專利名稱：有機發(fā)光二極管像素陣列的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光二極管像素陣列，特別是涉及一種具有穿透區(qū)的有機發(fā) 光二極管像素陣列。
背景技術：
由于有機發(fā)光(Organic Light Emitting Diode, OLED)顯示器具有多項特性及 優(yōu)點，如自發(fā)光、廣視角、反應時間快、低操作電壓、可低溫操作以及高光電轉換效率等，使 得其普遍被預期為下一世代顯示器的主流。在各種有機發(fā)光(Organic Light Emitting Diode, OLED)顯示器中，又以透明式有機發(fā)光顯示器最引人注目。透明式有機發(fā)光顯示器 可以置放于另一顯示器前方，所以使用者可以通過透明式有機發(fā)光顯示器觀看到另一顯示 器所顯示的影像，亦稱為外界影像。
一般而言，在現(xiàn)有的透明式有機發(fā)光顯示器中，是藉由在每一個子像素間設置 穿透區(qū)，以實現(xiàn)一透明式有機發(fā)光顯示器。然而，這些穿透區(qū)所構成的圖案是由許多小 面積的穿透區(qū)按照子像素的排列方式重復排列而成，這些穿透區(qū)的空間頻率(spatial frequency)過高。因此，這些穿透區(qū)的排列方式使得穿過透明式有機發(fā)光顯示器的外界影 像成像品質(例如清晰度)不佳。如上所述，如何開發(fā)出一種透明式有機發(fā)光顯示器，以改 善穿過透明式有機發(fā)光顯示器的外界影像成像品質，實為研發(fā)者所面臨的問題之一。發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種有機發(fā)光二極管像素陣列，穿過此有機發(fā)光二極管像素陣列的外 界影像具有理想的清晰度。
本發(fā)明提出一種有機發(fā)光二極管像素陣列，此有機發(fā)光二極管像素陣列配置于基 板上。此有機發(fā)光二極管像素陣列包括多條第一訊號線、多條第二訊號線以及多個像素陣 列單元。多條第二訊號線與這些第一訊號線相交，其中這些第一訊號線為多條掃描線以及 多條數(shù)據(jù)線的其中一條，而這些第二訊號線為這些掃描線以及這些數(shù)據(jù)線的其中另一條。 多個像素陣列單元陣列排列于基板上，且各像素陣列單元包括多個有機發(fā)光二極管像素。 此多個有機發(fā)光二極管像素連接至同一條第一訊號線，并且這些有機發(fā)光二極管像素各自 連接這些第二訊號線中的第一部分以及這些第二訊號線中的第二部分，且至少兩個有機發(fā) 光二極管像素位于第一部分與第二部份之間。第一部分、第二部分與這些有機發(fā)光二極管 像素圍出穿透區(qū)，且第一部分與第二部分別位于穿透區(qū)的相對兩側。
基于上述，在本發(fā)明的有機發(fā)光二極管像素陣列中，藉由將第二訊號線中的第一 部分以及第二部分配置于像素陣列單元的兩側，而使得各穿透區(qū)的面積變大，其中各穿透 區(qū)的寬度至少大于一個像素的寬度。如此一來，穿透區(qū)的空間頻率(spatial frequency) 則會變小，進而使得穿過此有機發(fā)光二極管像素陣列的外界影像的清晰度可有效提高。
為使本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并結合附圖詳細 說明如下。


圖1是本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列示意圖。
圖2是本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列示意圖。
圖3是本發(fā)明第三實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列示意圖。
圖4是本發(fā)明第四實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列示意圖。
圖5是本發(fā)明第五實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列示意圖。
附圖符號說明
100、100A、100B、100C、100D 有機發(fā)光二極管像素陣列
200 基板
Ll 第一訊號線
L2:第二訊號線
U:像素陣列單元
SL:掃描線
DL 數(shù)據(jù)線
110 有機發(fā)光二極管像素
L2-a:第二訊號線的第一部分
L2-b 第二訊號線的第二部分
CL 連接線
PL 電源線
TS 開關元件
TD 驅動元件
LD 發(fā)光二極管單元
G、G，柵極
S、S，源極
D、D，漏極
U 像素單元
H:間隔
R、R，穿透區(qū)
W:穿透區(qū)寬度
K:寬度
P1、P2 穿透區(qū)間的間距
D1、D2 第一部分或第二部分所占的寬度
RL 參考線具體實施方式
第一實施例
圖1為本發(fā)明一實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100的示意圖。請參照圖1，本 實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100配置于基板200上，此有機發(fā)光二極管像素陣列100包括多條第一訊號線Li、多條第二訊號線L2以及多個像素陣列單元U。在本實施例中，基 板200主要是用來承載基板200上的元件之用，其材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是其 它可適用的材料。
多條第一訊號線Ll與多條第二訊號線L2相交，其中多條第一訊號線Ll可以為多 條掃描線SL以及多條數(shù)據(jù)線DL的其中一條，而多條第二訊號線L2可以為多條掃描線SL以 及多條數(shù)據(jù)線DL的其中另一條。在本實施例中，多條第一訊號線Ll為多條掃描線SL，而多 條第二訊號線L2為多條數(shù)據(jù)線DL，其中第一訊號線Ll (掃描線SL)與第二訊號線L2 (數(shù)據(jù) 線DL)彼此交錯設置。換言之，第一訊號線Ll (掃描線SL)的延伸方向與第二訊號線L2(數(shù) 據(jù)線DL)的延伸方向不平行，或是，第一訊號線Ll(掃描線SL)的延伸方向與第二訊號線 L2(數(shù)據(jù)線DL)的延伸方向大致上垂直。
另外，第一訊號線Ll (掃描線SL)與第二訊號線L2(數(shù)據(jù)線DL)屬于不同的膜層。 基于導電性的考慮，第一訊號線Ll(掃描線SL)與第二訊號線L2(數(shù)據(jù)線DL) —般是使用金 屬材料。但是，本發(fā)明不限于此，第一訊號線Ll (掃描線SL)與第二訊號線L2(數(shù)據(jù)線DL) 也可以使用金屬以外的其他導電材料，例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、 金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆迭層。
具體來說，本實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100可進一步地包括多條電源線 PL,這些電源線PL例如是平行于第一訊號線Li，并電性連接至像素陣列單元U以提供所需 的電源。在本實施例中，這些電源線PL可是彼此電性連接的，且這些電源線PL可與第一訊 號線Ll屬于同一膜層。但是，本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，這些電源線PL亦可不平 行于第一訊號線Ll，例如是平行于第二訊號線L2，且這些電源線PL可選擇性地與第二訊號 線L2屬于同一膜層。
多個像素陣列單元U陣列排列于基板200上，且各像素陣列單元U包括電性連接 至電源線PL的多個有機發(fā)光二極管像素110。各像素陣列單元U中的多個有機發(fā)光二極管 像素110連接至同一條第一訊號線Ll，并且這些有機發(fā)光二極管像素110各自連接多條第 二訊號線L2中的第一部分L2-a以及多條第二訊號線L2中的第二部分L2_b。也就是說，第 一部份L2-a與第二部份L2-b分別由至少一條第二訊號線L2所組成并連接對應的有機發(fā) 光二極管像素110。此外，各像素陣列單元U還可包括多條連接線CL，以將這些有機發(fā)光二 極管像素110對應地連接至第一部分L2-a與第二部分L2-b。
值得一提的是，第一部分L2_a、第二部分L2_b與像素陣列單元U圍出穿透區(qū)R，且 第一部分L2-a與第二部L2-b分別位于穿透區(qū)R的相對兩側。換言之，各像素陣列單元U 間并非完全緊密排列。相鄰兩個像素陣列單元U在第二訊號線L2(數(shù)據(jù)線DL)的延伸方向 上有一間隔H以構成穿透區(qū)R。在本實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100中，間隔H的大 小不需為定值，不同列的像素陣列單元U之間所設置的間隔H可依照實際的需求作適當?shù)?調整。
在一實施方式中，至少兩個有機發(fā)光二極管像素110位于第一部分L2_a與第二部 L2-b之間。因此，穿透區(qū)R在第一訊號線Ll (掃描線SL)的延伸方向上的寬度W至少大于 一個有機發(fā)光二極管像素110在相同方向上的寬度。如此一來，整個有機發(fā)光二極管像素 陣列100中，穿透區(qū)R的空間頻率(spatialfrequency)則可大幅減小。因此，有機發(fā)光二 極管像素陣列100所構成的透明式有機發(fā)光顯示器置放于另一顯示器前方時，穿過有機發(fā)5光二極管像素陣列100的外界影像可具有理想的成像品質。
值得一提的是，若各穿透區(qū)R間在第一訊號線Ll (掃描線SL)的延伸方向的間 距Pl與在第二訊號線L2(數(shù)據(jù)線DL)的延伸方向的間距(pitch)P2過大，則包括此有機 發(fā)光二極管像素陣列100的有機發(fā)光顯示器的顯示品質會有下降之虞，例如顯示影像不連 續(xù)。因此，間距Pl與間距P2應隨實際需求而調整。各穿透區(qū)R的間距Pl (pitch)與間距 P2 (pitch)可以是約300微米(um)左右，當然間距Pl與間距P2可相同或不相同。另外， 第二訊號線L2的第一部分L2-a與第二部分L2-b所占的寬度Dl、D2亦可隨實際需求而調 整。舉例而言，寬度D1、D2的總和可以是約100微米(um)左右，當然本發(fā)明不此為限。
在本實施例中，各像素陣列單元U例如有6個有機發(fā)光二極管像素110，且6個有 機發(fā)光二極管像素Iio連接至同一條第一訊號線Ll (掃描線SL)。此外，第一部分L2-a與 第二部份L2-b分別由三條第二訊號線L2所組成。3個有機發(fā)光二極管像素110分別連接 至第一部分L2-a的三條第二訊號線L2 (數(shù)據(jù)線DL)，而另外的3個有機發(fā)光二極管像素110 則分別連接至第二部分L2-b的三條第二訊號線L2 (數(shù)據(jù)線DL)。
6個有機發(fā)光二極管像素110大致上可以畫分成兩組，其中每一組以三個有機發(fā) 光二極管像素110為例。兩組有機發(fā)光二極管像素110分別連接于位在相對兩側的第一部 份L2-a與第二部份L2-b，而實質上可以參考線RL為依據(jù)構成鏡面對稱的排列方式。不過， 在其他實施例中，兩組有機發(fā)光二極管像素110的數(shù)量可以分別是2個與4個，或是1個與 5個，或是4個與2個，或是5個與1個。
簡言之，各像素陣列單元U可包括η個有機發(fā)光二極管像素110，其中η為大于等 于2的整數(shù)。各像素陣列單元U中η個有機發(fā)光二極管像素110連接至同一條第一訊號 線Ll (也就是本實施例中的掃描線SL)。同時，此η個有機發(fā)光二極管像素110中的χ個 有機發(fā)光二極管像素110連接至第一部分L2-a的數(shù)條第二訊號線L2(數(shù)據(jù)線DL)，而另外 的(n-x)個有機發(fā)光二極管像素110連接至第二部分L2-b的數(shù)條第二訊號線L2(數(shù)據(jù)線 DL)，其中χ為大于等于1且小于η的整數(shù)。
本實施例的有機發(fā)光二極管像素110可包括開關元件TS、驅動元件TD以及發(fā)光二 極管單元LD，開關元件TS電性連接于驅動元件TD、對應的第一訊號線Ll以及對應的第二 訊號線L2，而驅動元件TD連接于電源線PL及發(fā)光二極管單元LD。詳言之，開關元件TS可 包括源極S、漏極D、柵極G，驅動元件TD亦可包括源極S’、漏極D’、柵極G’，其中開關元件 TS的漏極D電性連接于驅動元件TD的柵極G’，開關元件TS的源極S電性連接于對應的第 二訊號線L2 (數(shù)據(jù)線DL)、開關元件TS的柵極G電性連接于對應的第一訊號線Ll (掃描線 SL)，而驅動元件TD的源極S’電性連接于對應的電源線PL，驅動元件TD的漏極D’電性連 接于對應的發(fā)光二極管單元LD。在此，開關元件TS的源極S例如是通過連接線CL電性連 接于對應的第二訊號線L2 (數(shù)據(jù)線DL)。
此外，構成這些發(fā)光二極管單元LD所需的膜層不同于構成第一訊號線Ll與第二 訊號線L2所需的膜層。當各有機發(fā)光二極管像素110的發(fā)光二極管單元LD為頂部發(fā)光型 發(fā)光二極管單元時，第一訊號線Ll與第二訊號線L2可以設置于發(fā)光二極管單元LD下方而 部分地被發(fā)光二極管單元LD所遮蔽。第二訊號線L2的第一部分L2-a與第二部份L2_b是 分別與各像素陣列單元U中的有機發(fā)光二極管像素110重迭的。因此，第一部分L2-a與第 二部份L2-b的配置位置仍是可以進行顯示的區(qū)域，而穿透區(qū)R的寬度W可以小于像素陣列單元U的整體寬度。不過，當?shù)谝徊糠諰2-a與第二部份L2-b的配置位置不重迭于發(fā)光二 極管單元LD時，穿透區(qū)R的寬度W可以大于像素陣列單元U的整體寬度。整體而言，設計 者可以依照所需的穿透區(qū)R寬度W以及所需的顯示效果來決定發(fā)光二極管單元LD的配置 方式是否須重迭于第一訊號線Ll以及第二訊號線L2。
第二實施例
圖2為本實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100A的示意圖。請參照圖2，本實施 例的有機發(fā)光二極管像素陣列100A與圖1的第一實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100 類似，因此與圖1相同的元件以相同的符號表示。以下就兩者相異之處做說明，相同之處就 不再重述。
本實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100A中，多個有機發(fā)光二極管像素110位于 第二訊號線L2的第一部分L2-a與第二部份L2-b之間，其中第一部分L2_a、第二部分L2_b 與這些有機發(fā)光二極管像素110圍出穿透區(qū)R，且第一部分L2-a與第二部分L2_b分別位于 穿透區(qū)R的相對兩側。具體來說，本實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100A與第一實施例 的有機發(fā)光二極管像素陣列100不同之處在于其第二訊號線L2的第一部分L2-a與第二 部份L2-b是分別位于各像素陣列單元U的相對兩旁。換句話說，在本實施例中，第二訊號 線L2的第一部分L2-a與第二部份L2-b是未與各像素陣列單元U中的有機發(fā)光二極管像 素110重迭的。
這樣一來，在本實施例中，各像素陣列單元U所圍出的穿透區(qū)R在第一訊號線Ll 的延伸方向上的寬度W至少會等于兩個有機發(fā)光二極管像素110在第一訊號線Ll的延伸 方向上的寬度K的總和。舉例而言，本實施例的各像素陣列單元U包括6個有機發(fā)光二極 管像素110，各像素陣列單元U所圍出的穿透區(qū)R在第一訊號線Ll (掃描線SL)的延伸方向 上的寬度W至少會等于6個有機發(fā)光二極管像素110在第一訊號線Ll (掃描線SL)的延伸 方向上的寬度K的總和。
第三實施例
圖3為本實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100B的示意圖。請參照圖3，本實施 例的有機發(fā)光二極管像素陣列100B與圖1的第一實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100 類似，因此與圖1相同的元件以相同的符號表示。以下就兩者相異之處做說明，相同之處就 不再重述。
本實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100A與第一實施例的有機發(fā)光二極管像素 陣列100不同之處僅在于第一訊號線Ll為數(shù)據(jù)線DL，而第二訊號線L2為掃描線SL。其 它部份皆與第一實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100類似，于此便不再贅述。也就是說， 各有機發(fā)光二極管像素110中，開關元件TS的柵極G需通過連接線CL電性連接于對應的第 二訊號線L2 (數(shù)據(jù)掃描線SL)。另外，同一像素陣列單元U連接至同一條第一訊號線Ll (數(shù) 據(jù)線DL)。
第四實施例
圖4為本實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100C的示意圖。請參照圖4，本實施 例的有機發(fā)光二極管像素陣列100C與圖1的第一實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100 類似，因此與圖1相同的元件以相同的符號表示。以下就兩者相異之處做說明，相同之處就 不再重述。
本實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100C與第一實施例的有機發(fā)光二極管像素 陣列100不同之處在于在本實施例中，相鄰的像素陣列單元U所圍出的穿透區(qū)R彼此連 接。換言之，由于相鄰的像素陣列單元U所圍出的穿透區(qū)R是彼此連接的，因此整體的穿透 區(qū)R’的面積較第一實施例的穿透區(qū)R來的大。因此，有機發(fā)光二極管像素陣列100C所構 成的透明式有機發(fā)光顯示器置放于另一顯示器前方時，穿過有機發(fā)光二極管像素陣列100C 的外界影像所呈現(xiàn)的成像品質更為理想。
此外，在本實施例中，電源線PL平行于第二訊號線L2(數(shù)據(jù)線DL)。換言之，位于 電源線PL兩側的相鄰兩像素陣列單元U是分別以對應的電源線PL為依據(jù)呈現(xiàn)鏡面對稱的 設計。當然，在本實施例中，整體的穿透區(qū)R’所具有面積不限定為第一實施例的穿透區(qū)R 所具有面積的兩倍。設計者可以隨透光度需求以及顯示品質需求來調整穿透區(qū)R’的面積 大小，而不需特別地限制。
第五實施例
圖5為本實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100D的示意圖。請參照圖5，本實施 例的有機發(fā)光二極管像素陣列100D與圖4的第四實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100C 類似，因此與圖4相同的元件將以相同的符號表示。以下就兩者相異之處做說明，相同之處 就不再重述。
本實施例的有機發(fā)光二極管像素陣列100D與第四實施例的有機發(fā)光二極管像素 陣列100C不同之處僅在于在本實施例中，第一訊號線Ll為數(shù)據(jù)線DL，而第二訊號線L2為 掃描線SL。也就是說，各有機發(fā)光二極管像素110中，開關元件TS的柵極G需通過連接線 CL電性連接于對應的第二訊號線L2 (掃描線SL)。另外，同一像素陣列單元U連接至同一 條第一訊號線Ll (數(shù)據(jù)線DL)。此外，相鄰的像素陣列單元U所圍出的穿透區(qū)R亦是彼此連 接的。兩相鄰像素陣列單元U例如連接至同一條電源線PL并位在對應的電源線PL相對兩 側。
綜上所述，本發(fā)明的有機發(fā)光二極管像素陣列以至少兩個機發(fā)光二極管像素構成 像素陣列單元，并將第二訊號線的第一部分與第二部分配置在像素陣列單元的相對兩側。 同時，本發(fā)明使像素陣列單元連同第二訊號線的第一部份與第二部份圍出一穿透區(qū)。穿透 區(qū)在第一訊號線(或第二訊號線)的延伸方向上的寬度可隨不同需求而變大。如此一來， 多個面積較大的穿透區(qū)的空間頻率(spatial frequency)可大幅減小。有機發(fā)光二極管像 素陣列所構成的透明式有機發(fā)光顯示器置放于另一顯示器前方時，穿過有機發(fā)光二極管像 素陣列的外界影像所呈現(xiàn)的成像品質可更為理想。
雖然本發(fā)明已以實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明本領域的技術人員， 在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可作若干的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍是 以本發(fā)明的權利要求為準。8
權利要求
1.一種有機發(fā)光二極管像素陣列，配置于一基板上，該有機發(fā)光二極管像素陣列包括多條第一訊號線；多條第二訊號線，與這些第一訊號線相交，其中這些第一訊號線為多條掃描線以及多 條數(shù)據(jù)線的其中一條而這些第二訊號線為這些掃描線以及這些數(shù)據(jù)線的其中另一條；以及 多個像素陣列單元，陣列排列于該基板上，且各該像素陣列單元包括 多個有機發(fā)光二極管像素，連接同一條第一訊號線，并且這些有機發(fā)光二極管像素各 自連接這些第二訊號線中的一第一部分以及這些第二訊號線中的一第二部分，且至少兩個 有機發(fā)光二極管像素位于該第一部分與該第二部份之間，其中該第一部分、該第二部分與 這些有機發(fā)光二極管像素圍出一穿透區(qū)，且該第一部分與該第二部分別位于該穿透區(qū)的相 對兩側。
2.如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素陣列，其中各像素陣列單元所圍出的該穿 透區(qū)在這些第一訊號線的一延伸方向上的寬度至少大于一個有機發(fā)光二極管像素在該延 伸方向上的寬度。
3.如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素陣列，其中相鄰的像素陣列單元所圍出的 這些穿透區(qū)彼此連接。
4.如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素陣列，其中這些第一訊號線與這些第二訊 號線位于這些有機發(fā)光二極管像素與該基板之間。
5.如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素陣列，其中各該像素陣列單元更包括多條 連接線，以將這些有機發(fā)光二極管像素對應地連接至這些第二訊號線中的該第一部分與該 第二部分。
6.如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素陣列，還包括多條電源線，平行于這些第 一訊號線或這些第二訊號線，并電性連接至這些有機發(fā)光二極管像素。
7.如權利要求6所述的有機發(fā)光二極管像素陣列，其中這些電源線彼此電性連接。
8.如權利要求6所述的有機發(fā)光二極管像素陣列，其中各該有機發(fā)光二極管像素包 括一開關元件、一驅動元件以及一發(fā)光二極管單元，該開關元件電性連接于該驅動元件、對 應的第一訊號線以及對應的第二訊號線，而該驅動元件連接于該電源線及該發(fā)光二極管單兀。
9.如權利要求8所述的有機發(fā)光二極管像素陣列，其中各該有機發(fā)光二極管像素的該 發(fā)光二極管單元為一頂部發(fā)光型發(fā)光二極管單元。
全文摘要
一種有機發(fā)光二極管像素陣列。包括多條第一訊號線、多條第二訊號線以及多個像素陣列單元。多個像素陣列單元陣列排列于基板上。各像素陣列單元包括多個有機發(fā)光二極管像素，此多個有機發(fā)光二極管像素連接同一條第一訊號線，并且各自連接這些第二訊號線中的第一部分以及第二部分，且至少兩個有機發(fā)光二極管像素位于第一部分與第二部份之間。第一部分、第二部分與這些有機發(fā)光二極管像素圍出穿透區(qū)，且第一部分與第二部分別位于穿透區(qū)的相對兩側。
文檔編號G09F9/33GK102034433SQ20111002369
公開日2011年4月27日 申請日期2011年1月21日 優(yōu)先權日2010年12月3日
發(fā)明者蔡宗廷 申請人:友達光電股份有限公司