本技術(shù)涉及顯示，具體涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，用戶對(duì)顯示裝置的高分辨率、高屏占比等顯示要求越來越高。隨著人們對(duì)屏占比的極致追求，具有窄邊框或無邊框的顯示面板受到廣泛關(guān)注。通常，顯示裝置的顯示面板的邊框區(qū)域可以彎折到其背面，從而實(shí)現(xiàn)窄邊框或無邊框。但是，由于顯示面板自身結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，在彎折顯示面板的過程中，容易出現(xiàn)彎折損傷，或者難以達(dá)到較小的彎折半徑，無法進(jìn)一步縮小邊框區(qū)域。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述問題，本技術(shù)實(shí)施例提供一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

2、第一方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種顯示面板，具有顯示區(qū)和至少部分環(huán)繞顯示區(qū)的非顯示區(qū)，非顯示區(qū)包括位于顯示區(qū)至少一側(cè)的第一子非顯示區(qū)和彎折區(qū)，彎折區(qū)位于第一子非顯示區(qū)遠(yuǎn)離顯示區(qū)一側(cè)，顯示面板包括：基底，從顯示區(qū)延伸至彎折區(qū)；導(dǎo)電層，位于基底一側(cè)，導(dǎo)電層至少部分位于彎折區(qū)；調(diào)整層，至少部分調(diào)整層位于彎折區(qū)中，調(diào)整層位于基底和導(dǎo)電層之間；第一膜層，位于導(dǎo)電層背離基底一側(cè)，第一膜層至少部分位于彎折區(qū)；位于彎折區(qū)的基底的厚度小于位于第一子非顯示區(qū)和/或顯示區(qū)的基底的厚度。

3、結(jié)合第一方面，顯示面板還包括綁定區(qū)，其中，彎折區(qū)位于綁定區(qū)和第一子非顯示區(qū)之間且連接第一子非顯示區(qū)和綁定區(qū)，基底從顯示區(qū)延伸至綁定區(qū)，在彎折區(qū)，基底在面向調(diào)整層的一側(cè)設(shè)置有凹槽，調(diào)整層填充凹槽。

4、結(jié)合第一方面，基底包括依次疊置的第一襯底和第二襯底，至少部分第二襯底位于第一襯底和導(dǎo)電層之間，凹槽的開口與第二襯底背離第一襯底的表面平齊；優(yōu)選地，凹槽的底壁位于第二襯底中，或者位于第一襯底中，或者位于第一襯底和第二襯底的界面處；優(yōu)選地，基底還包括阻擋層，至少部分阻擋層位于第一襯底和第二襯底之間；優(yōu)選地，凹槽的底壁位于阻擋層。

5、結(jié)合第一方面，顯示面板還包括綁定區(qū)，其中，彎折區(qū)位于綁定區(qū)和第一子非顯示區(qū)之間且連接第一子非顯示區(qū)和綁定區(qū)，基底從顯示區(qū)延伸至綁定區(qū)，導(dǎo)電層至少部分位于綁定區(qū)，調(diào)整層從彎折區(qū)延伸至綁定區(qū)，位于綁定區(qū)的基底的厚度與位于彎折區(qū)的基底的厚度相同。

6、結(jié)合第一方面，基底包括依次疊置的第一襯底和第二襯底，至少部分第二襯底位于第一襯底和導(dǎo)電層之間，第一襯底從顯示區(qū)延伸至綁定區(qū)，第二襯底從顯示區(qū)延伸至至少部分第一子非顯示區(qū)；優(yōu)選地，至少位于彎折區(qū)的第一襯底的厚度與位于第一子非顯示區(qū)的第一襯底的厚度相同；或者，至少位于彎折區(qū)的第一襯底的厚度小于位于第一子非顯示區(qū)的第一襯底的厚度；優(yōu)選地，基底還包括阻擋層，至少部分阻擋層位于第一襯底和第二襯底之間，阻擋層從顯示區(qū)延伸至至少部分第一子非顯示區(qū)，或者阻擋層從顯示區(qū)延伸至綁定區(qū)；優(yōu)選地，第二襯底靠近彎折區(qū)一側(cè)的端面與第二襯底背離第一襯底的表面垂直相交或傾斜相交。

7、結(jié)合第一方面，基底包括依次疊置的第一襯底和第二襯底，至少部分第二襯底位于第一襯底和導(dǎo)電層之間，至少位于彎折區(qū)的導(dǎo)電層與第一襯底背離導(dǎo)電層一側(cè)的距離小于位于第一子非顯示區(qū)和/或顯示區(qū)的導(dǎo)電層與第一襯底背離導(dǎo)電層一側(cè)的距離。

8、結(jié)合第一方面，至少位于彎折區(qū)的導(dǎo)電層的厚度大于或等于位于第一子非顯示區(qū)的導(dǎo)電層的厚度。

9、結(jié)合第一方面，調(diào)整層的楊氏模量小于基底的楊氏模量；優(yōu)選地，調(diào)整層的楊氏模量大于或等于500mpa且小于或等于3000mpa；優(yōu)選地，在垂直于基底方向，調(diào)整層的厚度大于或等于2um且小于或等于9um；優(yōu)選地，調(diào)整層包括有機(jī)材料；優(yōu)選地，調(diào)整層的材料包括光敏聚酰亞胺；優(yōu)選地，顯示面板還包括第二膜層，第二膜層位于導(dǎo)電層和基底之間，調(diào)整層與第二膜層同層制備且材料相同；優(yōu)選地，調(diào)整層的楊氏模量小于第二膜層的楊氏模量；優(yōu)選地，第一膜層包括第一平坦化層、像素定義層、隔墊物層中的至少一種；優(yōu)選地，顯示面板還包括光學(xué)膠層和蓋板，光學(xué)膠層和蓋板依次位于第一膜層背離基底的一側(cè)；優(yōu)選地，顯示面板還包括支撐層，設(shè)置在基底背離導(dǎo)電層一側(cè)；優(yōu)選地，顯示面板還包括復(fù)合膠層，復(fù)合膠層位于支撐層背離基底一側(cè)；優(yōu)選地，顯示面板還包括墊高塊，墊高塊位于復(fù)合膠層背離基底一側(cè)。

10、第二方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種顯示面板，具有顯示區(qū)和至少部分環(huán)繞顯示區(qū)的非顯示區(qū)，非顯示區(qū)包括位于顯示區(qū)至少一側(cè)的第一子非顯示區(qū)和彎折區(qū)，彎折區(qū)位于第一子非顯示區(qū)遠(yuǎn)離顯示區(qū)一側(cè)，顯示面板包括：基底，從顯示區(qū)延伸至彎折區(qū)；導(dǎo)電層，位于基底一側(cè)，導(dǎo)電層至少部分位于彎折區(qū)；調(diào)整層，至少部分調(diào)整層位于彎折區(qū)中，調(diào)整層位于導(dǎo)電層背離基底一側(cè)；至少位于彎折區(qū)的導(dǎo)電層與基底背離導(dǎo)電層一側(cè)的距離小于位于第一子非顯示區(qū)和/或顯示區(qū)的導(dǎo)電層與基底背離導(dǎo)電層一側(cè)的距離；至少位于彎折區(qū)的基底的厚度小于位于第一子非顯示區(qū)和/或顯示區(qū)的基底的厚度。

11、結(jié)合第二方面，還包括綁定區(qū)，其中，彎折區(qū)位于綁定區(qū)和第一子非顯示區(qū)之間且連接第一子非顯示區(qū)和綁定區(qū)，基底從顯示區(qū)延伸至綁定區(qū)，導(dǎo)電層至少部分位于綁定區(qū)，調(diào)整層從彎折區(qū)延伸至綁定區(qū)，位于綁定區(qū)的基底的厚度與位于彎折區(qū)的基底的厚度相同。

12、結(jié)合第二方面，基底包括依次疊置的第一襯底和第二襯底，至少部分第二襯底位于第一襯底和導(dǎo)電層之間，第一襯底從顯示區(qū)延伸至綁定區(qū)，第二襯底從顯示區(qū)延伸至至少部分第一子非顯示區(qū)；優(yōu)選地，至少位于彎折區(qū)的第一襯底的厚度與位于第一子非顯示區(qū)的第一襯底的厚度相同；或者，至少位于彎折區(qū)的第一襯底的厚度小于位于第一子非顯示區(qū)的第一襯底的厚度；優(yōu)選地，基底還包括阻擋層，至少部分阻擋層位于第一襯底和第二襯底之間，阻擋層從顯示區(qū)延伸至至少部分第一子非顯示區(qū)，或者阻擋層從顯示區(qū)延伸至綁定區(qū)；優(yōu)選地，第二襯底靠近彎折區(qū)一側(cè)的端面與第一襯底垂直或相對(duì)于第一襯底傾斜。

13、結(jié)合第二方面，調(diào)整層的楊氏模量小于基底的楊氏模量；優(yōu)選地，調(diào)整層的楊氏模量大于或等于500mpa且小于或等于3000mpa；優(yōu)選地，在垂直于基底方向，調(diào)整層的厚度大于或等于2um且小于或等于9um；優(yōu)選地，調(diào)整層包括有機(jī)材料；優(yōu)選地，調(diào)整層的材料包括光敏聚酰亞胺；優(yōu)選地，顯示面板還包括第一膜層，第一膜層位于導(dǎo)電層背離基底一側(cè)；第一膜層包括第一平坦化層、像素定義層、隔墊物層中的至少一種；調(diào)整層與至少部分第一膜層同層制備且材料相同；調(diào)整層與第一平坦化層、像素定義層、隔墊物層中的至少一種同層制備。

14、第三方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種顯示面板的制備方法，顯示面板包括顯示區(qū)和至少部分環(huán)繞顯示區(qū)的非顯示區(qū)，非顯示區(qū)包括位于顯示區(qū)一側(cè)的第一子非顯示區(qū)和彎折區(qū)，彎折區(qū)位于第一子非顯示區(qū)遠(yuǎn)離顯示區(qū)一側(cè)，該方法包括：在基板上形成基底，位于彎折區(qū)的基底的厚度小于位于第一子非顯示區(qū)和/或顯示區(qū)的基底的厚度；至少在位于彎折區(qū)的基底背離基板一側(cè)形成調(diào)整層；至少在調(diào)整層背離基板一側(cè)形成導(dǎo)電層；至少在導(dǎo)電層背離基板一側(cè)形成第一膜層。

15、結(jié)合第三方面，在基板上形成基底，包括：在基板上依次形成第一襯底、阻擋層、第二襯底；在彎折區(qū)，從第二襯底背離基板的一側(cè)，至少對(duì)第二襯底進(jìn)行刻蝕形成凹槽，得到基底，凹槽的底壁位于第二襯底中，或者位于第一襯底中，或者位于阻擋層。

16、結(jié)合第三方面，在基板上形成基底，包括：在基板上依次形成第一襯底和阻擋層，在彎折區(qū)，從阻擋層背離基板的一側(cè)，對(duì)阻擋層進(jìn)行刻蝕，以至少去除位于彎折區(qū)的阻擋層；在阻擋層或第一襯底背離基板一側(cè)形成第二襯底，在彎折區(qū)，從第二襯底背離基板的一側(cè)，至少對(duì)第二襯底進(jìn)行刻蝕形成凹槽，得到基底，凹槽的底壁位于第二襯底中，或者位于第一襯底中；優(yōu)選地，在基板上依次形成第一襯底和阻擋層，在彎折區(qū)，從阻擋層背離基板的一側(cè)，對(duì)阻擋層進(jìn)行刻蝕，以去除位于彎折區(qū)的阻擋層和至少部分第一襯底；在第一襯底背離基板一側(cè)形成第二襯底，在彎折區(qū)，從第二襯底背離基板的一側(cè)，至少對(duì)第二襯底進(jìn)行刻蝕形成凹槽，得到基底，凹槽的底壁位于第二襯底中，或者位于第一襯底中。

17、結(jié)合第三方面，顯示面板還包括綁定區(qū)，綁定區(qū)位于彎折區(qū)背離第一子非顯示區(qū)一側(cè)，彎折區(qū)連接第一子非顯示區(qū)和綁定區(qū)；在基板上形成基底，包括：在基板上形成第一襯底，第一襯底從顯示區(qū)延伸至綁定區(qū)；在顯示區(qū)和至少部分第一子非顯示區(qū)，在第一襯底背離基板一側(cè)依次形成阻擋層和第二襯底，得到基底；優(yōu)選地，在基板上形成第一襯底，包括：在彎折區(qū)和綁定區(qū)，從第一襯底背離基板的一側(cè)，對(duì)第一襯底進(jìn)行刻蝕，去除部分第一襯底；或者，在基板上依次形成第一襯底和阻擋層，第一襯底和阻擋層從顯示區(qū)延伸至綁定區(qū)；在顯示區(qū)和至少部分第一子非顯示區(qū)，在阻擋層背離基板一側(cè)形成第二襯底，得到基底。

18、結(jié)合第三方面，至少在調(diào)整層背離基板一側(cè)形成導(dǎo)電層之前，方法還包括：至少在調(diào)整層背離基板的一側(cè)形成第二膜層；優(yōu)選地，調(diào)整層和第二膜層同層制備且材料相同；優(yōu)選地，方法還包括：去除基板；優(yōu)選地，去除基板包括，在去除基板的同時(shí)或者在去除基板后，對(duì)基底靠近基板的一側(cè)進(jìn)行減薄處理。

19、第四方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種顯示面板的制備方法，顯示面板包括顯示區(qū)和至少部分環(huán)繞顯示區(qū)的非顯示區(qū)，非顯示區(qū)包括位于顯示區(qū)至少一側(cè)的第一子非顯示區(qū)和彎折區(qū)，彎折區(qū)位于第一子非顯示區(qū)遠(yuǎn)離顯示區(qū)一側(cè)，方法包括：在基板上形成基底，至少位于彎折區(qū)的基底的厚度小于位于顯示區(qū)和/或第一子非顯示區(qū)的基底的厚度；至少在位于彎折區(qū)的基底背離基板一側(cè)形成導(dǎo)電層；至少在位于彎折區(qū)的導(dǎo)電層背離基板一側(cè)形成調(diào)整層。

20、結(jié)合第四方面，顯示面板還包括綁定區(qū)，彎折區(qū)位于綁定區(qū)和第一子非顯示區(qū)之間且連接第一子非顯示區(qū)和綁定區(qū)；在基板上形成基底，包括：在基板上形成第一襯底，第一襯底從顯示區(qū)延伸至綁定區(qū)；在顯示區(qū)和至少部分第一子非顯示區(qū)，在第一襯底背離基板一側(cè)依次形成阻擋層和第二襯底，得到基底；優(yōu)選地，在基板上形成第一襯底，包括：在彎折區(qū)和綁定區(qū)，從第一襯底背離基板的一側(cè)，對(duì)第一襯底進(jìn)行刻蝕，去除部分第一襯底；或者，在基板上依次形成第一襯底和阻擋層，第一襯底和阻擋層從顯示區(qū)延伸至綁定區(qū)；在顯示區(qū)和至少部分第一子非顯示區(qū)，在阻擋層背離基板一側(cè)形成第二襯底，得到基底。

21、結(jié)合第四方面，至少在位于彎折區(qū)的基底背離基板一側(cè)形成導(dǎo)電層之后，方法還包括：至少在導(dǎo)電層背離基板一側(cè)形成第一膜層；優(yōu)選地，調(diào)整層和至少部分第一膜層同層制備且材料相同；優(yōu)選地，第一膜層包括第一平坦化層、像素定義層、隔墊物層中的至少一種，調(diào)整層與第一平坦化層、像素定義層、隔墊物層中的至少一種同層制備；優(yōu)選地，方法還包括：去除基板；優(yōu)選地，去除基板包括，在去除基板的同時(shí)或者在去除基板后，對(duì)基底靠近基板的一側(cè)進(jìn)行減薄處理。

22、第五方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板，或者包括根據(jù)上述方法制備得到的顯示面板。

23、通過上述技術(shù)方案，對(duì)基底進(jìn)行減薄處理，且在基底和導(dǎo)電層之間設(shè)置調(diào)整層，在實(shí)際應(yīng)用中，調(diào)整基底和調(diào)整層的厚度，使得彎折區(qū)的應(yīng)力中性層位于導(dǎo)電層中，如此，導(dǎo)電層既不受拉力也不受壓力，在進(jìn)行彎折時(shí)，可以避免導(dǎo)電層斷裂。此外，調(diào)整層設(shè)置在減薄后的基底和導(dǎo)電層之間，未增加彎折區(qū)的厚度，可以實(shí)現(xiàn)極小彎折半徑，彎折半徑可達(dá)0.1mm，從而縮小顯示面板的邊框。