一種像素驅(qū)動(dòng)電路、顯示設(shè)備和像素驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及像素驅(qū)動(dòng)技術(shù)，特別是一種像素驅(qū)動(dòng)電路、顯示設(shè)備和像素驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有技術(shù)方案，在通過電流源控制工作電流的像素電路中，在顯示階段，如圖1所 示，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的開啟程度受電容結(jié)構(gòu)C的控制。而對(duì)于任意的電路而言，當(dāng)亞像素的灰 階確定之后，流過驅(qū)動(dòng)晶體管的目標(biāo)電流的電流強(qiáng)度I目標(biāo)是確定的，而該電流與驅(qū)動(dòng)晶體管 的不可調(diào)的參數(shù)(包括y、w/L以及V th)和可調(diào)的Vgs，如下所示：
[0003] I _=0.5y*(W/L)* (Vgs-Vth)2
[0004] 其中：μ為載流子遷移率與驅(qū)動(dòng)晶體管等效電容的乘積，W/L為驅(qū)動(dòng)晶體管晶體管 寬長(zhǎng)比，Vgs為驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓差，V th為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。
[0005] 因此，要保證OLED在發(fā)光階段按要求亮度發(fā)光，則需要為電容結(jié)構(gòu)C充電，使得電 容兩端的電壓差為：
[0007]如圖1所示，電容結(jié)構(gòu)的第一端連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極，第二端連接到Tl的源 極。同時(shí)，利用電流源生成目標(biāo)電流，并通過電路設(shè)計(jì)使得狀態(tài)穩(wěn)定后該目標(biāo)電流能夠全部 流過驅(qū)動(dòng)晶體管。此時(shí)，利用驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓差為電容結(jié)構(gòu)充電，使得充電后的電容 結(jié)構(gòu)兩端的電壓差為目標(biāo)電壓差：
[0009]上述的方式中，可以發(fā)現(xiàn)，充電階段電流源產(chǎn)生的電流的電流強(qiáng)度和Ia標(biāo)是相等 的。
[0010]而這種方式將導(dǎo)致上述的驅(qū)動(dòng)電路無法應(yīng)用于高分辨率的顯示面板，同時(shí)在應(yīng)用 于較低分辨率的顯示面板時(shí)，也會(huì)減小有效顯示時(shí)間，降低顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路、顯示設(shè)備和像素驅(qū)動(dòng)方法，提 尚顯不效果。
[0012] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)像素結(jié)構(gòu) 中的發(fā)光器件，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括：
[0013] 與發(fā)光器件串聯(lián)的驅(qū)動(dòng)晶體管Tl，漏極與第一電源信號(hào)輸入端子(VDD)連接；
[0014] 電容結(jié)構(gòu)C，第一端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極連接，第二端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl 的源極連接；
[0015] 至少包括一電流源的充電電路，用于在充電階段對(duì)所述電容結(jié)構(gòu)C進(jìn)行充電；
[0016] 所述充電階段的至少一段時(shí)間內(nèi)，對(duì)所述電容結(jié)構(gòu)C進(jìn)行充電的充電電流的電流 強(qiáng)度大于目標(biāo)電流的電流強(qiáng)度，且充電階段結(jié)束后，電容結(jié)構(gòu)C兩端的電壓差為目標(biāo)電壓 差；
[0017] 所述目標(biāo)電壓差為:所述發(fā)光器件在發(fā)光階段以設(shè)定亮度發(fā)光時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)晶體 管Tl的柵源電壓差；
[0018] 所述目標(biāo)電流為:所述發(fā)光器件在發(fā)光階段以設(shè)定亮度發(fā)光時(shí)，流過所述驅(qū)動(dòng)晶 體管Tl的電流。
[0019] 上述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述充電電路包括：
[0020] 至少一個(gè)和所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl并聯(lián)的電流控制晶體管T2,所述電流控制晶體管T2 的柵極和所述電容結(jié)構(gòu)C的第一端連接，源極和所述電容結(jié)構(gòu)C的第二端連接；
[0021] 生成電流強(qiáng)度大于目標(biāo)電流的電流強(qiáng)度的電流的電流源，設(shè)置于第二電源信號(hào)輸 入端子VSS和與所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極、所述電流控制晶體管T2的源極和所述電容結(jié)構(gòu)C 的第二端同時(shí)連接的第一公共節(jié)點(diǎn)Nl之間；
[0022]控制單元，用于在充電階段控制所述電流控制晶體管T2和電流源對(duì)所述電容結(jié)構(gòu) C充電，在顯示階段控制所述電流控制晶體管T2和電流源停止對(duì)所述電容結(jié)構(gòu)C充電。
[0023]上述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述控制單元具體包括：
[0024]第一開關(guān)單元，在充電階段導(dǎo)通，導(dǎo)通第一電源信號(hào)輸入端子VDD和所述電流控制 晶體管T2的柵極、漏極和所述電容結(jié)構(gòu)C的第一端，在發(fā)光階段關(guān)斷；
[0025]第二開關(guān)單元，所述第二開關(guān)單元設(shè)置于第二電源信號(hào)輸入端子VSS和所述第一 公共節(jié)點(diǎn)Nl之間，與所述電流源串聯(lián)，第二開關(guān)單元用于在充電階段導(dǎo)通，在發(fā)光階段關(guān) 斷。
[0026] 上述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述第一開關(guān)單元具體包括：
[0027] 充電階段導(dǎo)通，發(fā)光階段關(guān)斷的第一薄膜晶體管Ml，漏極與所述第一電源信號(hào)輸 入端子VDD連接，源極和與所述電流控制晶體管T2的漏極、柵極和所述電容結(jié)構(gòu)C的第一端 同時(shí)連接的第二公共節(jié)點(diǎn)N2連接。
[0028] 上述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述第一開關(guān)單元具體包括：
[0029] 充電階段導(dǎo)通，發(fā)光階段關(guān)斷的第二薄膜晶體管M2,漏極與所述第一電源信號(hào)輸 入端子VDD連接，源極和所述電流控制晶體管T2的漏極連接；
[0030] 充電階段導(dǎo)通，發(fā)光階段關(guān)斷的第二薄膜晶體管M3,漏極與所述第一電源信號(hào)輸 入端子VDD連接，源極和與所述電流控制晶體管T2的柵極和所述電容結(jié)構(gòu)C的第一端同時(shí)連 接的第三公共節(jié)點(diǎn)N3連接。
[0031] 上述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述發(fā)光器件設(shè)置于第二電源信號(hào)輸入端子VSS和所 述第一公共節(jié)點(diǎn)Nl之間，所述像素驅(qū)動(dòng)電路還包括：
[0032]第三開關(guān)單元，設(shè)置于所述第二電源信號(hào)輸入端子VSS和所述第一公共節(jié)點(diǎn)Nl之 間，與所述發(fā)光器件串聯(lián)，在充電階段關(guān)斷，在發(fā)光階段導(dǎo)通。
[0033]為了更好地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例的目的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示設(shè)備，包 括至少一個(gè)像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括發(fā)光器件，其中，每一個(gè)像素結(jié)構(gòu)還包括上述任意 的像素驅(qū)動(dòng)電路，所述發(fā)光器件與所述像素驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極連 接。
[0034]為了更好地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例的目的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種像素驅(qū)動(dòng)方 法，用于驅(qū)動(dòng)像素結(jié)構(gòu)中和驅(qū)動(dòng)晶體管Tl串聯(lián)的發(fā)光器件，所述像素驅(qū)動(dòng)方法包括：
[0035] 充電步驟，在充電階段對(duì)第一端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極連接，第二端和所述 驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極連接的電容結(jié)構(gòu)C進(jìn)行充電；所述驅(qū)動(dòng)晶體管(Tl)的漏極與第一電源 信號(hào)輸入端子(VDD)連接；
[0036] 所述充電步驟中，在所述充電階段的至少一段時(shí)間內(nèi)，對(duì)所述電容結(jié)構(gòu)C進(jìn)行充電 的充電電流的電流強(qiáng)度大于目標(biāo)電流的電流強(qiáng)度，且充電階段結(jié)束后，電容結(jié)構(gòu)C兩端的電 壓差為目標(biāo)電壓差；
[0037] 所述目標(biāo)電壓差為:所述發(fā)光器件在發(fā)光階段以設(shè)定亮度發(fā)光時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)晶體 管Tl的柵源電壓差；
[0038] 所述目標(biāo)電流為:所述發(fā)光器件在發(fā)光階段以設(shè)定亮度發(fā)光時(shí)，流過所述驅(qū)動(dòng)晶 體管Tl的電流。
[0039] 上述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述充電步驟具體為：
[0040] 控制步驟，在充電階段控制至少一個(gè)和所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl并聯(lián)的電流控制晶體管 T2和設(shè)置于第二電源信號(hào)輸入端子VSS和第一公共節(jié)點(diǎn)Nl之間電流源對(duì)所述電容結(jié)構(gòu)C充 電，在顯示階段控制所述電流控制晶體管T2和所述電流源停止對(duì)所述電容結(jié)構(gòu)C充電;所述 電流源生成電流強(qiáng)度大于目標(biāo)電流的電流強(qiáng)度的電流；
[0041] 所述第一公共節(jié)點(diǎn)Nl與所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極、所述電流控制晶體管T2的源極 和所述電容結(jié)構(gòu)C的第二端同時(shí)連接。
[0042] 上述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述控制步驟具體包括：
[0043]第一控制步驟，控制設(shè)置于第一電源信號(hào)輸入端子VDD和所述電流控制晶體管T2 的柵極、源極和所述電容結(jié)構(gòu)C的第一端之間的第一開關(guān)單元在充電階段導(dǎo)通，在發(fā)光階段 關(guān)斷；
[0044] 第二控制步驟，控制設(shè)置于第二電源信號(hào)輸入端子VSS和所述第一公共節(jié)點(diǎn)Nl之 間，與所述電流源串聯(lián)的第二開關(guān)單元在充電階段導(dǎo)通，在發(fā)光階段關(guān)斷。
[0045] 上述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述第一控制步驟具體為：
[0046]控制漏極與所述第一電源信號(hào)輸入端子VDD連接，源極與第二公共節(jié)點(diǎn)N2連接的 第一薄膜晶體管Ml在充電階段導(dǎo)通，在發(fā)光階段關(guān)斷；
[0047] 所述第二公共節(jié)點(diǎn)N2與所述電流控制晶體管T2的漏極、柵極和所述電容結(jié)構(gòu)C的 第一端同時(shí)連接。
[0048] 本發(fā)明實(shí)施例中，由于充電電路能夠使得充電后的電容結(jié)構(gòu)兩端的電壓差為目標(biāo) 電壓差，能夠確保發(fā)光器件以正確的亮度發(fā)光。而相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的充電電流等于工作電 流的方式而言，在充電階段的至少一段時(shí)間內(nèi)，充電電流是大于工作電流的，因此相對(duì)于現(xiàn) 有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例加大了充電電流，能夠提高充電速度，使之可以應(yīng)用于高分辨率面 板。而在應(yīng)用于較低分辨率的產(chǎn)品時(shí)，由于縮短了充電時(shí)間，因此可以應(yīng)用于顯示的時(shí)間就 會(huì)更多，能夠提尚顯不效果。
【附圖說明】
[0049]圖1表示現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)圖；
[0050]圖2表示本發(fā)明第一具體實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051] 圖3表示本發(fā)明第二具體實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的充電電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052] 圖4表示本發(fā)明第二具體實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路中的控制單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053] 圖5表示本發(fā)明第二具體實(shí)施例中所述第一開關(guān)單元的一種實(shí)現(xiàn)方式示意圖；
[0054] 圖6表示本發(fā)明第二具體實(shí)施例中所述第一開關(guān)單元的另一種實(shí)