像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，包括可撓性基板、主動元件、像素電極、電容電極、第一絕緣層、第二絕緣層以及墊高結(jié)構(gòu)。像素電極電性連接于主動元件并具有多個像素電極開口。電容電極配置重疊于像素電極并具有多個對應(yīng)于像素電極開口的電容電極開口。第一絕緣層配置于像素電極與可撓性基板之間。第二絕緣層配置于像素電極與電容電極之間，且主動元件設(shè)置于第二絕緣層與可撓性基板之間。墊高結(jié)構(gòu)包括多個墊高柱以及墊高圖案。墊高圖案覆蓋于該主動元件上而墊高柱分別位于像素電極開口中。像素電極部分地覆蓋于墊高圖案上而暴露出墊高柱。通過本發(fā)明，該像素結(jié)構(gòu)配置于可撓性基板上，具有理想的耐沖擊性。
【專利說明】像素結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)于一種設(shè)置于可撓性基板上的像素結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的突飛猛進(jìn)，顯示器已從早期的陰極射線管(CRT)顯示器逐漸地發(fā)展到目前的平面顯示器(Flat Panel Display,FPD)。相較于硬質(zhì)載板(例如是玻璃基板)所構(gòu)成的平面顯示器，由于可撓性基板(例如是塑膠基板)具有可撓曲及耐沖擊等特性，因此近年來已著手研究將像素結(jié)構(gòu)制作于可撓性基板上的可撓式顯示器。
[0003]這樣的顯示器對外力沖擊必須具有良好的耐受性。不過，在落球試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)行的可撓式顯示器常常發(fā)生像素結(jié)構(gòu)破碎無法通過試驗(yàn)。這也意味著，現(xiàn)行的這類產(chǎn)品在使用過程中若受到外力的撞擊，可能容易破裂而損壞。因此，現(xiàn)行可撓式產(chǎn)品的信賴性在沖擊的耐受性上仍需要改良。
[0004]由此可見，上述現(xiàn)有的可撓式顯示器在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)，其配置于可撓性基板上并且具有理想的耐沖擊性。
[0006]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，包括可撓性基板、主動元件、像素電極、電容電極、第一絕緣層、第二絕緣層以及墊高結(jié)構(gòu)。主動元件配置于可撓性基板上。像素電極配置于可撓性基板上，并且電性連接于主動元件。像素電極具有多個像素電極開口。電容電極配置于可撓性基板上，重疊于像素電極。電容電極具有多個電容電極開口，對應(yīng)于像素電極開口。第一絕緣層配置于像素電極與可撓性基板之間。第二絕緣層配置于像素電極與電容電極之間，且主動元件設(shè)置于第二絕緣層與可撓性基板之間。墊高結(jié)構(gòu)配置于可撓性基板上。墊高結(jié)構(gòu)包括多個墊高柱以及墊高圖案。墊高圖案覆蓋于該主動元件上而墊高柱分別位于像素電極開口中。像素電極部分地覆蓋于墊高圖案上而暴露出墊高柱。
[0007]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0008]較佳的，前述的像素電極，其中上述像素結(jié)構(gòu)更包括輔助電極。輔助電極配置于可撓性基板與像素電極之間，并且電性連接像素電極。輔助電極具有多個輔助電極開口，對應(yīng)于像素電極開口以及電容電極開口。電容電極可選擇地位于輔助電極與像素電極之間，且第一絕緣層位于輔助電極與電容電極之間。第一絕緣層具有第一接觸窗，而第二絕緣層具有第二接觸窗。第一接觸窗對應(yīng)于第二接觸窗，且像素電極通過第一接觸窗與第二接觸窗連接至輔助電極。或是，輔助電極位于電容電極與像素電極之間，且第一絕緣層位于輔助電極與電容電極之間。
[0009]較佳的，前述的像素電極，其中上述第二絕緣層具有接觸窗，使像素電極通過接觸窗電性連接主動元件。
[0010]較佳的，前述的像素電極，其中該第一絕緣層與第二絕緣層位于墊高柱與可撓性基板之間。
[0011]較佳的，前述的像素電極，其中該墊高圖案環(huán)繞像素電極。
[0012]較佳的，前述的像素電極，其中上述主動元件包括柵極、通道層、源極與漏極。通道層電性絕緣于柵極，而源極與漏極連接于通道層。柵極連接至掃描線，源極連接至數(shù)據(jù)線，而漏極連接至像素電極。源極、漏極與電容電極都設(shè)置于第一絕緣層與第二絕緣層之間。另外，柵極設(shè)置于第一絕緣層與可撓性基板之間。
[0013]較佳的，前述的像素電極，其中該電容電極位于第一絕緣層與可撓性基板之間。
[0014]通過上述技術(shù)方案，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果:本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)將元件設(shè)置于可撓性基板上而具有可撓性，另外，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中設(shè)置有多個不重疊導(dǎo)電電極的墊高柱，故像素結(jié)構(gòu)在外力撞擊之下，這些墊高柱可以承受外力并且將外力導(dǎo)至可撓性基板，使導(dǎo)電電極不受外力沖擊而不容易發(fā)生破損。如此一來，本發(fā)明的像素電極可以具有理想的耐沖擊性，且不容易碎裂而具有理想的信賴性。
[0015]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1繪示為本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。
[0017]圖2繪示為圖1的像素結(jié)構(gòu)沿剖線1-1的剖面示意圖。
[0018]圖3至圖8繪示為圖1的像素結(jié)構(gòu)中數(shù)個膜層的仰視示意圖。
[0019]圖9繪示為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0020]【主要元件符號說明】
[0021]100、200:像素結(jié)構(gòu)110:可撓性基板
[0022]120:主動元件130:像素電極
[0023]132:像素電極開口140、240:電容電極
[0024]142、242:電容電極開口150、250:輔助電極
[0025]152、252:輔助電極開口160:第一絕緣層
[0026]162、172、174:接觸窗170:第二絕緣層
[0027]180:墊高結(jié)構(gòu)182:墊高柱
[0028]184:墊高圖案190:掃描線
[0029]192:數(shù)據(jù)線C:通道層
[0030]D:漏極d:距離
[0031]G:柵極1-1’:線
[0032] Ml:第一導(dǎo)體層M2:第二導(dǎo)體層[0033]M3:第三導(dǎo)體層S:源極【具體實(shí)施方式】
[0034]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的一種像素結(jié)構(gòu)的【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
[0035]圖1繪示為本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的仰視示意圖，而圖2繪示為圖1的像素結(jié)構(gòu)沿剖線1-1的剖面示意圖。請參照圖1與圖2，像素結(jié)構(gòu)100包括有可撓性基板110、主動元件120、像素電極130、電容電極140、輔助電極150、第一絕緣層160、第二絕緣層170以及墊高結(jié)構(gòu)180。其中，主動元件120、像素電極130、電容電極140、輔助電極150、第一絕緣層160、第二絕緣層170以及墊高結(jié)構(gòu)180都配置于可撓性基板110上。第一絕緣層160配置于像素電極130與可撓性基板110之間。第二絕緣層170配置于像素電極130與電容電極140之間。另外，墊高結(jié)構(gòu)180配置于可撓性基板110上，并包括多個墊高柱182以及墊高圖案184。
[0036]在本實(shí)施例中，可撓性基板110上還設(shè)置有掃描線190與數(shù)據(jù)線192，以用來驅(qū)動主動元件120。詳言之，主動元件120設(shè)置于第二絕緣層170與可撓性基板110之間，并且包括有柵極G、通道層C、源極S與漏極D。通道層C位于柵極G上方，且第一絕緣層160位于柵極G與通道層C之間。源極S與漏極D連接于通道層C。柵極G連接于掃描線190，源極S連接于數(shù)據(jù)線192而像素電極130則連接至漏極D。也就是說，主動元件120在此為一薄膜晶體管。
[0037]輔助電極150、電容電極140與像素電極130依序地疊置于前一者上方。輔助電極150位于像素電極130與可撓性基板110之間，而電容電極140位于像素電極130與輔助電極150之間。以電性上的連接關(guān)系而言，像素電極130電性連接于主動元件120，而且電性連接于輔助電極150。
[0038]為了實(shí)現(xiàn)像素電極130的連接關(guān)系，第二絕緣層170具有接觸窗172與接觸窗174，而第一絕緣層160具有接觸窗162。在此，接觸窗172暴露出主動元件120的漏極D，而接觸窗162與接觸窗174彼此對應(yīng)并暴露出輔助電極150。因此，像素電極130可以通過接觸窗172實(shí)體連接于漏極D而與漏極D導(dǎo)通，也可以通過接觸窗162與接觸窗174實(shí)體連接于輔助電極150而與輔助電極150導(dǎo)通。
[0039]另外，電容電極140與像素電極130沒有實(shí)體上連接而彼此耦合，并且電容電極140與輔助電極150也沒有實(shí)體上連接而而彼此耦合。在本實(shí)施例中，電容電極140耦合于像素電極130與輔助電極150的設(shè)計(jì)構(gòu)成了儲存電容結(jié)構(gòu)。電容電極140重疊于像素電極130與輔助電極150的面積可以決定儲存電容值的大小。具體而言，電容電極140與輔助電極150的輪廓大致對應(yīng)于像素電極130的輪廓，借以提高儲存電容值的大小而維持像素結(jié)構(gòu)100的顯示穩(wěn)定性。
[0040]不過，本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，像素電極130與電容電極140所構(gòu)成的電容結(jié)構(gòu)具有足夠電容值時，可以省略輔助電極150，而精簡整體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。換言之，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100僅是以具有輔助電極150的設(shè)計(jì)來說明，但本發(fā)明并不限定像素結(jié)構(gòu)100中需要設(shè)置有電性連接于像素電極130的輔助電極150。[0041]以這些導(dǎo)體構(gòu)件的疊置順序而言，掃描線190、柵極G、輔助電極150可以由相同的導(dǎo)體層構(gòu)成，在此稱為第一導(dǎo)體層Ml。數(shù)據(jù)線192、源極S、漏極D與電容電極140可以由相同的導(dǎo)體層構(gòu)成，在此稱為第二導(dǎo)體層M2。像素電極130則由另一導(dǎo)體層構(gòu)成，在此稱為第三導(dǎo)體層M3。本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100中，這些膜層的堆疊順序依序?yàn)榈谝粚?dǎo)體層Ml、第一絕緣層160、第二導(dǎo)體層M2、第二絕緣層170、墊高結(jié)構(gòu)180以及第三導(dǎo)體層M3。
[0042]為了清楚表示各膜層的圖案，圖3至圖8為圖1的像素結(jié)構(gòu)中各膜層的仰視示意圖。請先參照圖1、圖2與圖3，第一金屬層Ml位于第一絕緣層160與可撓性基板110之間并包括有掃描線190、柵極G與輔助電極150。掃描線190與柵極G彼此實(shí)體連接而電性連接在一起。另外，輔助電極150不與掃描線190實(shí)體連接也不與柵極G實(shí)體連接。因此，輔助電極150電性絕緣于掃描線190與柵極G。在本實(shí)施例中，輔助電極150具有多個輔助電極開口 152，其分布于輔助電極150的面積當(dāng)中。
[0043]接著，請同時參照圖1、圖2與圖4，第一絕緣層160實(shí)質(zhì)上覆蓋住第一導(dǎo)體層M1，并具有接觸窗162，其中接觸窗162暴露出輔助電極150。
[0044]由圖1、圖2與圖5可知，第二金屬層M2位于第一絕緣層160與第二絕緣層170之間并包括有數(shù)據(jù)線192、源極S、漏極D與電容電極140。源極S實(shí)體連接于數(shù)據(jù)線192。在此，源極S與漏極D為彼此分離的兩個導(dǎo)體圖案。在圖2中，源極S與漏極D對應(yīng)地連接于位在柵極G上方的通道層C。電容電極140沒有實(shí)體連接數(shù)據(jù)線192、源極S與漏極D，因此電性絕緣于數(shù)據(jù)線192、源極S與漏極D。在本實(shí)施例中，電容電極140與漏極D相隔距離山使得第一絕緣層160中的接觸窗162位于距離d所定義的區(qū)域當(dāng)中。如此，輔助電極150有一部份的面積不與電容電極140重疊而被接觸窗162暴露出來。另外，電容電極140具有多個對應(yīng)于輔助電極開口 152的電容電極開口 142。
[0045]在圖1、圖2與圖6中，第二絕緣層170具有接觸窗172與接觸窗174。接觸窗172的位置對應(yīng)于第二金屬層M2中的漏極D。接觸窗174則對應(yīng)于第一絕緣層160的接觸窗162。因此，接觸窗174與接觸窗162共同地暴露出輔助電極150。
[0046]在圖1、圖2與圖7中，墊高結(jié)構(gòu)180圍繞于像素結(jié)構(gòu)100的邊緣并且覆蓋于主動元件120上，而墊高柱182位于墊高結(jié)構(gòu)180所圍設(shè)的面積當(dāng)中。具體而言，墊高柱182的位置分別地位于電容電極開口 142以及輔助電極開口 152中。因此，墊高柱182與可撓性基板110之間實(shí)質(zhì)上僅有第一絕緣層160與第二絕緣層170，而沒有任何的導(dǎo)體電極。
[0047]在圖1、圖2、圖8中，像素電極130具有多個暴露出墊高柱182的像素電極開口132。由于像素電極130的制作步驟晚于墊高結(jié)構(gòu)180，因此像素電極130局部地設(shè)置于墊高圖案184上。不過，在本實(shí)施例中，墊高柱182的頂部沒有被像素電極130覆蓋。也就是說,墊高柱182的頂部沒有任何的導(dǎo)體材料，而被像素電極130暴露出來。
[0048]在本實(shí)施例中，由于像素結(jié)構(gòu)100具有不與導(dǎo)體電極疊置的墊高柱182，像素結(jié)構(gòu)100受到外力撞擊時，外力將優(yōu)先施加于墊高柱182而不容易施加于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上。因此，像素結(jié)構(gòu)100中的導(dǎo)體構(gòu)件，如像素電極130、電容電極140與輔助電極150不容易因?yàn)橥饬ψ矒舳茡p，這有助于提升像素結(jié)構(gòu)100的信賴性。另外，在以落球試驗(yàn)檢測像素結(jié)構(gòu)100時，像素結(jié)構(gòu)100通過試驗(yàn)的比率也可以提升，更可以提高像素結(jié)構(gòu)100的良率。
[0049]在前述實(shí)施例中，電容電極140與輔助電極150的配置關(guān)系僅是舉例說明之用，并非用以限定本發(fā)明。舉例而言，在實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)100可以省略輔助電極150。另外，在其他實(shí)施例中，電容電極140與輔助電極150的疊置關(guān)系可以互換。圖9繪不為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖9，像素結(jié)構(gòu)200實(shí)質(zhì)上相似于像素結(jié)構(gòu)100，而兩者中相同的構(gòu)件將采用相同的元件符號標(biāo)示，不今贅述。具體而言，本實(shí)施例不同于前述實(shí)施例之處主要在于，電容電極240設(shè)置于可撓性基板110與輔助電極250之間。并且，輔助電極250位于電容電極240與像素電極130之間。
[0050]在本實(shí)施例中，電容電極240例如與主動元件120的柵極G同樣地由第一導(dǎo)體層Ml制作而成，也就是位于第一絕緣層160與可撓性基板110之間。另外，電容電極240具有多個對應(yīng)于像素電極開口 132的電容電極開口 242，而墊高柱182位于電容電極開口 242中。第一絕緣層160則位于電容電極240與輔助電極250之間。此時，電容電極240不與像素電極130電性連接，因此第一絕緣層160可以不設(shè)置有被像素電極130所覆蓋的開口。[0051 ] 輔助電極250實(shí)質(zhì)上相同于源極S與漏極D，是由第二導(dǎo)體層M2所構(gòu)成，并且具有多個對應(yīng)于像素電極開口 132的輔助電極開口 252，而墊高柱182也位于輔助電極開口 252中。另外，第二絕緣層170位于像素電極130與輔助電極250之間，使像素電極130通過第二絕緣層170的接觸窗174電性連接于輔助電極250。
[0052]在本實(shí)施例中，墊高柱182沒有疊置于導(dǎo)體電極上方而且像素電極130沒有配置于墊高柱182的頂面。當(dāng)像素結(jié)構(gòu)200在使用過程中或是在落球測試中受到外力撞擊時，外力會優(yōu)先施加于墊高柱182而降低導(dǎo)體電極被撞擊的幾率。因此，像素結(jié)構(gòu)200不容易發(fā)生因?yàn)橥饬_擊導(dǎo)致導(dǎo)體電極破損而整個像素結(jié)構(gòu)200失能的問題，而具有理想的信賴性以及延長的使用壽命。
[0053]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)中設(shè)置有不與導(dǎo)體電極疊置的墊高柱。像素結(jié)構(gòu)受到外力撞擊時，這些墊高柱優(yōu)先于其他構(gòu)件承受外力，而可以降低其他構(gòu)件因外力撞擊而損壞的可能。所以，本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)具有理想的耐沖擊性、信賴性以及使用壽命。
[0054]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括: 可撓性基板； 主動元件，配置于該可撓性基板上； 像素電極，配置于該可撓性基板上，并且電性連接于該主動元件，其中該像素電極具有多個像素電極開口； 電容電極，配置于該可撓性基板上，重疊于該像素電極并且該電容電極具有多個電容電極開口，對應(yīng)于所述多個像素電極開口 ； 第一絕緣層，配置于該像素電極與該可撓性基板之間； 第二絕緣層，配置于該像素電極與該電容電極之間，且該主動元件設(shè)置于該第二絕緣層與該可撓性基板之間；以及 墊高結(jié)構(gòu)，配置于該可撓性基板上，該墊高結(jié)構(gòu)包括多個墊高柱以及墊高圖案，該墊高圖案覆蓋于該主動元件上而所述多個墊高柱分別位于所述多個像素電極開口中，其中該像素電極部分地覆蓋于該墊高圖案上而暴露出所述多個墊高柱。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其更包括輔助電極，配置于該可撓性基板與該像素電極之間，并且電性連接該像素電極，其中該輔助電極具有多個輔助電極開口，對應(yīng)于所述多個像素電極開口以及所述多個電容電極開口。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該電容電極位于該輔助電極與該像素電極之間，且該第一絕緣層位于該輔助電極與該電容電極之間。
4.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一絕緣層具有第一接觸窗，該第二絕緣層具有第二接觸窗，該第一接觸窗對應(yīng)于該第二接觸窗，且該像素電極通過該第一接觸窗與該第二接觸窗連接至該輔助電極。
5.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該輔助電極位于該電容電極與該像素電極之間，且該第一絕緣層位于該輔助電極與該電容電極之間。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第二絕緣層具有接觸窗，使該像素電極通過該接觸窗電性連接該主動元件。
7.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一絕緣層與該第二絕緣層位于所述多個墊高柱與該可撓性基板之間。
8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該墊高圖案環(huán)繞該像素電極。
9.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該主動元件包括柵極、通道層、源極與漏極，該通道層電性絕緣于該柵極，該源極與該漏極連接于該通道層，該柵極連接至掃描線，該源極連接至數(shù)據(jù)線而該漏極連接至該像素電極。
10.如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該源極、該漏極與該電容電極都設(shè)置于該第一絕緣層與該第二絕緣層之間。
11.如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該柵極設(shè)置于該第一絕緣層與該可撓性基板之間。
12.如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該電容電極位于該第一絕緣層與該可撓性基板之間。
【文檔編號】G09F9/30GK103915042SQ201310353862
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年8月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月4日
【發(fā)明者】江明盛, 王志誠 申請人:元太科技工業(yè)股份有限公司