專利名稱：有源矩陣基板及包括有源矩陣基板的顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有源矩陣基板及包括有源矩陣基板的顯示面
板，特別是涉及有源矩陣驅(qū)動(dòng)式液晶顯示面板的制造技術(shù)。
背景技術(shù)：
有源矩陣驅(qū)動(dòng)式液晶顯示面板包括有源矩陣基板、相向基板及 液晶層。在該有源矩陣基板中，多個(gè)像素電極配置成矩陣狀。該相 向基板與該有源矩陣基板相向而配置，具有共用電極。該液晶層設(shè) 置在所述有源矩陣基板與所述相向基板之間。
作為對(duì)為形成布線或電極而對(duì)導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻時(shí)的充電(帶 電)、和對(duì)取向膜進(jìn)行摩擦處理時(shí)的靜電等制造工藝中會(huì)產(chǎn)生的 ESD (electro-static discharge:靜電放電)釆取的對(duì)策，下述技 術(shù)已被廣泛知道，即在制造所述有源矩陣基板時(shí)，例如在為給相 向基板的共用電極輸入共通信號(hào)而設(shè)置于有源矩陣基板的外周部分 的相向布線中，形成放電突起或靜電保護(hù)元件(例如參照專利文獻(xiàn) l到3)。根據(jù)該技術(shù)，即使靜電產(chǎn)生在面板內(nèi)部，也能夠利用所述 放電突起會(huì)發(fā)揮的避雷針作用使靜電不影響到用來驅(qū)動(dòng)液晶顯示面 板的驅(qū)動(dòng)電路(驅(qū)動(dòng)器)和為各個(gè)像素分別設(shè)置的各種導(dǎo)電元件。 專利文獻(xiàn)1:日本公告專利公報(bào)特公平4-67168號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:日本公開專利公報(bào)特開昭63-21623號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)3:日本公開專利公報(bào)特開平11-95253號(hào)公報(bào) 圖8是平面圖，顯示采取了 ESD對(duì)策的現(xiàn)有有源矩陣基板120 的一部分。 在該有源矩陣基板120中，在圖8的右側(cè)有一片矩形顯示區(qū)域 D,而在該顯示區(qū)域D的外周部分設(shè)置有呈框狀的框架區(qū)域F。如圖8所示，在框架區(qū)域F中，從顯示區(qū)域D—側(cè)(右側(cè))依次形成 有已單片(monolithic)化的驅(qū)動(dòng)電路121、用來與外部輸入端子 連接的信號(hào)布線121a、構(gòu)成靜電保護(hù)元件125的柵極電極線114b 以及具有用來與相向基板的共用電極連接的共通(common)轉(zhuǎn)位
部的相向布線123。而且，在比相向布線123還靠近左側(cè)的位置上 設(shè)有緩沖區(qū)域B,為了使腐蝕、破裂或缺口等不影響到顯示區(qū)域D, 在緩沖區(qū)域B中不配置實(shí)質(zhì)電路。在此，如圖8所示，在相向布線 123中設(shè)置有多個(gè)分別向柵極電極線114b突出的放電突起123a， 并且，在相向布線123中與柵極電極線114b重疊的部分設(shè)置有二 極管型靜電保護(hù)元件125。因此，制造有源矩陣基板120時(shí)，在規(guī) 定量以上的電荷由于蝕刻時(shí)的充電或摩擦處理時(shí)的靜電而積存于柵 極電極線114b中的情況下，該電荷會(huì)經(jīng)由靜電保護(hù)元件125的半 導(dǎo)體層112排出到已接地的相向布線123中，或者通過在放電突起 123a的頂端進(jìn)行的微小放電排出。
近年來，特別是用于手機(jī)等移動(dòng)式設(shè)備的液晶顯示面板，被強(qiáng) 烈要求框架狹窄化，即實(shí)現(xiàn)使對(duì)顯示不作貢獻(xiàn)的、位于外周部分的 框架區(qū)域更狹窄。然而，如上面參考圖8所述，在現(xiàn)有液晶顯示面 板(有源矩陣基板120)中，因?yàn)橹焕每蚣軈^(qū)域采取ESD對(duì)策， 所以難以使ESD對(duì)策和框架狹窄化兩立。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為解決所述問題而研究開發(fā)出來的。其目的在于 實(shí)現(xiàn)使ESD對(duì)策和框架狹窄化兩立。 為達(dá)成所述目的，在本發(fā)明中，在框架區(qū)域中的比接地用布線 還靠近外側(cè)的位置上設(shè)置柵極電極線，該柵極電極線用來在該柵極 電極線與該接地用布線重疊的部分構(gòu)成靜電保護(hù)元件。 具體而言，本發(fā)明所涉及的有源矩陣基板，界定有對(duì)顯示作貢 獻(xiàn)的顯示區(qū)域、和設(shè)置在比該顯示區(qū)域還靠近外側(cè)的位置上并對(duì)顯 示不作貢獻(xiàn)的框架區(qū)域，且包括在所述框架區(qū)域內(nèi)沿該框架區(qū)域的 外周延伸而設(shè)置的接地用布線。在所述框架區(qū)域中的比所述接地用布錢還靠近外側(cè)的位置上設(shè)置有柵極電極線，該柵極電極線用來在 該柵極電極線與該接地用布線重疊的部分構(gòu)成靜電保護(hù)元件。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，因?yàn)闃?gòu)成靜電保護(hù)元件的柵極電極線設(shè)置在框
架區(qū)域中的比接地用布線還靠近外側(cè)的位置上，所以與柵極電極線 設(shè)置在框架區(qū)城中的比接地用布線還靠近內(nèi)側(cè)的位置上的情況(參
照?qǐng)D8的有源矩陣基板120)相比能夠使框架區(qū)域的寬度更窄。在 此，在有源矩陣基板的周緣端部即框架區(qū)域中的比接地用布線還靠 近外側(cè)的區(qū)域，例如雖然不配置驅(qū)動(dòng)電路等對(duì)顯示作貢獻(xiàn)的實(shí)質(zhì)電 路，但有效地配置對(duì)顯示不作貢獻(xiàn)而用于制造工藝中的ESD對(duì)策 的靜電保護(hù)元件和構(gòu)成該靜電保護(hù)元件的柵極電極線，以免腐蝕及 /或破損影響到顯示區(qū)域。在有源矩陣基板的制造工藝中，例如在 規(guī)定量以上的電荷由于蝕刻時(shí)的充電或摩擦處理時(shí)的靜電而積存于 柵極電極線中的情況下，該電荷會(huì)經(jīng)由靜電保護(hù)元件排出到接地用 布線中，這樣來采取ESD對(duì)策。因此，能夠使ESD對(duì)策和框架狹 窄化兩立。 所述靜電保護(hù)元件也可以構(gòu)成為所述接地用布線和所述柵極 電極線能夠通過半導(dǎo)體層電連接。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，在有源矩陣基板的制造工藝中，例如在規(guī)定量 以上的電荷由于蝕刻時(shí)的充電或摩擦處理時(shí)的靜電而積存于柵極電 極線中的情況下，該電荷會(huì)在靜電保護(hù)元件中經(jīng)由半導(dǎo)體層排出到 接地用布線中。
所述接地用布線也可以構(gòu)成為與和所述有源矩陣基板相向而
配置的相向基板的共用電極電連接。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，接地用布線成為用來與相向基板的共用電極電
連接的布線。因此，能夠具體地得到本發(fā)明的效果。
所述接地用布線也可以具有向所述柵極電極線一側(cè)突出而設(shè)的
;故電突起。 根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，在有源矩陣基板的制造工藝中，例如在電荷由 于蝕刻時(shí)的充電或摩擦處理時(shí)的靜電而積存于柵極電極線中的情況 下，該電荷會(huì)通過在接地用布線的放電突起的頂端部分產(chǎn)生的放電
6排出。 所述柵極電極線也可以具有向所述接地用布線一側(cè)突出而設(shè)的 二故電突起。 根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，在有源矩陣基板的制造工藝中，例如在電荷由 于蝕刻時(shí)的充電或摩擦處理時(shí)的靜電而積存于柵極電極線中的情況 下，該電荷會(huì)通過在柵極電極線的放電突起的頂端部分產(chǎn)生的放電 排出。 在所述框架區(qū)域中的比所述接地用布線還靠近所述顯示區(qū)域一 側(cè)的位置上也可以設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路。 根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，柵極電極線設(shè)置在框架區(qū)域中的比接地用布線 還靠近外側(cè)的位置上。因此，與柵極電極線設(shè)置在框架區(qū)域中的比 接地用布線還靠近內(nèi)側(cè)的位置上的情況(參照?qǐng)D8的有源矩陣基板 120)相比，構(gòu)成靜電保護(hù)元件的柵極電極線與驅(qū)動(dòng)電路之間的距 離更長，驅(qū)動(dòng)電路更不易受到靜電的影響。 所述框架區(qū)域中的比接地用布線還靠近外側(cè)的區(qū)域也可以是用 來使腐蝕及/或破損不影響到所述顯示區(qū)域的緩沖區(qū)域。 根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，框架區(qū)域中的比接地用布線還靠近外側(cè)的區(qū)域 是緩沖區(qū)域，在該緩沖區(qū)域中，雖然未配置驅(qū)動(dòng)電路等對(duì)顯示作貢 獻(xiàn)的實(shí)質(zhì)電路，但配置有對(duì)顯示不作貢獻(xiàn)而用于制造工藝中的ESD 對(duì)策的靜電保護(hù)元件和構(gòu)成該靜電保護(hù)元件的柵極電極線，有效地 利用框架區(qū)域。因此，能夠具體地得到本發(fā)明的作用和效果。 此外，本發(fā)明所涉及的顯示面板包括有源矩陣基板、與所述有 源矩陣基板相向而配置并且具有共用電極的相向基板以及設(shè)置在所 述有源矩陣基板與所述相向基板之間的顯示層，界定有對(duì)顯示作貢 獻(xiàn)的顯示區(qū)域、和設(shè)在比該顯示區(qū)域還靠近外側(cè)的位置上并對(duì)顯示 不作貢獻(xiàn)的框架區(qū)域，在所述有源矩陣基板中設(shè)置有接地用布線， 該接地用布線沿所述框架區(qū)域的外周延伸，用來與所述相向基板的 所述共用電極電連接。在所述有源矩陣基板的所述框架區(qū)域中的比 所述接地用布線還靠近外側(cè)的位置上設(shè)置有柵極電極線，該柵極電 極線用來在該柵極電極線與該接地用布線重疊的部分構(gòu)成靜電保護(hù)元件。 根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，構(gòu)成靜電保護(hù)元件的柵極電極線設(shè)置在框架區(qū) 域中的比接地用布線還靠近外側(cè)的位置上。因此，與柵極電極線設(shè) 置在框架區(qū)域中的比接地用布線還靠近內(nèi)側(cè)的位置上的情況(參照 圖8的有源矩陣基板120)相比，能夠使框架區(qū)域的寬度更窄。在 此，在有源矩陣基板的周緣端部即框架區(qū)域中的比接地用布線還靠 近外側(cè)的區(qū)域，例如雖然不配置驅(qū)動(dòng)電路等對(duì)顯示作貢獻(xiàn)的實(shí)質(zhì)電 路，但有效地配置對(duì)顯示不作貢獻(xiàn)而用于制造工藝中的ESD對(duì)策 的靜電保護(hù)元件和構(gòu)成該靜電保護(hù)元件的柵極電極線，以免腐蝕及 /.或破損影響到顯示區(qū)域。在有源矩陣基板的制造工藝中，例如在 規(guī)定量以上的電荷由于蝕刻時(shí)的充電或摩擦處理時(shí)的靜電而積存于 柵極電極線中的情況下，該電荷會(huì)經(jīng)由靜電保護(hù)元件排出到接地用 布線中，這樣來采取ESD對(duì)策。因此，能夠使ESD對(duì)策和框架狹 窄化兩立。
一發(fā)明的效果一 根據(jù)本發(fā)明，在框架區(qū)域中的比接地用布線還靠近外側(cè)的位置 上設(shè)置有柵極電極線，該柵極電極線用來在該柵極電極線與該接地 用布線重疊的部分構(gòu)成靜電保護(hù)元件。因此，能夠使ESD對(duì)策和 框架狹窄化兩立。


[圖l]圖l是第一實(shí)施方式所涉及的液晶顯示面板50的平面圖。 [圖2]圖2是沿圖1中的II-1I線的、液晶顯示面板50的剖面圖。圖3是平面圖，顯示構(gòu)成液晶顯示面板50的有源矩陣基 板20a的框架區(qū)域F。圖4是沿圖3中的IV —IV線的、靜電保護(hù)元件25的剖 面圖。圖5是平面圖，顯示有源矩陣基板20a的TFT (薄膜晶 體管)5。[圖6]圖6是平面圖，顯示構(gòu)成第二實(shí)施方式所涉及的液晶顯 示面板的有源矩陣基板20b的框架區(qū)域F。圖7是平面圖，顯示構(gòu)成第三實(shí)施方式所涉及的液晶顯 示面板的有源矩陣基板20c的框架區(qū)域F。圖8是平面圖，顯示現(xiàn)有有源矩陣基板120的框架區(qū)域F。 符號(hào)說明 B —緩沖區(qū)域；D —顯示區(qū)域；F —框架區(qū)域；12a—半導(dǎo)體層； 14b —柵極電極線；14ba —放電突起；20a到20c—有源矩陣基板； 21 —柵極驅(qū)動(dòng)器(驅(qū)動(dòng)電路)；23 —接地用布線；23a—放電突起； 25 —靜電保護(hù)元件；30 —相向基板；31 —共用電極；35 —液晶層(顯 示層)；50—液晶顯示面板。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式加以詳細(xì)的說明。補(bǔ)充說 明一下，本發(fā)明并不限于以下各個(gè)實(shí)施方式。 〈發(fā)明的第一實(shí)施方式〉
圖l到圖5顯示本發(fā)明所涉及的有源矩陣基板及包括該有源矩 陣基板的顯示面板的第一實(shí)施方式。補(bǔ)充說明一下，作為顯示面板 的例子，在本實(shí)施方式中顯示的是有源矩陣驅(qū)動(dòng)式液晶顯示面板。 圖1是本實(shí)施方式所涉及的液晶顯示面板50的平面圖；圖2是沿 圖1中的II一II線的、液晶顯示面板50的剖面圖；圖3是平面圖， 顯示構(gòu)成液晶顯示面板50的有源矩陣基板20a的框架區(qū)域F。 如圖1和圖2所示，液晶顯示面4反50包括相向而配置的有源 矩陣基板20a和相向基板30、以及設(shè)置在有源矩陣基板20a與相 向基板30之間作為顯示層的液晶層35，并界定有對(duì)顯示作貢獻(xiàn)的 顯示區(qū)域D、和包圍顯示區(qū)域D而設(shè)并且對(duì)顯示不作貢獻(xiàn)的框架區(qū) 域F。 如圖l和圖2所示，有源矩陣基板20a在顯示區(qū)域D中包括多 條柵極線14a、多條源極線16a、多個(gè)薄膜晶體管(Thin Film Transistor。以下稱為"TFT") 5 (參照?qǐng)D5)以及多個(gè)像素電極
918，所述多條柵極線14a是相互平行地延伸而設(shè)置的，所述多條源 極線16a是沿與各條柵極線14a垂直相交的方向相互平行地延伸而 設(shè)置的，所述多個(gè)TFT(薄膜晶體管)5分別設(shè)置在各條柵極線14a 和各條源極線16a的各個(gè)交叉部分，所述多個(gè)像素電極18是對(duì)應(yīng) 于各個(gè)TFT5而分別設(shè)置的。補(bǔ)充說明一下，各個(gè)像素電極18構(gòu) 成圖像的最小單位即像素，多個(gè)像素配置成以矩陣狀排列而構(gòu)成顯 示區(qū)域D。此外，在有源矩陣基板20a的表面設(shè)置有已進(jìn)行過摩擦 處理的取向膜19 (參照?qǐng)D5)，該取向膜19覆蓋各個(gè)像素電極18。
如圖5所示，TFT5包括半導(dǎo)體層12b、柵極絕緣膜13及柵極 電極14aa，具有頂柵(top gate)型結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體層12b是隔著 底層(base coat)膜11設(shè)置在絕緣基板10上的，該柵極絕緣膜 13設(shè)置為覆蓋半導(dǎo)體層12b，該柵極電極14aa設(shè)置在柵極絕緣膜 13上。 在此，如圖5所示，半導(dǎo)體層12b具有與柵極電極14aa重疊 而設(shè)的溝道區(qū)域12ba、和設(shè)置在溝道區(qū)域12ba的兩側(cè)的源極區(qū)域 12bb及漏極區(qū)域12bc。柵極電極14aa是柵極線14a對(duì)各個(gè)像素 分別向側(cè)邊突出的部分。源極電極16aa通過形成在柵極絕緣膜13 及層間絕緣膜15層疊的層疊膜中的接觸孔與源極區(qū)域12bb電連 接，該源極電極16aa是源極線16a對(duì)各個(gè)像素分別向側(cè)邊突出而 成的。而且，漏極電極16ab通過形成在柵極絕緣膜13及層間絕緣 膜15層疊的層疊膜中的接觸孔與漏極區(qū)域12bc電連接。補(bǔ)充說明 一下，作為位于源極電極16aa及漏極電極16ab的上面的層，設(shè)置 有樹脂層17。漏極電極16ab通過形成在樹脂層17中的接觸孔(未 示)與像素電極18電連接。 此外，如圖l到圖3所示，有源矩陣基板20a在框架區(qū)域F中 包括柵極驅(qū)動(dòng)器21、源極驅(qū)動(dòng)器22、接地用布線23以及多個(gè)輸入 端子T，該柵極驅(qū)動(dòng)器21用來向各條柵極線14a提供柵極信號(hào)， 該源極驅(qū)動(dòng)器22用來向各條源極線16a提供源極信號(hào)，該接地用 布線23設(shè)置在比柵極驅(qū)動(dòng)器21及源極驅(qū)動(dòng)器22還靠近外側(cè)的位 置上，并發(fā)揮用來向后述的相向基板30的共用電極31提供共通信號(hào)的相向布線的作用，所迷多個(gè)輸入端子T用來通過信號(hào)線21a及 信號(hào)線22a向柵極驅(qū)動(dòng)器21及源極驅(qū)動(dòng)器22分別輸入信號(hào)，此外 還用來向接地用布線23輸入信號(hào)。補(bǔ)充說明一下，柵極驅(qū)動(dòng)器21 和源極驅(qū)動(dòng)器22也可以由單片集成電路(monolithic Integrated circuit)構(gòu)成，就是說，也可以由與像素的TFT5同時(shí)形成的集成 電路構(gòu)成。此外，柵極驅(qū)動(dòng)器21和源極驅(qū)動(dòng)器22也可以由已COG
(chip on glass:固定于玻璃上的芯片)化的集成電路芯片構(gòu)成， 就是說，也可以由通過安裝(mount)制成的集成電路芯片構(gòu)成。
如圖1所示，接地用布線23包括共通轉(zhuǎn)位部23b、線狀部分以 及多個(gè)放電突起23a，該共通轉(zhuǎn)位部23b設(shè)置在各個(gè)角部，用來與 相向基板30的共用電極31連接，該線狀部分設(shè)置在各個(gè)共通轉(zhuǎn)位 部23b之間，所述多個(gè)放電突起23a是在所述各條線狀部分向外側(cè)
(后述的柵極電極線14b—側(cè))突出而設(shè)的，用來在各個(gè)頂端部分 產(chǎn)生小規(guī)模放電。 而且，如圖l到圖3所示，有源矩陣基板20a在位于框架區(qū)域 F的外周部分的緩沖區(qū)域B中包括柵極電極線14b,該柵極電極線 14b構(gòu)成為該柵極電極線14b的兩端部分向內(nèi)側(cè)(顯示區(qū)域D — 側(cè))折彎而與接地用布線23重疊。如圖3所示，在接地用布線23、 和柵極電極線14b的兩端部分交叉重疊的部分，分別設(shè)置有兩個(gè)靜 電^f呆護(hù)元件25。 圖4是沿圖3中的IV—IV線的、靜電保護(hù)元件25的剖面圖。
如圖3和圖4所示，靜電保護(hù)元件25包括半導(dǎo)體層12a、柵 極絕緣膜13、柵極電極線14b、層間絕緣膜15以及接地用布線23， 該半導(dǎo)體層12a隔著底層膜11設(shè)置在絕緣基板10上，該柵極絕緣 膜13是覆蓋半導(dǎo)體層12a而設(shè)置的，該柵極電極線14b是在柵極 絕緣膜13上與半導(dǎo)體層12a交叉而設(shè)置的，該層間絕緣膜15是覆 蓋柵極電極線14b而設(shè)置的，該接地用布線23通過形成在柵極絕 緣膜13及層間絕緣膜15層疊的層疊膜中的接觸孔與半導(dǎo)體層12a 電連接。在此，半導(dǎo)體層12a具有與柵極電極線14b重疊而設(shè)的高 電阻區(qū)域12aa、和設(shè)置在高電阻區(qū)域12aa的兩側(cè)的低電阻區(qū)域12ab及12ac。 靜電保護(hù)元件25構(gòu)成為在有源矩陣基板20a的制造工藝中， 例如在規(guī)定量以上的電荷由于蝕刻時(shí)的充電或摩擦處理時(shí)的靜電而 積存于柵極電極線14b中的情況下，該電荷經(jīng)由半導(dǎo)體層12a排出
到接地用布線23中。該靜電保護(hù)元件25發(fā)揮用于ESD對(duì)策的半 導(dǎo)體二極管的作用。 如圖2所示，相向基板30包括彩色濾光層(未示)和設(shè)置在 該彩色濾光層上的共用電極31。在此，在所述彩色濾光層中，對(duì)應(yīng) 于有源矩陣基板20a上的各個(gè)像素電極18例如包括各自著色成紅 色、綠色或藍(lán)色的多個(gè)著色層(未示)和設(shè)在各個(gè)著色層之間的黑 矩陣(未示)。補(bǔ)充說明一下，在相向基板30的表面設(shè)置有已進(jìn)行 過摩擦處理的取向膜(未示)，該取向膜覆蓋共用電極31。
液晶層35由具有電光學(xué)特性的向列型(nematic)液晶等形成。 具有所述結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板50構(gòu)成為在各個(gè)像素中，當(dāng) 來自柵極驅(qū)動(dòng)器21的柵極信號(hào)經(jīng)由柵極線14a發(fā)送來，TFT5成 為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，來自源極驅(qū)動(dòng)器22的源極信號(hào)經(jīng)由源極線16a發(fā) 送來，規(guī)定的電荷由此經(jīng)由TFT5寫入到像素電極18中，另一方 面，共通信號(hào)經(jīng)由接地用布線23送給共用電極31，就會(huì)在像素電 極18與共用電極31之間產(chǎn)生電位差，其結(jié)果是規(guī)定的電壓施加在 由液晶層35構(gòu)成的液晶電容體上。液晶顯示面板50利用液晶層 35的取向狀態(tài)隨液晶層35的施加電壓的大小而變化這一現(xiàn)象，對(duì) 從外部射入的光的透光率加以調(diào)整，來顯示圖像。 接著，參照?qǐng)D1到圖4對(duì)具有所述結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板50的 制造方法加以說明。補(bǔ)充說明一下，本實(shí)施方式的制造方法包括有 源矩陣基板制作工序、相向基板制作工序及液晶層形成工序。
〈有源矩陣基板制作工序〉
利用等離子CVD (Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉 積)法在整個(gè)玻璃基板等絕緣基板10上例如形成氧化硅膜(膜厚 為100nm左右)，來形成底層膜ll。
接著，利用等離子CVD法在基板上的整個(gè)底層膜11上形成非
12晶硅膜(膜厚為50nm左右)，然后通過激光退火(laser anneal)
進(jìn)行晶化(變質(zhì)成多晶硅膜)。之后，利用光刻法形成圖案，來形成
半導(dǎo)體層12a及12b。
之后，還利用等離子CVD法在基板的形成有半導(dǎo)體層12a及
12b的整個(gè)底層膜11上例如形成氧化硅膜(膜厚為lOOnm左右)，
來形成柵極絕緣膜13。
然后，利用濺射法在基板的整個(gè)柵極絕緣膜13上例如依次形
成氮化鉭膜(膜厚為50nm左右)和鵠膜(膜厚為350nm左右)，
而后利用光刻法形成圖案，來形成柵極線14a、柵極電極14aa及
柵極電極線14b。 接著，以柵極電極14aa及柵極電極線14b為掩模，經(jīng)由柵極 絕緣膜13將磷分別摻入到半導(dǎo)體層12a及12b中，從而將溝道區(qū) 域12ba形成在與柵極電極14aa重疊的部分，并將源極區(qū)域12bb 及漏極區(qū)域12bc形成在溝道區(qū)域12ba的外側(cè)，并且，將高電阻區(qū) 域12aa形成在與柵極電極線14b重疊的部分，并將低電阻區(qū)域 12ab及12ac形成在高電阻區(qū)域12aa的外側(cè)。之后，進(jìn)行加熱處 理，進(jìn)行已摻入的磷的活化處理。補(bǔ)充說明一下，若如上所述作為 雜質(zhì)摻入磷，就形成N溝道型TFT;若作為雜質(zhì)摻入硼，就形成P 溝道型TFT。 然后，還利用等離子CVD法在基板的形成有柵極線14a、柵 極電極14aa及柵極電極線14b的整個(gè)柵極絕緣膜13上例如依次形 成氮化硅膜(膜厚為500nm左右)及氧化硅膜(膜厚為500nm左 右)，來形成層間絕緣膜15。
之后，在柵極絕緣膜13及層間絕緣膜15層疊的層疊膜中，通
12b的源極區(qū)域12bb及漏極區(qū)域12bc對(duì)應(yīng)的部分，從而分別形成 接觸孔。 接著，利用濺射法在基板的整個(gè)層間絕緣膜15上例如依次形 成鈦膜(膜厚為100nm左右)、鋁膜(膜厚為500nm左右)及鈦 膜(膜厚為100nm左右)，然后利用光刻法形成圖案，來形成源極線16a、源極電極16aa、漏極電極16ab、接地用布線23、放電突 起23a及共通轉(zhuǎn)位部23b。這樣，就形成TFT5和靜電保護(hù)元件25， 也形成柵極驅(qū)動(dòng)器21和源極驅(qū)動(dòng)器22。
之后，還進(jìn)行加熱處理，對(duì)半導(dǎo)體層12a及12b的懸掛鍵 (dangling bond)進(jìn)行終結(jié)。
之后，例如將丙埽酸樹脂(膜厚為2〃m到3〃m)涂在基板 的形成有源極線16a、源極電極16aa、漏極電極16ab、接地用布 線23、放電突起23a及共通轉(zhuǎn)位部23b的整個(gè)層間絕緣膜15上， 來形成樹脂層17。
接著，通過蝕刻除去樹脂層17的與漏極電極16ab對(duì)應(yīng)的部分， 來形成接觸孔。
之后，利用'減射法在基板的整個(gè)樹脂層17上例如形成ITO (Indium Tin Oxide:氧化銦錫)膜(膜厚為100n邁左右)，之后
利用光刻法形成圖案，來形成像素電極18。
最后，利用印刷法例如形成聚酰亞胺(polyimide)樹脂膜后，
進(jìn)行摩擦處理，來形成取向膜19。 〖0056] 利用上述辦法，就能夠制作出有源矩陣基板20a。在此，在規(guī)
定量以上的電荷由于進(jìn)行基于光刻法的蝕刻時(shí)的充電或摩擦處理時(shí)
的靜電而積存于柵極電極線14b中的情況下，該電荷會(huì)經(jīng)由靜電保 護(hù)元件25的半導(dǎo)體層12a排出到接地用布線23中。此外，在少量 的電荷積存于接地用布線23中的情況下，也能夠?qū)⒃撾姾赏ㄟ^在 放電突起23a的頂端部分產(chǎn)生的小規(guī)模放電排出。補(bǔ)充說明一下， 接地用布線23構(gòu)成為至少在進(jìn)行該有源矩陣基板制作工序的那 一段時(shí)間內(nèi)接地。
〈相向基板制作工序〉
首先，在整個(gè)玻璃基板等絕緣基板上例如用黑色感光性樹脂(膜 厚為l;im左右)形成圖案，來形成黑矩陣。
接著，在黑矩陣的各個(gè)格子間例如用紅、綠或藍(lán)的著色層(膜 厚為2"m左右)形成圖案，來形成彩色濾光層。
之后，在彩色濾光層上形成ITO膜(膜厚為100nm左右)，來形咸共用電極31。
最后，利用印刷法例如形成聚酰亞胺樹脂膜后，進(jìn)行摩擦處理，
來形成取向膜。
利用上述辦法，就能夠制作出相向基板30。
〈液晶層形成工序〉
首先，例如利用印刷法在通過所述有源矩陣基板制作工序制作
出的有源矩陣基板20a上形成由熱固性樹脂形成的框形密封部36,
之后將導(dǎo)電漿狀物(paste)涂在有源矩陣基板20a的共通轉(zhuǎn)位部
23b上。 接著，將由塑料等形成的球形間隔物(spacer)散布在形成有 密封部36的有源矩陣基板20a上。補(bǔ)充說明一下，在本實(shí)施方式 中散布的是由塑料等形成的球形間隔物，也可以用感光性樹脂形成 圖案，來形成感光性間隔物(photo spacer)。 之后，再將已散布有間隔物的有源矩陣基板20a和通過所述相 向基板制作工序制作出的相向基板30貼在一起。此時(shí)，有源矩陣 基板20a上的共通轉(zhuǎn)位部23b和相向基板30上的共用電極31通 過導(dǎo)電漿狀物(未示)電連接。補(bǔ)充說明一下，在本實(shí)施方式中， 將導(dǎo)電漿狀物涂在共通轉(zhuǎn)位部23b上，來使共通轉(zhuǎn)位部23b及共用 電極31通過導(dǎo)電漿狀物電連接。也可以讓密封部36含有金球等導(dǎo) 電粒予，使共通轉(zhuǎn)位部23b及共用電極31通過該導(dǎo)電粒子電連接。 之后，通過加熱使密封部36固化后，利用減壓法將液晶材料 注入到有源矩陣基板20a與相向基板30之間。 最后，用紫外線固化樹脂等對(duì)密封部36進(jìn)行密封，來形成液 晶層35。
利用上述辦法，就能夠制造出液晶顯示面板50。
補(bǔ)充說明一下，在本實(shí)施方式中作為例子提到的是下述液晶顯 示面板的制造方法，即首先隔著密封部使相向的玻璃基板貼在一 起，再使該密封部固化，然后注入液晶材料。也可以首先在玻璃基 板上畫密封部分，并使液晶材料滴下，然后使玻璃基板貼在一起， 使密封部固化，來制造出液晶顯示面板。
15
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的有源矩陣基板20a和液晶顯示面 板50，因?yàn)闃?gòu)成靜電保護(hù)元件25的柵極電極線14b設(shè)置在框架區(qū) 域F中的比接地用布線23還靠近外側(cè)的位置上，所以與柵極電極 線114b設(shè)置在框架區(qū)域F中的比相向布線123還靠近內(nèi)側(cè)的位置 上的情況(參照?qǐng)D8的有源矩陣基板120)相比，能夠使框架區(qū)域 F的寬度更窄。在此，在有源矩陣基板20a的周邊端部即框架區(qū)域 F中的比接地用布線23還靠近外側(cè)的區(qū)域，即緩沖區(qū)域B內(nèi)，例 如雖然不配置驅(qū)動(dòng)電路等對(duì)顯示作貢獻(xiàn)的實(shí)質(zhì)電路，但能夠有效地 配置對(duì)顯示不作貢獻(xiàn)而用于制造工藝中的ESD對(duì)策的靜電保護(hù)元 件25和構(gòu)成該靜電保護(hù)元件25的柵極電極線14b,以免腐蝕及/ 或破損(破裂或缺口)影響到顯示區(qū)域D。在有源矩陣基板20a的 制造工藝中，例如在規(guī)定量以上的電荷由于蝕刻時(shí)的充電或摩擦處 理時(shí)的靜電而積存于柵極電極線14b中的情況下，該電荷會(huì)經(jīng)由靜 電保護(hù)元件25的半導(dǎo)體層12a排出到接地用布線23中，這樣來采 取ESD對(duì)策。因此，能夠使ESD對(duì)策和框架狹窄化兩立。 此外，根據(jù)本實(shí)施方式的有源矩陣基板20a，因?yàn)榻拥赜貌季€ 23具有向柵極電極線14b —側(cè)突出而設(shè)的放電突起23a，所以在該 有源矩陣基板的制造工藝(有源矩陣基板制作工序)中，例如在電 荷由于蝕刻時(shí)的充電或摩擦處理時(shí)的靜電而積存于柵極電極線14b 中的情況下，也能夠利用經(jīng)由層間絕緣膜在放電突起23a的頂端部 分產(chǎn)生的放電將該電荷排出。 再說，根據(jù)本實(shí)施方式的有源矩陣基板20a，因?yàn)樵诳蚣軈^(qū)域 F中的比接地用布線23還靠近顯示區(qū)域D —側(cè)的位置上設(shè)置有柵 極驅(qū)動(dòng)器21，所以與柵極電極線114b設(shè)置在框架區(qū)域F中的比相 向布線123還靠近內(nèi)側(cè)的位置上的情況(參照?qǐng)D8的有源矩陣基板 120)相比，構(gòu)成靜電保護(hù)元件25的柵極電極線14b與柵極驅(qū)動(dòng)器 21之間的距離更長。因此，能夠使柵極驅(qū)動(dòng)器21不易受到靜電的 影響。 〈發(fā)明的第二實(shí)施方式〉
圖6是平面圖，顯示本實(shí)施方式所涉及的有源矩陣基板20b的才匡架區(qū)域F。補(bǔ)充說明一下，在以下各個(gè)實(shí)施方式中，以相同的符 號(hào)表示與圖1到圖5相同的部分，省略該部分的詳細(xì)說明。 在所述第一實(shí)施方式中，放電突起23a和接地用布線23形成 為一體。而在本實(shí)施方式中，放電突起14ba和柵極電極線14b形 成為一體，如圖6所示。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在有源矩陣基板20b的制造 工藝中，例如在電荷由于蝕刻時(shí)的充電或摩擦處理時(shí)的靜電而積存 于柵極電極線14b中的情況下，能夠利用經(jīng)由層間絕緣膜15在放 電突起14ba的頂端部分產(chǎn)生的放電將該電荷排出。補(bǔ)充說明一下， 省略有源矩陣基板20b的制作方法的詳細(xì)說明，其理由是只要在 第一實(shí)施方式所述的有源矩陣基板20a的制作工序中對(duì)形成柵極電 極線14b和接地用布線23的圖案時(shí)的圖案形狀進(jìn)行變更就可以。 〈發(fā)明的第三實(shí)施方式〉
圖7是平面圖，顯示本實(shí)施方式所涉及的有源矩陣基板20c的 框架區(qū)域F。 在所述各個(gè)實(shí)施方式中，形成有放電突起14ba及23a中的任 一種放電突起。而在本實(shí)施方式中，形成有放電突起14ba和23a， 如圖7所示。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，在有源矩陣基板的制造工藝中，例如 在電荷由于蝕刻時(shí)的充電或摩擦處理時(shí)的靜電而積存于柵極電極線 14b中的情況下，能夠利用經(jīng)由層間絕緣膜15在放電突起14ba及 23a的頂端部分產(chǎn)生的放電將該電荷排出。
補(bǔ)充說明一下，在所述第一到第三實(shí)施方式中作為顯示面板的 例子提到的是有源矩陣驅(qū)動(dòng)式液晶顯示面板50。本發(fā)明也可以用于 EL (electroluminescence:電致發(fā)光)顯示面沖反和無源矩陣驅(qū)動(dòng) 式顯示面板等等。 一工業(yè)實(shí)用性一 如上所述，因?yàn)楸景l(fā)明能夠使ESD對(duì)策和框架狹窄化兩立， 所以對(duì)被要求框架狹窄化的手機(jī)等移動(dòng)式設(shè)備用顯示面板很有用。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣基板，界定有對(duì)顯示作貢獻(xiàn)的顯示區(qū)域、和設(shè)置在比該顯示區(qū)域還靠近外側(cè)的位置上并對(duì)顯示不作貢獻(xiàn)的框架區(qū)域，且包括在所述框架區(qū)域內(nèi)沿該框架區(qū)域的外周延伸而設(shè)置的接地用布線，其特征在于在所述框架區(qū)域中的比所述接地用布線還靠近外側(cè)的位置上設(shè)置有柵極電極線，該柵極電極線用來在該柵極電極線與該接地用布線重疊的部分構(gòu)成靜電保護(hù)元件。
2. ^^艮據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述靜電保護(hù)元件構(gòu)成為所述接地用布線和所述柵極電極線能夠通過半導(dǎo)體層電連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的有源矩陣基板，其特征在于所述^^地用布線構(gòu)成為與和所述有源矩陣基^1相向而配置的相向基 板的共用電極電連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在子所述才妄地用布線具有向所述柵極電極線一側(cè)突出而設(shè)的放電突起。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述柵極電極線具有向所述接地用布線一側(cè)突出而設(shè)的放電突起。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的有源矩陣基板，其特征在于 在所迷框架區(qū)域中的比所述接地用布線還靠近所述顯示區(qū)域一側(cè)的位置上設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述框架區(qū)域中的比所述接地用布線還靠近外側(cè)的區(qū)域是用來使腐蝕及/或破損不影響到所述顯示區(qū)域的緩沖區(qū)域。
8. —種顯示面板，包括有源矩陣基板、與所述有源矩陣基板相向而 配置并且具有共用電極的相向基板以及設(shè)置在所述有源矩陣基板與所述相 向基板之間的顯示層，界定有對(duì)顯示作貢獻(xiàn)的顯示區(qū)域、和設(shè)在比該顯示 區(qū)域還靠近外側(cè)的位置上并對(duì)顯示不作貢獻(xiàn)的框架區(qū)域，在所述有源矩陣基板中設(shè)置有接地用布線，該接地用布線沿所述框架區(qū)域的外周延伸，用來與所述相向基板的共用電極電連接，其特征在于在所述有源矩陣基板的框架區(qū)域中的比所述接地用布線還靠近外側(cè)的 位置上設(shè)置有柵極電極線，該柵極電極線用來在該柵極電極線與該接地用 布線重疊的部分構(gòu)成靜電保護(hù)元件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有源矩陣基板及包括有源矩陣基板的顯示面板。該有源矩陣基板(20a)界定有對(duì)顯示作貢獻(xiàn)的顯示區(qū)域(D)、和設(shè)置在比顯示區(qū)域(D)還靠近外側(cè)的位置上并且對(duì)顯示不作貢獻(xiàn)的框架區(qū)域(F)，且包括在框架區(qū)域(F)內(nèi)沿框架區(qū)域(F)的外周延伸而設(shè)置的接地用布線(23)。在框架區(qū)域(F)中的比接地用布線(23)還靠近外側(cè)的位置上設(shè)置有柵極電極線(14b)，該柵極電極線(14b)用來在該柵極電極線(14b)與接地用布線(23)重疊的部分構(gòu)成靜電保護(hù)元件(25)。
文檔編號(hào)G09F9/30GK101568950SQ20078004789
公開日2009年10月28日 申請(qǐng)日期2007年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月22日
發(fā)明者佐藤昌和 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社