本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

oled(organiclightemittingdiode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置作為下一代顯示裝置，因?yàn)槠淇焖俚捻憫?yīng)速度、高發(fā)光效率、高亮度和寬視角而引起很大的關(guān)注，oled顯示裝置是通過驅(qū)動(dòng)晶體管控制在有機(jī)發(fā)光二極管中流動(dòng)的電流來顯示圖像。

目前，oled顯示裝置中的每個(gè)像素均包括有機(jī)發(fā)光二極管，參照圖1，示出了現(xiàn)有的像素漏光的原理示意圖，有機(jī)發(fā)光二極管具有黃色發(fā)光層(yunit)、藍(lán)色發(fā)光層(bunit)等層疊在陰極和陽極之間的結(jié)構(gòu)，在黃色發(fā)光層和藍(lán)發(fā)光層之間設(shè)置有cgl(chargegeneratelayer，電荷產(chǎn)生層)，陰極的電壓設(shè)置為0v，對于左側(cè)的發(fā)光像素，其有機(jī)發(fā)光二極管的陽極的電壓為正壓，對于右側(cè)的不發(fā)光像素，其有機(jī)發(fā)光二極管的陽極的電壓在0v左右；而發(fā)光層與陰極通常采用整個(gè)基板一起蒸鍍的方式形成，各個(gè)像素之間沒有用mask(掩膜板)分割。

在發(fā)明人應(yīng)用在先的技術(shù)時(shí)，發(fā)現(xiàn)在先技術(shù)對于目前的oled顯示裝置，如圖1中的箭頭所示，發(fā)光像素的導(dǎo)電粒子可以通過電荷產(chǎn)生層達(dá)到相鄰不發(fā)光像素的陰極，造成相鄰不發(fā)光像素發(fā)出不同程度的光，使得不需要發(fā)光的像素產(chǎn)生漏光現(xiàn)象，進(jìn)而對oled顯示裝置的顯示效果產(chǎn)生不良影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，以解決現(xiàn)有的oled顯示裝置不需要發(fā)光的像素產(chǎn)生漏光現(xiàn)象的問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用于相鄰的第一像素和第二像素，所述方法包括：

當(dāng)所述第一像素為發(fā)光像素，所述第二像素為不發(fā)光像素時(shí)，控制向所述第二像素的發(fā)光器件的陽極施加負(fù)壓，向所述第一像素的發(fā)光器件的陽極施加正壓。

優(yōu)選地，所述第一像素和所述第二像素的像素電路均包括第一晶體管、第二晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲電容和所述發(fā)光器件，

所述第一晶體管的柵極與第一柵極信號端連接，源極與數(shù)據(jù)線連接，漏極與所述存儲電容的第一端連接；

所述第二晶體管的柵極與第二柵極信號端連接，源極與掃描信號線連接，漏極與所述存儲電容的第二端連接；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與所述第一晶體管的漏極連接，源極與所述發(fā)光器件的陽極連接，漏極與第一電壓端連接；

所述發(fā)光器件的陰極與第二電壓端連接。

優(yōu)選地，在所述第一像素與所述第二像素的像素電路中，所述掃描信號線共用。

優(yōu)選地，在所述第二像素的像素電路中，所述控制向所述第二像素的發(fā)光器件的陽極施加負(fù)壓的步驟，包括：

在數(shù)據(jù)寫入階段，控制所述數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)電壓和所述掃描信號線輸入的參考電壓為負(fù)壓，將所述數(shù)據(jù)電壓寫入到所述存儲電容的第一端，將所述參考電壓寫入到存儲電容的第二端；所述數(shù)據(jù)電壓小于所述參考電壓；

在發(fā)光階段，控制所述第一晶體管和所述第二晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，所述第二像素的驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓和所述參考電壓，以使所述第二像素的驅(qū)動(dòng)晶體管保持關(guān)斷狀態(tài)，所述第二像素的發(fā)光器件的陽極為負(fù)壓。

優(yōu)選地，在所述第一像素的像素電路中，所述向所述第一像素的發(fā)光器件的陽極施加正壓的步驟，包括：

在數(shù)據(jù)寫入階段，控制所述數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)電壓為灰階電壓，所述掃描信號線輸入的參考電壓為負(fù)壓，將所述灰階電壓寫入到所述存儲電容的第一端，將所述參考電壓寫入到存儲電容的第二端；

在發(fā)光階段，控制所述第一晶體管和所述第二晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，所述第一像素的驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)所述灰階電壓、參考電壓以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，以使所述第一像素的發(fā)光器件的陽極為正壓，驅(qū)動(dòng)所述第一像素對應(yīng)的發(fā)光器件發(fā)光。

優(yōu)選地，所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管。

優(yōu)選地，所述發(fā)光器件的陽極的材料為氧化銦錫，所述發(fā)光器件的陰極的材料為金屬鋁。

優(yōu)選地，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管均為n型晶體管。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例中，通過變更像素電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序，對于與發(fā)光像素相鄰的不發(fā)光像素，在其發(fā)光器件的陽極施加負(fù)壓，而對于發(fā)光像素，在其發(fā)光器件的陽極施加正壓，控制住通過cgl層從發(fā)光像素漏過來的導(dǎo)電粒子，阻止導(dǎo)電粒子流向相鄰不發(fā)光像素的陰極，從而阻止相鄰不發(fā)光像素發(fā)光，改善相鄰不發(fā)光像素的漏光現(xiàn)象，提高oled顯示裝置的顯示效果。

附圖說明

圖1示出了現(xiàn)有的像素漏光的原理示意圖；

圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例的改善像素漏光的原理示意圖；

圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光像素轉(zhuǎn)化為不發(fā)光像素的像素電路的時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

參照圖2，示出了本發(fā)明實(shí)施例的改善像素漏光的原理示意圖。

本發(fā)明實(shí)施例中，oled顯示裝置中的每個(gè)像素均包括有發(fā)光器件，發(fā)光器件具有黃色發(fā)光層(yunit)、藍(lán)色發(fā)光層(bunit)等層疊在陰極和陽極之間的結(jié)構(gòu)，在黃色發(fā)光層和藍(lán)發(fā)光層之間設(shè)置有cgl層。

針對相鄰的第一像素和第二像素，當(dāng)左側(cè)的第一像素為發(fā)光像素，右側(cè)的第二像素為不發(fā)光像素時(shí)，控制向所述第二像素的發(fā)光器件的陽極施加負(fù)壓，向所述第一像素的發(fā)光器件的陽極施加正壓。

對于左側(cè)的發(fā)光像素和右側(cè)的不發(fā)光像素，其發(fā)光器件的陰極的電壓均設(shè)置為0v；而對于左側(cè)的發(fā)光像素，將其發(fā)光器件的陽極設(shè)置為正壓，對于右側(cè)的不發(fā)光像素，將其發(fā)光器件的陽極設(shè)置為負(fù)壓，控制住通過cgl層從左側(cè)的發(fā)光像素漏過來的導(dǎo)電粒子，阻止導(dǎo)電粒子流向右側(cè)的不發(fā)光像素的陰極，從而阻止右側(cè)的不發(fā)光像素發(fā)光。

其中，發(fā)光器件的陽極的材料為氧化銦錫(ito，indiumtinoxide)，發(fā)光器件的陰極的材料為金屬鋁(al)，發(fā)光器件可以為有機(jī)發(fā)光二極管。

下面將介紹第一像素和第二像素的像素電路的結(jié)構(gòu)。

參照圖3，示出了本發(fā)明實(shí)施例的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一像素和所述第二像素的像素電路均包括第一晶體管t1、第二晶體管t2、驅(qū)動(dòng)晶體管t3、存儲電容c和所述發(fā)光器件oled；所述第一晶體管t1的柵極與第一柵極信號端g1連接，源極與數(shù)據(jù)線data連接，漏極與所述存儲電容c的第一端nodea連接；所述第二晶體管t2的柵極與第二柵極信號端g2連接，源極與掃描信號線sense連接，漏極與所述存儲電容c的第二端nodeb連接；所述驅(qū)動(dòng)晶體管t3的柵極與所述第一晶體管t1的漏極連接，源極與所述發(fā)光器件oled的陽極連接，漏極與第一電壓端vdd連接；所述發(fā)光器件oled的陰極與第二電壓端vss連接。

其中，所述第一晶體管t1、所述第二晶體管t2和所述驅(qū)動(dòng)晶體管t3均為n型晶體管。

下面將結(jié)合像素電路及像素電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序?qū)Φ谝幌袼睾偷诙袼氐陌l(fā)光過程進(jìn)行介紹，其中，相鄰的第一像素和第二像素，以其中一個(gè)為發(fā)光像素，另一個(gè)為不發(fā)光像素為例進(jìn)行說明。

參照圖4，示出了本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光像素轉(zhuǎn)化為不發(fā)光像素的像素電路的時(shí)序圖。

每個(gè)像素都可從發(fā)光像素轉(zhuǎn)化為不發(fā)光像素，也可從不發(fā)光像素轉(zhuǎn)化為發(fā)光像素，以第一像素從發(fā)光像素轉(zhuǎn)化為不發(fā)光像素進(jìn)行說明。

在第一像素的像素電路中，在第一階段t1，為發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫入階段，控制所述數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)電壓為灰階電壓，所述掃描信號線輸入的參考電壓為負(fù)壓，將所述灰階電壓寫入到所述存儲電容的第一端，將所述參考電壓寫入到存儲電容的第二端。

具體的，在第一階段t1，數(shù)據(jù)線data輸入的數(shù)據(jù)電壓為正常的灰階電壓vdata1，掃描信號線sense輸入的參考電壓vsense為負(fù)壓，第一柵極信號端g1和第二柵極信號端g2均輸入高電平信號；控制第一晶體管t1和第二晶體管t2打開，將數(shù)據(jù)線data輸入的灰階電壓vdata1寫入到存儲電容c的第一端nodea，將掃描信號線sense輸入的參考電壓vsense寫入到存儲電容c的第二端nodeb，因此，存儲電容c兩端的電壓為vdata1－vsense。

需要注意的是，驅(qū)動(dòng)晶體管t3的柵極同時(shí)與存儲電容c的第一端nodea連接，而存儲電容c的第一端nodea的電壓為灰階電壓vdata1，在一定程度上可能會使驅(qū)動(dòng)晶體管t3打開，第一電壓端vdd輸入的第一電壓信號為高電平信號，但由于存儲電容c的第二端nodeb的電壓為參考電壓vsense，其參考電壓vsense為負(fù)壓，使得發(fā)光器件oled的陽極電壓為負(fù)壓，發(fā)光像素在數(shù)據(jù)寫入階段保證發(fā)光器件oled不發(fā)光，對應(yīng)的像素電流ioled為0。

在第二階段t2，為發(fā)光像素的發(fā)光階段，控制所述第一晶體管和所述第二晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，所述第一像素的驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)所述灰階電壓、參考電壓以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，以使所述第一像素的發(fā)光器件的陽極為正壓，驅(qū)動(dòng)所述第一像素對應(yīng)的發(fā)光器件發(fā)光。

具體的，在第二階段t2，第一柵極信號端g1和第二柵極信號端g2均輸入低電平信號，控制第一晶體管t1和第二晶體管t2處于關(guān)閉狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管t3打開，nodeb點(diǎn)的電壓開始上升，由于存儲電容c的存在，使得nodea點(diǎn)的電壓也上升，且nodea點(diǎn)和nodeb點(diǎn)的壓差保持恒定，則使得驅(qū)動(dòng)晶體管t3的柵源電壓vgs＝vdata1－vsense，流向發(fā)光器件oled的像素電流ioled＝k(vgs-vth)²＝k(vdata1－vsense-vth)²，k為與驅(qū)動(dòng)晶體管t3相關(guān)的工藝常數(shù)，vth為驅(qū)動(dòng)晶體管t3的閾值電壓。此時(shí)，發(fā)光器件oled的陽極為正壓，驅(qū)動(dòng)晶體管t3根據(jù)像素電流ioled驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件oled發(fā)光；由于nodea點(diǎn)和nodeb點(diǎn)的壓差保持恒定，則流向發(fā)光器件oled的像素電流ioled保持恒定，使得發(fā)光器件oled的發(fā)光保持穩(wěn)定狀態(tài)。

當(dāng)?shù)谝幌袼貜陌l(fā)光像素轉(zhuǎn)化為不發(fā)光像素時(shí)，在第三階段t3，為不發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫入階段，控制所述數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)電壓和所述掃描信號線輸入的參考電壓為負(fù)壓，將所述數(shù)據(jù)電壓寫入到所述存儲電容的第一端，將所述參考電壓寫入到存儲電容的第二端；所述數(shù)據(jù)電壓小于所述參考電壓。

具體的，在第三階段t3，數(shù)據(jù)線data輸入的數(shù)據(jù)電壓vdata2為負(fù)壓，掃描信號線sense輸入的參考電壓vsense也為負(fù)壓，且要求數(shù)據(jù)電壓vdata2小于參考電壓vsense，第一柵極信號端g1和第二柵極信號端g2均輸入高電平信號；控制第一晶體管t1和第二晶體管t2打開，將數(shù)據(jù)線data輸入的數(shù)據(jù)電壓vdata2寫入到存儲電容c的第一端nodea，將掃描信號線sense輸入的參考電壓vsense寫入到存儲電容c的第二端nodeb。

在第四階段t4，為不發(fā)光像素的發(fā)光階段，控制所述第一晶體管和所述第二晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，所述第一像素的驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓和所述參考電壓，以使所述第一像素的驅(qū)動(dòng)晶體管保持關(guān)斷狀態(tài)，所述第一像素的發(fā)光器件的陽極為負(fù)壓。

具體的，在第四階段t4，第一柵極信號端g1和第二柵極信號端g2均輸入低電平信號，控制第一晶體管t1和第二晶體管t2處于關(guān)閉狀態(tài)，則驅(qū)動(dòng)晶體管t3的柵源電壓vgs＝vdata2－vsense＜vth，驅(qū)動(dòng)晶體管t3的閾值電壓一般在0v左右，則驅(qū)動(dòng)晶體管t3根據(jù)數(shù)據(jù)電壓vdata2和參考電壓vsense，以使驅(qū)動(dòng)晶體管t3保持關(guān)斷狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管t3無流向發(fā)光器件oled的像素電流ioled；且由于存儲電容c的存在，nodea點(diǎn)維持負(fù)壓vdata2，nodeb點(diǎn)維持負(fù)壓vsense，則發(fā)光器件oled的陽極為負(fù)壓，從而阻止不發(fā)光像素發(fā)光，改善漏光現(xiàn)象。

同理，以第二像素從不發(fā)光像素轉(zhuǎn)化為發(fā)光像素進(jìn)行說明，在第二像素的像素電路中，在不發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫入階段，控制所述數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)電壓和所述掃描信號線輸入的參考電壓為負(fù)壓，將所述數(shù)據(jù)電壓寫入到所述存儲電容的第一端，將所述參考電壓寫入到存儲電容的第二端；所述數(shù)據(jù)電壓小于所述參考電壓；在不發(fā)光像素的發(fā)光階段，控制所述第一晶體管和所述第二晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，所述第二像素的驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓和所述參考電壓，以使所述第二像素的驅(qū)動(dòng)晶體管保持關(guān)斷狀態(tài)，所述第二像素的發(fā)光器件的陽極為負(fù)壓。

當(dāng)?shù)诙袼貜牟话l(fā)光像素轉(zhuǎn)化為發(fā)光像素時(shí)，在發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫入階段，控制所述數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)電壓為灰階電壓，所述掃描信號線輸入的參考電壓為負(fù)壓，將所述灰階電壓寫入到所述存儲電容的第一端，將所述參考電壓寫入到存儲電容的第二端；在發(fā)光像素的發(fā)光階段，控制所述第一晶體管和所述第二晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，所述第二像素的驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)所述灰階電壓、參考電壓以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，以使所述第二像素的發(fā)光器件的陽極為正壓，驅(qū)動(dòng)所述第二像素對應(yīng)的發(fā)光器件發(fā)光。

需要說明的是，第一像素和第二像素的數(shù)據(jù)寫入階段和發(fā)光階段同時(shí)進(jìn)行，例如，當(dāng)?shù)谝幌袼貫榘l(fā)光像素，第二像素為不發(fā)光像素時(shí)，發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫入階段與不發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫入階段同時(shí)進(jìn)行，發(fā)光像素的發(fā)光階段與不發(fā)光像素的發(fā)光階段同時(shí)進(jìn)行；當(dāng)?shù)谝幌袼貜陌l(fā)光像素轉(zhuǎn)化為不發(fā)光像素，且第二像素從不發(fā)光像素轉(zhuǎn)化為發(fā)光像素，不發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫入階段也同時(shí)進(jìn)行，不發(fā)光像素的發(fā)光階段與發(fā)光像素的發(fā)光階段也同時(shí)進(jìn)行。

第一像素和第二像素的像素電路結(jié)構(gòu)相同，只是像素電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序有所不同。在所述第一像素與所述第二像素的像素電路中，所述掃描信號線共用，在掃描信號線sense輸入的參考電壓vsense為負(fù)壓的情況下，保證發(fā)光像素正常發(fā)光，同時(shí)可阻止不發(fā)光像素發(fā)光。

本發(fā)明實(shí)施例中，通過變更像素電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序，對于與發(fā)光像素相鄰的不發(fā)光像素，在其發(fā)光器件的陽極施加負(fù)壓，而對于發(fā)光像素，在其發(fā)光器件的陽極施加正壓，控制住通過cgl層從發(fā)光像素漏過來的導(dǎo)電粒子，阻止導(dǎo)電粒子流向相鄰不發(fā)光像素的陰極，從而阻止相鄰不發(fā)光像素發(fā)光，改善相鄰不發(fā)光像素的漏光現(xiàn)象，提高oled顯示裝置的顯示效果。

對于前述的方法實(shí)施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。

類似地，應(yīng)當(dāng)理解，為了精簡本公開并幫助理解各個(gè)發(fā)明方面中的一個(gè)或多個(gè)，在上面對本發(fā)明的示例性實(shí)施例的描述中，本發(fā)明的各個(gè)特征有時(shí)被一起分組到單個(gè)實(shí)施例、圖、或者對其的描述中。然而，并不應(yīng)將該公開的方法解釋成反映如下意圖：即所要求保護(hù)的本發(fā)明要求比在每個(gè)權(quán)利要求中所明確記載的特征更多的特征。更確切地說，如下面的權(quán)利要求書所反映的那樣，發(fā)明方面在于少于前面公開的單個(gè)實(shí)施例的所有特征。因此，遵循具體實(shí)施方式的權(quán)利要求書由此明確地并入該具體實(shí)施方式，其中每個(gè)權(quán)利要求本身都作為本發(fā)明的單獨(dú)實(shí)施例。

最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、商品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、商品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、商品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對本發(fā)明所提供的一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。