專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及主動(dòng)有機(jī)發(fā)光技術(shù)，具體的說(shuō)是涉及一種有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置。
背景技術(shù)：
圖1為傳統(tǒng)的有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置，它包括第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第一電容C1、第二電容C2、第一發(fā)光器件D1及第二發(fā)光器件D2 ;第一晶體管T1的源極連接第一數(shù)據(jù)線(xiàn)DATA1，柵極連接第一信號(hào)掃描線(xiàn)SCAN1，漏極連接第二晶體管T2的柵極，并通過(guò)第一電容C1連接電源；第二晶體管T2的源極連接電源，漏極通過(guò)第一發(fā)光器件D1接地；第三晶體管T3的源極連接第二數(shù)據(jù)線(xiàn)DATA2，柵極連接第二信號(hào)掃描線(xiàn)SCAN2，漏極連接第四晶體管T4的柵極，并通過(guò)第二電容C2連接電源VDD;第四晶體管T4的源極連接電源VDD，漏極通過(guò)第二發(fā)光器件D2接地。 其工作原理是當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)掃描線(xiàn)SCAN1為低電平時(shí)，第一晶體管Tl導(dǎo)通，數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)過(guò)第一晶體管Tl進(jìn)入第二晶體管T2的柵極，使得第二晶體管T2進(jìn)入飽和狀態(tài)，電源VDD為第一發(fā)光器件Dl提供電壓，第一發(fā)光器件Dl發(fā)光，同時(shí)由第一晶體管Tl輸出的數(shù)據(jù)電壓對(duì)第一電容充電；當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)掃描線(xiàn)SCAN1為高電平時(shí)，第一晶體管Tl截止，但此時(shí)第一電容Cl上存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)電壓仍然保證第二晶體管T2進(jìn)入飽和狀態(tài)，第一發(fā)光器件Dl發(fā)光。同理，當(dāng)?shù)诙盘?hào)掃描線(xiàn)SCAN2為低電平時(shí)，第三晶體管T3導(dǎo)通，數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)過(guò)第三晶體管T3進(jìn)入第四晶體管T4的柵極，使得第四晶體管T4進(jìn)入飽和狀態(tài)，電源VDD為第二發(fā)光器件D2提供電壓，第二發(fā)光器件D2發(fā)光，同時(shí)由第三晶體管T3輸出的數(shù)據(jù)電壓對(duì)第二電容D2充電；當(dāng)?shù)诙盘?hào)掃描線(xiàn)SCAN2為高電平時(shí)，第三晶體管T3截止，但此時(shí)第二電容C2上存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)電壓仍然保證第四晶體管T4進(jìn)入飽和狀態(tài)，第二發(fā)光器件D2發(fā)光。傳統(tǒng)的有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，穩(wěn)定性低，且由于采用了兩根信號(hào)掃描線(xiàn)，降低了像素開(kāi)口率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)傳統(tǒng)的有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜、像素開(kāi)口率低的不足，提出一種構(gòu)造簡(jiǎn)單、像素開(kāi)口率大的有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置。 本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置，包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第一發(fā)光器件、第二發(fā)光器件、第一電容及第二電容；所述第一晶體管的源極連接第一數(shù)據(jù)線(xiàn)，柵極連接第三晶體管的柵極且連接信號(hào)掃描線(xiàn)，漏極連接第二晶體管的柵極；所述第二晶體管的源極通過(guò)第一發(fā)光器件接電源，漏極接地；所述第一電容連接在第二晶體管的柵極與地之間；所述第三晶體管的源極連接第二數(shù)據(jù)線(xiàn)，漏極連接第四晶體管的柵極；所述第四晶體管的源極連接電源，漏極通過(guò)第二發(fā)光器件接地；所述第二電容連接在第四晶體管的柵極與電源之間。
所述第一晶體管、第二晶體管均為NM0S管，第三晶體管、第四晶體管均為PM0S管。 所述第一發(fā)光器件、第二發(fā)光器件均為有機(jī)發(fā)光器件。 所述有機(jī)發(fā)光器件為0LED。 本發(fā)明的有益效果是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、穩(wěn)定性高、像素開(kāi)口率大。


圖1為傳統(tǒng)的有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置電路結(jié)構(gòu)圖； 圖2為本發(fā)明的有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。 如圖2所示，本發(fā)明中的有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置，包括第一晶體管T1、第二晶 體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第一發(fā)光器件D1、第二發(fā)光器件D2;所述第一晶 體管Tl的源極連接第一數(shù)據(jù)線(xiàn)DATA1，柵極連接第三晶體管T3的柵極且連接信號(hào)掃描線(xiàn) SCAN，漏極連接第二晶體管T2的柵極；所述第二晶體管T2的源極通過(guò)第一發(fā)光器件Dl接 電源VDD，漏極接地；所述第一電容Cl連接在第二晶體管T2的柵極與地之間；所述第三晶 體管T3的源極連接第二數(shù)據(jù)線(xiàn)DATA2，漏極連接第四晶體管T4的柵極；所述第四晶體管T4 的源極連接電源VDD，漏極通過(guò)第二發(fā)光器件D2接地；所述第二電容C2連接在第四晶體 管T4的柵極與電源VDD之間。第一晶體管Tl、第二晶體管T2采用NM0S管，第三晶體管、 第四晶體管采用PMOS管。第一發(fā)光器件D1、第二發(fā)光器件D2均可采用有機(jī)發(fā)光器件(如 0LED)。 其工作原理是當(dāng)信號(hào)掃描線(xiàn)SCAN為高電平時(shí)，第一晶體管Tl導(dǎo)通，第一數(shù)據(jù)線(xiàn) DATA1上的數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)第一晶體管Tl進(jìn)入第二晶體管T2的柵極，第二晶體管T2逐漸飽 和，驅(qū)動(dòng)電源VDD為第一發(fā)光器件Dl供電，第一發(fā)光器件Dl發(fā)光，同時(shí)，由第一晶體管Tl 輸出的數(shù)據(jù)電壓為第一電容C1充電；于此同時(shí)，第三晶體管T3處于截止?fàn)顟B(tài)，沒(méi)有數(shù)據(jù)信 號(hào)進(jìn)入第四晶體管T4，第二發(fā)光器件D2不發(fā)光。當(dāng)信號(hào)掃描線(xiàn)SCAN為低電平時(shí)，第三晶體 管T3導(dǎo)通，第二數(shù)據(jù)線(xiàn)DATA2上的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)入第四晶體管T4的柵極，第四晶體管T4逐 漸飽和，驅(qū)動(dòng)電源VDD為第二發(fā)光器件D2供電，第二發(fā)光器件D2發(fā)光，同時(shí)由第三晶體管 T3輸出的數(shù)據(jù)電壓為第二電容C2充電；于此同時(shí)，第一晶體管T1處于截止?fàn)顟B(tài)，沒(méi)有數(shù)據(jù) 信號(hào)進(jìn)入第二晶體管T2，但第一電容Cl存儲(chǔ)了數(shù)據(jù)信號(hào)，可繼續(xù)驅(qū)動(dòng)電源VDD為第一發(fā)光 器件供電。當(dāng)信號(hào)掃描線(xiàn)SCAN上的下一個(gè)電平到來(lái)時(shí)，第一晶體管T1導(dǎo)通，第一發(fā)光器件 Dl發(fā)光，第三晶體管T3截止，但第二電容C2存儲(chǔ)了數(shù)據(jù)信號(hào)，可繼續(xù)驅(qū)動(dòng)電源VDD為第二 發(fā)光器件供電，第三這樣就能實(shí)現(xiàn)雙面發(fā)光顯示，由于只采用了一根信號(hào)掃描線(xiàn)，大大提高 了像素開(kāi)口率，且簡(jiǎn)化了電路，穩(wěn)定性高。
權(quán)利要求
有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置，其特征在于包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第一發(fā)光器件、第二發(fā)光器件，第一電容及第二電容；所述第一晶體管的源極連接第一數(shù)據(jù)線(xiàn)，柵極連接第三晶體管的柵極且連接信號(hào)掃描線(xiàn)，漏極連接第二晶體管的柵極；所述第二晶體管的源極通過(guò)第一發(fā)光器件接電源，漏極接地，所述第一電容連接在第二晶體管的柵極與地之間；所述第三晶體管的源極連接第二數(shù)據(jù)線(xiàn)，漏極連接第四晶體管的柵極；所述第四晶體管的源極連接電源，漏極通過(guò)第二發(fā)光器件接地，所述第二電容連接在第四晶體管的柵極與電源之間。
2. 如權(quán)利要求l所述的有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置，其特征在于所述第一晶體管、第 二晶體管均為NM0S管，第三晶體管、第四晶體管均為PM0S管。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置，其特征在于所述第一發(fā)光 器件、第二發(fā)光器件均為有機(jī)發(fā)光器件。
4. 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置，其特征在于所述有機(jī)發(fā)光器件 為0LED。
全文摘要
本發(fā)明涉及主動(dòng)有機(jī)發(fā)光技術(shù)。本發(fā)明公開(kāi)了一種構(gòu)造簡(jiǎn)單、像素開(kāi)口率大的有機(jī)電界雙面發(fā)光標(biāo)示裝置。其技術(shù)方案的要點(diǎn)是包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第一發(fā)光器件、第二發(fā)光器件、第一電容和第二電容；第一晶體管的源極連接第一數(shù)據(jù)線(xiàn)，柵極連接第三晶體管的柵極且連接信號(hào)掃描線(xiàn)，漏極連接第二晶體管的柵極；第二晶體管的源極通過(guò)第一發(fā)光器件接電源，漏極接地；第一電容連接在第二晶體管的柵極與地之間；第三晶體管的源極連接第二數(shù)據(jù)線(xiàn)，漏極連接第四晶體管的柵極；第四晶體管的源極連接電源，漏極通過(guò)第二發(fā)光器件接地；第二電容連接在第四晶體管的柵極與電源之間。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、穩(wěn)定性高、像素開(kāi)口率大。
文檔編號(hào)G09G3/32GK101739957SQ200910311789
公開(kāi)日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2009年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月18日
發(fā)明者李金川, 金正學(xué) 申請(qǐng)人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司