專利名稱：有源矩陣有機發(fā)光二極體面板及其驅(qū)動電路與方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示技術(shù)領域，尤其涉及ー種有源矩陣有機發(fā)光二極體面板及其驅(qū)動電路與方法。
背景技術(shù)：
AMOLED (Active Ma trix Organic Light Emitting Diode)是有源矩陣有機發(fā)光二極體面板。相比于傳統(tǒng)的晶體管液晶顯示面板(TFT LCD, Thin Film Transistor LiquidCrystal Display)，AMOLED具有反應速度更快、對比度更高、以及視角更廣等優(yōu)點，因此被稱為下一代顯示技木，目前已經(jīng)受到大部分顯示技術(shù)開發(fā)商的青睞。有源矩陣有機發(fā)光二極體面板由驅(qū)動電路驅(qū)動發(fā)光。傳統(tǒng)的2T1C驅(qū)動電路由兩個晶體管(TFT)和一個電容(C)組成，該傳統(tǒng)的2T1C驅(qū)動電路如圖I所示。圖I中，晶體管Ml為開關管、晶體管M2為驅(qū)動管，C為存儲電容。其中，晶體管Ml由行掃描線信號Vscan控制，以用于控制數(shù)據(jù)電壓Vdata的輸入。晶體管M2用于控制有機發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光。存儲電容C用于為晶體管M2的柵極提供維持電壓。如圖2所示,為圖I所示2T1C驅(qū)動電路的控制時序圖。該2T1C驅(qū)動電路的工作過程為在圖2中選取Tl、T2兩個階段，Tl階段為顯示數(shù)據(jù)電壓寫入階段，T2階段為顯示維持階段。在Tl階段，行掃描線信號Vscan為高電平，晶體管Ml導通，因此數(shù)據(jù)信號電壓Vdata為存儲電容C充電，同時數(shù)據(jù)電壓Vdata作用在晶體管M2的柵極上，使晶體管M2エ作在飽和狀態(tài)下，驅(qū)動有機發(fā)光二極管OLED發(fā)光。在T2階段，行掃描線信號Vscan為低電平，晶體管Ml關閉，數(shù)據(jù)電壓Vdata不能到達晶體管M2的柵極，此時存儲電容C為晶體管M2的柵極提供維持電壓，使晶體管M2仍處于飽和狀態(tài)，從而使OLED持續(xù)發(fā)光。此后2T1C驅(qū)動電路重復T2階段直到下ー個Tl階段來臨。由上述可知，AMOLED中的OLED能夠發(fā)光是由驅(qū)動管M2工作在飽和狀態(tài)時所產(chǎn)生的驅(qū)動電流驅(qū)動的，具體而言驅(qū)動電流(即流過OLED的電路)I =K(Vgs-Vth)2,其中Vgs為驅(qū)動管M2的柵極和源極之間的電壓差，Vth為驅(qū)動管M2的閾值電壓，K為與驅(qū)動管M2自身結(jié)構(gòu)和エ藝有關的常數(shù)。因為在現(xiàn)有的低溫多晶硅エ藝制程中晶體管的閾值電壓Vth均勻性較差，而且在使用過程中還會發(fā)生漂移，這樣當向驅(qū)動管M2輸入相同數(shù)據(jù)電壓Vdata吋，驅(qū)動管M2的閾值電壓不同產(chǎn)生不同的驅(qū)動電流，從而導致AMOLED亮度的均勻性較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供ー種有源矩陣有機發(fā)光二極體面板及其驅(qū)動電路與方法，以提高AMOLED亮度的均勻性。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案ー種有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動電路，包括驅(qū)動晶體管，其柵極與第二電容連接、源極與低電平信號端連接、漏極與調(diào)壓模塊連接；
第一晶體管，其柵極與行掃描信號端連接、源極與調(diào)壓模塊連接、漏極與數(shù)據(jù)信號端連接；第二電容，其連接在驅(qū)動晶體管的柵極和低電平信號端之間；有機發(fā)光二極管，其連接在低電平電壓端和驅(qū)動晶體管的源極與第二電容的連接點之間，或連接在高電平電壓端和驅(qū)動晶體管的漏極之間；調(diào)壓模塊，其連接在第一控制信號端、第二控制信號端以及高電平信號端之間，并與第二電容、驅(qū)動晶體管和第一晶體管連接，用于調(diào)節(jié)與第二電容連接的驅(qū)動晶體管的柵源電壓，以使驅(qū)動晶體管在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流與其閾值電壓無關。ー種有源矩陣有機發(fā)光二極體面板，包括呈矩陣排列的多個亞像素単元，對應每個所述亞像素單元設有ー個如上所述的驅(qū)動電路。ー種有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動方法，利用如上所述的有源矩陣有機發(fā)光 ニ極體面板驅(qū)動電路來驅(qū)動所述有源矩陣有機發(fā)光二極體面板，以使所述驅(qū)動電路中的驅(qū)動晶體管在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流與其閾值電壓無關。本發(fā)明實施例提供的有源矩陣有機發(fā)光二極體面板及其驅(qū)動方法與電路，由于能夠使所述驅(qū)動電路中驅(qū)動晶體管在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流與其閾值電壓無關，因此閾值電壓Vth不會對流經(jīng)有機發(fā)光二極管的電流產(chǎn)生影響，從而更好地保證了驅(qū)動電流的一致性，使AMOLED亮度的均勻性較好。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中傳統(tǒng)的2T1C驅(qū)動電路的示意圖；圖2為圖I所示2T1C驅(qū)動電路的控制時序圖；圖3為本發(fā)明實施例AMOLED驅(qū)動電路的不意圖；圖4為AMOLED驅(qū)動電路的ー個具體實施例的示意圖；圖5為圖4所不AMOLED驅(qū)動電路的控制時序圖；圖6為圖4所示AMOLED驅(qū)動電路tl階段的工作示意圖；圖7為圖4所示AMOLED驅(qū)動電路t2階段的工作示意圖；圖8為圖4所示AMOLED驅(qū)動電路t3階段的工作示意圖；圖9為圖4所示AMOLED驅(qū)動電路t4階段的工作示意圖；圖10為AMOLED驅(qū)動電路另ー個具體實施例的示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例有源矩陣有機發(fā)光二極體面板(以下稱AM0LED)及其驅(qū)動電路與方法進行詳細描述。如圖3所示,為本發(fā)明AMOLED驅(qū)動電路的示意圖。本實施例中AMOLED驅(qū)動電路包括兩個晶體管、一個電容、ー個有機發(fā)光二極管(以下稱為0LED)、ー個調(diào)壓模塊和相應的輸入輸出端。對應姆個AMOLED驅(qū)動電路,該相應的輸入輸出端包括一個行掃描信號端Scan、一個數(shù)據(jù)信號端Vdata、ー個第一控制信號端CR1、ー個第二控制信號端CR2、ー個高電平信號端Vdd和一個低電平信號端Vss。具體而言，AMOLED驅(qū)動電路包括驅(qū)動晶體管DTFT，其柵極與第二電容C2連接、源極與低電平信號端Vss連接、漏極與調(diào)壓模塊I連接，其作用是作為驅(qū)動管，當其工作在飽和狀態(tài)下時為驅(qū)動OLED發(fā)光提供驅(qū)動電流。第一晶體管Tl，其柵極與行掃描信號端Scan連接、源極與調(diào)壓模塊I連接、漏極與數(shù)據(jù)信號端Vdata連接，其作用是作為開關管，用于在行掃描信號端Scan的控制下控制數(shù)據(jù)信號端Vdata的輸入。第二電容C2，其連接在驅(qū)動晶體管DTFT的柵極和低電平信號端Vss之間，用于為驅(qū)動晶體管DTFT的柵極提供維持電壓。有機發(fā)光二極管0LED，其連接在低電平電壓端Vss和驅(qū)動晶體管DTFT的源極與第二電容C2的連接點之間(參見圖3和圖4)，即驅(qū)動晶體管DTFT的源極與第二電容C2連接在一起后再和有機發(fā)光二極管OLED連接；或者其連接在高電平電壓端Vdd和驅(qū)動晶體管DTFT的漏極之間(參見圖10)，用于在驅(qū)動晶體管DTFT的驅(qū)動電流作用下發(fā)光，以點亮AM0LED。調(diào)壓模塊1，其連接在第一控制信號端CR1、第二控制信號端CR2以及高電平信號端Vdd之間，并與第二電容C2、驅(qū)動晶體管DTFT和第一晶體管Tl連接，用于調(diào)節(jié)與第二電容C2連接的驅(qū)動晶體管DTFT的柵源電壓Vgs以使驅(qū)動晶體管DTFT在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流I與其閾值電壓Vth無關。本發(fā)明實施例提供的AMOLED驅(qū)動電路，由于能夠通過所述調(diào)壓模塊I調(diào)節(jié)與第二 電容C2連接的驅(qū)動晶體管DTFT的柵源電壓Vgs，使所述驅(qū)動電路中驅(qū)動晶體管DTFT在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流I與其閾值電壓Vth無關，因此驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓Vth不會對流經(jīng)有機發(fā)光二極管OLED的電流產(chǎn)生影響，從而更好地保證了驅(qū)動電流I的一致性，使AMOLED亮度的均勻性較好。如圖4所示，為本發(fā)明AMOLED驅(qū)動電路的ー個具體實施例的示意圖。由圖4可知，所述AMOLED驅(qū)動電路包括五個晶體管、兩個存儲電容、一個發(fā)光兀件和相應的輸入輸出端。其中該五個晶體管分別為驅(qū)動晶體管DTFT、第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3和第四晶體管T4。存儲電容為第一電容Cl和第二電容C2。發(fā)光兀件為有機發(fā)光ニ極管0LED。相應的輸入輸出端包括一個行掃描信號端Scan、一個數(shù)據(jù)信號端Vdata、一個第一控制信號端CR1、ー個第二控制信號端CR2、一個高電平信號端Vdd和一個低電平信號端Vss0本實施例中AMOLED驅(qū)動電路的具體結(jié)構(gòu)包括驅(qū)動晶體管DTFT，其柵極與第二電容C2連接、源極與低電平信號端Vss連接、漏極與第三晶體管T3的源極連接；第一晶體管Tl，其柵極與行掃描信號端Scan連接、源極與第一電容Cl連接、漏極與數(shù)據(jù)信號端Vdata連接；第二晶體管T2，其柵極與第一控制信號端CRl連接、源極與第二電容C2連接(同時與第一電容Cl及驅(qū)動晶體管DTFT的柵極連接)、漏極與驅(qū)動晶體管DTFT的漏極連接(同時與第三晶體管T3的源極連接)；第三晶體管T3，其柵極與第二控制信號端CR2連接、源極與驅(qū)動晶體管DTFT的漏極連接(同時與第二晶體管T2的漏極連接)、漏極與高電平信號端Vdd連接；第四晶體管T4，其柵極與行掃描信號端Scan連接、源極與有機發(fā)光二極管OLED的一端連接、漏極與有機發(fā)光二極管OLED的另一端連接。第一電容Cl，其連接在第一晶體管Tl的源極與第二電容C2之間(同時還與驅(qū)動晶體管DTFT的柵極以及第ニ晶體管的源極連接)；第ニ電容C2，其連接在驅(qū)動晶體管DTFT的柵極和低電平信號端Vss之間(同時還與第一電容Cl以及第二晶體管T2的源極連接)。有機發(fā)光二極管0LED，其連接在低電平電壓端Vss和驅(qū)動晶體管DTFT的源極與第二電容C2的連接點之間，具體如圖4所示，驅(qū)動晶體管DTFT的源極與第二電容C2連接之后再與有機發(fā)光二極管OLED連接。其中，第二晶體管T2、第三晶體管T3、第一電容Cl組成了本實施例中的調(diào)壓模塊I。調(diào)壓模塊I用于調(diào)節(jié)與第二電容C2連接的驅(qū)動晶體管DTFT的柵源電壓Vgs，以使驅(qū)動晶體管DTFT在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流I與其閾值電壓Vth無關，這樣由I = K (Vgs-Vth)2可知，驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓Vth不會對流經(jīng)有機發(fā)光二極管OLED的電流產(chǎn)生影響，從而更好地保證了驅(qū)動電流I的一致性，使AMOLED亮度的均勻性較好。第四晶體管T4的源極和漏極連接在OLED的兩端，用于在驅(qū)動晶體管DTFT產(chǎn)生不正確的驅(qū)動電流時將OLED短路，以免OLED在不正確的驅(qū)動電流作用下發(fā)光，從而產(chǎn)生不正確的發(fā)光強度以造成顯示錯誤，并在驅(qū)動晶體管DTFT產(chǎn)生正確的驅(qū)動電流時使OLED與驅(qū)動晶體管DTFT連通，使OLED在正確的驅(qū)動電流作用下發(fā)光，保證顯示正常。在第一電容Cl和第二電容C2之間設有第一節(jié)點A、且第一節(jié)點A還與驅(qū)動晶體管DTFT的柵極以及第ニ晶體管T2的源極連接；在驅(qū)動晶體管DTFT的源極和OLED之間設 有第二節(jié)點B，且第二節(jié)點B還與第二電容C2連接；在第一電容Cl和第一晶體管Tl的源極之間設有第三節(jié)點C。設置第一節(jié)點A、第二節(jié)點B和第三節(jié)點C可以方便后面描述和計算AMOLED驅(qū)動電路的電路參數(shù)，如各節(jié)點處的電壓等。就晶體管的類型而言，本實施例中驅(qū)動晶體管DTFT、第一晶體管T I、第二晶體管T2、第三晶體管T3以及第四晶體管T4均為n型晶體管，n型晶體管可以在高電平信號下導通，并在低電平信號下截止。就在AMOLED驅(qū)動電路中所起的作用而言，第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3以及第四晶體管T4為開關管，用于斷開或閉合電路連接，為此在圖6至圖9所示的AMOLED驅(qū)動電路中，將第一至第四晶體管T1-T4簡化，即對于處于截止狀態(tài)的晶體管將進行省略(在圖6至圖9中不顯示)，對于處于導通狀態(tài)的晶體管將簡化為導線。驅(qū)動晶體管DTFT為驅(qū)動管，其工作在飽和狀態(tài)下時用于產(chǎn)生驅(qū)動OLED發(fā)光的驅(qū)動電流。需要說明的是，驅(qū)動晶體管DTFT和第一至第四晶體管Tl T4的制作エ藝以及結(jié)構(gòu)都是基本相同的，這里僅為區(qū)分其在AMOLED驅(qū)動電路中所起的作用而采用了不同的叫法。如圖5所示，為本實施例中AMOLED驅(qū)動電路的控制時序圖，選取其中的tl t4四個階段。在下面的描述中以I表示高電平信號、0表示低電平信號。下面結(jié)合圖5，以及圖6至圖9描述AMOLED驅(qū)動電路的工作過程。在tl 階段，Scan = I, Vdata = Vl, CRl = I, CR2 = I。tl階段為Pre-Charge階段(預充電階段)。如圖6所示,在tl階段中，由于Scan為高電平，因此第一晶體管Tl和第四晶體管T4均導通；由于CRl為高電平，因此第二晶體管T2導通；由于CR2為高電平，因此第三晶體管T3導通。此時，數(shù)據(jù)信號端Vdata通過第一晶體管Tl向第一電容Cl輸入較低的數(shù)據(jù)電壓\ ;高電平信號端Vdd的高電平信號經(jīng)由第三晶體管T3和第二晶體管T2到達第一節(jié)點A，驅(qū)動晶體管DTFT在高電平信號下導通。由于此時驅(qū)動晶體管DTFT的柵極和漏極由第二晶體管T2連接，因此驅(qū)動晶體管DTFT的柵極電壓與漏極電壓相同，即其柵源電壓Vgs與漏源電壓Vds相等，可以滿足Vds彡Vgs-Vth,因此驅(qū)動晶體管DTFT工作在飽和狀態(tài)，驅(qū)動晶體管DTFT在該飽和狀態(tài)下產(chǎn)生的驅(qū)動電流I =K(Vgs-Vth)2 = K(Vqn-Vth)2 = K(Vdd-Vth)2, Vgs為第一晶體管Tl的柵極和源極之間的電壓差，Vth為第一晶體管Tl的閾值電壓，K為與驅(qū)動晶體管DTFT自身有關的常數(shù)。此外，驅(qū)動晶體管DTFT的源極經(jīng)由第四晶體管T4連接至低電平信號端Vss。其中，第一節(jié)點A的電壓Va=Vdd、第二節(jié)點B的電壓Vb = Vss、第三節(jié)點C的電壓V。= Vdata (數(shù)據(jù)電壓)=Vf由于此時的驅(qū)動電流I并非為OLED預先設定的正確的驅(qū)動電流I，因此為避免OLED產(chǎn)生不正確的發(fā)光強度，在tl階段中使第四晶體管T4導通以將OLED短路，避免OLED發(fā)光。在t2 階段，Scan = I, Vdata = Vl, CRl = I, CR2 = O。t2階段為放電階段。如圖7所示，在t2階段中，由于Scan為高電平，因此第一晶體管Tl和第四晶體管T4持續(xù)導通；由于CRl為高電平，因此第二晶體管T2持續(xù)導通；由于CR2為低電平，因此第三晶體管T3截止。此時，由于第二晶體管T2導通且第三晶體管T3截止，因此驅(qū)動晶體管DTFT的柵極和漏極連接在一起、且其漏極與第三晶體管T3斷開，驅(qū)動晶體管DTFT形成ニ極體，第一電容Cl、驅(qū)動晶體管DTFT和低電平信號端Vss形成放電回路(如圖7中的箭頭所示)對第一電容Cl進行放電，該放電過程持續(xù)到第一節(jié)點A的電壓下降至驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓Vth為止(這時候，驅(qū)動晶體管DTFT處于臨界導通狀態(tài)，若繼續(xù)放電，則驅(qū)動晶體管DTFT將截止，放電回路將斷開，從而使放電過程結(jié)束)，此時第一電容Cl兩端的電壓Ncl = Vc-Va = Nh-Ntho其中，第一節(jié)點A的電壓Va = Vth、第二節(jié)點B的電壓Vb = Vss、第三節(jié)點C的電壓V。= Vdata (數(shù)據(jù)電壓)=\。在t2階段中第四晶體 管T4導通將OLED短路，避免OLED發(fā)光。在t3 階段，Scan = I, Vdata = Vh, CRl = 0, CR2 = O。t3階段為調(diào)壓階段。如圖8所示，在t3階段中，由于Scan為高電平，因此第一晶體管Tl和第四晶體管T4持續(xù)導通；由于CRl為低電平，因此第二晶體管T2截止；由于CR2為低電平，因此第三晶體管T3截止。此時，由于第一晶體管Tl導通，數(shù)據(jù)信號端Vdata通過第三節(jié)點C連接至第一電容Cl，且又由于Vdata由較低的電壓\突變?yōu)檩^高的電壓VH，因此第一電容Cl的第三節(jié)點C的電壓由^突變?yōu)閂H。并且由于第二晶體管T2和第三晶體管T3均截止，且驅(qū)動晶體管DTFT處于臨界狀態(tài)，不導通，因此第一電容Cl的第一節(jié)點A處于懸空狀態(tài)。當其第三節(jié)點C的電壓發(fā)生突變時，處于懸空狀態(tài)的第一電容Cl能夠使其各端處的電荷保持不變，因此第一節(jié)點A的電荷也保持不變，為此第一節(jié)點A的電壓也發(fā)生突變。在T3階段中，第一節(jié)點A的電荷的一般公式為Qa= (Va-VJ XCJ(Va-Vss) XC2，其中Qa為第一節(jié)點A的電荷，C1為第一電容Cl的電容大小，C2為第二電容C2的電容大小。據(jù)此，可以得知電壓突變前第一節(jié)點A的電荷為(Vth-VJ XC^(Vth-Vss) XC2,電壓突變后第ー節(jié)點 A 的電荷為(Va-VH) XC^(Va-Vss) XC20 二者相等，即(Vth-V) XC^(Vth-Vss) XC2 =(V3-Vh) XC^(Va-Vss) XC2。由此可以得知，第一節(jié)點A的電壓突變至Va = Vth+(Vh-Vl) XC1/(CfC2)。其中，第一節(jié)點A的電壓Va = Vth+ (Vh-Vl) X C1/ (CJC2)、第二節(jié)點B的電壓Vb =VsS、第三節(jié)點C的電壓V。= Vdata(數(shù)據(jù)電壓)=VH。在t4 階段，Scan = 0, Vdata = Vl, CRl = 0, CR2 = I。t4階段為驅(qū)動階段。如圖9所示，在t4階段中，由于Scan為低電平，因此第一晶體管Tl和第四晶體管T4截止；由于CRl為低電平，因此第二晶體管T2截止；由于CR2為高電平，因此第三晶體管T3導通。此時，由于第一節(jié)點A的電壓上升為Vth+(VH_VJ XC1/(CfC2)，因此驅(qū)動晶體管DTFT導通并工作在飽和狀態(tài)下，此時由于第三晶體管T3也導通，因此高電平信號端Vdd、第三晶體管T3、驅(qū)動晶體管DTFT、有機發(fā)光二極管OLED以及低電平信號端Vss形成驅(qū)動回路，該驅(qū)動回路中的驅(qū)動電流為I = K(Vgs-Vth)2 = K(Vab-Vth)2 =K (Vth+ (Vh-Vl) X C1/ (C^C2) -Vth)2 = K ( (Vh-Vl) X C1/ (CjC2))2。由此可知，驅(qū)動晶體管 DTFT 在飽和狀態(tài)下產(chǎn)生的驅(qū)動電流與其閾值電壓Vth無關，因此OLED能夠在穩(wěn)定的驅(qū)動電流下發(fā)光，從而更好地保證了驅(qū)動電流I的一致性。此后直到下一次tl階段到來時，該AMOLED驅(qū)動電路重復t4階段。由上面的描述可知，在t4階段內(nèi)，驅(qū)動OLED發(fā)光的驅(qū)動電流I與驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓Vth無關，因此閾值電壓Vth不會對流經(jīng)有機發(fā)光二極管OLED生影響，從而更好地保證了驅(qū)動電流的一致性，使AMOLED亮度的均勻性較好。此外如圖10所示，為本發(fā)明AMOLED驅(qū)動電路的另ー個具體實施例。本實施例中的AMOLED驅(qū)動電路與圖4所示實施例中的AMOLED驅(qū)動電路基本相同，所不同的是OLED的連接位置。在本實施例中，OLED連接在高電平電壓端Vdd和驅(qū)動晶體管DTFT的漏極之間。如圖10所示具體為，OLED連接在高電平電壓端Vdd和第三晶體管T3的漏極之間。對于圖10所示的AMOLED驅(qū)動電路而言，其控制時序與圖5所示的控制時序相同，且其工作過程與上面所描述的工作過程相同，此處不再詳述。需要說明的是，圖10所示的實施例與圖4所示實施例在結(jié)構(gòu)上的不同導致最終結(jié)果也有ー些細微差別，在圖10所示的實施例中，由于OLED連接在第一晶體管Tl的源極和低電平信號端Vss之間，因此在工作過程OLED的兩端 會產(chǎn)生電壓Imjd，其中Voled in為OLED發(fā)光時的跨壓。此時，由于該跨壓的影響，使得Vq=Vss+Vth+ (Vref-Vdata) ；Vn = Vss+Voled in ；Vgs = Vqn = (Vref-Vdata) +Vth-V0led ino 因此最終 I =k (Vref VcJata V0ied」n) 2O這樣，在驅(qū)動電流I的最終結(jié)果中引入了
Voled—in，^oled_in
在Vdata具有不
同的灰階電壓時有微小的差別，這給電路工作帶來了不穩(wěn)定性，因此相比圖4所示的實施例，該圖10所示的實施例略有不足。需要說明的是，對于上述圖4和圖10所示的AMOLED驅(qū)動電路實施例而言，在實際使用中，上述技術(shù)方案不僅適用于多晶硅晶體管，對其它晶體管也適用。除此之外，本發(fā)明實施例還提供了ー種有源矩陣有機發(fā)光二極體面板，所述有源矩陣有機發(fā)光二極體面板包括呈矩陣排列的多個亞像素単元，對應每個所述亞像素單元設有ー個如上所述的驅(qū)動電路。所述驅(qū)動電路可以為如圖3所示的驅(qū)動電路，例如具體可以為如圖4所示的AMOLED驅(qū)動電路、或如圖10所示的AMOLED驅(qū)動電路。 例如，參照圖3所示，本發(fā)明有源矩陣有機發(fā)光二極體面板中的AMOLED驅(qū)動電路包括兩個晶體管、一個電容、ー個有機發(fā)光二極管、一個調(diào)壓模塊和相應的輸入輸出端。對應姆個AM0LED,該相應的輸入輸出端包括一個行掃描信號端Scan、一個數(shù)據(jù)信號端Vdata、ー個第一控制信號端CR1、ー個第二控制信號端CR2、一個高電平信號端Vdd和一個低電平信號端Vss。具體而言，AMOLED驅(qū)動電路包括驅(qū)動晶體管DTFT，其柵極與第二電容C2連接、源極與低電平信號端Vss連接、漏極與調(diào)壓模塊I連接，其作用是作為驅(qū)動管，當其工作在飽和狀態(tài)下時為驅(qū)動OLED發(fā)光提供驅(qū)動電流。第一晶體管Tl，其柵極與行掃描信號端Scan連接、源極與調(diào)壓模塊I連接、漏極與數(shù)據(jù)信號端Vdata連接，其作用是作為開關管，用于在行掃描信號端Scan的控制下控制數(shù)據(jù)信號端Vdata的輸入。第二電容C2，其連接在驅(qū)動晶體管DTFT的柵極和低電平信號端Vss之間，用于為驅(qū)動晶體管DTFT的柵極提供維持電壓。有機發(fā)光二極管0LED，其連接在低電平電壓端Vss和驅(qū)動晶體管DTFT的源極與第二電容C2的連接點之間(參見圖3和圖4)，即驅(qū)動晶體管DTFT的源極與第二電容C2連接在一起后再和有機發(fā)光二極管OLED連接；或者其連接在高電平電壓端Vdd和驅(qū)動晶體管DTFT的漏極之間(參見圖10)，用于在驅(qū)動晶體管DTFT的驅(qū)動電流作用下發(fā)光，以點亮AM0LED。調(diào)壓模塊1，其連接在第一控制信號端CR1、第二控制信號端CR2以及高電平信號端Vdd之間，并與第二電容C2、驅(qū)動晶體管DTFT和第一晶體管Tl連接，用于調(diào)節(jié)與第二電容C2連接的驅(qū)動晶體管DTFT的柵源電壓Vgs，以使驅(qū)動晶體管DTFT在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流I與其閾值電壓Vth無關。本發(fā)明實施例提供的有源矩陣有機發(fā)光二極體面板，由于能夠通過所述調(diào)壓模塊I調(diào)節(jié)與第二電容C2連接的驅(qū)動晶體管DTFT的柵源電壓Vgs，使所述驅(qū)動電路中驅(qū)動晶體管DTFT在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流I與其閾值電壓Vth無關，因此驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓Vth不會對流經(jīng)有機發(fā)光二極管OLED的電流產(chǎn)生影響，從而更好地保證了驅(qū)動電流I的一致性，使AMOLED亮度的均勻性較好。除此之外，本發(fā)明還提供了ー個AMOLED驅(qū)動方法的實施例。本實施例中，利用所述有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動電路來驅(qū)動所述有源矩陣有機發(fā)光二極體面板，以使所述驅(qū)動電路中的驅(qū)動晶體管在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流與其閾值電壓無關。其中，所述有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動電路可以包括如上圖3、圖4或圖10所示的驅(qū)動電路，但并 不局限于此，也可以包括其它類型的驅(qū)動電路。本發(fā)明實施例提供的AMOLED驅(qū)動方法，由于能夠使所述驅(qū)動電路中驅(qū)動晶體管在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流與其閾值電壓無關，因此閾值電壓Vth不會對流經(jīng)有機發(fā)光二極管的電流產(chǎn)生影響，從而更好地保證了驅(qū)動電流的一致性，使AMOLED亮度的均勻性較好。本實施例中，為使所述驅(qū)動電路中的驅(qū)動晶體管在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流與其閾值電壓無關，可以在所述驅(qū)動電路中增加調(diào)壓模塊，所述調(diào)壓模塊調(diào)節(jié)所述驅(qū)動晶體管的柵源電壓，以使驅(qū)動管在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流與其閾值電壓無關。其中所述驅(qū)動晶體管指的是為有機發(fā)光二極管提供驅(qū)動電流的晶體管，所述閾值電壓指的是該晶體管的閾值電壓。所述柵源電壓指的是驅(qū)動晶體管的柵極電壓Vg和源極電壓Vs之間的差值vgs?？梢酝ㄟ^調(diào)壓模塊調(diào)節(jié)Vgs的大小，使Vgs的組成分量中包含Vth，從而使Vth在I = K (Vgs-Vth)2中抵消，最終使得驅(qū)動電流I與閾值電壓Vth無關。為使驅(qū)動電路中的驅(qū)動晶體管工作在飽和狀態(tài)下，可以構(gòu)造所述驅(qū)動電路以使驅(qū)動晶體管的柵源電壓與其閾值電壓的差值小于或等于其漏源電壓，即滿足Vds ^ Vgs-Vtho當驅(qū)動晶體管工作在飽和狀態(tài)下時，驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電流I僅與其柵源電壓Vgs有夫，即滿足I = K(Vgs-Vth)2,此時可以通過調(diào)壓模塊僅對柵源電壓Vgs進行調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)參數(shù)較少，因此調(diào)節(jié)過程較為簡便。以上提供了有源矩陣有機發(fā)光二極體面板及其驅(qū)動電路與方法的多個實施例，這些實施例之間可以相互參考。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求
1.ー種有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動電路，其特征在于，包括 驅(qū)動晶體管，其柵極與第二電容連接、源極與低電平信號端連接、漏極與調(diào)壓模塊連接； 第一晶體管，其柵極與行掃描信號端連接、源極與調(diào)壓模塊連接、漏極與數(shù)據(jù)信號端連接; 第二電容，其連接在驅(qū)動晶體管的柵極和低電平信號端之間； 有機發(fā)光二極管，其連接在低電平電壓端和驅(qū)動晶體管的源極與第二電容的連接點之間，或連接在高電平電壓端和驅(qū)動晶體管的漏極之間； 調(diào)壓模塊，其連接在第一控制信號端、第二控制信號端以及高電平信號端之間，并與第ニ電容、驅(qū)動晶體管和第一晶體管連接，用于調(diào)節(jié)與第二電容連接的驅(qū)動晶體管的柵源電壓，以使驅(qū)動晶體管在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流與其閾值電壓無關。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動電路，其特征在于，所述調(diào)壓模塊包括 第二晶體管，其柵極與第一控制信號端連接、源極與第二電容連接、漏極與驅(qū)動晶體管的漏極連接； 第三晶體管，其柵極與第二控制信號端連接、源極與驅(qū)動晶體管的漏極連接、漏極與高電平信號端連接； 第一電容，其連接在第一晶體管的源極與第二電容之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動電路，其特征在于，有機發(fā)光二極管連接在高電平電壓端和驅(qū)動晶體管的漏極之間具體為，有機發(fā)光二極管連接在高電平電壓端和第三晶體管的漏極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動電路，其特征在于，還包括第四晶體管，其柵極與行掃描信號端連接、源極與有機發(fā)光二極管的一端連接、漏極與有機發(fā)光二極管的另一端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動電路，其特征在于，驅(qū)動晶體管和第一至第四晶體管為n型晶體管。
6.ー種有源矩陣有機發(fā)光二極體面板，其特征在于，包括呈矩陣排列的多個亞像素單元，對應每個所述亞像素單元設有一個如權(quán)利要求1-5中任一項所述的驅(qū)動電路。
7.ー種有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動方法，其特征在于，利用如權(quán)利要求1-5中任一項所述的有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動電路來驅(qū)動所述有源矩陣有機發(fā)光二極體面板，以使所述驅(qū)動電路中的驅(qū)動晶體管在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流與其閾值電壓無關。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動方法，其特征在干，調(diào)節(jié)所述驅(qū)動晶體管的柵源電壓，以使所述驅(qū)動晶體管在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流與其閾值電壓無關。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有源矩陣有機發(fā)光二極體面板及其驅(qū)動電路與方法，涉及有機發(fā)光顯示技術(shù)領域，以提高有源矩陣有機發(fā)光二極體面板的亮度均勻性。所述有源矩陣有機發(fā)光二極體面板驅(qū)動電路，包括驅(qū)動晶體管；第一晶體管；第二電容；有機發(fā)光二極管；調(diào)壓模塊，其連接在第一控制信號端、第二控制信號端以及高電平信號端之間，并與第二電容、驅(qū)動晶體管和第一晶體管連接，用于調(diào)節(jié)與第二電容連接的驅(qū)動晶體管的柵源電壓，以使驅(qū)動晶體管在飽和狀態(tài)下的驅(qū)動電流與其閾值電壓無關。本發(fā)明可用于有機發(fā)光顯示。
文檔編號G09G3/32GK102651192SQ201110168038
公開日2012年8月29日 申請日期2011年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月21日
發(fā)明者祁小敬, 譚文 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司