專利名稱：一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板和顯示裝置。
背景技術(shù)：
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(ActiveMatrix/Organic Light Emitting Diode,AMOLED)顯示器是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，與液晶顯示器相比，有機(jī)發(fā)光二極管OLED具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，目前，在手機(jī)、PM(掌上電腦)、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域OLED已經(jīng)開(kāi)始取代傳統(tǒng)的IXD顯示屏。像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是AMOLED顯示器核心技術(shù)內(nèi)容，具有重要的研究意義。
與TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器)利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，OLED屬于電流驅(qū)動(dòng)，需要穩(wěn)定的電流來(lái)控制發(fā)光。由于工藝制程和器件老化等原因，在現(xiàn)有的兩個(gè)晶體管T1、T2和一個(gè)存儲(chǔ)電容Cl的驅(qū)動(dòng)電路中(參照?qǐng)DI所示)，其中驅(qū)動(dòng)電流1_是由于數(shù)據(jù)線提供的電壓Vdata作用在驅(qū)動(dòng)晶體管(DTFT)飽和區(qū)域而產(chǎn)生的電流。它驅(qū)動(dòng)OLED來(lái)發(fā)光，其中驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算公式為1。_ = K(Ves-Vth)2,其中Ves為驅(qū)動(dòng)晶體管柵極和源極之間的電壓，Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，由于工藝制程和器件老化等原因，各像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓(Vth)存在不均勻性，各像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)TFT(即圖中T2)的閾值電壓存在不均勻性，這樣就導(dǎo)致了流過(guò)每個(gè)像素點(diǎn)OLED的電流發(fā)生變化，從而影響整個(gè)圖像的顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板和顯示裝置，能夠避免驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移對(duì)有源發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)電流的影響，進(jìn)而提高了顯示圖像的均勻性。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—方面，提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括數(shù)據(jù)線、第一掃描線、信號(hào)控制線、發(fā)光器件、存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管和四個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管；第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述信號(hào)控制線，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接第一電平端，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第一極；第二開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接低電平，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第二極；第三開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述存儲(chǔ)電容的第二極；第四開(kāi)關(guān)晶體管，所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第四晶體管的漏極連接所述第三晶體管的漏極；所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的漏極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接所述存儲(chǔ)電容的第一極；所述發(fā)光器件的一極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，所述發(fā)光器件的另一極連接第
二電平端。一方面，提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括在第一階段，第一開(kāi)關(guān)晶體管、第二開(kāi)關(guān)晶體管、第四開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，第三開(kāi)關(guān)晶體管截止，第一電平端向存儲(chǔ)電容充電；在第二階段，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管、第四開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、 第三開(kāi)關(guān)晶體管截止，所述存儲(chǔ)電容放電直至所述驅(qū)動(dòng)晶體管柵極和源極的電壓差等于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓；在第三階段，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、第三開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管和第四開(kāi)關(guān)晶體管截止，所述第一電平端和第二電平端向發(fā)光器件施加導(dǎo)通信號(hào)?！矫妫峁┮环N陣列基板，包括上述的像素驅(qū)動(dòng)電路。一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板和顯示裝置，能夠通過(guò)電壓補(bǔ)償?shù)姆绞奖苊怛?qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移對(duì)有源發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)電流的影響，進(jìn)而提高了顯示圖像的均勻性。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)時(shí)序狀態(tài)示意圖；圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路在第一時(shí)間段的等效電路示意圖；圖5b為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路在第二時(shí)間段的等效電路示意圖；圖5c為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路在第三時(shí)間段的等效電路示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的另一種/[目號(hào)時(shí)序狀態(tài)不意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明所有實(shí)施例中采用的開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管均可以為薄膜晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管或其他特性相同的器件，由于這里采用的開(kāi)關(guān)晶體管的源極、漏極是對(duì)稱的，所以其源極、漏極是可以互換的。在本發(fā)明實(shí)施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中一極稱為源極，另一極稱為漏極。按附圖中的形態(tài)規(guī)定晶體管的中間端為柵極、信號(hào)輸入端為源極、信號(hào)輸出端為漏極。此外本發(fā)明實(shí)施例所采用的開(kāi)關(guān)晶體管包括P型開(kāi)關(guān)晶體管和N型開(kāi)關(guān)晶體管兩種，其中，P型開(kāi)關(guān)晶體管在柵極為低電平時(shí)導(dǎo)通，在柵極為高電平時(shí)截止，N型開(kāi)關(guān)晶體管為在柵極為高電平時(shí)導(dǎo)通，在柵極為低電平時(shí)截止。參照?qǐng)D2，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括數(shù)據(jù)線、第一掃描線、信號(hào)控制線、發(fā)光器件、存儲(chǔ)電容Cl、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT和四個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管(Tl T4)；第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl的柵極連接信號(hào)控制線，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl的源極連接第一電平端，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl漏極連接存儲(chǔ)電容C l的第一極；第二開(kāi)關(guān)晶體管T2的柵極連接第一掃描線，第二開(kāi)關(guān)晶體管T2的源極連接低電平，第二開(kāi)關(guān)晶體管T2的漏極連接存儲(chǔ)電容Cl的第二極；第三開(kāi)關(guān)晶體管T3的柵極連接第一掃描線，第三開(kāi)關(guān)晶體管T3的源極連接存儲(chǔ)電容Cl的第二極；第四開(kāi)關(guān)晶體管T4，第四開(kāi)關(guān)晶體管T4的柵極連接第一掃描線，第四開(kāi)關(guān)晶體管T4的源極連接數(shù)據(jù)線，第四晶體管T4的漏極連接第三晶體管T3的漏極；驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極連接第四開(kāi)關(guān)晶體管T4的漏極，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極；連接存儲(chǔ)電容Cl的第一極；發(fā)光器件的一極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，發(fā)光器件的另一極連接第二電平端。其中，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3為"N"型開(kāi)關(guān)晶體管；驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4為"P"型開(kāi)關(guān)晶體管；或者，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3和驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT為"P"型開(kāi)關(guān)晶體管；第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4為"N"型開(kāi)關(guān)晶體管。當(dāng)然這里的發(fā)光器件可以為有源發(fā)光二極管0LED，當(dāng)該OLED為底發(fā)射型OLED時(shí)，第二電平端的電平V2低于第一電平端的電平V1 ;優(yōu)選的，低電平為接地端；當(dāng)然圖2中是以底發(fā)射型OLED為例的。本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路能夠通過(guò)電壓補(bǔ)償?shù)姆绞奖苊怛?qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移對(duì)有源發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)電流的影響，提高了顯示圖像的均勻性。進(jìn)一步的，參照?qǐng)D3所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種像素驅(qū)動(dòng)電路還包括第二掃描線和第五開(kāi)關(guān)晶體管T5，第五開(kāi)關(guān)晶體管T5的柵極連接第二掃描線，第五晶體管T5的源極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，第五開(kāi)關(guān)晶體管T5的漏極連接發(fā)光器件的一極；發(fā)光器件的另一極連接第二電平端。同樣的，這里的發(fā)光器件可以為有源發(fā)光二極管0LED，當(dāng)該OLED為底發(fā)射型OLED時(shí)，第二電平端的電平V2低于第一電平端的電平V1,當(dāng)該OLED為頂發(fā)射型OLED時(shí)，第二電平端的電平V2高于第一電平端的電平V1,當(dāng)然圖3中是以底發(fā)射型OLED為例的。其中，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3為"N"型開(kāi)關(guān)晶體管；第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT為"P"型開(kāi)關(guān)晶體管；
或者，第一開(kāi)關(guān)晶體管T I、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3和驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT為"P"型開(kāi)關(guān)晶體管；第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4為"N"型開(kāi)關(guān)晶體管。這里第五開(kāi)關(guān)晶體管T5可以在顯示結(jié)束之后截止，起到了保護(hù)發(fā)光器件的作用。參照以上各實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路本發(fā)明實(shí)施例還提供了以上各實(shí)施例像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法在第一階段，第一開(kāi)關(guān)晶體管、第二開(kāi)關(guān)晶體管、第四開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，第三開(kāi)關(guān)晶體管截止，第一電平端向存儲(chǔ)電容充電；在第二階段，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管、第四開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、第三開(kāi)關(guān)晶體管截止，所述存儲(chǔ)電容放電直至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極的電壓差等于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓；在第三階段，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、第三開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管和第四開(kāi)關(guān)晶體管截止，所述第一電平端和第二電平端向發(fā)光器件施加導(dǎo)通信號(hào)。進(jìn)一步的，在包括有第五晶體管和第二掃描線的像素驅(qū)動(dòng)電路實(shí)施例中，在所述第一階段至所述第三階段，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管均處于導(dǎo)通狀態(tài)。這里以第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3為"N"型開(kāi)關(guān)晶體管；第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT為"P"型開(kāi)關(guān)晶體管為例進(jìn)行說(shuō)明，當(dāng)然 第五開(kāi)關(guān)晶體管T5可以為N型也可以為P型，這里以N型為例說(shuō)明，參照?qǐng)D4提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)時(shí)序狀態(tài)示意圖，同時(shí)參照?qǐng)D5a 5c所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)階段工作狀態(tài)的等效電路示意圖，本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括在第一階段，即圖4所示的時(shí)序狀態(tài)示意圖中的第一時(shí)間段，第一掃描線施加低電平信號(hào)，第二掃描線、信號(hào)控制線和數(shù)據(jù)線施加高電平信號(hào)，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4和第五開(kāi)關(guān)晶體管T5導(dǎo)通，第三晶體管T3截止，第一電平端向存儲(chǔ)電容Cl充電；此時(shí)形成電路的等效電路圖如圖5a所示，該過(guò)程中存儲(chǔ)電容Cl的第一極即圖中A點(diǎn)的電壓充至和第一電平端的電壓相同，此時(shí)A點(diǎn)電壓Va等于第一電平端的電壓V1 ;存儲(chǔ)電容Cl的第二極連接低電平，則第二極電壓即B點(diǎn)電壓Vb = O。在第二階段即圖4所示的時(shí)序狀態(tài)示意圖的第二時(shí)間段，第一掃描線和信號(hào)控制線施加低電平信號(hào)，第二掃描線和數(shù)據(jù)線施加高電平信號(hào)，第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4、第五開(kāi)關(guān)晶體管T5導(dǎo)通，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3截止，存儲(chǔ)電容Cl放電直至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT柵極和源極的電壓差等于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓；此時(shí)形成電路的等效電路圖如圖5b所示，該過(guò)程中存儲(chǔ)電容Cl的第一極即圖中A點(diǎn)開(kāi)始放電，直到Va-Vc = Vth為止，其中Va即A點(diǎn)電壓，V。為C點(diǎn)電壓即驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極電壓，此時(shí)\ = Vdata，其中Vdata為數(shù)據(jù)線提供的電壓值，Vth為此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓，最后A點(diǎn)的電壓變?yōu)閂data+Vth，該階段即為補(bǔ)償階段，同時(shí)起到緩沖作用為下一個(gè)階段做好準(zhǔn)備。在第三階段即圖4所示的時(shí)序狀態(tài)示意圖的第三時(shí)間段，第一掃描線、第二掃描線和信號(hào)控制線施加高電平信號(hào)，數(shù)據(jù)線施加低電平信號(hào)，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3、第五開(kāi)關(guān)晶體管T5導(dǎo)通，第二開(kāi)關(guān)晶體管T2和第四開(kāi)關(guān)晶體管T4截止，第一電平端和第二電平端向發(fā)光器件施加導(dǎo)通信號(hào)。此時(shí)形成的電路的等效電路圖如圖5c所示，該過(guò)程中存儲(chǔ)電容Cl的第一極電壓重新回到和第一電平端相同的電壓值V1，存儲(chǔ)電容Cl的第二極浮接，此時(shí)第一極和第二極的電壓實(shí)現(xiàn)等量跳變，則Vb = Vc = V1-Vdata-Vth,有源發(fā)光器件開(kāi)始發(fā)光，其中驅(qū)動(dòng)電流根據(jù)公式 Ioieo = K[VGS-V,] 二 [[F1 — (F1 - Vdak,-T , )-Vlh]2 ^ K ■ F1:由以上公式可知驅(qū)動(dòng)電流I_D只和數(shù)據(jù)線電壓Vdata值有關(guān)系，因此驅(qū)動(dòng)電流不受
I M,'
Vth影響，其中，Vgs為T(mén)FT柵極和源極之間的電壓，[=~μ(\α 丁，μ、Gm為工藝常數(shù)，W為
TFT溝道寬度，L為薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度，W、L都為可選擇性設(shè)計(jì)的常數(shù)。以上是以發(fā)光器件采用底發(fā)射型OLED為例進(jìn)行說(shuō)明，即第一電平端的電平高于第二電平端的電平；此外可以想到的是，在發(fā)光器件采用底發(fā)射型OLED時(shí)，第二電平端可以直接和低電平連接，即將OLED的負(fù)極連接低電平，這樣也可以降低像素驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)難度，更便于電路構(gòu)圖。進(jìn)一步的，參照?qǐng)D6所示的時(shí)序狀態(tài)圖，其中，在第一階段開(kāi)始之前向第二掃描線施加高電平信號(hào)，由于第二掃描線提前施加電平信號(hào)(這里為高電平)，即使得第五開(kāi)關(guān)晶體管提前導(dǎo)通，這樣使得電路在驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT工作之前提前進(jìn)入準(zhǔn)備狀態(tài)，以此可以消耗電路內(nèi)部殘存電流以減少顯示圖像中殘像現(xiàn)象發(fā)生，另外第五開(kāi)關(guān)晶體管Τ5可以在顯示結(jié)束之后截止，起到了保護(hù)發(fā)光器件的作用。以上實(shí)施例是以第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第三開(kāi)關(guān)晶體管Τ3為"N"型開(kāi)關(guān)晶體管；第二開(kāi)關(guān)晶體管Τ2、第四開(kāi)關(guān)晶體管Τ4、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT為"P"型開(kāi)關(guān)晶體管為例，當(dāng)然第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第三開(kāi)關(guān)晶體管Τ3和驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT為"P"型開(kāi)關(guān)晶體管；第二開(kāi)關(guān)晶體管Τ2、第四開(kāi)關(guān)晶體管Τ4為"N"型開(kāi)關(guān)晶體管時(shí)只需要相應(yīng)的調(diào)整第一掃描線、第二掃描線、信號(hào)控制線和數(shù)據(jù)線施加的電平信號(hào)即可，即本發(fā)明實(shí)施例對(duì)提供的各個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的類(lèi)型不做限制，即當(dāng)各個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的類(lèi)型采取變化是只需調(diào)整第一掃描線、第二掃描線、信號(hào)控制線和數(shù)據(jù)線施加的電平信號(hào)即可，這里以能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法為準(zhǔn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員在本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)方法的基礎(chǔ)上可輕易想到并實(shí)現(xiàn)的任一組合均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，能夠通過(guò)電壓補(bǔ)償?shù)姆绞奖苊怛?qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移對(duì)有源發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)電流的影響，進(jìn)而提高了顯示圖像的均勻性?！矫?，提供一種陣列基板，包括沿列延伸排列的多條數(shù)據(jù)線；沿行延伸排列的多條第一掃描線、第二掃描線和信號(hào)控制線；以矩陣形式布置在數(shù)據(jù)線和掃描線交叉位置處的多個(gè)像素；像素包括上述的任一像素驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，能夠通過(guò)電壓補(bǔ)償?shù)姆绞奖苊怛?qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移對(duì)有源發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)電流的影響，進(jìn)而提高了顯示圖像的均勻性。一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。另外，顯示裝置還可以為電子、紙、手機(jī)、電視、數(shù)碼相框等等顯示設(shè)備。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，能夠通過(guò)電壓補(bǔ)償?shù)姆绞奖苊怛?qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移對(duì)有源發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)電流的影響，進(jìn)而提高了顯示圖像的均勻性。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括數(shù)據(jù)線、第一掃描線、信號(hào)控制線、發(fā)光器件、存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管和四個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管； 第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述信號(hào)控制線，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接第一電平端，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第一極； 第二開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接低電平，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第二極； 第三開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述存儲(chǔ)電容的第二極； 第四開(kāi)關(guān)晶體管，所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第四晶體管的漏極連接所述第三晶體管的漏極； 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的漏極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接所述存儲(chǔ)電容的第一極； 所述發(fā)光器件的一極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，所述發(fā)光器件的另一極連接第二電平端。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括第二掃描線和第五開(kāi)關(guān)晶體管， 所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第二掃描線，所述第五晶體管的源極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述發(fā)光器件的一極； 所述發(fā)光器件的另一極連接第二電平端。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述電路，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、所述第三開(kāi)關(guān)晶體管為"N"型開(kāi)關(guān)晶體管； 所述第二開(kāi)關(guān)晶體管、所述第四開(kāi)關(guān)晶體管、所述驅(qū)動(dòng)晶體管為"為"P"型開(kāi)關(guān)晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電路，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、所述第三開(kāi)關(guān)晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管為"P"型開(kāi)關(guān)晶體管； 所述第二開(kāi)關(guān)晶體管、所述第四開(kāi)關(guān)晶體管為"N"型開(kāi)關(guān)晶體管。
5.一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括 在第一階段，第一開(kāi)關(guān)晶體管、第二開(kāi)關(guān)晶體管、第四開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，第三開(kāi)關(guān)晶體管截止，第一電平端向存儲(chǔ)電容充電； 在第二階段，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管、第四開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、第三開(kāi)關(guān)晶體管截止，所述存儲(chǔ)電容放電直至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極的電壓差等于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓； 在第三階段，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、第三開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管和第四開(kāi)關(guān)晶體管截止，所述第一電平端和第二電平端向發(fā)光器件施加導(dǎo)通信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第一階段至所述第三階段，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管均處于導(dǎo)通狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第一階段開(kāi)始之前所述第五開(kāi)關(guān)晶體管提前導(dǎo)通。
8.—種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求I 4所述的任一像素驅(qū)動(dòng)電路。
9.一種顯示裝置，包括權(quán)利要求8所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板和顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，能夠避免驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓漂移對(duì)有源發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)電流的影響。該像素驅(qū)動(dòng)電路，包括數(shù)據(jù)線、第一掃描線、信號(hào)控制線、發(fā)光器件、存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管和四個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管。本發(fā)明實(shí)施例用于顯示器制造。
文檔編號(hào)G09G3/36GK102708819SQ201210145708
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月10日
發(fā)明者劉英明, 吳俊緯, 楊盛際, 王海生 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司