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像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板以及顯示裝置與流程

文檔序號(hào):11434017閱讀:232來源:國(guó)知局
像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板以及顯示裝置與流程

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板以及顯示裝置。



背景技術(shù):

隨著顯示技術(shù)的進(jìn)步,相對(duì)于傳統(tǒng)的液晶顯示(liquidcrystaldisplay,lcd)裝置,新一代的有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode,oled)顯示裝置具有更低的制造成本,更快的反應(yīng)速度,更高的對(duì)比度,更廣的視角,更大的工作溫度范圍,不需要背光單元,色彩鮮艷及輕薄等優(yōu)點(diǎn),因此oled顯示技術(shù)成為當(dāng)前發(fā)展最快的顯示技術(shù)。

當(dāng)前oled的主流發(fā)展方向是通過改變直接驅(qū)動(dòng)oled發(fā)光的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓,來控制驅(qū)動(dòng)晶體管的源極與漏極之間電流的大小以實(shí)現(xiàn)發(fā)光亮度的變化。然而在制作驅(qū)動(dòng)晶體管的過程中,由于工藝偏差會(huì)導(dǎo)致不同位置的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓存在差異。并且隨著工作時(shí)間延遲及使用環(huán)境改變,驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓會(huì)發(fā)生漂移。另一方面,在顯示器件中,各像素所處的位置不同也會(huì)導(dǎo)致電源的壓降(i-rdrop)不同,從而對(duì)驅(qū)動(dòng)oled的電流產(chǎn)生影響。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板以及顯示裝置,其能夠采用單個(gè)控制信號(hào)完成像素驅(qū)動(dòng)電路的各項(xiàng)操作,提高電路的處理速度和穩(wěn)定性。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路,其包括數(shù)據(jù)寫入模塊、第一控制模塊、電容器、第二控制模塊、補(bǔ)償模塊、驅(qū)動(dòng)模塊和發(fā)光器件。數(shù)據(jù)寫入模塊與數(shù)據(jù)信號(hào)端、控制信號(hào)端和第一節(jié)點(diǎn)耦接,并被配置為根據(jù)來自控制信號(hào)端的控制信號(hào),將來自數(shù)據(jù)信號(hào)端的數(shù)據(jù)信號(hào)提供至第一節(jié)點(diǎn)。第一控制模塊與控制信號(hào)端、初始化信號(hào)端、第二節(jié)點(diǎn)和補(bǔ)償模塊耦接,并被配置為根據(jù)控制信號(hào),將來自補(bǔ)償模塊的閾值補(bǔ)償信號(hào)或者來自初始化信號(hào)端的初始化信號(hào)提供至第二節(jié)點(diǎn)。電容器被耦接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間,并被配置為存儲(chǔ)第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電壓差。第二控制模塊與第一電壓信號(hào)端、控制信號(hào)端和驅(qū)動(dòng)模塊耦接,并被配置為根據(jù)控制信號(hào),將所述第一電壓信號(hào)端的第一電壓信號(hào)提供至驅(qū)動(dòng)模塊。補(bǔ)償模塊與第一電壓信號(hào)端和第一控制模塊耦接,并被配置為向第一控制模塊提供閾值補(bǔ)償信號(hào)。驅(qū)動(dòng)模塊與第一節(jié)點(diǎn)、第二控制模塊和發(fā)光器件耦接,并被配置為根據(jù)第一節(jié)點(diǎn)的電壓和第一電壓信號(hào),向發(fā)光器件提供驅(qū)動(dòng)電流。發(fā)光器件的第一端與驅(qū)動(dòng)模塊耦接,其第二端與第二電壓信號(hào)端耦接,并被配置為根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,第一控制模塊可包括第一晶體管和第二晶體管。第一晶體管的控制極與控制信號(hào)端耦接,其第一極與補(bǔ)償模塊耦接,其第二極與第二節(jié)點(diǎn)耦接。第二晶體管的控制極與控制信號(hào)端耦接,其第一極與初始化信號(hào)端耦接,其第二極與第二節(jié)點(diǎn)耦接。第一晶體管的類型和第二晶體管的類型不同。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,驅(qū)動(dòng)模塊可包括第三晶體管。第三晶體管的控制極與第一節(jié)點(diǎn)耦接,其第一極與第二控制模塊耦接,其第二極與發(fā)光器件耦接。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,補(bǔ)償模塊可包括第四晶體管。第四晶體管的控制極和第一極與第一控制模塊耦接,其第二極與第一電壓信號(hào)端耦接。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,數(shù)據(jù)寫入模塊可包括第五晶體管。第五晶體管的控制極與控制信號(hào)端耦接,其第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)端耦接,其第二極與第一節(jié)點(diǎn)耦接。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,第二控制模塊可包括第六晶體管。第六晶體管的控制極與控制信號(hào)端耦接,其第一極與第一電壓信號(hào)端耦接,其第二極與驅(qū)動(dòng)模塊耦接。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,驅(qū)動(dòng)模塊、補(bǔ)償模塊和第二控制模塊中的晶體管的類型與數(shù)據(jù)寫入模塊中的晶體管的類型不同。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,像素驅(qū)動(dòng)電路還可包括復(fù)位模塊。復(fù)位模塊與發(fā)光器件并聯(lián)耦接,并與控制信號(hào)端耦接,并被配置為根據(jù)控制信號(hào),對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行復(fù)位。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,復(fù)位模塊可包括第七晶體管。第七晶體管的控制極與控制信號(hào)端耦接,其第一極與發(fā)光器件的第一端耦接,其第二極與第二電壓信號(hào)端耦接。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,第七晶體管的類型與驅(qū)動(dòng)模塊中的晶體管的類型不同。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路,其包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、電容器和發(fā)光器件。第一晶體管的控制極與控制信號(hào)端耦接,其第一極與第四晶體管的控制極耦接,其第二極與第二節(jié)點(diǎn)耦接。第二晶體管的控制極與控制信號(hào)端耦接,其第一極與初始化信號(hào)端耦接,其第二極與第二節(jié)點(diǎn)耦接。電容器被耦接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間。第三晶體管的控制極與第一節(jié)點(diǎn)耦接,其第一極與第六晶體管的第二極耦接,其第二極與發(fā)光器件的第一端耦接。第四晶體管的控制極和第一極與第一晶體管的第一極耦接,其第二極與第一電壓信號(hào)端耦接。第五晶體管的控制極與控制信號(hào)端耦接,其第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)端耦接,其第二極與第一節(jié)點(diǎn)耦接。第六晶體管的控制極與控制信號(hào)端耦接,其第一極與第一電壓信號(hào)端耦接,其第二極與第三晶體管的第一極耦接。發(fā)光器件的第一端與第三晶體管的第二極耦接,第二端與第二電壓信號(hào)端耦接。第一晶體管與第二晶體管的類型不同。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,第三晶體管、第四晶體管和第六晶體管的類型與第五晶體管的類型不同。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,像素驅(qū)動(dòng)電路還包括第七晶體管。第七晶體管的控制極與控制信號(hào)端耦接,其第一極與發(fā)光器件的第一端耦接,第二極與第二電壓信號(hào)端耦接。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,第七晶體管的類型與第三晶體管的類型不同。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種用于驅(qū)動(dòng)上述像素驅(qū)動(dòng)電路的方法。在該方法中,在第一時(shí)間段,在控制信號(hào)的作用下,向第一節(jié)點(diǎn)提供數(shù)據(jù)信號(hào),向第二節(jié)點(diǎn)提供初始化信號(hào),以對(duì)電容器進(jìn)行充電。在第二時(shí)間段,在控制信號(hào)的作用下,向第二節(jié)點(diǎn)提供閾值補(bǔ)償信號(hào),通過電容器保持第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電壓差,以控制第一節(jié)點(diǎn)的電壓,并根據(jù)第一節(jié)點(diǎn)的電壓和第一電壓信號(hào)端的第一電壓信號(hào),使發(fā)光器件發(fā)光。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,在第一時(shí)間段,在控制信號(hào)的作用下,對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行復(fù)位。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種陣列基板,其包括如上的像素驅(qū)動(dòng)電路。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種顯示裝置,其包括如上的陣列基板。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路能夠采用單個(gè)控制信號(hào),在兩個(gè)階段內(nèi)完成對(duì)像素驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)寫入、復(fù)位、閾值電壓及電源i-rdrop的補(bǔ)償以及發(fā)光,從而提高電路的處理速度和穩(wěn)定性。采用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路,能夠減少控制信號(hào)的數(shù)量,增加內(nèi)部信號(hào)的布線余量,簡(jiǎn)化外圍信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)并減少信號(hào)間的串?dāng)_。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例的附圖進(jìn)行簡(jiǎn)單說明。應(yīng)當(dāng)知道,以下描述的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,而非對(duì)本發(fā)明的限制,其中:

圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的示意性框圖;

圖2是圖1所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的示例性電路圖;

圖3是圖1所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的另一示例性電路圖;

圖4示出用于像素驅(qū)動(dòng)電路的控制信號(hào)的時(shí)序圖;

圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的示意性框圖;

圖6是圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的示例性電路圖,其中,驅(qū)動(dòng)模塊采用p型晶體管;

圖7是圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的另一示例性電路圖,其中,驅(qū)動(dòng)模塊采用p型晶體管;

圖8是圖2所示的像素驅(qū)動(dòng)電路中的信號(hào)的仿真圖;

圖9是圖6所示的像素驅(qū)動(dòng)電路中的信號(hào)的仿真圖;

圖10是圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的再一個(gè)示例性電路圖,其中,驅(qū)動(dòng)模塊采用n型晶體管;

圖11是圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的再一個(gè)示例性電路圖,其中,驅(qū)動(dòng)模塊采用n型晶體管;

圖12是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)如圖1所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的方法的示意性流程圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖,對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例,而并非全部的實(shí)施例?;谒枋龅膶?shí)施例,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,也都屬于本發(fā)明的范圍。

在下文中,除非特別說明,表述“元件a耦接到元件b”意為元件a“直接”或通過一個(gè)或多個(gè)其它元件“間接”連接到元件b。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路100的示意性框圖。如圖1所示,像素驅(qū)動(dòng)電路100可包括數(shù)據(jù)寫入模塊110、第一控制模塊120、電容器130、第二控制模塊140、補(bǔ)償模塊150、驅(qū)動(dòng)模塊160和發(fā)光器件170。在本發(fā)明的實(shí)施例中,電容器130、補(bǔ)償模塊150和發(fā)光器件170均具有第一端和第二端。數(shù)據(jù)寫入模塊110和第二控制模塊140均具有控制端、第一端和第二端。第一控制模塊120除控制端、第一端和第二端外,還具有第三端。驅(qū)動(dòng)模塊160具有第一端、第二端和第三端。

數(shù)據(jù)寫入模塊110的控制端與控制信號(hào)端em耦接、第一端與數(shù)據(jù)信號(hào)端vdata耦接、以及第二端與第一節(jié)點(diǎn)n1耦接(即,與電容器130的第二端和驅(qū)動(dòng)模塊160的第二端耦接)。數(shù)據(jù)寫入模塊110可在來自控制信號(hào)端em的控制信號(hào)的作用下,將來自數(shù)據(jù)信號(hào)端vdata的數(shù)據(jù)信號(hào)提供至第一節(jié)點(diǎn)n1,進(jìn)而提供給電容器130和驅(qū)動(dòng)模塊160。

第一控制模塊120的控制端與控制信號(hào)端em耦接、第一端與補(bǔ)償模塊150的第二端耦接、第二端與初始化信號(hào)端vinit耦接、以及第三端與第二節(jié)點(diǎn)n2耦接(即,與電容器130的第一端耦接)。第一控制模塊120可在控制信號(hào)的作用下,將來自補(bǔ)償模塊150的閾值補(bǔ)償信號(hào)或者來自初始化信號(hào)端vinit的初始化信號(hào)提供至第二節(jié)點(diǎn)n2,進(jìn)而提供給電容器130。

電容器130的第一端與第二節(jié)點(diǎn)n2耦接、第二端與第一節(jié)點(diǎn)n1耦接。電容器130可存儲(chǔ)第一節(jié)點(diǎn)n1和第二節(jié)點(diǎn)n2之間的電壓差。

第二控制模塊140的控制端與控制信號(hào)端em耦接、第一端與第一電壓信號(hào)端vdd耦接、以及第二端與驅(qū)動(dòng)模塊160的第一端耦接。第二控制模塊140可在控制信號(hào)的作用下,將第一電壓信號(hào)端vdd的第一電壓信號(hào)提供至驅(qū)動(dòng)模塊160。

補(bǔ)償模塊150的第一端與第一電壓信號(hào)端vdd耦接、第二端與第一控制模塊120的第一端耦接。補(bǔ)償模塊150可向第一控制模塊提供閾值補(bǔ)償信號(hào)。

驅(qū)動(dòng)模塊160的第一端與第二控制模塊140的第二端耦接,第二端與第一節(jié)點(diǎn)n1耦接(即,與電容器130的第二端和數(shù)據(jù)寫入模塊110的第二端耦接)、以及第三端與發(fā)光器件170的第一端耦接。驅(qū)動(dòng)模塊160可根據(jù)第一節(jié)點(diǎn)n1的電壓和第一電壓信號(hào),向發(fā)光器件170提供驅(qū)動(dòng)電流。

發(fā)光器件170的第一端與驅(qū)動(dòng)模塊160的第三端耦接,第二端與第二電壓信號(hào)端vss耦接。發(fā)光器件170可根據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊160提供的驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,來自第一電壓信號(hào)端vdd的第一電壓信號(hào)是高電平信號(hào),來自第二電壓信號(hào)端vss第二電壓信號(hào)是低電平信號(hào)。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,像素驅(qū)動(dòng)電路100可采用晶體管實(shí)現(xiàn),其中晶體管可以是n型晶體管或者p型晶體管。具體地,晶體管可以是n型或p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet),或者n型或p型雙極性晶體管(bjt)。在本發(fā)明的實(shí)施例中,晶體管的柵極被稱為控制極。由于晶體管的源極和漏極是對(duì)稱的,因此對(duì)源極和漏極不做區(qū)分,即晶體管的源極可以為第一極(或第二極),漏極可以為第二極(或第一極)。進(jìn)一步,可以采用具有選通信號(hào)輸入的任何受控開關(guān)器件來實(shí)現(xiàn)晶體管的功能,將用于接收控制信號(hào)(例如用于開啟和關(guān)斷受控開關(guān)器件)的開關(guān)器件的受控中間端稱為控制極,另外兩端分別為第一極和第二極。以下,以p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(nmos)和n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(nmos)為例進(jìn)行詳細(xì)的描述。

圖2示出了圖1所示的像素驅(qū)動(dòng)電路100的示例性電路圖。

如圖2所示,數(shù)據(jù)寫入模塊110可包括第五晶體管m5。第五晶體管m5的控制極與控制信號(hào)端em耦接,第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)端vdata耦接,第二極與第一節(jié)點(diǎn)n1耦接。

第一控制模塊120可包括第一晶體管m1和第二晶體管m2。第一晶體管m1的控制極與控制信號(hào)端em耦接,第一極與補(bǔ)償模塊150耦接,第二極與第二節(jié)點(diǎn)n2耦接。第二晶體管m2的控制極與控制信號(hào)端em耦接,第一極與初始化信號(hào)端vinit耦接,第二極與第二節(jié)點(diǎn)n2耦接。

電容器130可包括電容器c。電容器c的第一端與第二節(jié)點(diǎn)n2耦接,第二端與第一節(jié)點(diǎn)n1耦接。

第二控制模塊140可包括第六晶體管m6。第六晶體管m6的控制極與控制信號(hào)端em耦接,第一極與第一電壓信號(hào)端vdd耦接,第二極與驅(qū)動(dòng)模塊160耦接。

補(bǔ)償模塊150可包括第四晶體管m4。第四晶體管m4的控制極和第一極與第一控制模塊120耦接,第二極與第一電壓信號(hào)端vdd耦接。

驅(qū)動(dòng)模塊160可包括第三晶體管m3。第三晶體管m3的控制極與第一節(jié)點(diǎn)n1耦接,第一極與第二控制模塊140耦接,第二極與發(fā)光器件170耦接。

發(fā)光器件170可包括oled器件。oled器件的第一端與驅(qū)動(dòng)模塊160耦接,第二端與第二電壓信號(hào)端vss耦接。此外,oled器件的第一端是陽極,第二端是陰極。

圖3示出了圖1所示的像素驅(qū)動(dòng)電路100的另一示例性電路圖。如圖3所示,補(bǔ)償模塊150中的第四晶體管m4的第二極與第六晶體管m6的第二極耦接,即第四晶體管m4的第二極通過第二控制模塊140與第一電壓信號(hào)端vdd耦接。除此之外,圖3中所示的像素驅(qū)動(dòng)電路與圖2所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)相同,不再贅述。

如圖2和圖3所示,第一晶體管m1、第三晶體管m3、第四晶體管m4和第六晶體管m6是p型晶體管,第二晶體管m2、第五晶體管m5和第七晶體管m7是n型晶體管。另外,在生產(chǎn)過程中,由于第三晶體管m3和第四晶體管m4的距離較近,工藝影響較小,可近似認(rèn)為兩者的閾值電壓相等,下文可統(tǒng)一稱其為閾值電壓vth(其表示晶體管的閾值電壓,pmos的閾值電壓為負(fù)值,nmos的閾值電壓為正值)。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,第一電壓信號(hào)端vdd提供的第一電壓信號(hào)、第二電壓信號(hào)端vss提供的第二電壓信號(hào)、以及數(shù)據(jù)信號(hào)端vdata提供的數(shù)據(jù)信號(hào)為直流信號(hào)。

在本發(fā)明的實(shí)施例中,補(bǔ)償模塊150提供的閾值補(bǔ)償信號(hào)是第一電壓信號(hào)vdd的電壓與第四晶體管m4的閾值電壓vth之間的和,即vdd+vth。初始化信號(hào)端vinit提供的初始化信號(hào)的電壓小于該閾值補(bǔ)償信號(hào)的電壓。另外,初始化信號(hào)vinit的電壓還大于數(shù)據(jù)信號(hào)vdata的電壓。因此,第一電壓信號(hào)vdd的電壓大于數(shù)據(jù)信號(hào)vdata的電壓與第三晶體管的閾值電壓vth之間的差,即vdata-vth。

圖4示出了像素驅(qū)動(dòng)電路的控制信號(hào)端em提供的控制信號(hào)的時(shí)序圖。以下結(jié)合圖4,對(duì)如圖2和圖3所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的工作過程進(jìn)行詳細(xì)描述。具體地,第一電壓信號(hào)端vdd提供高電平的第一電壓信號(hào),第二電壓信號(hào)端vss提供低電平的第二電壓信號(hào)。

在第一時(shí)間段(t1),控制信號(hào)em是高電平信號(hào),第二晶體管m2、第五晶體管m5和第七晶體管m7導(dǎo)通,第一晶體管m1、第三晶體管m3、第四晶體管m4和第六晶體管m6截止。通過第五晶體管m5將數(shù)據(jù)信號(hào)vdata提供至第一節(jié)點(diǎn)n1,使電容器c的第一極板的電壓變?yōu)関data。通過第二晶體管m2將初始化信號(hào)vinit提供至第二節(jié)點(diǎn)n2,使電容器c的第二極板的電壓變?yōu)関init。這樣,電容器c存儲(chǔ)電荷,電容器c兩端的電壓差為vdata-vinit。

在第二時(shí)間段(t2),控制信號(hào)em是低電平信號(hào),第一晶體管m1、第三晶體管m3、第四晶體管m4和第六晶體管m6導(dǎo)通,第二晶體管m2、第五晶體管m5和第七晶體管m7截止。將第一電壓信號(hào)通過二極管連接的第四晶體管m4后再通過第一晶體管m1提供至電容的第二極板,即將閾值補(bǔ)償信號(hào)(即vdd+vth)提供至電容的第二極板,使第二節(jié)點(diǎn)n2的電壓變?yōu)関dd+vth。由于電容器c的電荷量不變,所以電容器c兩端的電壓差不變。因此,第一節(jié)點(diǎn)n1的電壓變?yōu)関dd+vth+vdata-vinit,并驅(qū)動(dòng)第三晶體管m3產(chǎn)生使oled器件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電流i。

可將驅(qū)動(dòng)電流i表示為下式:

其中,w/l為第三晶體管m3的寬長(zhǎng)比,μ為空穴遷移率,cox為柵極電容,vgs為第三晶體管m3的柵源極間電壓,vth為第三晶體管m3的閾值電壓。

由于第三晶體管m3的柵極電壓為vdd+vth+vdata-vinit,源極電壓為vdd,可將驅(qū)動(dòng)電流i表示為:

由上,驅(qū)動(dòng)電流i僅與數(shù)據(jù)信號(hào)vdata和初始信號(hào)vinit有關(guān),與第三晶體管m3的閾值電壓vth和第一電壓信號(hào)vdd的電壓無關(guān)。因此,oled器件的驅(qū)動(dòng)電流不受閾值電壓vth和第一電壓信號(hào)vdd在不同像素位置的電源i-rdrop的影響。

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路500的示意性框圖。如圖5所示,除了數(shù)據(jù)寫入模塊110、第一控制模塊120、電容器130、第二控制模塊140、補(bǔ)償模塊150、驅(qū)動(dòng)模塊160和發(fā)光器件170外,像素驅(qū)動(dòng)電路500還包括復(fù)位模塊180。復(fù)位模塊180與發(fā)光器件170并聯(lián)耦接,并與控制信號(hào)端em耦接。復(fù)位模塊180可在控制信號(hào)的作用下,對(duì)發(fā)光器件170進(jìn)行復(fù)位。

圖6示出了圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)電路500的示例性電路圖,其中,驅(qū)動(dòng)模塊160中的第三晶體管m3采用p型晶體管。如圖6所示,復(fù)位模塊180可包括第七晶體管m7,第七晶體管m7是n型晶體管。第七晶體管m7的控制極與控制信號(hào)端em耦接,第一極與發(fā)光器件170的第一端耦接,第二極與第二電壓信號(hào)端耦接。除此之外,圖6所示的像素驅(qū)動(dòng)電路與圖2所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)相同,不再贅述。

圖7示出了圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)電路500的另一示例性電路圖,其中,驅(qū)動(dòng)模塊160中的第三晶體管m3采用p型晶體管。如圖7所示,補(bǔ)償模塊150中的第四晶體管m4的第二極可與第六晶體管m6的第二極耦接。除此之外,圖7所示的像素驅(qū)動(dòng)電路與圖6所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)相同,不再贅述。

在圖6和圖7所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的工作過程中,除了可完成以上所述的數(shù)據(jù)寫入、閾值電壓及電源i-rdrop的補(bǔ)償和發(fā)光外,還可對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行復(fù)位。具體地,在第一時(shí)間段(t1),還通過第七晶體管m7向oled器件的陽極提供第二電壓信號(hào)vss,從而對(duì)oled器件復(fù)位,以確保驅(qū)動(dòng)oled器件的電流的穩(wěn)定性,避免oled器件異常發(fā)光。

以下結(jié)合圖8和圖9對(duì)本發(fā)明的兩個(gè)實(shí)施例的操作效果進(jìn)行描述。圖8是圖2所示的像素驅(qū)動(dòng)電路中的信號(hào)的仿真圖。這些信號(hào)是控制信號(hào)em、數(shù)據(jù)信號(hào)vdata、第一節(jié)點(diǎn)n1的電壓信號(hào)、第二節(jié)點(diǎn)n2的電壓信號(hào)和驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)ioled。圖9是圖6所示的像素驅(qū)動(dòng)電路中的信號(hào)的仿真圖。除了上述信號(hào)外,還包括流過第七晶體管m7的電流信號(hào)im7。

由于第一控制模塊120中的第一晶體管m1和第二晶體管m2的柵漏極存在寄生電容cgd1和cgd2,第二節(jié)點(diǎn)n2相當(dāng)于交流接地,因此第一晶體管m1和第二晶體管m2的柵極到漏極的寄生電容為cgd1和cgd2的并聯(lián)值cgd1+cgd2。在控制信號(hào)em由低電平變?yōu)楦唠娖降乃查g,將部分控制信號(hào)em通過第一晶體管m1和第二晶體管m2的柵漏極寄生電容cgd1+cgd2耦合到電容器c的第二極板(即第二節(jié)點(diǎn)n2)。這樣,第一晶體管m1和第二晶體管m2沒有完全轉(zhuǎn)換到m1關(guān)斷和m2導(dǎo)通狀態(tài)。因此,初始化信號(hào)vinit的不完全寫入也會(huì)導(dǎo)致補(bǔ)償二極管連接的晶體管m4導(dǎo)通,從而將第一電壓信號(hào)vdd部分地寫入到第二節(jié)點(diǎn)n2。然后部分控制信號(hào)em以及第一電壓信號(hào)端vdd寫入的信號(hào)通過電容耦合到電容器c的第一極板(即第一節(jié)點(diǎn)n1)。之后,通過第三晶體管m3的柵漏極電容cgd耦合到oled的陽極,進(jìn)而使oled產(chǎn)生一個(gè)脈沖電流,導(dǎo)致oled發(fā)光。然而,通過控制信號(hào)em控制第七晶體管m7可將脈沖電流濾去,使該脈沖電流不經(jīng)過oled,并且避免oled發(fā)光異常。當(dāng)em變?yōu)楦唠娖胶?,第二?jié)點(diǎn)n2和第一節(jié)點(diǎn)n1達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后,第二節(jié)點(diǎn)n2和第一節(jié)點(diǎn)n1的電壓變?yōu)関init和vdata,到達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)。

如圖8所示,在控制信號(hào)em由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí),第二節(jié)點(diǎn)n2和第一節(jié)點(diǎn)n1的電壓存在尖峰脈沖電壓,這個(gè)脈沖使oled存在一個(gè)大的脈沖電流。如圖9所示,在使用晶體管m7的過程中,第二節(jié)點(diǎn)n2和第一節(jié)點(diǎn)n1也存在尖峰脈沖電壓,這個(gè)尖峰電流經(jīng)過第七晶體管m7被導(dǎo)向第二電壓信號(hào)端vss,而不經(jīng)過oled。因此,oled電流中不存在脈沖電流流過,oled不會(huì)在這一轉(zhuǎn)換狀態(tài)下發(fā)光。這樣,即使在單個(gè)控制信號(hào)的作用下,也能控制oled像素驅(qū)動(dòng)電路穩(wěn)定的電流輸出,進(jìn)而驅(qū)動(dòng)oled發(fā)光。

圖10示出圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的再一個(gè)示例性電路圖,其中,驅(qū)動(dòng)模塊160中的第三晶體管m3采用n型晶體管。如圖10所示,第一晶體管m1、第三晶體管m3和第六晶體管m6是n型晶體管,而第二晶體管m2、第五晶體管m5和第七晶體管m7是p型晶體管。相應(yīng)地,晶體管與第一和第二電壓信號(hào)端的耦接關(guān)系也發(fā)生改變。具體地,對(duì)于第二控制模塊140,第六晶體管m6的第一極與第二電壓信號(hào)端vss耦接。對(duì)于補(bǔ)償模塊150,第四晶體管m4的第二極與第二電壓信號(hào)端vss耦接。對(duì)于發(fā)光器件170,oled器件的第一端與驅(qū)動(dòng)模塊160耦接,第二端與第一電壓信號(hào)端vdd耦接,并且oled器件的第一端是陰極,第二端是陽極。此外,圖10所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)與圖2所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)類似,工作時(shí)序也類似,不再具體描述。

圖11示出圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的再一個(gè)示例性電路圖,其中,驅(qū)動(dòng)模塊160中的第三晶體管m3采用n型晶體管。與圖10不同,在圖11所示的像素驅(qū)動(dòng)電路中,補(bǔ)償模塊150的第四晶體管m4的第二極與第二控制模塊的第六晶體管m6的第二極耦接。

圖12是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)如上的像素驅(qū)動(dòng)電路的方法的示意性流程圖。在本發(fā)明的實(shí)施例中,第一電壓信號(hào)端提供高電平的第一電壓信號(hào),第二電壓信號(hào)端提供低電平的第二電壓信號(hào)。

在步驟s1210,在控制信號(hào)em的作用下,使數(shù)據(jù)寫入模塊110或者第五晶體管m5導(dǎo)通,以通過數(shù)據(jù)寫入模塊110或者第五晶體管m5向第一節(jié)點(diǎn)n1提供數(shù)據(jù)信號(hào)vdata,并通過第一控制模塊120或者第二晶體管m2向第二節(jié)點(diǎn)n2提供初始化信號(hào)vinit。電容器130或者電容器c存儲(chǔ)第一節(jié)點(diǎn)n1和第二節(jié)點(diǎn)n2之間的電壓,即vdata-vinit。

在步驟s1220,在控制信號(hào)em的作用下,使第二控制模塊140或者第六晶體管m6和驅(qū)動(dòng)模塊160或者第三晶體管m3導(dǎo)通,通過補(bǔ)償模塊150或者第四晶體管m4和第一控制模塊120或者第一晶體管m1向第二節(jié)點(diǎn)n2提供閾值補(bǔ)償信號(hào)(即vdd+vth)。通過電容器130或者電容器c保持第一節(jié)點(diǎn)n1和第二節(jié)點(diǎn)n2之間的電壓差為vdata-vinit,以控制第一節(jié)點(diǎn)n1的電壓變?yōu)関dd+vth+vdata-vinit。根據(jù)第一節(jié)點(diǎn)n1的電壓和第一電壓信號(hào),使發(fā)光器件170或者oled器件發(fā)光。

此外,對(duì)于如圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)電路500,在步驟s1210,還可在控制信號(hào)em的作用下,通過復(fù)位模塊180或者第七晶體管m7對(duì)發(fā)光器件170進(jìn)行復(fù)位,以確保用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件170或者oled器件的驅(qū)動(dòng)電流的穩(wěn)定性,避免發(fā)光器件170或者oled器件異常發(fā)光。

以上對(duì)本發(fā)明的若干實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)描述,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不限于此。顯然,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可以對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行各種修改、替換或變形。本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附權(quán)利要求限定。

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