專利名稱：像素電路、主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器及驅動方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種有機發(fā)光二極管顯示技術領域，且特別是有關于一種像素電路、主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器以及驅動方法。
背景技術：
主動式矩陣有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示
器的像素一般以晶體管搭配儲存電容來儲存電荷，以控制有機發(fā)光二極管的亮度表現。請參見圖1，其為傳統(tǒng)像素電路的示意圖。像素電路200包括P型驅動晶體管202、 N型開關晶體管204、儲存電容Cst以及有機發(fā)光二極管210。驅動晶體管202的源極S電性耦接至電源電壓OVDD;開關晶體管204的柵極G因電性耦接關系而接收掃描信號SCAN,漏極D因電性耦接關系而接收數據電壓Vdata，源極S電性耦接至驅動晶體管202的柵極；儲存電容Cst的兩端跨接于驅動晶體管202的柵極G與源極S的間，其電容跨壓標示為Vsg;有機發(fā)光二極管210的陽極電性耦接至驅動晶體管202的漏極D，陰極電性耦接至另一電源電壓OVSS。前述像素結構通過電容跨壓V,g控制流過驅動晶體管202的電流大小，即流過有機發(fā)光二極管210的像素電流I。led=K*(Vsg-VTH)2;其中，K為常數，Vsg的大小相關于電源電壓OVDD及數據電壓Vdata的大小，VTH為驅動晶體管202的臨界電壓。
由于主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器上的電源電壓OVDD于每個像素間都相連接在一起，當驅動有機發(fā)光二極管210發(fā)亮時，電源電壓OVDD金屬在線會有電流流過，而由于本身OVDD金屬在線具有阻抗，所以會有電源電壓降(IR-drop)存在，使得每一顆像素的電源電壓OVDD會有差異，造成像素與像素之間會有像素電流1。,ed差異，流過OLED的電流不同其所產生的亮度就會不同，造成面板顯示不均勻。另外，由于制造工藝的影響，每一個像素的驅動晶體管202的臨界電壓Vth均不相同，導致即使給予相同的數據電壓Vdata，其所產生的像素電流仍然會有差異，造成面板顯示不均勻。此外，有機發(fā)光二極管210隨著使用時間增加會產生材料衰減問題以致于有
機發(fā)光二極管210的跨壓上升，如此便會造成像素電流I。,ed下降，進而導致
面板的整體顯示亮度下降。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的的一就是在提供一種像素電路，以改善面板顯示不均勻的問題以及有機發(fā)光二極管的材料衰減問題。
本發(fā)明的再一目的是提供一種主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器，以改善面板顯示不均勻的問題以及有機發(fā)光二極管的材料衰減問題。
本發(fā)明的又一目的是提供一種像素電路的驅動方法，以改善面板顯示不均勻的問題以及有機發(fā)光二極管的材料衰減問題。
本發(fā)明一實施例提出的一種像素電路，其包括有機發(fā)光二極管、儲存電容、驅動晶體管、第一開關晶體管、第二開關晶體管、第三開關晶體管以及第四開關晶體管。其中，儲存電容包括第一端及第二端；驅動晶體管用以驅動有機發(fā)光二極管發(fā)亮，其第一源/漏極電性耦接至儲存電容的第一端，第二源/漏極電性耦接至有機發(fā)光二極管；第一開關晶體管的柵極因電性耦接關系而接收掃描信號，其第一源/漏極電性耦接至預設電壓，第二源/漏極電性耦接至儲存電容的第一端；第二開關晶體管的柵極因電性耦接關系而接收前述掃描信號，其第一源/漏極電性耦接至儲存電容的第二端，第二源/漏極電性耦接至驅動晶體管的柵極；第三開關晶體管的柵極因電性耦接關系而接收前述掃描信號，其第一源/漏極電性耦接至驅動晶體管的第二源/漏極，第二源/漏極電性耦接至驅動晶體管的柵極；第四開關晶體管的柵極因電性耦接關而接收前述掃描信號，其的第一源/漏極電性耦接至儲存電容的第二端，第二源/漏極因電性耦接關系而接收數據電壓。
在本發(fā)明的一實施例中，前述的第一開關晶體管及第二開關晶體管的導通/截止狀態(tài)與第三開關晶體管及第四開關晶體管的導通/截止狀態(tài)相反。進一步地，第一開關晶體管及第二開關晶體管可為P型晶體管，第三開關晶體管及第四開關晶體管可為N型晶體管。
本發(fā)明再一實施例提出的一種主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器，其包括數據驅動電路、掃描驅動電路以及至少一像素。其中，像素包括有機發(fā)光二極管、儲存電容、驅動晶體管、第一開關晶體管、第二開關晶體管、第三開關晶體管及第四開關晶體管。儲存電容包括第一端及第二端；驅動晶體管用以驅動有機發(fā)光二極管發(fā)亮，其第一源/漏極電性耦接至儲存電容的第一端，第二源/漏極電性耦接至有機發(fā)光二極管；第一開關晶體管的柵極透過掃描線電性耦接至掃描驅動電路，第一源/漏極電性耦接至預設電壓，第二源/漏極電性耦接至儲存電容的第一端；第二開關晶體管的柵極透過前述掃描線電性耦接至掃描驅動電路，第一源/漏極電性耦接至儲存電容的第二端，第二源/漏極電性耦接至驅動晶體管的柵極；第三開關晶體管的柵極透過前述掃描線電性耦接至掃描驅動電路，第一源/漏極電性耦接至驅動晶體管的第二源/漏極，第二源/漏極電性耦接至驅動晶體管的柵極；第四開關晶體管的柵極透過前述掃描線電性耦接至掃描驅動電路，第一源/漏極電性耦接至儲存電容的第二端，第二源/漏極透過數據線電性耦接至數據驅動電路。再者，第一開關晶體管及第二開關晶體管的柵極開啟電壓與第三開關晶體管及第四開關晶體管的柵極開啟電壓互為反相。進一步地，第一幵關晶體管及第二開關晶體管可為P型晶體管，第三開關晶體管及第四開關晶體管可為N型晶體管。
本發(fā)明又一實施例提出一種像素電路的驅動方法，此像素電路包括有機發(fā)光二極管、儲存電容及驅動晶體管；驅動晶體管用以驅動有機發(fā)光二極管發(fā)亮，其第一源/漏極電性耦接至儲存電容的第一端，第二源/漏極電性耦接至有機發(fā)光二極管。其中，驅動方法包括步驟提供預設電壓至儲存電容的第一端，并使儲存電容的第二端與驅動晶體管的柵極相通；提供數據電壓至儲存電容的第二端，并使儲存電容的第一端透過驅動晶體管及有機發(fā)光二極管放電至有機發(fā)光二極管的導通電流幾乎為零為止，以使儲存電容存有一電
荷量；以及再提供預設電壓至儲存電容的第一端以及使儲存電容的第二端與驅動晶體管的柵極相通，以致于驅動晶體管根據儲存電容上的電荷量產生像素電流驅動有機發(fā)光二極管發(fā)亮。
在本發(fā)明的一實施例中，當像素更包括第一開關晶體管及第二開關晶體管，且第一開關晶體管的第一源/漏極電性耦接至預設電壓，第一開關晶體管的第二源/漏極電性耦接至儲存電容的第一端，第二開關晶體管的第一源/漏極電性耦接至儲存電容的第二端，第二開關晶體管的第二源/漏極電性耦接至驅動晶體管的柵極時，前述提供預設電壓至儲存電容的第一端，并使儲存電
容的第二端與驅動晶體管的柵極相通的步驟包括導通第一開關晶體管及第二開關晶體管。
在本發(fā)明的一實施例中，當像素更包括第三開關晶體管及第四開關晶體管，且第三開關晶體管的第一源/漏極電性耦接至驅動晶體管的第二源/漏極，第三開關晶體管的第二源/漏極電性耦接至驅動晶體管的柵極，第四開關晶體管的第一源/漏極電性耦接至儲存電容的第二端，第四開關晶體管的第二源/漏極電性耦接至數據電壓時，前述提供數據電壓至儲存電容的第二端，并使儲存電容的第一端透過驅動晶體管及有機發(fā)光二極管放電至有機發(fā)光二極管的導通電流幾乎為零為止，以使儲存電容存有電荷量的步驟包括截止第一開關晶體管及第二開關晶體管，并導通第三開關晶體管及第四開關晶體管。進一步地，前述提供預設電壓至儲存電容的第一端，并使儲存電容的第二端與驅動晶體管的柵極相通的步驟更可包括截止第三開關晶體管及第四開關晶體管。
在本發(fā)明的一實施例中，前述的第一開關晶體管、第二開關晶體管、第三開關晶體管及第四開關晶體管的導通/截止狀態(tài)由同一控制信號決定。
在本發(fā)明的一實施例中，前述再提供預設電壓至儲存電容的第一端以及使儲存電容的第二端與驅動晶體管的柵極相通，以致于驅動晶體管根據儲存
10電容上的電荷量產生像素電流驅動有機發(fā)光二極管的步驟包括導通第一開 關晶體管及第二開關晶體管，并截止第三開關晶體管及第四開關晶體管。
本發(fā)明實施例通過對像素的電路結構進行設計，可使得流過有機發(fā)光二 極管的像素電流的大小相關于數據電壓及有機發(fā)光二極管的跨壓，而與預設 電壓及驅動晶體管的臨界電壓無關。因此，本發(fā)明實施例提出的像素電路、 主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器以及像素電路的驅動方法可有效改善面板 顯示不均勻的問題以及有機發(fā)光二極管的材料衰減問題，以提供高質量的顯 示畫面，進而達成本發(fā)明的目的。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較 佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖l繪示出傳統(tǒng)像素電路的示意圖。
圖2繪示出相關于本發(fā)明實施例的主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器。 圖3繪示出相關于本發(fā)明實施例的像素電路的驅動方法的時序圖。 附圖標號
200:像素電路
202: P型驅動晶體管
204: N型開關晶體管
210:有機發(fā)光二極管
Cst:儲存電容
G:柵極
D:漏極
S:源極
Vsg:電容跨壓
SCAN:掃描信號
Vdata:數據電壓1。led:像素電流
OVDD、 OVSS:電源電壓
100:主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器
102:數據驅動電路
103:數據線
104:掃描驅動電路
105:掃描線
110:有機發(fā)光二極管
Ml:驅動晶體管
M2 M5:開關晶體管
vslgl:電容跨壓
G1 G5:柵極 D1 D5:漏極
S1 S5:源極
Sh第一階段
S2:第二階段 S3:第三階段 L:低電壓位準 H:高電壓位準
具體實施例方式
參見圖2，其繪示出相關于本發(fā)明實施例的一種主動式矩陣有機發(fā)光二 極管顯示器。主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器100包括數據驅動電路102、 掃描驅動電路104以及多個像素電路P，圖2中僅示出一個像素電路P作為 舉例，但并非用來限制本發(fā)明。如圖2所示，數據驅動電路102用以提供數 據電壓Vdata，掃描驅動電路104用以提供掃描信號SCAN;像素電路P包 括儲存電容Cst、驅動晶體管M1、開關晶體管M2 M5以及有機發(fā)光二極管110。驅動晶體管M1用以驅動有機發(fā)光二極管110發(fā)亮，驅動晶體管M1的 源極S1電性耦接至儲存電容Cst的A端，驅動晶體管M1的漏極D1電性耦 接至有機發(fā)光二極管110的陽極，而有機發(fā)光二極管110的陰極電性耦接至 電源電壓OVSS。開關晶體管M2的柵極G2電性耦接至掃描線105 (圖2中 僅示出一個作為舉例，但并非用來限制本發(fā)明)以透過掃描線105從掃描驅 動電路104接收掃描信號SCAN,開關晶體管M2的源極S2電性耦接至另一 電源電壓OVDD，開關晶體管M2的漏極D2電性耦接至儲存電容Cst的A 端。開關晶體管M3的柵極G3電性耦接至掃描線105以透過掃描線105從 掃描驅動電路104接收掃描信號SCAN,開關晶體管M3的源極S3電性耦接 至儲存電容Cst的B端，開關晶體管M3的漏極D3電性耦接至驅動晶體管 Ml的柵極Gl。開關晶體管M4的柵極G4電性耦接至掃描線105以透過掃 描線105從掃描驅動電路104接收掃描信號SCAN，開關晶體管M4的源極 S4電性耦接至驅動晶體管M1的漏極D1，開關晶體管M4的漏極D4電性耦 接至驅動晶體管M1的柵極G1。開關晶體管M5的柵極G5電性耦接至掃描 線105以透過掃描線105從掃描驅動電路104接收掃描信號SCAN，開關晶 體管M5的源極S5電性耦接至儲存電容的B端，開關晶體管M5的漏極D5 電性耦接至數據線103 (圖2中僅示出一個作為舉例，但并非用來限制本發(fā) 明)以透過數據線103從數據驅動電路102接收數據電壓Vdata。此外，開 關晶體管M2及M3的柵極開啟電壓(Gate-On Voltage)與開關晶體管M4 及M5的柵極開啟電壓互為反相，例如開關晶體管M2及M3為P型晶體管， 而開關晶體管M4及M5為N型晶體管；相應地，開關晶體管M2及M3的 導通/截止狀態(tài)與開關晶體管M4及M5的導通/截止狀態(tài)相反。
下面將結合圖2及圖3詳細描述主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器100 的像素電路的驅動方法，其中圖3繪示出相關于本發(fā)明實施例的像素P的驅 動方法的時序圖，從圖3中可以得知，驅動像素P的過程包括第一階段S1、 第二階段S2及第三階段S3。具體地，于像素P的驅動方法的第一階段S1，掃描驅動電路104提供的
掃描信號SCAN為低電壓位準L，使得開關晶體管M2及M3導通且開關晶 體管M4及M5處于截止狀態(tài)。如此一來，電源電壓OVDD便透過導通的開 關晶體管M2使儲存電容Cst的A端的電壓位準為OVDD，儲存電容Cst的 A端因開關晶體管M3導通而與驅動晶體管Ml的柵極Gl相通。
接著于第二階段S2，掃描驅動電路104提供的掃描信號SCAN的電壓位 準轉變?yōu)槭归_關晶體管M2及M3截止的高電壓位準H，此時開關晶體管M4 及M5導通。如此，儲存電容Cst的A端便透過驅動晶體管Ml的源-漏極Sl-Dl 與有機發(fā)光二極管110對電源電壓OVSS放電，直到有機發(fā)光二極管的導通 電流幾乎為零為止，此時有機發(fā)光二極管110的陽極具有一電壓位準V。^(亦 即，有機發(fā)光二極管110的跨壓與電源電壓OVSS的和)，使得儲存電容Cst 的A端的電壓位準為(V。led+VTH);其中VTH為驅動晶體管M1的臨界電壓。 此電壓位準V。,ed會隨著有機發(fā)光二極管210的材料衰減特性而變動，即有機 發(fā)光二極管110操作時間越久，其電壓位準V。kd會越高。再回到電路上來看， 此時數據驅動電路102提供的數據電壓Vdata透過導通的開關晶體管M5使 儲存電容Cst的B端的電壓位準為Vdata，以致于儲存電容Cst上存儲有電荷 量(V。led+VTH-Vdata)。
然后于第三階段S3，掃描驅動電路104提供的掃描信號SCAN的電壓位 準轉變?yōu)槭归_關晶體管M2及M3導通的低電壓位準L，此時開關晶體管M4 及M5截止。如此一來，驅動晶體管Ml便能根據此時儲存電容Cst上的電 荷量(即電容跨壓Vs,g。產生像素電流I。^驅動有機發(fā)光二極管110產生對 應的亮度。此時，儲存電容Cst的B端因開關晶體管M3導通而與驅動晶體 管Ml的柵極Gl相通，電源電壓OVDD再次透過導通的開關晶體管M2提 供至儲存電容Cst的A端使得儲存電容Cst的A端的電壓位準改變?yōu)镺VDD, 且因電容兩端電壓連續(xù)的特性，儲存電容Cst的B端的電壓位準亦隨的增加 電壓AV。此電壓AV等于A端的電壓位準從(V。led+VTH)改變至OVDD的
14變化量，即AVOVDD-V。,ed-V丁H。故，儲存電容Cst的B端的電壓位準最終 會改變?yōu)?Vdata+AV)，艮卩(Vdata+OVDD-Voled-VTH)。
承上述，流過有機發(fā)光二極管110的像素電流1。^= K*(Vslgl-VTH)2，柵 極G1的電壓位準即為B端的電壓位準(Vdata+OVDD-V。led-VTH)，而源極 Sl的電壓位準即為A端的電壓位準OVDD，故像素電流
I0ied= K*[ (OVDD-Vdata-OVDD+Voled+VTH)- VTH]2
=K*(V。led-Vdata)2。至此可以得知，于第三階段S3 (亦即顯示階段)中， 流過有機發(fā)光二極管110的像素電流I。,ed的大小僅與電壓位準V。w及數據電 壓Vdata有關，而與臨界電壓Vra及電源電壓OVDD無關；且當有機發(fā)光二
極管110的陽極上的電壓準位V。,ed因有機發(fā)光二極管110操作時間增加而上
升時，會提高像素電流I。w以補償當有機發(fā)光二極管110的亮度下降情況。 如此一來，有機發(fā)光二極管的材料衰減問題以及因電源電壓降(IR-drop)影 響及制造工藝對驅動晶體管Ml的臨界電壓的影響而造成的面板顯示不均勻 的問題可以得到有效改善，從而使得主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器100 長時間使用下仍能保持較佳的顯示質量。
綜上所述，本發(fā)明實施例通過對像素的電路結構進行設計，可使得流過 有機發(fā)光二極管的像素電流的大小相關于數據電壓及有機發(fā)光二極管的跨 壓，而與預設電壓及驅動晶體管的臨界電壓無關。因此，本發(fā)明實施例提出 的像素電路、主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器以及像素電路的驅動方法可 有效改善面板顯示不均勻的問題以及有機發(fā)光二極管的材料衰減問題，以提 供高質量的顯示畫面，進而達成本發(fā)明的目的。
此外，任何熟悉此技術者還可對本發(fā)明上述實施例提出的主動式矩陣發(fā) 光二極管顯示器及像素電路的驅動方法作適當變更，例如適當變更像素電路 的電路結構、主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器的像素數量、各個晶體管的 種類(P型或N型)、將各個晶體管的源極與漏極的電連接關系互換等等。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾， 因此本發(fā)明的保護范圍當視權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種像素電路，其特征在于，所述的像素電路包括一有機發(fā)光二極管；一儲存電容，包括一第一端及一第二端；一驅動晶體管，用以驅動所述的有機發(fā)光二極管發(fā)亮，所述的驅動晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的儲存電容的所述的第一端，所述的驅動晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的有機發(fā)光二極管；一第一開關晶體管，所述的第一開關晶體管的柵極因電性耦接關系而接收一掃描信號，所述的第一開關晶體管的第一源/漏極電性耦接至一預設電壓，所述的第一開關晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的儲存電容的所述的第一端；一第二開關晶體管，所述的第二開關晶體管的柵極因電性耦接關系而接收所述的掃描信號，所述的第二開關晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的儲存電容的所述的第二端，所述的第二開關晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的驅動晶體管的柵極；一第三開關晶體管，所述的第三開關晶體管的柵極因電性耦接關系而接收所述的掃描信號，所述的第三開關晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的驅動晶體管的所述的第二源/漏極，所述的第三開關晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的驅動晶體管的所述的柵極；以及一第四開關晶體管，所述的第四開關晶體管的柵極因電性耦接關系而接收所述的掃描信號，所述的第四開關晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的儲存電容的所述的第二端，所述的第四開關晶體管的第二源/漏極因電性耦接關系而接收一數據電壓。
2.如權利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述的第一開關晶體管 及所述的第二開關晶體管的導通/截止狀態(tài)與所述的第三開關晶體管及所述的第四開關晶體管的導通/截止狀態(tài)相反。
3. 如權利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述的第一開關晶體管及所述的第二開關晶體管為p型晶體管，所述的第三開關晶體管及所述的第四開關晶體管為N型晶體管。
4. 一種主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，所述的顯示器 包括一數據驅動電路； 一掃描驅動電路；以及 至少一像素，包括 一有機發(fā)光二極管；一儲存電容，包括一第一端及一第二端；一驅動晶體管，用以驅動所述的有機發(fā)光二極管發(fā)亮，所述的驅動晶體 管的第一源/漏極電性耦接至所述的儲存電容的所述的第一端，所述的驅動晶 體管的第二源/漏極電性耦接至所述的有機發(fā)光二極管；一第一開關晶體管，所述的第一開關晶體管的柵極透過一掃描線電性耦 接至所述的掃描驅動電路，所述的第一開關晶體管的第一源/漏極電性耦接至 一預設電壓，所述的第一開關晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的儲存電 容的所述的第一端；一第二開關晶體管，所述的第二開關晶體管的柵極透過所述的掃描線電 性耦接至所述的掃描驅動電路，所述的第二開關晶體管的第一源/漏極電性耦 接至所述的儲存電容的所述的第二端，所述的第二開關晶體管的第二源/漏極 電性耦接至所述的驅動晶體管的柵極；一第三開關晶體管，所述的第三開關晶體管的柵極透過所述的掃描線電 性耦接至所述的掃描驅動電路，所述的第三開關晶體管的第一源/漏極電性耦 接至所述的驅動晶體管的所述的第二源/漏極，所述的第三開關晶體管的第二 源/漏極電性耦接至所述的驅動晶體管的所述的柵極；以及一第四開關晶體管，所述的第四開關晶體管的柵極透過所述的掃描線電 性耦接至所述的掃描驅動電路，所述的第四開關晶體管的第一源/漏極電性耦 接至所述的儲存電容的所述的第二端，所述的第四開關晶體管的第二源/漏極 透過一數據線電性耦接至所述的數據驅動電路；其中，所述的第一開關晶體管及所述的第二開關晶體管的柵極開啟電壓 與所述的第三開關晶體管及所述的第四開關晶體管的柵極開啟電壓互為反 相。
5. 如權利要求4所述的主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器，其特征在于， 所述的第一開關晶體管及所述的第二開關晶體管為P型晶體管，所述的第三 開關晶體管及所述的第四開關晶體管為N型晶體管。
6. —種像素電路的驅動方法，所述的像素電路包括一有機發(fā)光二極管、 一儲存電容及一驅動晶體管，所述的驅動晶體管用以驅動所述的有機發(fā)光二 極管發(fā)亮，所述的驅動晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的儲存電容的一 第一端，所述的驅動晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的有機發(fā)光二極 管；所述的驅動方法包括步驟 提供一預設電壓至所述的儲存電容的所述的第一端，并使所述的儲存電 容的一第二端與所述的驅動晶體管的柵極相通；提供一數據電壓至所述的儲存電容的所述的第二端，并使所述的儲存電 容的所述的第一端透過所述的驅動晶體管及所述的有機發(fā)光二極管放電至所 述的有機發(fā)光二極管的導通電流幾乎為零為止，以使所述的儲存電容存有一 電荷量；以及再提供所述的預設電壓至所述的儲存電容的所述的第一端以及使所述的 儲存電容的所述的第二端與所述的驅動晶體管的所述的柵極相通，以致于所 述的驅動晶體管根據所述的儲存電容的所述的電荷量產生一像素電流驅動所 述的有機發(fā)光二極管發(fā)亮。
7. 如權利要求6所述的驅動方法，其特征在于，當所述的像素更包括一第一開關晶體管及一第二開關晶體管，且所述的第一開關晶體管的第一源/ 漏極電性耦接至所述的預設電壓，所述的第一開關晶體管的第二源/漏極電性 耦接至所述的儲存電容的所述的第一端，所述的第二開關晶體管的第一源/ 漏極電性耦接至所述的儲存電容的所述的第二端，所述的第二開關晶體管的 第二源/漏極電性耦接至所述的驅動晶體管的所述的柵極時，前述提供所述的 預設電壓至所述的儲存電容的所述的第一端，并使所述的儲存電容的所述的 第二端與所述的驅動晶體管的柵極相通的步驟包括導通所述的第一開關晶體管及所述的第二開關晶體管。
8. 如權利要求7所述的驅動方法，其特征在于，當所述的像素更包括一 第三開關晶體管及一第四開關晶體管，且所述的第三開關晶體管的第一源/ 漏極電性耦接至所述的驅動晶體管的所述的第二源/漏極，所述的第三開關晶 體管的第二源/漏極電性耦接至所述的驅動晶體管的所述的柵極，所述的第四 開關晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的儲存電容的所述的第二端，所述 的第四開關晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的數據電壓時，前述提供所 述的數據電壓至所述的儲存電容的所述的第二端，并使所述的儲存電容的所 述的第一端透過所述的驅動晶體管及所述的有機發(fā)光二極管放電至所述的有 機發(fā)光二極管的導通電流幾乎為零為止，以使所述的儲存電容存有所述的電 荷量的步驟包括截止所述的第一開關晶體管及所述的第二開關晶體管，并導通所述的第 三開關晶體管及所述的第四開關晶體管。
9. 如權利要求8所述的驅動方法，其特征在于，提供所述的預設電壓至 所述的儲存電容的所述的第一端，并使所述的儲存電容的所述的第二端與所 述的驅動晶體管的柵極相通的步驟更包括-截止所述的第三開關晶體管及所述的第四開關晶體管。
10. 如權利要求8所述的驅動方法，其特征在于，所述的第一開關晶體管、所述的第二開關晶體管、所述的第三開關晶體管及所述的第四開關晶體管的導通/截止狀態(tài)由同一控制信號決定。
11.如權利要求8所述的驅動方法，其特征在于，再提供所述的預設電壓 至所述的儲存電容的所述的第一端以及使所述的儲存電容的所述的第二端與 所述的驅動晶體管的所述的柵極相通，以致于所述的驅動晶體管根據所述的 儲存電容的所述的電荷量產生所述的像素電流驅動所述的有機發(fā)光二極管發(fā) 亮的步驟包括導通所述的第一開關晶體管及所述的第二開關晶體管，并截止所述的第 三開關晶體管及所述的第四開關晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素電路、主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器及驅動方法，像素電路包括有機發(fā)光二極管、儲存電容、驅動晶體管以及第一至第四開關晶體管。其中，驅動晶體管用以根據儲存電容上存有的電荷量產生像素電流以驅動有機發(fā)光二極管產生對應的亮度；第一至第四開關晶體管的導通/截止狀態(tài)由同一掃描信號控制，且通過第一至第四開關晶體管的電性耦接關系使得流過有機發(fā)光二極管的像素電流與電源電壓及驅動晶體管的臨界電壓無關且可隨著有機發(fā)光二極管長時間操作其跨壓上升而提高。本發(fā)明還提供采用前述像素電路的主動式矩陣有機發(fā)光二極管顯示器以及像素電路的驅動方法。
文檔編號G09G3/32GK101656043SQ200910161929
公開日2010年2月24日 申請日期2009年9月1日 優(yōu)先權日2009年9月1日
發(fā)明者吳元均, 蔡宗廷 申請人:友達光電股份有限公司