專利名稱：復(fù)合式顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示裝置，且特別是有關(guān)于一種共享一個(gè)薄膜晶體管(TFT)基板的復(fù)合式顯示裝置(hybrid display device)。
背景技術(shù)：
隨著科技的進(jìn)步，各種的顯示器已廣泛地應(yīng)用于許多電子產(chǎn)品中。當(dāng)消費(fèi)者想要播放靜態(tài)圖像與文字，可使用低耗電的電子紙(electronic paper),若想要播放動(dòng)態(tài)影像時(shí)，可選擇具有高彩度與高反應(yīng)速度的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(OLED)，然而單一顯示器并無法同時(shí)具有高彩度與低耗電的優(yōu)點(diǎn)，因此整合兩種顯示裝置的復(fù)合式顯示裝置(hybriddisplay device)開始受到研究的矚目。目前復(fù)合式顯示裝置是分別制作兩個(gè)不同的顯示裝置，之后通過粘合劑將兩個(gè)顯示裝置粘貼，然而兩顯示裝置需要兩個(gè)TFT以分別驅(qū)動(dòng)顯示裝置，且分別具有兩個(gè)基板，如此一來，復(fù)合式顯示裝置不但整體裝置厚度提高，且制程的整合亦是另一個(gè)挑戰(zhàn)。若能提出一種復(fù)合式顯示裝置，其能共享一個(gè)TFT基板，并通過單一 TFT基板達(dá)到雙邊主動(dòng)驅(qū)動(dòng)，此復(fù)合式顯示裝置不但可減少顯示裝置的厚度，亦可簡(jiǎn)化制程步驟與成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種復(fù)合式顯示裝置，其能共享一個(gè)TFT基板，并通過單一 TFT基板達(dá)到雙邊主動(dòng)驅(qū)動(dòng)，此復(fù)合式顯示裝置不但可減少顯示裝置的厚度，亦可簡(jiǎn)化制程步驟與成本。本發(fā)明提供一種復(fù)合式顯不裝置，包括基板，其中該基板包括第一表面與一第二表面；薄膜晶體管陣列層(TFT array layer)，形成于該基板的第一表面上；第一顯示裝置，形成于該薄膜晶體管陣列層之上；以及第二顯示裝置，形成于該基板的第二表面上，其中該基板的介電常數(shù)值(k)與該基板的厚度(t)具有一對(duì)應(yīng)關(guān)系，以通過該薄膜晶體管陣列層主動(dòng)驅(qū)動(dòng)該第一顯示裝置與該第二顯示裝置，且該基板的介電常數(shù)值(k)為約1-100，該基板的厚度⑴為約0. 1-60 V- m。本發(fā)明另提供一種復(fù)合式顯不裝置，包括基板，其中該基板包括第一表面與一第二表面；薄膜晶體管陣列層，形成于該基板的第一表面上；第一顯示裝置，形成于該薄膜晶體管陣列層之上；以及第二顯示裝置，形成于該基板的第二表面上，其中該薄膜晶體管陣列層主動(dòng)驅(qū)動(dòng)該第一顯示裝置與該第二顯示裝置，且該第一顯示裝置為電流或電壓驅(qū)動(dòng)顯示裝置，該第二顯示裝置為電壓驅(qū)動(dòng)顯示裝置。本發(fā)明所提供的復(fù)合式顯示裝置，可通過選擇特定的基板介電常數(shù)值與基板厚度，以利用單一組薄膜晶體管陣列層主動(dòng)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)顯示裝置，如此一來，不但可減少?gòu)?fù)合式顯示裝置之整體厚度，且可簡(jiǎn)化制程步驟與成本。為讓本發(fā)明的特征能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下


圖1為一剖面圖，用以說明本發(fā)明的復(fù)合式顯示裝置；圖2為一剖面圖，用以說明本發(fā)明的模擬顯示裝置；圖3A-3B為一系列剖面圖，用以說明本發(fā)明的復(fù)合式顯示裝置的實(shí)施例；圖4A-4H為一系列剖面圖，用以說明本發(fā)明的復(fù)合式顯示裝置制法的流程圖；圖5為驅(qū)動(dòng)電壓、基板的介電常數(shù)值與基板的厚度的關(guān)系圖，用以說明本發(fā)明的基板介電常數(shù)值與厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系。主要組件符號(hào)說明100 復(fù)合式顯示裝置；120 基板；120a 基板的第一表面；120b 基板的第二表面；130 薄膜晶體管陣列層；140 第一顯示裝置；160 第二顯示裝置；200 模擬顯示裝置；210 承載基板；215 第一電極；220 基板；240 顯示裝置；245 第二電極；300A.300B 復(fù)合式顯示裝置；320 基板；320a 第一表面；320b 第二表面；330 薄膜晶體管陣列層；340a 頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管；340b 底部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管；341 光線；345 封裝材料； 350 粘著層；360 電流體顯示器(EFT)；361 光線；410 暫時(shí)基板；411 離型層；420 基板；430 薄膜晶體管陣列層；440 第一顯不介質(zhì)；
445 封裝材料；447 切割步驟；460 第二顯示裝置。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種復(fù)合式顯示裝置，此復(fù)合式顯示裝置中具有兩個(gè)顯示裝置，且通過共享一組薄膜晶體管陣列層主動(dòng)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)顯示裝置。請(qǐng)參見圖1，復(fù)合式顯示裝置100包括基板120，其中基板120包括第一表面120a與第二表面120b ;于基板120第一表面120a之上依序形成薄膜晶體管陣列層(TFT arraylayer) 130與第一顯示裝置140，于基板120第二表面120b之上形成第二顯示裝置160。上述的第一顯示裝置140可為電流或電壓驅(qū)動(dòng)顯示裝置，而第二顯示裝置160可為電壓驅(qū)動(dòng)顯示裝置。電流驅(qū)動(dòng)顯示裝置包括有機(jī)發(fā)光二極管(OrganicLight EmittingDevice, 0LED)或高分子發(fā)光二極管(Polymer Light EmittingDevice,PLED)。電壓驅(qū)動(dòng)顯示裝置包括液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)、膽固醇液晶顯示器(CholestericLiquid Crystal Display, Ch-LCD)或電流體顯不器(Electro-Fluidics DisplayTechnology, EFT),其中電流體顯示器包括電濕潤(rùn)顯示器(Electrowetting Display,EWD)、電泳顯不器(Electrophoretic Display, EF1D)、電驅(qū)動(dòng)顯不裝器(ElectrokineticDisplay, EKD)或快速反應(yīng)液態(tài)粉狀顯不器(quick response liquid powder display)。薄膜晶體管陣列層(TFT array layer) 130中的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可以是頂部閘極結(jié)構(gòu)(top gate)或是底部閘極結(jié)構(gòu)(bottom gate)。且薄膜晶體管可以是有機(jī)薄膜晶體管(Organic Thin Film Transistor, 0TFT)、低溫多晶娃晶體管(low temperature polysilicon TFTs)、金屬氧化物晶體管(metal oxide TFTs)、非晶娃薄膜晶體管(amorphoussilicon TFTs)、微晶娃薄膜晶體管(micro-crystal silicon TFTs)、多晶娃薄膜晶體管(polycrystalline silicon TFTs)、單晶娃薄膜晶體管(single crystal silicon TFTs)、氧化物晶體管(oxide TFTs)、有機(jī)薄膜晶體管(organic TFTs)等。須注意的是，本發(fā)明僅用單一薄膜晶體管陣列層130主動(dòng)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)顯示裝置，由于第二顯示裝置160位于薄膜晶體管陣列層130的背側(cè)，且中間隔著一層基板120的厚度，為避免跨壓(cross voltage)過高所造成電力消耗與造成顯示裝置中組件的損害，本發(fā)明經(jīng)由實(shí)驗(yàn)結(jié)果得知，基板120的介電常數(shù)值(k)與基板120的厚度(t)需具有一特定對(duì)應(yīng)關(guān)系，此對(duì)應(yīng)關(guān)系為當(dāng)基板120的介電常數(shù)值(k)增加時(shí)，基板120的厚度(t)亦可隨之增力口，其中基板120的介電常數(shù)值(k)為約1-100，基板120的厚度(t)為約0. 1-60 Um0圖2顯示本發(fā)明所使用的模擬顯示裝置200的剖面圖，其中于承載基板210之上依序形成第一電極215、基板220、顯示裝置240與第二電極245，其中基板220由各種具有不同介電常數(shù)值(k)與厚度(t)的材料所組成，且通過量測(cè)第一電極215與第二電極245之間的電壓(V)，得知具有不同介電常數(shù)值(k)與厚度⑴的基板220所需的驅(qū)動(dòng)電壓。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)與統(tǒng)計(jì)分析，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電壓、基板220的介電常數(shù)值(k)與基板220的厚度(t)具有下述關(guān)系驅(qū)動(dòng)電壓(伏特)=1/(-0.0074+0. 0523k_0. 00808t)；其中基板220的介電常數(shù)值(k)為約1-100，基板220的厚度為約0. 1-60 U m0
由實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得知，當(dāng)基板220的介電常數(shù)值(k)越小時(shí)，則基板220的厚度要隨之減小，才能以相同驅(qū)動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng)顯示裝置240。另言之，當(dāng)基板220的介電常數(shù)值(k)越大時(shí)，則基板220厚度亦可隨之增加。表I顯示本發(fā)明不同實(shí)施例的基板的介電常數(shù)值(k)與對(duì)應(yīng)的厚度⑴。表I
權(quán)利要求
1.一種復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，包括 基板，其中該基板包括第一表面與第二表面； 薄膜晶體管陣列層，形成于該基板的第一表面上； 第一顯示裝置，形成于該薄膜晶體管陣列層之上；以及 第二顯示裝置，形成于該基板的第二表面上，其中該基板的介電常數(shù)值(k)與該基板的厚度(t)具有一對(duì)應(yīng)關(guān)系，以通過該薄膜晶體管陣列層主動(dòng)驅(qū)動(dòng)該第一顯示裝置與該第二顯示裝置，且該基板的介電常數(shù)值(k)為1-100，該基板的厚度(t)為O. 1-60 μ m。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該對(duì)應(yīng)關(guān)系為該基板的介電常數(shù)值(k)增加時(shí)，該基板的厚度(t)亦隨之增加。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該基板的介電常數(shù)值(k)為1-5，且該基板的厚度為O. 1-3. 5 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該基板的介電常數(shù)值(k)為5-10，且該基板的厚度為O. 1-14 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該基板的介電常數(shù)值(k)為10-15，且該基板的厚度為O. 1-20 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該基板的介電常數(shù)值(k)為15-20，且該基板的厚度為O. 1-25 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該基板的介電常數(shù)值(k)為20-30，且該基板的厚度為O. 1-33 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該基板的介電常數(shù)值(k)為30-40，且該基板的厚度為O. 1-45 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該基板的介電常數(shù)值(k)為40-50，且該基板的厚度為O. 1-55 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該基板的介電常數(shù)值(k)為50-100，且該基板的厚度為O. 1-60 μ m。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該第一顯示裝置為電流或電壓驅(qū)動(dòng)顯示裝置，且該第二顯示裝置為電壓驅(qū)動(dòng)顯示裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該基板的材料包括有機(jī)材料、無機(jī)材料或上述的組合。
13.一種復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，包括 基板，其中該基板包括第一表面與一第二表面； 薄膜晶體管陣列層，形成于該基板的第一表面上； 第一顯示裝置，形成于該薄膜晶體管陣列層之上；以及 第二顯示裝置，形成于該基板的第二表面上，其中該薄膜晶體管陣列層主動(dòng)驅(qū)動(dòng)該第一顯示裝置與該第二顯示裝置，且該第一顯示裝置為電流或電壓驅(qū)動(dòng)顯示裝置，該第二顯示裝置為電壓驅(qū)動(dòng)顯示裝置。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該電流驅(qū)動(dòng)顯示裝置包括有機(jī)發(fā)光二極管或高分子發(fā)光二極管。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該電壓驅(qū)動(dòng)顯示裝置包括液晶顯示器、膽固醇液晶顯示器、電濕潤(rùn)顯示器、電泳顯示器、電驅(qū)動(dòng)顯示裝器或快速反應(yīng)液態(tài)粉狀顯示器。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該基板的介電常數(shù)值(k)為1-100，該基板的厚度(t)為O. 1-60 μ m。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的復(fù)合式顯示裝置，其特征在于，該基板的材料包括有機(jī)材料、無機(jī)材料或上述的組合。
全文摘要
本發(fā)明提供一種復(fù)合式顯示裝置，包括基板，其中基板包括第一表面與第二表面；薄膜晶體管陣列層，形成于基板的第一表面上；第一顯示裝置，形成于薄膜晶體管陣列層之上；以及第二顯示裝置，形成于基板的第二表面上，其中基板的介電常數(shù)值(k)與基板的厚度(t)具有一對(duì)應(yīng)關(guān)系，以通過薄膜晶體管陣列層主動(dòng)驅(qū)動(dòng)第一顯示裝置與第二顯示裝置，且基板的介電常數(shù)值(k)為約1-100，基板的厚度(t)為約0.1-60μm。
文檔編號(hào)G09G3/20GK103035187SQ201110351079
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2011年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月5日
發(fā)明者廖貞慧, 吳仲文, 廖又萱, 蘇俊瑋 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院