顯示裝置制造方法
【專利摘要】一種顯示裝置的顯示面板具有顯示區(qū)以及位于顯示區(qū)外的非顯示區(qū)，且顯示面板包括多個(gè)像素電極、多個(gè)掃描線、掃描線驅(qū)動(dòng)器。多個(gè)像素電極以及多個(gè)掃描線位于顯示區(qū)內(nèi)。掃描線驅(qū)動(dòng)器位于非顯示區(qū)內(nèi)且包括多個(gè)移位寄存單元。每一移位寄存單元中包括輸入元件用以接收啟動(dòng)信號(hào)，以及控制元件用以抑制噪聲，其中輸入元件或控制元件為雙柵極晶體管。
【專利說(shuō)明】顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示裝置，特別涉及一種顯示面板的掃描線驅(qū)動(dòng)裝置具有雙柵極晶體管的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體科技蓬勃發(fā)展，攜帶型電子產(chǎn)品及平面顯示器產(chǎn)品也隨之興起。而在眾多平面顯示器的類(lèi)型當(dāng)中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display,IXD)基于其低電壓操作、無(wú)輻射線散射、重量輕以及體積小等優(yōu)點(diǎn)，隨即已成為顯示器產(chǎn)品的主流。
[0003]為了要將液晶顯示器的制作成本壓低，已有部分廠商通過(guò)非晶硅工藝而直接在玻璃基板上制作多級(jí)非晶娃移位寄存單元(a-Si shift register),藉此來(lái)降低液晶顯示器的制作成本。
[0004]然而，傳統(tǒng)的非晶硅移位緩存器電路的輸出信號(hào)(亦即掃描信號(hào))穩(wěn)定性較差，其很容易受到外部頻率信號(hào)的耦合而產(chǎn)生過(guò)大的噪聲，從而導(dǎo)致錯(cuò)誤的邏輯輸出。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供一種顯示裝置，其中液晶面板的移位寄存單元同時(shí)兼?zhèn)溆幸种岂詈显肼暭爸谱鞒杀镜偷奶匦浴?br> [0006]本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示裝置包括顯示面板具有顯示區(qū)以及位于顯示區(qū)外的非顯示區(qū)，且顯示面板包括多個(gè)像素電極、多個(gè)掃描線、掃描線驅(qū)動(dòng)器。多個(gè)像素電極以及多個(gè)掃描線位于顯示區(qū)內(nèi)。掃描線驅(qū)動(dòng)器位于非顯示區(qū)內(nèi)且包括多個(gè)移位寄存單元，每一移位寄存單元均接收來(lái)自外部電路的頻率信號(hào)，且前一移位寄存單元的輸出信號(hào)為后一移位寄存單元的輸入信號(hào)。每一移位寄存單元包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管以及第七晶體管。
[0007]第一晶體管的第一電極電`連接頻率信號(hào)，第一晶體管的第二電極電連接至掃描線。第二晶體管為雙柵極晶體管，第二晶體管的控制電極包括下柵極電極與上柵極電極，第二晶體管的下柵極電極電連接前一移位寄存單元的輸出信號(hào)，第二晶體管的上柵極電極電連接至第二晶體管的下柵極電極，第二晶體管的第一電極電連接前一移位寄存單元的輸出信號(hào)，第二晶體管的第二電極電連接至第一晶體管的控制電極。第三晶體管的第一電極電連接至第一晶體管的控制電極，第三晶體管的第二電極電連接至基準(zhǔn)電位。第四晶體管的第一電極電連接至第三晶體管的控制電極，第四晶體管的第二電極電連接至基準(zhǔn)電位。
[0008]在上述實(shí)施例中，第四晶體管為雙柵極晶體管，第四晶體管的控制電極包括下柵極電極與上柵極電極，第四晶體管的下柵極電極電連接至第二晶體管的第二電極，第四晶體管的上柵極電極電連接至基準(zhǔn)電位或電連接至下柵極電極。
[0009]在上述實(shí)施例中，第五晶體管的控制電極電連接至次一移位寄存單元的輸出信號(hào)，第五晶體管的第一電極電連接至第一晶體管的第二電極，第五晶體管的第二電極電連接至基準(zhǔn)電位。第六晶體管，第六晶體管的控制電極電連接至次一移位寄存單元的輸出信號(hào)，第六晶體管的第一電極電連接至第一晶體管的控制電極，第六晶體管的第二電極電連接至基準(zhǔn)電位。第七晶體管的控制電極及第一電極電連接該頻率信號(hào)，第七晶體管的第二電極電連接至第三晶體管的控制端。
[0010]在上述實(shí)施例中，第二晶體管或第四晶體管的上柵極電極的組成包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁、銅、鑰其中的一者。
[0011]在上述實(shí)施例中，顯示面板還包括基板，第二晶體管的下柵極電極形成于基板上，且第二晶體管還包括:第一介電層、半導(dǎo)體層以及第二介電層。第一介電層覆蓋于第二晶體管的下柵極電極與基板上。半導(dǎo)體層形成于第一介電層上，其中第二晶體管的第一電極與第二電極位于半導(dǎo)體層的相對(duì)兩側(cè)。第二介電層覆蓋于第二晶體管的第一電極與第二電極與半導(dǎo)體層上，其中第二晶體管的上柵極電極相對(duì)半導(dǎo)體層形成于第二介電層上。
[0012]在上述實(shí)施例中，前溝道區(qū)域定義于半導(dǎo)體層接近第二晶體管的下柵極電極的一偵U，第二晶體管的上柵極電極的寬度大于或等于前溝道區(qū)域的溝道長(zhǎng)度。并且后溝道區(qū)域定義于半導(dǎo)體層接近第二晶體管的上柵極電極的一側(cè)，第二晶體管的上柵極電極的寬度大于或等于后溝道區(qū)域的溝道長(zhǎng)度。
[0013]在上述實(shí)施例中，第二介電層的厚度2000-30000人。
[0014]在上述實(shí)施例中，半導(dǎo)體層的組成包括非晶硅(a-si)、低溫復(fù)晶硅(LTPS)、氧化鉭(IGZO)其中的一者。
[0015]在上述實(shí)施例中，半導(dǎo)體層包含蝕刻中止層。
[0016]藉由上述移位寄存單元的電路配置，應(yīng)用此移位寄存單元的顯示裝置所產(chǎn)生的噪聲將可被抑制，以克服現(xiàn)有技術(shù)中所產(chǎn)生的缺點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1顯示本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的液晶顯示器的示意圖；
[0018]圖2顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例的移位寄存單元的電路圖；
[0019]圖3A顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例的第二晶體管(輸入單元)的俯視圖；
[0020]圖3B顯示沿圖3AA-A’截線所視的剖面圖；
[0021]圖4A顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例的第四晶體管(控制單元)的俯視圖；
[0022]圖4B顯示沿圖4AB-B’截線所視的剖面圖；以及
[0023]圖5顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例的移位寄存單元的電路圖；
[0024]圖6A顯示圖5的移位寄存單元中第二晶體管T2、T2a及第四晶體管T4取代為單柵極晶體管時(shí)電路輸出端的電壓-時(shí)間關(guān)系圖；
[0025]圖6B顯示圖5的移位寄存單元中第四晶體管T4取代為單柵極晶體管時(shí)電路輸出端的電壓-時(shí)間關(guān)系圖；以及
[0026]圖6C顯示圖5的移位寄存單元輸出端的電壓-時(shí)間關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為了讓本發(fā)明的目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并結(jié)合所附圖示圖1至圖6，做詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明說(shuō)明書(shū)提供不同的實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明不同實(shí)施方式的技術(shù)特征。其中，實(shí)施例中的各元件的配置為說(shuō)明之用，并非用以限制本發(fā)明。且實(shí)施例中圖式標(biāo)號(hào)的部分重復(fù)，是為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，并非意指不同實(shí)施例之間的關(guān)聯(lián)性。
[0028]請(qǐng)參照?qǐng)D1，本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例的顯示裝置I包括顯示面板10。在一不限定的實(shí)施例中顯示面板10為液晶顯示面板，且顯示裝置I還包括背光模塊(未圖標(biāo))配置用于供應(yīng)顯示面板10背光源。顯示面板10包括基板11，其中基板11具有顯示區(qū)AA以及位于顯示區(qū)AA外的非顯示區(qū)EA。多個(gè)像素電極13、多個(gè)薄膜晶體管15、多個(gè)掃描線17以及多個(gè)數(shù)據(jù)線19形成于基板11的顯示區(qū)AA。掃描線驅(qū)動(dòng)電路20形成于基板11的非顯示區(qū)EA。掃描線驅(qū)動(dòng)電路20電連接于掃描線17，并藉由掃描線17提供輸出信號(hào)至每一薄膜晶體管15，藉此控制薄膜晶體管15的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路30電連接于數(shù)據(jù)線19，并藉由數(shù)據(jù)線19提供輸出信號(hào)至每一薄膜晶體管15，藉此提供像素電極13的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0029]如圖1所示，掃描線驅(qū)動(dòng)電路20包括多個(gè)移位寄存單元21，每一移位寄存單元21均接收來(lái)自外部電路的頻率信號(hào)，且前一移位寄存單元21的輸出信號(hào)為后一移位寄存單元21的輸入信號(hào)，例如，第N-2級(jí)的輸出信號(hào)為第N級(jí)移位寄存單元21的輸入信號(hào)，依此類(lèi)推。由于移位寄存單元21間的連接關(guān)系為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，且非本發(fā)明欲強(qiáng)調(diào)的特征，故不加以贅述。
[0030]請(qǐng)參照?qǐng)D2，以下詳細(xì)描述本發(fā)明的一實(shí)施例中單一移位寄存單元21的結(jié)構(gòu)。可以明白的是，雖然本發(fā)明的每一級(jí)的移位寄存單元的結(jié)構(gòu)都相同，但本發(fā)明并不限定每一級(jí)的移位寄存單元的結(jié)構(gòu)需相同，每一級(jí)移位寄存單元的結(jié)構(gòu)可以加以改變。
[0031]每一移位寄存單元21包括第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3以及第四晶體管T4。在此實(shí)施例中，上述晶體管T1-T7皆具有控制電極、第一電極以及第二電極。在此實(shí)施例中，第一電極指源極，第二電極指漏極，但并不限制于此。
[0032]圖2中，Out (n-2)代表第N_2級(jí)移位緩存器21的輸出信號(hào)，亦即來(lái)自于第N_2級(jí)移位緩存器的輸出。Out (η)代表第N級(jí)移位緩存器的輸出。Out (η+2)代表第Ν+2級(jí)移位緩存器21的輸出信號(hào)，亦即來(lái)自于第Ν+2級(jí)移位緩存器的輸出。CKl代表頻率信號(hào)，而VSS代表基準(zhǔn)電壓。
[0033]第一晶體管Tl的第一電極電連接頻率信號(hào)，第一晶體管Tl的第二電極電連接至掃描線17 (圖1)。第二晶體管Τ2為雙柵極晶體管，其控制電極具有下柵極電極Τ21與上柵極電極Τ22。第二晶體管Τ2的下柵極電極Τ21電連接前一移位寄存單元的輸出信號(hào)Out (n-2)，且第二晶體管T2的上柵極電極T22電連接至第二晶體管T2的下柵極電極T21。第二晶體管T2的第一電極電連接前一移位寄存單元的輸出信號(hào)Out (n-2)，第二晶體管T2的第二電極電連接至第一晶體管Tl的控制電極。
[0034]第三晶體管T3的第一電極電連接至第一晶體管Tl的控制電極，第三晶體管T3的第二電極電連接至基準(zhǔn)電位VSS。第四晶體管T4為雙柵極晶體管，其控制電極具有下柵極電極T41與上柵極電極T42。第四晶體管T4的下柵極電極T41電連接至第二晶體管T2的第二電極，且第四晶體管T4的上柵極電極T42電連接至基準(zhǔn)電位VSS。第四晶體管T4的控制電極電連接至第二晶體管T2的第二電極，第四晶體管T4的第一電極電連接至第三晶體管T3的控制電極，第四晶體管T4的第二電極電連接至基準(zhǔn)電位VSS。
[0035]請(qǐng)參照?qǐng)D3A、3B，圖3A顯示本發(fā)明的一實(shí)施例的第二晶體管T2的俯視圖，圖3B顯示圖3A的A-A’截線的剖面圖。第二晶體管T2包括下柵極電極T21、第一介電層T23、半導(dǎo)體層T24、第一電極T25、第二電極T26、第二介電層T27以及上柵極電極T22。[0036]下柵極電極T21形成于液晶面板10的基板11 (圖1)上,第一介電層T23覆蓋于下柵極電極T21與基板11上。半導(dǎo)體層T24形成于第一介電層T23上，其中半導(dǎo)體層T24的組成包括非晶硅(a-si )、低溫復(fù)晶硅(LTPS)、氧化鉭(IGZ0)其中的一者，或半導(dǎo)體層T24包含蝕刻中止層。第一電極T25與第二電極T26分別位于半導(dǎo)體層T24的相對(duì)兩側(cè)。第二介電層T27覆蓋于第一電極T25與第二電極T26與半導(dǎo)體層T24上，其中上柵極電極T22相對(duì)半導(dǎo)體層T24形成于第二介電層T27上。值得注意的是，開(kāi)孔V形成于第二電極T26的外側(cè)并穿過(guò)第一介電層T23以及第二介電層T27，其中上柵極電極T22經(jīng)由開(kāi)孔V連接于下柵極電極T21。
[0037]值得注意的是，半導(dǎo)體層T24接近下柵極電極T21的一側(cè)具有前溝道區(qū)域F1，且半導(dǎo)體層T24接近上柵極電極T22的一側(cè)具有后溝道區(qū)域BI，其中第二晶體管T2的上柵極電極T22的寬度大于或等于溝道區(qū)域Fl的溝道長(zhǎng)度，且第二晶體管T2的上柵極電極的寬度大于或等于后溝道區(qū)域BI的溝道長(zhǎng)度，以確實(shí)控制前、后溝道區(qū)域F1、B1的開(kāi)關(guān)。
[0038]請(qǐng)參照?qǐng)D4A、4B，圖4A顯示本發(fā)明的一實(shí)施例的第四晶體管T4的俯視圖，圖4B顯示圖4A的B-B’截線的剖面圖。第四晶體管T4包括下柵極電極T41、第一介電層T43、半導(dǎo)體層T44、第一電極T45、第二電極T46、第二介電層T47以及上柵極電極T42。
[0039]下柵極電極T41形成于液晶面板10的基板11 (圖1)上,第一介電層T43覆蓋于下柵極電極T41與基板11上。半導(dǎo)體層T44形成于第一介電層T43上，其中半導(dǎo)體層T44的組成包括非晶硅(a-si )、低溫復(fù)晶硅(LTPS)、氧化鉭(IGZ0)其中的一者，或半導(dǎo)體層T44包含蝕刻中止層。第一電極T45與第二電極T46分別位于半導(dǎo)體層T44的相對(duì)兩側(cè)。第二介電層T47覆蓋于第一電極T45與第二電極T46與半導(dǎo)體層T44上,其中上柵極電極T42相對(duì)半導(dǎo)體層T44形成于第二介電層T47上。值得注意的是，開(kāi)孔V’形成于第二電極T46的外側(cè)并穿過(guò)第一介電層T43以及第二介電層T47，其中上柵極電極T42經(jīng)由開(kāi)孔V’連接導(dǎo)電層T48，以電連接至基準(zhǔn)電位VSS。
[0040]值得注意的是，半導(dǎo)體層T44接近下柵極電極T41的一側(cè)具有前溝道區(qū)域F2，且半導(dǎo)體層T44接近上柵極電極T42的一側(cè)具有后溝道區(qū)域B2，其中第四晶體管T4的上柵極電極T42的寬度大于或等于溝道區(qū)域F2的溝道長(zhǎng)度，且第四晶體管T4的上柵極電極的寬度大于或等于后溝道區(qū)域B2的溝道長(zhǎng)度，以確實(shí)控制前、后溝道區(qū)域F2、B2的開(kāi)關(guān)。
[0041]請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D2，每一移位寄存單元21可適應(yīng)性地增加第五晶體管T5、第六晶體管T6以及第七晶體管T7，以增加電路的穩(wěn)定性，其配置方式如下:
[0042]第五晶體管T5的控制電極電連接至次一移位寄存單元的輸出信號(hào)Out (η+2)，第五晶體管Τ5的第一電極電連接至第一晶體管Tl的第二電極，第五晶體管Τ5的第二電極電連接至基準(zhǔn)電位VSS。第六晶體管Τ6的控制電極電連接至次一移位寄存單元的輸出信號(hào)Out (η+2)，第六晶體管Τ6的第一電極電連接至第一晶體管Tl的控制電極，第六晶體管Τ6的第二電極電連接至基準(zhǔn)電位VSS。第七晶體管Τ7的控制電極及第一電極電連接頻率信號(hào)，第七晶體管Τ7的第二電極電連接至第三晶體管Τ3的控制端。
[0043]下述進(jìn)一步說(shuō)明晶體管Τ1-Τ7的動(dòng)作方式:第二晶體管Τ2受來(lái)自第Ν-2級(jí)的移位寄存單元21的輸出信號(hào)Out (n-2)啟動(dòng)后，第一晶體管Tl送出輸出信號(hào)Out (η)。接著，第五晶體管Τ5與第六晶體管Τ6受來(lái)自第Ν+2級(jí)的移位寄存單元21的輸出信號(hào)Out (η+2)啟動(dòng)后，因?yàn)榈谝痪w管Tl的控制電極的電壓位準(zhǔn)等于基準(zhǔn)電壓VSS，所以第一晶體管Tl會(huì)截止。
[0044]此外，第七晶體管T7受頻率信號(hào)的控制，定期開(kāi)啟第三晶體管T3，使第一晶體管Tl的控制電極的電壓位準(zhǔn)位于基準(zhǔn)電壓VSS。為此，第一晶體管Tl在下一個(gè)輸出信號(hào)Out (n-2)提供前，穩(wěn)定維持于關(guān)閉狀態(tài)。然而，當(dāng)下一個(gè)輸出信號(hào)Out (n-2)提供時(shí)，第四晶體管T4受節(jié)點(diǎn)P的電壓位準(zhǔn)控制而開(kāi)啟，使第三晶體管T3的控制電極的電壓位準(zhǔn)位于基準(zhǔn)電壓VSS。在第三晶體管T3截止后，第一晶體管Tl不受其限制而正常開(kāi)啟。上述節(jié)點(diǎn)P的電壓位準(zhǔn)相同于第二晶體管T2的第二電極的電壓位準(zhǔn)。
[0045]值得注意的是，由于移位寄存單元21設(shè)置于基板11的非顯示區(qū)EA，移位寄存單元21易受基板11對(duì)側(cè)的彩色濾光基板(未圖標(biāo))的電壓所影響，而造成晶體管T1-T7的后溝道區(qū)域意外開(kāi)啟(漏電流)。因此，本實(shí)施例的移位寄存單元21藉由使用雙柵極晶體管的第二晶體管T2以及第四晶體管T4克服上述問(wèn)題。詳而言之，第二晶體管T2開(kāi)啟時(shí)，上、下柵極電極T22、T21皆為高電壓位準(zhǔn)Vgh，因此前、后溝道區(qū)域同時(shí)開(kāi)啟，藉此增大第二晶體管T2的電流量；第二晶體管T2關(guān)閉時(shí)，上、下柵極電極T22、T21皆為低電壓位準(zhǔn)Vgl，上柵極電極T22可控制第二晶體管T2的后溝道區(qū)域維持關(guān)閉狀態(tài)。另一方面，第四晶體管T4關(guān)閉時(shí)，下柵極電極T41為低電壓位準(zhǔn)Vgl且上柵極電極T42的電壓位準(zhǔn)位于基準(zhǔn)電壓VSS，上柵極電極T42可控制第四晶體管T4的后溝道區(qū)域維持關(guān)閉狀態(tài)。由于第二晶體管T2以及第四晶體管T4的后溝道區(qū)域可受上柵極電極所控制，故第二晶體管T2以及第四晶體管T4不會(huì)受到彩色濾光基板的電壓所影響而意外開(kāi)啟，于是移位寄存單元21的控制準(zhǔn)確性得以提聞。
[0046]另一方面，第二晶體管T2以及第四晶體管T4的第二介電層T27、T47的組成包括PFA(Polymer Film on Array)、Si02、SiNx等材料,藉由增加該材料的厚度,可產(chǎn)生遮蔽彩色濾光基板側(cè)的電壓的功效。在一具體實(shí)施例中，第二介電層T27、T47的厚度介于2000-30000埃(A)之間，并且上柵極電極T22、T42的組成包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁、銅、鑰其中的一者。
[0047]應(yīng)當(dāng)明白的是，雖然在此實(shí)施例中第二晶體管Τ2以及第四晶體管Τ4皆為雙柵極晶體管，但不應(yīng)限制于此。在一些實(shí)施例中，移位寄存單元中僅第二晶體管采用雙柵極晶體管但第四晶體管采用單柵極晶體管時(shí)，即可達(dá)到穩(wěn)定抑制噪聲的功效。在另一些實(shí)施例中，移位寄存單元中第二晶體管以及第四晶體管皆采用雙柵極晶體管時(shí)，可進(jìn)一步達(dá)到抑制噪聲的功效。
[0048]請(qǐng)參照?qǐng)D5，本發(fā)明另一實(shí)施例的移位寄存單元21’包括移位寄存單元21以及進(jìn)位單元23、第八晶體管Τ8、二個(gè)第九晶體管T9、T9a、第十晶體管TlO以及第十一晶體管TH.進(jìn)位單元23用于提供輸出信號(hào)Carry (η)至次一進(jìn)位單元以加強(qiáng)移位寄存單元21’的信號(hào)強(qiáng)度。如圖5所示，進(jìn)位單元23包含晶體管Tla、T2a、T3a、T5a、T6a，其中晶體管Tla、T2a、T3a、T5a、T6a的連接關(guān)系相似于移位寄存單元21的晶體管Tl、T2、T3、T5、T6的連接關(guān)系。值得注意的是，進(jìn)位單元23的晶體管T3a的控制端連接至移位寄存單元21的第四晶體管T4的第一電極，且移位寄存單元21的第二晶體管T2以及進(jìn)位單元23的第二晶體管T2同樣電連接于前一級(jí)進(jìn)位輸出信號(hào)Carry (n-2)。另外，晶體管T3、T3a與晶體管T9a皆受節(jié)點(diǎn)Z的電壓位準(zhǔn)所控制。
[0049]第八晶體管T8電連接于移位寄存單元21的第七晶體管，以減少第七晶體管T7的應(yīng)力。第九晶體管T9、T9a分別電連接于移位寄存單元21與進(jìn)位單元23的輸出端，用以下拉輸出端的噪聲。第十晶體管TlO的控制端電連接至次一級(jí)進(jìn)位輸出信號(hào)Carry (η+2),第十晶體管TlO的第一電極電連接至前一級(jí)進(jìn)位輸出信號(hào)Carry (n-2)，第十晶體管TlO的第二電極電連接至進(jìn)位單元23的第一晶體管Tla的控制端。第十一晶體管Tll的控制端連接于電壓位準(zhǔn)Reset，確保移位寄存單元21’在顯示裝置開(kāi)啟前無(wú)任何噪聲電壓存在于移位寄存單元21’。
[0050]請(qǐng)參照第6A、6B、6C圖。圖6A顯示圖5的電路布局中第二晶體管T2、T2a及第四晶體管T4取代為單柵極晶體管時(shí)電路輸出端的電壓-時(shí)間關(guān)系圖；圖6B顯示圖5的電路布局中第四晶體管T4取代為單柵極晶體管時(shí)電路輸出端的電壓-時(shí)間關(guān)系圖；圖6C顯示圖5的移位寄存單元21’輸出端的電壓-時(shí)間關(guān)系圖。
[0051]同時(shí)觀看圖6A、6B將發(fā)現(xiàn)，第二晶體管T2、T2a采用雙柵極晶體管的電壓輸出(圖6B)較第二晶體管T2、T2a采用單柵極晶體管的電壓輸出來(lái)的穩(wěn)定(圖6A)。并且，第二晶體管T2、T2a以及第四晶體管T4同時(shí)采用雙柵極晶體管的電壓輸出(圖6C)較第二晶體管T2、T2a采用雙柵極晶體管但第四晶體管T4采用單柵極晶體管的電壓輸出(圖6B)來(lái)的穩(wěn)定。
[0052]因此，在一些實(shí)施例中，移位寄存單元中僅第二晶體管采用雙柵極晶體管但第四晶體管采用單柵極晶體管時(shí)，即可達(dá)到穩(wěn)定抑制噪聲的功效。在另一些實(shí)施例中，移位寄存單元中第二晶體管以及第四晶體管皆采用雙柵極晶體管時(shí)，可進(jìn)一步達(dá)到抑制噪聲的功效。
[0053]綜上所述，本發(fā)明藉由移位暫存電路的電路設(shè)計(jì)，改善現(xiàn)有移位暫存電路的缺點(diǎn)，其中在一實(shí)施例中移位暫存電路的輸出元件(第二晶體管)以及控制元件(第四晶體管)處是雙柵極晶體管，是故控制準(zhǔn)確度隨之提高。因此，利用本發(fā)明的顯示裝置可有較穩(wěn)定的顯示效果。此外，本發(fā)明的雙柵極晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，亦有助于簡(jiǎn)化工藝、減少生產(chǎn)成本的效果O
[0054]雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露于上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，包括: 顯示面板，具有顯示區(qū)以及位于所述顯示區(qū)外的非顯示區(qū)，且包括: 多個(gè)像素電極，位于所述顯示區(qū)內(nèi)； 多個(gè)掃描線，位于所述顯示區(qū)內(nèi)，電連接于所述多個(gè)像素電極；以及掃描線驅(qū)動(dòng)器，位于所述非顯示區(qū)內(nèi)，且包括多個(gè)移位寄存單元，每一移位寄存單元均接收來(lái)自外部電路的頻率信號(hào)，且前一移位寄存單元的輸出信號(hào)為后一移位寄存單元的輸入信號(hào)，每一移位寄存單元包括: 第一晶體管，所述第一晶體管的第一電極電連接所述頻率信號(hào)，所述第一晶體管的第二電極電連接至所述掃描線； 第二晶體管，為雙柵極晶體管，所述第二晶體管的控制電極包括下柵極電極與上柵極電極，所述第二晶體管的下柵極電極電連接前一移位寄存單元的輸出信號(hào)，所述第二晶體管的上柵極電極電連接至所述第二晶體管的下柵極電極，所述第二晶體管的第一電極電連接前一移位寄存單元的輸出信號(hào)，所述第二晶體管的第二電極電連接至所述第一晶體管的控制電極； 第三晶體管，所述第三晶體管的第一電極電連接至所述第一晶體管的控制電極，所述第三晶體管的第二電極電連接至基準(zhǔn)電位；以及 第四晶體管，所述第四晶體管的第一電極電連接至所述第三晶體管的控制電極，所述第四晶體管的第二電極電連接至所述基準(zhǔn)電位。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第四晶體管為雙柵極晶體管，所述第四晶體管的控制電極包括下柵極電極與上柵極電極，所述第四晶體管的下柵極電極電連接至所述第二晶體管的第二電極，所述第四晶體管的上柵極電極電連接至所述基準(zhǔn)電位或電連接至所述第四晶體管的下柵極電極。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中每一所述移位寄存單元還包括: 第五晶體管，所述第五晶體管的控制電極電連接至次一移位寄存單元的輸出信號(hào)，所述第五晶體管的第一電極電連接至所述第一晶體管的第二電極，所述第五晶體管的第二電極電連接至所述基準(zhǔn)電位；以及 第六晶體管，所述第六晶體管的控制電極電連接至次一移位寄存單元的輸出信號(hào)，所述第六晶體管的第一電極電連接至所述第一晶體管的控制電極，所述第六晶體管的第二電極電連接至所述基準(zhǔn)電位。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中每一所述移位寄存單元還包括: 第七晶體管，所述第七晶體管的控制電極及第一電極電連接所述頻率信號(hào)，所述第七晶體管的第二電極電連接至所述第三晶體管的控制端。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第四晶體管的上柵極電極的組成包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁、銅、鑰其中的一者。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述顯示面板還包括基板，所述第二晶體管的下柵極電極形成于所述基板上，且所述第二晶體管還包括: 第一介電層，覆蓋于所述第二晶體管的下柵極電極與所述基板上； 半導(dǎo)體層，形成于所述第一介電層上，其中所述第二晶體管的第一電極與第二電極位于所述半導(dǎo)體層的相對(duì)兩側(cè)；以及第二介電層，覆蓋于所述第二晶體管的第一電極與第二電極與所述半導(dǎo)體層上，其中所述第二晶體管的上柵極電極相對(duì)所述半導(dǎo)體層形成于所述第二介電層上。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中前溝道區(qū)域定義于所述半導(dǎo)體層接近所述第二晶體管的下柵極電極的一側(cè)，所述第二晶體管的上柵極電極的寬度大于或等于所述前溝道區(qū)域的溝道長(zhǎng)度。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中后溝道區(qū)域定義于所述半導(dǎo)體層接近所述第二晶體管的上柵極電極的一側(cè)，所述第二晶體管的上柵極電極的寬度大于或等于所述后溝道區(qū)域的溝道長(zhǎng)度。
9. 如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中所述第二介電層的厚度2000-30000埃。
10.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中所述半導(dǎo)體層的組成包括非晶硅、低溫復(fù)晶硅、氧化鉭其中的一者。
11.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中所述半導(dǎo)體層包含蝕刻中止層。
【文檔編號(hào)】G09F9/35GK103680344SQ201210355208
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月21日
【發(fā)明者】宋立偉, 蔡宗霖, 汪安昌, 陳忠樂(lè) 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司