一種柵極驅(qū)動電路及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種柵極驅(qū)動電路及顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，包括多個相互級聯(lián)的移位寄存器單元以及預(yù)充電單元，多級所述移位寄存器單元的掃描輸出與觸控掃描間隔進(jìn)行，通過額外設(shè)置與在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元相連接的預(yù)充電單元，在進(jìn)行觸控掃描時對所述第一級移位寄存器單元預(yù)充電，這樣一來，避免了兩行移位寄存器單元輸出之間由于相隔了較長的觸控掃描時間而造成的在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元PU點漏電現(xiàn)象，從而在保證高報點率的觸控掃描的同時避免了行像素充電率不足的缺陷。
【專利說明】一種柵極驅(qū)動電路及顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種柵極驅(qū)動電路及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著觸控式顯示裝置的日益普及，人們對于觸控式顯示裝置的質(zhì)量要求也越來越高，內(nèi)嵌式觸控(In-cell touch)技術(shù)因其所具有的厚度薄以及觸控靈敏度高等優(yōu)點而被廣泛應(yīng)用。
[0003]內(nèi)嵌式觸控技術(shù)即觸控元件整合于顯示面板之內(nèi)，使面板本身就具有觸控功能，不需另外進(jìn)行與觸控面板的貼合與組裝即可達(dá)到觸控的效果與應(yīng)用。以典型的TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)為例，其特點是在TFT-LCD標(biāo)準(zhǔn)制程中即完成觸控感測元件的制造技術(shù)，由于無需額外設(shè)置觸控面板，從而沒有貼合及對位的問題，重量及厚度也顯著降低，產(chǎn)品將更輕薄。由于采用內(nèi)嵌技術(shù)，使得顯示裝置產(chǎn)品無需邊框，可達(dá)全平面設(shè)計，產(chǎn)品的設(shè)計也更為簡潔俐落，應(yīng)用領(lǐng)域更廣。
[0004]現(xiàn)有的內(nèi)嵌式觸控技術(shù)一般采用投射式多點電容觸控方式，其觸控信號的采集是通過兩層 信號線，其中一層信號線為驅(qū)動線(Tx lines)，另一層信號線作為感應(yīng)線(Rxlines)，兩層線路彼此垂直。在實現(xiàn)方式上，采用掃描式輪流驅(qū)動每一條驅(qū)動線，并測量與這條驅(qū)動線交錯的感應(yīng)線是否有某點發(fā)生電容耦合現(xiàn)象。經(jīng)逐一掃描，即可獲得確切的觸點位置，并能實現(xiàn)多點觸控。
[0005]對于現(xiàn)有的觸控顯示裝置而言，當(dāng)位于相同行或列的像素和掃描線同時充電時會互相干擾，所以像素充電和掃描的過程通常都是分時進(jìn)行，具體的，在一幀內(nèi)一般有V-Blank和H-Blank兩種時序方式。V-Blank方式是指在一幀內(nèi)，對所有像素充電之后，留一段時間進(jìn)行觸控信號掃描，即像素充電與觸控掃描分開進(jìn)行。此種方式只能支持與顯示器畫面刷新率相同的觸控掃描刷新率(I:1關(guān)系)，如果畫面刷新率為60HZ，則觸控掃描刷新率只能為60HZ。為了提高觸控的靈敏度，提高觸控掃描的頻率是關(guān)鍵，在追求高性能的觸控體驗效果時，120HZ及以上的觸摸刷新率是必要的。
[0006]H-Blank方式則可以有效提高觸控掃描刷新率，該方式通過在一幀內(nèi)，在一定行數(shù)像素充電的間隙中，預(yù)留一段時間進(jìn)行部分觸控信號掃描，即像素充電與觸控掃描交叉進(jìn)行，此種方式可以支持觸摸掃描刷新率大于畫面刷新率，即與畫面刷新率成倍數(shù)關(guān)系。采用H-Blank方式實現(xiàn)兩倍于顯示刷新頻率的內(nèi)嵌式觸控掃描時序可以如圖1所示，通過將顯示掃描平均分成兩段，在每段結(jié)束之后，暫停像素掃描GOA (Gate Drive on Array，陣列基板行驅(qū)動)電路工作，對所有的觸控感應(yīng)線進(jìn)行一次掃描(Tx掃描)，因此在一次顯示掃描內(nèi)，可以完成2次觸控掃描，實現(xiàn)兩倍于顯示刷新頻率的觸控掃描。
[0007]傳統(tǒng)的GOA電路通常包括多個級聯(lián)的移位寄存器單元，其結(jié)構(gòu)可以如圖2所示，其中，每一個移位寄存器單元分別與相鄰行的移位寄存器單元相連接，每一個移位寄存器單兀均對應(yīng)一行柵線，每一行移位寄存器單兀輸出柵極驅(qū)動信號的同時會對下一行移位寄存器單元進(jìn)行預(yù)充電，以保證下一行移位寄存器單元在下一個時鐘周期內(nèi)實現(xiàn)輸出。在現(xiàn)有技術(shù)中，如圖3所示，移位寄存器單元以最簡單的4T1C結(jié)構(gòu)為例，當(dāng)進(jìn)行如圖1所示的H-Blank時序掃描時，由于N/2+1行移位寄存器單兀為第二個1/2顯不掃描的最開始的一行，但其上拉控制PU節(jié)點在第N/2行輸出時已經(jīng)被充電為高電平，由于N/2和N/2+1行輸出之間相隔了較長的掃描時間，因此PU點電位會通過相連的TFT漏電，從而嚴(yán)重影響N/2+1行移位寄存器單元的預(yù)充電，使得在N/2+1行移位寄存器單元輸出時電壓降低，從而導(dǎo)致該行像素充電率不足，出現(xiàn)暗線或者亮線不良。
實用新型內(nèi)容
[0008]本實用新型的實施例提供一種柵極驅(qū)動電路及顯示裝置，可以避免行像素充電率不足，改善暗線或者亮線不良。
[0009]為達(dá)到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0010]本實用新型實施例的一方面，提供一種柵極驅(qū)動電路，包括多個相互級聯(lián)的移位寄存器單元以及預(yù)充電單元，多級所述移位寄存器單元的掃描輸出與觸控掃描間隔進(jìn)行；
[0011]除第一級移位寄存器單元外，其余每個移位寄存器單元的信號輸出端均連接與其相鄰的上一級移位寄存器單元的復(fù)位信號端；
[0012]除最后一級移位寄存器單元外，其余每個移位寄存器單元的信號輸出端均連接與其相鄰的下一級移位寄存器單元的信號輸入端；
[0013]所述預(yù)充電單元與在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元相連接，用于在進(jìn)行觸控掃描時對所述第一級移位寄存器單元預(yù)充電。
[0014]其中，所述移位寄存器單元包括:輸入模塊、復(fù)位模塊、上拉模塊、控制模塊以及下拉豐吳塊；
[0015]所述輸入模塊，連接信號輸入端以及上拉控制節(jié)點，用于根據(jù)所述信號輸入端輸入的信號控制所述上拉控制節(jié)點的電平，所述上拉控制節(jié)點為所述輸入模塊與所述上拉模塊的連接點；
[0016]所述復(fù)位模塊，連接復(fù)位信號端、電壓端以及所述上拉控制節(jié)點，用于根據(jù)所述復(fù)位信號端輸入的信號控制所述上拉控制節(jié)點的電平；
[0017]所述上拉模塊，連接第一時鐘信號輸入端、所述上拉控制節(jié)點以及信號輸出端，用于根據(jù)所述上拉控制節(jié)點和所述第一時鐘信號輸入端輸入的時鐘信號將所述信號輸出端輸出的信號上拉為高電平；
[0018]所述控制模塊，連接第二時鐘信號輸入端、所述電壓端、所述上拉控制節(jié)點以及下拉控制節(jié)點，用于根據(jù)所述第二時鐘信號輸入端輸入的時鐘信號以及所述上拉控制節(jié)點的電平控制所述下拉控制節(jié)點的電平；
[0019]所述下拉模塊，連接所述上拉控制節(jié)點、所述下拉控制節(jié)點、所述電壓端以及所述信號輸出端，用于將所述信號輸出端輸出的信號下拉為低電平。
[0020]具體的，所述輸入模塊包括:
[0021]第一晶體管，其第一極連接所述上拉控制節(jié)點，其第二極和柵極均連接所述信號輸入端。
[0022]進(jìn)一步地，所述復(fù)位模塊包括:[0023]第二晶體管，其第一極連接所述電壓端，其柵極連接所述復(fù)位信號端，其第二極連接所述上拉控制節(jié)點。
[0024]所述上拉模塊包括:
[0025]第三晶體管，其第一極連接所述信號輸出端，其柵極連接所述上拉控制節(jié)點，其第二極連接所述第一時鐘信號輸入端；
[0026]電容，所述電容并聯(lián)于所述第三晶體管的柵極和所述第三晶體管的第一極之間。
[0027]所述控制模塊包括:
[0028]第四晶體管，其柵極和第二極均連接所述第二時鐘信號輸入端；
[0029]第五晶體管，其柵極連接所述第四晶體管的第一極，其第二極連接所述第二時鐘信號輸入端；
[0030]第六晶體管，其第一極連接所述電壓端，其柵極連接所述上拉控制節(jié)點，其第二極連接所述第四晶體管的第一極；
[0031]第七晶體管，其第一極連接所述電壓端，其柵極連接所述上拉控制節(jié)點，其第二極連接所述下拉控制節(jié)點。
[0032]所述下拉模塊包括:
[0033]第八晶體管，其第一極連接所述電壓端，其柵極連接所述下拉控制節(jié)點，其第二極連接所述上拉控制節(jié)點；
[0034]第九晶體管，其第一極連接所述電壓端，其柵極連接所述下拉控制節(jié)點，其第二極連接所述信號輸出端。
[0035]進(jìn)一步地，所述預(yù)充電單元分別連接充電信號輸入端以及所述第一級移位寄存器單元的上拉控制節(jié)點。
[0036]進(jìn)一步地,所述預(yù)充電單元包括:
[0037]第十晶體管，其第一極連接所述第一級移位寄存器單元的上拉控制節(jié)點，其柵極和第二極連接所述充電信號輸入端。
[0038]其中，所述第一級移位寄存器單元的信號輸入端輸入幀起始信號；所述最后一級移位寄存器單元的復(fù)位信號端輸入復(fù)位信號。
[0039]另一方面，本實用新型實施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的柵極驅(qū)動電路。
[0040]本實用新型實施例提供的柵極驅(qū)動電路及顯示裝置，通過額外設(shè)置與在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元相連接的預(yù)充電單元，在進(jìn)行觸控掃描時對所述第一級移位寄存器單元預(yù)充電，這樣一來，避免了兩行移位寄存器單元輸出之間由于相隔了較長的觸控掃描時間而造成的在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元PU點漏電現(xiàn)象，從而在保證高報點率的觸控掃描的同時避免了行像素充電率不足的缺陷，顯著改善了暗線或者売線不良，提聞了顯不品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種采用H-Blank方式實現(xiàn)兩倍于顯示刷新頻率的內(nèi)嵌式觸控掃描時序結(jié)構(gòu)不意圖；
[0042]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中一種柵極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖；[0043]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中一種柵極驅(qū)動電路中移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖4為本實用新型實施例提供的一種柵極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖5為本實用新型實施例提供的柵極驅(qū)動電路中移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖6為本實用新型實施例提供的一種移位寄存器單元的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖7為本實用新型實施例提供的一種柵極驅(qū)動電路工作時的信號時序波形圖；
[0048]圖8為本實用新型實施例提供的一種柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0049]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
[0050]本實用新型所有實施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件，由于這里采用的晶體管的源極、漏極是對稱的，所以其源極、漏極是沒有區(qū)別的。在本實用新型實施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中一極稱為第一極，將另一極稱為第二極。此外，按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為N型和P型，以下實施例均以N性晶體管為例進(jìn)行說明，當(dāng)采用N型晶體管時，第一極可以是該N型晶體管的源極，第二極則可以是該N型晶體管的漏極。可以想到的是在采用P型晶體管實現(xiàn)時是本領(lǐng)域技術(shù)人員可在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下輕易想到的，因此也是在本實用新型的實施例保護(hù)范圍內(nèi)的。
[0051]本實用新型實施例提供的柵極驅(qū)動電路，如圖4所示，包括多個相互級聯(lián)的移位寄存器單元41以及預(yù)充電單元42，多級移位寄存器單元41的掃描輸出與觸控掃描間隔進(jìn)行。
[0052]其中，除第一級移位寄存器單元外，其余每個移位寄存器單元41的信號輸出端OUTPUT均連接與其相鄰的上一級移位寄存器單元41的復(fù)位信號端RESET。
[0053]除最后一級移位寄存器單元外，其余每個移位寄存器單元41的信號輸出端OUTPUT均連接與其相鄰的下一級移位寄存器單元41的信號輸入端INPUT。
[0054]預(yù)充電單元42與在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元相連接，用于在進(jìn)行觸控掃描時對該第一級移位寄存器單元41預(yù)充電。
[0055]本實用新型實施例提供的柵極驅(qū)動電路，通過額外設(shè)置與在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元相連接的預(yù)充電單元，在進(jìn)行觸控掃描時對所述第一級移位寄存器單元預(yù)充電，這樣一來，避免了兩行移位寄存器單元輸出之間由于相隔了較長的觸控掃描時間而造成的在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元PU點漏電現(xiàn)象，從而在保證高報點率的觸控掃描的同時避免了行像素充電率不足的缺陷，顯著改善了暗線或者亮線不良，提聞了顯不品質(zhì)。
[0056]需要說明的是，在對具有N行柵線的陣列基板進(jìn)行柵極行驅(qū)動掃描加觸控掃描的過程中，為了提高觸控掃描的精準(zhǔn)度與報點率，提高觸控掃描的頻率是關(guān)鍵，這就要求在一次柵極行驅(qū)動掃描的過程中加入多次觸控掃描，可以通過在一定行數(shù)像素充電的間隙中，預(yù)留一段時間進(jìn)行部分觸控信號掃描，即像素充電與觸控掃描交叉進(jìn)行，此種方式可以支持觸摸掃描刷新率大于畫面刷新率，即與畫面刷新率成倍數(shù)關(guān)系。
[0057]具體的，在如圖4所示的柵極驅(qū)動電路中，是以將陣列基板平均分成具有相同行數(shù)柵線的兩個區(qū)域進(jìn)行的說明，其中，可以將前N/2行柵線所在區(qū)域稱為第一區(qū)域，將后N/2行柵線所在區(qū)域稱為第二區(qū)域，在對第一區(qū)域掃描完成后且第二區(qū)域開始掃描之前的一段時間為觸控掃描時間。預(yù)充電單兀42用于在進(jìn)行觸控掃描時對位于第二區(qū)域的第一級移位寄存器單元41進(jìn)行預(yù)充電。當(dāng)然，以上也僅是舉例說明，為了進(jìn)一步提高觸摸掃描的刷新率，可以將陣列基板上的柵線分成更多的區(qū)域進(jìn)行掃描，本實用新型對此并不做限定。
[0058]進(jìn)一步地，如圖5所示，移位寄存器單元41可以包括:輸入模塊411、復(fù)位模塊412、上拉模塊413、控制模塊414以及下拉模塊415。
[0059]其中，輸入模塊411，連接信號輸入端INPUT以及上拉控制節(jié)點PU，用于根據(jù)信號輸入端INPUT輸入的信號控制上拉控制節(jié)點的電平，該上拉控制節(jié)點為輸入模塊411與上拉模塊413的連接點。
[0060]復(fù)位模塊412，連接復(fù)位信號端RESET、電壓端VSS以及上拉控制節(jié)點I3U,用于根據(jù)復(fù)位信號端RESET輸入的信號控制上拉控制節(jié)點的電平。
[0061]上拉模塊413，連接第一時鐘信號輸入端CLK、上拉控制節(jié)點PU以及信號輸出端OUTPUT，用于根據(jù)上拉控制節(jié)點PU和第一時鐘信號輸入端CLK輸入的時鐘信號將信號輸出端OUTPUT輸出的信號上拉為高電平。
[0062]控制模塊414，連接第二時鐘信號輸入端CLKB、電壓端VSS、上拉控制節(jié)點PU以及下拉控制節(jié)點PD，用于根據(jù)第二時鐘信號輸入端CLKB輸入的時鐘信號以及上拉控制節(jié)點Pu的電平控制下拉控制節(jié)點ro的電平。
[0063]下拉模塊415，連接上拉控制節(jié)點PU、下拉控制節(jié)點PD、電壓端VSS以及信號輸出端OUTPUT，用于將信號輸出端OUTPUT輸出的信號下拉為低電平。
[0064]其中，電壓端VSS可以為低電平輸入。第一時鐘信號端CLK和第二時鐘信號端CLKB所輸入的時鐘信號均為方波時鐘信號且具有相同的周期與占空比，但兩個時鐘信號的相位相反，即當(dāng)CLK輸入高電平時，CLKB輸入低電平。
[0065]更進(jìn)一步的，本實用新型實施例提供的移位寄存器單元的具體結(jié)構(gòu)可以參照圖6所示，其中，輸入模塊411可以包括:
[0066]第一晶體管M1，其第一極連接上拉控制節(jié)點PU，其第二極和柵極均連接信號輸入端 INPUT。
[0067]復(fù)位模塊412可以包括:
[0068]第二晶體管M2，其第一極連接電壓端VSS，其柵極連接復(fù)位信號端RESET，其第二極連接上拉控制節(jié)點PU。
[0069]在本實用新型實施例中，上拉控制節(jié)點是指控制上拉模塊413處于開啟或關(guān)閉狀態(tài)的電路節(jié)點。輸入模塊411和復(fù)位模塊412的作用具體是根據(jù)信號輸入端INPUT與復(fù)位信號端RESET的高低電平的不同確定上拉控制節(jié)點I3U的電平高低，從而確定移位寄存器單元當(dāng)前處于輸出或復(fù)位狀態(tài)。
[0070]這樣一種結(jié)構(gòu)的輸入模塊411和復(fù)位模塊412可以實現(xiàn)從上至下的柵極行驅(qū)動單向掃描。具體的，當(dāng)上一級移位寄存器單元的輸出端OUTPUT輸出信號時，該輸出信號將輸入本級移位寄存器單元的輸入端INPUT，從而實現(xiàn)對本級PU節(jié)點的預(yù)充電，直至下個時鐘周期來臨時實現(xiàn)本級移位寄存器單元OUTOPUT端的輸出。本級移位寄存器單元的輸出信號又同時輸入至上級移位寄存器單元的RESET端以及下級移位寄存器單元的INPUT端，實現(xiàn)對上一級移位寄存器單元的復(fù)位以及對下級移位寄存器單元PU節(jié)點的預(yù)充電，以此類推，最終實現(xiàn)從上至下的單向逐級掃描。
[0071]進(jìn)一步地，如圖6所示，上拉模塊413可以包括:
[0072]第三晶體管M3，其第一極連接信號輸出端OUTPUT，其柵極連接上拉控制節(jié)點I3U,其第二極連接第一時鐘信號輸入端CLK。
[0073]電容C，該電容C并聯(lián)于第三晶體管M3的柵極和第三晶體管M3的第一極之間。
[0074]在本實用新型實施例中，上拉模塊413的作用是在進(jìn)行預(yù)充之后，且第一時鐘信號輸入端CLK輸入的時鐘信號為高電平的時鐘周期內(nèi)，使得信號輸出端OUTPUT輸出柵極驅(qū)動的高電平信號。
[0075]進(jìn)一步地，如圖6所示，控制模塊414可以包括:
[0076]第四晶體管M4，其柵極和第二極均連接第二時鐘信號輸入端CLKB。
[0077]第五晶體管M5，其柵極連接第四晶體管M4的第一極，其第二極連接第二時鐘信號輸入端CLKB。
[0078]第六晶體管M6，其第一極連接電壓端VSS，其柵極連接上拉控制節(jié)點PU，其第二極連接第四晶體管M4的第一極。
[0079]第七晶體管M7，其第一極連接電壓端VSS，其柵極連接上拉控制節(jié)點PU，其第二極連接下拉控制節(jié)點H)。
[0080]在本實用新型實施例中，控制模塊414的作用是根據(jù)上拉控制節(jié)點I3U的電壓控制下拉控制節(jié)點ro的電平，其中，下拉控制節(jié)點ro是指控制下拉模塊處于開啟或關(guān)閉狀態(tài)的電路節(jié)點。
[0081]進(jìn)一步地，如圖6所示，下拉模塊415可以包括:
[0082]第八晶體管M8，其第一極連接電壓端VSS，其柵極連接下拉控制節(jié)點H)，其第二極連接上拉控制節(jié)點PU。
[0083]第九晶體管M9，其第一極連接電壓端VSS，其柵極連接下拉控制節(jié)點H)，其第二極連接信號輸出端OUTPUT。
[0084]在本實用新型實施例中，下拉模塊415的作用具體是當(dāng)下拉控制節(jié)點H)點電位為高時，且在時鐘信號為低電平時分別對上拉控制節(jié)點PU電位以及信號輸出端OUTPUT進(jìn)行下拉。
[0085]在如圖6所示的移位寄存器單元中，分別包括9個N型晶體管以及I個電容(9T1C)，與目前較為常用的移位寄存器單元相比，這種電路結(jié)構(gòu)的設(shè)計中元器件相對較少，從而顯著簡化了電路設(shè)計與生產(chǎn)的難度，有效控制了電路區(qū)域與布線空間的大小，實現(xiàn)了顯示裝置窄邊框的設(shè)計。
[0086]在本實用新型實施例中，如圖4所示，預(yù)充電單元42分別連接充電信號輸入端SW以及位于第二區(qū)域的第一級移位寄存器單元41的上拉控制節(jié)點W。
[0087]具體的，如圖4所示，預(yù)充電單元42可以包括:
[0088]第十晶體管M10，其第一極連接第一級移位寄存器單元41的上拉控制節(jié)點PU，其柵極和第二極連接充電信號輸入端SW。
[0089]根據(jù)對現(xiàn)有技術(shù)的分析可知，第N/2+1個移位寄存器單元由于是觸控掃描之后的第一個移位寄存器單元，所以其PU點會出現(xiàn)衰減，因此引入額外的SW信號，在觸控掃描時置為高電平，可以使N/2+1的I3U點保持高電位，從而保證輸出正常。從圖7可看出，在SW信號的作用下，第N/2+1級移位寄存器單元的點和輸出信號均可保持正常，并未出現(xiàn)衰減的現(xiàn)象，達(dá)到了預(yù)期的效果。其中晶體管MlO的作用是單向?qū)?，即在SW為高電平時輸入第N/2+1級移位寄存器單元的I3U點為高，Sff為低電平時輸入第N/2+1級移位寄存器單元的PU點為低。應(yīng)當(dāng)理解，只要能實現(xiàn)該功能的電路或電子元件都可以采用，并不限于晶體管M10，也可包含多個晶體管，采用晶體管MlO的設(shè)計可以進(jìn)一步簡化電路結(jié)構(gòu)。該功能電路具體可以通過薄膜晶體管工藝實現(xiàn)，也可以通過集成電路IC控制，或者其他電路結(jié)構(gòu)實現(xiàn)。
[0090]在本實用新型實施例中，如圖4所示，第一級移位寄存器單元的信號輸入端INPUT可以輸入巾貞起始信號STV ;最后一級移位寄存器單兀的復(fù)位信號端RESET可以輸入復(fù)位信號 RST。
[0091]采用如圖4所示的柵極驅(qū)動電路，通過額外設(shè)置與在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元相連接的預(yù)充電單元，在進(jìn)行觸控掃描時對所述第一級移位寄存器單元預(yù)充電，這樣一來，避免了兩行移位寄存器單元輸出之間由于相隔了較長的觸控掃描時間而造成的在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元PU點漏電現(xiàn)象，從而在保證高報點率的觸控掃描的同時避免了行像素充電率不足的缺陷，顯著改善了暗線或者亮線不良，提聞了顯不品質(zhì)。
[0092]與柵極驅(qū)動電路對應(yīng)的，本實用新型實施例還提供一種柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，可以應(yīng)用于如上所述的柵極驅(qū)動電路，如圖8所示，包括:
[0093]S801、對柵極驅(qū)動電路中位于第一區(qū)域的移位寄存器單元進(jìn)行柵極行驅(qū)動掃描。
[0094]S802、在第一區(qū)域移位寄存器單元的柵極行驅(qū)動掃描完成后，進(jìn)行觸控掃描，在進(jìn)行觸控掃描時對位于第二區(qū)域的第一級移位寄存器單元進(jìn)行預(yù)充電。
[0095]S803、對柵極驅(qū)動電路中位于第二區(qū)域的移位寄存器單元進(jìn)行柵極行驅(qū)動掃描，位于第一區(qū)域的最后一級移位寄存器單元與位于第二區(qū)域的第一級移位寄存器單元相級聯(lián)。
[0096]本實用新型實施例提供的柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，通過額外設(shè)置與在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元相連接的預(yù)充電單元，在進(jìn)行觸控掃描時對所述第一級移位寄存器單元預(yù)充電，這樣一來，避免了兩行移位寄存器單元輸出之間由于相隔了較長的觸控掃描時間而造成的在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元PU點漏電現(xiàn)象，從而在保證高報點率的觸控掃描的同時避免了行像素充電率不足的缺陷，顯著改善了暗線或者売線不良，提聞了顯不品質(zhì)。
[0097]需要說明的是，在對具有N行柵線的陣列基板進(jìn)行柵極行驅(qū)動掃描加觸控掃描的過程中，為了提高觸控掃描的精準(zhǔn)度與報點率，提高觸控掃描的頻率是關(guān)鍵，這就要求在一次柵極行驅(qū)動掃描的過程中加入多次觸控掃描，可以通過在一定行數(shù)像素充電的間隙中，預(yù)留一段時間進(jìn)行部分觸控信號掃描，即像素充電與觸控掃描交叉進(jìn)行，此種方式可以支持觸摸掃描刷新率大于畫面刷新率，即與畫面刷新率成倍數(shù)關(guān)系。[0098]具體的，在如圖4所示的柵極驅(qū)動電路中，是以將陣列基板平均分成具有相同行數(shù)柵線的兩個區(qū)域進(jìn)行的說明，其中，可以將前N/2行柵線所在區(qū)域稱為第一區(qū)域，將后N/2行柵線所在區(qū)域稱為第二區(qū)域，在對第一區(qū)域掃描完成后且第二區(qū)域開始掃描之前的一段時間為觸控掃描時間。預(yù)充電單兀42用于在進(jìn)行觸控掃描時對位于第二區(qū)域的第一級移位寄存器單元41進(jìn)行預(yù)充電。當(dāng)然，以上也僅是舉例說明，為了進(jìn)一步提高觸摸掃描的刷新率，可以將陣列基板上的柵線分成更多的區(qū)域進(jìn)行掃描，本實用新型對此并不做限定。
[0099]其中，移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)具體可以參照圖6所示，此處不做贅述。進(jìn)一步地，可以如圖4所示，通過預(yù)充電單元42實現(xiàn)對位于第二區(qū)域的第一級移位寄存器單元的預(yù)充電。
[0100]具體的，在進(jìn)行觸控掃描時對位于第二區(qū)域的第一級移位寄存器單元進(jìn)行預(yù)充電可以包括:
[0101]在進(jìn)行觸控掃描時，對位于第二區(qū)域的第一級移位寄存器單元的上拉控制節(jié)點輸入高電平的充電信號；在進(jìn)行柵極行驅(qū)動掃描時，停止對位于第二區(qū)域的第一級移位寄存器單元的上拉控制節(jié)點輸入充電信號。
[0102]例如，預(yù)充電單元42可以包括晶體管M10，其第一極連接第一級移位寄存器單元41的上拉控制節(jié)點PU，其柵極和第二極連接充電信號輸入端。在進(jìn)行觸控掃描時，SW信號通過開啟晶體管MlO對位于第二區(qū)域的第一級移位寄存器單元的上拉控制節(jié)點輸入高電平，在進(jìn)行柵極行驅(qū)動掃描時，SW信號將關(guān)閉晶體管M10，停止對位于第二區(qū)域的第一級移位寄存器單元的上拉控制節(jié)點輸入充電信號。
[0103]應(yīng)當(dāng)理解，只要能實現(xiàn)該功能的電路或電子元件都可以采用，并不限于晶體管M10，也可包含多個晶體管，采用晶體管MlO的設(shè)計可以進(jìn)一步簡化電路結(jié)構(gòu)。該功能電路具體可以通過薄膜晶體管工藝實現(xiàn)，也可以通過集成電路IC控制，或者其他電路結(jié)構(gòu)實現(xiàn)。
[0104]此外，本實用新型實施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的柵極驅(qū)動電路。
[0105]由于柵極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)在前述實施例中已做了詳細(xì)的描述，此處不做贅述。
[0106]本實用新型實施例提供的顯示裝置，包括柵極驅(qū)動電路，該柵極驅(qū)動電路又包括移位寄存器單元，通過額外設(shè)置與在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元相連接的預(yù)充電單元，在進(jìn)行觸控掃描時對所述第一級移位寄存器單元預(yù)充電，這樣一來，避免了兩行移位寄存器單元輸出之間由于相隔了較長的觸控掃描時間而造成的在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元PU點漏電現(xiàn)象，從而在保證高報點率的觸控掃描的同時避免了行像素充電率不足的缺陷，顯著改善了暗線或者亮線不良，提高了顯示品質(zhì)。
[0107]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。
[0108]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種柵極驅(qū)動電路，其特征在于，包括多個相互級聯(lián)的移位寄存器單元以及預(yù)充電單元，多級所述移位寄存器單元的掃描輸出與觸控掃描間隔進(jìn)行； 除第一級移位寄存器單元外，其余每個移位寄存器單元的信號輸出端均連接與其相鄰的上一級移位寄存器單元的復(fù)位信號端； 除最后一級移位寄存器單元外，其余每個移位寄存器單元的信號輸出端均連接與其相鄰的下一級移位寄存器單元的信號輸入端； 所述預(yù)充電單元與在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級移位寄存器單元相連接，用于在進(jìn)行觸控掃描時對所述第一級移位寄存器單元預(yù)充電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述移位寄存器單元包括:輸入模塊、復(fù)位模塊、上拉模塊、控制模塊以及下拉模塊； 所述輸入模塊，連接信號輸入端以及上拉控制節(jié)點，用于根據(jù)所述信號輸入端輸入的信號控制所述上拉控制節(jié)點的電平，所述上拉控制節(jié)點為所述輸入模塊與所述上拉模塊的連接點； 所述復(fù)位模塊，連接復(fù)位信號端、電壓端以及所述上拉控制節(jié)點，用于根據(jù)所述復(fù)位信號端輸入的信號控制所述上拉控制節(jié)點的電平； 所述上拉模塊， 連接第一時鐘信號輸入端、所述上拉控制節(jié)點以及信號輸出端，用于根據(jù)所述上拉控制節(jié)點和所述第一時鐘信號輸入端輸入的時鐘信號將所述信號輸出端輸出的信號上拉為高電平； 所述控制模塊，連接第二時鐘信號輸入端、所述電壓端、所述上拉控制節(jié)點以及下拉控制節(jié)點，用于根據(jù)所述第二時鐘信號輸入端輸入的時鐘信號以及所述上拉控制節(jié)點的電平控制所述下拉控制節(jié)點的電平； 所述下拉模塊，連接所述上拉控制節(jié)點、所述下拉控制節(jié)點、所述電壓端以及所述信號輸出端，用于將所述信號輸出端輸出的信號下拉為低電平。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述輸入模塊包括: 第一晶體管，其第一極連接所述上拉控制節(jié)點，其第二極和柵極均連接所述信號輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述復(fù)位模塊包括: 第二晶體管，其第一極連接所述電壓端，其柵極連接所述復(fù)位信號端，其第二極連接所述上拉控制節(jié)點。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述上拉模塊包括: 第三晶體管，其第一極連接所述信號輸出端，其柵極連接所述上拉控制節(jié)點，其第二極連接所述第一時鐘信號輸入端； 電容，所述電容并聯(lián)于所述第三晶體管的柵極和所述第三晶體管的第一極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述控制模塊包括: 第四晶體管，其柵極和第二極均連接所述第二時鐘信號輸入端； 第五晶體管，其柵極連接所述第四晶體管的第一極，其第二極連接所述第二時鐘信號輸入端； 第六晶體管，其第一極連接所述電壓端，其柵極連接所述上拉控制節(jié)點，其第二極連接所述第四晶體管的第一極；第七晶體管，其第一極連接所述電壓端，其柵極連接所述上拉控制節(jié)點，其第二極連接所述下拉控制節(jié)點。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述下拉模塊包括: 第八晶體管，其第一極連接所述電壓端，其柵極連接所述下拉控制節(jié)點，其第二極連接所述上拉控制節(jié)點； 第九晶體管，其第一極連接所述電壓端，其柵極連接所述下拉控制節(jié)點，其第二極連接所述信號輸出端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述預(yù)充電單元分別連接充電信號輸入端以及所述第一級移位寄存器單元的上拉控制節(jié)點。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述預(yù)充電單元包括: 第十晶體管，其第一極連接所述第一級移位寄存器單元的上拉控制節(jié)點，其柵極和第二極連接所述充電信號輸入端。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一級移位寄存器單元的信號輸入端輸入幀起始信號；所述最后一級移位寄存器單元的復(fù)位信號端輸入復(fù)位信號。
11.一種顯示裝置，其 特征在于，包括如權(quán)利要求1-10任一所述的柵極驅(qū)動電路。
【文檔編號】G09G3/20GK203746393SQ201420143721
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月27日
【發(fā)明者】張元波, 趙家陽, 韓承佑, 鄒祥祥 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司