本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素驅(qū)動電路及其驅(qū)動方法和顯示裝置。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED）顯示器是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點之一。與液晶顯示器相比，有機(jī)發(fā)光二極管OLED具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點，目前，在手機(jī)、PDA（掌上電腦）、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域，OLED已經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的LCD顯示屏。像素驅(qū)動電路設(shè)計是AMOLED顯示器核心技術(shù)內(nèi)容，具有重要的研究意義。

與TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器）利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，OLED屬于電流驅(qū)動，需要穩(wěn)定的電流來控制發(fā)光。由于工藝制程和器件老化等原因，在現(xiàn)有的兩個晶體管T1、T2和一個存儲電容C的驅(qū)動電路中（參照圖1所示），其中驅(qū)動電流I_OLED是由于數(shù)據(jù)線提供的電壓Vdata作用在驅(qū)動晶體管(DTFT)飽和區(qū)域而產(chǎn)生的電流。該電流驅(qū)動OLED以發(fā)光，其中驅(qū)動電流計算公式為I_OLED=K(V_GS-Vth)²，其中V_GS為驅(qū)動晶體管柵極和源極之間的電壓，Vth為驅(qū)動晶體管的閾值電壓。由于工藝制程和器件老化等原因，各像素點的驅(qū)動TFT的閾值電壓（Vth）存在不均勻性，各像素點的驅(qū)動TFT（即圖中T2）的閾值電壓存在不均勻性，這樣就導(dǎo)致了流過每個像素點OLED的電流發(fā)生變化，從而影響整個圖像的顯示效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種像素驅(qū)動電路及其驅(qū)動方法和顯示裝置，能夠避免驅(qū)動單元的閾值電壓漂移對有源發(fā)光器件驅(qū)動電流的影響，進(jìn)而提高了顯示圖像的均勻性；并且提高了像素在暗態(tài)時的顯示效果，增加了顯示的對比度。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明實施例提供了一種像素驅(qū)動電路。所述像素驅(qū)動電路包括：發(fā)光器件、存儲電容、驅(qū)動單元和五個開關(guān)單元；每個開關(guān)單元包括控制端、第一信號端和第二信號端；所述開關(guān)單元的控制端用于開啟或關(guān)閉所述第一信號端和第二信號端之間的導(dǎo)通；所述驅(qū)動單元包括控制端、信號輸入端和驅(qū)動端，所述驅(qū)動單元的控制端和信號輸入端用于控制在驅(qū)動端輸出的驅(qū)動信號；所述驅(qū)動單元的控制端與所述存儲電容的第一端、第一開關(guān)單元的第一信號端、第二開關(guān)單元的第一信號端、以及第三開關(guān)單元的控制端相連接；所述第一開關(guān)單元的控制端用于輸入復(fù)位信號，所述第一開關(guān)單元的第二信號端與初始化電壓相連接；所述第二開關(guān)單元的控制端用于輸入掃描信號，所述第二開關(guān)單元的第二信號端與所述第三開關(guān)單元的第一信號端相連接；所述第三開關(guān)單元的第二信號端用于輸入數(shù)據(jù)信號；第四開關(guān)單元的控制端用于輸入發(fā)光信號；第五開關(guān)單元的控制端用于輸入復(fù)位信號，所述第五開關(guān)單元的第一信號端與初始化電壓相連接，所述第五開關(guān)單元的第二信號端與所述發(fā)光器件的第一端相連接；其中，所述驅(qū)動單元的信號輸入端與所述存儲電容的第二端以及第一電壓相連接，所述驅(qū)動單元的驅(qū)動端與所述第四開關(guān)單元的第一信號端相連接，所述第四開關(guān)單元的第二信號端與所述發(fā)光器件的第一端相連接；或者，所述第四開關(guān)單元的第一信號端與所述存儲電容的第二端以及第一電壓相連接，所述第四開關(guān)單元的第二信號端與所述驅(qū)動單元的信號輸入端相連接，所述驅(qū)動單元的驅(qū)動端與所述發(fā)光器件的第一端相連接；所述發(fā)光器件的第二端與第二電壓相連接。

在本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路中，驅(qū)動單元的控制端與存儲電容的第一端、第一開關(guān)單元的第一信號端、第二開關(guān)單元的第一信號端、以及第三開關(guān)單元的控制端相連接；所述第一開關(guān)單元的控制端用于輸入復(fù)位信號，所述第一開關(guān)單元的第二信號端與初始化電壓相連接；所述第二開關(guān)單元的控制端用于輸入掃描信號，所述第二開關(guān)單元的第二信號端與所述第三開關(guān)單元的第一信號端相連接；所述第三開關(guān)單元的第二信號端用于輸入數(shù)據(jù)信號；第四開關(guān)單元的控制端用于輸入發(fā)光信號；第五開關(guān)單元的控制端用于輸入復(fù)位信號，所述第五開關(guān)單元的第一信號端與初始化電壓相連接，所述第五開關(guān)單元的第二信號端與所述發(fā)光器件的第一端相連接。利用本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路，在所述發(fā)光器件發(fā)光之前，數(shù)據(jù)信號電壓和所述第三開關(guān)單元的閾值電壓之和能夠被寫入所述驅(qū)動單元的控制端，由此消除驅(qū)動單元閾值電壓的變化對于發(fā)光的影響；并且還可以使用相對小的存儲電容來實現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)。同時，可以利用第五開關(guān)單元來初始化發(fā)光器件的第一端，使得發(fā)光器件兩端的跨壓在發(fā)光之前能夠被調(diào)整為例如零。在實現(xiàn)較低灰階的暗態(tài)顯示時，驅(qū)動單元產(chǎn)生的漏電流可以通過所述第五開關(guān)單元的第一信號端流出；因此，漏電流不會流至所述發(fā)光器件，使得所述發(fā)光器件能夠準(zhǔn)確地展現(xiàn)暗態(tài)，從而增加顯示的對比度。本發(fā)明實施例利用一個存儲電容、一個驅(qū)動單元和五個開關(guān)單元來實現(xiàn)驅(qū)動電路，能夠獲得更小的像素布局，其有助于提高顯示的分辨率；并且提高了像素在暗態(tài)時的顯示效果，增加了對比度。

可選地，所述驅(qū)動單元和五個開關(guān)單元均為薄膜晶體管；每個開關(guān)單元的控制端和所述驅(qū)動單元的控制端均是薄膜晶體管的柵極；每個開關(guān)單元的第一信號端和第二信號端分別是薄膜晶體管的源極和漏極，或者，每個開關(guān)單元的第一信號端和第二信號端分別是薄膜晶體管的漏極和源極；所述驅(qū)動單元的信號輸入端和驅(qū)動端分別是薄膜晶體管的源極和漏極，或者，所述驅(qū)動單元的信號輸入端和驅(qū)動端分別是薄膜晶體管的漏極和源極。

利用本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路，在所述發(fā)光器件發(fā)光之前，數(shù)據(jù)信號電壓和用作所述第三開關(guān)單元的薄膜晶體管閾值電壓之和能夠被寫入用作所述驅(qū)動單元的薄膜晶體管的柵極，由此消除用作所述驅(qū)動單元的薄膜晶體管的閾值電壓的變化對于發(fā)光的影響；并且還可以使用相對小的存儲電容來實現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實施例利用一個存儲電容和六個薄膜晶體管來實現(xiàn)驅(qū)動電路，能夠獲得更小的像素布局，其有助于提高顯示的分辨率。

可選地，所述驅(qū)動單元和五個開關(guān)單元均為P型薄膜晶體管?；蛘?，所述驅(qū)動單元和五個開關(guān)單元均為N型薄膜晶體管。

本發(fā)明所有實施例中采用的開關(guān)單元和驅(qū)動單元均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件。薄膜晶體管的源極、漏極是對稱的，所以其源極、漏極是可以互換的。在本發(fā)明實施例中，為區(qū)分薄膜晶體管除柵極之外的兩極，將其中一極稱為源極，另一極稱為漏極。按附圖中的形態(tài)規(guī)定薄膜晶體管的中間端為柵極、信號輸入端為源極、信號輸出端為漏極。P型薄膜晶體管在柵極為低電壓時導(dǎo)通，在柵極為高電壓時截止，N型薄膜晶體管為在柵極為高電壓時導(dǎo)通，在柵極為低電壓時截止。對于用作驅(qū)動單元的P型薄膜晶體管，在柵極電壓為低電壓（柵極電壓小于源極電壓），且柵極源極的壓差的絕對值大于閾值電壓時處于放大狀態(tài)或飽和狀態(tài)；對于用作驅(qū)動單元的N型薄膜晶體管，在柵極電壓為高電壓（柵極電壓大于源極電壓），且柵極源極的壓差的絕對值大于閾值電壓時處于放大狀態(tài)或飽和狀態(tài)。

可選地，所述驅(qū)動單元和所述第三開關(guān)單元是具有相同規(guī)格的薄膜晶體管。

具有相同規(guī)格的薄膜晶體管的閾值電壓值具有相同的變化趨勢。也就是說，用作第三開關(guān)單元的薄膜晶體管的閾值電壓Vth3與用作驅(qū)動單元的薄膜晶體管的閾值電壓Vthd是基本相等的。因此，用作第三開關(guān)單元的薄膜晶體管可以將數(shù)據(jù)線電壓與其閾值電壓之和（Vdata+Vth3）寫入存儲電容的第一端，從而消除所述驅(qū)動單元的閾值電壓Vthd對于驅(qū)動電流的影響。

可選地，所述發(fā)光器件是有機(jī)發(fā)光二極管。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示基板。所述顯示基板包括如以上實施例所述的像素驅(qū)動電路。

根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括如以上實施例所述的像素驅(qū)動電路。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明實施例提供了一種用于以上所述的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法。所述驅(qū)動方法包括：第一階段，導(dǎo)通所述第一開關(guān)單元的第一信號端和第二信號端，利用所述初始化電壓為所述存儲電容充電；導(dǎo)通所述第五開關(guān)單元的第一信號端和第二信號端，利用所述初始化電壓初始化所述發(fā)光器件的第一端；第二階段，導(dǎo)通所述第二開關(guān)單元的第一信號端和第二信號端，利用所述數(shù)據(jù)信號、經(jīng)由所述第三開關(guān)單元的第二信號端和控制端為所述存儲電容充電；以及第三階段，導(dǎo)通所述第四開關(guān)單元的第一信號端和第二信號端，利用所述驅(qū)動單元驅(qū)動所述發(fā)光器件。

利用本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，在所述發(fā)光器件發(fā)光之前，數(shù)據(jù)信號電壓和所述第三開關(guān)單元的閾值電壓之和能夠被寫入所述驅(qū)動單元的控制端，由此消除驅(qū)動單元閾值電壓的變化對于發(fā)光的影響；并且還可以使用相對小的存儲電容來實現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)。同時，可以利用第五開關(guān)單元來初始化發(fā)光器件的第一端，使得發(fā)光器件兩端的跨壓在發(fā)光之前能夠被調(diào)整為例如零。在實現(xiàn)較低灰階的暗態(tài)顯示時，驅(qū)動單元產(chǎn)生的漏電流可以通過所述第五開關(guān)單元的第一信號端流出；因此，漏電流不會流至所述發(fā)光器件，使得所述發(fā)光器件能夠準(zhǔn)確地展現(xiàn)暗態(tài)，從而增加顯示的對比度。本發(fā)明實施例利用一個存儲電容、一個驅(qū)動單元和五個開關(guān)單元來實現(xiàn)驅(qū)動電路，能夠獲得更小的像素布局，其有助于提高顯示的分辨率；并且提高了像素在暗態(tài)時的顯示效果，增加了對比度。

可選地，所述驅(qū)動單元是薄膜晶體管；在所述第三階段，用作所述驅(qū)動單元的薄膜晶體管處于飽和狀態(tài)。

當(dāng)用作驅(qū)動單元的薄膜晶體管處在飽和狀態(tài)時，其輸出的電流為：

。

由以上公式可知驅(qū)動電流I_OLED只和數(shù)據(jù)信號電壓Vdata值有關(guān)系,因此驅(qū)動電流不受用作驅(qū)動單元的薄膜晶體管的閾值電壓Vthd的影響。其中，V_GS為薄膜晶體管的柵極和源極之間的電壓，β=μC_oxW/L，μ、C_ox為工藝常數(shù)，W為薄膜晶體管的溝道寬度，L為薄膜晶體管的溝道長度，W、L都為可選擇性設(shè)計的常數(shù)。此時，由于Vth3≈Vthd，因此發(fā)光器件OLED上的電流與用作驅(qū)動單元的薄膜晶體管的閾值電壓Vthd無關(guān)。

利用本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路，在所述發(fā)光器件發(fā)光之前，數(shù)據(jù)信號電壓和所述第三開關(guān)單元的閾值電壓之和能夠被寫入所述驅(qū)動單元的控制端，由此消除驅(qū)動單元閾值電壓的變化對于發(fā)光的影響；并且還可以使用相對小的存儲電容來實現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實施例利用一個存儲電容、一個驅(qū)動單元和五個開關(guān)單元來實現(xiàn)驅(qū)動電路，能夠獲得更小的像素布局，其有助于提高顯示的分辨率。

附圖說明

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的一種像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示出了本發(fā)明實施例提供的一種像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了本發(fā)明另一實施例提供的一種像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4示出了本發(fā)明又一實施例提供的一種像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5示出了本發(fā)明另一實施例提供的一種像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6示出了本發(fā)明實施例提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7示出了本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8示出了本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法的流程圖；以及

圖9示出了本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路的輸入信號時序狀態(tài)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明專利保護(hù)的范圍。

如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明實施例提供了一種像素驅(qū)動電路。所述像素驅(qū)動電路包括：發(fā)光器件L、存儲電容Cst、驅(qū)動單元D和五個開關(guān)單元S1、S2、S3、S4和S5；每個開關(guān)單元包括控制端、第一信號端和第二信號端；所述開關(guān)單元的控制端用于開啟或關(guān)閉所述第一信號端和第二信號端之間的導(dǎo)通；所述驅(qū)動單元D包括控制端D3、信號輸入端D1和驅(qū)動端D2，所述驅(qū)動單元D的控制端D3和信號輸入端D1用于控制在驅(qū)動端D2輸出的驅(qū)動信號；所述驅(qū)動單元D的控制端D3與所述存儲電容Cst的第一端C1、第一開關(guān)單元S1的第一信號端101、第二開關(guān)單元S2的第一信號端201、以及第三開關(guān)單元S3的控制端303相連接；所述第一開關(guān)單元S1的控制端103用于輸入復(fù)位信號Reset，所述第一開關(guān)單元S1的第二信號端102與初始化電壓Vint相連接；所述第二開關(guān)單元S2的控制端203用于輸入掃描信號Gate，所述第二開關(guān)單元S2的第二信號端202與所述第三開關(guān)單元S3的第一信號端301相連接；所述第三開關(guān)單元S3的第二信號端302用于輸入數(shù)據(jù)信號Data；第四開關(guān)單元S4的控制端403用于輸入發(fā)光信號EM；第五開關(guān)單元S5的控制端503用于輸入復(fù)位信號Reset，所述第五開關(guān)單元S5的第一信號端501與初始化電壓Vint相連接，所述第五開關(guān)單元S5的第二信號端502與所述發(fā)光器件L的第一端L1相連接；其中，所述驅(qū)動單元D的信號輸入端D1與所述存儲電容Cst的第二端C2以及第一電壓VDD相連接，所述驅(qū)動單元D的驅(qū)動端D2與所述第四開關(guān)單元S4的第一信號端401相連接，所述第四開關(guān)單元S4的第二信號端402與所述發(fā)光器件L的第一端L1相連接；所述發(fā)光器件L的第二端L2與第二電壓VSS相連接。

或者，如圖4所示，所述第四開關(guān)單元S4的第一信號端401與所述存儲電容Cst的第二端C2以及第一電壓VDD相連接，所述第四開關(guān)單元S4的第二信號端402與所述驅(qū)動單元D的信號輸入端D1相連接，所述驅(qū)動單元D的驅(qū)動端D2與所述發(fā)光器件L的第一端L1相連接。

在本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路中，驅(qū)動單元的控制端與存儲電容的第一端、第一開關(guān)單元的第一信號端、第二開關(guān)單元的第一信號端、以及第三開關(guān)單元的控制端相連接；所述第一開關(guān)單元的控制端用于輸入復(fù)位信號，所述第一開關(guān)單元的第二信號端與初始化電壓相連接；所述第二開關(guān)單元的控制端用于輸入掃描信號，所述第二開關(guān)單元的第二信號端與所述第三開關(guān)單元的第一信號端相連接；所述第三開關(guān)單元的第二信號端用于輸入數(shù)據(jù)信號；第四開關(guān)單元的控制端用于輸入發(fā)光信號；第五開關(guān)單元的控制端用于輸入復(fù)位信號，所述第五開關(guān)單元的第一信號端與初始化電壓相連接，所述第五開關(guān)單元的第二信號端與所述發(fā)光器件的第一端相連接。利用本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路，在所述發(fā)光器件發(fā)光之前，數(shù)據(jù)信號電壓和所述第三開關(guān)單元的閾值電壓之和能夠被寫入所述驅(qū)動單元的控制端，由此消除驅(qū)動單元閾值電壓的變化對于發(fā)光的影響；并且還可以使用相對小的存儲電容來實現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)。同時，可以利用第五開關(guān)單元來初始化發(fā)光器件的第一端，使得發(fā)光器件兩端的跨壓在發(fā)光之前能夠被調(diào)整為例如零。在實現(xiàn)較低灰階的暗態(tài)顯示時，驅(qū)動單元產(chǎn)生的漏電流可以通過所述第五開關(guān)單元的第一信號端流出；因此，漏電流不會流至所述發(fā)光器件，使得所述發(fā)光器件能夠準(zhǔn)確地展現(xiàn)暗態(tài)，從而增加顯示的對比度。本發(fā)明實施例利用一個存儲電容、一個驅(qū)動單元和五個開關(guān)單元來實現(xiàn)驅(qū)動電路，能夠獲得更小的像素布局，其有助于提高顯示的分辨率；并且提高了像素在暗態(tài)時的顯示效果，增加了對比度。

可選地，如圖3和5所示，所述發(fā)光器件可以是有機(jī)發(fā)光二極管OLED；所述驅(qū)動單元DTFT和五個開關(guān)單元T1、T2、T3、T4和T5均為薄膜晶體管；每個開關(guān)單元的控制端和所述驅(qū)動單元的控制端均是薄膜晶體管的柵極；每個開關(guān)單元的第一信號端和第二信號端分別是薄膜晶體管的源極和漏極，或者，每個開關(guān)單元的第一信號端和第二信號端分別是薄膜晶體管的漏極和源極；所述驅(qū)動單元DTFT的信號輸入端和驅(qū)動端分別是薄膜晶體管的源極和漏極，或者，所述驅(qū)動單元DTFT的信號輸入端和驅(qū)動端分別是薄膜晶體管的漏極和源極。

利用本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路，在所述發(fā)光器件發(fā)光之前，數(shù)據(jù)信號電壓Vdata和用作所述第三開關(guān)單元T3的薄膜晶體管閾值電壓Vth3之和能夠被寫入用作所述驅(qū)動單元DTFT的薄膜晶體管的柵極，由此消除用作所述驅(qū)動單元DTFT的薄膜晶體管的閾值電壓的變化對于發(fā)光的影響；并且還可以使用相對小的存儲電容Cst來實現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實施例利用一個存儲電容和六個薄膜晶體管來實現(xiàn)驅(qū)動電路，能夠獲得更小的像素布局，其有助于提高顯示的分辨率。

可選地，所述驅(qū)動單元和五個開關(guān)單元均為P型薄膜晶體管?；蛘?，所述驅(qū)動單元和五個開關(guān)單元均為N型薄膜晶體管。

本發(fā)明所有實施例中采用的開關(guān)單元和驅(qū)動單元均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件。薄膜晶體管的源極、漏極是對稱的，所以其源極、漏極是可以互換的。在本發(fā)明實施例中，為區(qū)分薄膜晶體管除柵極之外的兩極，將其中一極稱為源極，另一極稱為漏極。按附圖中的形態(tài)規(guī)定薄膜晶體管的中間端為柵極、信號輸入端為源極、信號輸出端為漏極。P型薄膜晶體管在柵極為低電壓時導(dǎo)通，在柵極為高電壓時截止，N型薄膜晶體管為在柵極為高電壓時導(dǎo)通，在柵極為低電壓時截止。對于用作驅(qū)動單元的P型薄膜晶體管，在柵極電壓為低電壓（柵極電壓小于源極電壓），且柵極源極的壓差的絕對值大于閾值電壓時處于放大狀態(tài)或飽和狀態(tài)；對于用作驅(qū)動單元的N型薄膜晶體管，在柵極電壓為高電壓（柵極電壓大于源極電壓），且柵極源極的壓差的絕對值大于閾值電壓時處于放大狀態(tài)或飽和狀態(tài)。

可選地，所述驅(qū)動單元DTFT和所述第三開關(guān)單元T3是具有相同規(guī)格的薄膜晶體管。

具有相同規(guī)格的薄膜晶體管的閾值電壓值具有相同的變化趨勢。也就是說，用作第三開關(guān)單元的薄膜晶體管的閾值電壓Vth3與用作驅(qū)動單元的薄膜晶體管的閾值電壓Vthd是基本相等的。因此，用作第三開關(guān)單元的薄膜晶體管可以將數(shù)據(jù)線電壓與其閾值電壓之和（Vdata+Vth3）寫入存儲電容的第一端，從而消除所述驅(qū)動單元的閾值電壓Vthd對于驅(qū)動電流的影響。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示基板。如圖6所示，所述顯示基板600包括如以上實施例所述的像素驅(qū)動電路601。當(dāng)然，所述顯示基板600還可以包括用于支撐所述像素驅(qū)動電路的襯底基板、柵線、數(shù)據(jù)線等元件，在此不做限定。

根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置。如圖7所示，所述顯示裝置700包括如以上實施例所述的像素驅(qū)動電路。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明實施例提供了一種用于以上所述的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法。如圖8所示，所述驅(qū)動方法包括：第一階段801，導(dǎo)通所述第一開關(guān)單元的第一信號端和第二信號端，利用所述初始化電壓為所述存儲電容充電；導(dǎo)通所述第五開關(guān)單元的第一信號端和第二信號端，利用所述初始化電壓初始化所述發(fā)光器件的第一端；第二階段802，導(dǎo)通所述第二開關(guān)單元的第一信號端和第二信號端，利用所述數(shù)據(jù)信號、經(jīng)由所述第三開關(guān)單元的第二信號端和控制端為所述存儲電容充電；以及第三階段803，導(dǎo)通所述第四開關(guān)單元的第一信號端和第二信號端，利用所述驅(qū)動單元驅(qū)動所述發(fā)光器件。

利用本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，在所述發(fā)光器件發(fā)光之前，數(shù)據(jù)信號電壓和所述第三開關(guān)單元的閾值電壓之和能夠被寫入所述驅(qū)動單元的控制端，由此消除驅(qū)動單元閾值電壓的變化對于發(fā)光的影響；并且還可以使用相對小的存儲電容來實現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)。同時，可以利用第五開關(guān)單元來初始化發(fā)光器件的第一端，使得發(fā)光器件兩端的跨壓在發(fā)光之前能夠被調(diào)整為例如零。在實現(xiàn)較低灰階的暗態(tài)顯示時，驅(qū)動單元產(chǎn)生的漏電流可以通過所述第五開關(guān)單元的第一信號端流出；因此，漏電流不會流至所述發(fā)光器件，使得所述發(fā)光器件能夠準(zhǔn)確地展現(xiàn)暗態(tài)，從而增加顯示的對比度。本發(fā)明實施例利用一個存儲電容、一個驅(qū)動單元和五個開關(guān)單元來實現(xiàn)驅(qū)動電路，能夠獲得更小的像素布局，其有助于提高顯示的分辨率；并且提高了像素在暗態(tài)時的顯示效果，增加了對比度。

可選地，所述驅(qū)動單元是薄膜晶體管；在所述第三階段，用作所述驅(qū)動單元的薄膜晶體管處于飽和狀態(tài)。

當(dāng)用作驅(qū)動單元的薄膜晶體管處在飽和狀態(tài)時，其輸出的電流為：

。

由以上公式可知驅(qū)動電流I_OLED只和數(shù)據(jù)信號電壓Vdata值有關(guān)系,因此驅(qū)動電流不受用作驅(qū)動單元的薄膜晶體管的閾值電壓Vthd的影響。其中，V_GS為薄膜晶體管的柵極和源極之間的電壓，β=μC_oxW/L，μ、C_ox為工藝常數(shù)，W為薄膜晶體管的溝道寬度，L為薄膜晶體管的溝道長度，W、L都為可選擇性設(shè)計的常數(shù)。此時，由于Vth3≈Vthd，因此發(fā)光器件OLED上的電流與用作驅(qū)動單元的薄膜晶體管的閾值電壓Vthd無關(guān)。

具體地，參照圖3所示的電路布局和圖9所示的像素驅(qū)動電路的輸入信號時序，說明本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路的工作原理。盡管在圖3和圖5所示的像素驅(qū)動電路中，使用的是P型晶體管，簡單更換晶體管的類型時只需要相應(yīng)的調(diào)整相應(yīng)的柵極電壓即可。本發(fā)明實施例對各個薄膜晶體管的類型不做限制。當(dāng)各個薄膜晶體管的類型改變時，只需調(diào)整薄膜晶體管柵極施加的電壓信號即可，這里以能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明實施例提供的像素電路的驅(qū)動方法為準(zhǔn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路和驅(qū)動方法的基礎(chǔ)上可輕易想到并實現(xiàn)的任意組合均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

在第一階段t1，復(fù)位信號Reset為低電壓，導(dǎo)通第一開關(guān)單元T1的源極和漏極，利用初始化電壓Vint為存儲電容Cst充電；導(dǎo)通第五開關(guān)單元T5的源極和漏極，利用所述初始化電壓Vint初始化發(fā)光器件OLED的第一端L1。此時所述驅(qū)動單元DTFT的柵極的電位為初始化電壓Vint。

在第二階段t2，掃描信號Gate為低電壓，導(dǎo)通第二開關(guān)單元T2的源極和漏極，第三開關(guān)單元T3此時呈現(xiàn)二極管狀態(tài)，利用所述數(shù)據(jù)信號、經(jīng)由第三開關(guān)單元T3的源極和柵極為所述存儲電容Cst充電。此時所述驅(qū)動單元DTFT的柵極的電位為數(shù)據(jù)信號電壓Vdata和第三開關(guān)單元T3的閾值電壓Vth3之和。

在第三階段t3，發(fā)光信號EM為低電壓，導(dǎo)通第四開關(guān)單元T4的源極和漏極，利用所述驅(qū)動單元DTFT驅(qū)動發(fā)光器件OLED。由于已經(jīng)在第二階段在所述驅(qū)動單元DTFT的柵極上補(bǔ)償了驅(qū)動單元DTFT的閾值電壓，根據(jù)上述公式，OLED的驅(qū)動電流I_OLED與數(shù)據(jù)信號電壓Vdata有關(guān)，而與所述驅(qū)動單元DTFT的閾值電壓無關(guān)。

類似地，也可以將圖9所示的像素驅(qū)動電路的輸入信號時序應(yīng)用于圖5所示的電路布局，此處不再贅述。

利用本發(fā)明實施例提供的像素驅(qū)動電路，在所述發(fā)光器件發(fā)光之前，數(shù)據(jù)信號電壓和所述第三開關(guān)單元的閾值電壓之和能夠被寫入所述驅(qū)動單元的控制端，由此消除驅(qū)動單元閾值電壓的變化對于發(fā)光的影響；并且還可以使用相對小的存儲電容來實現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)。同時，可以利用第五開關(guān)單元來初始化發(fā)光器件的第一端，使得發(fā)光器件兩端的跨壓在發(fā)光之前能夠被調(diào)整為例如零。在實現(xiàn)較低灰階的暗態(tài)顯示時，驅(qū)動單元產(chǎn)生的漏電流可以通過所述第五開關(guān)單元的第一信號端流出；因此，漏電流不會流至所述發(fā)光器件，使得所述發(fā)光器件能夠準(zhǔn)確地展現(xiàn)暗態(tài)，從而增加顯示的對比度。本發(fā)明實施例利用一個存儲電容、一個驅(qū)動單元和五個開關(guān)單元來實現(xiàn)驅(qū)動電路，能夠獲得更小的像素布局，其有助于提高顯示的分辨率；并且提高了像素在暗態(tài)時的顯示效果，增加了對比度。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型。