專利名稱：有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光二極管顯示器，更具體地講，本發(fā)明涉及一種可視性改
善的有機發(fā)光二極管顯示器。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光二極管(0LED)顯示器具有多個有機發(fā)光二極管，每個有機發(fā)光二極管 包括空穴注入電極、有機發(fā)射層和電子注入電極。在有機發(fā)射層中電子和空穴彼此結(jié)合從 而產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變到基態(tài)時，產(chǎn)生能量，并且通過能量的方式發(fā)射光。有機 發(fā)光二極管顯示器基于該發(fā)射的光顯示圖像。 在背景技術(shù)部分中公開的上述信息只是為了加強對本發(fā)明背景的理解，因此，其 可能包含并未構(gòu)成對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說在本國內(nèi)已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面為一種具有提高可視性優(yōu)點的有機發(fā)光二極管顯示器。 本發(fā)明的另一方面為一種包括彼此面對的第一顯示面板和第二顯示面板的有機
發(fā)光二極管顯示器。第一顯示面板具有多個有機發(fā)光二極管，每個有機發(fā)光二極管具有發(fā)
射區(qū)域，并且第二顯示面板具有用于將有機發(fā)光二極管的發(fā)射區(qū)域劃分為多個子發(fā)射區(qū)域
的光吸收圖案。 光吸收圖案可以形成為條紋圖案，該條紋圖案與有機發(fā)光二極管的發(fā)射區(qū)域的縱 向方向交叉。 光吸收圖案可以形成為格子圖案以劃分有機發(fā)光二極管的發(fā)射區(qū)域。 光吸收圖案可以包含選自于二氧化鈦(Ti02)、氧化鐵、鉻(Cr)和銀(Ag)的一種或
多種材料。 光吸收圖案可以由黑色無機材料形成。 光吸收圖案可以由含有黑色顆粒的有機材料形成。 黑色顆?？梢园x自于平均直徑在lnm到300nm范圍內(nèi)的碳黑、錫和錫合金的 一種或多種材料。 光吸收圖案可以通過光刻形成。 光吸收圖案可以將有機發(fā)光二極管的發(fā)射區(qū)域劃分為四個到十個子發(fā)射區(qū)域。
光吸收圖案可以具有幾微米(ym)單位的寬度。 本發(fā)明的另一方面為一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括第一顯示面板，包括多個 有機發(fā)光二極管(OLED)，其中，對于每個OLED形成有發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域，其中，發(fā)射區(qū) 域被構(gòu)造為發(fā)光，其中，非發(fā)射區(qū)域構(gòu)造為不發(fā)射光；第二顯示面板，面對第一顯示面板，其 中，第二顯示面板包括將每個OLED的發(fā)射區(qū)域劃分為多個子發(fā)射區(qū)域的光吸收圖案。
在上面的OLED顯示器中，光吸收圖案為包括多個條紋的條紋圖案，其中，多個條 紋彼此基本地平行且與OLED的發(fā)射區(qū)域交叉。在上面的OLED顯示器中，光吸收圖案為格子圖案，其中，格子圖案包括i)多個第一條紋和ii)與多個第一條紋交叉的多個第二條紋， 其中，多個第一條紋和多個第二條紋與0LED的發(fā)射區(qū)域交叉。在上面的0LED中，光吸收圖 案包含從二氧化鈦(TiO》、氧化鐵、鉻(Cr)和銀(Ag)組成的組中選擇的一種或多種材料。 在上面的OLED顯示器中，光吸收圖案包含黑色無機材料。 在上面的OLED顯示器中，光吸收圖案包含含有黑色顆粒的有機材料。在上面的 0LED顯示器中，黑色顆粒包含平均直徑在lnm到300nm范圍內(nèi)的碳黑、錫和錫合金組成的組 選擇的一種或多種材料。在上面的OLED顯示器中，顯示器不需要單獨的抗反射構(gòu)件。在上 面的OLED顯示器中，光吸收圖案將OLED的發(fā)射區(qū)域劃分為四個到十個子發(fā)射區(qū)域。在上 面的OLED顯示器中，光吸收圖案具有幾微米(iim)的單位寬度。 本發(fā)明的另一方面為一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括彼此面對的第一基底和 第二基底；有機發(fā)光二極管(OLED)單元，被構(gòu)造為發(fā)射光，其中，OLED單元形成在第一基底 和第二基底之間；驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)，形成在兩個基底之間并且被構(gòu)造為驅(qū)動OLED單 元；光吸收圖案，形成在兩個基底之一上。 在上面的OLED顯示器中，光吸收圖案還被構(gòu)造為將OLED單元的發(fā)光區(qū)域劃分為 平行的條紋。在上面的OLED顯示器中，光吸收圖案還被構(gòu)造為將OLED單元的發(fā)光區(qū)域劃 分為多邊形的形狀。在上面的OLED顯示器中，發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域形成在OLED中，其 中，發(fā)射區(qū)域被構(gòu)造為發(fā)射光，其中，非發(fā)射區(qū)域被構(gòu)造為不發(fā)射光，其中，光吸收圖案被構(gòu) 造為將OLED的發(fā)射區(qū)域劃分為多個子發(fā)射區(qū)域。 在上面的OLED顯示器中，光吸收圖案包括多個條紋，其中，多個條紋彼此基本地 平行并且與OLED的發(fā)射區(qū)域交叉。在上面的OLED顯示器中，光吸收圖案為格子圖案，其中， 格子圖案包括i)多個第一條紋和ii)與多個第一條紋交叉的多個第二條紋，其中，多個第 一條紋和多個第二條紋與OLED的發(fā)射區(qū)域交叉。在上面的OLED顯示器中，光吸收圖案形 成在第二基底上并且不與OLED單元接觸。光吸收圖案形成在第一基底上并且不與OLED單 元接觸。 本發(fā)明的又一方面為一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括第一基底；驅(qū)動薄膜晶 體管(TFT)，形成在第一基底上方；有機發(fā)光二極管(OLED)單元，被構(gòu)造為發(fā)射光并且電連 接到驅(qū)動TFT ;第二基底，面對第一基底并且形成在OLED單元和驅(qū)動TFT上方；用于劃分 OLED單元的發(fā)射區(qū)域的器件。 在上面的OLED顯示器中，用于劃分的器件形成在第二基底上，其中，用于劃分的 器件包括條紋圖案和格子圖案的至少一種。


圖1為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的布局圖。
圖2為沿圖1的線II-II截取的有機發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。
圖3為具有光吸收圖案的第二顯示面板的透視圖。 圖4為根據(jù)本發(fā)明另一個示例性實施例的具有光吸收圖案的第二顯示面板的透 視圖。 圖5為示出作為每個像素的子發(fā)射區(qū)域的數(shù)量的函數(shù)的外部光反射率和內(nèi)部光 透射率的曲線圖。
具體實施例方式
通常，有機發(fā)光二極管顯示器具有發(fā)射特性，并且與液晶顯示器(LCD)的不同之 處在于它不需要單獨的光源，使得它具有相對減小了的厚度和重量。此外，因為有機發(fā)光二 極管顯示器具有諸如功耗低、亮度高和響應(yīng)時間短的高質(zhì)量的特性，所以它已被廣泛地認(rèn) 為是為用于便攜式電子電器的下一代顯示裝置。 有機發(fā)光二極管顯示器的空穴注入電極或電子注入電極以及其各種其他金屬布 線反射從外部入射的外部光。當(dāng)有機發(fā)光二極管顯示器用在明亮的區(qū)域中時，由于外部光 的反射，導(dǎo)致黑色表現(xiàn)和其對比不足，使得可視性劣化。 在下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的實施例，在附圖中示出了本發(fā)明的 示例性實施例。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到的，在全不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況 下，可以以各種不同方式修改描述的實施例。 此外，由于在附圖中示出的各個結(jié)構(gòu)組件的尺寸和厚度是為了說明的方便而隨意 性示出，所以本發(fā)明不必局限于此。 為了清楚地描述本發(fā)明，省略了與描述不相關(guān)的部分，在整個說明書中相同的標(biāo) 號代表相同的元件。 在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度或其一些部分的厚 度。應(yīng)該理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作"在"另一個元件"上"時，它可以直 接在另一個元件上或也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被指出"直接在"另一個元件"上" 時，不存在中間元件。 此外，雖然在附圖中示出的是具有在每個像素處有兩個薄膜晶體管(TFT)和一個
電容器的2Tr-lC即結(jié)構(gòu)的有源矩陣(AM)有機發(fā)光二極管(0LED)顯示器，但是本發(fā)明不局
限于此。有機發(fā)光二極管顯示器在每個像素處可以具有三個或更多的薄膜晶體管以及兩個
或更多的電容器，并且可以是具有單獨布線的各種結(jié)構(gòu)。像素是用于圖像顯示的最小單位，
有機發(fā)光二極管顯示器通過多個像素來顯示圖像。 現(xiàn)在將參照圖1和圖2描述本發(fā)明的示例性實施例。 如圖1和圖2中所示，有機發(fā)光二極管顯示器100包括第一顯示面板110和第二 顯示面板210。圖1為在第一顯示面板110周圍的像素結(jié)構(gòu)的布局圖。圖2為沿圖1的線 II-II截取的第一顯示面板110和第二顯示面板210的剖視圖。 第一顯示面板110包括在每個像素處在第一基底111上形成的開關(guān)薄膜晶體管 10、驅(qū)動薄膜晶體管20、電容器80和有機發(fā)光二極管70。第一顯示面板110還包括沿一個 方向布置的柵極線151、以絕緣的方式與柵極線151交叉的數(shù)據(jù)線171以及共電源線172。 這里，通過以柵極線151、數(shù)據(jù)線171和共電源線172為邊界限定像素，但是不局限于此。
有機發(fā)光二極管70包括第一電極710、形成在第一電極710上的有機發(fā)射層720 和形成在有機發(fā)射層720上的第二電極730。第一電極710為作為空穴注入電極的正(+) 電極或陽極，第二半透明電極730為作為電子注入電極的負(fù)(-)電極或陰極。然而，本發(fā)明 不必局限于此，根據(jù)有機發(fā)光二極管顯示器100的驅(qū)動方法，第一電極710可以為陰極，第 二電極730可以為陽極。空穴和電子從第一電極710和第二電極730注入到有機發(fā)射層 720中。當(dāng)作為注入的空穴和電子結(jié)合的激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變到基態(tài)時，發(fā)射光。
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此外，對于根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器，有機發(fā)光二極管 70從有機發(fā)射層720沿與第一電極710相對的方向(S卩，沿第二電極730的方向)發(fā)射光， 從而顯示圖像。即，在該實施例中，有機發(fā)光顯示器100為前發(fā)射類型。
電容器80包括第一電容器電極板158和第二電容器電極板178以及設(shè)置在兩個 電容器電極板158和178之間的柵極絕緣層140。柵極絕緣層140用作電介質(zhì)。通過在電 容器80處充有的電荷以及施加到兩個電容器電極板158和178的電壓來確定電容量。
開關(guān)薄膜晶體管IO包括開關(guān)半導(dǎo)體層131、開關(guān)柵電極152、開關(guān)源電極173和開 關(guān)漏電極174，驅(qū)動薄膜晶體管20包括驅(qū)動半導(dǎo)體層132、驅(qū)動?xùn)烹姌O155、驅(qū)動源電極176 和驅(qū)動漏電極177。 開關(guān)薄膜晶體管10用作用于選擇像素發(fā)光的開關(guān)。開關(guān)柵電極152連接到柵極 線151。開關(guān)源電極173連接到數(shù)據(jù)線171。開關(guān)漏電極174與開關(guān)源電極173隔開一定 距離，并且連接到第一電容器電極板158。 驅(qū)動薄膜晶體管20將驅(qū)動電壓施加給第一電極710，以激發(fā)在所選像素中的有機 發(fā)光二極管70的有機發(fā)射層720。驅(qū)動?xùn)烹姌O155連接到第一電容器電極板158。驅(qū)動源 電極176和第二電容器電極板178連接到共電源線172。驅(qū)動漏電極177通過接觸孔182 連接到有機發(fā)光二極管70的第一電極710。 具有上述的結(jié)構(gòu)，開關(guān)薄膜晶體管10通過施加給柵極線151的柵電壓而被驅(qū)動， 并且將施加給數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓傳輸給驅(qū)動薄膜晶體管20。具有與由共電源線172施 加給驅(qū)動薄膜晶體管20的共電壓和從開關(guān)薄膜晶體管10傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓之差對應(yīng)的值的 電壓儲存在電容器80，并且與儲存在電容器80的電壓對應(yīng)的電流通過驅(qū)動薄膜晶體管20 流到有機發(fā)光二極管70，從而激發(fā)有機發(fā)光二極管70。 此外，有機發(fā)光二極管70包括(發(fā)射光的)發(fā)射區(qū)域EA和圍繞發(fā)射區(qū)域EA的 (不發(fā)射光的)非發(fā)射區(qū)域NEA，在發(fā)射區(qū)域EA中，有機發(fā)射層720設(shè)置在第一電極710和 第二電極720之間以充分地發(fā)射光。 第二顯示面板210面對第一顯示面板110，以覆蓋薄膜晶體管10、薄膜晶體管20、 電容器80以及有機發(fā)光二極管70，并且來從外部將它們密封。雖然未在附圖中示出，但是 第一顯示面板110和第二顯示面板210通過沿著它們的邊緣設(shè)置密封劑的方式來彼此密 封。 第二顯示面板210包括第二基底211和光吸收圖案251 (用于劃分發(fā)射區(qū)域)，光 吸收圖案251形成在第二基底211的面對第一顯示面板110的表面上。在本發(fā)明的示例性 實施例中，光吸收圖案251形成在第二基底211的面對第一顯示面板110的表面上，但不局 限于此。光吸收圖案251可以形成在第二基底211的與面對第一顯示面板110的表面相對 的表面上。當(dāng)光吸收圖案251形成在第二基底211時，光吸收圖案251不與有機發(fā)光二極 管70接觸?？蛇x擇地，光吸收圖案251可以形成在第一基底111上，此時，光吸收圖案不與 有機發(fā)光二極管70接觸。 如圖3中所示，在一個實施例中，光吸收圖案251形成為條紋圖案。光吸收圖案 251可以為包括多個條紋的條紋圖案，多個條紋彼此基本地平行且與有機發(fā)光二極管70的 發(fā)射區(qū)域EA交叉。該條紋圖案化的光吸收圖案251形成為沿與有機發(fā)光二極管70的發(fā)射 區(qū)域EA的縱向方向交叉的方向。因此，光吸收圖案251將有機發(fā)光二極管70的發(fā)射區(qū)域EA劃分為多個子發(fā)射區(qū)域SEA。 如圖1中所示，光吸收圖案251將有機發(fā)光二極管70的一個發(fā)射區(qū)域EA劃分為四個子發(fā)射區(qū)域SEA。在一個實施例中，光吸收圖案251形成為使得四個子發(fā)射區(qū)域SEA設(shè)置在每個像素處。然而，本發(fā)明的示例性實施例不局限于此。根據(jù)需要，光吸收圖案251可以多樣化地將一個發(fā)射區(qū)域EA劃分為兩個或更多個子發(fā)射區(qū)域SEA。在另一個實施例中，光吸收圖案251將有機發(fā)光二極管70的一個發(fā)射區(qū)域EA劃分為四到十個子發(fā)射區(qū)域SEA。在該實施例中，在未明顯地降低從有機發(fā)光二極管發(fā)射的光的透射率的情況下，可以基本上減少或消除外部光的反射。然而，根據(jù)實施例，劃分的數(shù)量可以少于四個或多于十個。在一些實施例中，應(yīng)注意的是，如果光吸收圖案251形成三個或更少的子發(fā)射區(qū)域SEA，則提高從有機發(fā)光二極管70發(fā)射的光的透射率，但是難以有效地防止外部光的反射。還應(yīng)注意的是，如果光吸收圖案251形成十一個或更多的子發(fā)射區(qū)域SEA，則有效地防止光的反射，但是從有機發(fā)光二極管70發(fā)射的光的透射率急劇地降低。 此外，在一個實施例中，光吸收圖案251具有幾微米(ym)的單位寬度。在該實施例中，在未明顯地降低有機發(fā)光二極管顯示器的發(fā)光效率的情況下，可以基本上減少或消除外部光的反射。然而，光吸收圖案251的單位寬度可以小于幾微米(ym)或大于幾微米(ym)。在一些實施例中，應(yīng)注意的是，如果光吸收圖案251的寬度小于幾微米，則防止外部光反射的效果劣化。還應(yīng)注意的是，如果光吸收圖案251的寬度超過幾十個微米，則有機發(fā)光二極管顯示器100的發(fā)光效率劣化。 此外，光吸收圖案251可以由選自于金屬材料、無機材料和有機材料的至少一種材料形成。具體地講，光吸收圖案251可以由很好地適應(yīng)第二基底211的材料形成，或者以將第一顯示面板110和第二顯示面板210彼此密封的方式來形成。例如，如果第二基底211由玻璃形成，或如玻璃料的玻璃類材料用作用于密封第一顯示面板IIO和第二顯示面板210的密封劑(未示出)，則光吸收圖案251由能夠耐高烘燒溫度的金屬材料或黑色無機材料形成。金屬材料可以為從二氧化鈦(TiO》、氧化鐵(iron oxide)、鉻(Cr)和銀(Ag)組成的組中選擇的一種或一種以上的材料。此外，黑色無機材料可以從各種公知的無機材料中選擇。如果有機材料用作密封劑，或有機薄膜用作第二基底211，則光吸收圖案251可以由包含黑色顆粒的有機材料形成。黑色顆粒包含平均直徑在lnm到300nm范圍內(nèi)的碳黑、錫和錫合金組成的組中選擇的一種或一種以上的材料。 此外，光吸收圖案251可以通過如下的光刻形成。首先，將光吸收層涂覆到第二基底211上，并通過利用掩模的光刻在光吸收層上形成光致抗蝕劑圖案。利用光致抗蝕劑圖案蝕刻光吸收層，從而形成光吸收圖案251。 如上所述，具有第二顯示面板210的光吸收圖案251的有機發(fā)光二極管顯示器100防止由于外部光的反射造成的可視性的劣化，并且同時將從有機發(fā)光二極管70產(chǎn)生的光的損失最小化從而將光發(fā)射到外部。 現(xiàn)在將根據(jù)沉積的順序具體地描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器100的結(jié)構(gòu)。此外，將基于驅(qū)動薄膜晶體管20來描述薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。將針對開關(guān)薄膜晶體管10與驅(qū)動薄膜晶體管的不同之處簡單地描述開關(guān)薄膜晶體管10。
首先，將詳細(xì)地描述第一顯示面板110。第一基底111由絕緣材料形成，如玻璃、石英、陶瓷或塑料。然而，本發(fā)明不局限于此。第一基底構(gòu)件lll可以由金屬材料形成，如不銹鋼。 緩沖層120形成在第一基底111上。緩沖層120用于防止雜質(zhì)元素進(jìn)入并使表面平坦化，緩沖層120可以由適合于該用途的材料形成。例如，緩沖層120可以由選自于氮化硅(SiN》、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)的至少一種材料形成。然而，緩沖層120并非必需的，因此可以根據(jù)第一基底111的種類和工藝條件而省略。 驅(qū)動半導(dǎo)體層132形成在緩沖層120上。驅(qū)動半導(dǎo)體層132由多晶硅形成。驅(qū)動半導(dǎo)體層132具有不摻雜任何雜質(zhì)的溝道區(qū)域135以及形成在溝道區(qū)域135兩側(cè)上的p+摻雜源區(qū)136和p+摻雜漏區(qū)137。摻雜離子材料為p型雜質(zhì)，如硼(B)，并且可以主要由B2H6形成。雜質(zhì)根據(jù)薄膜晶體管的種類而不同。 在本發(fā)明的示例性實施例的情況下，具有利用p型雜質(zhì)的PMOS結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管用作驅(qū)動薄膜晶體管20，但是驅(qū)動薄膜晶體管20不局限于此。具有NMOS結(jié)構(gòu)或CMOS結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管也可用作驅(qū)動薄膜晶體管20。 此外，雖然圖2中示出的薄膜晶體管20為包含多晶硅的多晶薄膜晶體管，但是圖2中未示出的開關(guān)薄膜晶體管IO可以為多晶薄膜晶體管或包含非晶硅的非晶薄膜晶體管。
柵極絕緣層140利用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成在驅(qū)動半導(dǎo)體層132上。包括柵電極155的柵極布線形成在柵極絕緣層140上。此外，柵極布線包括柵極線151、第一電容器電極板158和其他布線。驅(qū)動?xùn)烹姌O155與驅(qū)動半導(dǎo)體層132的至少一部分疊置，具體地講與驅(qū)動半導(dǎo)體層132的溝道區(qū)域135疊置。 層間絕緣層160形成在柵極絕緣層140上，從而層間絕緣層160覆蓋驅(qū)動?xùn)烹姌O155。柵極絕緣層140和層間絕緣層160 —般地具有暴露驅(qū)動半導(dǎo)體層132的源區(qū)136和漏區(qū)137的通孔。層間絕緣層160和柵極絕緣層140由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。 包括驅(qū)動源電極176和驅(qū)動漏電極177的數(shù)據(jù)布線形成在層間絕緣層160上。此外，數(shù)據(jù)布線包括數(shù)據(jù)線171、共電源線172、第二電容器電極板178和其他布線。驅(qū)動源電極176和驅(qū)動漏電極177分別地通過形成在層間絕緣層160和柵極絕緣層140處的通孔連接到驅(qū)動半導(dǎo)體層132的源區(qū)136和漏區(qū)137。 這樣，驅(qū)動薄膜晶體管20由驅(qū)動半導(dǎo)體層132、驅(qū)動?xùn)烹姌O155、驅(qū)動源電極176和驅(qū)動漏電極177形成。驅(qū)動薄膜晶體管20的結(jié)構(gòu)不局限于上述的結(jié)構(gòu)，且可以用對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員可用的結(jié)構(gòu)以各種方式進(jìn)行改變。 平坦化層180形成在層間絕緣層160上，從而平坦化層180覆蓋數(shù)據(jù)布線172、176U77和178。為了提高將要形成在平坦化層180上的有機發(fā)光二極管70的發(fā)光效率，平坦化層180去除了臺階式的差異(st印ped difference)并且使表面平坦化。此外，平坦化層180具有至少部分地暴露漏電極177的接觸孔182。 平坦化層180可以由選自于丙烯酸(acrylic)樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂(polyphenylenether resin)、聚苯硫醚樹脂和苯并環(huán)丁烯(BCB)的至少一種材料形成。 此外，本發(fā)明的示例性實施例不局限于上述的結(jié)構(gòu)，可以省略平坦化層180和層間絕緣層160中的任何一個。 有機發(fā)光二極管70的第一電極710形成在平坦化層180上。S卩，有機發(fā)光二極管
9顯示器100具有分別地設(shè)置在多個像素處的多個第一電極710。多個第一電極710以一定距離彼此間隔開。第一電極710通過平坦化層180的接觸孔182連接到漏電極177。
具有暴露第一電極710的開口的像素限定層190形成在平坦化層180上。S卩，像素限定層190具有形成在各個像素處的多個開口。第一電極710設(shè)置為與像素限定層190的開口對應(yīng)。然而，第一電極710不是必需只設(shè)置在像素限定層190的開口處，而是可以設(shè)置在像素限定層190下方，從而第一電極710與像素限定層190至少部分地疊置。像素限定層190可以由如聚丙烯酸酯(polyacrylate)樹脂和聚酰亞胺樹脂的樹脂或硅基無機材料形成。 有機發(fā)射層720形成在第一電極710上，第二電極730形成在有機發(fā)射層720上。這樣，有機發(fā)光二極管70由第一電極710、有機發(fā)射層720和第二電極730形成。
有機發(fā)射層720由低分子有機材料或高分子有機材料形成。有機發(fā)射層720可以為具有發(fā)射層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的一些或全部的多層結(jié)構(gòu)。如果有機發(fā)射層720由所有的所述層形成，則空穴注入層(HIL)形成在作為陽極的第一電極710上，并且依次地覆蓋有空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。 在一個實施例中，如圖2中所示，有機發(fā)射層720只設(shè)置在像素限定層190的開口內(nèi)，但是本發(fā)明的示例性實施例不局限于此。有機發(fā)射層720可以形成在像素限定層190的開口內(nèi)的第一電極710上，或可以位于在像素限定層190和第二電極730之間。具體地講，有機發(fā)射層720的空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)以及發(fā)射層與第二電極730可以利用開口掩模形成在像素限定層190上及第一電極710上。S卩，有機發(fā)射層720的一層或多層組件可以設(shè)置在像素限定層190和第二電極730之間。 第一電極710和第二電極730可以分別由透明材料或者半透明材料或反射導(dǎo)電材料形成。根據(jù)形成第一電極710和第二電極730的材料的種類，有機發(fā)光二極管顯示器100可以為前發(fā)射類型、后發(fā)射類型或兩側(cè)發(fā)射類型。 根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器100形成為前發(fā)射類型。艮P，有機發(fā)光二極管70向第二基底210發(fā)射光從而顯示圖像。 透明半導(dǎo)體材料可以為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(ln203)。反射材料和半透明材料可以為鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或金(Au)。 第二顯示面板210面對第二電極730。第二顯示面板210的第二基底211由諸如玻璃和塑料的透明材料形成。光吸收圖案251形成在第二基底211的面對第一顯示面板110的表面上。光吸收圖案251為條紋圖案化的，并且將有機發(fā)光二極管70的發(fā)射區(qū)域EA劃分為多個子發(fā)射區(qū)域。 此外，雖然未在附圖中示出，但是密封劑可以設(shè)置為沿第一顯示面板110和第二顯示面板210的邊緣以將它們彼此密封。 在上述的結(jié)構(gòu)的情況下。有機發(fā)光二極管顯示器IOO具有提高的可視性。S卩，具有第二基底210的光吸收圖案251的有機發(fā)光二極管顯示器100防止由于外部光的反射造成的可視性的劣化。此外，由于第二基底210的光吸收圖案251，有機發(fā)光二極管顯示器100可以包括用于防止外部光反射的共偏振構(gòu)件。因此，在使用偏振構(gòu)件的情況下能夠提高有機發(fā)光二極管100的相對差的發(fā)光效率。即，能夠提高有機發(fā)光二極管顯示器100的亮度和壽命。 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一個示例性實施例的第二顯示面板210的光吸收圖案252。如圖4中所示，第二基底211的光吸收圖案252形成為格子圖案。格子圖案包括i)多個第一條紋和ii)與多個第一條紋交叉的多個第二條紋，多個第一條紋和多個第二條紋與有機發(fā)光二極管70的發(fā)射區(qū)域EA交叉。格子圖案化的光吸收圖案252可以將有機發(fā)光二極管70的發(fā)射區(qū)域EA劃分成多個子發(fā)射區(qū)域SEA。在另一個實施例中，OLED顯示器包括具有條紋圖案和格子圖案(例如，組合圖案)的光吸收圖案。在另一個實施例中，OLED顯示器包括不同于如圖4中所示的矩形或正方形的格子構(gòu)造的光吸收圖案，例如圓形、五邊形或其他的多邊形。其中，光吸收圖案252可以包括條紋圖案和格子圖案中的至少一種。在另一個實施例中，由于光吸收圖案可以用作抗反射構(gòu)件，所以O(shè)LED顯示器可以不需要單獨的抗反射構(gòu)件。 現(xiàn)在，將參照圖5描述作為每個像素的子發(fā)射區(qū)域SEA的數(shù)量的函數(shù)的外部光的反射效率和從有機發(fā)光二極管70發(fā)射的光的透射效率。 圖5為示出作為通過寬度為大約2 i！ m的光吸收圖案251劃分的子發(fā)射區(qū)域SEA的數(shù)量的函數(shù)的外部光反射率和內(nèi)部光透射率的曲線圖。內(nèi)部光透射表示從有機發(fā)光二極管70發(fā)射的光的透射。 如圖5中所示，通過光吸收圖案251劃分的子發(fā)射區(qū)域SEA的數(shù)量越多，外部光的反射率越小，并且內(nèi)部光的透射下降。 在一個實施例中，考慮到適當(dāng)防止外部光反射以及從有機發(fā)光二極管70發(fā)射的光的透射，通過光吸收圖案251劃分的子發(fā)射區(qū)域SEA的數(shù)量為四個到十個。然而，如上面所討論的，根據(jù)實施例，劃分的數(shù)量可以小于四個或大于十個。在另一個實施例中，確定通過光吸收圖案251劃分的子發(fā)射區(qū)域SEA的數(shù)量，使得外部光反射率為大約0. 45或更小，內(nèi)部光透射為大約0. 55或更大。然而，根據(jù)實施例，外部光反射率可以大于大約0. 45，內(nèi)部光透射可以小于大約O. 55。 雖然已經(jīng)結(jié)合當(dāng)前被認(rèn)為是可實施的示例性實施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明不局限于公開的實施例，而是相反，意圖覆蓋包括在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的
各種修改和等同布置。
1權(quán)利要求
一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括第一顯示面板，包括多個有機發(fā)光二極管，其中，對于每個有機發(fā)光二極管形成有發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域，所述發(fā)射區(qū)域被構(gòu)造為發(fā)射光，所述非發(fā)射區(qū)域構(gòu)造為不發(fā)射光；第二顯示面板，面對所述第一顯示面板，其中，所述第二顯示面板包括將每個有機發(fā)光二極管的發(fā)射區(qū)域劃分為多個子發(fā)射區(qū)域的光吸收圖案。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案為包括多個條 紋的條紋圖案，所述多個條紋彼此基本地平行且與所述有機發(fā)光二極管的所述發(fā)射區(qū)域交 叉。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案為格子圖案，所 述格子圖案包括i)多個第一條紋和ii)與所述多個第一條紋交叉的多個第二條紋，所述多 個第一條紋和所述多個第二條紋與所述有機發(fā)光二極管的所述發(fā)射區(qū)域交叉。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案包含從二氧化 鈦、氧化鐵、鉻和銀組成的組中選擇的一種或一種以上的材料。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案包含黑色無機 材料。
6. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案包含含有黑色 顆粒的有機材料。
7. 如權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述黑色顆粒包含平均直徑在 lnm到300nm范圍內(nèi)的碳黑、錫和錫合金組成的組中選擇的一種或一種以上的材料。
8. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述有機發(fā)光二極管顯示器不 需要單獨的抗反射構(gòu)件。
9. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案將所述有機發(fā) 光二極管的所述發(fā)射區(qū)域劃分為四個到十個子發(fā)射區(qū)域。
10. 如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案具有幾微米的單位寬度。
11. 一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括 第一基底和第二基底，彼此面對；有機發(fā)光二極管單元，被構(gòu)造為發(fā)射光，其中，所述有機發(fā)光二極管單元形成在所述第 一基底和所述第二基底之間；驅(qū)動薄膜晶體管，形成在所述兩個基底之間并且被構(gòu)造為驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管單元；光吸收圖案，形成在所述兩個基底之一上。
12. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案還被構(gòu)造為 將所述有機發(fā)光二極管單元的發(fā)光區(qū)域劃分為平行的條紋。
13. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案還被構(gòu)造為 將所述有機發(fā)光二極管單元的發(fā)光區(qū)域劃分為多邊形的形狀。
14. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域形成 在所述有機發(fā)光二極管單元中，所述發(fā)射區(qū)域被構(gòu)造為發(fā)射光，所述非發(fā)射區(qū)域被構(gòu)造為 不發(fā)射光，所述光吸收圖案被構(gòu)造為將所述有機發(fā)光二極管單元的所述發(fā)射區(qū)域劃分為多個子發(fā)射區(qū)域。
15. 如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案包括多個條 紋，所述多個條紋彼此基本地平行并且與所述有機發(fā)光二極管單元的發(fā)射區(qū)域交叉。
16. 如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案為格子圖案， 所述格子圖案包括i)多個第一條紋和ii)與所述多個第一條紋交叉的多個第二條紋，所述 多個第一條紋和所述多個第二條紋與所述有機發(fā)光二極管單元的發(fā)射區(qū)域交叉。
17. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案形成在所述 第二基底上并且不與所述有機發(fā)光二極管單元接觸。
18. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述光吸收圖案形成在所述 第一基底上并且不與所述有機發(fā)光二極管單元接觸。
19. 一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括 第一基底；驅(qū)動薄膜晶體管，形成在所述第一基底上方；有機發(fā)光二極管單元，被構(gòu)造為發(fā)射光并且電連接到所述驅(qū)動薄膜晶體管； 第二基底，面對所述第一基底并且形成在所述有機發(fā)光二極管單元和所述驅(qū)動薄膜晶 體管上方；用于劃分所述有機發(fā)光二極管單元的發(fā)射區(qū)域的器件。
20. 如權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述用于劃分的器件形成在 所述第二基底上，所述用于劃分的器件包括條紋圖案和格子圖案中的至少一種。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。在一個實施例中，OLED顯示器包括i)第一顯示面板，包括多個有機發(fā)光二極管(OLED)，其中，對于每個OLED形成有發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域，發(fā)射區(qū)域被構(gòu)造為發(fā)射光，非發(fā)射區(qū)域被構(gòu)造為不發(fā)射光；ii)第二顯示面板，面對第一顯示面板，其中，第二顯示面板包括將每個OLED的發(fā)射區(qū)域劃分為多個子發(fā)射區(qū)域的光吸收圖案。
文檔編號G09F9/33GK101751832SQ20091025802
公開日2010年6月23日 申請日期2009年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月10日
發(fā)明者丁喜星, 樸順龍, 李柱華, 田熙喆, 鄭又碩, 鄭哲宇, 郭魯敏, 金恩雅 申請人:三星移動顯示器株式會社