專利名稱：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器，更具體地講，涉及一種液晶顯示器(LCD)。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是平板顯示器中最廣泛使用的類型之一。通常，LCD 包括一對具有電場發(fā)生電極(如像素電極和共電極)的顯示面板以及位于顯 示面板之間的液晶層。在LCD中，將電壓施加到電場發(fā)生電極，從而產(chǎn)生電 場。因此，確定液晶層的液晶分子的取向，從而控制入射光的偏振。結(jié)果， 在LCD上顯示期望的圖像。在垂直取向(VA)模式的LCD中，當(dāng)不對液晶分子施加電場時，液晶 分子以其長軸垂直于上下顯示面板的方式排列。由于VA;漠式的LCD的對比 率高、標(biāo)準視角寬，所以VA模式的LCD很受歡迎。標(biāo)準視角指的是對比率 為1:10時的視角或者灰階之間亮度變化的臨界角。為了使VA模式的LCD的標(biāo)準視角變寬，可在電場發(fā)生電極中形成切口 (cutout),或者可在電場發(fā)生電極上形成突出。切口或突出可以確定液晶分 子的傾斜方向。通過利用切口或突出來控制液晶分子的取向(orientation )， 可以增大VA模式的LCD的標(biāo)準視角。然而，VA模式的LCD的缺點在于與正面可見性相比，其側(cè)面可見性會 較差。例如，在具有切口的圖像垂直取向(patterned vertical alignment) ( PVA) 模式的LCD中，靠近屏幕側(cè)面的圖像比屏幕中心的圖像亮。在極端的情況下， 高灰階之間的亮度差會消失，導(dǎo)致圖像變得模糊(dull)。為了克服這個缺點，可將每個像素分為兩個子像素，并且在每個子像素 中形成開關(guān)裝置。然后，將不同的電壓施加到每個子像素。換言之，將不同 的數(shù)據(jù)電壓施加到一對子像素，從而由子像素構(gòu)成的像素可以表示期望的亮 度。具體地講，如果LCD在低灰度電壓下工作，則實際上是由施加了相對高 的數(shù)據(jù)電壓的子像素來驅(qū)動LCD。因此，應(yīng)該將施加有相對高的電壓的子像 素和該子像素相對兩側(cè)的一對數(shù)據(jù)線之間的耦合電容匹配，以提高LCD的顯 示品質(zhì)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了 一種可具有提高的顯示品質(zhì)的液晶顯示器(L C D )。將在接下來的描述中部分闡述本發(fā)明的其它特征，還有一部分通過描述 將是清楚的，或者可以經(jīng)過本發(fā)明的實施而得知。本發(fā)明公開了一種LCD，該LCD包括第一絕緣基底；柵極線，位于 第一絕緣基底上并沿第一方向延伸；第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，與柵極線絕 緣并交叉，第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線相互分隔開并沿第二方向延伸。LCD還 包括第一薄膜晶體管(TFT)和第二 TFT,分別連接到柵極線以及第一數(shù)據(jù) 線和第二數(shù)據(jù)線；第一子像素電極和第二子像素電極，分別連接到第一 TFT 和第二TFT;第一漏電極連接部分和第二漏電極連接部分，分別將第一TFT 和第二 TFT連接到第 一子像素電極和第二子像素電極。第 一漏電極連接部分 和第二漏電極連接部分相互電絕緣，并一起形成基本為矩形的帶。本發(fā)明還提供了一種LCD,該LCD包括第一絕緣基底；柵極線，位 于第一絕緣基底上并沿第一方向延伸；第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，與柵極線 絕緣并交叉，第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線相互分隔開并沿第二方向延伸；多個 像素。所述多個像素通過柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉來限定，并且每個像素包括 第一TFT和第二TFT,分別連接到柵極線以及第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；第 一子像素電極，在像素的區(qū)域中基本上為V形，其中，V形的底部鄰近于第 二數(shù)據(jù)線；第二子像素電極，位于所述像素的剩余區(qū)域中；漏電極連接部分， 為基本為矩形帶的形式，將第一 TFT或第二 TFT連接到第 一子像素電極或第 二子像素電極。具有連接到第一數(shù)據(jù)線的第一子像素電極的第一類型的像素 和具有連接到第二數(shù)據(jù)線的第一子像素電極的第二類型的像素可沿第一方向 和第二方向交替地布置。應(yīng)該理解，上述的總體描述和下面的詳細描述均為 示例性和解釋性的，意圖對所要求保護的本發(fā)明提供進一步的解釋。


包括的附圖是為了提供對本發(fā)明的進一步理解，并且附圖包含在此并構(gòu) 成說明書的一部分，附圖中示出了本發(fā)明的實施例，并與說明書中的描述一 起來解釋本發(fā)明的原理。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的液晶顯示器(LCD)的像素陣列的 示意圖。圖2是包括在圖1的LCD中的像素的等效電路圖。 圖3是包括圖1中示出的A型像素的下顯示面板的布局圖。 圖4是示出圖3中示出的數(shù)據(jù)線和子像素電極之間的連接關(guān)系的示意圖。 圖5是連接到圖3中示出的下顯示面板的上顯示面板的布局圖。 圖6是包括圖3中示出的下顯示面板和圖5中示出的上顯示面板的LCD 的布局圖。圖7是包括圖1中示出的B型像素的下顯示面板的布局圖。 圖8是示出圖7中示出的數(shù)據(jù)線和子像素電極之間的連接關(guān)系的示意圖。 圖9是示出在灰階變換的情況下，圖l和圖3中示出的A型像素與圖1 和圖7中示出的B型像素之間的亮度差的曲線圖。
具體實施方式
現(xiàn)在，將參照附圖來更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示 例性實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，并不應(yīng)該被理解為 限于在此提出的實施例。相反，提供這些實施例是為了使本公開將是徹底的相同的標(biāo)號表示相同的元件，因此，將省略對它們的描述。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作在另一元件或?qū)?上"或"連接到" 另 一元件或?qū)訒r，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹?一元件或?qū)由匣蛑苯舆B接到另一 元件或?qū)樱蛘咭部梢源嬖谥虚g元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱作"直接" 在另一元件或?qū)?上"或"直接連接到"另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件 或中間層。如在這里使用的，術(shù)語"和/或"包括一個或多個相關(guān)所列項的任 意組合和所有組合。應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同 的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部 分并不受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個元件、組件、區(qū)域、層 或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被命 名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。 這里使用的術(shù)語僅出于描述具體實施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明。 如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù) 形式。還應(yīng)該理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語"包含，，和/或"包括，，時， 說明存在所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存 在或附加一個或多個其它特征、區(qū)域、整體、步驟、才喿作、元件、組件和/或 它們的組。
為了易于描述如附圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān) 系，在這里可使用空間相對術(shù)語，如"在.…之下"、"在...下方"、"下面的"、 "在…上方"、"上面的"等，。應(yīng)該理解的是，空間相對術(shù)語意在包含除了在 附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖 中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為"在"其它元件或特征"下方"或"之下"的 元件隨后將被定位為"在"其它元件或特征"上方"。因此，示例性術(shù)語"在... 下方"可包括"在...上方"和"在...下方"兩種方位。所述裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對描述符。
除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科技術(shù)語) 具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。應(yīng)該 進一步理解，除非這里明確定義，否則術(shù)語例如在通用的字典中定義的術(shù)語 應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中它們的意思相一致的意思，而不是理 想地或者過于正式地解釋它們的意思。在此參照作為本發(fā)明的理想實施例的示例性示例的剖視圖來描述本發(fā)明 的實施例。這樣，預(yù)計會出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差的變化引起的示例的 形狀變化。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)該被理解為限制于在此示出的區(qū)域的 具體形狀，而應(yīng)該包括例如由制造導(dǎo)致的形狀上的偏差。例如，示出或描述 為平坦的區(qū)域通?？删哂写植诤?或非線性特征。而且，示出的銳角可是倒圓 角。因此，在附圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀并不意圖示 出區(qū)域的精確形狀，也不意圖限制本發(fā)明的范圍。
以下，將參照附圖來詳細描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的液晶顯示器(LCD)。
圖l是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的像素陣列的示意圖。圖2是包括 在圖1中的LCD中的像素的等效電路圖。沖艮據(jù)本實施例的LCD包括液晶面板組件、連接到液晶面板組件的柵極驅(qū)
動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器、連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動器的灰度電壓發(fā)生器以及控制柵極驅(qū)動 器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器的信號控制器。液晶面板組件包括多條顯示信號線和多個像素PX，多個像素PX連接到 顯示信號線并基本上按矩陣布置。液晶面板組件還包括彼此面對的下顯示面 板和上顯示面板以及置于下顯示面板和上顯示面板之間的液晶層。參照圖1和圖2，顯示信號線形成在下顯示面板上。顯示信號線包括 多條柵極線G,用于傳輸柵極信號；多條第一數(shù)據(jù)線Da和多條第二數(shù)據(jù)線 Db,用于傳輸數(shù)據(jù)信號。柵極線G基本上沿行方向延伸并基本上相互平行。 第一數(shù)據(jù)線Da和第二數(shù)據(jù)線Db基本上垂直于柵極線延伸并相互平行。每個像素PX包括一對子像素PXa和PXb。每個子像素PXa和PXb包括 開關(guān)器件Qa或Qb，連接到第一或第二數(shù)據(jù)線Da或Db和一條柵極線G;液 晶電容器Clca或Clcb,連接到開關(guān)器件Qa或Qb;任選的，存儲電容器Csta 或Cstb,連接到開關(guān)器件Qa或Qb。換言之，對一對子像素PXa和PXb分 配兩條數(shù)據(jù)線Da和Db以及一條柵極線G。當(dāng)需要時，可以省略存儲電容器 Csta和Cstb。每個子像素PXa和PXb中的開關(guān)器件Qa或Qb可以是形成在下顯示面 板上的薄膜晶體管。具體地講，開關(guān)器件Qa或Qb可為三端子器件，包括 控制端(以下，稱作柵電極)，連接到柵極線G，柵極信號^皮傳輸?shù)剿鰱艠O 線G;輸入端(以下，稱作源電極)，連接到第一數(shù)據(jù)線Da或第二數(shù)據(jù)線Db; 輸出端(以下，稱作漏電極)，連接到液晶電容器Clca或Clcb和存儲電容器 Csta或Cstb。液晶電容器Clca或Clcb利用下顯示面板中的第 一子像素電極Pa或第二 子像素電極Pb和上顯示面板中的共電極作為兩個端子。第一子像素電極Pa 或第二子像素電極Pb和共電極之間的液晶層用作電介質(zhì)。第一子像素電極 Pa和第二子像素電極Pb分別連接到開關(guān)器件Qa和Qb。共電極形成在上顯 示面板的前表面上，共電壓Vcom被施加到共電極上。可選擇地，共電極可 形成在下顯示面板上。在這種情況下，第一子像素電極Pa和第二子像素電極 Pb中的至少一個和共電極可為線性或條形。存儲電容器Csta和Cstb補充液晶電容器Clca和Clcb。每個存儲電容器 Csta和Cstb可由存儲配線及第 一子像素電極Pa和第二子像素電極Pb之一構(gòu) 成，其中，第一子像素電極Pa和第二子像素電極Pb形成在下顯示面板上，
并且相互疊置且在其間具有絕緣體。將預(yù)定的電壓(如共電壓Vcom)施加到 存儲配線。每個存儲電容器Csta和Cstb可利用絕緣體作為介質(zhì)由前一柵極線 和關(guān)于前一柵極線的第一子像素電極Pa或第二子像素電極Pb形成。每個像素PX可顯示三原色中的一種(空間劃分)，或者可選擇地，可在 不同的時間顯示三原色(時間劃分)，三原色的時空和可產(chǎn)生可被識別的期望 的顏色。三原色可為紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)。作為空間劃分的示例， 每個像素PX在上顯示面板的區(qū)域中可包括表示三原色中的一種顏色的濾色 器。此外，濾色器可形成在下顯示面板的第一子像素電極Pa和第二子像素電 極Pb上，或者形成在下顯示面板的第一子像素電極Pa和第二子像素電極Pb 下方。柵極驅(qū)動器連接到柵極線G，并將柵極信號(即，柵極導(dǎo)通電壓Von或 柵極截止電壓Voff)傳輸?shù)綎艠O線G?；叶入妷喊l(fā)生器可產(chǎn)生兩組將被傳輸?shù)较袼氐幕叶入妷?或基準灰度電 壓)，并將產(chǎn)生的灰度電壓組施加到數(shù)據(jù)驅(qū)動器。換言之，可將兩組灰度電壓 單獨地施加到形成每個像素的每對子像素。然而，本發(fā)明不限于此?；叶入?壓發(fā)生器可僅產(chǎn)生一組灰度電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動器連接到一對第一數(shù)據(jù)線Da和第二數(shù)據(jù)線Db中的每條。數(shù)據(jù) 驅(qū)動器通過第一數(shù)據(jù)線Da將數(shù)據(jù)電壓施加到形成每個像素PX的一對子像素 Pa和Pb中的任意一個，通過第二數(shù)據(jù)線Db將不同的數(shù)據(jù)電壓施加到子像素 Pa和Pb的另一個。柵極驅(qū)動器或數(shù)據(jù)驅(qū)動器可以以多個驅(qū)動集成電路(IC)芯片的形式直 接安裝在液晶面板組件上，或者可以安裝在柔性印刷電路膜上并以載帶封裝 的形式附于液晶面板組件。另外，柵極驅(qū)動器或數(shù)據(jù)驅(qū)動器可與顯示信號線 (即，柵極線G及第一數(shù)據(jù)線Da和第二數(shù)據(jù)線Db )及開關(guān)器件Qa和Qb (即，薄膜晶體管) 一起集成到液晶面板組件上。信號控制器控制柵極驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器的操作。返回參照圖1,每個像素PX包括兩個開關(guān)器件Qa和Qb，第一子像素 電極Pa和第二子像素電極Pb分別連接到開關(guān)器件Qa和Qb?？蓪⑾鄬Ω叩?數(shù)據(jù)電壓施加到第一子像素電極Pa，可將相對低的數(shù)據(jù)電壓施加到第二子像 素電極Pb。以下，高數(shù)據(jù)電壓或低數(shù)據(jù)電壓被分別稱作共電壓和數(shù)據(jù)電壓之 間的大壓差或小壓差。另外，在其中通過第一數(shù)據(jù)線Da將數(shù)據(jù)電壓施加到第
一子像素電極Pa的像素被稱作A型像素，在其中通過第二數(shù)據(jù)線Db將數(shù)據(jù) 電壓施加到第二子像素電極Pb的像素被稱作B型像素。如圖l所示，A型像素和B型像素可沿著水平方向和垂直方向交替地排 列，以防止在LCD上看到水平圖像或垂直圖像。對于所有像素，可通過第一數(shù)據(jù)線Da將數(shù)據(jù)電壓施加到第一子像素電 極Pa。即，像素陣列可僅由A型像素構(gòu)成。在這種情況下，如果通過列反轉(zhuǎn) 來驅(qū)動LCD,則在LCD上可以看到相對于測試圖像沿水平方向移動的垂直 圖像，其中，所述測試圖像每幀沿水平方向移動一個像素。另外，對于一行像素，可通過第一數(shù)據(jù)線Da將數(shù)據(jù)電壓施加到第一子 像素電極Pa,并且對于另一行像素，可通過第二數(shù)據(jù)線Db將數(shù)據(jù)電壓施加 到第一子像素電極Pa。即，可交替地布置A型像素行和B型像素行。這種布 置防止在LCD上看到如上所述的沿水平方向移動的垂直圖像。第一子像素電 極Pa連接到第一數(shù)據(jù)線Da和第二數(shù)據(jù)線Db中的每條。這樣，由于第一子 像素電極Pa與第一數(shù)據(jù)線Da和第二數(shù)據(jù)線Db中的每條的耦合電容根據(jù)像 素是A型像素或B型像素而變化，所以可以看到水平圖像。通過沿水平方向和垂直方向交替地布置A型像素和B型像素(如在圖1 所示的LCD中)可以避免如上所述的沿水平方向移動的垂直圖像或水平圖 像。如果以低灰度電壓來操作具有這種布置的LCD,則LCD實際上由施加 有相對高的電壓的第一子像素電極Pa驅(qū)動。因此，對于A型像素和B型像 素中的每個，如果第一子像素電極Pa和第一數(shù)據(jù)線Da的耦合電容與第一子 像素電極Pa和第二數(shù)據(jù)線Db的耦合電容之間的差減小，則可以防止由于串 擾而導(dǎo)致的LCD的顯示品質(zhì)的劣化。以下，將參照圖3、圖4、圖5和圖6來詳細描述才艮據(jù)本發(fā)明的示例性實 施例的LCD。才艮據(jù)本實施例的LCD包括下顯示面^反、面向下顯示面板的上 顯示面板以及置于下顯示面板和上顯示面板之間的液晶層。現(xiàn)在，將參照圖3來詳細描述LCD的下顯示面板。圖3是包括圖1中示 出的A型像素的下顯示面板的布局圖。參照圖3，柵極線22和存儲配線28位于絕緣基底上，所述絕緣基底可 由例如透明玻璃形成。柵極線22通常沿水平方向延伸并傳輸柵極信號。柵極線22按行連接到 每個像素。柵極線22包括一對第一突出柵電極26a和第二突出柵電極26b。 柵極線22以及第一突出柵電極26a和第二突出柵電極26b稱為柵極配線。存儲配線28通常沿水平方向延伸并與像素電極82 —起形成存儲電容器。 在本實施例中，存儲配線28與第一子像素電極82a的中心疊置。然而，本發(fā) 明并不限于此。存儲配線28的形狀和布置可以改變。柵極配線和存儲配線28可由鋁(Al)系金屬(如鋁和鋁合金)、銀(Ag ) 系金屬(如銀和銀合金)、銅(Cu)系金屬(如銅和銅合金)、鉬(Mo)系金 屬(如鉬和鉬合金)、鉻(Cr)、鈦(Ti)或鉭(Ta)形成。另外，柵極配線和存儲配線28可具有由物理性能不同的兩層導(dǎo)電膜(未 示出)構(gòu)成的多膜結(jié)構(gòu)。兩層導(dǎo)電膜中的一層可由低電阻率的金屬(如鋁系 金屬、銀系金屬或銅系金屬)形成，以減少柵極配線和存儲配線28的信號延 遲或減小柵極配線和存儲配線28的壓降。導(dǎo)電膜中的另一層膜可由不同的材 料形成，具體地講，可由與氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)具有良好接 觸性能的材料(如鉬系金屬、鉻、鈦或鉭)形成。多膜結(jié)構(gòu)的示例包括下鉻 膜和上鋁膜以及下鋁膜和上鉬膜。然而，本發(fā)明并不限于此。柵極配線和存 儲配線28可由不同的金屬和導(dǎo)體形成。柵極絕緣膜(未示出)可位于柵極線22和存儲配線28上，其中，柵極 絕緣膜可由氮化硅(SiNx)形成。一對半導(dǎo)體層40a和40b可位于4冊極絕緣膜上，其中，所述半導(dǎo)體層40a 和40b可由氫化非晶硅或多晶硅形成。半導(dǎo)體層40a和40b可具有不同的形 狀。例如，半導(dǎo)體層40a和40b可為島狀或者可線性地形成。在本實施例中， 半導(dǎo)體層40a和40b為島狀。歐姆接觸層(未示出)可位于半導(dǎo)體層40a和40b的每層上，其中，歐 姆接觸層可由諸如以高濃度用n-型雜質(zhì)摻雜的n+氫化非晶硅或硅化物的材料 形成。即， 一對歐姆接觸層可形成在半導(dǎo)體層40a和40b上。一對第一數(shù)據(jù)線62a和第二數(shù)據(jù)線62b以及與第一數(shù)據(jù)線62a和第二數(shù) 據(jù)線62b對應(yīng)的一對第一漏電極66a和第二漏電纟及66b形成在歐姆接觸層和 柵極絕緣膜上。第一數(shù)據(jù)線62a和第二數(shù)據(jù)線62b通常沿豎直方向延伸，并與柵極線22 和存儲配線28交叉，并且第一數(shù)據(jù)線62a和第二數(shù)據(jù)線62b將數(shù)據(jù)電壓傳輸 到柵極線22和存儲配線28。第一源電極65a和第二源電極65b分別從第一數(shù) 據(jù)線62a和第二數(shù)據(jù)線62b分支，并分別向第一漏電極66a和第二漏電極66b
延伸。如圖3所示，像素被劃分為一對子像素，第一數(shù)據(jù)線62a將數(shù)據(jù)信號 傳輸?shù)剿鲆粚ψ酉袼刂械囊粋€，第二數(shù)據(jù)線62b將另 一數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)?所述一對子像素中的另 一個。第一數(shù)據(jù)線62a和第二數(shù)據(jù)線62b、第一源電極65a和第二源電極65b 以及第一漏電極66a和第二漏電極66b被稱作數(shù)據(jù)配線。數(shù)據(jù)配線可由^^各、鉬系金屬或難熔金屬(如鉭和鈦)形成。此外，數(shù)據(jù) 配線可具有由下膜和上膜構(gòu)成的多膜結(jié)構(gòu)(未示出)，其中，所述下膜由難熔 金屬形成，所述上膜由低電阻率的材料形成并位于下膜上。多膜結(jié)構(gòu)的示例 包括下鉻膜和上鋁膜以及下鋁膜和上鉬膜?？蛇x擇地，多膜結(jié)構(gòu)可為具有鉬 膜-鋁膜-鉬膜的三層膜結(jié)構(gòu)。第一源電極65a和第二源電極65b的至少部分分別與半導(dǎo)體層40a和40b 疊置。另外，第一漏電極66a和第二漏電極66b分別相對于柵電極26a和26b 面向第一源電極65a和第二源電極65b，并且第一漏電極66a和第二漏電極 66b的至少部分分別與半導(dǎo)體層40a和40b疊置。上述的歐姆接觸層可布置在 半導(dǎo)體層40a和40b與第一源電極65a和第二源電極65b及第一數(shù)據(jù)線62a 和第二數(shù)據(jù)線62b之間，其中，半導(dǎo)體層40a和40b位于歐姆接觸層下方， 第一源電極65a和第二源電極65b及第一數(shù)據(jù)線62a和第二數(shù)據(jù)線62b位于 歐姆接觸層的上方。歐姆接觸層減小接觸電阻。鈍化層(未示出)可形成在數(shù)據(jù)配線及半導(dǎo)體層40a和40b的暴露部分 上。鈍化層可由無機材料(如氮化硅或氧化硅)、具有光敏性和良好的平坦化 性能的有機材料或者通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成的低介 電常數(shù)(low國k dielectric)材料(如a誦Si:C:O或a-Si:O:F )形成。鈍化層可由 下無機層和上有機層構(gòu)成，從而在利用有機層的良好的特性的同時保護半導(dǎo) 體層40a和40b的暴露部分。第一子像素電極82a和第二子像素電極82b可形成在鈍化層上。第一子 像素電極82a和第二子像素電極82b分別通過第一接觸孔76a和第二接觸孔 76b連接到第一漏電極66a和第二漏電極66b，并且第一子像素電極82a和第 二子像素電極82b位于像素區(qū)域中。第一子像素電極82a和第二子像素電極 82b可由透明的導(dǎo)體(如ITO或IZO)形成，或者可由反射導(dǎo)體(如鋁)形 成。如上所述，第一子像素電極82a和第二子像素電極82b分別通過第一接
觸孔76a和第二4妄觸孔76b連接到第一漏電極66a和第二漏電極66b。因此， 可對第一子像素電極82a和第二子像素電極82b供應(yīng)來自第一漏電極66a和 第二漏電極66b的不同的數(shù)據(jù)電壓。施加有不同的數(shù)據(jù)電壓的第一子像素電極82a和第二子像素電極82b與 上顯示面板中的共電極一起產(chǎn)生電場，從而確定第一子像素電極82a和第二 子像素電極82b與共電極之間的液晶分子的取向。子像素電極82a和82b中的每個與共電極形成液晶電容器Clca或Clcb， 因此，即使在薄膜晶體管(即，開關(guān)器件Qa或Qb)截止后，也能夠維持施 加到其的電壓。存儲電容器Csta和Cstb可并聯(lián)連接到液晶電容器Clca和Clcb， 以增強電壓維持能力。存儲電容器Csta和Cstb的每個由存儲配線28與第一 子像素電極82a或第二子像素電極82b的疊置形成，或者由存儲配線28與連 接到第一子像素電極82a的第一漏電極66a或連接到第二子像素電極82b的 第二漏電極66b的疊置形成。一個像素電極82包括第一子像素電極82a和第二子像素電極82b,其中， 第一子像素電極82a和第二子像素電極82b相互接合并在它們之間具有預(yù)定 的間隙83。第一子像素電極82a位于像素的區(qū)域中，且形狀基本上為側(cè)躺的 "V"形，第二子像素電極82b位于該像素的剩余區(qū)域中。第一子像素電極82a和第二子像素電極82b之間的間隙83包括相對于柵 極線22成大約45度或-45度的角度的傾斜部分和連接傾斜部分的豎直部分。 疇劃分部分(domain partition portion) 84 (如切口或突出)相對于柵極線22 成大約45度或-45度的角度，并形成在第二子像素電極82b中。根據(jù)向液晶層施加電場時包括在液晶層中的液晶分子的主取向矢所排列 的方向，將像素電極82的顯示區(qū)域分為多個疇。疇劃分部分84將像素電極 82 (例如，第二子像素電極82b)劃分為多個疇。疇表示具有由于像素電極 82和共電極90 (見圖5)之間形成的電場而導(dǎo)致其取向矢沿特定的方向一起 傾斜的分子的區(qū)域。相對高的數(shù)據(jù)電壓經(jīng)第一數(shù)據(jù)線62a被施加到第一子像素電極82a，相 對低的數(shù)據(jù)電壓經(jīng)第二數(shù)據(jù)線62b被施加到第二子像素電極82b。因此，可 以提高LCD的側(cè)面可見性。取向膜(未示出)可使液晶層取向，可將取向膜涂覆在第一子像素電極 82a和第二子像素電極82b以及鈍化層上。
如果LCD在低灰度電壓下工作，則LCD實際上由被施加有相對高的電 壓的第一子像素電極82a驅(qū)動。因此，如果第一子像素電極82a和第一數(shù)據(jù) 線62a的耦合電容與第一子像素電極82a和第二數(shù)據(jù)線62b的耦合電容之間 的差減小，則可以防止由于第一數(shù)據(jù)線62a和第二數(shù)據(jù)線62b的單獨的串?dāng)_ 而導(dǎo)致的LCD的顯示品質(zhì)的劣化。以下，將參照圖3和圖4來詳細描述第一子像素電極82a與第一數(shù)據(jù)線 62a和第二數(shù)據(jù)線62b的每個之間的耦合電容。圖4是示出圖3中所示的第一 子像素電極82a與第一數(shù)據(jù)線62a和第二數(shù)據(jù)線62b之間的連接關(guān)系的示意 圖。參照圖3和圖4，第一子像素電極82a的形狀基本上為側(cè)躺的"V"形。 兩個耦合電容器CI和C2形成在第一子像素電極82a鄰近于第一數(shù)據(jù)線62a 的兩個區(qū)域。此外，另一耦合電容器C3形成在第一子像素電極82a鄰近于第 二數(shù)據(jù)線62b的區(qū)域中。換言之，第一子像素電極82a具有"V"字的形狀， 并且"V"字的底部鄰近于第二數(shù)據(jù)線62b。第一漏電極66a和第二漏電極66b分別位于第一對冊電極26a和第二纟冊電 極26b上。第一漏電極連接部分67a和第二漏電極連接部分67b分別從第一 漏電極66a和第二漏電極66b延伸到第一接觸孔76a和第二接觸孔76b。第一 漏電極連接部分67a和第二漏電極連接部分67b基本上可由與數(shù)據(jù)配線的材 料相同的材料形成并與數(shù)據(jù)配線形成在同 一層上。第一漏電才及連4I"部分67a和第二漏電才及連接部分67b相互電絕纟彖，并一 起形成基本為矩形的帶。具體地講，第一漏電極連接部分67a包括第一圖 案67_1，沿豎直方向延伸并將半導(dǎo)體層40a上的第一漏電極66a與第一接觸 孔76a連接；第二圖案67—2,從第一圖案67—1沿水平方向延伸；第三圖案 67—3，從第二圖案67—2延伸并平行于第二數(shù)據(jù)線62b。第二漏電極連接部分 67b沿水平方向延伸并將半導(dǎo)體層40b上的第二漏電極66b與第二接觸孔76b 連接。耦合電容器CI和C2形成在第一子像素電極82a和第一數(shù)據(jù)線62a之間， 耦合電容器C3形成在第一子像素電極82a和第二數(shù)據(jù)線62b之間。第一子像 素電極82a鄰近于第一數(shù)據(jù)線62a的區(qū)域相對寬于第一子像素電極82a鄰近 于第二數(shù)據(jù)線62b的區(qū)域。例如，第一子像素電極82a鄰近于第一數(shù)據(jù)線62a 的區(qū)域與第一子^f象素電極82a鄰近于第二數(shù)據(jù)線62b的區(qū)域的比大于1且小
于或等于2.5。另外，存儲配線28形成在第一子像素電極82a鄰近于第二數(shù) 據(jù)線62b的區(qū)域的下方，并阻礙耦合。因此，在第一子像素電極82a和第一 數(shù)據(jù)線62a之間形成的耦合電容器Cl和C2的耦合電容相對大于在第一子像 素電極82a和第二凝:據(jù)線62b之間形成的耦合電容器C3的耦合電容。因此，與第二數(shù)據(jù)線62b平行地布置的第三圖案67—3形成在第一漏電極 連接部分67a中，以補充第一子像素電極82a與第二數(shù)據(jù)線62b的耦合電容。 第三圖案67—3與第二數(shù)據(jù)線62b形成耦合電容器Ca。這使得耦合電容器Cl 和C2與耦合電容器C3和Ca之間的電容差將會減小，其中，耦合電容器C1 和C2形成在第一子〗象素電極82a和第一數(shù)據(jù)線62a之間，耦合電容器C3和 Ca形成在第一子像素電極82a和第二數(shù)據(jù)線62b之間?？梢酝ㄟ^改變第三圖 案67_3的長度以及第三圖案67—3和第二數(shù)據(jù)線62b之間的距離來調(diào)節(jié)耦合 電容器Ca的耦合電容。以下，將參照圖5和圖6來描述上顯示面板和LCD。圖5是連接到圖3 中示出的下顯示面板的上顯示面板的布局圖。圖6是包括圖3中示出的下顯 示面板和圖5中示出的上顯示面板的LCD的布局圖。用于防止光泄漏的黑矩陣94、RGB濾色器96和共電極90位于絕緣基底 (未示出)上，其中，共電極90可由透明的導(dǎo)電材料(如ITO或IZO)形成， 絕緣基底可由透明玻璃形成。這里，黑矩陣94可位于由柵極線22、第一數(shù) 據(jù)線62a、第二數(shù)據(jù)線62b和薄膜晶體管限定的區(qū)域中。另外，黑矩陣94可 具有不同的形狀，以在第一子像素電極82a和第二子像素電極82b及薄膜晶 體管周圍的區(qū)域中防止光泄漏。共電極卯面向第 一子像素電極82a和第二子像素電極82b，并包括疇劃 分部分92，如切口或突出，其中，所述疇劃分部分92相對于4冊極線22成大 約45度或-45度的角度。疇劃分部分92的傾斜部分、第一子像素電極82a和 第二子像素電極82b之間的間隙83以及第二子像素電極82b中的疇劃分部分 84被交替地排列。可在共電極90上涂覆排列液晶分子的取向膜(未示出)。如果將如上所述構(gòu)造的上下顯示面板對齊并將它們相互連接，則可將液 晶材料注入到面板之間，從而形成LCD的基本結(jié)構(gòu)。當(dāng)上下顯示面板對齊時， 第 一子像素電極82a和第二子像素電極82b之間的間隙83 、第二子像素電極 82b中的疇劃分部分84和共電極90的疇劃分部分92將像素區(qū)域劃分為多個 疇。因此，可以增大LCD的標(biāo)準視角。以下，將參照圖7和圖8來描述才艮據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的LCD。 圖7是包括圖1中的B型像素的下顯示面板的布局圖。圖8是示出圖7中所 示的子像素電極和數(shù)據(jù)線之間的連接關(guān)系的示意圖。為了便于描述，與圖3、 圖4、圖5和圖6中示出的元件具有相同功能的元件用相同的標(biāo)號表示。因 此，將省略對它們的詳細描述。除了下面的特征之外，根據(jù)本實施例的LCD 具有與根據(jù)上一實施例的LCD的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)。如圖7和圖8所示，第一漏電極66a通過第一漏電極連接部分167a和第 二接觸孔76b接觸第二子Y象素電極82b，第二漏電才及66b通過第二漏電才及連 接部分167b和第一接觸孔76a接觸第一子像素電極82a。第一漏電極連接部 分167a和第二漏電極連接部分167b以及數(shù)據(jù)配線(62a、 62b、 65a、 65b、 66a和66b)在同一層上由基本相同的材料形成。第一漏電極連接部分167a和第二漏電極連接部分167b相互電絕緣，并 一起形成基本為矩形的帶。具體地講，第一漏電極連接部分167a包括第一 圖案167_4，沿水平方向延伸并將半導(dǎo)體層40a上的第一漏電極66a和第二接 觸孔76b連4^;第二圖案167—1, ^v第一漏電極66a沿豎直方向延伸。第二漏 電極連接部分167b包括第一圖案167_3，從半導(dǎo)體層40b上的第二漏電極 66b沿豎直方向延伸并平行于第二數(shù)據(jù)線62b布置；第二圖案167—2,沿水平 方向延伸并連接第一圖案167_3和第一接觸孔76a。耦合電容器Cl和C2形成在第一子像素電極82a和第一H據(jù)線62a之間， 耦合電容器C3形成在第一子像素電極82a和第二數(shù)據(jù)線62b之間。第一子像 素電極82a鄰近于第一數(shù)據(jù)線62a的區(qū)域相對寬于第一子像素電極82a鄰近 于第二數(shù)據(jù)線62b的區(qū)域。例如，第一子像素電極82a鄰近于第一數(shù)據(jù)線62a 的區(qū)域與第一子像素電極82a鄰近于第二數(shù)據(jù)線62b的區(qū)域的比大于1且小 于或等于2.5。另外，存儲配線28形成在第一子像素電極82a鄰近于第二數(shù) 據(jù)線62b的區(qū)域的下方，并阻礙耦合。因此，在第一子像素電極82a和第一 數(shù)據(jù)線62a之間形成的耦合電容器Cl和C2的耦合電容相對大于在第一子像 素電極82a和第二數(shù)據(jù)線62b之間形成的耦合電容器C3的耦合電容。因此，與第二數(shù)據(jù)線62b平行地布置的第一圖案167_3形成在第二漏電 極連接部分167b中，以補充第一子像素電極82a和第二彩:據(jù)線62b之間的耦 合電容。第一圖案167_3與第二數(shù)據(jù)線62b形成耦合電容器Cb。這使得第一 子像素電極82a和第一數(shù)據(jù)線62a的耦合電容器CI和C2與第一子像素電極 82a和第二數(shù)據(jù)線62b的耦合電容器C3和Cb之間的電容差將會減小。可以 通過改變第一圖案167—3的長度以及第一圖案167—3和第二數(shù)據(jù)線62b之間 的距離來調(diào)節(jié)耦合電容器Cb的耦合電容。以下，將參照圖9來描述根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD的顯示性能。 圖9是示出在灰階變換的情況下，圖1和圖3中示出的A型像素與圖1 和圖7中示出的B型像素之間的亮度差的曲線圖。在圖9的曲線圖中，Q表 示當(dāng)在本發(fā)明的實施例中使用如上所述的 一起形成基本為矩形的帶的漏電極 連接部分時的亮度差數(shù)據(jù)。P表示不使用漏電極連接部分時的亮度差數(shù)據(jù)。如圖9所示，利用漏電極連接部分，可以減小子像素電極和所述子像素 電極兩側(cè)的一對數(shù)據(jù)線中的一條數(shù)據(jù)線的耦合電容與所述子像素電極和所述 對數(shù)據(jù)線中的另一條的耦合電容之間的差。因此，可以防止由于串?dāng)_而導(dǎo)致 的LCD的顯示品質(zhì)的劣化，并可以減小A型像素和B型像素之間的亮度差。 因此，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的LCD可以在整體上保持基本均勻的亮 度。在如上所述的本發(fā)明的示例性實施例中，當(dāng)使用V形的子像素電極時， 利用 一起形成基本為矩形的帶的漏電極連接部分，可以減小子像素電極和鄰 近于該子像素電極的 一對數(shù)據(jù)線之間的耦合電容之差。耦合電容之間的差源 自于子像素電極分別與數(shù)據(jù)線的耦合區(qū)域之間的差。然而，本發(fā)明并不限于 V形的子像素電極，并可應(yīng)用于與相鄰的數(shù)據(jù)線之間具有不同的耦合區(qū)域的 各種形狀的子像素電極。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的LCD將不同的數(shù)據(jù)電壓施加到一起形成為像素 的一對子像素，從而提高側(cè)面可見性。另外，利用漏電極連接部分，LCD調(diào)節(jié)子像素電極和數(shù)據(jù)線之間的耦合 電容，其中，漏電極連接部分連接漏電極和像素電極并平行于數(shù)據(jù)線布置。 因此，LCD可防止由于串?dāng)_而導(dǎo)致的顯示品質(zhì)的劣化。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況 下，可對本發(fā)明做出各種修改和變形。因此，只要對本發(fā)明的4務(wù)改和變形落 入權(quán)利要求及其等同物所限定的范圍內(nèi)，本發(fā)明意圖覆蓋這些修改和變形。
權(quán)利要求
1、 一種液晶顯示器，包括 第一絕緣基底；柵極線，位于第一絕緣基底上并沿第一方向延伸；第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，與柵極線絕緣并交叉，第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù) 據(jù)線相互分隔開并沿第二方向延伸；第一薄膜晶體管，連接到柵極線和第一數(shù)據(jù)線； 第二薄膜晶體管，連接到柵極線和第二數(shù)據(jù)線；第 一子像素電極和第二子像素電極，分別連接到第 一薄膜晶體管和第二 薄膜晶體管；第一漏電極連接部分和第二漏電極連接部分，分別將第一薄膜晶體管和 第二薄膜晶體管連接到第一子像素電極和第二子像素電極，其中，第一漏電極連接部分和第二漏電極連接部分相互電絕緣，并具有 平行于第 一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線的部分。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，第一子像素電極基本為V 形，并位于像素的區(qū)域中，第二子像素電極位于所述像素的剩余區(qū)域中。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中，以這樣的方式來布置第一 子像素電極，即，V形的頂部在兩個區(qū)域中鄰近于第一數(shù)據(jù)線，V形的底部 在一個區(qū)域中鄰近于第二凝:據(jù)線。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其中，第一漏電極連接部分平行 于第二數(shù)據(jù)線布置，從而在第一漏電極連接部分和第二數(shù)據(jù)線之間形成耦合 電容器。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其中，第一漏電極連接部分包括 第一圖案，連接第一薄膜晶體管和第一子像素電極，并沿第二方向延伸； 第二圖案，從第一圖案沿第一方向延伸；第三圖案，從第二圖案沿第二方向延伸，并平行于第二數(shù)據(jù)線布置。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，還包括 第二絕緣基底，面向第一絕緣基底；共電極，位于第二絕緣基底上。
7、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其中，第二漏電極連接部分沿第 一方向延伸。
8、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中，以這樣的方式來布置第一 子像素電極，即，V形的底部在一個區(qū)域中鄰近于第一數(shù)據(jù)線，V形的頂部 在兩個區(qū)域中鄰近于第二數(shù)據(jù)線。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中，第一漏電極連接部分平行 于第一數(shù)據(jù)線布置，從而在第一漏電極連接部分和第一數(shù)據(jù)線之間形成耦合 電容器。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其中，第一漏電極連接部分包括第一圖案，從第一薄膜晶體管沿第二方向延伸，并平行于第一數(shù)據(jù)線布置；第二圖案，連接第一圖案和第一子像素電極，并沿第一方向延伸。
11、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中，第二漏電極連接部分包括第一圖案，連接第二薄膜晶體管和第二子像素電極，并沿第一方向延伸； 第二圖案，從第二薄膜晶體管沿第二方向延伸。
12、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中，共電壓和施加到第一子 像素電極的第一數(shù)據(jù)電壓之間的差大于共電壓和施加到第二子像素電極的第 二數(shù)據(jù)電壓之間的差。
13、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，還包括存儲配線，存儲配線在 V的底部與第一子^f象素電極疊置并沿第一方向延伸。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，第一漏電極連接部分和 第二漏電極連接部分由與第 一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線的材料基本相同的材料形 成，并與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線形成在同一層上。
15、 一種液晶顯示器，包括 第一絕緣基底；柵極線，位于第一絕緣基底上并沿第一方向延伸；第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，與柵極線絕緣并交叉，第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù) 據(jù)線相互分隔開并沿第二方向延伸；多個像素，通過柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉來限定，每個像素包括 第一薄膜晶體管，連接到柵極線和第一數(shù)據(jù)線； 第二薄膜晶體管，連接到柵極線和第二數(shù)據(jù)線；第一子像素電極，在像素的區(qū)域中基本上為V形，其中，V形的底 部鄰近于第二數(shù)據(jù)線；第二子像素電極，位于所述像素的剩余區(qū)域中；漏電極連接部分，具有平行于第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線的部分，并 將第一薄膜晶體管或第二薄膜晶體管連接到第一子像素電極或第二子像素電 極，其中，第一類型的像素包括連接到第一數(shù)據(jù)線的第一子像素電極，第二 類型的像素包括連接到第二數(shù)據(jù)線的第一子像素電極，第一類型的像素和第 二類型的像素沿第一方向和第二方向交替地布置。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中，第一類型的像素中的像 素的漏電極連接部分包括第一漏電極連接部分，連接第一薄膜晶體管和第一子像素電極； 第二漏電極連接部分，連接第二薄膜晶體管和第二子像素電極， 其中，第一漏電極連接部分平行于第二數(shù)據(jù)線布置，從而在第一漏電極 連接部分和第二數(shù)據(jù)線之間形成耦合電容器。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，其中，第一漏電極連接部分包括第一圖案，連接第一薄膜晶體管和第一子像素電極，并沿第二方向延伸； 第二圖案，從第一圖案沿第一方向延伸；第三圖案，從第二圖案沿第二方向延伸，并平行于第二數(shù)據(jù)線布置。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，還包括 第二絕緣基底，面向第一絕緣基底；共電極，位于第二絕緣基底上。
19、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中，第二類型的像素中的像 素的漏電極連接部分包括第一漏電極連接部分，連接第一薄膜晶體管和第二子像素電極； 第二漏電極連接部分，連接第二薄膜晶體管和第一子像素電極， 其中，第二漏電極連接部分平行于第二數(shù)據(jù)線布置，從而在第二漏電極 連接部分和第二數(shù)據(jù)線之間形成耦合電容器。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示器，其中，第二漏電極連接部分包 括第一圖案，從第二薄膜晶體管沿第二方向延伸，并平行于第二數(shù)據(jù)線布置；第二圖案，連接第一圖案和第一子像素電極，并沿第一方向延伸。
21、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，還包括存儲配線，存儲配線在 V的底部與第一子像素電極疊置并沿第一方向延伸。
22、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中，共電壓和施加到第一子 像素電極的第一數(shù)據(jù)電壓之間的差大于共電壓和施加到第二子像素電極的第 二數(shù)據(jù)電壓之間的差。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種提高顯示品質(zhì)的液晶顯示器(LCD)。該LCD包括第一絕緣基底；柵極線，位于第一絕緣基底上并沿第一方向延伸；第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，與柵極線絕緣并交叉，第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線相互分隔開并沿第二方向延伸；第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管(TFT)，分別連接到柵極線以及第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；第一子像素電極和第二子像素電極，分別連接到第一TFT和第二TFT；第一漏電極連接部分和第二漏電極連接部分，分別將第一TFT和第二TFT連接到第一子像素電極和第二子像素電極。第一漏電極連接部分和第二漏電極連接部分相互電絕緣，并一起形成基本為矩形的帶。
文檔編號G09G3/36GK101122722SQ200710140309
公開日2008年2月13日 申請日期2007年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月9日
發(fā)明者文盛載, 李成榮, 李栢遠, 羅惠錫 申請人:三星電子株式會社