中，場(chǎng)強(qiáng)降至這樣一個(gè)值，在此值之下，依賴于其它方法參數(shù)不能再預(yù)期等離子體感生的反應(yīng)。但為了能將微波能供給可抽真空室1，可抽真空室1設(shè)置側(cè)向微波透射窗17、18。圖3的示意性側(cè)視圖示明了左側(cè)微波窗17相對(duì)于入口5的入口噴嘴19以及相對(duì)于基片架2和光學(xué)基片3的位置。
下面參考優(yōu)選方法的步驟描述光學(xué)基片3的生產(chǎn)。
首先將基本上具有其以后使用厚度的光學(xué)基片4固定于基片架2之上。此原始的基片一般具有由玻璃或石英玻璃組成的基體20，在其上相續(xù)地涂布光學(xué)膜層系的光學(xué)膜層21～29。
此擬涂層的基片的表面優(yōu)選具有這樣的殘余的不均勻度或糙度，其粗糙深度小于以后所用的輻射波長(zhǎng)，亦即優(yōu)選比1.5或1.0um小。尤為優(yōu)選使這種粗糙深度小于所用波長(zhǎng)的1/10或1/20，亦即小于0.15或0.075μm。也可采用比上述更小的粗糙深度，這有利于改進(jìn)散射特性和所涂布的膜層的質(zhì)量。
取決于膜層的設(shè)計(jì)，可使在各種情形下相互貼鄰的膜層具有互異的折射率，由此產(chǎn)生波前確定的相移并于折射率躍遷處產(chǎn)生確定的反射。
在基片3業(yè)已安放到支架2上后，將容器抽空然后充以處理氣體。根據(jù)本發(fā)明，所用的前體氣體為含鹵化物的處理氣體且優(yōu)選使用濃度為0.1～50％，優(yōu)選為0.25～15％，而尤為優(yōu)選是約3％+/-10％的HMDSO，六二甲基二硅氧烷。
結(jié)果在已供應(yīng)處理氣體之后，于可抽真空的室1之內(nèi)形成可由微波觸發(fā)的等離子體，通過(guò)微波場(chǎng)的瞬時(shí)延續(xù)以及通入的反應(yīng)性處理氣體的量，此等離子體在各種情形下可確定在基體20上的淀積的量以及膜層21～29的形成。
若將NbCl5用作前體氣體，NbCl5的濃度可為0.1～50％，但優(yōu)選是0.2～5％，而最優(yōu)選2％+/-10％。
輻射到可抽真空室1內(nèi)的微波功率的有用平均功率為0.01～20KW，優(yōu)選為0.1～5KW，而最優(yōu)選是約0.5KW+/-10％。
前體氣體流率可于50～10000sccm內(nèi)調(diào)節(jié)；而在此方法的優(yōu)選變型中，此調(diào)節(jié)范圍為100～2000sccm；在最佳實(shí)施形式中，此氣體流率可為500sccm+/-10％。
作為前體氣體中的氯的代替物，可以是氟、溴和/或碘或這些鹵族元素適當(dāng)量比的混合物。
但在此，將處理參數(shù)這樣設(shè)定，使涂布于基片20的膜層21～29中之一的鹵素原子或鹵素化合物中的鹵素的比例按重量％計(jì)≤5％，在尤其優(yōu)選的實(shí)施方案中是≤1％。
作為鈮的代用物還可以采用鉭。此外，在有不同膜層的情形下，取決于膜層的設(shè)計(jì)可把鈮用于第一層而把鉭用于第二層，使得在這些膜層中分別形成Nb2O5和Ta2O5，且優(yōu)選以化學(xué)計(jì)量比形成，使它具有較低的吸收和較少數(shù)量的散射中心。
通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇膜層21～29的膜層設(shè)計(jì)，在圖5中純?yōu)榕e例目的給出了共9層的膜層，能夠生產(chǎn)高質(zhì)量的光學(xué)性質(zhì)的用作截止濾光器、帶通濾光器、增益-矯平濾光器以及WDM(波分復(fù)用)濾光器，而特別是用作DWDM(密集波分復(fù)用)濾光器的光學(xué)基片。
盡管本發(fā)明是借助于等離子體感應(yīng)的CVD法描述的，但并不局限于此方法，而同樣能用等離子體輔助的PACVD(等離子體輔助化學(xué)氣相淀積)法與PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積)法有利地實(shí)施本發(fā)明。
此外，認(rèn)為引入業(yè)已發(fā)現(xiàn)為有利的鹵素原子或鹵素化合物并不局限于這里提出的化學(xué)淀積法，還可在其他的膜層涂布方法中觀察到其效益。
權(quán)利要求
1.光學(xué)基片，它包括在其上設(shè)有一或多層影響光傳播的膜層，其中至少一層膜層包括鹵素原子或鹵素化合物。
2.權(quán)利要求1所述的光學(xué)基片，其中所述鹵素原子或鹵素化合物中包括的鹵素在各種情形下是從氯、氟、溴與碘以及氯、氟、溴與碘的混合物構(gòu)成的組中選取的。
3.權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)基片，其中在涂布于基片上的膜層中的鹵素原子或鹵素化合物中的鹵素的比例按膜層材料的重量％計(jì)，不超過(guò)5％。
4.權(quán)利要求1、2或3所述的光學(xué)基片，其中在涂布于基片上的膜層中的鹵素原子或鹵素化合物中的鹵素的比例按膜層材料的重量％計(jì)，不超過(guò)1％。
5.權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的光學(xué)基片，其中所述鹵素原子或鹵素化合物是設(shè)于干涉膜層之中，由此來(lái)影響透過(guò)此干涉層的光的相前速度。
6.光學(xué)基片，特別是權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的光學(xué)基片，包括具有含鈮的化合物的膜層。
7.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)基片，其中所述含鈮的化合物是鈮的氧化物，而優(yōu)選是Nb2O5，它設(shè)于干涉膜層中，由此影響透過(guò)此干涉膜層的光的相前速度。
8.光學(xué)基片，特別是前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)基片，包括具有含鉭的化合物的膜層。
9.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)基片，其中所述含鉭的化合物是鉭的氧化物，而優(yōu)選是Ta2O5，它設(shè)于干涉膜層中，由此影響透過(guò)此干涉膜層的光的相前速度。
10.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)基片，它還包括具有含鈮的化合物以及鹵素原子或鹵素化合物的膜層。
11.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)基片，它還包括具有含鉭的化合物以及鹵素原子或鹵素化合物的膜層。
12.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)基片，其中于所述基片上設(shè)有多個(gè)膜層，各層具有的折射率至少與一相鄰的層不同。
13.權(quán)利要求12所述的光學(xué)基片，其中所述光學(xué)基片是多重干涉濾光器，用作透射和/或反射光的截止濾光器。
14.權(quán)利要求12所述的光學(xué)基片，其中所述光學(xué)基片是多重干涉濾光器，用作透射或反射光的帶通濾光器。
15.權(quán)利要求12所述的光學(xué)基片，其中所述光學(xué)基片是多重干涉濾光器，用作增益-矯平濾光器。
16.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)基片，其中所述光學(xué)基片是WDM(波分復(fù)用)濾光器，特別是DWDM(密集波分復(fù)用)濾光器。
17.生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，包括將膜層涂布到基片上，其中此膜層包括鹵素原子或鹵素化合物。
18.權(quán)利要求17所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，其中所述鹵素原子或鹵素化合物中包括的鹵素是從氯、氟、溴與碘構(gòu)成的組中選取的。
19.權(quán)利要求17或18所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，其中在涂布于基片上的膜層中的鹵素原子的或鹵素化合物中的鹵素的比例按膜層材料的重量％計(jì)，不超過(guò)5％。
20.權(quán)利要求17、18或19所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，其中在涂布于基片上的膜層中的鹵素原子的或鹵素化合物中鹵素的比例按膜層材料的重量％計(jì)，不超過(guò)1％。
21.生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，特別是權(quán)利要求17～20中任一項(xiàng)所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，其中包括將膜層涂布到具有含鈮的化合物的基片上。
22.權(quán)利要求21所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，其中所述含鈮的化合物是鈮的氧化物，而優(yōu)選是Nb2O5，它設(shè)于干涉膜層中，由此影響透過(guò)此干涉膜層的光的相前速度。
23.生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，特別是權(quán)利要求17～22中任一項(xiàng)所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，包括涂布具有含鉭的化合物的膜層。
24.權(quán)利要求23所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，其中所述含鉭的化合物是鉭的氧化物，而優(yōu)選是Ta2O5，它設(shè)于干涉膜層中，由此影響透過(guò)此干涉膜層的光的相前速度。
25.權(quán)利要求17～24中任一項(xiàng)所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，還包括涂布具有含鈮的化合物以及鹵素原子或鹵素化合物的膜層。
26.權(quán)利要求17～25中任一項(xiàng)所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，還包括具有含鉭的化合物以及鹵素原子或鹵素化合物的膜層。
27.權(quán)利要求17～26中任一項(xiàng)所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，其中在所述基片上設(shè)置多個(gè)膜層，各層具有的折射率至少與一相鄰的層不同。
28.權(quán)利要求17～27中任一項(xiàng)所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，其中所述方法是PACVD(等離子體輔助化學(xué)氣相淀積)法。
29.權(quán)利要求17～28中任一項(xiàng)所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，其中所述方法是PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積)法，特別是等離子脈沖CVD法，其中采用帶鹵素化合物的前體氣體。
30.權(quán)利要求27、28或29所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，其中所述方法是在下述條件下進(jìn)行壓力0.05～10mbar；基片溫度約100～600℃；前體氣體中NbCl5的濃度0.1～50％；前體氣體中HMDS(六二甲基二硅氧烷)的濃度0.1～50％；平均微波功率0.01～20KW；氣體流率，50～10000sccm。
31.權(quán)利要求27、28或29所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，其中所述方法是在下述條件下進(jìn)行壓力0.01～1mbar；基片溫度約150～300℃；前體氣體中NbCl5的濃度0.2～5％；前體氣體中HMDS(六二甲基二硅氧烷)的濃度0.25～15％；平均微波功率0.1～5KW；氣體流率100～2000sccm。
32.權(quán)利要求27、28或29所述的生產(chǎn)光學(xué)基片的方法，其中所述方法是在下述條件下進(jìn)行壓力約0.2mbar+/-10％；基片溫度約200℃+/-10％；前體氣體中NbCl5的濃度約2％+/-10％；前體氣體中HMDSO(六二甲基二硅氧烷)的濃度約3％+/-10％；平均微波功率約0.5KW+/-10％；氣體流率約500sccm+/-10％。
33.用以給基片涂布光學(xué)膜層的，特別是用以生產(chǎn)權(quán)利要求1～16中之一項(xiàng)所述光學(xué)基片的，以及用以實(shí)施權(quán)利要求17～32中之一項(xiàng)所述方法的設(shè)備，此設(shè)備包括可抽真空室(1)，設(shè)于可抽真空室(1)中的基片架(2)；用以提供處理氣體，特別是用于提供前體氣體以實(shí)施化學(xué)淀積法的供氣裝置(5)；于此可抽真空室(1)的至少一部分內(nèi)產(chǎn)生微波場(chǎng)的微波發(fā)生裝置(13，14)；以及用于排出處理氣體的排氣裝置。
34.權(quán)利要求33所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備是PICVD裝置，在其中于所述可抽真空室(1)內(nèi)處理氣體的反應(yīng)可以由時(shí)控微波場(chǎng)影響。
35.權(quán)利要求33或34所述的設(shè)備，其中還包括可監(jiān)控膜層于基片(3)上的生長(zhǎng)的光學(xué)監(jiān)控裝置(10、11，12)。
36.權(quán)利要求33、34或35所述的設(shè)備，其中還包括用以控制處理氣體的、基片架的以及基片的溫度的裝置(6，12)。
全文摘要
為了能減少生產(chǎn)其上要設(shè)置一或多層能影響光傳播的膜層的光學(xué)基片時(shí)所需的時(shí)間和理想地提供表面應(yīng)力顯著更低的光學(xué)基片，本發(fā)明說(shuō)明了應(yīng)用一種涂布膜層方法和采用這種方法生產(chǎn)的光學(xué)基片，其中作為生產(chǎn)的結(jié)果，所述膜層的至少一層包括鹵素原子或鹵素化合物。
文檔編號(hào)G02B6/132GK1457327SQ00819929
公開(kāi)日2003年11月19日 申請(qǐng)日期2000年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月29日
發(fā)明者S·鮑爾, M·庫(kù)爾, B·溫格林, L·克利普, B·丹尼爾齊克 申請(qǐng)人:肖特·格拉斯公司