本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及像素驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdisplay，oled)顯示裝置具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對(duì)比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

oled顯示裝置按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無(wú)源矩陣型oled(passivematrixoled，pmoled)和有源矩陣型oled(activematrixoled，amoled)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)矩陣尋址兩類。其中，amoled具有呈陣列式排布的像素，屬于主動(dòng)顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

amoled是電流驅(qū)動(dòng)器件，當(dāng)有電流流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光，且發(fā)光亮度由流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管自身的電流決定。大部分已有的集成電路(integratedcircuit，ic)都只傳輸電壓信號(hào)，故amoled的像素驅(qū)動(dòng)電路需要完成將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏餍盘?hào)的任務(wù)。傳統(tǒng)的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路通常為2t1c，即兩個(gè)薄膜晶體管加一個(gè)電容的結(jié)構(gòu)，將電壓變換為電流。

如圖1所示，一種現(xiàn)有的用于amoled的2t1c像素驅(qū)動(dòng)電路，包括第一薄膜晶體管t10、第二薄膜晶體管t20、電容c10、及有機(jī)發(fā)光二極管d10，所述第一薄膜晶體管t10為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管t20為開(kāi)關(guān)薄膜晶體管，所述電容c10為存儲(chǔ)電容。具體地，所述第二薄膜晶體管t20的柵極接入掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)gate，源極接入數(shù)據(jù)信號(hào)data，漏極電性連接第一薄膜晶體管t10的柵極；所述第一薄膜晶體管t10的源極接入電源正電壓ovdd，漏極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管d10的陽(yáng)極；電容c10的一端電性連接第一薄膜晶體管t10的柵極，另一端電性連接第一薄膜晶體管t10的源極，有機(jī)發(fā)光二極管d10的陰極接入電源負(fù)電壓ovss。該2t1c像素驅(qū)動(dòng)電路在對(duì)amoled進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管d10的電流滿足：

i＝k×(vgs-vth)²；

其中，i為流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管d10的電流，k為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的本征導(dǎo)電因子，vgs為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管即第一薄膜晶體管t10柵極和源極的電壓差，vth為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管即第一薄膜晶體管t10的閾值電壓，可見(jiàn)流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管d10的電流與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓相關(guān)。

由于面板制程的不穩(wěn)定性等原因，使得面板內(nèi)每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓產(chǎn)生差別，即使數(shù)據(jù)電壓相等的施加到各個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，也會(huì)出現(xiàn)流入有機(jī)發(fā)光二極管的電流不一致的情況，導(dǎo)致顯示圖像質(zhì)量的均一性難以實(shí)現(xiàn)。并且隨著驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)時(shí)間的推移，薄膜晶體管的材料會(huì)老化、變異，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓產(chǎn)生漂移，且薄膜晶體管材料的老化程度不同，導(dǎo)致各驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓漂移量不同，會(huì)造成面板顯示的不均勻現(xiàn)象，并且會(huì)使驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的開(kāi)啟電壓上升，流入有機(jī)發(fā)光二極管的電流降低，導(dǎo)致面板亮度降低、發(fā)光效率下降等問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路，能夠有效補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，解決由閾值電壓漂移導(dǎo)致的流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不穩(wěn)定的問(wèn)題，保證有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度均勻，改善畫(huà)面的顯示效果。

本發(fā)明的目的還在于提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，能夠有效補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，解決由閾值電壓漂移導(dǎo)致的流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不穩(wěn)定的問(wèn)題，保證有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度均勻，改善畫(huà)面的顯示效果。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路，包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、電容、及有機(jī)發(fā)光二極管；

所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接第一節(jié)點(diǎn)，源極電性連接第二節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)；

所述第二薄膜晶體管的柵極接入第一掃描信號(hào)，源極電性連接第一節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)；

所述第三薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號(hào)，源極接入初始化電壓或數(shù)據(jù)信號(hào)電壓，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)；

所述第四薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號(hào)，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極；

所述第五薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號(hào)，源極接入電源正電壓，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)；

所述第六薄膜晶體管的柵極接入第四掃描信號(hào)，源極電性連接第三薄膜晶體管的源極，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)；

所述電容的一端接入電源正電壓，另一端電性連接第一節(jié)點(diǎn)；

所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接入電源負(fù)電壓。

所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、及第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

所述第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)、第三掃描信號(hào)、及第四掃描信號(hào)均通過(guò)外部時(shí)序控制器產(chǎn)生。

所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管均為p型薄膜晶體管。

所述第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)、第三掃描信號(hào)、及第四掃描信號(hào)相組合先后對(duì)應(yīng)于初始化階段、數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與閾值電壓差值存儲(chǔ)階段、及發(fā)光顯示階段；

在所述初始化階段，所述第三薄膜晶體管的源極接入初始化電壓，所述第一掃描信號(hào)為低電位，所述第二掃描信號(hào)為高電位，所述第三掃描信號(hào)為高電位，所述第四掃描信號(hào)為低電位；

在所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與閾值電壓差值存儲(chǔ)階段，所述第三薄膜晶體管的源極接入數(shù)據(jù)信號(hào)電壓，所述第一掃描信號(hào)為低電位，所述第二掃描信號(hào)為低電位，所述第三掃描信號(hào)為高電位，所述第四掃描信號(hào)為高電位；

在所述發(fā)光顯示階段，所述第一掃描信號(hào)為高電位，所述第二掃描信號(hào)為高電位，所述第三掃描信號(hào)為低電位，所述第四掃描信號(hào)為高電位。

本發(fā)明還提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一amoled像素驅(qū)動(dòng)電路；

所述amoled像素驅(qū)動(dòng)電路包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、電容、及有機(jī)發(fā)光二極管；

所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接第一節(jié)點(diǎn)，源極電性連接第二節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)；

所述第二薄膜晶體管的柵極接入第一掃描信號(hào)，源極電性連接第一節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)；

所述第三薄膜晶體管的柵極接入第二掃描信號(hào)，源極接入初始化電壓或數(shù)據(jù)信號(hào)電壓，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)；

所述第四薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號(hào)，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極；

所述第五薄膜晶體管的柵極接入第三掃描信號(hào)，源極接入電源正電壓，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)；

所述第六薄膜晶體管的柵極接入第四掃描信號(hào)，源極電性連接第三薄膜晶體管的源極，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)；

所述電容的一端接入電源正電壓，另一端電性連接第一節(jié)點(diǎn)；

所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接入電源負(fù)電壓；

所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管均為p型薄膜晶體管；

步驟2、進(jìn)入初始化階段；

所述第三薄膜晶體管的源極接入初始化電壓，所述第一掃描信號(hào)提供低電位，所述第二薄膜晶體管打開(kāi)，所述第二掃描信號(hào)提供高電位，所述第三薄膜晶體管關(guān)閉，所述第三掃描信號(hào)提供高電位，所述第四、第五薄膜晶體管關(guān)閉，所述第四掃描信號(hào)提供低電位，所述第六薄膜晶體管打開(kāi)，第一節(jié)點(diǎn)寫(xiě)入初始化電壓；

步驟3、進(jìn)入數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與閾值電壓差值存儲(chǔ)階段；

所述第三薄膜晶體管的源極接入數(shù)據(jù)信號(hào)電壓，所述第一掃描信號(hào)提供低電位，所述第二薄膜晶體管打開(kāi)，所述第二掃描信號(hào)提供低電位，所述第三薄膜晶體管打開(kāi)，所述第三掃描信號(hào)提供高電位，所述第四、第五薄膜晶體管關(guān)閉，所述第四掃描信號(hào)提供高電位，所述第六薄膜晶體管關(guān)閉，數(shù)據(jù)信號(hào)電壓將第一節(jié)點(diǎn)的電壓充電至vdata-vth，其中vth為第一薄膜晶體管的閾值電壓，vdata為數(shù)據(jù)信號(hào)電壓；

步驟4、進(jìn)入發(fā)光顯示階段；

所述第一掃描信號(hào)提供高電位，所述第二薄膜晶體管關(guān)閉，所述第二掃描信號(hào)提供高電位，所述第三薄膜晶體管關(guān)閉，所述第三掃描信號(hào)提供低電位，所述第四、第五薄膜晶體管打開(kāi)，所述第四掃描信號(hào)提供高電位，所述第六薄膜晶體管關(guān)閉，所述第一節(jié)點(diǎn)的電壓在電容的存儲(chǔ)作用下保持vdata-vth，所述第二節(jié)點(diǎn)寫(xiě)入電源正電壓，所述有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光，且流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管的電流與第一薄膜晶體管的閾值電壓無(wú)關(guān)。

所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、及第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

所述第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)、第三掃描信號(hào)、及第四掃描信號(hào)均通過(guò)外部時(shí)序控制器產(chǎn)生。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路，采用6t1c結(jié)構(gòu)，包括作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、電容、及有機(jī)發(fā)光二極管，在電路中接入第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)、第三掃描信號(hào)、第四掃描信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)電壓、初始化電壓、電源正電壓、及電源負(fù)電壓，該電路能夠有效補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，解決由閾值電壓漂移導(dǎo)致的流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不穩(wěn)定的問(wèn)題，保證有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度均勻，改善畫(huà)面的顯示效果。本發(fā)明提供的一種amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，能夠有效補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，解決由閾值電壓漂移導(dǎo)致的流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不穩(wěn)定的問(wèn)題，保證有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度均勻，改善畫(huà)面的顯示效果。

附圖說(shuō)明

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的用于amoled的2t1c像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；

圖2為本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；

圖3為本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)序圖；

圖4為本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法的步驟2的示意圖；

圖5為本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法的步驟3的示意圖；

圖6為本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法的步驟4的示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖2及圖3，并結(jié)合圖4至圖6，本發(fā)明提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路，包括：第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6、電容c1、及有機(jī)發(fā)光二極管d1；

具體各元件的連接方式為：所述第一薄膜晶體管t1的柵極電性連接第一節(jié)點(diǎn)g，源極電性連接第二節(jié)點(diǎn)s，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)d；所述第二薄膜晶體管t2的柵極接入第一掃描信號(hào)scan1，源極電性連接第一節(jié)點(diǎn)g，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)d；所述第三薄膜晶體管t3的柵極接入第二掃描信號(hào)scan2，源極接入初始化電壓vini或數(shù)據(jù)信號(hào)電壓vdata，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)s；所述第四薄膜晶體管t4的柵極接入第三掃描信號(hào)scan3，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)d，漏極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管d1的陽(yáng)極；所述第五薄膜晶體管t5的柵極接入第三掃描信號(hào)scan3，源極接入電源正電壓ovdd，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)s；所述第六薄膜晶體管t6的柵極接入第四掃描信號(hào)scan4，源極電性連接第三薄膜晶體管t3的源極，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)d；所述電容c1的一端接入電源正電壓ovdd，另一端電性連接第一節(jié)點(diǎn)g；所述有機(jī)發(fā)光二極管d1的陰極接入電源負(fù)電壓ovss。

具體地，所述第一薄膜晶體管t1為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管d1發(fā)光，所述amoled像素驅(qū)動(dòng)電路能夠補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管即第一薄膜晶體管t1的閾值電壓。具體地，所述第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、及第六薄膜晶體管t6均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。所述第一掃描信號(hào)scan1、第二掃描信號(hào)scan2、第三掃描信號(hào)scan3、及第四掃描信號(hào)scan4均通過(guò)外部時(shí)序控制器產(chǎn)生。

具體地，所述第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6均為p型薄膜晶體管。

進(jìn)一步地，請(qǐng)參閱圖3，所述第一掃描信號(hào)scan1、第二掃描信號(hào)scan2、第三掃描信號(hào)scan3、及第四掃描信號(hào)scan4相組合先后對(duì)應(yīng)于初始化階段s1、數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與閾值電壓差值存儲(chǔ)階段s2、及發(fā)光顯示階段s3；

請(qǐng)參閱圖4，在所述初始化階段s1，所述第三薄膜晶體管t3的源極接入初始化電壓vini，所述第一掃描信號(hào)scan1為低電位，所述第二薄膜晶體管t2打開(kāi)，所述第二掃描信號(hào)scan2為高電位，所述第三薄膜晶體管t3關(guān)閉，所述第三掃描信號(hào)scan3為高電位，所述第四、第五薄膜晶體管t4、t5關(guān)閉，所述第四掃描信號(hào)scan4為低電位，所述第六薄膜晶體管t6打開(kāi)，初始化電壓vini經(jīng)打開(kāi)的第六薄膜晶體管t6、第二薄膜晶體管t2寫(xiě)入第一節(jié)點(diǎn)g，對(duì)第一節(jié)點(diǎn)g也即電容c1的另一端進(jìn)行電位的初始化，在初始化階段s1中由于第四薄膜晶體管t4斷開(kāi)，有機(jī)發(fā)光二極管d1不發(fā)光；

請(qǐng)參閱圖5，在所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與閾值電壓差值存儲(chǔ)階段s2，所述第三薄膜晶體管t3的源極接入數(shù)據(jù)信號(hào)電壓vdata，所述第一掃描信號(hào)scan1為低電位，所述第二薄膜晶體管t2打開(kāi)，所述第二掃描信號(hào)scan2為低電位，所述第三薄膜晶體管t3打開(kāi)，所述第三掃描信號(hào)scan3為高電位，所述第四、第五薄膜晶體管t4、t5關(guān)閉，所述第四掃描信號(hào)scan4為高電位，所述第六薄膜晶體管t6關(guān)閉，數(shù)據(jù)信號(hào)電壓vdata經(jīng)由打開(kāi)的第三薄膜晶體管t3寫(xiě)入第二節(jié)點(diǎn)s，并經(jīng)由第三薄膜晶體管t3、第一薄膜晶體管t1、及第二薄膜晶體管t2對(duì)第一節(jié)點(diǎn)g進(jìn)行充電，直到第二節(jié)點(diǎn)s與第一節(jié)點(diǎn)g之間的電壓差也即第一薄膜晶體管t1的源極和柵極的電壓差到達(dá)其閾值電壓，第一節(jié)點(diǎn)g的電壓不再上升，此時(shí)第一節(jié)點(diǎn)g的電壓為第二節(jié)點(diǎn)s的電壓即數(shù)據(jù)信號(hào)電壓vdata與第一薄膜晶體管t1閾值電壓vth的差值，即vdata-vth，完成對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)電壓vdata與閾值電壓vth差值的存儲(chǔ)，在數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與閾值電壓差值存儲(chǔ)階段s2由于第四薄膜晶體管t4關(guān)閉，有機(jī)發(fā)光二極管d1不發(fā)光；

請(qǐng)參閱圖6，在所述發(fā)光顯示階段s3，所述第一掃描信號(hào)scan1為高電位，所述第二薄膜晶體管t2關(guān)閉，所述第二掃描信號(hào)scan2為高電位，所述第三薄膜晶體管t3關(guān)閉，所述第三掃描信號(hào)scan3為低電位，所述第四、第五薄膜晶體管t4、t5打開(kāi)，所述第四掃描信號(hào)scan4為高電位，所述第六薄膜晶體管t6關(guān)閉，此時(shí)，由于電容c1的存儲(chǔ)作用，第一節(jié)點(diǎn)g也即第一薄膜晶體管t1的柵極電壓仍然保持vdata-vth不變，而電源正電壓ovdd經(jīng)由打開(kāi)的第五薄膜晶體管t5寫(xiě)入第二節(jié)點(diǎn)s也即第一薄膜晶體管t1的源極，則此時(shí)第一薄膜晶體管t1的源柵極電壓差為ovdd-vdata+vth，有機(jī)發(fā)光二極管d1發(fā)光。

需要說(shuō)明的是，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)采用p型薄膜晶體管作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管時(shí)流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流的公式：

i＝k(vsg-vth)²；

其中，i為流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管d1的電流，k為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管也即第一薄膜晶體管t1的本征導(dǎo)電因子，vsg為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管也即第一薄膜晶體管t1的源柵極電壓差，而此時(shí)第一薄膜晶體管t1的源柵極電壓差為ovdd-vdata+vth，因此i＝k(vsg-vth)²＝k(ovdd-vdata+vth-vth)²＝k(ovdd-vdata)²，可見(jiàn)有機(jī)發(fā)光二極管d1發(fā)光時(shí)流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管d1的電流與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓無(wú)關(guān)，能夠解決由驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管閾值電壓漂移導(dǎo)致的流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不穩(wěn)定的問(wèn)題，使有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度均勻，改善畫(huà)面的顯示效果。

請(qǐng)參閱圖4至6，并結(jié)合圖2及圖3，基于上述amoled像素驅(qū)動(dòng)電路，本發(fā)明還提供一種amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，包括如下步驟：

步驟1、請(qǐng)參閱圖2，提供一amoled像素驅(qū)動(dòng)電路；

所述amoled像素驅(qū)動(dòng)電路包括：第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6、電容c1、及有機(jī)發(fā)光二極管d1；

具體各元件的連接方式為：所述第一薄膜晶體管t1的柵極電性連接第一節(jié)點(diǎn)g，源極電性連接第二節(jié)點(diǎn)s，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)d；所述第二薄膜晶體管t2的柵極接入第一掃描信號(hào)scan1，源極電性連接第一節(jié)點(diǎn)g，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)d；所述第三薄膜晶體管t3的柵極接入第二掃描信號(hào)scan2，源極接入初始化電壓vini或數(shù)據(jù)信號(hào)電壓vdata，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)s；所述第四薄膜晶體管t4的柵極接入第三掃描信號(hào)scan3，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)d，漏極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管d1的陽(yáng)極；所述第五薄膜晶體管t5的柵極接入第三掃描信號(hào)scan3，源極接入電源正電壓ovdd，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)s；所述第六薄膜晶體管t6的柵極接入第四掃描信號(hào)scan4，源極電性連接第三薄膜晶體管t3的源極，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)d；所述電容c1的一端接入電源正電壓ovdd，另一端電性連接第一節(jié)點(diǎn)g；所述有機(jī)發(fā)光二極管d1的陰極接入電源負(fù)電壓ovss；

其中，所述第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、第六薄膜晶體管t6均為p型薄膜晶體管。

具體地，所述第一薄膜晶體管t1為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管d1發(fā)光，所述amoled像素驅(qū)動(dòng)方法能夠補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管即第一薄膜晶體管t1的閾值電壓。具體地，所述第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第四薄膜晶體管t4、第五薄膜晶體管t5、及第六薄膜晶體管t6均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。所述第一掃描信號(hào)scan1、第二掃描信號(hào)scan2、第三掃描信號(hào)scan3、及第四掃描信號(hào)scan4均通過(guò)外部時(shí)序控制器產(chǎn)生。

步驟2、請(qǐng)參閱圖4，進(jìn)入初始化階段s1；

所述第三薄膜晶體管t3的源極接入初始化電壓vini，所述第一掃描信號(hào)scan1提供低電位，所述第二薄膜晶體管t2打開(kāi)，所述第二掃描信號(hào)scan2提供高電位，所述第三薄膜晶體管t3關(guān)閉，所述第三掃描信號(hào)scan3提供高電位，所述第四、第五薄膜晶體管t4、t5關(guān)閉，所述第四掃描信號(hào)scan4提供低電位，所述第六薄膜晶體管t6打開(kāi)，初始化電壓vini經(jīng)打開(kāi)的第六薄膜晶體管t6、第二薄膜晶體管t2寫(xiě)入第一節(jié)點(diǎn)g，對(duì)第一節(jié)點(diǎn)g也即電容c1的另一端進(jìn)行電位的初始化，在初始化階段s1中由于第四薄膜晶體管t4斷開(kāi)，有機(jī)發(fā)光二極管d1不發(fā)光。

步驟3、請(qǐng)參閱圖5，進(jìn)入數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與閾值電壓差值存儲(chǔ)階段s2；

所述第三薄膜晶體管t3的源極接入數(shù)據(jù)信號(hào)電壓vdata，所述第一掃描信號(hào)scan1提供低電位，所述第二薄膜晶體管t2打開(kāi)，所述第二掃描信號(hào)scan2提供低電位，所述第三薄膜晶體管t3打開(kāi)，所述第三掃描信號(hào)scan3提供高電位，所述第四、第五薄膜晶體管t4、t5關(guān)閉，所述第四掃描信號(hào)scan4提供高電位，所述第六薄膜晶體管t6關(guān)閉，數(shù)據(jù)信號(hào)電壓vdata經(jīng)由打開(kāi)的第三薄膜晶體管t3寫(xiě)入第二節(jié)點(diǎn)s，并經(jīng)由第三薄膜晶體管t3、第一薄膜晶體管t1、及第二薄膜晶體管t2對(duì)第一節(jié)點(diǎn)g進(jìn)行充電，直到第二節(jié)點(diǎn)s與第一節(jié)點(diǎn)g之間的電壓差也即第一薄膜晶體管t1的源極和柵極的電壓差到達(dá)其閾值電壓，第一節(jié)點(diǎn)g的電壓不再上升，此時(shí)第一節(jié)點(diǎn)g的電壓為第二節(jié)點(diǎn)s的電壓即數(shù)據(jù)信號(hào)電壓vdata與第一薄膜晶體管t1閾值電壓vth的差值，即vdata-vth，完成對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)電壓vdata與閾值電壓vth差值的存儲(chǔ)，在數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與閾值電壓差值存儲(chǔ)階段s2由于第四薄膜晶體管t4關(guān)閉，有機(jī)發(fā)光二極管d1不發(fā)光。

步驟4、請(qǐng)參閱圖6，進(jìn)入發(fā)光顯示階段s3；

所述第一掃描信號(hào)scan1提供高電位，所述第二薄膜晶體管t2關(guān)閉，所述第二掃描信號(hào)scan2提供高電位，所述第三薄膜晶體管t3關(guān)閉，所述第三掃描信號(hào)scan3提供低電位，所述第四、第五薄膜晶體管t4、t5打開(kāi)，所述第四掃描信號(hào)scan4提供高電位，所述第六薄膜晶體管t6關(guān)閉，此時(shí)，由于電容c1的存儲(chǔ)作用，第一節(jié)點(diǎn)g也即第一薄膜晶體管t1的柵極電壓仍然保持vdata-vth不變，而電源正電壓ovdd經(jīng)由打開(kāi)的第五薄膜晶體管t5寫(xiě)入第二節(jié)點(diǎn)s也即第一薄膜晶體管t1的源極，則此時(shí)第一薄膜晶體管t1的源柵極電壓差為ovdd-vdata+vth，有機(jī)發(fā)光二極管d1發(fā)光。

需要說(shuō)明的是，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)采用p型薄膜晶體管作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管時(shí)流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流的公式：

i＝k(vsg-vth)²；

其中，i為流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管d1的電流，k為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管也即第一薄膜晶體管t1的本征導(dǎo)電因子，vsg為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管也即第一薄膜晶體管t1的源柵極電壓差，而此時(shí)第一薄膜晶體管t1的源柵極電壓差為ovdd-vdata+vth，因此i＝k(vsg-vth)²＝k(ovdd-vdata+vth-vth)²＝k(ovdd-vdata)²，可見(jiàn)有機(jī)發(fā)光二極管d1發(fā)光時(shí)流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管d1的電流與第一薄膜晶體管t1的閾值電壓無(wú)關(guān)，能夠解決由驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管閾值電壓漂移導(dǎo)致的流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不穩(wěn)定的問(wèn)題，使有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度均勻，改善畫(huà)面的顯示效果。

綜上所述，本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)電路，采用6t1c結(jié)構(gòu)，包括作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、電容、及有機(jī)發(fā)光二極管，在電路中接入第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)、第三掃描信號(hào)、第四掃描信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)電壓、初始化電壓、電源正電壓、及電源負(fù)電壓，該電路能夠有效補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，解決由閾值電壓漂移導(dǎo)致的流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不穩(wěn)定的問(wèn)題，保證有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度均勻，改善畫(huà)面的顯示效果。本發(fā)明的amoled像素驅(qū)動(dòng)方法，能夠有效補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，解決由閾值電壓漂移導(dǎo)致的流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不穩(wěn)定的問(wèn)題，保證有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度均勻，改善畫(huà)面的顯示效果。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。