本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路及其過流保護(hù)方法、液晶顯示器。

背景技術(shù)：

GOA(Gate Driver On Array，陣列基板行驅(qū)動(dòng))技術(shù)由于可直接制作在面板周圍等特點(diǎn)而發(fā)展得如火如荼，其中一項(xiàng)在GOA技術(shù)中經(jīng)常使用的技術(shù)是Discharge技術(shù)，是指在工作過程中，如果輸入電壓降低至某一個(gè)電壓點(diǎn)時(shí)，電平轉(zhuǎn)換器(Level Shifter)的所有的輸出電壓全部拉至VGH(Voltage Gate High，柵極驅(qū)動(dòng)高電平信號(hào))，用以消除殘影，達(dá)到放掉像素中暫存電荷的問題。

然而，當(dāng)輸入電壓降低至某一個(gè)電壓點(diǎn)V1時(shí)，即Discharge功能被觸發(fā)時(shí)，如圖1所示，電平轉(zhuǎn)換器的所有輸出電壓(例如，時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 1～N)拉至柵極驅(qū)動(dòng)高電平信號(hào)，此時(shí)，相當(dāng)于每個(gè)像素的柵極(Gate)都會(huì)打開。由于瞬間的能量太大，就會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)高電平信號(hào)的瞬間抽載超出限定，對(duì)于大尺寸的面板，甚至?xí)?～3A的電流，這個(gè)時(shí)候輸入也會(huì)有大電流，甚至有機(jī)會(huì)燒壞IC(Integrated Circuit,集成電路)/Fuse(保險(xiǎn)絲)，以及觸發(fā)OCP(Over Current Protection，過流保護(hù))。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的Discharge功能被觸發(fā)時(shí)的上述缺陷，提供一種陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路及其過流保護(hù)方法、液晶顯示器。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供了一種陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，包括：

電平轉(zhuǎn)換器和與所述電平轉(zhuǎn)換器連接的N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元；

在輸入電壓低于預(yù)定電壓值時(shí)，所述電平轉(zhuǎn)換器每間隔預(yù)定時(shí)間通過其電平輸出以控制所述N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元中的部分陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，直至所述N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元均已進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；

其中，所述N為大于或等于2的正整數(shù)。

其中，所述電平轉(zhuǎn)換器向每個(gè)所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元輸出一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)以控制所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；

在輸入電壓低于預(yù)定電壓值時(shí)，所述電平轉(zhuǎn)換器所輸出的N個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)均為第二電平，且每間隔預(yù)定時(shí)間新增所輸出的N個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)中的其中一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)為第一電平，以每間隔預(yù)定時(shí)間控制一個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。

其中，所述電平轉(zhuǎn)換器包括N個(gè)控制單元和N個(gè)電平轉(zhuǎn)換單元，所述N個(gè)控制單元依次連接，且每個(gè)控制單元與對(duì)應(yīng)一個(gè)電平轉(zhuǎn)換單元連接；

第i個(gè)控制單元控制與所述第i個(gè)控制單元對(duì)應(yīng)連接的電平轉(zhuǎn)換單元輸出的時(shí)鐘控制信號(hào)拉至第一電平，且通過第i+1個(gè)控制單元控制與第i+1個(gè)控制單元對(duì)應(yīng)連接的電平轉(zhuǎn)換單元輸出的時(shí)鐘控制信號(hào)被拉至第二電平，且在間隔所述預(yù)定時(shí)間時(shí)通過第i+1個(gè)控制單元控制與第i+1個(gè)控制單元對(duì)應(yīng)連接的電平轉(zhuǎn)換單元輸出的時(shí)鐘控制信號(hào)拉至第一電平；

其中，i大于或等于1，且小于或等于N。

其中，每個(gè)控制單元包括比較器、恒流源和充電電容，所述比較器的輸出端與所述恒流源的一端連接，所述恒流源的另一端與所述充電電容的一端連接，所述充電電容的另一端連接參考地。

其中，第1個(gè)控制單元中的比較器的負(fù)輸入端連接輸入電壓、正輸入端連接第一參考電壓，第j個(gè)控制單元中的比較器的正輸入端連接第j-1個(gè)控制單元中的恒流源與充電電容之間的節(jié)點(diǎn)、負(fù)輸入端連接第二參考電壓，其中，j大于或等于2，且小于或等于N。

其中，所述第一參考電壓和第二參考電壓相等，所述預(yù)設(shè)電壓值等于所述第一參考電壓。

其中，所述電平轉(zhuǎn)換單元包括兩個(gè)串聯(lián)連接的晶體管。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的另一技術(shù)方案是提供了一種液晶顯示器，包括上述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路和N行薄膜晶體管，每行薄膜晶體管分別與所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元連接。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的另一技術(shù)方案是提供了一種應(yīng)用于陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路的過流保護(hù)方法，所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路包括電平轉(zhuǎn)換器和與所述電平轉(zhuǎn)換器連接的N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元，其中，N為大于或等于2的正整數(shù)；

所述方法包括：

在輸入電壓低于預(yù)定電壓值時(shí)，所述電平轉(zhuǎn)換器每間隔預(yù)定時(shí)間通過其輸出電平以控制所述N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元中的部分陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，直至所述N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元均已進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。

其中，所述電平轉(zhuǎn)換器向每個(gè)所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元輸出一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)以控制所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；

在輸入電壓低于預(yù)定電壓值時(shí)，所述電平轉(zhuǎn)換器所輸出的N個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)均為第二電平，且每間隔預(yù)定時(shí)間新增所輸出的N個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)中的其中一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)為第一電平，以每間隔預(yù)定時(shí)間控制一個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。

本發(fā)明的有益效果有：即在觸發(fā)Discharge功能時(shí)，電平轉(zhuǎn)換器每間隔預(yù)定時(shí)間將其部分電平輸出控制部分陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，直到所有的陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，有效減少因所有的電平輸出一次性驅(qū)動(dòng)所有的陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元而引起的大電流，進(jìn)而防止IC和Fuse燒壞。

此外，在觸發(fā)Discharge功能時(shí)，每次將電平轉(zhuǎn)換器輸出的其中一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)輸出為高電平，陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路的瞬間抽載僅限于一個(gè)為高電平的時(shí)鐘控制信號(hào)，不會(huì)超出限定而引起驅(qū)動(dòng)異常甚至損壞。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中：

圖1是現(xiàn)有陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中電平轉(zhuǎn)換器的所有輸出電壓的信號(hào)圖；

圖2是本發(fā)明的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中電平轉(zhuǎn)換器輸出的第一實(shí)施例的所有時(shí)鐘控制信號(hào)的信號(hào)圖；

圖4是本發(fā)明的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中電平轉(zhuǎn)換器輸出的第二實(shí)施例的所有時(shí)鐘控制信號(hào)的信號(hào)圖；

圖5是本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)換器實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明的應(yīng)用于陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路的過流保護(hù)方法實(shí)施例的流程圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步詳細(xì)描述。

如圖2所示，是本發(fā)明的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路100包括電平轉(zhuǎn)換器101和N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元，電平轉(zhuǎn)換器101與N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元連接。其中，N為大于或等于2的正整數(shù)，N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元(GOA單元)包括如圖2所示的第1個(gè)GOA單元1021、第2個(gè)GOA單元1022…第N-1個(gè)GOA單元102N-1、第N個(gè)GOA單元102N，每個(gè)GOA單元對(duì)應(yīng)于一行TFT。電平轉(zhuǎn)換器101用于向陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元提供電平輸出以控制陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。當(dāng)輸入電壓Vin低于預(yù)定電壓值V0時(shí)，電平轉(zhuǎn)換器101每間隔預(yù)定時(shí)間通過其電平輸出以控制N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元中的部分陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，直至N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元均已進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。在本實(shí)施例中，在輸入電壓Vin低于預(yù)定電壓值V0時(shí)，即觸發(fā)Discharge功能，通過電平轉(zhuǎn)換器每間隔預(yù)定時(shí)間的電平輸出來控制部分陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，進(jìn)而將所有的陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元均進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，即在觸發(fā)Discharge功能時(shí)，每間隔預(yù)定時(shí)間將其部分電平輸出控制部分陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，直到所有的陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，有效減少因所有的電平輸出一次性驅(qū)動(dòng)所有的陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元而引起的大電流，進(jìn)而防止IC和Fuse燒壞。

進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，電平轉(zhuǎn)換器101為達(dá)到每間隔預(yù)定時(shí)間通過其電平輸出來控制部分陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的目的，電平轉(zhuǎn)換器101用于向每個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元輸出一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)以控制陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，例如，如圖2所示，時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT1控制第1個(gè)GOA單元，由于N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元，電平轉(zhuǎn)換器101輸出N個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 1～N。此時(shí)，在輸入電壓Vin低于預(yù)定電壓值V0時(shí)，電平轉(zhuǎn)換器101輸出的N個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)均為第二電平，并且每間隔預(yù)定時(shí)間T新增所輸出的N個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)中的其中一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)為第一電平，以每間隔預(yù)定時(shí)間控制一個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。在本實(shí)施例中，第一電平為高電平，第二電平為低電平，如圖3所示，假設(shè)輸入電壓Vin低于預(yù)定電壓值V0在時(shí)刻t0，此時(shí)，時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 1～N均為第二電平，即低電平，進(jìn)而，在時(shí)刻t0+0*T，即時(shí)刻t0，新增時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 1為高電平，在時(shí)刻t0+1*T，新增時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 2為高電平，依次新增直到所有的時(shí)鐘控制信號(hào)均為高電平時(shí)，即完成每間隔預(yù)設(shè)時(shí)間T新增所輸出的N個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)中的其中一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)為高電平。這樣，在輸入電壓Vin低于預(yù)定電壓值V0時(shí)，將所有的時(shí)鐘控制信號(hào)輸出為高電平，放出像素內(nèi)的暫存電荷，并且由于每次將其中一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)輸出為高電平，陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路的瞬間抽載僅限于一個(gè)為高電平的時(shí)鐘控制信號(hào)，不會(huì)超出限定而引起驅(qū)動(dòng)異常甚至損壞。在其他實(shí)施例中，根據(jù)時(shí)鐘控制信號(hào)在輸入電壓Vin低于預(yù)定電壓值V0時(shí)的情況，電平轉(zhuǎn)換器101將所輸出的N個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)每間隔預(yù)定時(shí)間來控制部分陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元還可以其他方式，例如，如圖4所示，在輸入電壓低于預(yù)定電壓值時(shí)，電平轉(zhuǎn)換器101將其中一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)輸出為高電平，如圖4中的時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 1，剩下的時(shí)鐘控制信號(hào)輸出為低電平，隨后，將剩下的時(shí)鐘控制信號(hào)依次且按照預(yù)定時(shí)間T輸出為高電平，即每間隔預(yù)定時(shí)間T一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)輸出為高電平，直到剩下的時(shí)鐘控制信號(hào)均輸出為高電平。

需要說明的是，在本發(fā)明中，電平轉(zhuǎn)換器101為達(dá)到每間隔預(yù)定時(shí)間通過其電平輸出來控制部分陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的目的，電平轉(zhuǎn)換器101還可以向陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元輸出其他電平信號(hào)，而非時(shí)鐘控制信號(hào)，僅需要通過其電平輸出來控制陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)即可，在此不作限定。

進(jìn)一步地，如圖5所示，是本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)換器實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，包括N個(gè)控制單元和N個(gè)電平轉(zhuǎn)換單元，N個(gè)控制單元依次連接，且每個(gè)控制單元與對(duì)應(yīng)一個(gè)電平轉(zhuǎn)換單元連接。

第i個(gè)控制單元控制與第i個(gè)控制單元對(duì)應(yīng)連接的電平轉(zhuǎn)換單元輸出的時(shí)鐘控制信號(hào)拉至第一電平，且通過第i+1個(gè)控制單元控制與第i+1個(gè)控制單元對(duì)應(yīng)連接的電平轉(zhuǎn)換單元輸出的時(shí)鐘控制信號(hào)被拉至第二電平，且在間隔預(yù)定時(shí)間T時(shí)通過第i+1個(gè)控制單元控制與第i+1個(gè)控制單元對(duì)應(yīng)連接的電平轉(zhuǎn)換單元輸出的時(shí)鐘控制信號(hào)拉至第一電平；其中，i大于或等于1，且小于或等于N。如圖5所示，在輸入電壓Vin低于預(yù)定電壓值V0時(shí)，第1個(gè)控制單元控制對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換單元輸出為高電平的時(shí)鐘控制信號(hào)，即時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 1為高電平，同時(shí)，通過第2個(gè)控制單元控制對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換單元輸出為低電平的時(shí)鐘控制信號(hào)，而第2個(gè)控制單元通過第3個(gè)控制單元控制對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換單元輸出為低電平的時(shí)鐘控制信號(hào)，依次類推，剩下的時(shí)鐘控制信號(hào)為低電平，即時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 2～N為低電平。接著，在間隔預(yù)設(shè)時(shí)間T時(shí)，第1個(gè)控制單元通過第2個(gè)控制單元控制與第2個(gè)控制單元對(duì)應(yīng)連接的電平轉(zhuǎn)換單元輸出的時(shí)鐘控制信號(hào)拉至高電平，即時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 2為高電平，此時(shí)，剩余的時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 3～N依然為低電平，依次類推，再間隔預(yù)定時(shí)間T，時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 3為高電平，直到所有的時(shí)鐘控制信號(hào)均為高電平。

具體地，在本實(shí)施例中，每個(gè)控制單元包括比較器、恒流源和充電電容，比較器的輸出端與恒流源的一端連接，恒流源的另一端與充電電容的一端連接，充電電容的另一端連接參考地。

如圖5所示，第1個(gè)控制單元中的比較器5011的負(fù)輸入端連接輸入電壓、正輸入端連接第一參考電壓Vref1。第j個(gè)控制單元中的比較器的正輸入端連接第j-1個(gè)控制單元中的恒流源與充電電容之間的節(jié)點(diǎn)、負(fù)輸入端連接第二參考電壓Vref2，其中，j大于或等于2，且小于或等于N。例如，如圖5所示，第2個(gè)控制單元中的比較器5021的正輸入端連接第1個(gè)控制單元中的恒流源5012與充電電容5013之間的節(jié)點(diǎn)、負(fù)輸入端連接第二參考電壓Vref2，第3個(gè)控制單元中的比較器5031的正輸入端連接第2個(gè)控制單元中的恒流源5022與充電電容5023之間的節(jié)點(diǎn)、負(fù)輸入端連接第二參考電壓Vref2，依次類推。在本實(shí)施例中第一參考電壓Vref1等于第二參考電壓Vref2，第一參考電壓Vref1等于預(yù)設(shè)電壓值V0。

進(jìn)一步地，電平轉(zhuǎn)換單元包括兩個(gè)串聯(lián)連接的晶體管，分別為上晶體管和下晶體管。兩個(gè)晶體管的串聯(lián)連接根據(jù)晶體管的類型不同而不同，在此不再說明。

下面將結(jié)合圖5詳細(xì)說明下本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)每間隔預(yù)定時(shí)間T輸出為高電平的時(shí)鐘控制信號(hào)的工作原理。

在輸入電壓Vin低于預(yù)設(shè)電壓值V0時(shí)，由于第一參考電壓Vref1等于預(yù)設(shè)電壓值V0，即輸入電壓Vin低于第一參考電壓Vref1，此時(shí)，比較器5011輸出高電平，進(jìn)而高電平控制對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換單元中的上晶體管導(dǎo)通，輸出高電平，即時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 1為高電平，同時(shí)，恒流源5012打開，給充電電容5013充電，在充電過程中，充電電容5013的電壓V2小于第二參考電壓Vref2，比較器5021輸出低電平，進(jìn)而低電平控制對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換單中的下晶體管導(dǎo)通，輸出低電平，即時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 2為低電平，同理，第N個(gè)控制單元控制對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換單元輸出低電平，即時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT N為低電平。

在預(yù)定時(shí)間T時(shí)，恒流源5012給充電電容5013充電達(dá)到其電壓V2大于第二參考電壓Vref2，即恒流源5012給充電電容5013充電預(yù)定時(shí)間T，此時(shí)，比較器5021輸出高電平，進(jìn)而高電平控制對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換單元的上晶體管導(dǎo)通，輸出高電平，即時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 2為高電平，同時(shí)，恒流源5022打開，給充電電容5023充電，在充電過程中，充電電容5023的電壓V3小于第二參考電壓Vref2，比較器5021輸出低電平，進(jìn)而低電平控制對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換單中的下晶體管導(dǎo)通，輸出低電平，即時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 3依然為低電平，同理，第N個(gè)控制單元控制對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換單元輸出低電平，即時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT N依然為低電平。

同理，在恒流源5022給充電電容5023充電預(yù)定時(shí)間T時(shí)，第3個(gè)控制單元控制對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換單元輸出高電平，即時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT 3。

依次類推，在恒流源50N1給充電電容50N3充電預(yù)定時(shí)間T時(shí)，第N個(gè)控制單元控制對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換單元輸出高電平，即時(shí)鐘控制信號(hào)CLKOUT N為高電平。

值得注意的是，上述控制單元未必根據(jù)其前一個(gè)控制單元的輸出控制其對(duì)應(yīng)電平轉(zhuǎn)換電路的輸出，在其他實(shí)施例中，該電平轉(zhuǎn)換器的所有控制單元均根據(jù)另設(shè)的一控制電路的輸出控制其對(duì)應(yīng)電平轉(zhuǎn)換電路的輸出。

另外，以上僅舉例列出電平轉(zhuǎn)換器每間隔預(yù)定時(shí)間控制一個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，但在其他實(shí)施例中，電平轉(zhuǎn)換器每間隔預(yù)定時(shí)間可控制多個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，在此不作限定。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示器，包括陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路和N行薄膜晶體管，每行薄膜晶體管分別與陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元連接，其中，陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路如圖2和圖5所示，詳見相關(guān)說明，在此不再贅述。

如圖6所示，是本發(fā)明的應(yīng)用于陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路的過流保護(hù)方法實(shí)施例的流程圖，其中，陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路如圖2和圖5所示，詳見相關(guān)說明，在此不再贅述。該方法包括：

步驟S602：在輸入電壓低于預(yù)定電壓值時(shí)，電平轉(zhuǎn)換器每間隔預(yù)定時(shí)間通過其電平輸出以控制N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元中的部分陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；

步驟S604：重復(fù)步驟S602，直至N個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元均已進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。

在本實(shí)施例中，在輸入電壓低于預(yù)定電壓值時(shí)，即在觸發(fā)Discharge功能時(shí)，每間隔預(yù)定時(shí)間將其部分電平輸出控制部分陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，直到所有的陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，有效減少因所有的電平輸出一次性輸出而引起的大電流，進(jìn)而防止IC和Fuse燒壞。

進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，電平轉(zhuǎn)換器向每個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元輸出一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)以控制陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；在輸入電壓低于預(yù)定電壓值時(shí)，電平轉(zhuǎn)換器所輸出的N個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)均為第二電平，且每間隔預(yù)定時(shí)間新增所輸出的N個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)中的其中一個(gè)時(shí)鐘控制信號(hào)為第一電平，以每間隔預(yù)定時(shí)間控制一個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。在本實(shí)施例中，在輸入電壓低于預(yù)定電壓值時(shí)，將電平轉(zhuǎn)換器輸出的時(shí)鐘控制信號(hào)每間隔預(yù)定時(shí)間設(shè)置為高電平以驅(qū)動(dòng)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元，有效減少因所有的時(shí)鐘控制信號(hào)一次性輸出為高電平而引起的大電流，進(jìn)而防止IC和Fuse燒壞。

以上僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。