專利名稱：面發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及面發(fā)光顯示裝置，主要涉及有機(jī)EL面板、液晶面板等薄型顯示器。
背景技術(shù)：
作為薄型顯示器的一例，可知頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的有源方式有機(jī)EL顯示器。圖1表示 該有源方式EL顯示器的面板單元的代表性結(jié)構(gòu)。該面板單元具有下述結(jié)構(gòu)在形成有發(fā)光 元件(例如有機(jī)EL元件)、像素電路等的電路基板(TFT基板)11上，貼合彩色濾光片基板 12。另外，符號13表示外周密封區(qū)域。 圖2A是表示上述電路基板11的配線結(jié)構(gòu)的示意圖。在電路基板ll，存在在縱方 向并列的多個電源線21、和使這些電源線21匯總并向陰極電源端子(GND端子)23引出的 電源總線22。在各電源線21上分別連接有多個像素電路24。 在該電路基板11中，作為慣例，設(shè)置有平坦化樹脂層，因上述像素電路24的 TFT(Thin Film Transistor :薄膜晶體管)等而產(chǎn)生的凹凸被該平坦化樹脂層平坦化。在 該平坦化樹脂層設(shè)置有用于連結(jié)像素電路24和發(fā)光元件的接觸孔27。
各像素電路24，通過數(shù)據(jù)信號線(源極信號線)25與數(shù)據(jù)控制電路17連接，另外， 通過掃描信號線(柵極信號線)26與柵極控制電路18連接。 圖2B是僅將電源周圍的配線抽出并表示的示意圖。如圖所示，作為電源21的配 線，使用的不是整面狀或網(wǎng)眼狀的配線，而常使用走向為一個方向的配線。利用這樣的配 線，相對于圖2A所示的數(shù)據(jù)信號線25和掃描信號線26的電源線21的橫截面積減小，配線 間電容減少，因此，由該配線間電容引起的信號延遲能夠被抑制。另外，在像素較小的情況 下，能夠得到能夠使像素電路24中的晶體管的構(gòu)成面積稍增大一些的優(yōu)點(diǎn)。符號16表示 已集成化的控制電路(數(shù)據(jù)控制電路17和柵極控制電路18)。 圖3表示像素電路24的代表性結(jié)構(gòu)。該像素電路24使用于液晶或有機(jī)EL元件 等的驅(qū)動中，具有作為驅(qū)動用晶體管的TFT32和作為控制用晶體管的TFT33。 TFT33的源極 和柵極分別與數(shù)據(jù)信號線25和掃描信號線26連接。 在該像素電路24中，被施加電壓VDD的電極(全部的像素電路24共同連接的上 部透明電極)為陽極，另外，與TFT32的源極連接的GND為陰極。符號34表示電容器。
接著，對設(shè)置于圖1所示的面板的像素部的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖4A表示像素部的平 面圖。另外，圖4B和圖4C分別表示圖4A的A-A和B-B截面圖。 如圖4B、4C所示，在玻璃基板37上，存在平坦化樹脂層40。如前所述，該平坦化樹 脂層40，為了使因像素電路24的TFT等而產(chǎn)生的凹凸平坦化而設(shè)置。該平坦化樹脂層40， 按照需要，由無機(jī)的鈍化膜覆蓋。 在平坦化樹脂層40上，隔著用于使緊貼性良好的基底層41形成有反射電極42，此 處在發(fā)光部形成有具有開口的絕緣膜43。之后，蒸鍍多個有機(jī)膜44，并在其上進(jìn)行透明電 極層45的成膜。此處，將透明電極層45稱為上部透明電極層。作為該上部透明電極層45，既 可以使用由IZ0、 ITO等氧化物構(gòu)成的透明的層，也可以使用半透明反射鏡(half mirror)
4狀的厚度為數(shù)nm 數(shù)十nm的金屬膜。 圖5A僅表示透明電極層45的配線示意圖。另外，圖5B表示圖5A的C_C截面圖。 因為透明電極層45是全部像素共同的電極，所以如圖5A中符號53所示，具有整面配線結(jié) 構(gòu)(面狀的配線結(jié)構(gòu))。該透明電極層45，在面板外周部與不同于前述的電源總線51連接， 被向端子52引出。這樣，透明電極層45的整個面被阻擋層(barrier layer)46覆蓋。
以上是圖1所示的電路基板11側(cè)的結(jié)構(gòu)。 另一方面，在圖1的彩色濾光片基板12側(cè)，在玻璃基板38上形成有黑矩陣47、彩 色濾光片48，而且根據(jù)需要形成有堤分隔壁(bankpartition wall) 39、色變換層49。當(dāng)然， 也有不使用堤分隔壁39、色變換層49的方式。而且，根據(jù)需要，還可以設(shè)置間隔物50。
上述電路基板11和彩色濾光片基板12，在以像素被恰當(dāng)?shù)匦纬傻姆绞奖欢ㄎ坏?狀態(tài)下貼合。間隙層54—般由粘接劑等固體構(gòu)成，但也可以由液體或氣體構(gòu)成。
在圖2A和圖2B所示的電路基板11中，因為像印刷基板那樣的厚膜配線較為困 難，所以配線電阻不能夠忽視。于是，特別是在像有機(jī)EL面板那樣的使用電流驅(qū)動自發(fā)光 元件的顯示器的情況下，因為與使用液晶等的顯示器相比，在電源線21流動的電流較大， 所以在該電源線21、電源總線22的電壓下降(上升)變大。 上述電壓下降(上升)，在單純地導(dǎo)致電力消耗增加之外，還產(chǎn)生施加于各發(fā)光元 件的電壓的畫面內(nèi)分布，這會引起亮度不均。 另外，像素電路24，在采用圖3所示的結(jié)構(gòu)的情況下，特別是在GND的電位上升時， TFT32的柵極控制電壓會發(fā)生變動，因此，即使電位的面內(nèi)分布很小，也可能會造成極大的 亮度不均。這時，只有被施加正?；蚱涓浇腉ND電位的電源端子23(參照圖2A和圖2B) 附近的很少的像素發(fā)出極明亮的光。若忽視該狀態(tài)地設(shè)定面板整體的平均亮度，則甚至可 能會灼傷畫面。 因此，專利文獻(xiàn)1提出用于抑制這樣的現(xiàn)象的技術(shù)。該專利文獻(xiàn)1所述的技術(shù)，將 第二導(dǎo)電層經(jīng)由接觸孔與作為第一導(dǎo)電層的電源線電連接，由此，形成第一導(dǎo)電層與第二 導(dǎo)電層合并的截面積較大的、即電阻較低的電源線路。 但是，因為上述專利文獻(xiàn)l所述的技術(shù)需要附加上述接觸孔和第二導(dǎo)電層，所以
會導(dǎo)致制造成本的上升和形狀的大型化。 專利文獻(xiàn)1 :專利第3770368號公報

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的課題在于，提供一種面發(fā)光顯示裝置，其能夠不伴隨配線材料的變 更和成本上升地抑制亮度不均、由配線電阻引起的電力消耗的增加。 本發(fā)明涉及具有電路基板的面發(fā)光顯示裝置的改良，該電路基板形成有并列的 多根電源線；連接有該多根電源線的電源總線；具有與上述電源線連接的內(nèi)部線路的多個 像素電路；和由該多個像素電路所分別具備的晶體管驅(qū)動的多個發(fā)光元件。為了解決上述 課題，上述像素電路的內(nèi)部線路，以對于所連接的上述電源線構(gòu)成旁通路、并且構(gòu)成形成該 像素電路的上述晶體管的配線的一部分的方式形成。 本發(fā)明的實(shí)施方式包括用于使因上述電路基板上的電路元素而形成的凹凸平坦 化的平坦化層；和為了連結(jié)上述像素電路和上述發(fā)光元件之間而形成在上述平坦化層的接觸孔區(qū)域，其中，使上述像素電路的內(nèi)部線路的一部分位于上述接觸孔區(qū)域的下方。 作為上述發(fā)光元件，例如使用有機(jī)EL元件。另外，作為上述晶體管，例如使用薄膜
晶體管。 在實(shí)施方式中，上述像素電路的內(nèi)部線路包括第一線路部，其具有與上述電源線 連接的一端部、和設(shè)置有梳齒狀的分支部的另一端部；以及第二線路部，其使上述分支部的 至少一個與連接有上述一端部的上述電源線連接。并且，上述第一線路部作為形成上述晶 體管的源極的配線而形成。 上述像素電路還能夠具有第三線路部，該第三線路部具有與上述第一線路部的上 述分支部嚙合的梳齒狀的分支部。該第三線路部作為形成上述晶體管的漏極的配線而形 成。 另外，為了解決上述課題，本發(fā)明提供對具有上述結(jié)構(gòu)的面發(fā)光顯示裝置進(jìn)一步 附加其它結(jié)構(gòu)的面發(fā)光顯示裝置。該面發(fā)光顯示裝置的上述電源總線，為了調(diào)整與上述多 根電源線各自的連接部位的電位，具有其一部分被在從電源端子向上述連接部位的方向延 伸的縫隙分割的結(jié)構(gòu)。 在本發(fā)明的實(shí)施方式中，上述縫隙設(shè)置有多個，通過該縫隙的數(shù)目、長度和排列間 隔的調(diào)整，調(diào)整上述連接部位的電位。 在本發(fā)明中，作為上述發(fā)光元件，例如使用有機(jī)EL元件，另外，作為上述晶體管， 例如使用薄膜晶體管。 根據(jù)本發(fā)明，因為像素電路的內(nèi)部線路對于所連接的電源線構(gòu)成旁通路，所以該 電源線的電阻被減小，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)亮度不均的抑制和電力消耗的降低。而且，上述旁通 路使用形成像素電路的晶體管的配線的一部分或接觸孔區(qū)域而構(gòu)成，因此，能夠不縮小上 述晶體管的構(gòu)成面積地得到上述效果。 另外，根據(jù)本發(fā)明，進(jìn)一步設(shè)置有利用從電源端子向各電源線的連接部位的方向 延伸的縫隙分割電源總線的一部分，從而調(diào)整各電源線的連接部位的電位的機(jī)構(gòu)。由此，能 夠不伴隨材料、膜厚等工藝的變更或邊框的增大等地得到極高的亮度不均抑制作用，能夠 廉價地實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的面發(fā)光顯示裝置。


圖1是表示一般的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL面板單元的整體圖。 圖2A是表示現(xiàn)有的TFT基板的陰極配線的整體結(jié)構(gòu)的示意圖。 圖2B是現(xiàn)有的TFT基板的陰極配線的示意圖。 圖3是表示一般的TFT基板的像素電路的例子的電路圖。 圖4A是表示頂部發(fā)光型的有機(jī)EL面板的像素部的平面圖。 圖4B是圖4A的A_A截面圖。 圖4C是圖4A的B-B截面圖。 圖5A是表示全部像素共同的整面配線結(jié)構(gòu)的上部共同電極的平面圖。 圖5B是圖5A的C-C截面圖。 圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的面發(fā)光顯示裝置中的電路基板的整體結(jié)構(gòu)的示 意圖。
6
圖7A是表示像素電路的配線結(jié)構(gòu)的一例的示意圖。圖7B是圖7A的D-D截面圖。圖7C是圖7A的E-E截面圖。圖8A是電源總線(陰極側(cè))的整體圖。圖8B是縫隙部的放大圖。符號說明25數(shù)據(jù)信號線(源極信號線)26掃描信號線(柵極信號線)27接觸孔55柵極配線圖案56源極配線圖案57漏極配線圖案59旁通路形成用配線圖案210電源線220電源總線230電源端子240像素電路71 、72縫隙
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。 圖6是本實(shí)施方式的面發(fā)光顯示裝置中的電路基板110的示意圖。在該圖6中， 對與圖2A所示的電路基板11的要素相同的要素標(biāo)注共同的符號。 本實(shí)施方式的面發(fā)光顯示裝置，除電路基板110的結(jié)構(gòu)外，與圖1 圖5B所示的 面發(fā)光顯示裝置具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，以下主要對電路基板110的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
在電路基板110，設(shè)置有電源線210、電源總線220和像素電路240。它們與圖2A 所示的電源線21、電源總線22和像素電路24分別對應(yīng)。其中，像素電路240與圖2A所示 的像素電路24相同，具有圖3所例示的結(jié)構(gòu)。 圖7A示意性地表示像素電路240的配線結(jié)構(gòu)的一個例子。在該配線結(jié)構(gòu)中，形成 有柵極配線圖案55作為第一層的金屬配線圖案，并且，在該柵極配線圖案55上隔著絕緣層 61 (參照圖7C)和Si層29，分別形成有源極配線圖案56、漏極配線圖案57和上述電源線 210分別作為第二層的金屬配線圖案。 柵極控制用元件區(qū)域58，以與柵極配線圖案55相鄰的方式設(shè)置。在該柵極控制用 元件區(qū)域58設(shè)置有圖3所示的TFT(Thin FilmTransistor :薄膜晶體管)33和電容器34， 并且，作為第二層的金屬配線圖案的數(shù)據(jù)信號線(源極信號線)25和作為第一層的金屬配 線圖案的掃描信號線(柵極信號線)26與該柵極控制用元件區(qū)域58連接。
源極配線圖案56，作為形成圖3所示的TFT32的源極的配線而設(shè)置。該源極配線 圖案56的基端部與電源線210的Pa點(diǎn)連接，并且，該源極配線圖案56通過使前端部分支 為梳齒狀而形成與電源線210平行的分支部56a、56b。
另一方面，漏極配線圖案57，作為形成上述TFT32的漏極的配線而設(shè)置。該漏極配 線圖案57的基端部位于旁通路形成用配線圖案59的上方，該漏極配線圖案57具有從該基 端部向上述源極配線圖案56的分支部56a、56b間延伸的分支部57a、和從該基端部向上述 分支部56b與電源線210間延伸的分支部57b。即，該漏極配線圖案57，具有與源極配線圖 案56的梳齒狀的分支部嚙合的梳齒狀的分支部。 另外，源極配線圖案56的分支數(shù)和漏極配線圖案57的分支數(shù)，可以為3以上。
圖7B和圖7C，分別表示圖7A的D-D截面圖和E-E截面圖。 如圖7B所示，作為第一層的金屬配線圖案的上述旁通路形成用配線圖案59，一端 部通過接觸孔60a與源極配線圖案56 (分支部56a的前端部)電連接，而且，另一端部通過 接觸孔60b與電源線210 (圖7A的Pb點(diǎn))電連接。 于是，源極配線圖案56和旁通路形成用配線圖案59，構(gòu)成從電源線210出來，再次 返回電源線210的一系列的旁通線路66。 另一方面，漏極配線圖案57的基端部，隔著絕緣層61和Si層29配置在旁通路形 成用配線圖案59上。在該漏極配線圖案57的基端部上，形成有連接該漏極配線圖案57和 未圖示的EL發(fā)光元件的接觸孔27的區(qū)域。其結(jié)果為，旁通路形成用配線圖案59位于上述 接觸孔27的區(qū)域的下方。 如上所述地使旁通路形成用配線圖案59位于接觸孔27的區(qū)域的下方，能夠帶來 以下優(yōu)點(diǎn)。 S卩，在接觸孔27之下，因為擔(dān)心應(yīng)力和凹凸，所以基本不會配置晶體管等元件圖 案。于是，如果在接觸孔27的區(qū)域的下方設(shè)置旁通路形成用配線圖案59，則能夠避免由于 形成該旁通路形成用配線圖案59而造成的像素內(nèi)的有效面積的減少。
另外，在圖7B、圖7C中，符號37表示玻璃基板，符號40表示平坦化樹脂層、符號 62表示鈍化層、符號41表示反射電極層或基底層。 根據(jù)本發(fā)明的面發(fā)光顯示裝置，由源極配線圖案56和旁通路形成用配線圖案59 構(gòu)成的上述的旁通線路66，形成于各像素電路240。該旁通線路66與電源線210并聯(lián)連接。 于是，在圖6所示的各電源線210中，并聯(lián)連接上述旁通線路66的部位的電阻降低。
上述電阻的降低抑制各電源線210中的電壓下降(上升)，因此帶來電力消耗的降 低。另外，上述電阻的降低使施加在與該各電源線210連接的各像素電路240的發(fā)光元件 上的電壓一致化，因此帶來所謂的亮度不均的降低。 如上所述，上述旁通線路66利用作為形成TFT32的源極的配線而設(shè)置的源極配線 圖案56而構(gòu)成，因此能夠不縮小像素電路240中的晶體管的形成面積地容易地實(shí)現(xiàn)。艮卩， 上述旁通線路66能夠不必在像素電路240內(nèi)確保特別的配置空間地實(shí)現(xiàn)。
另外，如圖7A所示，在本實(shí)施方式中，使柵極配線圖案55的端部位于電源線210 的下方，但也可以不使該端部位于電源線210的下方。 接著，對圖6所示的電源總線220進(jìn)行說明。該電源總線220，在共同連接有各電 源線210的一端的上線路部221、和共同連接有該各電源線210的另一端的下線路部222中 分別形成有縫隙71。 縫隙71，從線路部221 (222)的兩端沿著該線路部221 (222)的長度方向設(shè)置有多 根。這些縫隙71，按照下述方式形成越是位于線路部221 (222)的內(nèi)側(cè)(像素區(qū)域側(cè))長
8度越短，并且，被它們分割的各部分中，越是位于線路部221 (222)的內(nèi)側(cè)的部分寬度越窄。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，各電源線210內(nèi)，越是與電源端子230的距離接近的電源線210，來自 該電源端子230的電阻越高，因此所謂的亮度不均被減小。 即，在不設(shè)置上述縫隙71的情況下，各電源線210內(nèi)，對于與電源端子230的距離 越短的電源線210，來自該電源端子230的電阻越低，因此產(chǎn)生經(jīng)由離電源端子230較近的 電源線210被供電的發(fā)光元件的亮度高于經(jīng)由離電源端子230較遠(yuǎn)的電源線210被供電的 發(fā)光元件的高度的所謂亮度不均。 與此相對，在設(shè)置有上述縫隙71的情況下，利用該縫隙71，電源端子230與各電源 線210間的電阻被平均化，因此能夠有效地抑制如上所述的亮度不均。
另外，在僅設(shè)置有一個電源端子230的情況下，設(shè)置從線路部221 (222)的一端部 (離電源端子230近的一側(cè)的端部)向另一端部延伸的縫隙組即可。在該情況下，縫隙的數(shù) 目、間隔和長度，被適宜地設(shè)定，使得電源端子230與各電源線210間的電阻被平均化。
接著，考慮電源總線220的進(jìn)一步低電阻化。數(shù)據(jù)信號線25、掃描信號線26，在保 持絕緣的同時與電源總線220交叉，但并不必在整個面交叉。因此，如圖6中陰影線和標(biāo)注 符號220a所表示的那樣，通過在沒有與掃描信號線26交叉的部分疊層導(dǎo)電層，能夠降低電 源總線220的電阻。 另外，總線220的右側(cè)線路雖然沒有與掃描信號線26交叉，但為了實(shí)現(xiàn)與左側(cè)線
路的電阻的對稱性，以與左側(cè)線路相同的方式疊層有導(dǎo)電體。
[實(shí)施例] 根據(jù)圖6、圖7、圖7B和圖7C所示的結(jié)構(gòu)對實(shí)施例進(jìn)行說明。面板的像素尺寸為 60iimX180iimXRGB，像素數(shù)為橫240RGBX縱320的QVGA，畫面尺寸為約3inch，電源總線 的容許寬度大致為2mm，電源端子的引出位置為兩處。 在畫面內(nèi)，直線連接縱320個的各個像素的約8ii m寬的電源線210，配置為
240 X 3根，它們的兩端與電源總線220連接。然后，在各像素內(nèi)，以3 5 ii m左右的寬度的
配線，形成晶體管等電路圖案。另外，各像素的控制，通過連接置于畫面外的控制IC(包含
數(shù)據(jù)控制電路17和柵極控制電路18的集成電路)和信號線25、26而進(jìn)行。 在設(shè)計陰極側(cè)電源線圖案時，著眼于主要晶體管(圖3的TFT32)的源極配線圖案
56與陰極為同電位這一點(diǎn)，通過使該源極配線圖案56與電源線210在像素的長度方向上的
2點(diǎn)連接，形成具有旁通路結(jié)構(gòu)的線路圖案。這時，如圖7A、圖7B所示，為了有效利用像素
內(nèi)空間，采用旁通路形成用配線圖案59在通常不設(shè)置電路圖案的平坦化樹脂層40的接觸
孔27之下穿過的結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，在配線交叉之處以夾著絕緣膜的方式設(shè)計。 源極配線圖案56和電源線210，分別通過接觸孔60a和60b與旁通路形成用配線
圖案59連接，由此，形成像素內(nèi)旁通路線66。 像素內(nèi)旁通路線66與電源線210并聯(lián)連接。在該情況下，與電源線210單體的電 阻相比，能夠使配線電阻削減3成左右。 關(guān)于電源總線220，如圖8A所示，采用具有4處如圖8B(圖8A的X部的放大圖) 所示的由縫隙71、72形成的6分割結(jié)構(gòu)部的圖案。圖8A的面板基本上左右對稱，因此，將 與像素數(shù)目的一半對應(yīng)的120XRGB = 360的1/6即60根的電源線210作為1區(qū)塊，以使 被縫隙71、72分割的部分的寬度與從電源端子230到各個區(qū)塊的距離的比相對應(yīng)的方式設(shè)定。 另外，縫隙71、72的寬度與電源總線整體的寬度約2mm相比極小(約10 y m)。另 外，縫隙71具有在電源總線220內(nèi)外周閉合的形狀，縫隙72具有在電源總線220內(nèi)外周不 閉合的形狀。 在TFT基板(圖6所示的電路基板110)的制作中，首先，在200mm X 200mm X厚度 0. 7mm的無堿玻璃(AN-100 :旭硝子制造)上，進(jìn)行400nm MoCr膜的濺射成膜，利用光刻法， 形成包含圖8A所示的電源總線圖案的第一層規(guī)定的金屬圖案。 接著，在該金屬圖案上形成構(gòu)成絕緣層61 (參照圖7C)的無機(jī)絕緣膜，在其上形成 非晶Si層作為Si層29。之后，以300nm的厚度進(jìn)行第二層MoCr膜的濺射成膜，利用光刻 法形成圖案。第二層MoCr膜形成電源線210，該電源線210連接縱320個的各個像素，并 且在兩端與電源總線220連接。另外，該第二層MoCr膜，也作為跨在由第一層金屬形成的 電源總線220上的信號線26被利用。但是，因為存在不作為信號線使用的空間，所以如圖 6所示，電源總線220采用部分具有多層配線部220a的結(jié)構(gòu)。上下疊層的MoCr層，通過在 絕緣層利用干蝕刻事先形成的多個接觸孔而被連接。 在形成第二層MoCr膜后，由CVD裝置形成鈍化膜(SiN 300nm)，由干蝕刻形成有機(jī) EL元件連接用的開口 、端子的開口 。接著，通過光刻法形成厚度約2 m的平坦化樹脂層40， 緩和配線的高低差。另外，在TFT和有機(jī)EL元件的連接部，也形成錐度角(taper angle) 緩和的接觸孔27。光刻處理之后，將TFT基板在約22(TC下烘烤約1小時，除去平坦化樹脂 層40的水分。S卩，在處理上與通常的非晶Si-TFT基板的制作相比沒有任何變化。
接著，形成有機(jī)EL元件。首先，在TFT基板上形成厚度300nm的Si02鈍化膜，通 過干蝕刻在接觸孔部、端子部設(shè)置開口。接著對作為用于提高緊貼性的基底層41的IZ0進(jìn) 行50nm的濺射成膜。這時，使用RF-平面磁控管作為濺射裝置，此外，作為氣體使用Ar。
該IZ0層通過設(shè)置在平坦化樹脂層40和鈍化層62的接觸孔27與TFT連接。接著， 在該IZ0層上濺射形成lOOnm的Ag合金，在對其涂敷抗蝕劑"0FRP-800"(商品名，東京應(yīng) 化制造)后，進(jìn)行曝光、顯影，通過濕蝕刻，形成每個子像素島狀分離的反射電極42。在其上 形成30nm的IZ0，通過同樣的處理，以覆蓋Ag合金的反射電極42的方式形成島狀的圖案。 此時，上述的基底層41也同時被圖案化，分離于各個電極q。接著，在被IZ0覆蓋的島狀的反 射電極42上，以旋轉(zhuǎn)涂敷法涂敷1 P m的酚醛清漆(novolac)類樹脂膜("JEM-700R2"JSR 制造)，以在發(fā)光的部位形成窗口的方式利用光刻法形成有機(jī)絕緣膜43。
接著，將其安裝在電阻加熱蒸鍍裝置內(nèi)，在反射電極42上堆積1. 5nm的Li ，得到陰 極緩沖層。然后，不破壞真空地依次形成電子輸送層、發(fā)光層、空穴輸送層、空穴注入層。在 成膜時，真空槽內(nèi)壓減壓至IX 10—4Pa。各個層以0. lnm/s的蒸鍍速度被堆積，作為電子輸送 層使用膜厚20nm的三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)，作為發(fā)光層使用膜厚30nm的4-4' -二 (2-2' _二苯乙烯基)聯(lián)苯(0 ￥81)，作為空穴輸送層使用膜厚1011111的4-4' -二 [N-(l-萘 基)-N-苯基氨]聯(lián)苯(ci-NPD)，作為空穴注入層使用膜厚100nm的銅酞菁(CuPc)。然后， 在其上進(jìn)一步蒸鍍5nm的MgAg，作為進(jìn)行透明電極的濺射成膜時的損傷緩和層。不破壞真 空地使其移動至對置濺射裝置，進(jìn)行200nm的作為透明電極45的IZO的成膜。在這些蒸鍍 和濺射成膜時，應(yīng)用在與顯示部對應(yīng)的位置開有四角窗口的區(qū)域開口形的金屬掩膜。進(jìn)一 步不破壞真空地使基板移動至CVD裝置，以2 ii m的厚度，整個面地形成作為阻擋層46的
另一方面，在彩色濾光片基板側(cè)，首先在200mmX200mmX厚度0. 7mm的無堿玻 璃(Eagle2000 :康寧公司制造)上，使用光刻法形成厚度1 P m的黑矩陣47(CK_7001 :Fuji Film ARCH制造)。接著，彩色濾光片48是通過光刻法分別形成紅色(CR-7001 :Fuji Film ARCH制造)、綠色(CG-7001 :Fuji Film ARCH制造)、藍(lán)色(CB-7001 :FujiFilm ARCH制造)。 均為厚度約1.5iim的長條形狀。接著，使用感光性樹脂(CR-600 :日立化成工業(yè)制造)，通 過光刻法，在黑矩陣上形成長條形分隔壁39在與彩色濾光片的長條相同的方向上延伸的 堤結(jié)構(gòu)體。堤分隔壁的寬度為約14ym，高度為約5ym。在其上再次涂敷該感光性樹脂，通 過光刻法形成間隔物50。間隔物50的直徑為約15 ii m，高度為約2 y m，位于被黑矩陣隱藏 的位置。 接著，在使該彩色濾光片基板加熱干燥后，將其設(shè)置在多噴嘴式噴墨裝置(擊中 精度約士5iim)中，該噴墨裝置設(shè)置在氧50卯m、氮50卯m以下的環(huán)境中，在使用在黑矩陣 制作而成的標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)之后，將溶解于溶劑的紅和綠的色變換材料瞄準(zhǔn)與各自的顏色對 應(yīng)的像素的堤中央部噴出并掃描，在對畫面整體進(jìn)行涂敷后，不破壞氮?dú)夥盏厥蛊湟詼囟?IO(TC被干燥。(略去關(guān)于色變換材料的說明) 接著，使有機(jī)EL基板和彩色濾光片基板移動至保持在氧5卯m、水分5ppm以下的 環(huán)境中的貼合裝置中。然后，將彩色濾光片基板的處理面朝上地進(jìn)行設(shè)置，在多個畫面的各 自的外周使用分配器(dispenser)不留縫隙地涂敷環(huán)氧類紫外線固化粘接劑(XNR-5516 : Nagase chemteX公司制造)，即形成所謂堤，之后，在各畫面中央附近，滴下粘度更低的熱固 化型環(huán)氧粘接劑。作為滴下裝置，使用噴出精度5%以內(nèi)的旋轉(zhuǎn)式機(jī)械計量閥。
然后，將形成有有機(jī)EL元件的TFT基板以處理面向下的狀態(tài)進(jìn)行設(shè)置，在使其和 彩色濾光片基板的處理面彼此相對的狀態(tài)下，減壓至約10Pa左右，之后使兩基板平行地接 近至約30 ii m左右，在外周密封部件整周與有機(jī)EL基板接觸的狀態(tài)下，由對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)使兩基 板的像素位置相配合，之后在恢復(fù)大氣壓的同時施加微小的負(fù)荷。 滴下的熱固化型環(huán)氧粘接劑擴(kuò)散至面板周邊部，在彩色濾光片基板的間隔物前端 與帶有機(jī)EL元件的TFT基板接觸處停止。對其從彩色濾光片基板側(cè)僅在外周密封部經(jīng)由 掩膜照射紫外線而使其初步硬化，并取出至一般環(huán)境。 之后，使用自動玻璃劃線機(jī)(scriber)和斷裂(break)裝置，使其分割為各個面板 (在此階段沒有IC(控制用集成電路))。將其放入加熱爐以8(TC加熱1小時，在爐內(nèi)自然 冷卻30分鐘后取出。將其放入干蝕刻裝置，除去覆蓋端子部15、 IC連接用墊的厚度2 ii m 的阻擋層。最后，COG連接控制用IC，制作出圖1所示的面板單元。 在現(xiàn)有的面板中，整個面點(diǎn)亮?xí)r的亮度不均在畫面整體為約40% (取決于流動的 電流值)，但如果使用通過本發(fā)明的旁通路結(jié)構(gòu)而使電阻削減約3成左右的電源線210，則 能夠?qū)⑼瑯訔l件下的亮度不均降低為約30%。進(jìn)一步，在其中使用配置有縫隙71、72的電 源總線220的情況下，能夠?qū)⑼瑯訔l件下的亮度不均降低為約10% 20%左右，幾乎無法 分辨。另外，與GND電位上升的抑制相對應(yīng)地，能夠降低被配線消耗的電力。
另外，為了進(jìn)一步降低亮度不均，可以預(yù)先通過模擬獲得將沿著電源線210的一 維亮度分布修正為平坦的系數(shù)，將該系數(shù)設(shè)置于圖像控制電路，利用軟件方法修正上述一 維亮度分布。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性 能夠不伴隨配線材料的變更、成本的上升地抑制由亮度不均、配線電阻導(dǎo)致的電 力消耗的增加，因此，能夠有效地應(yīng)用于有機(jī)EL面板、液晶面板等薄型顯示器。
權(quán)利要求
一種面發(fā)光顯示裝置，其具有電路基板，該電路基板形成有并列的多根電源線；連接有該多根電源線的電源總線；具有與所述電源線連接的內(nèi)部線路的多個像素電路；和由該多個像素電路所分別具備的晶體管驅(qū)動的多個發(fā)光元件，該面發(fā)光顯示裝置的特征在于所述像素電路的內(nèi)部線路，以對于所連接的所述電源線構(gòu)成旁通路、并且構(gòu)成形成該像素電路的所述晶體管的配線的一部分的方式形成。
2. 如權(quán)利要求1所述的面發(fā)光顯示裝置，其特征在于，包括 用于使因所述電路基板上的電路元件而形成的凹凸平坦化的平坦化層；禾口 為了連結(jié)所述像素電路和所述發(fā)光元件之間而形成于所述平坦化層的接觸孔區(qū)域，其中使所述像素電路的內(nèi)部線路的一部分位于所述接觸孔區(qū)域的下方。
3. 如權(quán)利要求l所述的面發(fā)光顯示裝置，其特征在于 所述發(fā)光元件是有機(jī)EL元件。
4. 如權(quán)利要求l所述的面發(fā)光顯示裝置，其特征在于 所述晶體管是薄膜晶體管。
5. 如權(quán)利要求l所述的面發(fā)光顯示裝置，其特征在于 所述像素電路的內(nèi)部線路包括第一線路部，其具有與所述電源線連接的一端部、和設(shè)置有梳齒狀的分支部的另一端 部；以及第二線路部，其使所述分支部的至少一個與連接有所述一端部的所述電源線連接，其中所述第一線路部作為形成所述晶體管的源極的配線而形成。
6. 如權(quán)利要求5所述的面發(fā)光顯示裝置，其特征在于所述像素電路還具有第三線路部，該第三線路部具有與所述第一線路部的所述分支部 嚙合的梳齒狀的分支部，該第三線路部作為形成所述晶體管的漏極的配線而形成。
7. —種面發(fā)光顯示裝置，其具有電路基板，該電路基板形成有并列的多根電源線；連 接有該多根電源線的電源總線；具有與所述電源線連接的內(nèi)部線路的多個像素電路；和由 該多個像素電路所分別具備的晶體管驅(qū)動的多個發(fā)光元件，該面發(fā)光顯示裝置的特征在 于所述像素電路的內(nèi)部線路，以對于所連接的所述電源線構(gòu)成旁通路、并且構(gòu)成形成該 像素電路的所述晶體管的配線的一部分的方式形成，所述電源總線，為了調(diào)整與所述多根電源線各自的連接部位的電位，其一部分被從電 源端子向所述連接部位延伸的縫隙分割。
8. 如權(quán)利要求7所述的面發(fā)光顯示裝置，其特征在于所述縫隙設(shè)置有多個，通過該縫隙的數(shù)目、長度和排列間隔的調(diào)整，調(diào)整所述連接部位 的電位。
9. 如權(quán)利要求7所述的面發(fā)光顯示裝置，其特征在于 所述發(fā)光元件是有機(jī)EL元件。
10. 如權(quán)利要求7所述的面發(fā)光顯示裝置，其特征在于所述晶體管是薄膜晶體管'
全文摘要
本發(fā)明提供面發(fā)光顯示裝置，其具有電路基板(110)，該電路基板(110)形成有并列的多根電源線(210)；連接有該多根電源線(210)的電源總線(220)；具有與電源線(210)連接的內(nèi)部線路(66)的多個像素電路(240)；和由多個像素電路(240)所分別具有的晶體管驅(qū)動的多個發(fā)光元件。像素電路(240)的內(nèi)部線路(66)，以對于所連接的電源線(210)構(gòu)成旁通路、并且構(gòu)成形成像素電路(240)的晶體管的配線的一部分的方式形成。
文檔編號G09F9/30GK101796562SQ20088010543
公開日2010年8月4日 申請日期2008年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月2日
發(fā)明者仲村秀世 申請人:富士電機(jī)控股株式會社