一種量子點(diǎn)發(fā)光顯示屏及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光顯示屏，包括基板，以及在基板上形成的表面經(jīng)鹵化預(yù)處理的ITO薄膜。本發(fā)明利用含鹵有機(jī)物結(jié)合強(qiáng)氧化劑對(duì)ITO薄膜進(jìn)行預(yù)處理，鹵族原子在強(qiáng)氧化劑的作用下與ITO表面的In結(jié)合成共價(jià)鍵，在表面形成了一層In-Cl偶極子，使ITO表面功函數(shù)增加，顯著提升空穴的注入效率，降低了顯示屏功耗，同時(shí)還保持了簡(jiǎn)單的發(fā)光結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明以量子點(diǎn)作為發(fā)光層材料；單色的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為RGB子像素的發(fā)光材料，混合的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為白色子像素(W子像素)的發(fā)光材料白色子像素的引入能提升顯示屏的亮度。本發(fā)明通過(guò)對(duì)膜層多次清洗疊加處理，提高膜層的致密性，使電子空穴在復(fù)合時(shí)不至于擊穿發(fā)光層。
【專利說(shuō)明】 一種量子點(diǎn)發(fā)光顯不屏及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及量子點(diǎn)發(fā)光顯示屏及其制備技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，基于量子點(diǎn)發(fā)光的顯示屏(Quantum dots LED, QLED)和OLED類似，都是采用類似三明治狀的疊層結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)一般包括陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極等。疊層結(jié)構(gòu)越復(fù)雜，膜層之間分界面越多，膜層的平整性和致密性就容易相互影響，所需要的制備工藝也就越復(fù)雜。同時(shí)，復(fù)雜的膜層也容易形成更多的缺陷，電子空穴被缺陷俘獲后，就會(huì)降低復(fù)合發(fā)光的幾率，降低顯示屏效率。相對(duì)的，只有發(fā)光層的器件雖然結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但是通常和陰極、陽(yáng)極之間有較大的勢(shì)壘，使電子和空穴的注入難以實(shí)現(xiàn)，也不利于顯示屏效率的提升。因此，現(xiàn)階段單層結(jié)構(gòu)的顯示屏也難以得到推廣應(yīng)用。
[0003]有鑒于此，特提出本發(fā)明。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了在單層結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上提高顯示屏效率，本發(fā)明采用一種對(duì)ITO表面進(jìn)行鹵化預(yù)處理的方式，該預(yù)處理能夠顯著提升ITO表面的功函數(shù)，使得電子更容易被ITO俘獲，SP空穴更容易從ITO注入到發(fā)光層。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種量子點(diǎn)發(fā)光顯示屏，包括基板，以及在基板上形成的表面經(jīng)鹵化預(yù)處理的ITO薄膜。
[0007]具體而言，所述的顯示屏包括自下而上依次形成的基板、表面經(jīng)鹵化預(yù)處理的ITO薄膜、發(fā)光層和陰極。
[0008]其中，所述的基板包括但并不局限于玻璃基板、塑料基板或石英基板。
[0009]其中，所述的陰極為L(zhǎng)iF-Al層，所述LiF-Al層包括Inm以內(nèi)的LiF保護(hù)層及60_80nm 的 Al 電極。
[0010]本發(fā)明所述的顯示屏，所述預(yù)處理為以含鹵有機(jī)物與氧化劑按1:3-3:1的體積比混合得混合液，將形成有ITO薄膜的基板浸在混合液中，紫外光下照射5-30分鐘。
[0011]其中，所述的含鹵有機(jī)物為二氯苯，所述氧化劑為次氯酸鈉與雙氧水的混合物，二者的體積比為1:2-2:1，優(yōu)選1:1。
[0012]進(jìn)一步地，作為理想的技術(shù)方案，所述的預(yù)處理具體如下:將二氯苯、HC10、H202按4:1:1的體積比混合，將形成有ITO薄膜的基板浸在混合液中，紫外光下照射10分鐘。
[0013]本發(fā)明所述的顯示屏，量子點(diǎn)作為發(fā)光層材料；其中，單色的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)分別作為R、G、B子像素的發(fā)光材料，混合的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為白色子像素的發(fā)光材料。
[0014]其中，所述白色子像素排布在相鄰紅、綠、藍(lán)子像素之間。白色子像素的加入能夠提高顯示屏的亮度，降低背光源的能耗。[0015]其中，黑色矩陣設(shè)置在白色子像素陽(yáng)極下方，TFT設(shè)置在黑色矩陣下方。該結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步提高像素開(kāi)口率，增加顯示屏亮度。
[0016]本發(fā)明的第二目的在于提供一種含有上述顯示屏的顯示裝置，所述的顯示裝置包括但并不局限于電視機(jī)、筆記本等。
[0017]本發(fā)明還提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光顯示屏的制備方法，包括如下步驟:
[0018](I)在基板上形成ITO薄膜，將該基板浸入含鹵有機(jī)物與氧化劑按1:3-3:1的比例形成的混合液中，紫外光下照射5-30分鐘，完成ITO薄膜的預(yù)處理；
[0019](2)以單色的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)分別作為R、G、B子像素的發(fā)光材料，以混合的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為白色子像素的發(fā)光材料，使白色子像素排布在相鄰紅、綠、藍(lán)子像素之間；在預(yù)處理的ITO薄膜上制備量子點(diǎn)發(fā)光層；
[0020](3)在發(fā)光層上形成陰極，即得。
[0021]其中，所述的含鹵有機(jī)物為二氯苯，所述氧化劑為次氯酸鈉與雙氧水的混合物，二者的體積比為1:2-2:1，優(yōu)選1:1。
[0022]其中，所述發(fā)光層采用多次轉(zhuǎn)印成膜形成，兩次成膜之間對(duì)膜層進(jìn)行清洗處理。
[0023]其中，所述的陰極為L(zhǎng)iF-Al層，包括Inm以內(nèi)的LiF保護(hù)層及60-80nm的Al電極。LiF主要起保護(hù)作用，同時(shí)也能彌補(bǔ)發(fā)光層缺陷，使Al電極的鍍制更加平整。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1是實(shí)施例1中對(duì)ITO薄膜進(jìn)行預(yù)處理的流程示意圖；
[0025]圖2是In-Cl偶極子提高功函數(shù)的原理圖，左圖是處理之前，右圖是處理后，EF代表ITO的費(fèi)米能級(jí)，Evac代表ITO的真空能級(jí)；
[0026]圖3是在處理過(guò)的ITO上用轉(zhuǎn)印成膜的方式制備量子點(diǎn)發(fā)光層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4是在發(fā)光層上面鍍制LiF保護(hù)層和Al電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5是處理前后ITO樣品的能級(jí)圖；
[0029]圖6是處理前后ITO樣品的1-V曲線對(duì)比圖；
[0030]圖7是實(shí)施例1制備的QLED顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031 ] 附圖標(biāo)記說(shuō)明:1-玻璃基板；2-1T0薄膜；3-發(fā)光層；4-陰極；5_黑色矩陣；6-TFT。
【具體實(shí)施方式】
[0032]本發(fā)明涉及到一種量子點(diǎn)發(fā)光顯示屏，該顯示屏包括基板，以及在基板上形成的表面經(jīng)鹵化預(yù)處理的ITO薄膜。更具體而言，本發(fā)明提供的量子點(diǎn)發(fā)光顯示屏包括自下而上依次形成的基板、表面經(jīng)鹵化預(yù)處理的ITO薄膜、發(fā)光層和陰極。
[0033]本發(fā)明所述預(yù)處理為將含鹵有機(jī)物與氧化劑按1:3-3:1的體積比混合，將形成有ITO薄膜的基板浸在混合液中，紫外光下照射5-30分鐘。
[0034]其中，所述的含鹵有機(jī)物為二氯苯，所述氧化劑為次氯酸鈉與雙氧水，二者的體積比為1:2-2:1，優(yōu)選1:1。
[0035]進(jìn)一步地，作為理想的技術(shù)方案，所述的預(yù)處理具體如下:將二氯苯:HC10 =H2O2按4:1:1的體積比混合，將形成有ITO薄膜的基板浸在混合液中，紫外光下照射10分鐘。[0036]上述預(yù)處理過(guò)程中，紫外光照射結(jié)束后，清洗即可，經(jīng)過(guò)處理之后的ITO表面會(huì)有一層In-Cl偶極子。
[0037]本發(fā)明利用含鹵有機(jī)物結(jié)合強(qiáng)氧化劑對(duì)ITO薄膜進(jìn)行預(yù)處理，鹵族原子在強(qiáng)氧化劑的作用下與ITO表面的In結(jié)合成共價(jià)鍵，在表面形成了一層In-Cl偶極子，使ITO表面功函數(shù)增加，顯著提升空穴的注入效率，降低了顯示屏功耗，同時(shí)還保持了簡(jiǎn)單的發(fā)光結(jié)構(gòu)，生產(chǎn)流程簡(jiǎn)化，工藝要求降低。
[0038]如圖2所示In-Cl偶極子提高功函數(shù)的原理圖，左圖是處理之前，右圖是處理后，EF代表1TO的費(fèi)米能級(jí)，Evac代表1TO的真空能級(jí)，在形成In-Cl偶極子之后，ITO表面的真空能級(jí)比處理之前會(huì)提高ΛΕ，這樣，電子從ITO逸出所需要的能量也會(huì)增加ΛΕ，電子運(yùn)動(dòng)的趨勢(shì)更傾向于從發(fā)光層進(jìn)入ΙΤ0，相應(yīng)的，空穴運(yùn)動(dòng)的趨勢(shì)更傾向于從ITO逸出向發(fā)光層，即空穴的注入效率會(huì)提升。
[0039]本發(fā)明所述的顯示屏，量子點(diǎn)作為發(fā)光層材料；單色的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為RGB子像素的發(fā)光材料，混合的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為白色子像素(W子像素)的發(fā)光材料。
[0040]量子點(diǎn)材料是一種單色性極好的納米量級(jí)的半導(dǎo)體發(fā)光材料，其發(fā)光峰值可以通過(guò)其物理粒徑大小來(lái)調(diào)節(jié)，單色的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)可以分別作為R、G、B子像素的發(fā)光材料，混合的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)可以作為白色子像素的發(fā)光材料。量子點(diǎn)極好的單色性有利于提高顯示屏的色域；其可調(diào)節(jié)的光譜有助于校正白色坐標(biāo)；白色子像素的引入能夠顯著提升顯示屏的亮度。其中，紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)為現(xiàn)有技術(shù)，如包括但并不局限于采用CdSe/ZnS為量子點(diǎn)材料，并選擇特定粒徑范圍的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可依據(jù)單色量子點(diǎn)的波長(zhǎng)以及對(duì)白色坐標(biāo)的要求來(lái)確定白色量子點(diǎn)的混合物，本發(fā)明對(duì)此不作特別限定。
[0041]此外，具體在I TO薄膜表面形成發(fā)光層的方法同樣為現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明對(duì)此也不作特別限定。
[0042]其中，所述白色子像素排布在相鄰紅、綠、藍(lán)子像素之間。白色子像素的加入能夠提高顯示屏的亮度，降低背光源的能耗。
[0043]黑色矩陣設(shè)置在白色子像素陽(yáng)極下方，TFT設(shè)置在黑色矩陣下方。該結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步提高像素開(kāi)口率，增加顯示屏亮度。
[0044]本發(fā)明所述量子點(diǎn)發(fā)光層的制備不限于轉(zhuǎn)印成膜，可以是光刻成膜等其他可行的方式。
[0045]然而對(duì)于單發(fā)光層結(jié)構(gòu)，一次成膜有可能會(huì)厚度不均，導(dǎo)致電流在子像素上分布不均，甚至顯示屏局部電流過(guò)大會(huì)導(dǎo)致像素?fù)舸瑥亩巩?huà)面出現(xiàn)亮暗點(diǎn)，影響畫(huà)面的均勻性。因此，本發(fā)明優(yōu)選在處理過(guò)的ITO上用轉(zhuǎn)印成膜的方式制備量子點(diǎn)發(fā)光層，轉(zhuǎn)印可以根據(jù)需要多次進(jìn)行，每次轉(zhuǎn)印完畢之后，用有機(jī)溶劑清洗膜層表面，再進(jìn)行下一次的轉(zhuǎn)印。多次成膜有利于制備更加致密和均勻的發(fā)光層薄膜，防止出現(xiàn)由膜層不均造成的不良，使畫(huà)面更加均勻。
[0046]本發(fā)明還提供了一種含有上述顯示屏的顯示裝置，所述的顯示裝置包括但并不局限于電視機(jī)、筆記本等。由于本發(fā)明得到的顯示屏的效率及亮度等性能得到顯著提高，包括該顯示屏的顯示裝置質(zhì)量也能得到進(jìn)一步保障。
[0047]本發(fā)明還提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光顯示屏的制備方法，包括如下步驟:
[0048](I)在基板上形成ITO薄膜，將該基板浸入含鹵有機(jī)物與氧化劑按1:3-3:1的比例形成的混合液中，紫外光下照射5-30分鐘，完成ITO薄膜的預(yù)處理；
[0049](2)以單色的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)分別作為R、G、B子像素的發(fā)光材料，以混合的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為白色子像素的發(fā)光材料，使白色子像素排布在相鄰紅、綠、藍(lán)子像素之間；在預(yù)處理的ITO薄膜上制備量子點(diǎn)發(fā)光層；
[0050](3)在發(fā)光層上形成陰極，即得。
[0051]其中，所述的含鹵有機(jī)物為二氯苯，所述氧化劑為次氯酸鈉與雙氧水的混合物，二者的體積比為1:2-2:1，優(yōu)選1:1。
[0052]其中，所述發(fā)光層采用多次轉(zhuǎn)印成膜形成，兩次成膜之間對(duì)膜層進(jìn)行清洗處理，具體轉(zhuǎn)印成膜為現(xiàn)有技術(shù)，此處的清洗采用常規(guī)清洗處理即可，多次成膜有利于制備更加致密和均勻的發(fā)光層薄膜，防止出現(xiàn)由膜層不均造成的不良，使畫(huà)面更加均勻。
[0053]其中，所述的陰極為L(zhǎng)iF-Al層，包括Inm以內(nèi)的LiF保護(hù)層及60-80nm的Al電極。LiF主要起保護(hù)作用，同時(shí)也能填補(bǔ)發(fā)光層缺陷，使Al電極的鍍制更加平整。
[0054]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0055]實(shí)施例1
[0056]如圖4所示，本實(shí)施例所述的量子點(diǎn)發(fā)光顯示屏，包括自下而上依次形成的玻璃基板1、表面經(jīng)鹵化預(yù)處理的ITO薄膜2、發(fā)光層3和陰極4。
[0057]如圖1所示，本實(shí)施例1TO薄膜2采用如下方法進(jìn)行預(yù)處理得到:將二氯苯:HC10:H2O2按4:1:1的體積比混合，將形成有ITO薄膜2的玻璃基板I浸在混合液中，紫外光下照射10分鐘，紫外光照射結(jié)束后，清洗即可，經(jīng)過(guò)處理之后的ITO表面會(huì)有一層In-Cl偶極子。
[0058]如圖3所示，本實(shí)施例在ITO薄膜2上形成量子點(diǎn)發(fā)光層3，以量子點(diǎn)作為發(fā)光層材料，具體以單色的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)分別作為R、G、B子像素的發(fā)光材料，以混合的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為白色子像素的發(fā)光材料。如圖7所示，白色子像素排布在相鄰紅、綠、藍(lán)子像素之間，黑色矩陣5設(shè)置在白色子像素陽(yáng)極下方，TFT6設(shè)置在黑色矩陣5下方。
[0059]如圖4所示，本實(shí)施例中，陰極4為L(zhǎng)iF-Al層，包括Inm以內(nèi)的LiF保護(hù)層及60_80nm 的 Al 電極。
[0060]為了進(jìn)一步驗(yàn)證本實(shí)施例所制備的顯示屏的性能，進(jìn)一步對(duì)預(yù)處理前后的ITO薄膜2做了性能對(duì)比試驗(yàn)，結(jié)果見(jiàn)圖2、5、6。
[0061]如圖2所示In-Cl偶極子提高功函數(shù)的原理圖，左圖是處理之前，右圖是處理后，EF代表1TO的費(fèi)米能級(jí)，Evac代表1TO的真空能級(jí)，在形成In-Cl偶極子之后，ITO表面的真空能級(jí)比處理之前會(huì)提高ΛΕ，這樣，電子從ITO逸出所需要的能量也會(huì)增加ΛΕ，電子運(yùn)動(dòng)的趨勢(shì)更傾向于從發(fā)光層進(jìn)入ΙΤ0，相應(yīng)的，空穴運(yùn)動(dòng)的趨勢(shì)更傾向于從ITO逸出向發(fā)光層，即空穴的注入效率會(huì)提升。
[0062]如圖5所示處理前后ITO樣品的能級(jí)圖，未處理的ITO能級(jí)為_(kāi)4.8eV (如圖中虛線所示)，處理之后的ITO能級(jí)為-6.3eV (如圖中實(shí)線所示)，可以看出，處理過(guò)程能夠顯著降低ITO能級(jí)，提高ITO表面功函數(shù)，降低空穴注入時(shí)的勢(shì)壘，提高注入效率，在較小的電壓下注入更多的空穴，提高顯示屏的效率。
[0063]如圖6所示處理前后ITO樣品的1-V曲線對(duì)比圖，其中，實(shí)心點(diǎn)曲線代表未處理的ΙΤ0,空心點(diǎn)曲線代表處理過(guò)的ITO (實(shí)施例1得到的樣品)，可以看出，處理之后電流比處理之前的電流提高了 10倍左右，圖中電流為mA級(jí)，可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光。
[0064]實(shí)施例2
[0065]與實(shí)施例1相比，區(qū)別點(diǎn)僅在于，本實(shí)施例中，預(yù)處理采用如下技術(shù)方案:將二氯苯:HC10 =H2O2按1:2:1的體積比混合，將形成有ITO薄膜的基板浸在混合液中，紫外光下照射30分鐘，紫外光照射結(jié)束后，清洗即可。
[0066]以預(yù)處理前后的本實(shí)施例1TO薄膜2做性能對(duì)比試驗(yàn)，結(jié)果表明，本實(shí)施例處理前后ITO樣品的能級(jí)圖及1-V曲線對(duì)比圖具有與圖5、6相同的趨勢(shì)。
[0067]實(shí)施例3
[0068]與實(shí)施例1相比，區(qū)別點(diǎn)僅在于，本實(shí)施例中，預(yù)處理采用如下技術(shù)方案:將二氯苯:HC10出202按6:1:1的體積比混合，將形成有ITO薄膜的基板浸在混合液中，紫外光下照射5分鐘，紫外光照射結(jié)束后，清洗即可。
[0069]以預(yù)處理前后的本實(shí)施例1TO薄膜2做性能對(duì)比試驗(yàn)，結(jié)果表明，本實(shí)施例處理前后ITO樣品的能級(jí)圖及1-V曲線對(duì)比圖具有與圖5、6相同的趨勢(shì)。
[0070]實(shí)施例4
[0071]本實(shí)施例公開(kāi)了一種量子點(diǎn)發(fā)光顯示屏的制備方法，包括如下步驟:
[0072](I)在基板上形成ITO薄膜，將該基板浸入二氯苯:HC10 =H2O2按4:1:1的體積比混合的混合液中，紫外光下照射10分鐘，完成ITO薄膜的預(yù)處理；
[0073](2)以單色的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)分別作為R、G、B子像素的發(fā)光材料，以混合的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為白色子像素的發(fā)光材料，使白色子像素排布在相鄰紅、綠、藍(lán)子像素之間；在預(yù)處理的ITO薄膜上制備量子點(diǎn)發(fā)光層；
[0074](3)在發(fā)光層上形成陰極，即得。
[0075]其中，所述發(fā)光層采用多次轉(zhuǎn)印成膜形成，兩次成膜之間對(duì)膜層進(jìn)行清洗處理。
[0076]其中，陰極為L(zhǎng)iF-Al層，包括Inm以內(nèi)的LiF保護(hù)層及60_80nm的Al電極。
[0077]實(shí)施例5
[0078]與實(shí)施例4所述的制備方法相比，區(qū)別點(diǎn)僅在于，本實(shí)施例步驟(I)中，預(yù)處理采用如下技術(shù)方案:將二氯苯:HC10 =H2O2按1:2:1的比例混合，將形成有ITO薄膜的基板浸在混合液中，紫外光下照射30分鐘，紫外光照射結(jié)束后，清洗即可。
[0079]實(shí)施例6
[0080]與實(shí)施例4的制備方法相比，區(qū)別點(diǎn)僅在于，本實(shí)施例步驟(I)中，預(yù)處理采用如下技術(shù)方案:將二氯苯:HC10 =H2O2按6:1:1的比例混合，將形成有ITO薄膜的基板浸在混合液中，紫外光下照射5分鐘，紫外光照射結(jié)束后，清洗即可。
[0081]實(shí)施例7
[0082]含有實(shí)施例1-3任一顯示屏的顯示裝置，如電視機(jī)、筆記本電腦等。
[0083]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為OO
【權(quán)利要求】
1.一種量子點(diǎn)發(fā)光顯示屏，其特征在于:包括基板，以及在基板上形成的表面經(jīng)鹵化預(yù)處理的ITO薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏，其特征在于:包括自下而上依次形成的基板、表面經(jīng)鹵化預(yù)處理的ITO薄膜、發(fā)光層和陰極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示屏，其特征在于:所述的陰極為L(zhǎng)iF-Al層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示屏，其特征在于:所述預(yù)處理為以含鹵有機(jī)物與氧化劑按1:3-3:1的體積比混合得混合液，將形成有ITO薄膜的基板浸在混合液中，紫外光下照射5-30分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示屏，其特征在于:所述的含鹵有機(jī)物為二氯苯，所述氧化劑為次氯酸鈉與雙氧水的混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示屏，其特征在于:所述氧化劑中次氯酸鈉與雙氧水的體積比為1:2-2:1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示屏，其特征在于:量子點(diǎn)作為發(fā)光層材料；單色的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)分別作為R、G、B子像素的發(fā)光材料，混合的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為白色子像素的發(fā)光材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示屏，其特征在于:所述白色子像素排布在相鄰紅、綠、藍(lán)子像素之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求 7所述的顯示屏，其特征在于:黑色矩陣設(shè)置在白色子像素陽(yáng)極下方，TFT設(shè)置在黑色矩陣下方。
10.含有權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述顯示屏的顯示裝置。
11.一種量子點(diǎn)發(fā)光顯示屏的制備方法，包括如下步驟: (1)在基板上形成ITO薄膜，將該基板浸入含鹵有機(jī)物與氧化劑按1:3-3:1的比例形成的混合液中，紫外光下照射5-30分鐘，完成ITO薄膜的預(yù)處理； (2)以單色的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)分別作為R、G、B子像素的發(fā)光材料，以混合的紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為白色子像素的發(fā)光材料，使白色子像素排布在相鄰紅、綠、藍(lán)子像素之間；在預(yù)處理的ITO薄膜上制備量子點(diǎn)發(fā)光層； (3)在發(fā)光層上形成陰極，即得。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于:所述發(fā)光層采用多次轉(zhuǎn)印成膜形成，兩次成膜之間對(duì)膜層進(jìn)行清洗處理。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于:所述的含鹵有機(jī)物為二氯苯，所述氧化劑為次氯酸鈉與雙氧水的混合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法，其特征在于:所述氧化劑中次氯酸鈉與雙氧水的體積比為1:2-2:1。
15.根據(jù)權(quán)利要求11-14任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于:所述的陰極為L(zhǎng)iF-Al層，包括Inm以內(nèi)的LiF保護(hù)層及60_80nm的Al電極。
【文檔編號(hào)】G09F9/33GK104021735SQ201410221967
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月23日
【發(fā)明者】劉鵬, 董學(xué), 郭仁煒 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司