專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器及其具有電壓補(bǔ)償技術(shù)的有機(jī)發(fā)光像素的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光顯示器，且特別是有關(guān)于有機(jī)發(fā) 光顯示器及其具有電壓補(bǔ)償技術(shù)的有機(jī)發(fā)光像素。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting Display)的像素一 般以一薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)搭配電容來(lái)儲(chǔ)存 信號(hào)，以控制有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode, OLED) 的亮度表現(xiàn)。然而，上述薄膜晶體管在長(zhǎng)時(shí)間使用后，會(huì)產(chǎn)生臨界 電壓(Threshold Voltage, Vth)的偏移(shi f t)。此偏移量 晶體管操作時(shí)間及所流過(guò)的電流大小有關(guān)。
在顯示過(guò)程中，由于每個(gè)像素中用來(lái)驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極 膜晶體管，其導(dǎo)通時(shí)的電流都不盡相同。所以便會(huì)造成這些 的薄膜晶體管彼此間的臨界電壓偏移量都不相同。因此，使
像素的發(fā)光亮度與所接收到的像素?cái)?shù)據(jù)并未維持相同的對(duì)應(yīng) 如此便會(huì)造顯示畫面不均勻的現(xiàn)象。
為了解決上述問題，傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光像素應(yīng)用了 一種電壓補(bǔ)償技 術(shù)。請(qǐng)參照?qǐng)D1，其為傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光像素的電路圖。有機(jī)發(fā)光像素 100包括薄膜晶體管MP1、 MP2、 MP3、 MP4、 MP5、儲(chǔ)存電容Cst以 及有機(jī)發(fā)光二極管0LED。薄膜晶體管MP3受控于掃描信號(hào)Scan。 薄膜晶體管MP1橋接于薄膜晶體管MP3與儲(chǔ)存電容Cst間。薄膜晶 體管MP2依據(jù)儲(chǔ)存電容Cst的電容電壓于薄膜晶體管MP4導(dǎo)通時(shí)驅(qū) 動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)亮。薄膜晶體管MP5受控于重置信號(hào)Rst。 薄膜晶體管MP4受控于致能信號(hào)Enb。
傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光像素100在寫入像素?cái)?shù)據(jù)Data時(shí)，利用和薄膜晶體管MP2元件特性相同的薄膜晶體管MP1抵銷薄膜晶體管MP2的 臨界電壓Vth2。進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，當(dāng)掃描信號(hào)Scan致能時(shí)薄膜晶體管 MP3導(dǎo)通，使得像素?cái)?shù)據(jù)Data經(jīng)由薄膜晶體管MP3與MP1對(duì)儲(chǔ)存 電容Cst充電。同時(shí)薄膜晶體管MP1利用本身的電壓補(bǔ)償特性使X 點(diǎn)電位(即薄膜晶體管MP2的柵極電位)較Y點(diǎn)電位低一電壓位準(zhǔn)(即 薄膜晶體管MP1的臨界電壓Vthl)，進(jìn)而使薄膜晶體管MP2的源極 和柵極端電壓差增加Vthl。相應(yīng)于臨界電壓Vth2，臨界電壓Vthl(其 大小實(shí)質(zhì)上相等于臨界電壓Vth2)使得薄膜晶體管MP2的源極和柵 極間的電壓差恰相等于Vdd和像素電壓Vdata電壓差。進(jìn)一步地， 使通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管0LED的電流I。LED準(zhǔn)確地相關(guān)于像素電壓 Vd3ta。
在上述補(bǔ)償技術(shù)中，是在數(shù)據(jù)寫入階段做電壓補(bǔ)償?shù)膭?dòng)作以去
除臨界電壓Vth2所產(chǎn)生的誤差。然而，在現(xiàn)今0LED面板朝高解析 度及大尺寸的應(yīng)用發(fā)展的時(shí)代，數(shù)據(jù)寫入時(shí)間將會(huì)大幅的縮減。但 薄膜晶體管MP1導(dǎo)通時(shí)其電流不大故需要較長(zhǎng)的補(bǔ)償時(shí)間，如此將 會(huì)使得薄膜晶體管MP1可能無(wú)法正常地運(yùn)作而導(dǎo)致補(bǔ)償機(jī)制失效。 從另一方面來(lái)說(shuō)，在傳統(tǒng)補(bǔ)償電壓技術(shù)其電路設(shè)計(jì)中，節(jié)點(diǎn)X、 Y 的電位必預(yù)保證在"數(shù)據(jù)寫入"的階段均達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，否則在畫 面顯示階段時(shí)會(huì)有電荷分享的問題(charge sharing issue)。但傳 統(tǒng)電壓補(bǔ)償技術(shù)可能由于時(shí)間不足而導(dǎo)致了節(jié)點(diǎn)X沒有到達(dá)穩(wěn)定抵 消Vth2的狀態(tài)。在此狀態(tài)下，薄膜晶體管MP1仍然是導(dǎo)通的情形， 因此發(fā)生了電荷分享而使顯示亮度無(wú)法達(dá)到像素電壓Vdata所預(yù)期 的顯示亮度。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在于提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器及 其具有電壓補(bǔ)償技術(shù)的有機(jī)發(fā)光像素，用以改善臨電壓補(bǔ)償速度。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種像素的驅(qū)動(dòng)方法，其特點(diǎn)是，該 像素具有一第一電容、 一第一薄膜晶體管、 一第二薄膜晶體管與一 有機(jī)發(fā)光二極管，該第一電容的一第一端耦接該第二膜晶體管的柵
極，該第一薄膜曰 曰曰體管的一第一頓接收第一電壓，該第一薄膜晶
體管的一第一端耦接至該第薄膜晶體管的柵極及該第一電容的該
第一端，該第薄膜晶體管的一第端接收一第二電壓，該第二薄
膜晶體管的第端用以輸出一像素電流至該有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)
極，該有機(jī)發(fā)光—極管的陰極接收第電壓。該驅(qū)動(dòng)方法包括
截止該有機(jī)發(fā)光—極管;于該有機(jī)發(fā)光二極管截止期間，提供一第
四電壓于該第一電容的該第一端，以及提供一第五電壓于該第一電 容的 一 第二端，該第四電壓與該第 一 電壓間的電壓差使該第 一 薄膜
晶體管導(dǎo)通；于該有機(jī)發(fā)光二極管截止期間且該第一電容的該第二 端的電壓位準(zhǔn)保持在該第五電壓時(shí)，移除該第四電壓以使該第一 電 容的該第一端的電壓位準(zhǔn)因該第二薄膜晶體管的作用改變?yōu)橐坏谝?電壓位準(zhǔn)；于該有機(jī)發(fā)光二極管截止期間且于該第一電容的該第一 端的電壓位準(zhǔn)上升到該第一電壓位準(zhǔn)后，改提供一像素電壓至該第 一電容的該第二端；以及導(dǎo)通該有機(jī)發(fā)光二極管以使該第三薄膜晶 體管依據(jù)該第一電容的該第一端的電壓位準(zhǔn)輸出該像素電流至該有 機(jī)發(fā)光二極管。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種具有電壓補(bǔ)償技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯
示器的有機(jī)發(fā)光像素，包括第一電容、第一薄膜晶體管、第薄膜
晶體管、第三薄膜晶體管、重置電路以及有機(jī)發(fā)光二極管第薄
膜晶體管接收第—電壓，第一薄膜晶體管的第一端耦接至本身的柵
極及第 一 電容的第一端。第二薄膜晶體管接收第二電壓，第一薄膜
晶體管的柵極耦接至第 一 薄膜晶體管的柵極。第三薄膜晶體管耦接
至第一電容，且接收一像素電壓及一掃描信號(hào)重置電路設(shè)定第
電容的第一端為第一電壓位準(zhǔn)。有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極偶接至第三
薄膜晶體管的第二端，有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接收第三電壓。其中， 第一電壓位準(zhǔn)低于第一電壓的電壓位準(zhǔn)。
根據(jù)本發(fā)明的目的，還提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器，其特點(diǎn)是，
包括至少一像素，包括 一第一電容； 一第一薄膜晶體管，該第 一薄膜晶體管的一第一端接收一第一電壓，該第一薄膜晶體管的一 第二端耦接至該第一薄膜晶體管的柵極及該第一電容的一第一端；
一第二薄膜晶體管，該第二薄膜晶體管的 一 第 一 端接收 一 第二電 壓，該第二薄膜晶體管的柵極耦接至該第一薄膜晶體管的柵極；一
第三薄膜晶體管，該第三薄膜晶體管的一第一端接收一像素電壓， 該第三薄膜晶體管的一第二端耦接至該第一電容的一第二端，該第
三薄膜晶體管的柵極用以接收一掃描信號(hào)； 一重置電路，用以設(shè)定
該第一電容的該第一端為一第一電壓位準(zhǔn)；以及一有機(jī)發(fā)光二極 管，該有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極偶接至該第二薄膜晶體管的 一 第二 端，該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接收一第三電壓；以及一驅(qū)動(dòng)單元， 用以驅(qū)動(dòng)該像素，該驅(qū)動(dòng)單元包括 一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，用以輸出該 像素電壓； 一掃描驅(qū)動(dòng)電路，用以輸出該掃描信號(hào)；及一時(shí)序控制 電路，用以控制該重置電路設(shè)定該第一電容的該第一端為該第一電 壓位準(zhǔn)；其中，該第一電壓位準(zhǔn)低于該第一電壓的電壓位準(zhǔn)，該驅(qū) 動(dòng)電路更用以提供該第一電壓、該第二電壓與該第三電壓。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下面特 舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明。


圖1繪示是一種具有傳統(tǒng)電壓補(bǔ)償技術(shù)的有機(jī)發(fā)光像素的內(nèi)部 電路圖。
圖2繪示是依照本發(fā)明第一實(shí)施例的具有電壓補(bǔ)償技術(shù)的有機(jī) 發(fā)光像素的內(nèi)部電路圖。
圖3繪示是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光像素的時(shí)序圖。 圖4是圖2中重置電路的一種實(shí)施例。 圖5是圖2中重置電路的另一種實(shí)施例。
圖6繪示是依照本發(fā)明第一實(shí)施例，具有第二儲(chǔ)存電容的有機(jī) 發(fā)光像素的內(nèi)部電路圖。
圖7是圖2中第五薄膜晶體管的一種實(shí)施例。
圖8是圖2中第五薄膜晶體管的另一種實(shí)施例。
圖9是圖2中第五薄膜晶體管的又一種實(shí)施例。
圖10繪示是依照本發(fā)明第二實(shí)施例的具有電壓補(bǔ)償技術(shù)的有
機(jī)發(fā)光像素的內(nèi)部電路圖。
圖ll繪示是依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光像素的時(shí)序圖。 圖12是圖10中重置電路的一種實(shí)施例例。
圖13是圖10中重置電路的另一種實(shí)施例例。
圖14繪示是依照本發(fā)明第二實(shí)施例，具有第二儲(chǔ)存電容的有
機(jī)發(fā)光像素的內(nèi)部電路圖。
圖15是圖10中第五薄膜晶體管的一種實(shí)施例。 圖16是圖10中第五薄膜晶體管的另一種實(shí)施例。 圖17是圖10中第五薄膜晶體管的又一種實(shí)施例。
圖中主要元件符號(hào)說(shuō)明如下
100、 202 有機(jī)發(fā)光像素
200、 700 發(fā)光顯不器；
201、 701
單元；
204、 704
驅(qū)動(dòng)電路；
206、 706 驅(qū)動(dòng)電路
208、 708 控制電路；
210、 710 電路；
MP1、 MP2
702、 802、 902、 1020、 1402、 1502、 1602、 1702:
800、 900、 1000、 1400、 1500、 1600、 1700:有機(jī)
801、 901、 1001、 1401、 1501、 1601、 1701:馬區(qū)動(dòng) 804、 904、 1004、 1404、 1504、 1604、 1704:數(shù)據(jù) 806、 906、 1006、 1406、 1506、 1606、 1706:掃描 808、 908、 1008、 1408、 1508、 1608、 1708:時(shí)序 810、 910、 1010、 1410、 1510、 1610、 1710:重置
MP4.
MP3
Tl、 T2、 T3、 T4、 T5 Cst、 Cl、 C2:儲(chǔ)存電容； OLED:有機(jī)發(fā)光二極管。
MP5:薄膜晶體管；
薄膜晶體管；
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提出一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其具有電壓補(bǔ)償技術(shù)的有機(jī) 發(fā)光像素，用以改善臨電壓補(bǔ)償速度。
第一實(shí)施例
請(qǐng)參照?qǐng)D2，其為本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意
圖。有機(jī)發(fā)光顯示器200包括驅(qū)動(dòng)單元201與有機(jī)發(fā)光像素202。 驅(qū)動(dòng)單元201用以驅(qū)動(dòng)像素202，其包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路204、掃描 驅(qū)動(dòng)電路206與時(shí)序控制電路208。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路204依據(jù)影像數(shù) 據(jù)以輸出第五電壓至有機(jī)發(fā)光像素202，其中，第五電壓為像素電 壓Vdata或低準(zhǔn)位電壓Preset。掃描驅(qū)動(dòng)電路206用以輸出掃描 信號(hào)Scan。時(shí)序控制電路208用以輸出第一控制信號(hào)Enb至第五 薄膜晶體管T5，還用以輸出第二控制信號(hào)Rst至重置電路210。驅(qū) 動(dòng)單元201亦提供第一電壓Lock、第二電壓Vdd、第三電壓Vss以 及第四電壓INI。有機(jī)發(fā)光像素202包括第一電容Cl、第一薄膜晶 體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體 管T4、重置電路210與有機(jī)發(fā)光二極管0LED。薄膜晶體管T1、 T2、 T3與T4以PM0S為例，繪制于圖2中。
第三薄膜晶體管T3的第一端接收像素電壓Vdata或低準(zhǔn)位電 壓Preset,其第二端耦接至第一電容Cl的第二端(即圖2中所標(biāo) 示的節(jié)點(diǎn)Y1)，其柵極用以接收掃描信號(hào)Scan。第一薄膜晶體管T1 的一第一端接收第一電壓Lock,其一第二端與柵極耦接并耦接至 第一電容Cl的一第一端(即圖2中所標(biāo)示的節(jié)點(diǎn)Xl)。第二薄膜晶 體管T2的一第一端接收第二電壓Vdd。第二薄膜晶體管T2的柵極 耦接至第一薄膜晶體管Tl的柵極。第四薄膜晶體管T4的一第一端 耦接第二薄膜晶體管T2的一第二端，而第四薄膜晶體管T4的一第 二端耦接至有機(jī)發(fā)光二極管0LED的陽(yáng)極。第四薄膜晶體管T4的柵 極接收第一 控制信號(hào)Enb。
有機(jī)發(fā)光二極管0LED的陰極接收第三電壓Vss。重置電路210 用以設(shè)定第一電容Cl的第一端(即節(jié)點(diǎn)Xl)為第一電壓位準(zhǔn)VI，其 由第五薄膜晶體管T5構(gòu)成。第五薄膜晶體管T5例如為PM0S，其 第一端耦接至第一電容C1的第一端X1，而第二端接收第四電壓INI 且其柵極接收第二控制信號(hào)Rst。其中，需特別注意的是上述第一 電壓位準(zhǔn)VI低于第一電壓Lock的電壓位準(zhǔn)。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，其為本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光像素的時(shí)序圖。 在第零階段0 Stage(即顯示前一畫面)時(shí)，掃描信號(hào)Scan的電壓 位準(zhǔn)使第三薄膜晶體管T3截止，第二控制信號(hào)Rst的電壓位準(zhǔn)使 得第五薄膜晶體管T5截止，而第一控制信號(hào)Enb的電壓位準(zhǔn)使第 四薄膜晶體管T4導(dǎo)通。故節(jié)點(diǎn)Yl的電壓為前一畫面的像素電壓 Vdata，，而節(jié)點(diǎn)X1的電壓為前一畫面的電壓X，。節(jié)點(diǎn)X1的電壓 X，大于第一電壓。第一電壓Lock使得第一薄膜晶體管Tl截止， 同時(shí)電壓X，也使第二薄膜晶體管T2導(dǎo)通而產(chǎn)生電流IQ[_ED。電流 1。UD為Kp * (Vsg - Vtp2)2。 Vsg為第二薄膜晶體管T2柵極與源 極間的電壓差，其為Vdd -X， 。 Vtp2為第三薄膜晶體管T2的臨界 電壓(Threshold Voltage)。電流1。，透過(guò)第四薄膜晶體管T4驅(qū) 動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管0LED發(fā)亮。
接著，在第一階段I Stage時(shí)，第二控制信號(hào)Rst的電壓位準(zhǔn) 轉(zhuǎn)變?yōu)槭沟谖灞∧ぞw管T5導(dǎo)通，掃描信號(hào)Scan的電壓位準(zhǔn)轉(zhuǎn)變 為使第三薄膜晶體管T3導(dǎo)通，而第一控制信號(hào)Enb轉(zhuǎn)變?yōu)槭沟谒?薄膜晶體管T4截止。此時(shí)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路204提供一低準(zhǔn)位電壓 Preset。低準(zhǔn)位電壓Preset透過(guò)導(dǎo)通的第三薄膜晶體管T3使節(jié)點(diǎn) Yl的電壓為預(yù)設(shè)的低準(zhǔn)位電壓Preset,例如-1 0伏特，而節(jié)點(diǎn)XI 的電壓因第五薄膜晶體管T5導(dǎo)通為第四電壓INI。在此階段，藉 由低準(zhǔn)位電壓Preset與第四電壓INI重置第一電容C1。
在第二階段II Stage時(shí)，第二控制信號(hào)Rst的電壓位準(zhǔn)轉(zhuǎn)變 為使第五薄膜晶體管T5截止，而掃描信號(hào)Scan與第一控制信號(hào)Enb 仍維持前一階段的電壓位準(zhǔn)。故第三薄膜晶體管T3仍然為導(dǎo)通狀 態(tài)，第四薄膜晶體管T4仍然為截止。此時(shí)，節(jié)點(diǎn)Yl的電壓仍為低 準(zhǔn)位電壓Preset,而節(jié)點(diǎn)XI的電壓因?yàn)榈谖灞∧ぞw管T5截止 與第一薄膜晶體管Tl的作用而上升到為第二電壓位準(zhǔn)V2。第二電
壓位準(zhǔn)V2為第一電壓Lock減去第一薄膜晶體管Tl的臨界電壓 Vtpl。
第三階段III Stage時(shí)(即數(shù)據(jù)寫入階段)，第一控制信號(hào)Enb 的電壓位準(zhǔn)轉(zhuǎn)變?yōu)槭沟谒谋∧ぞw管T4導(dǎo)通，第二控制信號(hào)Rst 與掃描信號(hào)Scan的電壓位準(zhǔn)仍維持與第二階段相同。此時(shí)數(shù)據(jù)驅(qū) 動(dòng)電路204改輸出像素電壓Vdata。像素電壓Vdata透過(guò)導(dǎo)通的第 三薄膜晶體管T3使節(jié)點(diǎn)Yl的電壓為像素電壓Vdata。而節(jié)點(diǎn)XI 的電壓經(jīng)由第一電容CI的作用亦提高到了 Lock - Vtpl + Vdata -Preset,因而使得第一薄膜晶體管Tl截止。此時(shí)，在第二薄膜晶 體管T2的柵極與源極間的電壓差Vsg為第二電壓Vdd減去節(jié)點(diǎn)XI 的電位，艮卩Vdd - (Lock — Vtpl + Vdata - Preset)。此階段重 點(diǎn)在于，因第四薄膜晶體管T4導(dǎo)通使得第二薄膜晶體管T2對(duì)應(yīng)于 柵極與源極間的電壓差Vsg產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電流I。lED 。導(dǎo)通電流I"ed =Kp * (Vsg - Vtp2)2。柵極與源極間的電壓差Vsg為Vdd - (Lock —Vtpl + Vdata - Preset。故電流I0LED 二 Kp * (Vdd - (Lock — Vtpl + Vdata - Preset) - Vtp2"。然，又因Vtpl近似于Vtp2。故， 電流IoLED可以視為Kp * (Vdd — Lock — Vdata + Preset)2。有機(jī)
發(fā)光二極管對(duì)應(yīng)于此電流1。LED產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的亮度。
第四階段IV Stage時(shí)(即顯示現(xiàn)行畫面階段)，此時(shí)除了掃描 信號(hào)Scan的電壓位準(zhǔn)轉(zhuǎn)變?yōu)槭沟谌∧ぞw管T3截止而不再傳入 像素電位，其他各元件運(yùn)作情形及節(jié)點(diǎn)電壓均同于第三階段III Stage 。
由上述可知，在第二階段II Stage時(shí)，像素電路202已完成 了臨界電壓Vtp2補(bǔ)償?shù)膭?dòng)作，從而避免了舊有技術(shù)的中，原負(fù)責(zé) 臨界電壓補(bǔ)償動(dòng)作的薄膜晶體管，即圖1中的薄膜晶體管MP1，因 為導(dǎo)通電流微弱而使得補(bǔ)償機(jī)制的速度較慢，造成在數(shù)據(jù)寫入階段 仍未穩(wěn)定完成電壓補(bǔ)償而導(dǎo)致了電荷分享。進(jìn)而使數(shù)據(jù)電壓與畫面 亮度有一定程度的誤差的窘境。另一方面，藉由第一電壓Lock大 小的控制，也可以加速補(bǔ)償機(jī)制的運(yùn)作，改善補(bǔ)償?shù)臅r(shí)間。而由于 本實(shí)例所包含的元件較少，所以較適合小尺寸面板的應(yīng)用，如手持設(shè)備等。
此外，上述重置電路210亦可由不同的電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。如圖4
所示，其為重置電路的一例的電路圖。重置電路210，由第五薄膜 晶體管T5所構(gòu)成，其中第五薄膜晶體管T5的第一端耦接至第一電 容Cl的第一端(即節(jié)點(diǎn)Xl)，其第二端耦接至第五薄膜晶體管T5 的柵極并接收第二控制信號(hào)Rst?；蛘撸嗫扇鐖D5所示，其為重 置電路的另一例的電路圖。重置電路210"亦由第五薄膜晶體管T5 所構(gòu)成。然，第五薄膜晶體管T5的第一端耦接至第一電容Cl的第 一端(即節(jié)點(diǎn)Xl)，其第二端耦接至第一電容Cl的另一端，其柵極 則接收第二控制信號(hào)Rst。
而有機(jī)發(fā)光像素202亦可多耦接一第二電容C2，如圖6所示， 有機(jī)發(fā)光像素202中，第二電容C2的第一端耦接至節(jié)點(diǎn)Yl，第二 電容C2的另一端接收第二電壓Vdd。第二電容C2可用來(lái)幫助維持 節(jié)點(diǎn)XI與節(jié)點(diǎn)Yl間電壓差的穩(wěn)定。
除此的外，上述第四薄膜晶體管T4用以控制電流1。led是否流 向有機(jī)發(fā)光二極管0LED，其配置位置除了如圖2所示外，第四薄 膜晶體管T4的配置位置亦可如圖7所示。圖7為本實(shí)施例的第二 例有機(jī)發(fā)光顯示器的示意圖。有機(jī)發(fā)光像素702中，第四薄膜晶體 管T4可配置于第二電壓Vdd與第二薄膜晶體管T2間，即第四薄膜 晶體管T4的第一端接收第二電壓Vdd，第四薄膜晶體管T4的第二 端耦接至第二薄膜晶體管T2的第一端(即源極)，第四薄膜晶體管 T4的柵極接收第一控制信號(hào)Enb。
或者，第四薄膜晶體管T4亦可橋接在有機(jī)發(fā)光像素的外以控 制電流IQLED是否流向有機(jī)發(fā)光二極管0LED。如圖8所示，其為本 實(shí)施例的第三例有機(jī)發(fā)光顯示器的示意圖。第四薄膜晶體管T4橋 接在有機(jī)發(fā)光像素802外部，即第四薄膜晶體管T4的第一端耦接 至有機(jī)發(fā)光二極管0LED的陰極，第四薄膜晶體管T4的第二端耦接 至第三電壓Vss，第四薄膜晶體管T4的柵極接收第一控制信號(hào)Enb。
第四薄膜晶體管T4橋接在有機(jī)發(fā)光像素的外的位置亦可于第 二電壓Vdd與第二薄膜晶體管T2間。如圖9所示，其為本實(shí)施例
的第四例有機(jī)發(fā)光顯示器的示意圖。第四薄膜晶體管T4橋接在有
機(jī)發(fā)光像素902外部，第四薄膜晶體管T4的第一端耦接至第二薄 膜晶體管T2的第一端，第四薄膜晶體管T4的第二端耦接至第一電 壓Vdd，第四薄膜晶體管T4的柵極接收第一控制信號(hào)Enb。
第二實(shí)施例
本實(shí)施不同于第一實(shí)施例的地方在于重置電路的結(jié)構(gòu)。重置電 路改由兩個(gè)薄膜晶體管所組成并分別電性連接于第一電容的兩端， 以用來(lái)重置第一電容與設(shè)定節(jié)點(diǎn)X1上的電位。
請(qǐng)參照?qǐng)D10，其為本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意 圖。有機(jī)發(fā)光顯示器1000亦包括驅(qū)動(dòng)單元1001與有機(jī)發(fā)光像素 1002。驅(qū)動(dòng)單元1001則包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路1004、掃描驅(qū)動(dòng)電路1006 與時(shí)序控制器1008。而有機(jī)發(fā)光像素1002亦包括第一電容Cl、第 一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四 薄膜晶體管T4、重置電路1010與有機(jī)發(fā)光二極管0LED。薄膜晶體 管Tl、 T2、 T3以及T4以PM0S為例，繪制于圖10中。有機(jī)發(fā)光顯 示器1000的結(jié)構(gòu)如同第一實(shí)施例所示的結(jié)構(gòu)，于此便不再多述。
然需特別注意的是，重置電路1010由一個(gè)第五薄膜晶體管T5 及一個(gè)第六薄膜晶體管T6構(gòu)成。第五薄膜晶體管T5與第六薄膜晶 體管T6例如為PM0S。第五薄膜晶體管T5的第一端耦接至第一電 容Cl的一第一端(即節(jié)點(diǎn)Xl)，而第二端接收第四電壓INI且其柵 極接收第二控制信號(hào)Rstl;第六薄膜晶體管的第一端耦接至第一 電容Cl的一第二端(即節(jié)點(diǎn)Yl)，而第二端亦接收第四電壓INI且 其柵極接收第三控制信號(hào)Rst2。其中，第一電壓位準(zhǔn)VI低于第一 電壓Lock的電壓位準(zhǔn)。
請(qǐng)參照?qǐng)D11，其為本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光像素的時(shí)序 圖。在第零階段0 Stage'(顯示前一畫面)時(shí)，掃描信號(hào)Scan的輸 出電壓位準(zhǔn)使第三薄膜晶體管T3截止，而第二控制信號(hào)Rstl及第 三控制信號(hào)Rst2的電壓位準(zhǔn)使第五薄膜晶體管T5及第六薄膜晶體 管T6均截止。故節(jié)點(diǎn)Yl的電壓為前一畫面的像素電壓Vdata，，
而節(jié)點(diǎn)XI的電壓為前一像素的電壓X'。節(jié)點(diǎn)XI的電壓X，大于
第一電壓Lock使得第一薄膜晶體管Tl截止，同時(shí)電壓X'也使第
二薄膜晶體管T2導(dǎo)通而產(chǎn)生電流1。LE。。電流1。LED為Kp* (Vdd-Y，
- Vtp2)2。 Vsg為第二薄膜晶體管T2柵極與源極間的電壓差，其 為Vdd -Y， 。 Vtp2為第二薄膜晶體管T2的臨界電壓(Threshold Voltage)。電流1。LED透過(guò)第四薄膜晶體管T4驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管 0LED發(fā)亮。
接著，在第一階段I Stage，時(shí)，掃描信號(hào)Scan的電壓位準(zhǔn)轉(zhuǎn) 變?yōu)槭沟谌∧ぞw管T3截止，而第二控制信號(hào)Rstl及第三控制 信號(hào)Rst2的電壓位準(zhǔn)轉(zhuǎn)變?yōu)槭沟谖灞∧ぞw管T5及第六薄膜晶體 管T6均導(dǎo)通。所以此時(shí)節(jié)點(diǎn)XI及節(jié)點(diǎn)Yl的電壓均為第四電壓INI， 例如為-2V -1V。在此階段，藉由第四電壓INI重置第一電容Cl。
在第二階段II Stage，時(shí)，第二控制信號(hào)Rstl的電壓位準(zhǔn)轉(zhuǎn) 為使第五薄膜晶體管T5截止，而第一控制信號(hào)Enb、掃描信號(hào)Scan 及第三控制信號(hào)Rst2的電壓位準(zhǔn)仍維持與第一階段I Stage'相 同。所以此時(shí)節(jié)點(diǎn)Yl的電壓仍為INI,而節(jié)點(diǎn)XI的電壓因?yàn)榈谖?薄膜晶體管T5截止與第一薄膜晶體管Tl的作用而上升到了第二電 壓位準(zhǔn)V2。第二電壓位準(zhǔn)V2為第一電壓Lock減去第一薄膜晶體 管Tl的臨界電壓Vtpl。換句話說(shuō)，此階段用以使第一電容Cl的 第二端Yl的電壓位準(zhǔn)為L(zhǎng)ock- Vtpl。
第三階段III Stage ，時(shí)(即數(shù)據(jù)寫入階段)，第一控制信號(hào)Enb 的電壓位準(zhǔn)轉(zhuǎn)變?yōu)槭沟谒谋∧ぞw管T4導(dǎo)通，第三控制信號(hào)Rst2 的電壓位準(zhǔn)轉(zhuǎn)變?yōu)槭沟诹∧ぞw管T6截止，掃描信號(hào)Scan電壓 位準(zhǔn)轉(zhuǎn)變?yōu)槭沟谌∧ぞw管T3導(dǎo)通，而第二控制信號(hào)Rstl仍維 持原本的電壓位準(zhǔn)。此時(shí)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路1004改輸出像素電壓 Vdata。像素電壓Vdata透過(guò)導(dǎo)通的第三薄膜晶體管T3使節(jié)點(diǎn)Yl 的電壓為像素電壓Vdata。而節(jié)點(diǎn)XI的電壓經(jīng)由第一電容Cl的作 用亦提高到了 Lock - Vtpl + Vdata - INI，因而使得第一薄膜晶 體管Tl截止。此時(shí)，在第二薄膜晶體管T2的柵極與源極間的電壓 差Vsg為第二電壓Vdd減去節(jié)點(diǎn)XI的電位，即Vdd - (Lock - Vtpl
+ Vdata - INI)。上，Vsg - Vtp = Vdd - (Lock - Vtp + Vdata -INI) — Vtp = Vdd — Lock - Vdata + INI，故電流I。LED 二 Kp * (Vdd 一 (Lock _Vtpl+ Vdata - INI)-Vtp2)2。然，又因Vtp 1近似于Vtp2 。 故，電流IoLED可以視為Kp * (Vdd — Lock - Vdata + INI)2。有 機(jī)發(fā)光二極管對(duì)應(yīng)于此電流1。^D產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的亮度。
第四階段IV Stage'時(shí)(即畫面顯示階段)，此時(shí)除了掃描信號(hào) Scan的電壓位準(zhǔn)轉(zhuǎn)變?yōu)槭沟谌∧ぞw管T3截止而不再傳入像素
節(jié)點(diǎn)電壓均同于第三階段III
Stage'時(shí)，像素電路1002已完 從而避免了舊有技術(shù)的中，原負(fù) 責(zé)臨界電壓補(bǔ)償動(dòng)作的薄膜晶體管，即圖1中的薄膜晶體管MPl， 因?yàn)閷?dǎo)通電流微弱而使得補(bǔ)償機(jī)制的速度較慢，造成在數(shù)據(jù)寫入階 段仍未穩(wěn)定完成電壓補(bǔ)償而導(dǎo)致了電荷分享。進(jìn)而使數(shù)據(jù)電壓與畫 面亮度有一定程度的誤差的窘境。另一方面，藉由第一電壓Lock 大小的控制，也可以加速補(bǔ)償機(jī)制的運(yùn)作，改善補(bǔ)償?shù)臅r(shí)間。而由 于本實(shí)例所包含的元件較多，所以較適合大尺寸面板的應(yīng)用，如顯 示設(shè)備等。
此外，上述重置電路1010亦可由不同的電路實(shí)現(xiàn)。如圖12所 示，其為重置電路的一例的電路圖。重置電路1010，由第五薄膜晶 體管T5以及第六薄膜晶體管T6所構(gòu)成，其中第五薄膜晶體管T5 的第一端耦接至第一電容CI的第一端(即節(jié)點(diǎn)Xl)，其第二端接收 第四電壓INI，第五薄膜晶體管T5的柵極接收第二控制信號(hào)Rstl， 第六薄膜晶體管T6的第一端耦接至第一電容CI的第二端(即節(jié)點(diǎn) Yl)，其第二端耦肆至第五薄膜晶體管T5的第二端，第六薄膜晶體 管T6的柵極接收第三控制信號(hào)Rst2?；蛘?，亦可如圖13所示， 其為重置電路的另一例的電路圖。重置電路1010"亦由第五薄膜晶 體管T5以及第六薄膜晶體管T6所構(gòu)成。然，第五薄膜晶體管T5 的第一端耦接至第一電容CI的第一端(即節(jié)點(diǎn)Xl)，其第二端耦接 至第五薄膜晶體管T5的柵極并接收第二控制信號(hào)Rstl，第六薄膜
電位，其他各元件運(yùn)作情形及 Stage ， o
由上述可知，在第二階段II 成了臨界電壓Vtp2補(bǔ)償?shù)膭?dòng)作，
晶體管T6的第一端耦接至第一電容Cl的第二端(即節(jié)點(diǎn)Yl)，其 第二端耦接至第六薄膜晶體管T6的柵極并接收第三控制信號(hào) Rst2。
而有機(jī)發(fā)光像素1002亦可多耦接一第二電容C2，如圖14所示， 有機(jī)發(fā)光像素1402中，第二電容C2的第一端耦接至節(jié)點(diǎn)Yl，第 二電容C2的另一端接收第二電壓Vdd。第二電容C2可用來(lái)幫助維 持節(jié)點(diǎn)XI與節(jié)點(diǎn)Yl間電壓差的穩(wěn)定。
除此之外，上述第四薄膜晶體管T4用以控制電流1。^d是否流 向有機(jī)發(fā)光二極管0LED，其配置位置除了如圖10所示外，第四薄 膜晶體管T4的配置位置亦可如圖15所示。圖15為本實(shí)施例的第 二例有機(jī)發(fā)光顯示器的示意圖。有機(jī)發(fā)光像素1502中，第四薄膜 晶體管T4的第一端接收第二電壓Vdd，第四薄膜晶體管T4的第二 端耦接至第二薄膜晶體管T2的第一端，第四薄膜晶體管T4的柵極 亦接收第一控制信號(hào)Enb。
第四薄膜晶體管T4亦可橋接在有機(jī)發(fā)光像素的外以控制電流 I。，是否流向有機(jī)發(fā)光二極管0LED。如圖16所示，為本實(shí)施例的 第三例有機(jī)發(fā)光顯示器的示意圖。第四薄膜晶體管T4橋接在有機(jī) 發(fā)光像素1602外部，第四薄膜晶體管T4的第一端耦接至有機(jī)發(fā)光 二極管0LED的陰極，第四薄膜晶體管T4的第二端耦接至第三電壓 Vss，第四薄膜晶體管T4的柵極接收第一控制信號(hào)Enb。
第四薄膜晶體管T4橋接在有機(jī)發(fā)光像素的外的位置亦可于第 二電壓Vdd與第二薄膜晶體管T2間。如圖17所示，其為本實(shí)施例 的第四例有機(jī)發(fā)光顯示器的示意圖。第四薄膜晶體管T4橋接在有 機(jī)發(fā)光像素1702外部，第四薄膜晶體管T4的第一端耦接至第二薄 膜晶體管T2的第一端，第四薄膜晶體管T4的第二端耦接至第一電 壓Vdd，第四薄膜晶體管T4的柵極接收第一控制信號(hào)Enb。
本發(fā)明上述實(shí)施例所揭露的具有電壓補(bǔ)償技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示 器的有機(jī)發(fā)光像素，能夠使補(bǔ)償機(jī)制速度改善，且由于更快速的補(bǔ) 償機(jī)制，將可以彌補(bǔ)現(xiàn)行低溫多晶硅(LTPS)技術(shù)造成主動(dòng)式有機(jī)發(fā) 光顯示器(AM0LED)畫面顯示不均(Mura)的缺點(diǎn)。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用 以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和 范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán) 利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，該像素具有一第一電容、一第一薄膜晶體管、一第二薄膜晶體管與一有機(jī)發(fā)光二極管，該第一電容的一第一端耦接該第二膜晶體管的柵極，該第一薄膜晶體管的一第一端接收一第一電壓，該第一薄膜晶體管的一第二端耦接至該第一薄膜晶體管的柵極及該第一電容的該第一端，該第二薄膜晶體管的一第一端接收一第二電壓，該第二薄膜晶體管的一第二端用以輸出一像素電流至該有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極，該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接收一第三電壓，該驅(qū)動(dòng)方法包括截止該有機(jī)發(fā)光二極管；于該有機(jī)發(fā)光二極管截止期間，提供一第四電壓于該第一電容的該第一端，以及提供一第五電壓于該第一電容的一第二端，該第四電壓與該第一電壓間的電壓差使該第一薄膜晶體管導(dǎo)通；于該有機(jī)發(fā)光二極管截止期間且該第一電容的該第二端的電壓位準(zhǔn)保持在該第五電壓時(shí)，移除該第四電壓以使該第一電容的該第一端的電壓位準(zhǔn)因該第二薄膜晶體管的作用改變?yōu)橐坏谝浑妷何粶?zhǔn)；于該有機(jī)發(fā)光二極管截止期間且于該第一電容的該第一端的電壓位準(zhǔn)上升到該第一電壓位準(zhǔn)后，改提供一像素電壓至該第一電容的該第二端；以及導(dǎo)通該有機(jī)發(fā)光二極管以使該第三薄膜晶體管依據(jù)該第一電容的該第一端的電壓位準(zhǔn)輸出該像素電流至該有機(jī)發(fā)光二極管。
2. 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，提供該第五電壓的步驟 由一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路與一第三薄膜晶體管執(zhí)行，該第三薄膜晶體管的一第一端 接收該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路所輸出的該第五電壓，該第三薄膜晶體管的一第二端耦 接至該第一電容的該第二端，該第三薄膜晶體管的柵極用以接收一掃描信號(hào)， 當(dāng)該掃描信號(hào)的電壓位準(zhǔn)使該第三薄膜晶體管導(dǎo)通時(shí)，該第三薄膜晶體管提 供該第五電壓至該第一電容的該第二端。
3. 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，截止該有機(jī)發(fā)光二極管 的步驟由一第四薄膜晶體管實(shí)現(xiàn)，該第四薄膜晶體管的一第一端與一第二端 串聯(lián)于該像素電流所流過(guò)的路徑上，該第一端為源極或漏極，該第二端為漏極或源極。
4. 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，該第五電壓的電壓位準(zhǔn) 實(shí)質(zhì)上等于該第四電壓的電壓位準(zhǔn)。
5. —種有機(jī)發(fā)光像素，其特征在于，包括 一第一電容；一第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管的一第一端接收一第一電壓，該 第一薄膜晶體管的一第二端耦接至該第一薄膜晶體管的柵極及該第一電容的一第一端；一第二薄膜晶體管，該第二薄膜晶體管的一第一端接收一第二電壓，該 第二薄膜晶體管的柵極耦接至該第一薄膜晶體管的柵極；一第三薄膜晶體管，該第三薄膜晶體管的一第一端接收一像素電壓，該 第三薄膜晶體管的一第二端耦接至該第一電容的一第二端，該第三薄膜晶體 管的柵極用以接收一掃描信號(hào)；一重置電路，用以設(shè)定該第一電容的該第一端為一第一電壓位準(zhǔn)；以及一有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極偶接至該第二薄膜晶體管 的一第二端，該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接收一第三電壓；其中，該第一電壓位準(zhǔn)低于該第一電壓的電壓位準(zhǔn)。
6. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光像素，其特征在于，該有機(jī)發(fā)光像素還 包括一第四薄膜晶體管，該第四薄膜晶體管的一第一端耦接至該第二薄膜晶 體管的該第二端，該第四薄膜晶體管的一第二端耦接至該有機(jī)發(fā)光二極管的 陽(yáng)極，該第五薄膜晶體管的柵極接收一第一控制信號(hào)。
7. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光像素，其特征在于，該有機(jī)發(fā)光像素還 包括一第四薄膜晶體管，該第四薄膜晶體管的一第一端接收該第二電壓，該 第四薄膜晶體管的一第二端耦接至該第二薄膜晶體管的該第一端，該第四薄 膜晶體管的柵極接收一第一控制信號(hào)。
8. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光像素，其特征在于，該重置電路還用以 重置該第一電容，該重置電路包括-一第五薄膜晶體管，該第五薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第一端，該第五薄膜晶體管的一第二端接收一第四電壓，該第五薄膜晶體 管的柵極接收一第二控制信號(hào)。
9. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光像素，其特征在于，該重置電路還用以 重置該第一電容，該重置電路包括一第五薄膜晶體管，該第五薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第一端，該第五薄膜晶體管的一第二端耦接該第五薄膜晶體管的柵極并接 收一第二控制信號(hào)。
10. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光像素，其特征在于，該重置電路還用 以重置該第一電容，該重置電路包括一第五薄膜晶體管，該第五薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的該第一端，該第五薄膜晶體管的一第二端耦接至該第一電容的該第二端，該 第五薄膜晶體管的柵極接收一第二控制信號(hào)。
11. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光像素，其特征在于，該有機(jī)發(fā)光像素 還包括一第二電容，該第二電容的一第一端耦接至該第一電容的該第二端，該 第二電容的一第二端接收該第二電壓。
12. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光像素，其特征在于，該重置電路還用 以重置該第一電容，該重置電路包括一第五薄膜晶體管，該第五薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第一端，該第五薄膜晶體管的一第二端接收一第四電壓，該第五薄膜晶體 管的柵極接收一第二控制信號(hào)；一第六薄膜晶體管，該第六薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第二端，該第六薄膜晶體管的一第二端接收該第四電壓，該第六薄膜晶體 管的柵極接收一第三控制信號(hào)。
13. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光像素，其特征在于，該重置電路還用以重置該第一電容，該重置電路包括一第五薄膜晶體管，該第五薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第一端，該第五薄膜晶體管的一第二端接收一第四電壓，該第五薄膜晶體 管的柵極接收一第二控制信號(hào)；一第六薄膜晶體管，該第六薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第二端，該第六薄膜晶體管的一第二端耦接至該第四薄膜晶體管的該第二 端，該第六薄膜晶體管的柵極接收一第三控制信號(hào)。
14. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光像素，其特征在于，該重置電路還用 以重置該第一電容，該重置電路包括一第五薄膜晶體管，該第五薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第一端，該第五薄膜晶體管的一第二端耦接該第五薄膜晶體管的柵極并接 收一第二控制信號(hào)；一第六薄膜晶體管，該第六薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第二端，該第六薄膜晶體管的一第二端耦接該第六薄膜晶體管的柵極并接 收一第三控制信號(hào)。
15. —種有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，包括 至少一像素，包括一第一電容；一第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管的一第一端接收一第一電壓，該 第一薄膜晶體管的一第二端耦接至該第一薄膜晶體管的柵極及該第一電容的—笛—總鬼 頓；一第二薄膜晶體管，該第二薄膜晶體管的一第一端接收一第二電壓，該第二薄膜晶體管的柵極耦接至該第一薄膜晶體管的柵極；一第三薄膜晶體管，該第三薄膜晶體管的一第一端接收一像素電壓，該 第三薄膜晶體管的一第二端耦接至該第一電容的一第二端，該第三薄膜晶體管的柵極用以接收一掃描信號(hào)；一重置電路，用以設(shè)定該第一電容的該第一端為一第一電壓位準(zhǔn)；以及一有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極偶接至該第二薄膜晶體管 的一第二端，該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接收一第三電壓；以及一驅(qū)動(dòng)單元，用以驅(qū)動(dòng)該像素，該驅(qū)動(dòng)單元包括一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，用以輸出該像素電壓；一掃描驅(qū)動(dòng)電路，用以輸出該掃描信號(hào)；及一時(shí)序控制電路，用以控制該重置電路設(shè)定該第一電容的該第一端為該 第一電壓位準(zhǔn)；其中，該第一電壓位準(zhǔn)低于該第一電壓的電壓位準(zhǔn)，該驅(qū)動(dòng)電路更用以 提供該第一電壓、該第二電壓與該第三電壓。
16. 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，該像素還包括 一第四薄膜晶體管，該第四薄膜晶體管的一第一端耦接至該第二薄膜晶體管的該第二端，該第四薄膜晶體管的一第二端耦接至該有機(jī)發(fā)光二極管的 陽(yáng)極，該第四薄膜晶體管的柵極接收由該時(shí)序控制電路輸出的一第一控制信 號(hào)。
17. 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，該像素還包括 一第四薄膜晶體管，該第四薄膜晶體管的一第一端接收該第二電壓，該第四薄膜晶體管的一第二端耦接至該第二薄膜晶體管的該第一端，該第四薄 膜晶體管的柵極接收由該時(shí)序控制電路輸出的一第一控制信號(hào)。
18. 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，該重置電路還 用以重置該第一電容，該重置電路包括一第五薄膜晶體管，該第五薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第一端，該第五薄膜晶體管的一第二端接收一第四電壓，該第五薄膜晶體 管的柵極接收一第二控制信號(hào)，該時(shí)序控制電路輸出該第二控制信號(hào)，該驅(qū) 動(dòng)單元用以提供該第四電壓。
19. 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，該重置電路還 用以重置該第一電容，該重置電路包括一第五薄膜晶體管，該第五薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第一端，該第五薄膜晶體管的一第二端耦接該第五薄膜晶體管的柵極，該 第五薄膜晶體管的柵極接收一第二控制信號(hào)，該時(shí)序控制電路輸出該第二控 制信號(hào)。
20. 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，該重置電路還 用以重置該第一電容，該重置電路包括一第五薄膜晶體管，該第五薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第一端，該第五薄膜晶體管的一第二端耦接至該第一電容的該第二端，該 第五薄膜晶體管的柵極接收一第二控制信號(hào)，該時(shí)序控制電路輸出該第二控 制信號(hào)。
21. 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，該像素還包括 一第二電容，該第二電容的一第一端耦接至該第一電容的該第二端，該第二電容的一第二端接收該第二電壓。
22. 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，該重置電路還 用以重置該第一電容，該重置電路包括一第五薄膜晶體管，該第五薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第一端，該第五薄膜晶體管的一第二端接收一第四電壓，該第五薄膜晶體 管的柵極接收一第二控制信號(hào)；一第六薄膜晶體管，該第六薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第二端，該第六薄膜晶體管的一第二端接收該第四電壓，該第六薄膜晶體 管的柵極接收一第三控制信號(hào)，該時(shí)序控制電路輸出該第二控制信號(hào)與該第 三控制信號(hào)，該驅(qū)動(dòng)電路更用以提供該第四電壓。
23. 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，該重置電路還用以重置該第一電容，該重置電路包括一第五薄膜晶體管，該第五薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第一端，該第五薄膜晶體管的一第二端接收一第四電壓，該第五薄膜晶體管的柵極接收一第二控制信號(hào)；一第六薄膜晶體管，該第六薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第二端，該第六薄膜晶體管的一第二端耦接至該第五薄膜晶體管的該第二 端，該第六薄膜晶體管的柵極接收一第三控制信號(hào)，該時(shí)序控制電路輸出該 第二控制信號(hào)與該第三控制信號(hào)，該驅(qū)動(dòng)電路更用以提供該第四電壓。
24. 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，該重置電路還 用以重置該第一電容，該重置電路包括一第五薄膜晶體管，該第五薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第一端，該第五薄膜晶體管的一第二端耦接該第五薄膜晶體管的柵極，該第五薄膜晶體管的柵極接收一第二控制信號(hào)；一第六薄膜晶體管，該第六薄膜晶體管的一第一端耦接至該第一電容的 該第二端，該第六薄膜晶體管的一第二端耦接該第六薄膜晶體管的柵極，該 第六薄膜晶體管的柵極接收一第三控制信號(hào)，該時(shí)序控制電路輸出該第二控 制信號(hào)與該第三控制信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其具有電壓補(bǔ)償技術(shù)的有機(jī)發(fā)光像素，包括第一電容、第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、重置電路以及有機(jī)發(fā)光二極管。第一薄膜晶體管接收第一電壓，第一薄膜晶體管的第二端耦接至本身的柵極及第一電容的第一端。第二薄膜晶體管接收第二電壓，第二薄膜晶體管的柵極耦接至第一薄膜晶體管的柵極。第三薄膜晶體管耦接至第一電容，且接收一像素電壓及一掃描信號(hào)。重置電路設(shè)定第一電容的第一端為第一電壓位準(zhǔn)。有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極耦接至第二薄膜晶體管的第二端，有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接收第三電壓?？筛纳婆R電壓補(bǔ)償速度，且可彌補(bǔ)現(xiàn)行有機(jī)發(fā)光顯示器畫面顯示不均的缺點(diǎn)。
文檔編號(hào)G09G3/32GK101192373SQ20061016395
公開日2008年6月4日 申請(qǐng)日期2006年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月27日
發(fā)明者曾名駿, 郭鴻儒, 黃建翔 申請(qǐng)人:奇美電子股份有限公司;奇晶光電股份有限公司