專利名稱：電致發(fā)光顯示面板和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本說(shuō)明書中描述的發(fā)明涉及由有源矩陣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)和控制的電致發(fā)光
(EL)顯示面板的面板結(jié)構(gòu)。另外，本說(shuō)明書中提出的發(fā)明具有包括EL顯 示面板的電子設(shè)備的方面。
背景技術(shù)：
圖1顯示了有源矩陣驅(qū)動(dòng)類型的有機(jī)EL面板的典型電路塊配置。如圖1 所示，有機(jī)EL面板1包括像素陣列部分3、作為用于驅(qū)動(dòng)像素陣列部分3 的驅(qū)動(dòng)電路的寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分5、以及水平選擇器7。另外，像素陣列部 分3具有布置在信號(hào)線DTL和寫入控制線WSL的每個(gè)交叉點(diǎn)處的像素電路 9。
有機(jī)EL元件是電流發(fā)光元件。有機(jī)EL面板因此采用了一種驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)， 該驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)通過(guò)控制流過(guò)對(duì)應(yīng)于每個(gè)^"素的有機(jī)EL元件的電流量來(lái)控制灰 度級(jí)(gradation)。圖2顯示了這種像素電路9的最簡(jiǎn)單的電路配置的之一。 這種像素電路9包括采樣晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)晶體管T2、以及存儲(chǔ)電容器Cs。
采樣晶體管Tl為薄膜晶體管，用于控制將對(duì)應(yīng)于相應(yīng)的像素的灰度級(jí)的 信號(hào)電壓Vsig寫入到存儲(chǔ)電容器Cs。驅(qū)動(dòng)晶體管T2為薄膜晶體管，用于基 于柵極-源極電壓Vgs將驅(qū)動(dòng)電流Ids施加到有機(jī)EL元件OLED，該柵極-源極電壓Vgs根據(jù)由儲(chǔ)存電容器Cs保持的信號(hào)電壓Vsig來(lái)確定。在圖2的 情況中，采樣晶體管Tl由n-溝道型薄膜晶體管形成，而驅(qū)動(dòng)晶體管T2由p-溝道型薄膜晶體管形成。
在圖2的情況中，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極連接到電源線，該電源線上施加 固定電勢(shì)(電源電勢(shì)Vcc)，并且驅(qū)動(dòng)晶體管T2在所有時(shí)間運(yùn)行在飽和區(qū)。 也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2作為恒流源運(yùn)行，其為有機(jī)EL元件OLED提供具 有對(duì)應(yīng)于信號(hào)電壓Vsig的幅值的驅(qū)動(dòng)電流。這時(shí)，通過(guò)下面的等式給出驅(qū)動(dòng) 電流Ids。
Ids = k.ir(Vgs - Vth)2/2其中p是驅(qū)動(dòng)晶體管T2的多數(shù)載流子的遷移率，Vth是驅(qū)動(dòng)晶體管T2 的閾值電壓，而k是由(W/L)'Cox給出的系數(shù)，其中W是溝道寬度，L是溝 道長(zhǎng)度，Cox是每單位面積的柵電容。
另外，已知在此配置的像素電路的情況中，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的漏電壓如圖 3所示隨著有機(jī)EL元件的I-V特性的實(shí)時(shí)變化而改變。然而，因?yàn)闁艠O-源 極電壓Vgs保持恒定，所以提供到有機(jī)EL元件的電流量是不變的，使得發(fā) 光亮度可以保持恒定。
下面是涉及采用有源矩陣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有機(jī)EL面板顯示的文獻(xiàn)。
公開號(hào)2003 _ 255856的日本專利公開
公開號(hào)2003 - 271095的日本專利公開
公開號(hào)2004 - 133240的日本專利公開
公開號(hào)2004 - 029791的日本專利公開
公開號(hào)2004 - 093682的日本專利公開
發(fā)明內(nèi)容
圖2所示的電路配置可能取決于一種薄膜工藝而不能被采用。也就是說(shuō)， 目前的薄膜工藝可能不允許采用p-溝道型薄膜晶體管。在這種情況下，用n-溝道型薄膜晶體管替代驅(qū)動(dòng)晶體管T2。
圖4顯示了這種像素電路的配置。在這種情況中，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極 連接到有機(jī)EL元件OLED的陽(yáng)極端。然而，在這種像素電路的情況中，柵 極-源極電壓Vgs隨著有機(jī)EL元件的I-V特性的實(shí)時(shí)變化而改變。柵極-源極電壓Vgs的這種變化改變了驅(qū)動(dòng)電流量，并且改變了發(fā)光亮度。
另夕卜，在每個(gè)像素中形成每個(gè)像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值和遷移率 不同。驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值和遷移率的不同表現(xiàn)為驅(qū)動(dòng)電流值的變化，因而 在每個(gè)像素中發(fā)光亮度發(fā)生變化。
因此，在采用圖4所示的像素電路的情況中，需要建立一種驅(qū)動(dòng)方法， 通過(guò)該方法可以獲得穩(wěn)定的發(fā)光特性，而不考慮實(shí)時(shí)變化。同時(shí)，希望實(shí)現(xiàn) 制造成本低的EL顯示面板。
因此，發(fā)明人等人提出了一種EL顯示面板包括像素陣列部分，在該 像素陣列部分中以矩陣形式布置電致發(fā)光顯示元件，該顯示元件的發(fā)光狀態(tài)
由有源矩陣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)控制；第一寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和第二寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分，被配置為從像素陣列部分的兩側(cè)驅(qū)動(dòng)每個(gè)寫入控制線；以及第一電源 線驅(qū)動(dòng)部分和第二電源線驅(qū)動(dòng)部分，被配置為驅(qū)動(dòng)從像素陣列部分的兩側(cè)沿 著水平線的方向布置的電源線。
有理由希望第一電源線驅(qū)動(dòng)部分和第二電源線驅(qū)動(dòng)部分分別被布置在第 一寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和像素陣列部分之間以及第二寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和 像素陣列部分之間。
另外，希望形成位于形成第一電源線驅(qū)動(dòng)部分和第二電源線驅(qū)動(dòng)部分的 最后輸出級(jí)的輸出緩沖電路，使得薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度的方向平行于信號(hào) 線。
另外，希望形成位于形成第一電源線驅(qū)動(dòng)部分和第二電源線驅(qū)動(dòng)部分的 最后輸出級(jí)的輸出緩沖電路，使得薄膜晶體管的溝道的寬度在信號(hào)線的方向 上大于一個(gè)像素的長(zhǎng)度。
通過(guò)采用這種布置結(jié)構(gòu)，可以相對(duì)于像素管腳間距(pitch)增大形成緩
沖電路的晶體管的尺寸。另外，可以縮短在電源線和晶體管的主電極之間的 布線距離。因而減小緩沖電路的阻抗值，使得可以降低電源線電勢(shì)的波形的
鈍化(bluntness)和減小阻抗。
另外，希望在像素陣列部分內(nèi)的寫入控制線和電源線為低阻抗布線。例
如，希望低阻抗布線為鋁、銅、金或這些金屬的合金。通過(guò)采用低阻抗布線，
可以降低電源線電勢(shì)的波形的鈍化和減'J 、阻抗。
發(fā)明人等人還提出了 一種包括上述配置的EL顯示面板的電子設(shè)備。 該電子設(shè)備包括上述配置的EL顯示面板，被配置來(lái)控制整個(gè)系統(tǒng)的操
作的系統(tǒng)控制部分，以及被配置來(lái)接收到系統(tǒng)控制部分的操作輸入的操作輸
入部分。
根據(jù)由發(fā)明人等人提出的本發(fā)明的實(shí)施例，可以通過(guò)布置在像素陣列部 分的兩側(cè)的電源線驅(qū)動(dòng)部分同時(shí)驅(qū)動(dòng)電源線，該電源線用于提供電流到每個(gè) 像素區(qū)域中的EL發(fā)光元件。因此即使當(dāng)像素陣列部分的尺寸增大和用于驅(qū) 動(dòng)電源線的時(shí)間縮短時(shí)，也可以降低寫入控制線的波形的鈍化，并且有效抑 制陰影的出現(xiàn)。
另外，通過(guò)將成對(duì)的電源線驅(qū)動(dòng)部分布置得比寫入控制線部分更靠近像 素陣列部分，從電源線驅(qū)動(dòng)部分的輸出端延伸的電源線的布線長(zhǎng)度可以比在 電源線驅(qū)動(dòng)部分被布置在寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分的外部的情況下更短。另外，通過(guò)將電源線驅(qū)動(dòng)部分布置在寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分的內(nèi)部，可以 減少電源線三維地穿越其他驅(qū)動(dòng)部分的布線的次數(shù)。通常，具有相對(duì)高阻抗 值的布線因?yàn)楣に嚨脑虮挥米鹘徊娌糠值牟季€。因此減少三維交叉部分有 效地減少在電源線驅(qū)動(dòng)部分的負(fù)載。
從而可以降低在白色顯示時(shí)電源線中的電壓降。這意味著在白色顯示時(shí) 和黑色顯示時(shí)之間的電壓降之間的差別減小。因此，可以獲得既無(wú)串?dāng)_又無(wú) 陰影的均勻圖像質(zhì)量。
圖1是有助于解釋有機(jī)EL面板的電路塊配置的視圖； 圖2是有助于解釋像素電路和驅(qū)動(dòng)電路之間的連接關(guān)系的視圖； 圖3是有助于解釋有機(jī)EL元件的I-V特性的實(shí)時(shí)變化的視圖； 圖4是顯示像素電路的另一示例的視圖； 圖5是顯示有機(jī)EL面板的外部配置的示例的視圖； 圖6是顯示有機(jī)EL面板的系統(tǒng)配置的示例的視圖； 圖7是有助于解釋像素電路和驅(qū)動(dòng)電路之間的連接關(guān)系的視圖； 圖8是顯示根據(jù)實(shí)施例的像素電路的配置的示例的視圖； 圖9A和9B是有助于解釋根據(jù)寫入線上的位置關(guān)系產(chǎn)生的電勢(shì)變化之間 的差別的視圖10是顯示寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和電源線驅(qū)動(dòng)部分的內(nèi)部配置的示例 的視圖11是有助于解釋圖10中虛線區(qū)域的局部結(jié)構(gòu)的視圖12A、 12B、 12C、 12D和12E是表示根據(jù)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)操作的示例的
視圖13是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖； 圖14是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖； 圖15是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖； 圖16是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖； 圖n是顯示源極電勢(shì)隨時(shí)間變化的視圖； 圖18是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖19是顯示隨時(shí)間而發(fā)生的變化之間的差別的視圖，該差別是因?yàn)檫w移率的差別；
圖20是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖21是顯示根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)EL面板的配置的另一示例的視圖； 圖22是有助于解釋像素電路和驅(qū)動(dòng)電路之間的連接關(guān)系的視圖； 圖23是顯示根據(jù)實(shí)施例的像素電路的配置的示例的視圖； 圖24是顯示寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和電源線驅(qū)動(dòng)部分的內(nèi)部配置的示例 的視圖25是顯示所顯示的圖像的示例的視圖26是顯示所顯示的圖像的示例的視圖27是顯示輸出緩沖電路的電路配置的示例的視圖28是顯示在形成輸出緩沖電路的末級(jí)的反相器電路中采用的水平型 布置圖案的示例的視圖29是顯示在形成輸出緩沖電路的末級(jí)的反相器電路中采用的垂直型 布置圖案的示例的視圖30是有助于解釋像素電路和驅(qū)動(dòng)電路之間的另 一連接關(guān)系的視圖31A、 31B、 31C、 31D和31E是表示像素電路的驅(qū)動(dòng)操作的示例的視
圖32是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖33是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖34是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖35是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖36是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖37是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖38是有助于解釋像素電路的操作狀態(tài)的視圖39是顯示電子設(shè)備的概念配置的示例的視圖40是顯示電子設(shè)備的產(chǎn)品的示例的視圖41A和41B是顯示電子設(shè)備的產(chǎn)品的示例的視圖42是顯示電子設(shè)備的產(chǎn)品的示例的視圖43A和43B是顯示電子設(shè)備的產(chǎn)品的示例的視圖；以及
圖44是顯示電子設(shè)備的產(chǎn)品的示例的視圖。
具體實(shí)施例方式
在此將對(duì)于本發(fā)明被應(yīng)用于有源矩陣驅(qū)動(dòng)型的有機(jī)EL面板的情況進(jìn)行 描述。
另外，在有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中已知或公知的技術(shù)應(yīng)用于附圖中未具體顯示的 或本說(shuō)明書中未具體描述的部分。此外，下面要描述的各實(shí)施例每個(gè)均為本
發(fā)明的實(shí)施例，而本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。
(A) 外部配置
另外，在本說(shuō)明書中，不僅將其中采用相同的半導(dǎo)體工藝在相同襯底上 形成像素陣列部分和驅(qū)動(dòng)電路的顯示面板稱為有機(jī)EL面板，也將其中作為 專用IC制造的驅(qū)動(dòng)電路例如被安裝在具有在其上形成的像素陣列部分的襯 底上的顯示面板稱為有機(jī)EL面板。
圖5顯示了有機(jī)EL面板的外部配置的示例。有機(jī)EL面板11具有一種 結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中計(jì)數(shù)器部分15被層壓到支撐襯底13的像素陣列部分形成 區(qū)域。
計(jì)數(shù)器部分15具有一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中玻璃、塑料膜或其他透明部件 被用作基礎(chǔ)材料，而有機(jī)EL層、保護(hù)膜等被層壓到基礎(chǔ)材料的表面。
另外，有機(jī)EL面板11具有FPC (柔性印刷電路)17,用于將信號(hào)等輸 入或輸出到支撐村底13。
(B) 第一實(shí)施例 (B-l)系統(tǒng)配置
下面將示出有機(jī)EL面板11的系統(tǒng)配置的示例，該有機(jī)EL面板防止了 驅(qū)動(dòng)晶體管T2的特性變化并且僅需要少量元件形成像素電路。另外，本實(shí)施 例假設(shè)有機(jī)EL面板具有大的屏幕尺寸。
圖6顯示了有機(jī)EL面板11的系統(tǒng)配置的示例。在圖6中顯示的有機(jī)EL 面板ll包括像素陣列部分21、用作像素陣列部分21的驅(qū)動(dòng)電路的寫入控制 線驅(qū)動(dòng)部分23和電源線驅(qū)動(dòng)部分25、水平選擇器27和定時(shí)發(fā)生器29。
像素陣列部分21具有矩陣結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中子像素被布置在信號(hào)線DTL 和寫入控制線WSL的每個(gè)交叉位置。另外，子像素是形成一個(gè)像素的像素結(jié) 構(gòu)的最小單元。例如，作為白色單元的一個(gè)像素由不同有機(jī)EL材料的3個(gè) 子像素(R、 G和B)形成。
圖7顯示了對(duì)應(yīng)于子像素的像素電路31和每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路之間連接關(guān)系。圖8顯示了在第一實(shí)施例中提出的像素電路31的內(nèi)部配置。圖8示出的像素 電路包括兩個(gè)n-溝道型薄膜晶體管Tl和T2和一個(gè)存儲(chǔ)電容器Cs。
同樣，在這個(gè)電路配置中，寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23用于通過(guò)寫入控制線 WSL執(zhí)行采樣晶體管T1的打開和關(guān)閉控制，從而控制將信號(hào)線電勢(shì)寫入存 儲(chǔ)電容器Cs。另外，寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23由具有多個(gè)輸出級(jí)的移位寄存 器形成，輸出級(jí)的級(jí)數(shù)與垂直分辨率的值相等。
本實(shí)施例采用了一種系統(tǒng)，在該系統(tǒng)中通過(guò)相同脈沖操作的兩個(gè)寫入控 制線驅(qū)動(dòng)部分23被布置在像素陣列部分21的兩側(cè)，以便從像素陣列部分21 的兩側(cè)同時(shí)驅(qū)動(dòng)一條寫入控制線WSL。
當(dāng)有機(jī)EL面板11具有大屏幕尺寸時(shí)，如圖9A和9B所示，在遠(yuǎn)離寫 入控制線驅(qū)動(dòng)部分23的位置的寫入控制線WSL的電勢(shì)的改變(圖9B)與在 靠近寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23的位置的寫入控制線WSL的電勢(shì)的改變(圖9A) 相比更容易變鈍。另外，由波形的鈍化導(dǎo)致的寫入時(shí)間的差別使得難以進(jìn)行 正常的信號(hào)電勢(shì)寫入操作，并導(dǎo)致陰影。
另一方面，當(dāng)兩個(gè)寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23被布置在像素陣列部分21的 兩側(cè)時(shí)，由每個(gè)單獨(dú)的寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23驅(qū)動(dòng)的范圍減半，并且可以將 寫入控制線WSL的電勢(shì)變化的延遲和鈍化最小化。
應(yīng)當(dāng)注意，在第一實(shí)施例中，寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23被布置為比電源線 驅(qū)動(dòng)部分25更靠近像素陣列部分21。
電源控制線驅(qū)動(dòng)部分25用于在二進(jìn)制基礎(chǔ)上通過(guò)電源線DSL控制連接 到驅(qū)動(dòng)晶體管T2的一個(gè)主電極的電源線DSL,從而通過(guò)與其他驅(qū)動(dòng)電路互 鎖的操作控制像素電路內(nèi)的操作。在這種情況中的操作不僅包括有機(jī)EL元 件的發(fā)射和不發(fā)射，還包括校正特性變化的操作。在本實(shí)施例中，特性變化 的校正意味著對(duì)由于閾值的變化和驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率的變化的均勻性 劣化(degradation)的才交正。
在本實(shí)施例中，提供數(shù)量同樣是兩個(gè)的電源線驅(qū)動(dòng)部分25。兩個(gè)電源線 驅(qū)動(dòng)部分25被布置在像素陣列部分21的兩側(cè)，以便從像素陣列部分21的兩 側(cè)同時(shí)驅(qū)動(dòng)一條電源線DSL。這是因?yàn)楫?dāng)有機(jī)EL面板11具有大屏幕尺寸時(shí)， 在遠(yuǎn)離電源線驅(qū)動(dòng)部分25的位置的電源線DSL的電勢(shì)變化傾于變鈍，從而 難以進(jìn)行正常的定時(shí)控制。
另一方面，當(dāng)兩個(gè)電源線驅(qū)動(dòng)部分25被布置在像素陣列部分21的兩側(cè)時(shí)，由每個(gè)單獨(dú)的電源線驅(qū)動(dòng)部分25驅(qū)動(dòng)的范圍減半，并且可以最小化電源
線DSL的電勢(shì)變化的延遲和鈍化。
應(yīng)當(dāng)注意，在第一實(shí)施例中，電源線驅(qū)動(dòng)部分25被布置在寫入控制線驅(qū) 動(dòng)部分23的外部。
為了便于參考，圖10顯示了寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23和電源線驅(qū)動(dòng)部分 25的電路配置的示例。如圖10所示，寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23和電源線驅(qū)動(dòng) 部分25具有相同的基本配置。
具體地說(shuō)，寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23包括移位寄存器部分231、波形調(diào)整 電路233和輸出緩沖電路235。另一方面，電源線驅(qū)動(dòng)部分25包括移位寄存 器部分251、波形調(diào)整電路253和輸出緩沖電路255。
圖10所示的陰影圖案是用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)部分的電源布線。由"Vh，，表示的 電源布線將"H -電平，，的電源電勢(shì)提供到移位寄存器部分231和251和波形調(diào) 整電路233和253。另一方面，由"V1"表示的電源布線將"L-電平"的電源電 勢(shì)提供給移位寄存器部分231和251和波形調(diào)整電路233和253。
由"Vcc—* (*是ws或ds)，，表示的電源布線將"H-電平"的電源電勢(shì)提供 到波形調(diào)整電路233和253和輸出緩沖電路235和255。另一方面，由"Vss—* (*是ws或ds )"表示的電源布線將"L -電平"的電源電勢(shì)提供到波形調(diào)整電 路233和253和輸出緩沖電路235和255。
在這種情況中，移位寄存器部分231和251通過(guò)觸發(fā)級(jí)形成，該觸發(fā)級(jí) 執(zhí)行根據(jù)時(shí)鐘脈沖CK順序地將采樣脈沖SP傳送到下一級(jí)的操作。 一個(gè)觸發(fā) 級(jí)對(duì)應(yīng)于水平線的一級(jí)。
波形調(diào)整電路233和253調(diào)整在時(shí)間軸方向的脈沖寬度和脈沖高度。
輸出緩沖電路235和255是通過(guò)各自對(duì)應(yīng)的二元電源電勢(shì)分別驅(qū)動(dòng)寫入 控制線WSL和電源線DSL的電路設(shè)備。具體地說(shuō)，輸出緩沖電路235和255 通過(guò)將反相器電路或串聯(lián)的多個(gè)反相器電路的一個(gè)級(jí)連接形成。
另外，將多條電源布線的每一條布置成垂直于水平線。另一方面，由電 源線驅(qū)動(dòng)部分25驅(qū)動(dòng)的電源線DSL每條都安排為平行于水平線。
因而如圖ll所示，電源線DSL具有三維地穿越寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23 內(nèi)的電源布線的布線結(jié)構(gòu)。
電源的布線基本由鋁形成。然而，鋁需要大的膜厚度。因而在三維穿越 部分使用通常僅需要小的膜厚度的金屬材料(如鉬等)。因此，在圖6所示的有機(jī)EL面板11的情況中，電源線DSL由鋁和鉬 的混合布線形成。
另外，在具有圖6所示的結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL面板11的情況中，對(duì)于一條電 源線DSL形成總計(jì)4個(gè)三維交叉，像素陣列部分21的左和右每邊各2個(gè)。
水平選擇器27用于施加對(duì)應(yīng)像素?cái)?shù)據(jù)Din的信號(hào)電勢(shì)Vsig或用于對(duì)信 號(hào)線DTL閾值校正的偏移電壓Vofs。水平選擇器27包括具有多個(gè)輸出級(jí)的 移位寄存器(輸出級(jí)的數(shù)量等于水平分辨率的值)、對(duì)應(yīng)每個(gè)輸出級(jí)的門閂電 路和D/A轉(zhuǎn)換器電路。
定時(shí)發(fā)生器29是用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)寫入控制線WSL、電源線DSL和信號(hào)線 DTL所需的定時(shí)脈沖的電路設(shè)備。 (B-2)驅(qū)動(dòng)操作的示例
圖12A、 12B、 12C、 12D和12E表示圖8所示的像素電路的驅(qū)動(dòng)操作的 示例。另外，在圖12A到12E中，施加到電源線DSL的兩個(gè)電源電勢(shì)中較 高的電勢(shì)(發(fā)射電勢(shì))由Vcc表示，而較低的電勢(shì)(不發(fā)射電勢(shì))由Vss表 示。
首先，圖13中顯示了在發(fā)射狀態(tài)中像素電路內(nèi)的操作狀態(tài)。此時(shí)，釆樣 晶體管T1處于截止?fàn)顟B(tài)。同時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2工作在飽和區(qū)，而根據(jù)柵極 -源極電壓Vgs確定的電流Ids流通(圖12A到12E (tl ))。
接下來(lái)將描述在不發(fā)射狀態(tài)的操作狀態(tài)。此時(shí)，電源線DSL的電勢(shì)從高 電勢(shì)Vcc變?yōu)榈碗妱?shì)Vss (圖12A到12E (t2))。同時(shí)，當(dāng)?shù)碗妱?shì)Vss低于 有機(jī)EL元件的閾值Vthel和陰極電勢(shì)Vcath的總和時(shí)，也就是說(shuō)，當(dāng)Vss < Vthel + Vcath時(shí)，有機(jī)EL元件熄滅(quench )。
另外，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電勢(shì)Vs變得等于電源線DSL的電勢(shì)。也 就是說(shuō)，有機(jī)EL元件的陽(yáng)極充電到低電勢(shì)Vss。圖14顯示了像素電路內(nèi)的 操作狀態(tài)。如圖14的虛線所示，此時(shí)，電源線DSL取得由存儲(chǔ)電容器Cs保 持的電荷。
隨后，當(dāng)寫入控制線WSL隨同信號(hào)線DTL的電勢(shì)一起變?yōu)楦唠妱?shì)，該 信號(hào)線DTL的電勢(shì)為了閾值校正已經(jīng)躍遷到偏置電勢(shì)Vofs時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管 T2的柵極電勢(shì)通過(guò)已經(jīng)執(zhí)行導(dǎo)通操作的采樣晶體管T1變?yōu)槠秒妱?shì)Vofs(圖 12A到12E "3))。
圖15顯示了在這種情況下像素電路內(nèi)的操作狀態(tài)。此時(shí)，由Vofs-Vss
12給出驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs。該電壓被設(shè)置成大于驅(qū)動(dòng)晶體管 T2的閾值電壓Vth。這是因?yàn)槿绻荒軡M足Vofs - Vss > Vth，就不能執(zhí)行閾 值校正操作。
接下來(lái)，電源線DSL的電源電勢(shì)再次變?yōu)楦唠妱?shì)Vcc (圖12A到12E (t4 ))。因?yàn)殡娫淳€DSL的電源電勢(shì)變?yōu)楦唠妱?shì)Vcc,所以有機(jī)EL元件OLED 的陽(yáng)4及電勢(shì)Vel變?yōu)轵?qū)動(dòng)晶體管T2的源才及電勢(shì)Vs。
圖16通過(guò)等效電路代表有機(jī)EL元件OLED。即，圖16將有機(jī)EL元件 表示為二極管和寄生電容Cd。此時(shí)，只要滿足關(guān)系Vel^Vcat + Vthel(然而， 認(rèn)為有機(jī)EL元件的漏電流與流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids相比相當(dāng) 小)，流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids用于對(duì)存儲(chǔ)電容器Cs和寄生電容器 Cel充電。
因此，如圖17所示，有機(jī)EL元件OLED的陽(yáng)極電勢(shì)Vel隨時(shí)間而升高。 也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電勢(shì)Vs開始升高，而驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵 極電勢(shì)固定在偏置電勢(shì)Vofs 。這種操作為閾值校正操作。
驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs最終收斂到閾值電壓Vth。此時(shí)， 滿足Vel = Vofs - Vth ￡ Vcat + Vthel。
當(dāng)閾值校正時(shí)段結(jié)束時(shí)，控制采樣晶體管Tl再次截止(圖12A到12E (t5))。
隨后，在信號(hào)線DTL的電勢(shì)躍遷到信號(hào)電勢(shì)Vsig所需的時(shí)間后，控制 采樣晶體管Tl再次處于導(dǎo)通狀態(tài)(圖12A到12E (t6))。圖18顯示了在這 種情況下像素電路內(nèi)的操作狀態(tài)。根據(jù)相應(yīng)像素的灰度值給出信號(hào)電勢(shì)Vsig。
此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電勢(shì)Vg躍遷到信號(hào)電勢(shì)Vsig。同時(shí)，驅(qū)動(dòng) 晶體管T2的源極電勢(shì)Vs通過(guò)從電源線DSL流到存儲(chǔ)電容器Cs的電流隨時(shí) 間升高。
此時(shí)，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電勢(shì)Vs不超過(guò)有機(jī)EL元件的閡值Vthel 和陰極電壓Vcat的總和(認(rèn)為有機(jī)EL元件的漏電流與流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2 的電流相比相當(dāng)小)，則由驅(qū)動(dòng)晶體管T2提供的驅(qū)動(dòng)電流Ids被用于充電存 儲(chǔ)電容器Cs和寄生電容器Cd。
另外，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管T2的閾值校正操作已經(jīng)完成，所以由驅(qū)動(dòng)晶體 管T2饋入的驅(qū)動(dòng)電流Ids具有反映驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率p的值。具體地 說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率p越大，流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電流Ids越大，從而源極電勢(shì)VS的升高就越快。相反，驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率]Ll越小，流過(guò)驅(qū)動(dòng) 晶體管的驅(qū)動(dòng)電流Ids越小，從而源極電勢(shì)Vs的升高就越慢(圖19)。
因此，根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率(i校正由存儲(chǔ)電容器Cs保持的電壓。 也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs變?yōu)闉榱诉w移率n進(jìn)行校 正的電壓。
最后，當(dāng)控制采樣晶體管Tl截止并且從而信號(hào)電勢(shì)的寫入結(jié)束時(shí)，有 機(jī)EL元件OLED的發(fā)射時(shí)段開始(圖12A到12E (t7 ))。圖20顯示了在這 種情況下像素電路內(nèi)的操作的狀態(tài)。另夕卜，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓 Vgs是恒定的。因而，驅(qū)動(dòng)晶體管T2為有機(jī)EL元件提供恒定的電流Ids，。
通過(guò)這樣，有機(jī)EL元件的陽(yáng)極電勢(shì)Vel升高到電勢(shì)Vx，在該高電勢(shì)電 流Ids'流過(guò)有機(jī)EL元件。從而開始有機(jī)EL元件的發(fā)光。
同樣，在本實(shí)施例提出的驅(qū)動(dòng)電路的情況中，有機(jī)EL元件OLED的I-V 特性由于發(fā)射時(shí)段變長(zhǎng)而改變。
也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源電勢(shì)Vs同樣發(fā)生變化。然而，因?yàn)轵?qū)動(dòng) 晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs通過(guò)存儲(chǔ)電容器Cs保持不變，所以流過(guò)有 機(jī)EL元件OLED的電流量沒有變化。因而當(dāng)采用本實(shí)施例提出的像素電路 和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)時(shí)，對(duì)應(yīng)于信號(hào)電勢(shì)Vsig的驅(qū)動(dòng)電流Ids可以在所有時(shí)間持續(xù)流 通，而與有機(jī)EL元件OLED的I-V特性的改變無(wú)關(guān)。從而可以將有機(jī)EL元 件OLED的發(fā)光亮度保持在與信號(hào)電壓Vsig對(duì)應(yīng)的亮度。 (B-3)總結(jié)
如上所述，通過(guò)采用本實(shí)施例中所述的像素電路和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，即使當(dāng)驅(qū) 動(dòng)晶體管T2由n-溝道型薄膜晶體管形成時(shí)，也可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)EL面板在每個(gè)
像素不發(fā)生亮度變化。
另外，在本實(shí)施例中，寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23和電源線驅(qū)動(dòng)部分25布 置在像素陣列部分的兩側(cè)，使得每個(gè)寫入控制線WSL和每個(gè)電源線DSL可 以乂人兩側(cè)同時(shí)驅(qū)動(dòng)和控制。
從而，即使當(dāng)像素陣列部分21增加尺寸，并且用于驅(qū)動(dòng)電源線DSL的 時(shí)間縮短時(shí)，也可以降低寫入控制線WSL的波形的鈍化，并且有效抑制陰影 的產(chǎn)生。
另夕卜，盡管當(dāng)電源線DSL從顯示屏的一側(cè)驅(qū)動(dòng)時(shí)，屏幕兩端之間的電壓 差別不可避免地大，但可以通過(guò)從顯示屏的兩側(cè)驅(qū)動(dòng)電源線DSL來(lái)減小在電源線DSL上的電壓的差別。尤其是，因?yàn)橛袡C(jī)EL元件是電流驅(qū)動(dòng)元件，所 以在電源線DSL上的電壓的不同直接導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電流(發(fā)光亮度)的不同。因 而，通過(guò)減少電壓差別，可以降低在白色顯示時(shí)電壓降(即，串?dāng)_)效應(yīng)。
如上所述，通過(guò)采用本實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)一種有機(jī)EL面板，該有機(jī)EL 面板雖然僅使用n-溝道型薄膜晶體管，但可以提供穩(wěn)定的發(fā)光特性而與長(zhǎng)期 變化無(wú)關(guān)，并且同時(shí)可以使在屏幕內(nèi)的顯示質(zhì)量的劣化難以察覺。
(C) 第二實(shí)施例
(C-l)系統(tǒng)配置
下面將描述面板結(jié)構(gòu)，該面板結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步改善具有大屏幕尺寸的有 機(jī)EL面板的顯示質(zhì)量。
圖21顯示了有機(jī)EL面板11的系統(tǒng)配置的示例。另外，在圖21中，與 圖6相應(yīng)的部分用相同的附圖標(biāo)記標(biāo)識(shí)。如圖21所示，基本的系統(tǒng)配置是相 同的。具體地說(shuō)，在圖21中所示的有機(jī)EL面板11也包括像素陣列部分21、 作為用于像素陣列部分21的驅(qū)動(dòng)電路的寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23和電源線驅(qū) 動(dòng)部分41、水平選擇器27和定時(shí)發(fā)生器29。
區(qū)別在于面板內(nèi)的寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23和電源線驅(qū)動(dòng)部分41之間的 位置關(guān)系。
首先，在本實(shí)施例中，寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23和電源線驅(qū)動(dòng)部分41之 間的位置關(guān)系被改變。具體地說(shuō)，電源線驅(qū)動(dòng)部分41被布置成比寫入控制線 驅(qū)動(dòng)部分23更靠近像素陣列部分。
另夕卜，在本實(shí)施例中，形成電源線驅(qū)動(dòng)部分41的輸出緩沖電路的尺寸增 大，而援沖部分的阻抗值減小。
圖22顯示了對(duì)應(yīng)子像素的像素電路和每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路之間的連接關(guān)系。另 外，圖23顯示了像素電路31的內(nèi)部配置。
另外，圖24顯示了寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23和電源線驅(qū)動(dòng)部分41之間的 布線關(guān)系。如圖24所示，此時(shí)，由寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23驅(qū)動(dòng)和控制的寫 入控制線WSL混合布線，并且寫入控制線WSL在電源布線三維穿越，該電 源布線用于為電源線驅(qū)動(dòng)部分41提供驅(qū)動(dòng)電力。
另 一方面，因?yàn)殡娫淳€DSL三維穿越用于提供驅(qū)動(dòng)電力的電源布線的次 數(shù)少于第一實(shí)施例，所以電源線DSL可以由低阻抗金屬獨(dú)自形成。在本實(shí)施 例中，電源線DSL由鋁形成。此外，因?yàn)轵?qū)動(dòng)部分的位置關(guān)系發(fā)生變化，所以電源線DSL的布線長(zhǎng)度
比第一實(shí)施例的短。因而，電源線DSL的布線阻抗小于第一實(shí)施例。在本實(shí) 施例中提出的面板結(jié)構(gòu)因此與第一實(shí)施例的相比可以減少可視覺識(shí)別的串?dāng)_ 和陰影的可能性。
另一方面，在第二實(shí)施例中的寫入控制線WSL的阻抗值小于第一實(shí)施 例。因此，與第一實(shí)施例相比，在水平線上的寫入時(shí)間的差別的最大值增加。
然而，除非亮度差別變?yōu)榧s20%,由寫入時(shí)間差別導(dǎo)致的陰影不會(huì)祐j見 覺識(shí)別。因此，即使當(dāng)寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23被布置在電源線驅(qū)動(dòng)部分41 的外部時(shí)，寫入時(shí)間差別的問(wèn)題也可以通過(guò)兩側(cè)驅(qū)動(dòng)來(lái)抑制。
另 一方面，即使當(dāng)亮度差別為約1 %時(shí)，也可以在視覺上識(shí)別電源線DSL 的電壓降導(dǎo)致的串?dāng)_。因而，在第二實(shí)施例中能夠減少電源線DSL的布線阻 抗具有巨大的技術(shù)效果。
每個(gè)像素電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管T2工作在飽和區(qū)。因而，即使當(dāng)布線阻 抗低時(shí)，厄雷效應(yīng)(Early effect)仍然存在。
因而，當(dāng)將如圖25所示的一種圖像輸入到有機(jī)EL面板11時(shí)，在白色 顯示線的電源線的電壓降和黑色窗顯示線的電源線的電壓降之間出現(xiàn)電勢(shì) 差。
當(dāng)電勢(shì)差變得等于或大于亮度差的1%時(shí)，串?dāng)_在視覺上可識(shí)別。
串?dāng)_的發(fā)生取決于顯示線(水平線)的電源電壓降的量之間的差別。也 就是說(shuō)，不僅電源線DSL的部分，而且輸出緩沖電路257的輸出阻抗值都對(duì) 串?dāng)_的出現(xiàn)具有巨大的影響。
例如，當(dāng)輸出緩沖電路257具有高輸出阻抗值時(shí)，即4吏電源線DSL的布 線阻抗小，在如圖26所示的顯示黑色窗時(shí)白色顯示線的亮度也會(huì)由于電壓降 而降低，這種降低作視覺上識(shí)別為串?dāng)_。
因此，本實(shí)施例中提出了電源線驅(qū)動(dòng)部分41,在該電源線驅(qū)動(dòng)部分41 中減小了輸出緩沖電路257的輸出阻抗值。
作為一個(gè)示例，圖27顯示了形成電源線驅(qū)動(dòng)部分41的輸出緩沖電路257 的等效電路。假設(shè)如圖27所示，輸出緩沖電路257由CMOS反相器電路的 兩級(jí)連纟秦形成。
圖28顯示了形成輸出緩沖電路257的末級(jí)的CMOS反相器電路的平面結(jié)構(gòu)。由圖28中的虛線包圍的區(qū)域分別對(duì)應(yīng)p-溝道型薄膜晶體管和n-溝道型 薄膜晶體管。如圖28所示，p-溝道型薄膜晶體管的尺寸大于n-溝道型薄膜晶 體管的尺寸。具體地說(shuō)，p-溝道型薄膜晶體管的尺寸是n-溝道型薄膜晶體管 的尺寸的1.5倍或更大，優(yōu)選是約10倍大。這是為了減小來(lái)自電源線Vcc的 布線阻抗。
然而，p-溝道型薄膜晶體管的尺寸的增加實(shí)際上受到像素管腳間距的限 制。另外，像素管腳間距隨著分辨率的增加而減小。因此，需要一種設(shè)備來(lái) 在有限的布局中增加p-溝道型薄膜晶體管的尺寸。
通常，為了減小輸出緩沖電路257的輸出阻抗，需要增加p-溝道型薄膜 晶體管的溝道寬度。
因此，在末級(jí)的CMOS反相器電路被形成為如圖28所示的水平型。也 就是說(shuō)，在末級(jí)的CMOS反相器電路被形成為使得p-溝道型薄膜晶體管的溝 道長(zhǎng)度的方向與信號(hào)線平行(垂至于水平線的方向)。同時(shí)，優(yōu)選地，形成 p-溝道型薄膜晶體管使得p-溝道型薄膜晶體管的溝道寬度在信號(hào)線的方向上 大于一個(gè)像素的長(zhǎng)度。采用這種結(jié)構(gòu)使大量的電流可以流過(guò)，并且^f吏輸出阻 抗可以相應(yīng)地減小。
另外，這種水平型布局的另 一優(yōu)點(diǎn)在于溝道和電源布線Vcc之間的距離 比如圖29所示的垂直型布局更短。在這種情況下的距離如圖28和29所示通 過(guò)從電源布線Vcc到點(diǎn)A的長(zhǎng)度給出。
顯而易見，電源布線Vcc和溝道之間的長(zhǎng)度在水平型布局中可以更短。 (C-2)總結(jié)
如上所述，在本實(shí)施例中，通過(guò)使電源線驅(qū)動(dòng)部分41比寫入控制線驅(qū)動(dòng) 部分23更靠近像素陣列部分21,可以縮短電源線DSL的布線長(zhǎng)度和簡(jiǎn)化布 線結(jié)構(gòu)(減少三維穿越)，因而減小了布線阻抗。
另夕卜，通過(guò)在電源線驅(qū)動(dòng)部分41中形成反相器電路，該反相器電路形成 輸出緩沖電路257的末級(jí)，使得反相器電路的p-溝道型薄膜晶體管的溝道方 向平行于信號(hào)線DTL(采用水平布局)，可以減小輸出緩沖電路257內(nèi)的布線 阻抗。
因此，可以減小包括輸出緩沖電路257的輸出級(jí)的電源線DSL的總布線 阻抗。因而，可以實(shí)現(xiàn)即使當(dāng)厄雷效應(yīng)被考慮時(shí)，在電源線DSL上的電源電 壓降之間的差別小于第一實(shí)施例的有機(jī)EL面板11,并且因而使串?dāng)_難以在視覺上識(shí)別。
也就是說(shuō)，原則上可以實(shí)現(xiàn)一種有機(jī)EL面板11，通過(guò)該有機(jī)EL面板
可以期待高的圖4象質(zhì)量。
另外，輸出緩沖電路257的溝道方向平行于信號(hào)線的方向。從而也可以
實(shí)現(xiàn)更窄的有機(jī)EL面板11的框架。 (D) 其他實(shí)施例 (D-l)用于電源線DSL的布線材料 在如上所述的第二實(shí)施例的情況中，電源線由鋁形成。 然而，在第二實(shí)施例中的電源線DSL可采用鋁、銅、金及其合金。這些
布線材料的布線阻抗值可以分別低于鉬的阻抗值。因而，這些材料有利于減
小電源線DSL的阻抗。
(D - 2 )像素電路的其他示例 在前面的實(shí)施例中，像素電路31包括兩個(gè)薄膜晶體管。因此釆用了一種
驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，在該系統(tǒng)中通過(guò)信號(hào)線DTL施加用于閾值校正的參考電壓(在本
文中稱為偏置電壓)Vofs。
然而，可以布置專用于控制施加偏置電壓Vofs的定時(shí)的晶體管。
圖30顯示了對(duì)應(yīng)修改的示例的像素電路51的配置的示例。像素電路51
具有在其中布置的第二采樣晶體管T3。第二采樣晶體管T3的主電極之一連
接到驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極。另一主電極連接到提供固定偏置電壓Vofs的偏
置線OFSL。
另外，通過(guò)偏置線驅(qū)動(dòng)部分53控制第二采樣晶體管T3的導(dǎo)通和截止。 在本示例中，僅將對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素的信號(hào)電勢(shì)Vsig施加到信號(hào)線DTL。
另外，如圖30所示的偏置線驅(qū)動(dòng)部分53和寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分23的位置關(guān)
系可以相互變化。
圖31A、 31B、 31C、 31D和31E表示參考圖30描述的像素電路的驅(qū)動(dòng) 操作的示例。另外，在圖31A到31E中，施加到電源線DSL的兩個(gè)電源電 勢(shì)中較高的電勢(shì)(發(fā)射電勢(shì))由Vcc表示，而較低的電勢(shì)(不發(fā)射電勢(shì))由 Vss表示。
首先，圖32中顯示了在發(fā)射狀態(tài)中像素電路內(nèi)的操作的狀態(tài)。此時(shí)，采 樣晶體管Tl處于截止?fàn)顟B(tài)。同時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2工作在飽和區(qū)，并且根據(jù) 柵極-源極電壓Vgs確定的電流Ids流通(圖31A到31E (tl ))。
18- 接下來(lái)將描述在不發(fā)射狀態(tài)中的操作的狀態(tài)。此時(shí)，電源線DSL的電勢(shì)
從高電勢(shì)Vcc變?yōu)榈碗妱?shì)Vss (圖3IA到31E (t2))。此時(shí)，當(dāng)?shù)碗妱?shì)Vss 低于有機(jī)EL元件的閾值Vthel和陰極電勢(shì)Vcath的總和時(shí)，即，當(dāng)Vss < Vthel + Vcath時(shí)，有機(jī)EL元件OLED熄滅。
另外，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電勢(shì)Vs變得等于電源線DSL的電勢(shì)。即， 有機(jī)EL元件的陰極充電到低電勢(shì)Vss。圖33顯示了像素電路內(nèi)的操作狀態(tài)。 如圖33中的虛線所示，此時(shí)，電源線DSL獲得由存儲(chǔ)電容器Cs保持的電荷。
隨后，通過(guò)偏置線驅(qū)動(dòng)部分53控制第二采樣晶體管T3導(dǎo)通。驅(qū)動(dòng)晶體 管T2的柵極電勢(shì)從而變?yōu)槠秒妷篤ofs (圖31A到31E (t3 ))。
圖34顯示了在這種情況下在像素電路內(nèi)的操作狀態(tài)。此時(shí)，通過(guò)Vofs -Vss給出驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs。將該電壓設(shè)置成大于驅(qū)動(dòng) 晶體管T2的閾值電壓Vth。這是因?yàn)槿绻粷M足Vofs - Vss > Vth,就不能執(zhí) 行閾值校正操作。
接下來(lái)，電源線DSL的電源電勢(shì)再次變?yōu)楦唠妱?shì)Vcc (圖31A到31E (t4))。因?yàn)殡娫淳€DSL的電源電勢(shì)變?yōu)楦唠妱?shì)Vcc,由驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源 極電勢(shì)Vs給出有機(jī)EL元件OLED的陰極電勢(shì)。
圖35通過(guò)等效電路代表有機(jī)EL元件OLED。也就是說(shuō)，圖35將有機(jī) EL元件OLED表示為二極管和寄生電容Cel。此時(shí)，只要滿足Vel ^ Vcat + Vthel(然而，認(rèn)為有機(jī)EL元件的漏電流與流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids 相比相當(dāng)小)，流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids用于對(duì)存儲(chǔ)電容器Cs和寄 生電容器Cel充電。
因此，有機(jī)EL元件OLED的陰極電勢(shì)Vd隨時(shí)間而升高。即，驅(qū)動(dòng)晶 體管T2的源極電勢(shì)Vs開始升高，而驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電勢(shì)固定在偏置 電勢(shì)Vofs。
驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs收斂到閾值電壓Vth。此時(shí)，滿足 Vel = Vofs — Vth ^ Vcat + Vthel。
當(dāng)閾值校正時(shí)段結(jié)束時(shí)，控制第二采樣晶體管T3再次截止(圖31A到 31E (t5))。圖36顯示了在這種情況下像素電路內(nèi)的操作狀態(tài)。
隨后，在信號(hào)線DTL的電勢(shì)躍遷到信號(hào)電勢(shì)Vsig所需的定時(shí)之后，控 制第一采樣晶體管T1處于導(dǎo)通狀態(tài)(圖31A到31E (t6))。圖37顯示了在 這種情況下像素電路內(nèi)的操作狀態(tài)。根據(jù)相應(yīng)的像素的灰度值給出信號(hào)電勢(shì)Vsig。
此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電勢(shì)Vg躍遷到信號(hào)電勢(shì)Vsig。同時(shí)，驅(qū)動(dòng) 晶體管T2的源極電勢(shì)Vs通過(guò)從電源線DSL流到存儲(chǔ)電容器Cs的電流隨時(shí) 間而升高。
此時(shí)，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電勢(shì)Vs不超過(guò)有機(jī)EL元件的閾值電 壓Vthel和陰極電壓Vcat的總和(認(rèn)為有機(jī)EL元件的漏電流與流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶 體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids相比相當(dāng)小)，則由驅(qū)動(dòng)晶體管T2提供的驅(qū)動(dòng)電流Ids 用于對(duì)存儲(chǔ)電容器Cs和寄生電容器Cel充電。
另外，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管T2的闞值校正操作已經(jīng)完成，所以由驅(qū)動(dòng)晶體 管T2饋入的驅(qū)動(dòng)電流Ids具有反映驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率p的值。具體地 說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率n越高，流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電流Ids就越大， 因而源極電勢(shì)Vs就升高得越快。相反，驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率)i越小，流過(guò)驅(qū) 動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電流Ids越小，從而源電勢(shì)Vs就升高得越慢。
因此，根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率(i來(lái)校正由存儲(chǔ)電容器Cs保持的電 壓。即，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs變?yōu)橛糜谶w移率p的校正的 電壓。
最后，當(dāng)控制第一采樣晶體管Tl截止并且從而信號(hào)電勢(shì)的寫入結(jié)束時(shí)， 有機(jī)EL元件OLED的發(fā)射時(shí)段開始(圖31A到31E (t7 ))。圖38顯示了在 這種情況下像素電路內(nèi)的操作狀態(tài)。另夕卜，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓 Vgs是恒定的。因而驅(qū)動(dòng)晶體管T2為有機(jī)EL元件提供恒定的電流Ws，。
通過(guò)這樣，有機(jī)EL元件的陽(yáng)極電勢(shì)Vel升高到電勢(shì)Vx,在該電勢(shì)電流 Ids，流過(guò)有機(jī)EL元件。有機(jī)EL元件的發(fā)光從而開始。
同樣在本實(shí)施例提出的驅(qū)動(dòng)電路的情況中，有機(jī)EL元件OLED的I-V 特性隨著發(fā)射時(shí)段變長(zhǎng)而發(fā)生變化。
也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電勢(shì)Vs同樣發(fā)生變化。然而，因?yàn)轵?qū) 動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs通過(guò)存儲(chǔ)電容器Cs保持不變，流過(guò)有機(jī) EL元件OLED的電流量不會(huì)發(fā)生變化。因而，當(dāng)采用在本實(shí)施例中提出的像 素電路和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)時(shí)，對(duì)應(yīng)于信號(hào)電勢(shì)Vsig的驅(qū)動(dòng)電流Ids可以在所有時(shí)間 連續(xù)流動(dòng)，而與有機(jī)EL元件OLED的I-V特性的改變無(wú)關(guān)。從而可以將有 機(jī)EL元件OLED的發(fā)光亮度保持在對(duì)應(yīng)信號(hào)電勢(shì)Vsig的亮度。 (D-3)產(chǎn)品實(shí)例(a)電子設(shè)備
前面已經(jīng)通過(guò)采用有機(jī)EL面板作為示例描述了本發(fā)明。然而，上述的 有機(jī)EL面板也分布在其中將有機(jī)EL面板安裝在各種電子設(shè)備中的產(chǎn)品形式 中。下面將展示將有機(jī)EL面板安裝在其他電子設(shè)備中的示例。
圖39顯示了電子設(shè)備61的概念構(gòu)造的示例。電子設(shè)備61包括上述的有 機(jī)EL面板63、系統(tǒng)控制部分65和操作輸入部分67。由系統(tǒng)控制部分65執(zhí) 行的處理的描述基于電子設(shè)備的產(chǎn)品形式而有所不同。操作輸入部分67是用 于將操作輸入接收到系統(tǒng)控制部分65的設(shè)備。例如，將開關(guān)、按鈕或另外的 機(jī)械界面、圖形界面等用作操作輸入部分67。
應(yīng)當(dāng)注意，電子設(shè)備61不限于特定領(lǐng)域的設(shè)備，只要電子設(shè)備61具有 顯示在設(shè)備內(nèi)產(chǎn)生的或外部輸入的圖像或視頻的功能就可以。
圖40顯示了作為另一電子設(shè)備的電視接收器的外觀的示例。由前面板 73、濾色鏡75等組成的顯示屏77設(shè)置在電視接收器71的殼體的前表面上， 顯示屏77的部分對(duì)應(yīng)于在實(shí)施例中描述的有機(jī)EL面板。
可以例如將數(shù)字相機(jī)假定為這種類型的電子設(shè)備61。圖41A和41B顯 示了數(shù)字相機(jī)81的外觀的示例。圖41A顯示了前面(對(duì)象面)的外觀的示 例。圖41B顯示了后面(照相面)的外觀的示例。
數(shù)字相機(jī)81包括保護(hù)蓋83、拾取透鏡部分85、顯示屏87、控制開關(guān)89 和快門按鈕91。在這些部分中，顯示屏87的部分對(duì)應(yīng)在實(shí)施例中所述的有 機(jī)EL面板。
可以例如將攝像機(jī)假定為這種類型的電子設(shè)備61。圖42顯示了攝像機(jī) 101的外7見的示例。
攝像機(jī)101包括用于獲得在主體103的前面的對(duì)象的圖像的拾取透鏡 105、畫面獲取開始/結(jié)束開關(guān)107和顯示屏109。在這些部分中，顯示屏109
的部分對(duì)應(yīng)在實(shí)施例中所述的有機(jī)EL面板。
可以例如將便攜終端設(shè)備假定為這種類型的電子設(shè)備61。圖43A和43B
顯示了作為便攜終端設(shè)備的手機(jī)lll的外觀的示例。圖43A和43B所示的手 機(jī)lll為折疊型。圖43A顯示了在打開狀態(tài)的殼體外觀的示例。圖43B顯示 了在折疊狀態(tài)的殼體外觀的示例。
手機(jī)111包括上側(cè)殼體113、下側(cè)殼體115、連接部分(在本示例中為鉸 鏈部分)117、顯示屏119、輔助顯示屏121、畫面燈123和拾取透鏡125。在這些部分中，顯示屏110和輔助顯示屏121的部分對(duì)應(yīng)在實(shí)施例中所述的有
機(jī)EL面板。
可以例如將計(jì)算機(jī)假定為這種類型的電子設(shè)備61。圖44顯示了筆記本 計(jì)算機(jī)131的外觀的示例。
筆記本計(jì)算機(jī)131包括下側(cè)殼體133、上側(cè)殼體135、鍵盤137和顯示屏 139。在這些部分中，顯示屏138的部分對(duì)應(yīng)在實(shí)施例中所示的有機(jī)EL面板。
除了這些示例，音頻再現(xiàn)設(shè)備、游戲機(jī)、電子書、電子辭典等可以假定 為電子設(shè)備61。
(D - 4 )其他顯示設(shè)備的示例
在上述的實(shí)施例中，將本發(fā)明用于有機(jī)EL面板。
然而，上述驅(qū)動(dòng)技術(shù)也適用于其他EL顯示設(shè)備。上述的驅(qū)動(dòng)技術(shù)也適 用于例如其中布置LED的顯示設(shè)備和其中在顯示屏上布置具有其他二極管結(jié) 構(gòu)的發(fā)光元件的顯示設(shè)備。上述驅(qū)動(dòng)技術(shù)也適用于例如無(wú)機(jī)EL面板。 (D - 5 )其他
在不脫離本發(fā)明精神的條件下可以想到對(duì)前述的實(shí)施例進(jìn)行修改的各種 示例。另外，可以想到在本說(shuō)明書的描述的基礎(chǔ)上產(chǎn)生或結(jié)合修改和應(yīng)用的 各種示例。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)包含了關(guān)于2007年11月9日在日本專利局申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng) JP 2007-291471的主題，該專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容在此引用作為參考。
權(quán)利要求
1. 一種電致發(fā)光顯示面板包括像素陣列部分，其中以矩陣形式布置電致發(fā)光顯示元件，該顯示元件的發(fā)光狀態(tài)由有源矩陣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)控制；第一寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和第二寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分，被配置來(lái)從所述像素陣列部分的兩側(cè)驅(qū)動(dòng)每個(gè)寫入控制線；以及第一電源線驅(qū)動(dòng)部分和第二電源線驅(qū)動(dòng)部分，被配置來(lái)從所述的像素陣列部分的兩側(cè)驅(qū)動(dòng)沿著水平線的方向布置的電源線，所述第一電源線驅(qū)動(dòng)部分和所述第二電源線驅(qū)動(dòng)部分分別被布置在所述第一控制線驅(qū)動(dòng)部分和所述像素陣列之間以及所述第二寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和所述像素陣列部分之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示面板，其中形成位于形成所述第一電源線驅(qū)動(dòng)部分和所述第二電源線驅(qū)動(dòng)部 分的最后輸出級(jí)的輸出緩沖電路，使得薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度的方向平行于 信號(hào)線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示面板，其中形成位于形成所述第 一 電源線驅(qū)動(dòng)部分和所述第二電源線驅(qū)動(dòng)部 分的最后輸出級(jí)的輸出緩沖電路，使得薄膜晶體管的溝道寬度在信號(hào)線的方 向上大于一個(gè)像素的長(zhǎng)度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示面板，其中在所述像素陣列部分內(nèi)的寫入控制線和電源線為低阻抗布線。
5. —種電子設(shè)備包括電致發(fā)光顯示面板，該電致發(fā)光顯示面板包括像素陣列部分，在該像素 陣列部分中以矩陣形式布置電致發(fā)光顯示元件，該顯示元件的發(fā)光狀態(tài)由有源矩陣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)控制；第一寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和第二寫入控制線驅(qū)動(dòng)部 分，被配置來(lái)從所述像素陣列部分的兩側(cè)驅(qū)動(dòng)每個(gè)寫入控制線；以及第一電 源線驅(qū)動(dòng)部分和第二電源線驅(qū)動(dòng)部分，被配置來(lái)從所述的像素陣列部分的兩 側(cè)驅(qū)動(dòng)沿著水平線的方向布置的電源線，所述第一電源線驅(qū)動(dòng)部分和所述第 二電源線驅(qū)動(dòng)部分分別被布置在所述第一寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和所述像素 陣列部分之間以及所述第二寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和所迷像素陣列部分之間；系統(tǒng)控制部分，被配置來(lái)控制整個(gè)系統(tǒng)的操作；以及 操作輸入部分，被配置來(lái)接收到所述系統(tǒng)控制部分的梯:作輸入。
6. —種電致發(fā)光顯示面板包括像素陣列部分，其中以矩陣形式布置電致發(fā)光顯示元件，該顯示元件的 發(fā)光狀態(tài)由有源矩陣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)控制；第一寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和第二寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分,被配置來(lái)從所述 像素陣列部分的兩側(cè)驅(qū)動(dòng)每個(gè)寫入控制線；以及第一電源線驅(qū)動(dòng)部分和第二電源線驅(qū)動(dòng)部分，被配置來(lái)從所述的像素陣 列部分的兩側(cè)驅(qū)動(dòng)沿著水平線的方向布置的電源線。
7. —種電子設(shè)備包括電致發(fā)光顯示面板，該電致發(fā)光顯示面板包括像素陣列部分，在該像素 陣列部分中以矩陣形式布置電致發(fā)光顯示元件，該顯示元件的發(fā)光狀態(tài)由有源矩陣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)控制；第一寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和第二寫入控制線驅(qū)動(dòng)部 分，被配置來(lái)從所述像素陣列部分的兩側(cè)驅(qū)動(dòng)每個(gè)寫入控制線；以及第一電 源線驅(qū)動(dòng)部分和第二電源線驅(qū)動(dòng)部分，被配置來(lái)從所述的像素陣列部分的兩 側(cè)驅(qū)動(dòng)沿著水平線的方向布置的電源線；系統(tǒng)控制部分，被配置來(lái)控制整個(gè)系統(tǒng)的操作；以及 操作輸入部分，被配置來(lái)接收到所述系統(tǒng)控制部分的操作輸入。
全文摘要
一種電致發(fā)光顯示面板包括像素陣列部分，其中以矩陣形式布置電致發(fā)光顯示元件，該顯示元件的發(fā)光狀態(tài)由有源矩陣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)控制；第一寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和第二寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分，被配置來(lái)從所述像素陣列部分的兩側(cè)驅(qū)動(dòng)每個(gè)寫入控制線；以及第一電源線驅(qū)動(dòng)部分和第二電源線驅(qū)動(dòng)部分，被配置來(lái)從所述的像素陣列部分的兩側(cè)驅(qū)動(dòng)沿著水平線的方向布置的電源線，所述第一電源線驅(qū)動(dòng)部分和所述第二電源線驅(qū)動(dòng)部分分別被布置在所述第一控制線驅(qū)動(dòng)部分和所述像素陣列之間以及所述第二寫入控制線驅(qū)動(dòng)部分和所述像素陣列部分之間。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101430852SQ200810174538
公開日2009年5月13日 申請(qǐng)日期2008年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月9日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 加藤正和, 山本哲郎 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社