本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示裝置和一種像素補(bǔ)償方法。

背景技術(shù)：

amoled(activematrix/organiclightemittingdiode，主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板)是一種自發(fā)光元件，它的基礎(chǔ)是oled(organiclightemittingdiode，有機(jī)發(fā)光二極管)，oled利用有機(jī)半導(dǎo)體材料和發(fā)光材料在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下發(fā)生載流子注入和復(fù)合而發(fā)光。由于亮度高、畫質(zhì)清晰、厚度超薄以及顯示效能好等諸多優(yōu)勢(shì)，amoled有望得到更廣泛的采用。

然而由于工藝問(wèn)題等，各子像素的驅(qū)動(dòng)tft的閾值電壓vth存在特異性差異，從而導(dǎo)致各像素用于驅(qū)動(dòng)oled的電流大小不同，各像素之間出現(xiàn)亮度偏差。為了解決上述問(wèn)題，提出了amoled電學(xué)補(bǔ)償。

目前的電學(xué)補(bǔ)償通過(guò)檢測(cè)驅(qū)動(dòng)tft的兩組i-v數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算出驅(qū)動(dòng)tft的閾值電壓vth，擬合出每個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)tft的iv特性，再計(jì)算出達(dá)到相應(yīng)亮度所要輸出的電壓。這種方法的計(jì)算出的特性值與實(shí)際存在偏差，造成低亮度補(bǔ)償效果不理想。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述問(wèn)題，提出了本發(fā)明實(shí)施例以便提供一種克服上述問(wèn)題或者至少部分地解決上述問(wèn)題的一種顯示裝置和相應(yīng)的一種像素補(bǔ)償方法。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種顯示裝置，包括顯示面板和驅(qū)動(dòng)電路，所述顯示面板具有多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元中的任意兩個(gè)子像素與所述驅(qū)動(dòng)電路之間電連接有補(bǔ)償模塊；

其中，所述驅(qū)動(dòng)電路用于通過(guò)所述補(bǔ)償模塊獲取各子像素的補(bǔ)償電壓，并基于所述補(bǔ)償電壓對(duì)相應(yīng)的子像素進(jìn)行補(bǔ)償。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，一個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)所述子像素進(jìn)行顯示；

所述每個(gè)所述像素單元中的任意兩個(gè)子像素與對(duì)應(yīng)的兩個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元之間均電連接有一個(gè)所述補(bǔ)償模塊。

優(yōu)選地，一個(gè)所述像素單元中的全部所述子像素共用一條檢測(cè)線；

所述補(bǔ)償模塊包括五個(gè)薄膜晶體管、一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器和一個(gè)補(bǔ)償存儲(chǔ)電容，所述五個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的電壓源電連接；

所述五個(gè)薄膜晶體管為第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管和第五薄膜晶體管；

每個(gè)所述像素單元中的任意兩個(gè)子像素所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元為第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元；

所述第一驅(qū)動(dòng)單元與所述第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的源極連接，所述第一薄膜晶體管的漏極與一個(gè)子像素的數(shù)據(jù)線連接，所述第二驅(qū)動(dòng)單元與所述第三薄膜晶體管的源極和所述第四薄膜晶體管的源極連接，所述第四薄膜晶體管的漏極與另一個(gè)子像素的數(shù)據(jù)線連接；

所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸入端與所述第五薄膜晶體管的源極連接，所述第五薄膜晶體管的漏極與檢測(cè)線，第二薄膜晶體管的漏極，第三薄膜晶體管的漏極和所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容的一端連接，所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容的另一端接地，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸出端連接至外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路。

優(yōu)選地，所述子像素包括有機(jī)發(fā)光二極管、像素存儲(chǔ)電容、感應(yīng)電容、以及，第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管和第八薄膜晶體管，所述像素存儲(chǔ)電容連接于所述第六薄膜晶體管的源極和柵極之間，所述第七薄膜晶體管的漏極與所述子像素對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接，所述感應(yīng)電容連接于所述第八薄膜晶體管的柵極和地之間，所述第六薄膜晶體管的漏極與參考電壓源連接，所述第六薄膜晶體管的源極與有機(jī)發(fā)光二極管連接，所述第七薄膜晶體管和所述第八薄膜晶體管的柵極與不同的電壓源連接，所述第八薄膜晶體管的源極與檢測(cè)線連接。

優(yōu)選地，所述像素單元包括第一子像素，第二子像素，第三子像素和第四子像素，每個(gè)所述像素單元中的所述第二子像素和所述第三子像素通過(guò)所述補(bǔ)償模塊與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元電連接；所述驅(qū)動(dòng)電路用于：

在初始階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谝蛔酉袼貢r(shí)，通過(guò)所述第一子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第一子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓，或者，閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第一薄膜晶體管和所述第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第二子像素，第三子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第二薄膜晶體管或者所述第三薄膜晶體管，使得所述第一子像素的第六薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓存儲(chǔ)于補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為初始電壓。

優(yōu)選地，所述像素單元包括第一子像素，第二子像素，第三子像素和第四子像素，每個(gè)所述像素單元中的所述第二子像素和所述第三子像素通過(guò)所述補(bǔ)償模塊與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元電連接；所述驅(qū)動(dòng)電路用于：

在初始階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈诙酉袼貢r(shí)，閉合所述第一薄膜晶體管，以通過(guò)所述第二子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第二子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第三子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第三薄膜晶體管，使得所述第二子像素的第六薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓存儲(chǔ)于補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為初始電壓。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)電路還用于：

閉合所述第五薄膜晶體管，使得存儲(chǔ)于所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容的初始電壓通過(guò)所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器將輸出至所述外部存儲(chǔ)器。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)電路還用于：

在檢測(cè)階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谝蛔酉袼貢r(shí)，通過(guò)所述第一子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第一子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓，或者，閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為所述第一預(yù)設(shè)電壓和初始電壓的差值；

閉合第一薄膜晶體管和所述第四薄膜晶體管，從而分別通過(guò)所述第二子像素，第三子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第二薄膜晶體管或者所述第三薄膜晶體管，使得所述第一子像素的第六薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，將所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓保存在所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為目標(biāo)電壓。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)電路還用于：

在檢測(cè)階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈诙酉袼貢r(shí)，閉合所述第一薄膜晶體管，以通過(guò)所述第二子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第二子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓；

閉合所述第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第三子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第三薄膜晶體管，使得所述第二子像素的第六薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，將所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓保存在所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為目標(biāo)電壓。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)電路還用于：

閉合所述第五薄膜晶體管，使得存儲(chǔ)于所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容的目標(biāo)電壓通過(guò)所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器將輸出至所述外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)電路還用于：

接收所述外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路計(jì)算的補(bǔ)償電壓，并基于所述補(bǔ)償電壓對(duì)于所述待補(bǔ)償?shù)淖酉袼剡M(jìn)行補(bǔ)償；其中，所述補(bǔ)償電壓為外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路根據(jù)所述初始電壓和所述目標(biāo)電壓計(jì)算所得。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種像素補(bǔ)償?shù)姆椒?，所述補(bǔ)償方法涉及顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示面板和驅(qū)動(dòng)電路，所述顯示面板具有多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元中的任意兩個(gè)子像素與所述驅(qū)動(dòng)電路之間電連接有補(bǔ)償模塊，所述方法包括：

通過(guò)所述補(bǔ)償模塊獲取各子像素的補(bǔ)償電壓，并基于所述補(bǔ)償電壓對(duì)相應(yīng)的子像素進(jìn)行補(bǔ)償。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，一個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)所述子像素進(jìn)行顯示；

所述每個(gè)所述像素單元中的任意兩個(gè)子像素與對(duì)應(yīng)的兩個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元之間均電連接有一個(gè)所述補(bǔ)償模塊。

優(yōu)選地，一個(gè)所述像素單元中的全部所述子像素共用一條檢測(cè)線；

所述補(bǔ)償模塊包括五個(gè)薄膜晶體管、一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器和一個(gè)補(bǔ)償存儲(chǔ)電容，所述五個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的電壓源電連接；

所述五個(gè)薄膜晶體管為第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管和第五薄膜晶體管；

每個(gè)所述像素單元中的任意兩個(gè)子像素所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元為第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元；

所述第一驅(qū)動(dòng)單元與所述第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的源極連接，所述第一薄膜晶體管的漏極與一個(gè)子像素的數(shù)據(jù)線連接，所述第二驅(qū)動(dòng)單元與所述第三薄膜晶體管的源極和所述第四薄膜晶體管的源極連接，所述第四薄膜晶體管的漏極與另一個(gè)子像素的數(shù)據(jù)線連接；

所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸入端與所述第五薄膜晶體管的源極連接，所述第五薄膜晶體管的漏極與檢測(cè)線，第二薄膜晶體管的漏極，第三薄膜晶體管的漏極和所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容的一端連接，所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容的另一端接地，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸出端連接至外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路。

優(yōu)選地，所述子像素包括有機(jī)發(fā)光二極管、像素存儲(chǔ)電容、感應(yīng)電容、以及，第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管和第八薄膜晶體管，所述像素存儲(chǔ)電容連接于所述第六薄膜晶體管的源極和柵極之間，所述第七薄膜晶體管的漏極與所述子像素對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接，所述感應(yīng)電容連接于所述第八薄膜晶體管的柵極和地之間，所述第六薄膜晶體管的漏極與參考電壓源連接，所述第六薄膜晶體管的源極與有機(jī)發(fā)光二極管連接，所述第七薄膜晶體管和所述第八薄膜晶體管的柵極與不同的電壓源連接，所述第八薄膜晶體管的源極與檢測(cè)線連接。

本發(fā)明實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置具有補(bǔ)償模塊，顯示裝置中的任意兩個(gè)子像素通過(guò)該補(bǔ)償模塊與驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行電連接。通過(guò)控制補(bǔ)償模塊可以檢測(cè)出針對(duì)像素單元中待補(bǔ)償?shù)淖酉袼氐难a(bǔ)償電壓，然后就可以利用該補(bǔ)償電壓對(duì)于待補(bǔ)償?shù)淖酉袼剡M(jìn)行補(bǔ)償，相對(duì)于在先需要擬合出每個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)tft的電壓電流特性，再基于該特性計(jì)算出相應(yīng)亮度所要輸出的補(bǔ)償電壓的方式而言，本發(fā)明通過(guò)補(bǔ)償模塊控制電流流向，可以直接檢測(cè)出補(bǔ)償電壓，使得子像素亮度補(bǔ)償效果更加理想。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的一種顯示裝置實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖；

圖2是本發(fā)明的一種補(bǔ)償模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的一種amoled的補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

參照?qǐng)D1，示出了本發(fā)明的一種顯示裝置實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖，所述顯示裝置主要包括顯示面板(panel)和驅(qū)動(dòng)電路(driveric)這兩部分。其中，顯示面板具有多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元中又分別具有多個(gè)子像素。

本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置中添加了補(bǔ)償電路。每個(gè)像素單元中的任意兩個(gè)子像素與驅(qū)動(dòng)電路之間電連接有補(bǔ)償模塊。驅(qū)動(dòng)電路可以通過(guò)補(bǔ)償模塊獲取到各子像素的補(bǔ)償電壓，并基于補(bǔ)償電壓對(duì)相應(yīng)的子像素進(jìn)行補(bǔ)償。

驅(qū)動(dòng)電路可以包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，驅(qū)動(dòng)單元與像素單元中的子像素一一對(duì)應(yīng)，一個(gè)驅(qū)動(dòng)單元可以用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)子像素進(jìn)行顯示。每個(gè)像素單元中的任意兩個(gè)子像素與對(duì)應(yīng)的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)單元之間均電連接有一個(gè)補(bǔ)償模塊。

在顯示裝置中，在一個(gè)像素單元中的全部子像素共用一條檢測(cè)線。補(bǔ)償模塊包括五個(gè)薄膜晶體管、一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器和一個(gè)補(bǔ)償存儲(chǔ)電容，所述五個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的電壓源電連接。所述五個(gè)薄膜晶體管為第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管和第五薄膜晶體管。

每個(gè)像素單元中的任意兩個(gè)子像素所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)單元為第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元。

每個(gè)像素單元中的中間兩個(gè)子像素通過(guò)補(bǔ)償模塊連接到第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元。當(dāng)然，在實(shí)際中也可以是像素單元中任意其他兩個(gè)子像素單元，例如位于像素單元邊緣的兩個(gè)子像素通過(guò)補(bǔ)償模塊連接至相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此并不加以限制。

參照?qǐng)D2的一種像素單元中的補(bǔ)償模塊的結(jié)構(gòu)示意圖，像素單元中的中間兩個(gè)子像素通過(guò)補(bǔ)償模塊連接到第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元。在像素單元中，從左到右分別為第一子像素，第二子像素，第三子像素和第四子像素。

其中，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管和第五薄膜晶體管分別為s1，s2，s3，s4和s5，模數(shù)轉(zhuǎn)換器為adc，補(bǔ)償存儲(chǔ)電容為csmp。

第一驅(qū)動(dòng)單元與s1的源極和s2的源極連接，s1的漏極與第二子像素的數(shù)據(jù)線連接，第二驅(qū)動(dòng)單元與所述s3的源極和s4的源極連接，s4的漏極與第三子像素的數(shù)據(jù)線連接。

adc的輸入端與s5的源極連接，所述s5的漏極與檢測(cè)線，s2的漏極，s3的漏極和csmp的一端連接，csmp的另一端接地。在實(shí)際的一種應(yīng)用中，adc的輸出端可以連接至外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路。

結(jié)合圖3所示的一種amoled的補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖，對(duì)于本發(fā)明實(shí)施例實(shí)現(xiàn)像素補(bǔ)償?shù)倪^(guò)程進(jìn)行說(shuō)明。

參照?qǐng)D3，顯示面板的一個(gè)像素單元可以由第一子像素(subpixel1)、第二子像素(subpixel2)、第三子像素(subpixel3)、第四子像素(subpixel4)構(gòu)成。顯示面板內(nèi)部的子像素結(jié)構(gòu)可以為四個(gè)子像素共用一條檢測(cè)線。所述驅(qū)動(dòng)電路具有多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，顯示面板中的子像素，一一通過(guò)數(shù)據(jù)線連接對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例可以適用于不同色彩模式的顯示面板，其中，不同色彩模式的顯示面板子像素的數(shù)量有所不同，例如，如果是rgb色彩模式的顯示面板，其可以有三個(gè)子像素，如果是rgbw色彩模式的顯示面板，其可以有四個(gè)子像素。

在顯示裝置進(jìn)行顯示時(shí)，由驅(qū)動(dòng)電路提供一個(gè)表示亮度的電壓至各子像素，該電壓會(huì)在子像素內(nèi)部被轉(zhuǎn)化為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電流，驅(qū)動(dòng)oled達(dá)到目標(biāo)亮度。

顯示面板中的各個(gè)子像素分別具有發(fā)光器件，例如圖3中的oled，而對(duì)于各子像素中的發(fā)光器件，隨時(shí)間的推移老化，其發(fā)光效率是不斷降低的，不同的發(fā)光器件，由于老化程度不盡相同，各oled的轉(zhuǎn)換效率也不同，進(jìn)而顯示的亮度也會(huì)不同，這就導(dǎo)致顯示面板上顯示的亮度存在不均勻的問(wèn)題。

為了改善顯示面板的亮度均勻性，可以采用外部補(bǔ)償方法。首先計(jì)算出驅(qū)動(dòng)tft的閾值電壓vth的漂移量，之后再根據(jù)漂移量對(duì)各子像素進(jìn)行補(bǔ)償，使得整個(gè)顯示面板上各發(fā)光器件的亮度是相同的。

本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路，補(bǔ)償模塊中的五個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的電壓源電連接，從而可以通過(guò)電壓源來(lái)控制薄膜晶體管的閉合和斷開(kāi)，控制顯示面板中電流流向，檢測(cè)出初始電壓，并基于初始電壓進(jìn)一步檢測(cè)出所述顯示面板中子像素的目標(biāo)電壓，最后可以基于目標(biāo)電壓得到補(bǔ)償電壓，以對(duì)子像素進(jìn)行亮度補(bǔ)償。

在本發(fā)明實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)單元分別具有運(yùn)算放大單元(op)，在圖3中，像素單元中任意兩個(gè)子像素所連接的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)單元分別為第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元，所述第一驅(qū)動(dòng)單元具有第一運(yùn)算放大單元(op1)，所述第二驅(qū)動(dòng)單元具有第二運(yùn)算放大單元(op2)。在本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)單元中，還具有鎖存單元(latch)，延遲單元(ls)，數(shù)模轉(zhuǎn)換器(dac)。latch與ls相連，ls與dac相連，dac與運(yùn)算放大單元的正極輸入端相連，運(yùn)算放大器的負(fù)極輸入端與所述其輸出端相連。當(dāng)然，在實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，上述驅(qū)動(dòng)單元可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整其構(gòu)成的電路單元，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不加以限制。

其中，與所述第一驅(qū)動(dòng)單元s1的源極和s2的源極連接，所述s1的漏極與其對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接，所述第一驅(qū)動(dòng)單元的輸出端與第s2的源極和s4的源極連接，所述s4的漏極與其對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接。

所述adc的輸入端與s5的源極連接，所述s5的漏極與檢測(cè)線，s2的漏極，s3的漏極和補(bǔ)償存儲(chǔ)電容的一端連接，所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容的另一端接地，所述adc的輸出端連接至外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路(tcon)。

在本發(fā)明實(shí)施例的子像素中，均分別具有機(jī)發(fā)光二極管(oled)、像素存儲(chǔ)電容(cst)、感應(yīng)電容(csense)、以及第六薄膜晶體管(t1)、第七薄膜晶體管(t2)和第八薄膜晶體管(t3)，其中，cst連接于t1的源極和柵極之間，csense連接于所述t3的柵極和地之間，t1的漏極與參考電壓源(elvdd)連接，t1的源極與oled的一端連接，oled的另一端接地，此外，t2和t3分別與電壓源g1(n)和g2(n)連接，t3的源極與檢測(cè)線連接。需要說(shuō)明的是，t1為驅(qū)動(dòng)晶體管，t2和t3則為開(kāi)關(guān)薄膜晶體管。

在本發(fā)明實(shí)施例的過(guò)程可以主要分為三個(gè)過(guò)程，一個(gè)是初始階段，用于獲得初始電壓，一個(gè)是檢測(cè)階段，用于基于初始電壓進(jìn)一步得到目標(biāo)電壓，一個(gè)是補(bǔ)償階段，用于基于目標(biāo)電壓計(jì)算補(bǔ)償數(shù)據(jù)，并將該補(bǔ)償數(shù)據(jù)反饋至相應(yīng)的子像素中以進(jìn)行補(bǔ)償。

在本發(fā)明實(shí)施例中，由四個(gè)子像素構(gòu)成的像素單元，其有兩個(gè)子像素通過(guò)補(bǔ)償模塊連接至相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元，例如像素單元中間的兩個(gè)子像素可以通過(guò)補(bǔ)償模塊分別連接到第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元。當(dāng)需要進(jìn)行像素補(bǔ)償，在初始階段和檢測(cè)階段檢測(cè)初始電壓和目標(biāo)電壓時(shí)，通過(guò)補(bǔ)償模塊連接到相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元的兩個(gè)子像素的檢測(cè)方式是相似的，沒(méi)有通過(guò)補(bǔ)償模塊連接到相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元的兩個(gè)子像素的檢測(cè)方式是相似的。

下面對(duì)于當(dāng)像素單元中間的兩個(gè)子像素通過(guò)補(bǔ)償模塊分別連接到第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元時(shí)，像素單元中各子像素實(shí)現(xiàn)像素補(bǔ)償過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明。

在初始階段，位于不同位置的子像素，得到其初始電壓的過(guò)程略有不同，具體地：

假設(shè)像素單元包括第一子像素，第二子像素，第三子像素和第四子像素，若每個(gè)所述像素單元中的所述第二子像素和所述第三子像素通過(guò)所述補(bǔ)償模塊與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元電連接，則獲取第一子像素的初始電壓的方式為：

在初始階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谝蛔酉袼貢r(shí)，通過(guò)所述第一子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第一子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓，或者，閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第一薄膜晶體管和所述第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第二子像素，第三子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第二薄膜晶體管或者所述第三薄膜晶體管，使得所述第一子像素的第六薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓存儲(chǔ)于補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為初始電壓。

假設(shè)像素單元包括第一子像素，第二子像素，第三子像素和第四子像素，若每個(gè)所述像素單元中的所述第二子像素和所述第三子像素通過(guò)所述補(bǔ)償模塊與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元電連接，則獲取第二子像素的初始電壓的方式為：

在初始階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)所述待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈诙酉袼貢r(shí)，閉合所述第一薄膜晶體管，以通過(guò)所述第二子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第二子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第三子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第三薄膜晶體管，使得所述第二子像素的第一薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓存儲(chǔ)于補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為初始電壓。

假設(shè)像素單元包括第一子像素，第二子像素，第三子像素和第四子像素，若每個(gè)所述像素單元中的所述第二子像素和所述第三子像素通過(guò)所述補(bǔ)償模塊與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元電連接，則獲取第三子像素的初始電壓的方式為：

在初始階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)所述待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谌酉袼貢r(shí)，閉合所述第四薄膜晶體管，以通過(guò)所述第三子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第三子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第一薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第二子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第二薄膜晶體管，使得所述第三子像素的第一薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓存儲(chǔ)于補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為初始電壓。

假設(shè)像素單元包括第一子像素，第二子像素，第三子像素和第四子像素，若每個(gè)所述像素單元中的所述第二子像素和所述第三子像素通過(guò)所述補(bǔ)償模塊與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元電連接，則獲取第四子像素的初始電壓的方式為：

在初始階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)所述待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谒淖酉袼貢r(shí)，通過(guò)所述第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第四子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓，或者，閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第一薄膜晶體管和第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第二子像素和第三子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)所述第二薄膜晶體管或者所述第三薄膜晶體管，使得所述第四子像素的第一薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓存儲(chǔ)于補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為初始電壓。

在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)?shù)玫匠跏茧妷褐螅€可以通過(guò)閉合所述第五薄膜晶體管，使得存儲(chǔ)于所述電容的初始電壓通過(guò)所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器將輸出至外部的存儲(chǔ)器保存。

在檢測(cè)階段，位于不同位置的子像素，得到其目標(biāo)電壓的過(guò)程略有不同，相應(yīng)于上述得到初始電壓的過(guò)程，具體地：

獲取第一子像素的目標(biāo)電壓的方式為：

在檢測(cè)階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谝蛔酉袼貢r(shí)，通過(guò)所述第一子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第一子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓，或者，閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為所述第一預(yù)設(shè)電壓和初始電壓的差值；

閉合第一薄膜晶體管和所述第四薄膜晶體管，從而分別通過(guò)所述第二子像素，第三子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第二薄膜晶體管或者所述第三薄膜晶體管，使得所述第一子像素的第六薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，將所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓保存在所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為目標(biāo)電壓。

獲取第二子像素的目標(biāo)電壓的方式為：

在檢測(cè)階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈诙酉袼貢r(shí)，閉合所述第一薄膜晶體管，以通過(guò)所述第二子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第二子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓；

閉合所述第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第三子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第三薄膜晶體管，使得所述第二子像素的第六薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，將所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓保存在所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為目標(biāo)電壓。

獲取第三子像素的目標(biāo)電壓的方式為：

在檢測(cè)階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)所述待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谌酉袼貢r(shí)，閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)所述第三子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第三子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓；

閉合所述第一薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第二子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第二薄膜晶體管，使得所述第三子像素的第一薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，將所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓保存在所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為目標(biāo)電壓。

獲取第四子像素的目標(biāo)電壓的方式為：

在檢測(cè)階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)所述待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谒淖酉袼貢r(shí)，通過(guò)所述第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第四子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓，或者，閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓；

閉合所述第一薄膜晶體管和第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第二子像素和第三子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第二薄膜晶體管或者所述第三薄膜晶體管，使得所述第四子像素的第一薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，將所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓保存在所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為目標(biāo)電壓。

在補(bǔ)償階段，得到目標(biāo)電壓之后，閉合所述第五薄膜晶體管，使得存儲(chǔ)于像素補(bǔ)償電容的目標(biāo)電壓通過(guò)所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器將輸出至所述外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路，外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路用于基于目標(biāo)電壓計(jì)算補(bǔ)償數(shù)據(jù)，并將該補(bǔ)償數(shù)據(jù)反饋至相應(yīng)的子像素中以進(jìn)行補(bǔ)償。

為了更好地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例，下面以第一子像素作為待補(bǔ)償?shù)淖酉袼剡M(jìn)行說(shuō)明。當(dāng)顯示裝置像素單元的第一子像素作為待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貢r(shí)，具體檢測(cè)過(guò)程為：

參照?qǐng)D2，在初始階段時(shí)，s1、s2、s3、s4和s5首先全部處于斷開(kāi)狀態(tài)，將第一子像素的數(shù)據(jù)線通過(guò)其對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元寫為高電壓vg(即第一預(yù)設(shè)電壓)，閉合s2或者s3，從而可以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為0v(即第二預(yù)設(shè)電壓)，或者，通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為0v。

閉合開(kāi)關(guān)s1和s4，使得第二子像素和第三子像素能夠連接到其相應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元，這樣，驅(qū)動(dòng)單元能夠向第二子像素和第三子像素的數(shù)據(jù)線寫入電壓。也即是說(shuō)，在閉合s1和s4之后，就可以通過(guò)其他子像素(即第二子像素，第三子像素和第四子像素)的驅(qū)動(dòng)單元將其他子像素對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線寫為0v。

斷開(kāi)在先已閉合的s2或者s3，使得第一子像素中的t1向檢測(cè)線充電，直至檢測(cè)線電壓不再上升，t1關(guān)斷，認(rèn)為檢測(cè)線的電壓為vg-vth，檢測(cè)線的電壓vg-vth將保存于補(bǔ)償模塊的csmp中。

當(dāng)初始階段完成后，將存儲(chǔ)于csmp中的電壓vg-vth作為初始電壓，閉合s5，將該初始電壓通過(guò)adc輸出到外部存儲(chǔ)器保存。

當(dāng)完成初始階段后，進(jìn)入檢測(cè)階段。

在實(shí)時(shí)檢測(cè)的過(guò)程中，將第一子像素的數(shù)據(jù)線的電壓通過(guò)其對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元寫為vg，閉合s2或者s3，通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元或者第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為vg-vth1，其中vg-vth1為從外部存儲(chǔ)器件保存的初始電壓。閉合s1和s4，將其他子像素的數(shù)據(jù)線的電壓通過(guò)其相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元寫為0v。

在將檢測(cè)線的電壓寫為vg-vth1后，斷開(kāi)s2或者s3，使得第一子像素的t1向檢測(cè)線充電，檢測(cè)線電壓上升。由于檢測(cè)線的電壓已經(jīng)寫為初始電壓，故而此時(shí)檢測(cè)線不再需要從0v開(kāi)始充電，提高充電速度，從而提高檢測(cè)閾值電壓漂移量的速度。

當(dāng)檢測(cè)線電壓上升至vg-vth2時(shí)，t1斷開(kāi)，在補(bǔ)償模塊中的csmp保存有檢測(cè)線電壓的vg-vth2，此時(shí)保存于csmp的vg-vth2為目標(biāo)電壓。其中，在檢測(cè)時(shí)要保證vg-vth2小于oled開(kāi)啟電壓，防止oled開(kāi)啟，保證檢測(cè)過(guò)程的穩(wěn)定。

通過(guò)上述過(guò)程，已經(jīng)得到所需的目標(biāo)電壓，此時(shí)開(kāi)始進(jìn)入補(bǔ)償階段。

在補(bǔ)償階段，將得到的目標(biāo)電壓輸出到外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路去計(jì)算補(bǔ)償電壓，具體為，閉合s5，使得檢測(cè)線和adc連接，就可以通過(guò)adc將保存于csmp的目標(biāo)電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)輸出至外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路了。

外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路接收到adc傳送的數(shù)字信號(hào)后，由于vg是已知的，因此根據(jù)vg-vth2和vg-vth1就可以計(jì)算出閾值電壓的漂移量，并將其存儲(chǔ)。在顯示面板顯示時(shí)，就可以基于該漂移量對(duì)于像素單元中的子像素輸入相應(yīng)的補(bǔ)償電壓，以補(bǔ)償發(fā)光器件的老化情況，使得整個(gè)顯示面板上各發(fā)光器件的亮度是相同的。

需要說(shuō)明的是，在實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，除了可以利用如前述的外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路計(jì)算補(bǔ)償電壓以進(jìn)行像素補(bǔ)償之外，也可以是通過(guò)其他電路結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此無(wú)需加以限制。

本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置具有補(bǔ)償模塊，顯示裝置中的任意兩個(gè)子像素通過(guò)該補(bǔ)償模塊與驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行電連接。通過(guò)控制補(bǔ)償模塊可以檢測(cè)出針對(duì)像素單元中待補(bǔ)償?shù)淖酉袼氐难a(bǔ)償電壓，然后就可以利用該補(bǔ)償電壓對(duì)于待補(bǔ)償?shù)淖酉袼剡M(jìn)行補(bǔ)償，相對(duì)于在先需要擬合出每個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)tft的電壓電流特性，再基于該特性計(jì)算出相應(yīng)亮度所要輸出的補(bǔ)償電壓的方式而言，本發(fā)明通過(guò)補(bǔ)償模塊控制電流流向，可以直接檢測(cè)出補(bǔ)償電壓，使得子像素亮度補(bǔ)償效果更加理想。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種像素補(bǔ)償方法。

所述方法涉及顯示裝置，顯示裝可以包括顯示面板和驅(qū)動(dòng)電路，所述顯示面板具有多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元中的任意兩個(gè)子像素與所述驅(qū)動(dòng)電路之間電連接有補(bǔ)償模塊，所述方法具體可以包括如下步驟：

通過(guò)所述補(bǔ)償模塊獲取各子像素的補(bǔ)償電壓，并基于所述補(bǔ)償電壓對(duì)相應(yīng)的子像素進(jìn)行補(bǔ)償。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，一個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)所述子像素進(jìn)行顯示；

所述每個(gè)所述像素單元中的任意兩個(gè)子像素與對(duì)應(yīng)的兩個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元之間均電連接有一個(gè)所述補(bǔ)償模塊。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，一個(gè)所述像素單元中的全部所述子像素共用一條檢測(cè)線；

所述補(bǔ)償模塊包括五個(gè)薄膜晶體管、一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器和一個(gè)補(bǔ)償存儲(chǔ)電容，所述五個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的電壓源電連接；

所述五個(gè)薄膜晶體管為第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管和第五薄膜晶體管；

每個(gè)所述像素單元中的任意兩個(gè)子像素所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元為第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元；

所述第一驅(qū)動(dòng)單元與所述第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的源極連接，所述第一薄膜晶體管的漏極與一個(gè)子像素的數(shù)據(jù)線連接，所述第二驅(qū)動(dòng)單元與所述第三薄膜晶體管的源極和所述第四薄膜晶體管的源極連接，所述第四薄膜晶體管的漏極與另一個(gè)子像素的數(shù)據(jù)線連接；

所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸入端與所述第五薄膜晶體管的源極連接，所述第五薄膜晶體管的漏極與檢測(cè)線，第二薄膜晶體管的漏極，第三薄膜晶體管的漏極和所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容的一端連接，所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容的另一端接地，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸出端連接至外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述子像素包括有機(jī)發(fā)光二極管、像素存儲(chǔ)電容、感應(yīng)電容、以及，第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管和第八薄膜晶體管，所述像素存儲(chǔ)電容連接于所述第六薄膜晶體管的源極和柵極之間，所述第七薄膜晶體管的漏極與所述子像素對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接，所述感應(yīng)電容連接于所述第八薄膜晶體管的柵極和地之間，所述第六薄膜晶體管的漏極與參考電壓源連接，所述第六薄膜晶體管的源極與有機(jī)發(fā)光二極管連接，所述第七薄膜晶體管和所述第八薄膜晶體管的柵極與不同的電壓源連接，所述第八薄膜晶體管的源極與檢測(cè)線連接。

在本發(fā)明實(shí)施例的過(guò)程可以主要分為三個(gè)過(guò)程，一個(gè)是初始階段，用于獲得初始電壓，一個(gè)是檢測(cè)階段，用于基于初始電壓進(jìn)一步得到目標(biāo)電壓，一個(gè)是補(bǔ)償階段，用于基于目標(biāo)電壓計(jì)算補(bǔ)償數(shù)據(jù)，并將該補(bǔ)償數(shù)據(jù)反饋至相應(yīng)的子像素中以進(jìn)行補(bǔ)償。

在本發(fā)明實(shí)施例中，由四個(gè)子像素構(gòu)成的像素單元，其有兩個(gè)子像素通過(guò)補(bǔ)償模塊連接至相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元，例如像素單元中間的兩個(gè)子像素可以通過(guò)補(bǔ)償模塊分別連接到第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元。當(dāng)需要進(jìn)行像素補(bǔ)償，在初始階段和檢測(cè)階段檢測(cè)初始電壓和目標(biāo)電壓時(shí)，通過(guò)補(bǔ)償模塊連接到相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元的兩個(gè)子像素的檢測(cè)方式是相似的，沒(méi)有通過(guò)補(bǔ)償模塊連接到相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元的兩個(gè)子像素的檢測(cè)方式是相似的。

下面對(duì)于當(dāng)像素單元中間的兩個(gè)子像素通過(guò)補(bǔ)償模塊分別連接到第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元時(shí)，像素單元中各子像素實(shí)現(xiàn)像素補(bǔ)償過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明。

在初始階段，位于不同位置的子像素，得到其初始電壓的過(guò)程略有不同，具體地：

假設(shè)像素單元包括第一子像素，第二子像素，第三子像素和第四子像素，若每個(gè)所述像素單元中的所述第二子像素和所述第三子像素通過(guò)所述補(bǔ)償模塊與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元電連接，則獲取第一子像素的初始電壓的方式為：

在初始階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谝蛔酉袼貢r(shí)，通過(guò)所述第一子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第一子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓，或者，閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第一薄膜晶體管和所述第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第二子像素，第三子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第二薄膜晶體管或者所述第三薄膜晶體管，使得所述第一子像素的第六薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓存儲(chǔ)于補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為初始電壓。

假設(shè)像素單元包括第一子像素，第二子像素，第三子像素和第四子像素，若每個(gè)所述像素單元中的所述第二子像素和所述第三子像素通過(guò)所述補(bǔ)償模塊與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元電連接，則獲取第二子像素的初始電壓的方式為：

在初始階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)所述待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈诙酉袼貢r(shí)，閉合所述第一薄膜晶體管，以通過(guò)所述第二子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第二子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第三子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第三薄膜晶體管，使得所述第二子像素的第一薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓存儲(chǔ)于補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為初始電壓。

假設(shè)像素單元包括第一子像素，第二子像素，第三子像素和第四子像素，若每個(gè)所述像素單元中的所述第二子像素和所述第三子像素通過(guò)所述補(bǔ)償模塊與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元電連接，則獲取第三子像素的初始電壓的方式為：

在初始階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)所述待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谌酉袼貢r(shí)，閉合所述第四薄膜晶體管，以通過(guò)所述第三子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第三子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第一薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第二子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第二薄膜晶體管，使得所述第三子像素的第一薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓存儲(chǔ)于補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為初始電壓。

假設(shè)像素單元包括第一子像素，第二子像素，第三子像素和第四子像素，若每個(gè)所述像素單元中的所述第二子像素和所述第三子像素通過(guò)所述補(bǔ)償模塊與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元電連接，則獲取第四子像素的初始電壓的方式為：

在初始階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)所述待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谒淖酉袼貢r(shí)，通過(guò)所述第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第四子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓，或者，閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第一薄膜晶體管和第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第二子像素和第三子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)所述第二薄膜晶體管或者所述第三薄膜晶體管，使得所述第四子像素的第一薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓存儲(chǔ)于補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為初始電壓。

在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)?shù)玫匠跏茧妷褐螅€可以通過(guò)閉合所述第五薄膜晶體管，使得存儲(chǔ)于所述電容的初始電壓通過(guò)所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器將輸出至外部的存儲(chǔ)器保存。

在檢測(cè)階段，位于不同位置的子像素，得到其目標(biāo)電壓的過(guò)程略有不同，相應(yīng)于上述得到初始電壓的過(guò)程，具體地：

獲取第一子像素的目標(biāo)電壓的方式為：

在檢測(cè)階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谝蛔酉袼貢r(shí)，通過(guò)所述第一子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第一子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓，或者，閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為所述第一預(yù)設(shè)電壓和初始電壓的差值；

閉合第一薄膜晶體管和所述第四薄膜晶體管，從而分別通過(guò)所述第二子像素，第三子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第二薄膜晶體管或者所述第三薄膜晶體管，使得所述第一子像素的第六薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，將所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓保存在所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為目標(biāo)電壓。

獲取第二子像素的目標(biāo)電壓的方式為：

在檢測(cè)階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈诙酉袼貢r(shí)，閉合所述第一薄膜晶體管，以通過(guò)所述第二子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第二子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓；

閉合所述第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第三子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第三薄膜晶體管，使得所述第二子像素的第六薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，將所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓保存在所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為目標(biāo)電壓。

獲取第三子像素的目標(biāo)電壓的方式為：

在檢測(cè)階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)所述待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谌酉袼貢r(shí)，閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)所述第三子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第三子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓；

閉合所述第一薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第二子像素和第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第二薄膜晶體管，使得所述第三子像素的第一薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，將所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓保存在所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為目標(biāo)電壓。

獲取第四子像素的目標(biāo)電壓的方式為：

在檢測(cè)階段，斷開(kāi)所述五個(gè)薄膜晶體管，當(dāng)所述待補(bǔ)償?shù)淖酉袼貫榈谒淖酉袼貢r(shí)，通過(guò)所述第四子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將所述第四子像素的數(shù)據(jù)線寫為第一預(yù)設(shè)電壓；

閉合所述第二薄膜晶體管，以通過(guò)第二子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓，或者，閉合所述第三薄膜晶體管，以通過(guò)第三子像素的驅(qū)動(dòng)單元將檢測(cè)線的電壓寫為初始電壓；

閉合所述第一薄膜晶體管和第四薄膜晶體管，分別通過(guò)所述第一子像素，第二子像素和第三子像素對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元將其數(shù)據(jù)線的電壓寫為第二預(yù)設(shè)電壓；

斷開(kāi)在先已閉合的所述第二薄膜晶體管或者所述第三薄膜晶體管，使得所述第四子像素的第一薄膜晶體管向檢測(cè)線充電直至所述檢測(cè)線的電壓停止上升，將所述停止上升后的檢測(cè)線的電壓保存在所述補(bǔ)償存儲(chǔ)電容中作為目標(biāo)電壓。

在補(bǔ)償階段，得到目標(biāo)電壓之后，閉合所述第五薄膜晶體管，使得存儲(chǔ)于所述電容的目標(biāo)電壓通過(guò)所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器將輸出至所述外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路，外部計(jì)數(shù)器控制寄存電路用于基于初始電壓和目標(biāo)電壓計(jì)算補(bǔ)償數(shù)據(jù)，并將該補(bǔ)償數(shù)據(jù)反饋至相應(yīng)的子像素中以進(jìn)行補(bǔ)償。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)單元還具有鎖存單元，延遲單元，數(shù)模轉(zhuǎn)換器；其中，所述鎖存單元與延遲單元相連，所述延遲單元與數(shù)模轉(zhuǎn)換器相連，所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器與運(yùn)算放大單元的正極輸入端相連，所述運(yùn)算放大器的負(fù)極輸入端與所述其輸出端相連。

對(duì)于像素補(bǔ)償方法實(shí)施例而言，由于其與顯示裝置實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)顯示裝置實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。

本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置具有補(bǔ)償模塊，顯示裝置中的任意兩個(gè)子像素通過(guò)該補(bǔ)償模塊與驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行電連接。通過(guò)控制補(bǔ)償模塊可以檢測(cè)出針對(duì)像素單元中待補(bǔ)償?shù)淖酉袼氐难a(bǔ)償電壓，然后就可以利用該補(bǔ)償電壓對(duì)于待補(bǔ)償?shù)淖酉袼剡M(jìn)行補(bǔ)償，相對(duì)于在先需要擬合出每個(gè)子像素驅(qū)動(dòng)tft的電壓電流特性，再基于該特性計(jì)算出相應(yīng)亮度所要輸出的補(bǔ)償電壓的方式而言，本發(fā)明通過(guò)補(bǔ)償模塊控制電流流向，可以直接檢測(cè)出補(bǔ)償電壓，使得子像素亮度補(bǔ)償效果更加理想。

本說(shuō)明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可。

最后，還需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種顯示裝置和一種像素補(bǔ)償方法，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。