專利名稱：雙向掃描的移位緩存器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于移位緩存器，尤其關(guān)于一種具有雙向掃描功能的移位緩存器。
背景技術(shù)：
一液晶顯示器(Liquid Crystal display, LCD)含有由液晶單元形成的 LCD面板以及與液晶單元對(duì)應(yīng)的像素組件。這些像素組件大體上以矩陣形式來(lái) 排列，其中柵極線沿列方向排列，數(shù)據(jù)線則沿行方向排列。LCD面板由驅(qū)動(dòng)電 路驅(qū)動(dòng)，此驅(qū)動(dòng)電路含有柵極驅(qū)動(dòng)器以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生多個(gè)柵 極信號(hào)(掃描信號(hào))，這些柵極信號(hào)依序供應(yīng)至柵極線來(lái)逐列開(kāi)啟像素組件。數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生多個(gè)依序取樣圖像信號(hào)的源極信號(hào)(數(shù)據(jù)信號(hào))。當(dāng)柵極信號(hào)供應(yīng) 至柵極線時(shí)，這些源極信號(hào)同時(shí)供應(yīng)至數(shù)據(jù)線，校準(zhǔn)LCD面板上的液晶單元狀 態(tài)，以控制光線的透射程度，藉此在LCD上顯示一圖像。
在這種驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)，通常在柵極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)使用一雙向移位緩存器來(lái)產(chǎn)生 多個(gè)柵極信號(hào)，以便依序驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O線，來(lái)產(chǎn)生正相或反相顯示圖像。 一般而言， 在雙向移位緩存器內(nèi)，采用多個(gè)2對(duì)2雙向控制電路來(lái)控制多個(gè)柵極信號(hào)的掃 描方向，正向或逆向。
圖6為現(xiàn)有技術(shù)的雙向移位緩存器600，其中移位緩存器600的移位緩 存單元610、 620和630通過(guò)三個(gè)2對(duì)2雙向控制電路615、 625和635串聯(lián)。 每一緩存器的各移位緩存單元含有至少兩輸入端Kl和K2以及一輸出端o。圖 7內(nèi)顯示的2對(duì)2雙向控制電路具有輸入端P和N，以及輸出端D1和D2，并 且可由控制信號(hào)Bi和XBi操作控制。控制信號(hào)Bi和XBi為兩個(gè)具有相反極性 的直流信號(hào)組，像是一高位階電壓與一低位階電壓，并且用于設(shè)定2對(duì)2雙向 控制電路615、 625和635來(lái)指引移位緩存器600內(nèi)的輸入信號(hào)往前或往后移 位。
在移位緩存器600內(nèi)，每一移位緩存單元的輸入端Kl和K2都分別電耦 合至一對(duì)應(yīng)2對(duì)2雙向控制電路的輸出端Dl和D2，而每一移位緩存單元的輸
9出端o都電耦合至上一個(gè)2對(duì)2雙向控制電路的端子N以及下一個(gè)2對(duì)2雙向 控制電路的端子P。如此，移位緩存單元620的輸出端o提供輸入至2對(duì)2雙 向控制電路615和635。對(duì)此移位緩存器600而言，當(dāng)Bi為高位階電壓并且 XBi為低位階電壓對(duì)，輸入脈沖將從移位緩存單元610往前移位至移位緩存單 元630，而當(dāng)Bi為低位階電壓并且XBi為高位階電壓時(shí)，輸入脈沖將從移位 緩存單元630往后移位至移位緩存單元610。
不過(guò)，在移位緩存器的每一移位緩存單元內(nèi)使用該2對(duì)2雙向控制電路 會(huì)導(dǎo)致該移位緩存單元的輸入信號(hào)內(nèi)電壓下降，并增加功率消耗以及制造成 本。
因此，業(yè)界內(nèi)至今所要解決的問(wèn)題就是解決上述缺陷與不完備。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問(wèn)題在于，提供一種雙向掃描的移位緩存器，能夠減少 使用雙向控制電路，避免移位緩存單元的輸入信號(hào)電壓下降，降低功率消耗以 及制造成本。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明公開(kāi)了一種雙向掃描的移位緩存器，其包括一第 一控制線、 一第二控制線、 一第一頻率信號(hào)線、 一第二頻率信號(hào)線、 一參考線 以及多級(jí)移位緩存單元化j， j=l，2，...，N， N為一正整數(shù)。第一控制線用于 提供一第一雙向控制信號(hào)Bi。第二控制線用于提供一第二雙向控制信號(hào)XBi。 第一頻率信號(hào)線用于提供一第一頻率信號(hào)Ck。第二頻率信號(hào)線用于提供一第 二頻率信號(hào)XCk。參考線用于提供一供應(yīng)電壓Vss。每一移位緩存單元Sj包括 一第一輸入IN1、 一第二輸入IN2、 一第三輸入IN3、 一第四輸入IN4、 一第五 輸入IN5以及第六輸入IN6，其中當(dāng)j為一奇數(shù)時(shí)，第五輸入IN5電耦合至第 一頻率信號(hào)線與第二頻率信號(hào)線其中之一，當(dāng)j為一偶數(shù)時(shí)電耦合至第一頻率 信號(hào)線與第二頻率信號(hào)線另一。第六輸入IN6，電耦合至該參考線。
移位緩存器還包括輸出0UT、 一第一晶體管M1、 一第二晶體管M2、 一第 三晶體管M3以及一第四晶體管M4。輸出OUT輸出一輸出信號(hào)Sout(j);第一 晶體管M1，具有一柵極，電耦合至該第三輸入IN3; —漏極，電耦合至該第一 輸入IN1;以及一源極，電耦合至一節(jié)點(diǎn)N1。第二晶體管M2，具有一柵極， 電耦合至該第四輸入IN4; —漏極，電耦合至該節(jié)點(diǎn)N1;以及一源極，電耦合至該第二輸入IN2; —第三晶體管M3，具有一柵極，電耦合至一節(jié)點(diǎn)N2，節(jié) 點(diǎn)N2電耦合該節(jié)點(diǎn)N1; —漏極，電耦合至該第五輸入IN5;以及一源極，電 耦合至該輸出OUT。第四晶體管M4具有一柵極，電耦合至一節(jié)點(diǎn)N3; —漏極， 電耦合至該輸出OUT;以及一源極，電耦合至該第六輸入IN6，其中數(shù)個(gè)移位 緩存單元(Sj)之間依序電耦合，藉此，第i級(jí)移位緩存單元Si的第三輸入IN3 電耦合至第(i-l)級(jí)移位緩存單元Si-i的輸出OUT,來(lái)接收其對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào) Sout(i-1)， i = 2， 3， 4，... N。第k級(jí)移位緩存單元Sk的第四輸入IN4電 耦合至第(k+l)級(jí)移位緩存單元Sk+1的輸出0UT，來(lái)接收其對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào) Sout(k+l)，其中k二l， 2， 3，... (N-l)。
本發(fā)明的另一方面提供一種移位緩存器，能夠減少使用2對(duì)2雙向控制 電路，避免移位緩存單元的輸入信號(hào)電壓下降。
依照本發(fā)明的另一實(shí)施例，移位緩存器包括多級(jí)移位緩存單元(Sj)， j二l， 2， . .. ， N， N為一正整數(shù)，其中每一級(jí)的移位緩存單元Sj包括一第一輸入IN1、 一第二輸入IN2、 一第三輸入IN3、 一第四輸入IN4、 一第五輸入IN5、 一第六 輸入IN6、 一輸出0UT、 一第一晶體管Ml、 一第二晶體管M2、 一第三晶體管 M3、 一第四晶體管M4。第一晶體管M1具有一電耦合至第三輸入IN3的柵極、 一電耦合至第一輸入IN1的漏極以及一電耦合至一節(jié)點(diǎn)N1的源極。第二晶體 管M2具有一電耦合至第四輸入IN4的柵極、 一電耦合至該節(jié)點(diǎn)Nl的漏極以及 一電耦合至該第二輸入IN2的源極。第三晶體管M3具有一柵極，電耦合至一 節(jié)點(diǎn)N2，該節(jié)點(diǎn)N2電耦合該節(jié)點(diǎn)N1; —漏極，電耦合至該第五輸入IN5;以 及一源極，電耦合至該輸出OUT。第四晶體管M4具有一柵極，電耦合至一節(jié) 點(diǎn)N3; —漏極，電耦合至該輸出OUT;以及一源極，電耦合至該第六輸入IN6。
本發(fā)明的再一方面提供一種移位緩存器，能夠減少使用2對(duì)2雙向控制電 路，降低功率消耗以及制造成本。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種雙向掃描的移位緩存器，包括多級(jí)移位緩存單元{Sj}, j = 1， 2， .... N， N為一正整數(shù)，其中第j級(jí)移位緩存單元Sj包括一第一 輸入IN1、 一第二輸入IN2、 一第三輸入IN3、 一第四輸入IN4、 一第五輸入 IN5、 一第六輸入IN6，以及一輸出0UT。第一輸入IN1接收一第一雙向控制 信號(hào)Bi以及一第二雙向控制信號(hào)XBi其中之一。第二輸入IN2接收一第一雙 向控制信號(hào)Bi以及一第二雙向控制信號(hào)XBi的另一。第五輸入IN5接收一頻率信號(hào)。第六輸入IN6接收一供應(yīng)電壓Vss。輸出OUT輸出一輸出信號(hào)Sout (j)， 其中各移位緩存單元(Sj]之間依序電耦合，藉此，第i級(jí)移位緩存單元Si的 第三輸入IN3電耦合至第(i-l)級(jí)移位緩存單元Si—!的輸出OUT,來(lái)接收其對(duì) 應(yīng)的輸出信號(hào)Sout(i-l)，其中i =2， 3， 4，... N，且第k級(jí)移位緩存單元 Sk的第四輸入IN4電耦合至第(k+l)移位緩存單元Sk+1的輸出0UT，來(lái)接收其 對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)Sout(k+l)，其中k二l， 2， 3，... (N-1)。
根據(jù)上述實(shí)施例，移位緩存器能夠減少使用雙向控制電路，避免移位緩存 單元的輸入信號(hào)電壓下降，降低功率消耗以及制造成本。


圖1A為本發(fā)明一實(shí)施例具有奇數(shù)個(gè)移位緩存單元的移位緩存器的方塊
圖； 圖； 圖； 圖IB為本發(fā)明一實(shí)施例具有偶數(shù)個(gè)移位緩存單元的移位緩存器的方塊 圖1C為本發(fā)明一實(shí)施例具有奇數(shù)個(gè)移位緩存單元的移位緩存器的方塊 圖ID為本發(fā)明一實(shí)施例具有偶數(shù)個(gè)移位緩存單元的移位緩存器的方塊
圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的移位緩存器的移位緩存單元的電路圖3A、 3B為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的移位緩存器的輸入與輸出信號(hào)時(shí)序圖
圖4A、 4B為本發(fā)明另一實(shí)施例的移位緩存器的輸入與輸出信號(hào)時(shí)序圖
圖5A、 5B為本發(fā)明再一實(shí)施例的移位緩存器的輸入與輸出信號(hào)時(shí)序圖
圖6為一現(xiàn)有技術(shù)的移位緩存器的方塊圖；以及
圖7為一現(xiàn)有技術(shù)的2對(duì)2雙向控制電路。
其中，附圖標(biāo)記
100A移位緩存器 100B移位緩存器
100C移位緩存器 100D移位緩存器
111參考線 113第一控制線 115第二控制線 117a第一頻率信號(hào)線 117b第二頻率信號(hào)線 119a第一開(kāi)始脈沖輸入線610移位緩存單元
620移位緩存單元 630移位緩存單元
119b第二開(kāi)始脈沖輸入線
600傳統(tǒng)雙向移位緩存器 615 2對(duì)2雙向控制電路 625 2對(duì)2雙向控制電路 635 2對(duì)2雙向控制電路
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖1A至圖1D和圖2至圖5B。圖1A至圖1D的各圖分別為本發(fā)明 —實(shí)施例的移位緩存器IOOA、 IOOB、 IOOC或IOOD。移位緩存器IOOA、 IOOB、 100C或100D含有用于提供一供應(yīng)電壓Vss的參考線111、用于提供一第一雙 向控制信號(hào)Bi的第一控制線113，以及用于提供一第二雙向控制信號(hào)XBi的 第二控制線115。
每一第一雙向控制信號(hào)Bi和第二雙向控制信號(hào)XBi都含有具有頻率與相 位的AC信號(hào)，第一雙向控制信號(hào)的頻率與第二雙向控制信號(hào)的頻率大體上一 致，并且第一雙向控制信號(hào)的相位與第二雙向控制信號(hào)的相位大體上相反。
另一方面，第一雙向控制信號(hào)Bi和第二雙向控制信號(hào)XBi亦可為一恒電 壓的直流信號(hào)，當(dāng)?shù)谝浑p向控制信號(hào)Bi具有一高電壓時(shí)，第二雙向控制信號(hào) XBi具有一低電壓，反之亦然。在一實(shí)施例中，第一雙向控制信號(hào)Bi和第二 雙向控制信號(hào)XBi的一為高電壓Vdd，而第一雙向控制信號(hào)Bi和第二雙向控 制信號(hào)XBi的另一為低電壓Vss。低電壓Vss供應(yīng)至接地端，舉例而言，可為 一接地電壓或一負(fù)電壓。
在另一實(shí)施例中，第一雙向控制信號(hào)Bi和第二雙向控制信號(hào)XBi之一含 有一交流信號(hào)，并且第一雙向控制信號(hào)Bi和第二雙向控制信號(hào)XBi的另一則 含有一直流信號(hào)。
更進(jìn)一步地說(shuō)，移位緩存器100A、 100B、 100C或100D含有用于提供一第 一頻率信號(hào)Ck的第一頻率信號(hào)線117a，以及用于提供一第二頻率信號(hào)XCk的 第二頻率信號(hào)線117b。第一頻率信號(hào)Ck和第二頻率信號(hào)XCk各具有一頻率與
一相位。在此實(shí)施例當(dāng)中，第一頻率信號(hào)ck的頻率與第二頻率信號(hào)xek的頻
率約略一致，第一頻率信號(hào)Ck的相位與第二頻率信號(hào)XCk的相位則約略相反。 再者，移位緩存器100A、 100B、 100C或100D含有用于提供一第一開(kāi)始脈 沖Spl的第一開(kāi)始脈沖輸入線119a，以及用于提供一第二開(kāi)始脈沖Sp2的第二開(kāi)始脈沖輸入線119b。如下所示，第一開(kāi)始脈沖Spl當(dāng)成移位緩存器一正
向操作內(nèi)的開(kāi)始脈沖信號(hào)，并且第二開(kāi)始脈沖Sp2當(dāng)成移位緩存器一反向操作
內(nèi)的開(kāi)始脈沖信號(hào)。
如圖1A至圖ID內(nèi)所示，移位緩存器100A、 IOOB、 100C或100D尚且含有 多個(gè)移位緩存單元化j]， j 二 1，2, ...， N， N為一正整數(shù)。每一級(jí)的移位緩 存單元Sj都具有一個(gè)第一輸入工Nl、 一個(gè)第二輸入IN2、 一個(gè)第三輸入IN3、 一個(gè)第四輸入IN4、 一個(gè)第五輸入IN5、 一個(gè)第六輸入IN6和一個(gè)輸出0UT。 一般而言，第六輸入IN6電耦合至參考線lll來(lái)接收其上的供應(yīng)電壓Vss，輸 出OUT用于輸出一個(gè)輸出信號(hào)Sout (j)。
第五輸入IN5可根據(jù)j為一奇數(shù)或一偶數(shù)，電耦合至第一頻率信號(hào)線117a 或第二頻率信號(hào)線117b。在一實(shí)施例內(nèi)，當(dāng)j為一奇數(shù)，第五輸入IN5電耦 合至第一頻率信號(hào)線117a，并且當(dāng)j為一偶數(shù)，第五輸入IN5電耦合至第二 頻率信號(hào)線117b。例如在圖1A的實(shí)施例中，第一級(jí)移位緩存單元Si的第五 輸入IN5電耦合至第一頻率信號(hào)線117a來(lái)接收其上的第一頻率信號(hào)Ck、…第 (j-l)級(jí)移位緩存單元Sj—!的第五輸入IN5電耦合至第二頻率信號(hào)線117b來(lái) 接收其上的第二頻率信號(hào)XCk、第j級(jí)移位緩存單元Sj的第五輸入IN5電耦合 至第一頻率信號(hào)線117a來(lái)接收其上的第一頻率信號(hào)Ck、第(j+l)級(jí)移位緩存 單元Sj+1的第五輸入IN5電耦合至第二頻率信號(hào)線117b來(lái)接收其上的第二頻 率信號(hào)XCk、…以及第N級(jí)移位緩存單元SN的第五輸入IN5電耦合至第一頻 率信號(hào)線117a來(lái)接收其上的第一頻率信號(hào)Ck。另一方面，當(dāng)j為一奇數(shù)，第 五輸入IN5電耦合至第二頻率信號(hào)線117b，并且當(dāng)j為一偶數(shù)，第五輸入IN5 電耦合至第一頻率信號(hào)線117a。
根據(jù)第一雙向控制信號(hào)Bi和第二雙向控制信號(hào)XBi是直流信號(hào)或交流信 號(hào)，以及j為一奇數(shù)或一偶數(shù)，第一輸入IN1和第二輸入IN2分別可電耦合至 第一控制線113來(lái)接收其上的第一雙向控制信號(hào)Bi，或電耦合至第二控制線 115來(lái)接收其上的第二雙向控制信號(hào)XBi。若第一雙向控制信號(hào)Bi與第二雙向 控制信號(hào)XBi都為直流信號(hào)，則第一輸入IN1和第二輸入IN2分別電耦合至第 一控制線113與第二控制線115，不管j為一奇數(shù)或一偶數(shù)，如圖3A、圖3B、 圖1A和圖1B內(nèi)所示。不過(guò)，若第一雙向控制信號(hào)Bi與第二雙向控制信號(hào)XBi 都為交流信號(hào)，則當(dāng)j為一奇數(shù)時(shí)，第一輸入IN1和第二輸入IN2分別電耦合至第一控制線113與第二控制線115，當(dāng)j為一偶數(shù)時(shí)，第一輸入IN1和第二 輸入IN2分別電耦合至第二控制線115與第一控制線113，如圖4A、圖4B、 圖1C和圖1D內(nèi)所示。
多級(jí)移位緩存單元(Sj]彼此以串聯(lián)的形式電耦合。對(duì)于第一級(jí)移位緩存單 元Sl而言，第一級(jí)移位緩存單元Sl的第三輸入IN3電耦合至第一開(kāi)始脈沖輸 入線119a來(lái)接收其上的第一開(kāi)始脈沖Spl,并且第一級(jí)移位緩存單元Si的第 四輸入IN4電耦合至第二級(jí)移位緩存單元S2的輸出0UT。針對(duì)第二和其它級(jí)移 位緩存單元Si( i 二 2, 3， 4，... N)而言，第i級(jí)移位緩存單元Si的第三輸 入IN3電耦合至第(i-1)級(jí)移位緩存單元Si—i的輸出OUT,以接收來(lái)自第(i-l) 級(jí)移位緩存單元Si-1的一對(duì)應(yīng)輸出信號(hào)Sout (i-l)。第k級(jí)移位緩存單元Sk， k二l， 2， 3， ... (N-1)的第四輸入IN4電耦合至第(k+l)級(jí)移位緩存單元Sk+i 的輸出0UT，以接收來(lái)自第(k+l)級(jí)移位緩存單元Sk+1的一對(duì)應(yīng)輸出信號(hào) S0Ut(k+1)。第N級(jí)移位緩存單元SN的第四輸入IN4則電耦合至第二開(kāi)始脈沖 輸入線119b，來(lái)接收其上的第二開(kāi)始脈沖Sp2。
此外，每一級(jí)移位緩存單元Sj的輸出OUT也電耦合至LCD面板的一對(duì)應(yīng) 柵極線Gj，以提供輸出信號(hào)Sout (j)來(lái)?yè)?jù)此驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的柵極線Gj。
請(qǐng)參閱圖2，其為本發(fā)明一實(shí)施例的移位緩存器的移位緩存單元電路圖。 各移位緩存單元Sj更含有一第一晶體管Ml，具有電耦合至第三輸入IN3的柵 極、電耦合至第一輸入IN1的漏極和電耦合至一節(jié)點(diǎn)N1的源極，以及一第二 晶體管M2，具有電耦合至第四輸入IN4的柵極、電耦合至節(jié)點(diǎn)N1的漏極和電 耦合至第二輸入IN2的源極。各移位緩存單元Sj亦具有一第三晶體管M3，第 三晶體管M3的柵極電耦合至節(jié)點(diǎn)N2，此節(jié)點(diǎn)N2電耦合至節(jié)點(diǎn)Nl，第三晶體 管M3的漏極電耦合至第五輸入IN5，第三晶體管M3的源極電耦合至輸出0UT。 移位緩存單元Sj的第四晶體管M4具有電耦合至一節(jié)點(diǎn)N3的柵極、電耦合至 輸出OUT的漏極以及電耦合至第六輸入IN6的源極。第一和第二晶體管Ml和 M2為輸入晶體管，用來(lái)提供一雙向移位功能，包括正向(forward)移位功能或 反向('6ackward)移位功能。第三晶體管M3為一輸出晶體管，而第四晶體管M4 為一下拉式晶體管(pull-down transistor)。其中，第一晶體管Ml、第二晶 體管M2、第三晶體管M3和第四晶體管M4之一可為一薄膜場(chǎng)效晶體管(Thin Film Transistor, TFT)，也可使用其它開(kāi)關(guān)組件來(lái)實(shí)現(xiàn)。此外，每一移位緩存單元Sj更含有一個(gè)停用電路(disable circuit)。在 此實(shí)施例中，停用電路具有電耦合至節(jié)點(diǎn)N2的第一端T1、電耦合至輸出OUT 的第二端T2、電耦合至節(jié)點(diǎn)N3的第三端T3、電耦合至第六輸入IN6的第四端 T4、用于接收一第一停用電路控制信號(hào)Csl的第五端T5，以及用于接收一第 二停用電路控制信號(hào)Cs2的第六端T6。也可使用其它數(shù)量的端子來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā) 明。停用電路的端子Tl-T6用于接收輸入信號(hào)以及/或用于輸出輸出信號(hào)，其 可為一增壓信號(hào)(boost signal)、頻率信號(hào)、電源信號(hào)、移位緩存器100的其 它移位緩存單元Sm (m # j)的輸出信號(hào)Sout (m)以及/或移位緩存器100的第 j級(jí)移位緩存單元Sj的輸出信號(hào)Sout(j)。在此實(shí)施例中，節(jié)點(diǎn)N2對(duì)應(yīng)至一 增壓點(diǎn)，如圖2內(nèi)所示。停用電路產(chǎn)生一或多個(gè)響應(yīng)輸入脈沖的信號(hào)，如此在 不正常狀態(tài)發(fā)生時(shí)可停用此移位緩存器。
請(qǐng)參考圖3A、 3B內(nèi)說(shuō)明的驅(qū)動(dòng)波形以及圖2內(nèi)顯示的移位緩存單元電路 來(lái)說(shuō)明移位緩存器的操作程序。
請(qǐng)參閱圖3A、 3B，其為本發(fā)明一實(shí)施例的移位緩存器的第(j-l)級(jí)、第j 級(jí)和第(j+l)級(jí)移位緩存單元Sj—b Sj和Sj+1的輸入與輸出信號(hào)的時(shí)序圖(波 形)。其中，Sout(j-l)、 Sout(j)和Sout(j+l)代表分別來(lái)自第(j-l)級(jí)、第j 級(jí)和第(j+l)級(jí)移位緩存單元Sj-h Sj和Sj+i的輸出電壓(信號(hào))。Bi和XBi分 別為第一和第二控制信號(hào)，用于控制一脈沖信號(hào)的移位方向。在圖3A、 3B的 實(shí)施例內(nèi)，每一Bi和Xbi都具有一恒電壓的直流信號(hào)。若Bi具有一高電壓信 號(hào)，例如一供應(yīng)高電壓Vdd，并且XBi具有一低電壓信號(hào)，例如一供應(yīng)低電壓 Vss，則脈沖將以一正向方向從第(j-l)階層Sj—i移位至第j階層Sj。否則， 若Bi為供應(yīng)低電壓信號(hào)Vss并且XBi為供應(yīng)高電壓信號(hào)Vdd，則脈沖將以一 反向方向從第(j+l)級(jí)移位緩存單元Sj+1移位至第j級(jí)移位緩存單元Sj 。
在正向功能操作中，分別將高供應(yīng)電壓Vdd供應(yīng)至第j級(jí)移位緩存單元 Sj的第一輸入IN1，并且低供應(yīng)電壓Vss供應(yīng)至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第 二輸入IN2。當(dāng)?shù)?j-l)級(jí)移位緩存單元Sh的輸出信號(hào)Sout(j-l)(具有從 tl至t2的高位階電壓脈沖)供應(yīng)至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第三輸入IN3， 則會(huì)開(kāi)啟第一晶體管M1。接著，增壓點(diǎn)N2由高位階電壓脈沖充電，這將開(kāi)啟 第三晶體管M3。利用供應(yīng)頻率信號(hào)Ck至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第五輸入 IN5，開(kāi)啟的晶體管M3輸出第j級(jí)移位緩存單元Sj的輸出信號(hào)Sout(j)，其具有從t2至t3的高位階電壓脈沖。另一方面，第二晶體管M2扮演放電的角色， 即是接收第G+l)級(jí)移位緩存單元Sj+i的Sout (j+l)并讓增壓點(diǎn)N2放電，如此 關(guān)閉第三晶體管M3。換言之，第j級(jí)移位緩存單元Sj由第(j-l)級(jí)移位緩存單 元Sri的輸出信號(hào)Sout(j-l)所設(shè)定(啟動(dòng))，并且由第(j+l)級(jí)移位緩存單元 Sj+i的輸出信號(hào)Sout(j+l)所重置(取消啟動(dòng))。圖3a內(nèi)顯示第(j-l)、第j和 第(j+l)級(jí)移位緩存單元、 S」和Sj+1的Sout (j-1) 、 Sout (j)和Sout (j+1)。
在反向功能操作中，分別將高供應(yīng)電壓Vdd供應(yīng)至第j移位緩存單元Sj 的第二輸入IN2，并且低供應(yīng)電壓Vss供應(yīng)至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第一輸 入IN1。當(dāng)?shù)?j+1)級(jí)移位緩存單元Sj+!的輸出信號(hào)Sout (j+1)(具有從tl至 t2的高位階電壓脈沖)供應(yīng)至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第四輸入IN4，則會(huì)開(kāi) 啟第二晶體管M2。接著，增壓點(diǎn)N2由高位階電壓脈沖充電，這將開(kāi)啟第三晶 體管M3。利用供應(yīng)頻率信號(hào)Ck至第j級(jí)移位緩存單元S」的第五輸入IN5，開(kāi) 啟的晶體管M3輸出第j級(jí)移位緩存單元Sj的輸出信號(hào)Sout(j)，其具有從t2 至t3的高位階電壓脈沖。另一方面，第一晶體管M1扮演放電的角色，即是接 收第(j-1)級(jí)移位緩存單元Sj—i的Sout (j-1)并讓增壓點(diǎn)N2放電，如此關(guān)閉第 三晶體管M3。換言之，第j級(jí)移位緩存單元Sj由第(j+l)級(jí)移位緩存單元Sj+i 的輸出信號(hào)Sout(j+l)所設(shè)定(啟動(dòng))，并且由第(j-1)級(jí)移位緩存單元Sj^的 輸出信號(hào)Sout (j-l)所重置(取消啟動(dòng))。圖3B內(nèi)顯示第(j-1)、第j和第(j+l) 級(jí)移位緩存單元Sj—i、 Sj和Sj+i的Sout(j-1)、 Sout (j)和Sout (j+1)。
圖4A、4B為本發(fā)明另一實(shí)施例移位緩存器的第(j-l)級(jí)、第j級(jí)和第(j+l) 級(jí)移位緩存單元Sj-i、 Sj和Sj+1的輸入與輸出信號(hào)的時(shí)序圖(波形)。在這些 圖表內(nèi)，Sout(j-1)、 Sout(j)和Sout(j+l)代表分別來(lái)自第(j-1)級(jí)、第j級(jí) 和第(j+l)級(jí)移位緩存單元Sj-1、 Sj和Sj+1的輸出電壓(信號(hào))。Bi和XBi分 別為第一和第二控制信號(hào)，用于控制一脈沖信號(hào)的移位方向。在此實(shí)施例內(nèi)， 每一第一雙向控制信號(hào)Bi和第二雙向控制信號(hào)Xbi均具有一頻率與一相位的 交流信號(hào)。第一雙向控制信號(hào)Bi的頻率和第二雙向控制信號(hào)XBi的頻率大體 上一致，也就是說(shuō)頻率大體上相等，并且第一雙向控制信號(hào)'Bi的相位和第二 雙向控制信號(hào)XBi的相位大體上相反。分別將Bi供應(yīng)至第j級(jí)的移位緩存單 元Sj的第一輸入IN1 ，并且XBi供應(yīng)至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第二輸入IN2。
請(qǐng)參考圖4A、4B。Bi的波形與移位緩存單元輸入IN5的頻率信號(hào)Ck (XCk)的波形可為同相或反相。若Bi的波形與此移位緩存單元的輸入IN5的頻率信 號(hào)Ck (XCk)波形相反，并且XBi的波形與此移位緩存單元的輸入IN5的頻率 信號(hào)Ck (XCk)波形相同，則一脈沖信號(hào)將往一正向方向從第(j-l)級(jí)移位緩存 單元S_h移位至第j級(jí)移位緩存單元Sj,如圖4A內(nèi)所示。否則，若Bi的波 形與此移位緩存單元的輸入IN5內(nèi)的頻率信號(hào)Ck (XCk)波形相同，并且XBi 的波形與此移位緩存單元的輸入IN5內(nèi)的頻率信號(hào)Ck (XCk)波形相反，則一 脈沖信號(hào)將往一反向方向(往后)從第(j+l)級(jí)移位緩存單元Sj+1移位至第j級(jí) 移位緩存單元Sj，如圖4B內(nèi)所示。
在正向功能操作中，當(dāng)?shù)?j-l)級(jí)移位緩存單元S_m的輸出信號(hào)Sout (j-l) (具有從tl至t2的高位階電壓脈沖)供應(yīng)至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第三輸 入IN3，則會(huì)開(kāi)啟第一晶體管M1。接著，增壓點(diǎn)N2由高位階電壓脈沖充電， 這將開(kāi)啟第三晶體管M3。利用供應(yīng)頻率信號(hào)Ck至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第 五輸入IN5，開(kāi)啟的晶體管M3輸出第j級(jí)移位緩存單元Sj的輸出信號(hào)Sout (j)， 其具有從t2至t3的高位階電壓脈沖。另一方面，第二晶體管M2扮演放電的 角色，即是接收第(j+l)級(jí)移位緩存單元Sj+1的Sout (j+l)并讓增壓點(diǎn)N2放電， 如此關(guān)閉第三晶體管M3。換言之，第j級(jí)移位緩存單元Sj由第(j-l)級(jí)移位緩 存單元S的輸出信號(hào)Sout (j-l)所設(shè)定(啟動(dòng))，并且由第(j+l)級(jí)移位緩存 單元S州的輸出信號(hào)Sout(j+l)所重置(取消啟動(dòng))。圖4A內(nèi)顯示第(j-1)、第 j和第(j+l)級(jí)移位緩存單元Sj-h Sj和Sj+1的Sout(j-1)、 Sout(j)和 Sout(j+l)。
在反向功能操作中，當(dāng)?shù)?j+l)級(jí)移位緩存單元Sj+1的輸出信號(hào)Sout (j+l) (具有從tl至t2的高位階電壓脈沖)供應(yīng)至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第四輸 入IN4，則會(huì)開(kāi)啟第二晶體管M2。接著，增壓點(diǎn)N2由高位階電壓脈沖充電， 這將開(kāi)啟第三晶體管M3。利用供應(yīng)頻率信號(hào)Ck至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第 五輸入IN5，開(kāi)啟的晶體管M3輸出第j級(jí)移位緩存單元Sj的輸出信號(hào)Sout (j)， 其具有從t2至t3的高位階電壓脈沖。另一方面，第一晶體管Ml扮演放電的 角色，即是接收第(j-1)級(jí)移位緩存單元Sj^的Sout (j-1)并讓增壓點(diǎn)N2放電， 如此關(guān)閉第三晶體管M3。換言之，第j級(jí)移位緩存單元Sj由第(j+l)級(jí)移位緩 存單元Sj+1的輸出信號(hào)Sout (j+l)所設(shè)定(啟動(dòng))，并且由第(j-l)級(jí)移位緩存 單元Sj—!的輸出信號(hào)Sout (j-1)所重置(取消啟動(dòng))。圖4B內(nèi)顯示第(j-l)、第j和第(j+D級(jí)移位緩存單元Sj-h Sj和Sj+1的Sout(j-1)、 Sout(j)和 Sout(j+1)。
圖5A、 5B為本發(fā)明的再一實(shí)施例，移位緩存器的第(j-l)、第j和第(j+l) 級(jí)移位緩存單元Sj-i、 Sj和Sj+1的輸入與輸出信號(hào)的襯序圖(波形)。在此圖 內(nèi)，Sout(j-1)、 Sout (j)和Sout (j+1)代表分別來(lái)自第(j-1)、第j和第(j+l) 級(jí)移位緩存單元Sj-1、 Sj和Sj+i的輸出電壓(信號(hào))。Bi和XBi分別為第一和 第二控制信號(hào)，用于控制一脈沖信號(hào)的移位方向。分別將Bi供應(yīng)至第j級(jí)移 位緩存單元Sj的第一輸入IN1，并且XBi供應(yīng)至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第 二輸入IN2。在此實(shí)施例內(nèi)，對(duì)于如圖5A內(nèi)所示的正向操作方向，Bi為一交 流信號(hào)，其波形與移位緩存單元的輸入IN5的頻率信號(hào)Ck (XCk)波形相反， 而XBi為一與低電壓Vss相同的直流信號(hào)。對(duì)于如圖5B內(nèi)所示的反向操作方 向，Bi為直流信號(hào)，而XBi為此交流信號(hào)。
在正向功能操作中，當(dāng)?shù)?j-1)級(jí)移位緩存單元Sj4的輸出信號(hào)Sout (j-1) (具有從tl至t2的高位階電壓脈沖)供應(yīng)至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第三輸 入IN3，則會(huì)開(kāi)啟第一晶體管M1。接著，增壓點(diǎn)N2由高位階電壓脈沖充電， 這將開(kāi)啟第三晶體管M3。將供應(yīng)頻率信號(hào)Ck提供至第j級(jí)移位緩存單元Sj 的第五輸入IN5，開(kāi)啟的晶體管M3會(huì)輸出第j級(jí)移位緩存單元Sj的輸出信號(hào) Sout(j)，其中Sout(j)在t2至t3期間為高邏輯準(zhǔn)位電壓脈沖。另一方面， 第二晶體管M2扮演放電的角色，即是接收第(j+l)級(jí)移位緩存單元Sj+1的 Sout(j+l)并讓增壓點(diǎn)N2放電，如此關(guān)閉第三晶體管M3。換言之，第j級(jí)移 位緩存單元由第(j-l)級(jí)移位緩存單元Sj—!的輸出信號(hào)Sout(j-l)所設(shè)定 (啟動(dòng))，并且由第(j+l)級(jí)移位緩存單元Sj+i的輸出信號(hào)Sout (j+l)所重置(取 消啟動(dòng))。圖5A內(nèi)顯示第(j-l)、第j和第(j+l)級(jí)移位緩存單元Sj-i、 Sj和 Sj+i的Sout (j-l) 、 Sout (j)和Sout (j+1)。
在反向功能操作中，當(dāng)?shù)?j+1)級(jí)移位緩存單元Sj+1的輸出信號(hào)Sout (j+1) (具有從tl至t2的高位階電壓脈沖)供應(yīng)至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第四輸 入IN4，則會(huì)開(kāi)啟第二晶體管M2。接著，增壓點(diǎn)N2由高位階電壓脈沖充電， 這將開(kāi)啟第三晶體管M3。利用供應(yīng)頻率信號(hào)Ck至第j級(jí)移位緩存單元Sj的第 五輸入IN5，開(kāi)啟的晶體管M3輸出第j級(jí)移位緩存單元Sj的輸出信號(hào)Sout (j)， 其具有從t2至t3的高位階電壓脈沖。另一方面，第一晶體管M1扮演放電的角色，即是接收第(j-1)級(jí)移位緩存單元Sj—!的Sout (j-1)并讓增壓點(diǎn)N2放電， 如此關(guān)閉第三晶體管M3。換言之，第j級(jí)移位緩存單元Sj由第(j+l)級(jí)移位緩 存單元Sj+1的輸出信號(hào)Sout(j+l)所設(shè)定(啟動(dòng))，并且由第(j-l)級(jí)移位緩存 單元Sj-i的輸出信號(hào)Sout(j-l)所重置(取消啟動(dòng))。圖5B內(nèi)顯示第(j-l)、第 j和第(j+l)級(jí)移位緩存單元Sj—i、 Sj和Sj+1的Sout(j-1)、 Sout(j)和 Sout (j+l)。
根據(jù)上述一實(shí)施例，移位緩存器具有多個(gè)移位緩存單元，此些移位緩存單 元彼此電性串聯(lián)。每一移位緩存單元都含有一個(gè)第一和第二TFT晶體管，其中 第一 TFT晶體管的柵極電耦合至上一個(gè)移位緩存單元的輸出，第一 TFT晶體管 的源極電耦合至移位緩存單元的增壓點(diǎn)，第一TFT晶體管的漏極接收一第一控 制信號(hào)。第二 TFT晶體管的柵極電耦合至下一個(gè)移位緩存單元的輸出、第二 TFT晶體管的漏極電耦合至移位緩存單元的增壓點(diǎn)的，第二TFT晶體管的源極 接收極性與第一控制信號(hào)相反的第二控制信號(hào)。對(duì)于這種配置而言，利用變更 第一和第二控制信號(hào)的極性，移位緩存單元可在一正向或一反向模式內(nèi)操作。 因此，所發(fā)明的移位緩存器不需要額外的2對(duì)2雙向控制電路，藉此降低耗電 量和制造成本。此外，在本發(fā)明的移位緩存器內(nèi)無(wú)額外的2對(duì)2雙向控制電路， 可避免輸入信號(hào)電壓下降，提高移位緩存器的信號(hào)觸發(fā)準(zhǔn)位，因此移位緩存器 的操作反應(yīng)更快，移位緩存器則更可靠。
雖然本發(fā)明已以一實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并非用以限定本發(fā)明，任何在本 發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種 的更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種雙向掃描的移位緩存器，其特征在于，包含一第一控制線，用于提供一第一雙向控制信號(hào)；一第二控制線，用于提供一第二雙向控制信號(hào)；一第一頻率信號(hào)線，用于提供一第一頻率信號(hào)；一第二頻率信號(hào)線，用于提供一第二頻率信號(hào)；一參考線，用于提供一供應(yīng)電壓；以及多級(jí)移位緩存單元{Sj}，j＝1，2，...，N，N為一正整數(shù)，其中第j級(jí)的該移位緩存單元Sj包含一第一輸入；一第二輸入；一第三輸入；一第四輸入；一第五輸入，其中當(dāng)j為一奇數(shù)時(shí)，該第五輸入電耦合至該第一頻率信號(hào)線與該第二頻率信號(hào)線其中之一，當(dāng)j為一偶數(shù)時(shí)電耦合至該第一頻率信號(hào)線與該第二頻率信號(hào)線中另一；一第六輸入，電耦合至該參考線；一輸出，以輸出一輸出信號(hào)；一第一晶體管，具有一柵極，電耦合至該第三輸入；一漏極，電耦合至該第一輸入；以及一源極，電耦合至一第一節(jié)點(diǎn)；一第二晶體管，具有一柵極，電耦合至該第四輸入；一漏極，電耦合至該第一節(jié)點(diǎn)；以及一源極，電耦合至該第二輸入；一第三晶體管，具有一柵極，電耦合至一第二節(jié)點(diǎn)，該第二節(jié)點(diǎn)電耦合該第一節(jié)點(diǎn)；一漏極，電耦合至該第五輸入；以及一源極，電耦合至該輸出；以及一第四晶體管，具有一柵極，電耦合至一第三節(jié)點(diǎn)；一漏極，電耦合至該輸出；以及一源極，電耦合至該第六輸入，其中第j級(jí)的該移位緩存單元{Sj}之間依序電耦合，藉此，該第i級(jí)移位緩存單元Si的該第三輸入電耦合至該第(i-1)級(jí)移位緩存單元Si-1的該輸出，來(lái)接收其對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)Sout(i-1)，其中i＝2，3，4，...N，且該第k級(jí)移位緩存單元Sk的該第四輸入電耦合至該第(k+1)級(jí)移位緩存單元Sk+1的該輸出，來(lái)接收其對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)Sout(k+1)，其中k＝1，2，3，...(N-1)。
2. 如權(quán)利要求1所述的移位緩存器，其特征在于，還包含一第一開(kāi)始脈 沖輸入線，電耦合至第一級(jí)的該移位緩存單元Si的該第三輸入，以提供第一 級(jí)的該移位緩存單元Si的該第三輸入一第一開(kāi)始脈沖。
3. 如權(quán)利要求1所述的移位緩存器，其特征在于，還包含一第二開(kāi)始脈 沖輸入線，其電耦合至第N級(jí)的該移位緩存單元SN的該第四輸入，以提供第N 級(jí)的該移位緩存單元SN的該第四輸入一第二開(kāi)始脈沖。
4. 如權(quán)利要求1所述的移位緩存器，其特征在于，第j級(jí)的該移位緩存 單元Sj還包含一停用電路，用以停用第j級(jí)的該移位緩存單元Sj的一輸出。
5. 如權(quán)利要求1所述的移位緩存器，其特征在于，該第一雙向控制信號(hào) 與該第二雙向控制信號(hào)為交流信號(hào)，該第一雙向控制信號(hào)的頻率與該第二雙向 控制信號(hào)的頻率一致，該第一雙向控制信號(hào)的相位則與該第二雙向控制信號(hào)的 相位反相。
6. 如權(quán)利要求5所述的移位緩存器，其特征在于，當(dāng)j為一奇數(shù)時(shí)，第 j級(jí)的該移位緩存單元Sj的該第一輸入和該第二輸入分別電耦合至該第一控 制線與該第二控制線，當(dāng)j為一偶數(shù)時(shí)，第j級(jí)的該移位緩存單元Sj的該第 一輸入和該第二輸入分別電耦合至該第二控制線與該第一控制線。
7. 如權(quán)利要求1所述的移位緩存器，其特征在于，該第一雙向控制信號(hào) 和該第二雙向控制信號(hào)是電壓值為常數(shù)的直流信號(hào)，且該第一雙向控制信號(hào)和 該第二雙向控制信號(hào)反相。
8. 如權(quán)利要求7所述的移位緩存器，其特征在于，第j級(jí)的該移位緩存單元Sj的該第一輸入和該第二輸入分別電耦合至該第一控制線與該第二控制線。
9. 如權(quán)利要求1所述的移位緩存器，其特征在于，該第一雙向控制信號(hào) 以及該第二雙向控制信號(hào)其中之一為交流信號(hào)，另一為直^U言號(hào)。
10. 如權(quán)利要求1所述的移位緩存器，其特征在于，各個(gè)第一頻率信號(hào)的 頻率與該第二頻率信號(hào)的頻率一致，且該第一頻率信號(hào)與該第二頻率信號(hào)反 相。
11. 一種雙向掃描的移位緩存器，包含多級(jí)移位緩存單元"」}， j = 1， 2， ...， N， N為一正整數(shù)，其特征在于，第j級(jí)的該移位緩存單元Sj包含一第一輸入、 一第二輸入、 一第三輸入、 一第四輸入、 一第五輸入和一第 六輸入；一輸出；一第一晶體管，具有一電耦合至該第三輸入的柵極、 一電耦合至該第一輸 入的漏極以及一電耦合至一第一節(jié)點(diǎn)的源極；一第二晶體管，具有一電耦合至該第四輸入的柵極、 一電耦合至第一節(jié)點(diǎn) 的漏極以及一電耦合至該第二輸入的源極；一第三晶體管，具有一柵極，電耦合至一第二節(jié)點(diǎn)，該第二節(jié)點(diǎn)電耦合該第一節(jié)點(diǎn)；一漏極，電耦合至該第五輸入；以及一源極，電耦合至該輸出；以及一第四晶體管，具有一柵極，電耦合至一第三節(jié)點(diǎn)；一漏極，電耦合至該輸出；以及一源極，電耦合至該第六輸入。
12. 如權(quán)利要求ll所述的移位緩存器，其特征在于，第j級(jí)的該移位緩 存單元(S」]之間依序電耦合，藉此，第i級(jí)的該移位緩存單元Si的該第三輸 入電耦合至該第(i-l)級(jí)的該移位緩存單元Si-i的該輸出，來(lái)接收其對(duì)應(yīng)的輸 出信號(hào)Sout(i-l)，其中i =2， 3, 4，... N，且第k級(jí)的該移位緩存單元Sk 的該第四輸入電耦合至第(k+l)級(jí)的該移位緩存單元Sk+i的該輸出OUT,來(lái)接 收其對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)Sout(k+l)，其中k二 1， 2， 3，... (N-l)。
13. 如權(quán)利要求12所述的移位緩存器，其特征在于，還包含一第一開(kāi)始脈沖輸入線，電耦合至該第一級(jí)的該移位緩存單元S!的該第三輸入，以提供第一級(jí)的該移位緩存單元Si的該第三輸入一第一開(kāi)始脈沖。
14. 如權(quán)利要求12所述的移位緩存器，其特征在于Z還包含一第二開(kāi)始 脈沖輸入線，電耦合至第N級(jí)的該移位緩存單元SN的該第四輸入，以提供該 第N級(jí)的該移位緩存單元SN的該第四輸入一第二開(kāi)始脈沖。
15. 如權(quán)利要求12所述的移位緩存器，其特征在于，還包含 一第一控制線，提供一第一雙向控制信號(hào)；以及 一第二控制線，提供一第二雙向控制信號(hào)。
16. 如權(quán)利要求15所述的移位緩存器，其特征在于，該第一雙向控制信 號(hào)與該第二雙向控制信號(hào)為交流信號(hào)，該第一雙向控制信號(hào)的頻率與該第二雙 向控制信號(hào)的頻率一致，該第一雙向控制信號(hào)的相位則與該第二雙向控制信號(hào) 的相位反相。
17. 如權(quán)利要求16所述的移位緩存器，其特征在于，當(dāng)j為一奇數(shù)時(shí)， 第j級(jí)的該移位緩存單元Sj的第一輸入和第二輸入分別電耦合至該第一控制 線與該第二控制線，當(dāng)j為一偶數(shù)時(shí)，第j級(jí)的該移位緩存單元Sj的第一輸 入和第二輸入分別電耦合至該第二控制線與該第一控制線。
18. 如權(quán)利要求15所述的移位緩存器，其特征在于，該第一雙向控制信 號(hào)和該第二雙向控制信號(hào)是電壓值為常數(shù)的直流信號(hào)，且該第一雙向控制信號(hào) 和該第二雙向控制信號(hào)反相。
19. 如權(quán)利要求18所述的移位緩存器，其特征在于，第j級(jí)的該移位緩 存單元Sj的第一輸入和第二輸入分別電耦合至該第一控制線與該第二控制 線。
20. 如權(quán)利要求15所述的移位緩存器，其特征在于，該第一雙向控制信 號(hào)以及該第二雙向控制信號(hào)其中之一為交流信號(hào)，另一則為直流信號(hào)。
21. 如權(quán)利要求15所述的移位緩存器，其特征在于，還包含一用于提供 一第一頻率信號(hào)的第一頻率信號(hào)線，以及一用于提供一第二頻率信號(hào)的第二頻 率信號(hào)線，并且其中當(dāng)j為一奇數(shù)時(shí)，第j級(jí)的該移位緩存單元Sj的第五輸 入電耦合至該第一頻率信號(hào)線和該第二頻率信號(hào)線其中之一，當(dāng)j為一偶數(shù) 時(shí)，第j級(jí)的該移位緩存單元Sj的第五輸入電耦合至該第一頻率信號(hào)線和該第二頻率信號(hào)線的另一。
22. 如權(quán)利要求21所述的移位緩存器，其特征在于，各個(gè)第一頻率信號(hào) 的頻率與該第二頻率信號(hào)的頻率一致，且該第一頻率信號(hào)與該第二頻率信號(hào)反 相。 >
23. 如權(quán)利要求12所述的移位緩存器，其特征在于，還包含一參考線， 電耦合至各第j級(jí)的該移位緩存單元Sj的該第六輸入，以提供供應(yīng)電壓予各 第j級(jí)的該移位緩存單元Sj的該第六輸入。
24. 如權(quán)利要求12所述的移位緩存器，其特征在于，第j級(jí)的該移位緩 存單元Sj還包含一停用電路，以停用j級(jí)的該移位緩存單元Sj的輸出。
25. 如權(quán)利要求ll所述的移位緩存器，其特征在于，該第一晶體管、該 第二晶體管、該第三晶體管以及該第四晶體管分別包含一薄膜場(chǎng)效晶體管。
26. —種雙向掃描的移位緩存器，其特征在于，包含多級(jí)移位緩存單元 {Sj}， j = 1, 2， .... N， N為一正整數(shù)，其中第j級(jí)的該移位緩存單元Sj 包含一第一輸入，以接收一第一雙向控制信號(hào)以及一第二雙向控制信號(hào)其中之一第二輸入，以接收該第一雙向控制信號(hào)以及一該二雙向控制信號(hào)的另一第三輸入； 一第四輸入；一第五輸入，以接收一頻率信號(hào)； 一第六輸入，以接收一供應(yīng)電壓；以及一輸出，以輸出一輸出信號(hào)Sout(j)，其中該些移位緩存單元(Sj)之間依 序電耦合，藉此，第i級(jí)的該移位緩存單元Si的該第三輸入電耦合至第(i-1) 級(jí)的該移位緩存單元Si—i的該輸出，來(lái)接收其對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)Sout(i-l)，其 中i 二2， 3, 4，... N，且第k級(jí)的該移位緩存單元Sk的該第四輸入電耦合至 該第(k+l)級(jí)的該移位緩存單元Sk+1的該輸出，來(lái)接收其對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào) Sout(k+l)，其中k^1， 2， 3，... (N—1)。
27. 如權(quán)利要求26所述的移位緩存器，其特征在于，還包含一第一開(kāi)始 脈沖輸入線，電耦合至該第一級(jí)的該移位緩存單元Si的該第三輸入，以提供一第一開(kāi)始脈沖予該第三輸入。
28. 如權(quán)利要求26所述的移位緩存器，其特征在于，還包含一第二開(kāi)始 脈沖輸入線，電耦合至該第N級(jí)的該移位緩存單元SN的第四輸入，以提供第N 級(jí)的該移位緩存單元SN的第四輸入一第二開(kāi)始脈沖。
29. 如權(quán)利要求26所述的移位緩存器，其特征在于，進(jìn)一步包含一第一控制線，用于提供該第一雙向控制信號(hào)；以及一第二控制線，用于提供該第二雙向控制信號(hào)。
30. 如權(quán)利要求29所述的移位緩存器，其特征在于，該第一雙向控制信 號(hào)和該第二雙向控制信號(hào)反相。
31. 如權(quán)利要求26所述的移位緩存器，其特征在于，還包含一用于提供 一第一頻率信號(hào)的第一頻率信號(hào)線，以及一用于提供一第二頻率信號(hào)的第二頻 率信號(hào)線，并且其中當(dāng)j為一奇數(shù)時(shí)，第j級(jí)的該移位緩存單元該Sj的第五 輸入電耦合至該第一頻率信號(hào)線和該第二頻率信號(hào)線其中之一，當(dāng)j為一偶數(shù) 時(shí)，電耦合至該第一頻率信號(hào)線和該第二頻率信號(hào)線另一。
32. 如權(quán)利要求26所述的移位緩存器，其特征在于，還包含一參考線， 電耦合至各第j級(jí)的該移位緩存單元Sj的該第六輸入來(lái)提供供應(yīng)電壓。
33. 如權(quán)利要求26所述的移位緩存器，其特征在于，第j級(jí)的該移位緩 存單元Sj還包含一第一晶體管，具有 一柵極，電耦合至該第三輸入 一漏極，電耦合至該第一輸入 一源極，電耦合至一第一節(jié)點(diǎn)一第二晶體管，具有一柵極，電耦合至該第四輸入 一漏極，電耦合至該第一節(jié)點(diǎn) 一源極，電耦合至該第二輸入一第三晶體管，具有' 一柵極，電耦合至一第二節(jié)點(diǎn)， 一漏極，電耦合至該第五輸入； 一源極，電耦合至該輸出；以及以及以及該第二節(jié)點(diǎn)電耦合該第一節(jié)點(diǎn)； 以及一第四晶體管，具有一柵極，電耦合至一第三節(jié)點(diǎn)；一漏極，電耦合至該輸出；以及一源極，電耦合至該第六輸入。
34.如權(quán)利要求33所述的移位緩存器，其特征在于，該第一晶體管、該 第二晶體管、該第三晶體管以及該第四晶體管分別包含一薄膜場(chǎng)效晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種雙向掃描的移位緩存器包括多級(jí)移位緩存單元{S_j}，j＝1，2，…，N，N為一正整數(shù)，第j移位緩存單元{S_j)具有第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管第四晶體管、輸出，其中各級(jí)移位緩存單元具有第一輸入、第二輸入、第三輸入、第四輸入、第五輸入和一第六輸入。第一晶體管的柵極電耦合至第三輸入，漏極電耦合至第一輸入第二晶體管的柵極電耦合至第四輸入，源極電耦合至第二輸入。第三晶體管的漏極電耦合至第五輸入，源極電耦合至輸出。第四晶體管的漏極電耦合至輸出源極電耦合至第六輸入。
文檔編號(hào)G09G3/36GK101515446SQ20091012846
公開(kāi)日2009年8月26日 申請(qǐng)日期2009年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月17日
發(fā)明者劉匡祥, 劉圣超, 林明田, 陳振銘 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司