專利名稱：顯示面板和使用該顯示面板的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將周邊驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置的顯示面板和使用該顯示面板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
以往，伴隨著液晶顯示器的高清晰化，正在實(shí)現(xiàn)內(nèi)置使用了薄膜晶體管(Thin Film Transistor，以下稱為“TFT”。)的周邊驅(qū)動(dòng)電路。一般，在這種內(nèi)置有周邊驅(qū)動(dòng)電 路的液晶顯示器中，由低泄漏電流的TFT構(gòu)成驅(qū)動(dòng)液晶的像素部，另一方面，由高遷移率的 TFT構(gòu)成周邊驅(qū)動(dòng)電路。進(jìn)而，如果是通過(guò)遮擋光來(lái)檢測(cè)輸入坐標(biāo)、或通過(guò)檢測(cè)外光來(lái)控制顯示器的畫面 的亮度的液晶顯示器的情況，則在構(gòu)成光傳感器的TFT中，需要比構(gòu)成像素部的TFT強(qiáng)的低 泄漏電流?？紤]這樣的需要，提案有以下方法，S卩，在同一個(gè)基板上制作構(gòu)成像素部的 TFT (在這里稱為“像素TFT”。)、構(gòu)成周邊驅(qū)動(dòng)電路的TFT (在這里稱為“驅(qū)動(dòng)TFT”。)和 構(gòu)成光傳感器的TFT (在這里稱為“光傳感器TFT”。)的情況下，僅對(duì)光傳感器TFT的半導(dǎo) 體膜進(jìn)行2次激光退火，由此僅對(duì)光傳感器TFT的半導(dǎo)體膜進(jìn)行再次結(jié)晶化(例如，參照專 利文獻(xiàn)1)。在該方法中，通過(guò)使光傳感器TFT的半導(dǎo)體膜的結(jié)晶粒徑比像素TFT和驅(qū)動(dòng)TFT 大，提高其結(jié)晶特性，謀求增大光傳感器TFT發(fā)生的光電流的發(fā)生效率?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本國(guó)公開(kāi)專利公報(bào)“特開(kāi)2005-2504M號(hào)公報(bào)(2005年9月15日 公開(kāi))”

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題但是，在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)的上述方法中，為了謀求光傳感器TFT特性的優(yōu)化，僅 是光傳感器TFT的半導(dǎo)體膜的結(jié)晶化就需要進(jìn)行2次。其結(jié)果，導(dǎo)致用于制造構(gòu)成各TFT 的半導(dǎo)體膜的制造工藝數(shù)增加，因此，存在阻礙液晶顯示器的制造成本削減這樣的問(wèn)題。鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于，提供不導(dǎo)致增加制造成本就能夠優(yōu)化不同的 半導(dǎo)體元件的各特性的顯示面板和使用該顯示面板的顯示裝置。用于解決課題的手段為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的顯示面板，其特征在于，包括透明基板；配置在上 述透明基板的上部的半導(dǎo)體膜；和多個(gè)半導(dǎo)體元件，該多個(gè)半導(dǎo)體元件具有電流流動(dòng)的電 流路徑，該電流路徑由上述半導(dǎo)體膜構(gòu)成，上述半導(dǎo)體膜通過(guò)激光的照射被多晶化，具有沿 著上述激光的掃描方向的結(jié)晶生長(zhǎng)方向，上述多個(gè)半導(dǎo)體元件至少包括以上述半導(dǎo)體膜 的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與電流路徑的方向大致垂直的方式配置在上述透明基板的上部的第一半導(dǎo)體元件；和以上述半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與電流路徑的方向大致平行的方式配置在上 述透明基板的上部的第二半導(dǎo)體元件。在上述的顯示面板中，在配置在透明基板的上部的半導(dǎo)體膜通過(guò)激光的照射被多 晶化的情況下，在沿著其激光的掃描方向的方向上進(jìn)行結(jié)晶生長(zhǎng)。而且，作為將其半導(dǎo)體膜用作電流路徑的半導(dǎo)體元件，以電流路徑的方向與其結(jié) 晶生長(zhǎng)的方向大致垂直的方式在透明基板的上部配置第一半導(dǎo)體元件，另一方面，以電流 路徑的方向與其結(jié)晶生長(zhǎng)方向大致平行的方式在透明基板的上部配置第二半導(dǎo)體元件。即，通過(guò)對(duì)于具有沿著激光的掃描方向的結(jié)晶生長(zhǎng)方向的半導(dǎo)體膜如上述那樣進(jìn) 行半導(dǎo)體元件的配置，能夠?qū)崿F(xiàn)電流路徑的方向與其結(jié)晶生長(zhǎng)方向大致垂直的第一半導(dǎo)體 元件和電流路徑的方向與其結(jié)晶生長(zhǎng)方向大致平行的第二半導(dǎo)體元件。因此，由于能夠?qū)崿F(xiàn)以電流路徑的方向與半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向的差異為起因 的具有相互不同特性的第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件，因此能夠降低使用了這兩個(gè)第 一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件的顯示面板的制造成本。另外，本發(fā)明中的顯示裝置的特征在于，包括上述顯示面板；和控制由上述顯示 面板進(jìn)行的圖像顯示處理的控制裝置。在上述的顯示裝置中，實(shí)現(xiàn)具備上述顯示面板的顯示裝置。發(fā)明的效果本發(fā)明中的顯示面板如上所述，上述半導(dǎo)體膜通過(guò)激光的照射被多晶化，具有沿 著上述激光的掃描方向的結(jié)晶生長(zhǎng)方向，上述多個(gè)半導(dǎo)體元件至少包括以上述半導(dǎo)體膜 的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與電流路徑的方向大致垂直的方式配置在上述透明基板的上部的第一半 導(dǎo)體元件；和以上述半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與電流路徑的方向大致平行的方式配置在上 述透明基板的上部的第二半導(dǎo)體元件。因此，起到不導(dǎo)致增加制造成本，就能夠優(yōu)化不同的半導(dǎo)體元件的各特性這樣的效果。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1中的顯示面板的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2是用于說(shuō)明像素TFT的溝道區(qū)域的狀況的說(shuō)明圖。圖3是用于說(shuō)明掃描驅(qū)動(dòng)器TFT的溝道區(qū)域的狀況的說(shuō)明圖。圖4是用于說(shuō)明非晶硅膜被多晶化的狀況的說(shuō)明圖。圖5是表示多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與遷移率的關(guān)系的曲線圖。圖6是表示多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與閾值電壓的關(guān)系的曲線圖。圖7是表示多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與泄漏電流的關(guān)系的曲線圖。圖8是像素TFT的剖面圖。圖9是掃描驅(qū)動(dòng)器TFT的剖面圖。圖10是表示像素TFT的柵極電極的電位與漏極電流的關(guān)系的曲線圖。圖11是用于說(shuō)明非晶硅膜被多晶化的狀況的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式以下參照附圖，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。在以下附圖的記載中，對(duì)相同或者類似的 部分標(biāo)注相同或者類似的附圖標(biāo)記。其中，附圖是示意性的，厚度與平面尺寸的關(guān)系、各層 厚度的比率等與實(shí)際的情況不同。另外，在附圖相互之間也包括相互尺寸的關(guān)系或比率不 同的部分。(實(shí)施方式1)本發(fā)明實(shí)施方式1中的顯示面板是包括相對(duì)的2片玻璃基板和夾在它們之間的液 晶材料的液晶顯示面板。2片玻璃基板中的一個(gè)是在玻璃板上呈矩陣狀設(shè)置有TFT和透明 的像素電極層的TFT陣列基板(以下，稱為“TFT基板”。)，另一個(gè)是在玻璃板上設(shè)置有著 色層和透明的對(duì)置電極層的彩色濾光片基板(以下，稱為“CF基板”。)。而且，本實(shí)施方式中的顯示面板經(jīng)由以下工藝制造制作這種TFT基板和CF基板 的工藝；將其TFT基板和CF基板粘貼在一起，向它們之間注入液晶而構(gòu)成液晶顯示面板的 面板工藝；和對(duì)液晶顯示面板進(jìn)行加工使得能夠?qū)σ壕э@示面板進(jìn)行電控制的模塊工藝。 另外，陣列工藝中的CF基板的制造工藝、面板工藝和模塊工藝與眾所周知的工藝相同。另外，在本實(shí)施方式的顯示面板中，設(shè)置在TFT基板上的TFT的半導(dǎo)體膜由通過(guò)使 用CW(Continuous Wave 連續(xù)波)固體激光器被多晶化的多晶硅膜構(gòu)成。通過(guò)使用CW固 體激光器被多晶化的多晶硅膜與現(xiàn)有的基于受激準(zhǔn)分子激光器照射的情況相比，具有結(jié)晶 粒徑大、表面凹凸小這樣的優(yōu)點(diǎn)。進(jìn)而，通過(guò)使用CW固體激光器被多晶化的多晶硅膜具有結(jié)晶各向異性，在其結(jié)晶 生長(zhǎng)方向上特性不同。即，該多晶硅膜具有沿著一個(gè)方向例如幾Pm以上較長(zhǎng)地延伸的形 狀那樣進(jìn)行橫向生長(zhǎng)。另外，在本實(shí)施方式中的顯示面板上，例如，通過(guò)設(shè)置控制由該顯示面板進(jìn)行的圖 像顯示處理的控制裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)具備該顯示面板的顯示裝置。以下，使用

本實(shí)施方式中的顯示面板的結(jié)構(gòu)。圖1是表示本實(shí)施方式中 的顯示面板的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。如圖1所示，本實(shí)施方式中的顯示面板100包括顯示部101 ；作為周邊驅(qū)動(dòng)電路 的掃描驅(qū)動(dòng)器(驅(qū)動(dòng)部)102 ；和作為周邊驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(驅(qū)動(dòng)部)103。這些顯示 部101、掃描驅(qū)動(dòng)器102和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器103設(shè)置在同一 TFT基板上。在顯示部101中，呈矩陣狀配置有多個(gè)像素部，在各像素部?jī)?nèi)配置有具有像素電 極的液晶單元(省略圖示)；和與像素電極連接并與各像素部一對(duì)一地對(duì)應(yīng)的液晶單元驅(qū) 動(dòng)用的TFT (以下，稱為“像素TFT”。)(半導(dǎo)體元件、第一半導(dǎo)體元件、第一薄膜晶體管)11。 即，像素TFTll配置在顯示面板100的顯示部101內(nèi)。另外，為了易于觀看附圖，圖1中僅 記載1個(gè)像素TFTll。該像素TFTl 1具有低泄漏電流特性，將在自身的斷開(kāi)期間流過(guò)的斷開(kāi)泄漏電流抑 制為低水平，并防止顯示部101內(nèi)的像素部之間的畫質(zhì)不均勻等。而且，用柵極配線21從掃描驅(qū)動(dòng)器102向該像素TFTll的柵極電極供給掃描信號(hào) (驅(qū)動(dòng)信號(hào))。另外，用源極配線22從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器103向像素TFTll的源極電極供給數(shù)據(jù)信 號(hào)(驅(qū)動(dòng)信號(hào))。這樣，經(jīng)由由掃描信號(hào)選擇的像素TFT11，向像素電極輸入數(shù)據(jù)信號(hào)。各 柵極配線21和各源極配線22在像素部的周圍配置成相互正交。另外，為了易于觀看附圖，圖1中僅記載了 1根柵極配線21和1根源極配線22。掃描驅(qū)動(dòng)器102和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器103如圖1所示，內(nèi)置在顯示面板100中。因此，掃 描驅(qū)動(dòng)器102包括設(shè)置在TFT基板上的多個(gè)TFT (以下，稱為“掃描驅(qū)動(dòng)器TFT”。)(半導(dǎo)體 元件、第二半導(dǎo)體元件、第二薄膜晶體管)12，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器103包括設(shè)置在TFT基板上的多個(gè) TFT (以下，稱為“數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT”。)(半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件、第二薄膜晶體管)13。 即，掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12配置在顯示面板100的掃描驅(qū)動(dòng)器102內(nèi)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13配置在 顯示面板100的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器103內(nèi)。另外，圖1中，為了易于觀看附圖，僅各記載了 1個(gè)掃 描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13。這些掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13均具有載流子的高遷移率，通過(guò)自身 的高速動(dòng)作，高速地執(zhí)行配置在顯示部101內(nèi)的像素TFTll的各個(gè)的接通/斷開(kāi)控制(開(kāi) 關(guān)狀態(tài)的控制)，能夠在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)像素?cái)?shù)據(jù)向與各像素TFTll連接的液晶單元的寫入。而且，該掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13的各溝道區(qū)域的溝道長(zhǎng)度方向均 為圖1上的Y方向。另一方面，構(gòu)成顯示部101的像素部的像素TFTll的溝道區(qū)域的溝道 長(zhǎng)度方向?yàn)閳D1上的X方向。即，在本實(shí)施方式的顯示面板100中，設(shè)定像素TFTl 1、掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū) 動(dòng)器TFT13的各個(gè)配置結(jié)構(gòu)，使得掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13的各溝道區(qū)域的 溝道長(zhǎng)度方向與像素TFTll的溝道區(qū)域的溝道長(zhǎng)度方向?yàn)橄嗷フ坏年P(guān)系。接著，說(shuō)明像素TFT11、掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13的各個(gè)結(jié)構(gòu)。圖2是用于說(shuō)明像素TFTll的溝道區(qū)域的狀況的說(shuō)明圖，圖3是用于說(shuō)明掃描驅(qū) 動(dòng)器TFT12的溝道區(qū)域的狀況的說(shuō)明圖，圖4是用于說(shuō)明在構(gòu)成顯示面板100的TFT基板 上沉積的非晶硅膜被多晶化的情況的說(shuō)明圖。另外，在本實(shí)施方式中，掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13能夠用相同的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。因此，在這里說(shuō)明掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12，對(duì)數(shù)據(jù)驅(qū) 動(dòng)器TFT13不再重復(fù)說(shuō)明。如圖2所示，像素TFTll具有柵極電極31、源極電極32、漏極電極33和溝道區(qū)域34。 而且，該溝道區(qū)域；34的溝道長(zhǎng)度方向、即從源極電極32向漏極電極33移動(dòng)的載流子(電子、 空穴)的移動(dòng)方向與構(gòu)成溝道區(qū)域；34(電流路徑)的后述的多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向正交。另一方面，如圖3所示，掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12具有柵極電極41、源極電極42、漏極電 極43和溝道區(qū)域44。而且，該溝道區(qū)域44的溝道長(zhǎng)度方向、即從源極電極42向漏極電極 43移動(dòng)的載流子的移動(dòng)方向與構(gòu)成溝道區(qū)域44(電流路徑)的后述的多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng) 方向平行。這里，使用圖4，說(shuō)明構(gòu)成溝道區(qū)域34、44的多晶硅膜。如圖4所示，從CW固體激光器光源(省略圖示)出射的激光例如聚光為0. 1 2mm的小徑光束激光(激光)53a 53d后，向沉積在TFT基板51上的非晶硅膜(半導(dǎo)體 膜)52照射。另外，雖然沒(méi)有圖示，但在顯示面板100中設(shè)置用于將從CW固體激光器光源(省 略圖示)出射的激光聚光成小徑光束激光53a 53d，并且用小徑光束激光53a 53d對(duì)非 晶硅膜52進(jìn)行掃描的光學(xué)系統(tǒng)。小徑光束激光53a、53b、53c、53d按照該順序照射到非晶硅膜52上。具體地講，沿 著圖中的Y方向，在圖中的箭頭A表示的方向上，小徑光束激光從小徑光束激光53a的位置掃描到小徑光束激光53b的位置。而且，由像這樣掃描的小徑光束激光形成的光帶以相鄰 的光帶彼此重疊例如10 μ m左右的方式在圖中的箭頭B表示的方向上移動(dòng)。該非晶硅膜52通過(guò)小徑光束激光53a 53d的照射被多晶化，變化為構(gòu)成像素 TFTll的溝道區(qū)域34、掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12的溝道區(qū)域44的多晶硅膜。該多晶硅膜用作構(gòu)成 顯示部101內(nèi)的像素TFT11、掃描驅(qū)動(dòng)器102內(nèi)的掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器103內(nèi)的 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13的各個(gè)的多晶硅膜。但是，小徑光束激光53a 53d對(duì)于沉積在TFT基板51上的非晶硅膜52的掃描 方向，在非晶硅膜52上的任意位置均為同一個(gè)方向。而且，該小徑光束激光53a 53d的掃描方向決定多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向。艮口， 圖4中，多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與圖中的箭頭A表示的方向一致。S卩，構(gòu)成像素TFT11、掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13的各個(gè)的多晶硅膜的 結(jié)晶生長(zhǎng)方向均為圖中的箭頭A表示的方向。因此，如圖1和圖2所示，在顯示部101內(nèi)的像素TFTll中，沿著圖中的X方向配 置溝道區(qū)域34的溝道長(zhǎng)度方向，構(gòu)成溝道區(qū)域34的多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與溝道長(zhǎng)度 方向?qū)嵸|(zhì)上垂直(大致垂直)。另一方面，在掃描驅(qū)動(dòng)器102內(nèi)的掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器103內(nèi)的數(shù)據(jù) 驅(qū)動(dòng)器TFT13中，如圖1和圖3所示，沿著圖中的Y方向配置溝道區(qū)域44的溝道長(zhǎng)度方向， 構(gòu)成溝道區(qū)域44的多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與溝道長(zhǎng)度方向?qū)嵸|(zhì)上平行(大致平行)。圖5是表示多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與遷移率的關(guān)系的曲線圖，圖6是表示多晶 硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與閾值電壓的關(guān)系的曲線圖。如圖5和圖6所示，在該多晶硅膜的結(jié)晶 生長(zhǎng)方向與溝道長(zhǎng)度方向水平的情況下，即，在圖1和圖3中表示的掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13中，實(shí)現(xiàn)高遷移率而且實(shí)現(xiàn)低閾值電壓。進(jìn)而，閾值電壓的均勻性也變高。S卩，掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13被實(shí)現(xiàn)為閾值電壓低而且能夠進(jìn)行高 速驅(qū)動(dòng)的高速型的TFT。因此，成為適于構(gòu)成被要求高速驅(qū)動(dòng)的作為周邊驅(qū)動(dòng)電路的掃描驅(qū) 動(dòng)器102和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器103的TFT。另外，圖7是表示多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與泄漏電流的關(guān)系的曲線圖。圖7表 示的泄漏電流是由該多晶硅膜構(gòu)成的二極管元件所具有的I-V特性，表示針對(duì)反向偏置電 壓的暗電流。如圖7所示，在多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與電流方向垂直的情況下，實(shí)現(xiàn)該二極 管元件的低泄漏電流。由此，在多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與溝道長(zhǎng)度方向垂直的圖1和圖 2表示的像素TFTll中，會(huì)實(shí)現(xiàn)低泄漏電流。S卩，像素TFTll被實(shí)現(xiàn)為能夠降低斷開(kāi)泄漏電流的TFT。因此，成為適于構(gòu)成在各 像素部中被要求高電荷保持特性的顯示部101的TFT。通過(guò)利用像這樣使用了 CW固體激光器的多晶化中發(fā)生的結(jié)晶生長(zhǎng)方向的各向異 性，各個(gè)元件被配置成構(gòu)成掃描驅(qū)動(dòng)器102和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器103的掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13的溝道區(qū)域44的溝道長(zhǎng)度方向與CW固體激光器的掃描方向?yàn)橥环较颉?另外，通過(guò)利用上述結(jié)晶生長(zhǎng)方向的各向異性，各個(gè)元件被配置成構(gòu)成顯示部101的像素 TFTll的溝道區(qū)域34的溝道長(zhǎng)度方向與CW固體激光器的掃描方向垂直方向。僅這樣配置， 就能夠優(yōu)化掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13和像素TFTll的各個(gè)特性。
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即，通過(guò)激光器的1次光照射，而不是進(jìn)行多次使用了 CW固體激光器的多晶化，就 能夠?qū)崿F(xiàn)掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13和像素TFTll的各特性的優(yōu)化。接著，說(shuō)明像素TFT11、掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13的各個(gè)具體構(gòu)造。 另外，在本實(shí)施方式中，掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13能夠用同一結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。因此， 在這里也說(shuō)明掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12，對(duì)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13不重復(fù)其說(shuō)明。圖8是像素TFTll的剖面圖。如圖8所示，像素TFTll包括配置在透明基板61上 的遮光膜62 ；配置成覆蓋遮光膜62的絕緣膜63 ；具有配置在絕緣膜63上的源極區(qū)域64a、 溝道區(qū)域64b和漏極區(qū)域6 的多晶硅膜；配置在多晶硅膜上的絕緣膜65 ；和配置在絕緣 膜65上的柵極電極66。在該像素TFTll中，通過(guò)遮光膜62遮擋來(lái)自透明基板61 —側(cè)的入射光，抑制多晶 硅膜的光劣化和光泄漏電流的發(fā)生。因此，成為適于構(gòu)成需要遮光性的顯示部101的TFT。該像素TFTll的構(gòu)造例如能夠如下實(shí)現(xiàn)。首先，通過(guò)眾所周知的濺射法在洗凈后 的透明基板61的一個(gè)面上形成導(dǎo)電膜后，通過(guò)在光刻工藝中將導(dǎo)電膜構(gòu)圖成所希望的形 狀，形成具有70 300nm、更優(yōu)選100 200nm膜厚的遮光膜62。作為該遮光膜62的材質(zhì)，只要具有導(dǎo)電性，就能夠使用例如鉭(Ta)、鎢(W)、鈦 (Ti)、鉬(Mo)等高熔點(diǎn)金屬、以這些高熔點(diǎn)金屬為主要成分的合金材料、化合物材料。接著，在透明基板61上以覆蓋遮光膜62的方式形成具有100 500nm、更優(yōu)選 150 300nm膜厚的絕緣膜63。作為該絕緣膜63，例如，能夠使用通過(guò)眾所周知的等離子體CVD法、濺射法形成的 含硅(Si)的無(wú)機(jī)絕緣膜，例如，SiO2膜、SiN膜、SiNO膜。特別是，從有效地抑制來(lái)自透明 基板61—側(cè)的雜質(zhì)離子的擴(kuò)散這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選SiN膜、SiNO膜等含氮的無(wú)機(jī)絕緣膜。 另外，絕緣膜63也可以是層疊有多層膜的層疊構(gòu)造。接著，通過(guò)眾所周知的濺射法、LPCVD法、等離子體CVD法在絕緣膜63上形成非晶 硅膜。而且，在通過(guò)CW固體激光器的照射使非晶硅膜多晶化后，在光刻工藝中構(gòu)圖成所希 望的形狀，由此形成具有20 lOOnm、更優(yōu)選30 70nm膜厚的多晶硅膜。接著，在透明基板61上以覆蓋多晶硅膜的方式形成具有30 150nm、更優(yōu)選50 IOOnm膜厚的絕緣膜65。作為該絕緣膜65，從降低與多晶硅膜的界面中的界面能級(jí)這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選 使用SiO2膜。另外，絕緣膜65也可以是層疊有多層膜的層疊構(gòu)造。接著，為了調(diào)節(jié)閾值電壓，利用眾所周知的離子注入法、離子摻雜法通過(guò)絕緣膜65 向多晶硅膜的整個(gè)面摻入雜質(zhì)(溝道摻雜)。作為在該溝道摻雜中使用的雜質(zhì)，例如，如果是實(shí)現(xiàn)η型TFT的情況，則只要使用 硼(B)等III族元素即可。另一方面，如果是實(shí)現(xiàn)ρ型TFT的情況，則只要使用磷(P)的V族 元素即可。另外，如果是處理大面積基板的情況，則優(yōu)選離子摻雜法。接著，通過(guò)眾所周知的濺射法在絕緣膜65上形成導(dǎo)電膜后，在光刻工藝中將導(dǎo)電 膜構(gòu)圖成所希望的形狀，由此形成具有100 500nm、更優(yōu)選150 300nm膜厚的柵極電極 66。接著，在以覆蓋源極電極66的方式形成20 150歷、更優(yōu)選30 IOOnm膜厚的覆 蓋膜(省略圖示)后，以柵極電極66為掩模，通過(guò)眾所周知的離子注入法、離子摻雜法向多晶硅膜中自匹配地?fù)饺肱?B)、磷(P)等雜質(zhì)(源極、漏極用高濃度摻雜)。另外，通過(guò)在源 極區(qū)域6 和漏極區(qū)域6 的各柵極電極66 —側(cè)的端部設(shè)置LDD區(qū)域，能夠進(jìn)一步提高低 泄漏電流的效果。作為該覆蓋膜，例如，能夠使用通過(guò)眾所周知的等離子體CVD、濺射法形成的含硅 (Si)的無(wú)機(jī)絕緣膜，例如，SiO2膜、SiN膜、SiNO膜。接著，經(jīng)過(guò)多晶硅膜的活性化處理，在除去多晶硅膜的溝道區(qū)域64b以外的區(qū)域 中，形成作為源極區(qū)域6 和漏極區(qū)域6 起作用的高濃度雜質(zhì)區(qū)域。作為該多晶硅膜的活性化處理，例如，既可以進(jìn)行使用退火爐等的熱處理，也可以 用受激準(zhǔn)分子激光器等進(jìn)行照射。最后，依次經(jīng)過(guò)層間絕緣膜、連通孔、金屬配線和有機(jī)膜的形成工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)圖8 表示的像素TFTll。另外，作為層間絕緣膜，例如，能夠使用通過(guò)眾所周知的等離子體CVD法、濺射法 形成的含硅(Si)的無(wú)機(jī)絕緣膜，例如，SiO2膜、SiN膜、SiNO膜。另外，作為金屬配線的材質(zhì)，例如，能夠使用鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等低電阻金 屬、以這些低電阻金屬為主要成分的合金材料、化合物材料。進(jìn)而，作為有機(jī)膜，例如，能夠使用通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂層法形成的感光性丙烯樹(shù)脂。圖9是掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12的剖面圖。如圖9所示，掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12在透明基板 71上包括具有源極區(qū)域74a、溝道區(qū)域74b和漏極區(qū)域7 的多晶硅膜；配置在多晶硅膜 上的絕緣膜75 ；和配置在絕緣膜75上的柵極電極76。該掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12的構(gòu)造例如能夠如下實(shí)現(xiàn)。首先，通過(guò)眾所周知的濺射法、 LPCVD法、等離子體CVD法在洗凈了的透明基板71的一個(gè)面上形成非晶硅膜。而且，在通 過(guò)CW固體激光器的照射使非晶硅膜多晶化后，在光刻工藝中構(gòu)圖成所希望的形狀，由此形 成具有20 lOOnm、更優(yōu)選30 70nm膜厚的多晶硅膜。接著，在透明基板71上以覆蓋多晶硅膜的方式形成具有30 150nm、更優(yōu)選50 IOOnm膜厚的絕緣膜75。作為該絕緣膜75，從降低與多晶硅膜的界面的界面能級(jí)這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使 用SiO2膜。另外，絕緣膜75也可以是層疊有多層膜的層疊構(gòu)造。接著，為了調(diào)節(jié)閾值電壓，利用眾所周知的離子注入法、離子摻雜法通過(guò)絕緣膜75 向多晶硅膜的整個(gè)面摻入雜質(zhì)(溝道摻雜)。作為在該溝道摻雜中使用的雜質(zhì)，例如，如果是實(shí)現(xiàn)η型TFT的情況，則只要使用 硼(B)等III族元素即可。另一方面，如果是實(shí)現(xiàn)P型TFT的情況，則只要使用磷(P)的V族 元素即可。另外，如果是處理大面積基板的情況，則優(yōu)選離子摻雜法。接著，在絕緣膜75上通過(guò)眾所周知的濺射法形成了導(dǎo)電膜后，在光刻工藝中將導(dǎo) 電膜構(gòu)圖成所希望的圖形，由此形成具有100 500nm、更優(yōu)選150 300nm膜厚的柵極電 極76。接著，在以覆蓋源極電極76的方式形成20 150nm、更優(yōu)選30 IOOnm膜厚的覆 蓋膜(省略圖示)后，以柵極電極76為掩模，通過(guò)眾所周知的離子注入法、離子摻雜法，向 多晶硅膜自匹配地?fù)饺肱?B)、磷(P)等雜質(zhì)(源極、漏極用高濃度摻雜)。作為該覆蓋膜，例如，能夠使用由眾所周知的等離子體CVD、濺射法形成的含硅(Si)的無(wú)機(jī)絕緣膜，例如，SiO2膜、SiN膜、SiNO膜。接著，經(jīng)過(guò)多晶硅膜的活性化處理，在除去多晶硅膜的溝道區(qū)域74b以外的區(qū)域 中，形成作為源極區(qū)域7 和漏極區(qū)域7 起作用的高濃度雜質(zhì)區(qū)域。作為該多晶硅膜的活性化處理，例如，既可以進(jìn)行使用退火爐等的熱處理，也可以 用受激準(zhǔn)分子激光器等進(jìn)行照射。最后，依次經(jīng)過(guò)層間絕緣膜、連通孔、金屬配線和有機(jī)膜的形成工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)圖9 表示的掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12。另外，作為層間絕緣膜，例如，能夠使用通過(guò)眾所周知的等離子體CVD法、濺射法 形成的含硅(Si)的無(wú)機(jī)絕緣膜，例如，SiO2膜、SiN膜、SiNO膜。另外，作為金屬配線的材質(zhì)，例如，能夠使用鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等低電阻金 屬、以這些低電阻金屬為主要成分的合金材料、化合物材料。進(jìn)而，作為有機(jī)膜，例如，能夠使用通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂層法形成的感光性丙烯樹(shù)脂。如以上說(shuō)明的那樣，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1，不必進(jìn)行多次使用CW固體激光器 的多晶化，就能夠優(yōu)化像素TFT11、掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13的各個(gè)特性。因此，不會(huì)導(dǎo)致用于制造構(gòu)成各TFT的多晶硅膜的制造工藝數(shù)的增加，能夠降低 液晶顯示器的制造成本。(實(shí)施方式2)下面，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2。本實(shí)施方式2是通過(guò)將上述實(shí)施方式1的像素 TFTll的柵極電極66作為上側(cè)柵極電極，將遮光膜62作為下側(cè)柵極電極，使像素TFTll成 為雙柵極TFT構(gòu)造的形態(tài)。圖10是表示在使作為下側(cè)柵極電極的遮光膜62的電位(下側(cè)電位)變化的情況 下作為上側(cè)柵極電極的柵極電極66的電位與漏極電流的關(guān)系的曲線圖。如圖10所示，由 于通過(guò)使下側(cè)電位變化，能夠使閾值電壓變化，因此能夠?qū)崿F(xiàn)閾值電壓可變的TFT。另外，由于通過(guò)使下側(cè)電位固定為規(guī)定的電位，能夠抑制由反向溝道電位的變動(dòng) 產(chǎn)生的影響，因此能夠謀求TFT特性的穩(wěn)定。(實(shí)施方式3)下面，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式3。在上述的實(shí)施方式1中，如圖4所示，小徑光束激 光53a 53d對(duì)于沉積在TFT基板51上的非晶硅膜52的掃描方向，在非晶硅膜52上的任 一位置都是同一個(gè)方向。而且，在顯示部101內(nèi)的像素TFTll中，如圖1和圖2所示，通過(guò)沿著圖中的X方 向配置溝道區(qū)域34的溝道長(zhǎng)度方向，使得構(gòu)成溝道區(qū)域34的多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與 溝道長(zhǎng)度方向垂直。同樣，在掃描驅(qū)動(dòng)器102內(nèi)的掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器103內(nèi)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng) 器TFT13中，如圖1和圖3所示，沿著圖中的Y方向配置溝道區(qū)域44的溝道長(zhǎng)度方向，由此 使得構(gòu)成溝道區(qū)域44的多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與溝道長(zhǎng)度方向水平。另一方面，本實(shí)施方式是使小徑光束激光對(duì)于沉積在TFT基板上的非晶硅膜的掃 描方向根據(jù)非晶硅膜上的位置而變化的形態(tài)。圖11是用于說(shuō)明沉積在構(gòu)成顯示面板100的TFT基板上的非晶硅膜被結(jié)晶化的 情況的說(shuō)明圖。如圖11所示，在本實(shí)施方式中，在沉積在TFT基板81上的非晶硅膜82中與掃描驅(qū)動(dòng)器102對(duì)應(yīng)的區(qū)域，沿著圖中的X方向，在圖中的箭頭Al表示的方向上用小徑 光束激光掃描。而且，由像這樣掃描的小徑光束激光形成的光帶以相鄰的光帶彼此重疊的 方式在圖中的箭頭Bl表示的方向上移動(dòng)。另外，在與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器103對(duì)應(yīng)的區(qū)域，沿著圖中的X方向，在圖中的箭頭A2表示 的方向上用小徑光束激光掃描。而且，由這樣掃描的小徑光束激光形成的光帶以相鄰的光 帶彼此重疊的方式在圖中的箭頭B2表示的方向上移動(dòng)。進(jìn)而，在與顯示部101對(duì)應(yīng)的區(qū)域，沿著圖中的Y方向，在圖中的箭頭A3表示的方 向上用小徑光束激光掃描。而且，由這樣掃描的小徑光束激光形成的光帶以相鄰的光帶彼 此重疊的方式在圖中的箭頭B3表示的方向上移動(dòng)。這種情況下，多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向在與掃描驅(qū)動(dòng)器102對(duì)應(yīng)的區(qū)域，與圖中 的箭頭Al表示的方向一致，在與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器103對(duì)應(yīng)的區(qū)域，與圖中的箭頭A2表示的方向 一致，在與顯示部101對(duì)應(yīng)的區(qū)域，與圖中的箭頭A3表示的方向一致。根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)使小徑光束激光對(duì)于沉積在TFT基板上的非晶硅膜的掃描 方向根據(jù)非晶硅膜上的位置變化，能夠使多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向在每一個(gè)區(qū)域變化。因此，在配置像素TFT11、掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT13的各溝道長(zhǎng)度方 向時(shí)，能夠提高其自由度，能夠降低設(shè)計(jì)成本。(其它的實(shí)施方式)另外，本發(fā)明不限定于上述的各實(shí)施方式，在權(quán)利要求表示的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各 種變更，關(guān)于將在不同的實(shí)施方式中分別公開(kāi)的技術(shù)性的方法適當(dāng)組合起來(lái)得到的實(shí)施方 式也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。例如，在上述的實(shí)施方式1中，將像素TFTll的構(gòu)造做成頂部柵極型TFT構(gòu)造，但 也可以是底部柵極型TFT構(gòu)造。如果實(shí)現(xiàn)底部柵極型TFT構(gòu)造，則只要將像素TFTll的遮 光膜62作為柵極電極即可。在這種情況下，不需要柵極電極66。同樣，掃描驅(qū)動(dòng)器TFT12和柵極驅(qū)動(dòng)器TFT13也可以是底部柵極型TFT構(gòu)造。在上述的實(shí)施方式1 3中，作為構(gòu)成顯示部101的TFT用像素TFTll進(jìn)行了說(shuō) 明，而該TFT也能夠在作為觸摸面板、周圍光線傳感器(ambient light sensor)等光傳感 器(檢測(cè)部)利用的光電二極管(檢測(cè)元件)中使用。在這種情況下，形成在絕緣膜上的 多晶硅具有在P型半導(dǎo)體區(qū)域與η型半導(dǎo)體區(qū)域之間配置有本征半導(dǎo)體區(qū)域的PIN構(gòu)造。 具有這種構(gòu)造的半導(dǎo)體膜能夠起到平面型的光電二極管(薄膜二極管)的作用。另外，在光電二極管的上層，從基板一側(cè)依次形成覆蓋膜、層間絕緣膜。進(jìn)而，ρ型 半導(dǎo)體區(qū)域和η型半導(dǎo)體區(qū)域經(jīng)由連通孔與配線電連接。而且，以覆蓋配線和層間絕緣膜 的方式形成無(wú)機(jī)膜。由于在多晶硅膜的下層配置用于遮擋來(lái)自基板一側(cè)的光的遮光膜，因 此光電二極管能夠僅檢測(cè)來(lái)自與基板相反一側(cè)的光。在上述實(shí)施方式1 3中，由沿著與溝道長(zhǎng)度方向垂直或者水平的方向結(jié)晶生長(zhǎng) 的多晶硅構(gòu)成半導(dǎo)體元件，但在液晶顯示裝置(顯示裝置)內(nèi)，不需要將所有的半導(dǎo)體元件 都做成該構(gòu)造。另外，在本發(fā)明中，說(shuō)明了利用在使用了 CW固體激光器的多晶化中發(fā)生的結(jié)晶生 長(zhǎng)方向的各向異性的實(shí)施方法，但即使是作為用于得到在結(jié)晶生長(zhǎng)方向中具有各向異性的 半導(dǎo)體元件的其它方法的SELAX法或者SLS法，也能夠期待同樣的效果。
如上所述，本發(fā)明中的顯示面板的特征在于，包括透明基板；配置在上述透明基 板的上部的半導(dǎo)體膜；和多個(gè)半導(dǎo)體元件，該多個(gè)半導(dǎo)體元件具有電流流動(dòng)的電流路徑，該 電流路徑用上述半導(dǎo)體膜構(gòu)成，上述半導(dǎo)體膜通過(guò)激光的照射被多晶化，具有沿著上述激 光的掃描方向的結(jié)晶生長(zhǎng)方向，上述多個(gè)半導(dǎo)體元件至少包括以上述半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生 長(zhǎng)方向與電流路徑的方向大致垂直的方式配置在上述透明基板的上部的第一半導(dǎo)體元件； 和以上述半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與電流路徑的方向大致平行的方式配置在上述透明基 板的上部的第二半導(dǎo)體元件。在上述的顯示面板中，在通過(guò)激光照射將配置在透明基板的上部的半導(dǎo)體膜多晶 化時(shí)，在沿著其激光的掃描方向的方向上進(jìn)行結(jié)晶生長(zhǎng)。而且，作為將此半導(dǎo)體膜用作電流路徑的半導(dǎo)體元件，以電流路徑的方向與其結(jié) 晶生長(zhǎng)方向大致垂直的方式在透明基板的上部配置第一半導(dǎo)體元件，另一方面，以電流路 徑的方向與其結(jié)晶生長(zhǎng)方向大致平行的方式在透明基板的上部配置第二半導(dǎo)體元件。即，通過(guò)對(duì)于具有沿著激光的掃描方向的結(jié)晶生長(zhǎng)方向的半導(dǎo)體膜如上述那樣進(jìn) 行半導(dǎo)體元件的配置，能夠?qū)崿F(xiàn)電流路徑的方向與其結(jié)晶生長(zhǎng)方向?yàn)榇笾麓怪钡牡谝话雽?dǎo) 體元件和電流路徑的方向與其結(jié)晶生長(zhǎng)方向?yàn)榇笾缕叫械牡诙雽?dǎo)體元件。因此，由于能夠?qū)崿F(xiàn)以電流路徑的方向與半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向的差異為起因 的具有相互不同特性的第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件，因此能夠降低使用了這兩個(gè)第 一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件的顯示面板的制造成本。優(yōu)選上述第一半導(dǎo)體元件是將上述半導(dǎo)體膜用作由溝道區(qū)域、源極區(qū)域和漏極區(qū) 域構(gòu)成的電流路徑的第一薄膜晶體管，上述第二半導(dǎo)體元件是將上述半導(dǎo)體膜用作由溝道 區(qū)域、源極區(qū)域和漏極區(qū)域構(gòu)成的電流路徑的第二薄膜晶體管。另外，優(yōu)選上述第一薄膜晶 體管的溝道區(qū)域的溝道長(zhǎng)度方向與上述半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向大致垂直，上述第二薄膜 晶體管的溝道區(qū)域的溝道長(zhǎng)度方向與上述半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向大致平行。這種情況下，作為第一半導(dǎo)體元件，實(shí)現(xiàn)溝道長(zhǎng)度方向與半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方 向大致垂直的第一薄膜晶體管，另一方面，作為第二半導(dǎo)體元件，實(shí)現(xiàn)溝道長(zhǎng)度方向與半導(dǎo) 體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向大致平行的第二薄膜晶體管。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有相互不同特性的2個(gè)薄膜晶體管，即，具有低泄漏電流特性的 第一薄膜晶體管和具有高遷移率特性的第二薄膜晶體管。優(yōu)選上述顯示面板還包括配置有多個(gè)像素部的顯示部；和驅(qū)動(dòng)部，所述驅(qū)動(dòng)部 具有輸出用于驅(qū)動(dòng)上述顯示部的各像素部的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路，上述顯示部具有以自身 的各像素部中一對(duì)一地對(duì)應(yīng)的方式配置并根據(jù)從上述驅(qū)動(dòng)部的驅(qū)動(dòng)電路輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào) 控制開(kāi)關(guān)狀態(tài)的多個(gè)上述第一薄膜晶體管，上述驅(qū)動(dòng)部具有構(gòu)成自身的驅(qū)動(dòng)電路的多個(gè)上
述第二薄膜晶體管。在這種情況下，由于能夠由具有低泄漏電流特性的第一薄膜晶體管構(gòu)成驅(qū)動(dòng)顯示 部的各像素部的薄膜晶體管，因此能夠抑制由顯示部顯示的圖像的畫質(zhì)惡化。進(jìn)而，由于能 夠由具有高遷移率特性的第二薄膜晶體管構(gòu)成驅(qū)動(dòng)部的驅(qū)動(dòng)電路，因此能夠高速驅(qū)動(dòng)顯示 部的各像素部。優(yōu)選上述顯示面板還包括檢測(cè)部，上述檢測(cè)部配置有檢測(cè)從上述透明基板的上述 半導(dǎo)體膜一側(cè)入射的光的多個(gè)檢測(cè)元件，上述檢測(cè)部具有構(gòu)成自身的各檢測(cè)元件的多個(gè)上
13述第一薄膜晶體管。在這種情況下，由于能夠由具有低泄漏電流特性的第一薄膜晶體管構(gòu)成檢測(cè)部的 各檢測(cè)元件，因此能夠使檢測(cè)部的光檢測(cè)精度提高。優(yōu)選上述顯示面板還包括檢測(cè)部，上述檢測(cè)部配置有檢測(cè)從上述透明基板的上述 半導(dǎo)體膜一側(cè)入射的光的多個(gè)檢測(cè)元件，上述第一半導(dǎo)體元件是由上述半導(dǎo)體膜構(gòu)成的具 有PIN構(gòu)造的薄膜二極管，上述檢測(cè)部具有構(gòu)成自身的各檢測(cè)元件的多個(gè)上述薄膜二極管。這里，所謂PIN構(gòu)造是指，將不含雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體或者雜質(zhì)濃度比ρ型半導(dǎo)體和 η型半導(dǎo)體低的半導(dǎo)體夾持在ρ型半導(dǎo)體與η型半導(dǎo)體之間的構(gòu)造。根據(jù)該P(yáng)IN構(gòu)造，能夠 將第一半導(dǎo)體元件利用為平面型的PIN光電二極管。在這種情況下，由于能夠由具有低泄漏電流特性的二極管構(gòu)成檢測(cè)部的各檢測(cè)元 件，因此能夠使檢測(cè)部的光檢測(cè)精度提高。上述半導(dǎo)體膜優(yōu)選通過(guò)CW固體激光的照射被多晶化。在這種情況下，能夠高精度地實(shí)現(xiàn)沿著激光的掃描方向的結(jié)晶生長(zhǎng)。上述半導(dǎo)體膜優(yōu)選通過(guò)上述激光的1次照射被多晶化。在這種情況下，由于激光對(duì)于半導(dǎo)體膜的照射僅限于1次，因此能夠減少半導(dǎo)體 膜的多晶化中所需要的制造工藝數(shù)，其結(jié)果，能夠更有效地降低顯示面板的制造成本。 優(yōu)選上述半導(dǎo)體膜是硅膜。在這種情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)使用了硅膜的高精度的第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元 件。本發(fā)明中的顯示裝置的特征在于，包括上述顯示面板；和控制由上述顯示面板 進(jìn)行的圖像顯示處理的控制裝置。在上述的顯示裝置中，實(shí)現(xiàn)具備上述顯示面板的顯示裝置。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠在將周邊驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置的顯示面板和使用了其顯示面板的顯示裝置 中適用。具體而言，作為顯示裝置，例如能夠在有源矩陣型的液晶顯示裝置中使用，并且除 去電泳型顯示器、扭轉(zhuǎn)球型顯示器(Twist-Ball Display)、使用了微細(xì)的棱鏡膜的反射型 顯示器、使用了數(shù)字微鏡器件等的光調(diào)制元件的顯示器以外，在作為發(fā)光元件，使用了有機(jī) EL光元件、無(wú)機(jī)EL發(fā)光元件、LED (Light Emitting Diode 發(fā)光二極管)等發(fā)光亮度可變 的元件的顯示器、場(chǎng)致發(fā)光顯示器(FED)、等離子體顯示器中也能夠利用。附圖標(biāo)記的說(shuō)明11 像素TFT (第一半導(dǎo)體元件、第一薄膜晶體管)12 掃描驅(qū)動(dòng)器TFT (第二半導(dǎo)體元件、第二薄膜晶體管)13 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT (第二半導(dǎo)體元件、第二薄膜晶體管)21 柵極配線22:源極配線31、41、66、76 柵極電極32、42:源極電極33:43 漏極電極
34、44、64b、74b 溝道區(qū)域(電流路徑)51、81:TFT 基板52,82 非晶硅膜(半導(dǎo)體膜)53a、53b、53c、53d 小徑光束激光(激光)61、71:透明基板62:遮光膜63、65、75:絕緣膜64a、74a:源極區(qū)域64c、74c:漏極區(qū)域100 顯示面板101 顯示部102:掃描驅(qū)動(dòng)器103:數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器
權(quán)利要求
1.一種顯示面板，其特征在于所述顯示面板包括透明基板；配置在所述透明基板的上部的半導(dǎo)體膜；和多個(gè)半導(dǎo) 體元件，該多個(gè)半導(dǎo)體元件具有電流流動(dòng)的電流路徑，該電流路徑由所述半導(dǎo)體膜構(gòu)成， 所述半導(dǎo)體膜通過(guò)激光的照射被多晶化，具有沿著所述激光的掃描方向的結(jié)晶生長(zhǎng)方向，所述多個(gè)半導(dǎo)體元件至少包括以所述半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與電流路徑的方向大致垂直的方式配置在所述透明 基板的上部的第一半導(dǎo)體元件；和以所述半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與電流路徑的方向大致平行的方式配置在所述透明 基板的上部的第二半導(dǎo)體元件。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于所述第一半導(dǎo)體元件是將所述半導(dǎo)體膜用作由溝道區(qū)域、源極區(qū)域和漏極區(qū)域構(gòu)成的 電流路徑的第一薄膜晶體管，所述第二半導(dǎo)體元件是將所述半導(dǎo)體膜用作由溝道區(qū)域、源極區(qū)域和漏極區(qū)域構(gòu)成的 電流路徑的第二薄膜晶體管。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于所述第一薄膜晶體管的溝道區(qū)域的溝道長(zhǎng)度方向與所述半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向大 致垂直，所述第二薄膜晶體管的溝道區(qū)域的溝道長(zhǎng)度方向與所述半導(dǎo)體膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向 大致平行。
4.如權(quán)利要求2或3所述的顯示面板，其特征在于所述顯示面板還包括配置有多個(gè)像素部的顯示部；和驅(qū)動(dòng)部，所述驅(qū)動(dòng)部具有輸出 用于驅(qū)動(dòng)所述顯示部的各像素部的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路，所述顯示部具有以與自身的各像素部一對(duì)一地對(duì)應(yīng)的方式配置并根據(jù)從所述驅(qū)動(dòng)部 的驅(qū)動(dòng)電路輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)被控制開(kāi)關(guān)狀態(tài)的多個(gè)所述第一薄膜晶體管， 所述驅(qū)動(dòng)部具有構(gòu)成自身的驅(qū)動(dòng)電路的多個(gè)所述第二薄膜晶體管。
5.如權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的顯示面板，其特征在于所述顯示面板還包括檢測(cè)部，所述檢測(cè)部配置有檢測(cè)從所述透明基板的所述半導(dǎo)體膜 一側(cè)入射的光的多個(gè)檢測(cè)元件，所述檢測(cè)部具有構(gòu)成自身的各檢測(cè)元件的多個(gè)所述第一薄膜晶體管。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于所述顯示面板還包括檢測(cè)部，所述檢測(cè)部配置有檢測(cè)從所述透明基板的所述半導(dǎo)體膜 一側(cè)入射的光的多個(gè)檢測(cè)元件，所述第一半導(dǎo)體元件是由所述半導(dǎo)體膜構(gòu)成的具有PIN構(gòu)造的薄膜二極管， 所述檢測(cè)部具有構(gòu)成自身的各檢測(cè)元件的多個(gè)所述薄膜二極管。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的顯示面板，其特征在于 所述半導(dǎo)體膜通過(guò)CW固體激光的照射被多晶化。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的顯示面板，其特征在于 所述半導(dǎo)體膜通過(guò)所述激光的1次照射被多晶化。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的顯示面板，其特征在于所述半導(dǎo)體膜是硅膜。
10. 一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的顯示面板；和控制由所述顯示面板進(jìn)行的圖像顯示處理的控制裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供不導(dǎo)致制造成本的增加就能夠優(yōu)化不同的半導(dǎo)體元件的各特性的顯示面板(100)。顯示面板(100)包括配置在顯示部(101)內(nèi)的像素TFT(11)；配置在掃描驅(qū)動(dòng)器(102)內(nèi)的掃描驅(qū)動(dòng)器TFT(12)；和配置在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(103)內(nèi)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(13)。像素TFT(11)、掃描驅(qū)動(dòng)器TFT(12)和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT(13)的多晶硅膜通過(guò)激光照射被多晶化，具有沿著激光的掃描方向的結(jié)晶生長(zhǎng)方向，像素TFT(11)被配置成多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與電流路徑的方向大致垂直，掃描驅(qū)動(dòng)器TFT(12)和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器TFT(13)被配置成多晶硅膜的結(jié)晶生長(zhǎng)方向與電流路徑的方向大致平行。
文檔編號(hào)G09F9/00GK102150273SQ20098013559
公開(kāi)日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2009年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月2日
發(fā)明者吉岡史善, 宮本忠芳, 菅勝行, 長(zhǎng)谷川里美 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社